JP2005072140A - 半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
表面に回路が形成されたシリコンウエハの裏面を研削する工程、
シリコンウエハ裏面を酸化処理し、酸化膜を形成する工程、
シリコンウエハ裏面にダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、および
シリコンチップをピックアップする工程を含むことを特徴としている。
【選択図】 図2
Description
(1)インライン化プロセスでは、裏面研削終了後、直ちに研削面にダイシングテープを貼着しているため、裏面における酸化膜の形成はほとんど無い。
(2)一方、従来のプロセスでは、裏面研削終了後、ウエハカセットに収納し、裏面が露出した状態で移送した後、研削面にダイシングテープを貼着しているため、裏面が空気に曝される時間が長く、裏面における酸化膜の形成は、(1)に比して多い。
(3)酸化膜の形成が多いと、裏面と粘着剤層との間の親和性が弱く、一方、酸化膜の形成が少ないと、裏面と粘着剤層との間の親和性が強く、これがピックアップ不良の原因となる。
表面に回路が形成されたシリコンウエハの裏面を研削する工程、
シリコンウエハ裏面を酸化処理し、酸化膜を形成する工程、
シリコンウエハ裏面にダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、および
シリコンチップをピックアップする工程を含む。
いて、所定の回路が形成される。このようなウエハ1の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は650〜750μm程度である。
(1)密閉可能な短波長紫外線照射装置10を用いて、含酸素雰囲気中における短波長紫外線照射により行う。
000mJ/cm2である。また照射雰囲気における酸素濃度は、通常の空気濃度(20%程度)で使用可能であり、同程度の酸素分圧があれば減圧下での照射であってもよい。また、積極的に高濃度酸素を紫外線照射領域に供給してもよい。
(2)含酸素雰囲気中におけるプラズマ処理により行う。
(3)陽極酸化により行う。
(4)酸素イオンの打ち込みにより行う。
(5)スパッタリングにより行う。
(6)CVD (Chemical Vapor Deposition)により行う。
(7)水または砥粒を含む水を含ませた軟質樹脂製の摺動面を有するポリッシャでウエハ裏面を摩擦摺動させることにより行う(特開平6−192810号公報参照)。
(8)オゾン溶液やアンモニア過水溶液、塩酸過水溶液、硫酸過水溶液等の酸化剤溶液をウエハ裏面に供給することで行う。
任意の値)であり、酸化処理が充分であれば酸化膜はSiO2となり、ウエハ研削面は不
活性表面となる。酸化が不充分であったり行われなかった場合は、xは0に近い値となり、研削直後のウエハ研削面は活性な状態でダイシングテープの粘着剤と化学反応か、または何らかの相互作用を引き起こす。
(実施例)
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
(実施例1)
未処理のシリコンウエハ(200mm径)をウエハ研削装置(ディスコ社製、DFG-840)を用いて仕上げ厚が350μmとなるまで研削を行った。研削したウエハを短波長紫外線照射装
置(オーク製作所製、VUM-3037-F、低圧水銀ランプ使用、紫外線波長185nm、254nm)にセットし、研削後30秒以内に照射を行った。紫外線の照射条件は、照度約10mW/cm2、光量1800mJ/cm2、照射時間3分、照射距離15mmで行った。
用いた。
)で紫外線を照射してダイシングテープの粘着剤層を硬化した。先端にニードルを設けた荷重測定器を用いてチップを突き上げ、ピックアップ力を測定した。
(実施例2)
実施例1において、ダイシングテープの貼付からダイシングまでの時間を24時間とした以外は実施例1と同様の工程を行った。ピックアップ力と粘着力の結果を表1に示す。(実施例3、4)
実施例1、2において、ダイシングテープとして非紫外線硬化型粘着テープ(リンテック社製、Adwill G-12)を使用し、ダイシング後の紫外線照射を行わなかった以外は、そ
れぞれ実施例1、2と同様の工程を行った。ピックアップ力と粘着力の結果を表1に示す。
(比較例1〜4)
実施例1〜4において、ウエハ研削直後の短波長紫外線照射を行わず、それに合わせてダイシングテープを貼付するまでの時間を調整して行った以外は、それぞれ実施例1〜4と同様の工程を行った。ピックアップ力と粘着力の結果を表1に示す。
2…表面保護シート
3…グラインダー
4…吸着テーブル
5…短波長光源
6…ダイシングテープ
7…ローラー
8…リングフレーム
9…チップ
10…短波長紫外線照射装置
Claims (4)
- 表面に回路が形成されたシリコンウエハの裏面を研削する工程、
シリコンウエハ裏面を酸化処理し、酸化膜を形成する工程、
シリコンウエハ裏面にダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、および
シリコンチップをピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。 - 前記シリコンウエハ裏面の酸化処理を、含酸素雰囲気中における短波長紫外線照射により行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- ウエハの裏面研削装置と、ウエハ裏面への短波長紫外線照射装置とを備える半導体ウエハ加工装置。
- ウエハ裏面への短波長紫外線照射装置と、ダイシングテープ貼着装置とを備える半導体ウエハ加工装置。
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