JP2005064120A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラズマ処理装置のチャンバ1の側壁に設けるガス供給管5A、5Bを、チャンバ1の内部に誘電体窓9と離間して平行に設けられているガス分離板2を挟んだ位置にそれぞれ配置する。
【選択図】 図1
Description
特に、プロセスガスとしてCF4等のフッ素原子を添加したものを用いる場合は、ダメージが顕著である。
前記ガス供給管は、前記チャンバの内部に前記誘電体窓と離間して平行に設けられているガス分離板を挟んだ位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置である。
前記チャンバ内へのガスの供給は、チャンバ内に配置されているガス分離板の上方に配置されているガス供給管からはFを含まないO2ガスを供給し、ガス分離板の下方に配置されているガス供給管からはFを含んだガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法である。
前記チャンバ内へのガスの供給は、チャンバ内に配置されているガス分離板の上方に配置されているガス供給管からはFを含まないO2ガスを供給し、ガス分離板の下方に配置されているガス供給管からはNF3を加熱して熱分解して活性化したF原子を供給することを特徴とするプラズマ処理方法である。
Claims (5)
- 導波管内を進行したマイクロ波をチャンバ内に導くマイクロ波導入手段と誘電体窓とを具備し、かつ、前記チャンバ内には前記誘電体窓と所定空間を介して対向した位置に被処理物を保持するための静電チャックが配置され、かつ、該チャンバの上部から前記チャンバ内へガスを供給するガス供給管が設けられ、該チャンバ内のガスを前記マイクロ波によりプラズマ化することにより前記被処理物を処理するプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給管は、前記チャンバの内部に前記誘電体窓と離間して平行に設けられているガス分離板を挟んだ位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ガス分離板より上方に配置されているガス供給管からは、前記チャンバの内部にFを含まないO2ガスを供給し、一方、ガス分離板より下に配置されているガス供給管からはFを含んだガスを、チャンバの内部に供給するようにしていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス分離板より上方に配置されているガス供給管からは、前記チャンバの内部にFを含まないO2ガスを供給し、一方、ガス分離板より下方に配置されているガス供給管からは、NF3を加熱して熱分解して活性化させたF原子をチャンバの内部に供給していることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 導波管内を進行したマイクロ波をマイクロ波導入手段を介して誘電体窓からチャンバ内に導入させ、この誘電体窓により封止されガス供給管から前記チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化し、該チャンバ内に前記誘電体窓と所定空間を介して対向して配置された静電チャックに保持されている被処理物に処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記チャンバ内へのガスの供給は、チャンバ内に配置されているガス分離板の上方に配置されているガス供給管からはFを含まないO2ガスを供給し、ガス分離板の下方に配置されているガス供給管からはFを含んだガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 導波管内を進行したマイクロ波をマイクロ波導入手段を介して誘電体窓からチャンバ内に導入させ、この誘電体窓により封止されガス供給管から前記チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化し、該チャンバ内に前記誘電体窓と所定空間を介して対向して配置された静電チャックに保持されている被処理物に処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記チャンバ内へのガスの供給は、チャンバ内に配置されているガス分離板の上方に配置されているガス供給管からはFを含まないO2ガスを供給し、ガス分離板の下方に配置されているガス供給管からはNF3を加熱して熱分解して活性化したF原子を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
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JP2003290231A JP2005064120A (ja) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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-
2003
- 2003-08-08 JP JP2003290231A patent/JP2005064120A/ja active Pending
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