JP2005063850A - Organic el display panel and its manufacturing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display panel equipped with a sealing film capable of effectively protecting from infiltration of water and oxygen into the panel by a structure of directly coating an organic EL layer with a film structure. <P>SOLUTION: The organic EL display panel 10 is provided with a base plate 12 equipped with an anode electrode 14, the organic EL layer 18 formed on the anode electrode, and a cathode electrode formed on the organic EL layer. On the base plate, a sealing film 20 including a CVD film 22 formed by the vacuum ultraviolet-ray CVD method is fitted. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、水及び酸素のパネル内への浸透を効果的に防止することが可能な有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display panel capable of effectively preventing water and oxygen from penetrating into the panel and a method for manufacturing the same.

従来の有機ＥＬディスプレイパネルは、ガラス等の基板を含んでいる。この基板上には透明電極であるアノード電極が形成されている。このアノード電極上には有機ＥＬ層が形成されている。さらにこの有機ＥＬ層上には、カソード電極が形成されている。   A conventional organic EL display panel includes a substrate such as glass. An anode electrode which is a transparent electrode is formed on the substrate. An organic EL layer is formed on the anode electrode. Further, a cathode electrode is formed on the organic EL layer.

そして、パネル内に侵入してくる水及び酸素を除去するための吸収剤を具えたいわゆる金属キャップを、基板と対向させて設けることでパネルの封止が行われる。   The panel is sealed by providing a so-called metal cap provided with an absorbent for removing water and oxygen entering the panel so as to face the substrate.

近年、有機ＥＬ層上に直接的に封止膜を形成することで、有機ＥＬディスプレイパネルのさらなる薄型化を実現する試みがなされている。例えば、真空ポリマー蒸着技術により、ガラス基板上に紫外線硬化型ポリマー層を形成し、このポリマー層上にさらにセラミック膜を成膜した膜構造が知られている。そして、この２層からなる膜構造を単位として、この膜構造を複数段積層してなる封止膜が知られている（例えば、非特許文献１参照。）。   In recent years, attempts have been made to further reduce the thickness of organic EL display panels by directly forming a sealing film on the organic EL layer. For example, a film structure is known in which an ultraviolet curable polymer layer is formed on a glass substrate by a vacuum polymer deposition technique, and a ceramic film is further formed on the polymer layer. A sealing film is known in which a plurality of layers of this film structure are stacked in units of this two-layer film structure (see, for example, Non-Patent Document 1).

しかしながら、このような構成の封止膜では、パネル内への水及び酸素の浸透を完全に防止することはできない。   However, the sealing film having such a configuration cannot completely prevent the penetration of water and oxygen into the panel.

また、従来のプラズマＣＶＤ法等にかわる技術として、エキシマランプにより、シリコンウェハ上に低温で成膜する真空紫外光ＣＶＤ法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＰＤ Ｗｏｒｌｄ ２００１、１１、ｐ１１４−１２１ 特開２００１−２７４１５６号公報 Further, as a technique replacing the conventional plasma CVD method or the like, a vacuum ultraviolet light CVD method in which a film is formed on a silicon wafer at a low temperature using an excimer lamp has been proposed (for example, see Patent Document 1).
Semiconductor FPD World 2001, 11, p114-121 JP 2001-274156 A

このように、依然として、有機ＥＬ層を、直接的に膜構造で被覆する構成により、水及び酸素のパネル内への浸透から効果的に保護することができる封止膜は、実現されていない。従って、有機ＥＬ層を効果的に保護しつつ、有機ＥＬパネルの薄型化を実現するための技術が嘱望されている。また、プラスチックフィルム等のフレキシブルな基板に設けることで、水及び酸素のパネル内への浸透から効果的に保護することができる封止膜が嘱望されている。   Thus, a sealing film that can effectively protect water and oxygen from penetrating into the panel has not been realized by the structure in which the organic EL layer is directly covered with the film structure. Therefore, a technology for realizing a thin organic EL panel while effectively protecting the organic EL layer is desired. In addition, a sealing film that can be effectively protected from penetration of water and oxygen into a panel by being provided on a flexible substrate such as a plastic film is desired.

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。この課題を解決するにあたり、この発明の有機ＥＬディスプレイパネルは、下記のような構成上の特徴を有している。   The present invention has been made in view of the above problems. In solving this problem, the organic EL display panel of the present invention has the following structural features.

この発明のパネルは、アノード電極、このアノード電極上に形成されている有機ＥＬ層、及びこの有機ＥＬ層上に形成されているカソード電極を有している基板を具えている。この基板上には封止膜が設けられている。具体的には、この基板上には、真空紫外光ＣＶＤ法により形成されている膜が設けられている。このＣＶＤ膜は１層の膜であってもよいし、或いは２層以上の積層膜構造であってもよい。このＣＶＤ膜上には、上述の封止膜を構成する膜として、酸素及び水のパネル内への浸透を防ぐためのさらなる１層の膜又は２層以上の膜が設けられていてもよい。   The panel of the present invention comprises a substrate having an anode electrode, an organic EL layer formed on the anode electrode, and a cathode electrode formed on the organic EL layer. A sealing film is provided on this substrate. Specifically, a film formed by a vacuum ultraviolet light CVD method is provided on this substrate. This CVD film may be a single-layer film or may have a laminated film structure of two or more layers. On this CVD film, as a film constituting the above-described sealing film, an additional film of one layer or two or more films for preventing permeation of oxygen and water into the panel may be provided.

この基板は、好ましくは、プラスチックフィルムからなるフレキシブル基板とするのがよい。   This substrate is preferably a flexible substrate made of a plastic film.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルに適用される１層のＣＶＤ膜又は２層以上の積層膜構造からなるＣＶＤ膜のうち、少なくとも１層は、酸化膜系の膜とするのがよい。   Of the one-layer CVD film or the CVD film having a laminated film structure of two or more layers applied to the organic EL display panel of the present invention, at least one layer is preferably an oxide film film.

また、この発明の有機ＥＬディスプレイパネルに適用される１又は２層以上の積層構造からなるＣＶＤ膜のうち、少なくとも１層は、窒素を含有する膜とするのがよい。   In addition, among the CVD films having a laminated structure of one or more layers applied to the organic EL display panel of the present invention, at least one layer is preferably a film containing nitrogen.

また、この発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法によれば、主として以下の工程を含んでいる。   Moreover, according to the manufacturing method of the organic EL display panel of this invention, the following processes are mainly included.

すなわち、基板上にアノード電極を形成する工程と、アノード電極上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層上に、カソード電極を形成する工程と、基板上に、真空紫外光ＣＶＤ法によりアノード電極、有機ＥＬ層及びカソード電極を埋め込むＣＶＤ膜を形成する工程とを含んでいる。   That is, a step of forming an anode electrode on a substrate, a step of forming an organic EL layer on the anode electrode, a step of forming a cathode electrode on the organic EL layer, and a vacuum ultraviolet light CVD method on the substrate And forming a CVD film for embedding the anode electrode, the organic EL layer and the cathode electrode.

ＣＶＤ膜を形成する工程の後に、ＣＶＤ膜上に、酸素及び水の浸透を防止することができる膜を積層構造膜として形成する工程を含んでいてもよい。   After the step of forming the CVD film, a step of forming a film capable of preventing permeation of oxygen and water as a laminated structure film on the CVD film may be included.

ＣＶＤ膜を形成する工程は、真空紫外光ＣＶＤ法により、少なくとも１層のシリコン窒化膜を形成する工程とするのがよい。   The step of forming the CVD film is preferably a step of forming at least one silicon nitride film by a vacuum ultraviolet light CVD method.

また、ＣＶＤ膜を形成する工程は、真空紫外光ＣＶＤ法により、少なくとも１層のシリコン酸化膜を形成する工程とするのがよい。   The step of forming the CVD film is preferably a step of forming at least one silicon oxide film by a vacuum ultraviolet light CVD method.

さらにＣＶＤ膜を形成する工程は、第１ＣＶＤ膜として、基板上に、シリコン窒化膜を形成する第１サブ工程と、シリコン窒化膜上に、第２ＣＶＤ膜としてシリコン酸化膜を形成する第２サブ工程とを含むのがよい。   Further, the step of forming the CVD film includes a first sub-step of forming a silicon nitride film on the substrate as the first CVD film, and a second sub-step of forming a silicon oxide film as the second CVD film on the silicon nitride film. It is good to include.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルは、常温により成膜が可能な真空紫外光ＣＶＤ法により、有機ＥＬ層を覆う良質な封止膜を具えている。   The organic EL display panel of the present invention includes a high-quality sealing film that covers the organic EL layer by a vacuum ultraviolet light CVD method that allows film formation at room temperature.

真空紫外光ＣＶＤ法により形成されたＣＶＤ膜は、水及び酸素の透過性が極めて低いので、有機ＥＬ層を効果的に保護することができる。特に真空紫外光ＣＶＤ法により成膜されるシリコン酸化膜は、埋込み性がよく、ボイドを発生しにくいので、有機ＥＬ層を埋め込んで効果的に外気から隔絶することができる。また、真空紫外光ＣＶＤ法により成膜されるシリコン酸化膜は、光透過率が非常に高いので、アモルファスシリコン、低温ポリシリコンを使用するいわゆるトップエミッション型のディスプレイに適用したときに、特に好適である。   Since the CVD film formed by the vacuum ultraviolet light CVD method has extremely low water and oxygen permeability, the organic EL layer can be effectively protected. In particular, a silicon oxide film formed by a vacuum ultraviolet light CVD method has good embeddability and is less likely to generate voids, so that an organic EL layer can be embedded and effectively isolated from the outside air. In addition, a silicon oxide film formed by a vacuum ultraviolet light CVD method has a very high light transmittance, so that it is particularly suitable when applied to a so-called top emission type display using amorphous silicon or low-temperature polysilicon. is there.

また、真空紫外光ＣＶＤ法により成膜されるシリコン窒化膜は、水及び酸素の透過性が極めて低いので、パネル内への水及び酸素の浸透を阻止することができる。従って、有機ＥＬ層を効果的に保護して、有機ＥＬ層の劣化を抑制することができるので、ディスプレイパネルの寿命を延ばすことが可能となる。   Moreover, since the silicon nitride film formed by the vacuum ultraviolet light CVD method has extremely low water and oxygen permeability, it is possible to prevent water and oxygen from penetrating into the panel. Accordingly, the organic EL layer can be effectively protected and deterioration of the organic EL layer can be suppressed, so that the lifetime of the display panel can be extended.

さらに、このＣＶＤ膜を平坦性の高い膜として成膜することができるので、このＣＶＤ膜の上面に形成される膜の成膜に際しては、より高精度での成膜が可能となる。従って、ＣＶＤ膜の上面側に形成されるさらなる膜の選択性が向上するので、ＣＶＤ膜とその上面側に形成されるさらなる膜構造との相乗効果により、パネル内への水及び酸素の侵入をより効果的に防止することができる。   Furthermore, since this CVD film can be formed as a film having high flatness, it is possible to form the film formed on the upper surface of this CVD film with higher accuracy. Therefore, since the selectivity of the additional film formed on the upper surface side of the CVD film is improved, the synergistic effect of the CVD film and the additional film structure formed on the upper surface side prevents water and oxygen from entering the panel. It can prevent more effectively.

従って、この発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法によれば、水及び酸素のパネル内への浸透を効果的に防止することで、長寿命かつ高品質な有機ＥＬディスプレイパネルを効率的に製造することができる。   Therefore, according to the method of manufacturing an organic EL display panel of the present invention, a long-life and high-quality organic EL display panel is efficiently manufactured by effectively preventing water and oxygen from penetrating into the panel. be able to.

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。また、以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これらは好適例の１つに過ぎず、従って、何らこれらに限定されない。また、以下の説明に用いる各図において同様の構成成分については、同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合もあることを理解されたい。     Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, only the shapes, sizes, and arrangement relationships of the respective constituent components are schematically shown to such an extent that the present invention can be understood, and the present invention is not particularly limited thereby. In the following description, specific materials, conditions, numerical conditions, and the like may be used. However, these are merely preferred examples, and are not limited to these. In addition, it should be understood that the same constituent components are denoted by the same reference numerals in the drawings used for the following description, and redundant description thereof may be omitted.

［第１の実施の形態］
１．有機ＥＬディスプレイパネルの構成例
この例では、パッシブ型の有機ＥＬディスプレイパネルの構成を例にとって説明する。 [First Embodiment]
1. Configuration Example of Organic EL Display Panel In this example, a configuration of a passive organic EL display panel will be described as an example.

この実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルの構成例について、図１を参照して説明する。図１は、パッシブ型の有機ＥＬディスプレイパネルの要部を、アノード電極上でアノード電極の延在方向に沿って切断した切断面として概略的に示す模式的な断面図である。   A configuration example of the organic EL display panel of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing a main part of a passive organic EL display panel as a cut surface cut on the anode electrode along the extending direction of the anode electrode.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネル１０は、基板１２を具えている。この基板１２は、好ましくは、ガラス基板とするのがよい。基板１２は、例えば、任意好適な種々の材料からなるプラスチックフィルム等のフレキシブルな基板とすることもできる。基板１２をフレキシブルな基板とする構成例については、後述する第２の実施の形態で詳述する。   The organic EL display panel 10 of the present invention includes a substrate 12. The substrate 12 is preferably a glass substrate. The substrate 12 may be a flexible substrate such as a plastic film made of various suitable materials. A configuration example in which the substrate 12 is a flexible substrate will be described in detail in a second embodiment described later.

また、いわゆるトップエミッション型のディスプレイとする場合には、Ａｌ（アルミニウム）等からなる光透過性のない金属基板とすることもできる。   In the case of a so-called top emission type display, a non-light-transmitting metal substrate made of Al (aluminum) or the like can be used.

基板１２の上面１２ａには、アノード電極１４が複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして形成されている。この例では、アノード電極１４の複数のラインパターンが、断面図の横方向に、所定の間隔で並んで設けられている。従って、図１には、このアノード電極１４のラインパターンの１つを縦断している状態を示してある。   On the upper surface 12a of the substrate 12, an anode electrode 14 is formed as a striped line pattern composed of a plurality of lines. In this example, a plurality of line patterns of the anode electrode 14 are provided at predetermined intervals in the horizontal direction of the cross-sectional view. Accordingly, FIG. 1 shows a state in which one of the line patterns of the anode electrode 14 is vertically cut.

アノード電極１４の上面１４ａを含む基板上面１２ａには、カソード隔壁１６が設けられている。カソード隔壁１６は、並列にかつ直線的に設けられているアノード電極１４に対して直交する方向に、やはり複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして、設けられている。従って、カソード隔壁１６は、互いに所定の間隔で並列にかつ直線的に設けられている。   A cathode partition 16 is provided on the substrate upper surface 12 a including the upper surface 14 a of the anode electrode 14. The cathode barrier 16 is provided as a stripe-like line pattern composed of a plurality of lines in a direction orthogonal to the anode electrodes 14 provided in parallel and linearly. Accordingly, the cathode partition walls 16 are provided in parallel and linearly at a predetermined interval.

カソード隔壁１６同士の間隙であって、当該間隙に露出しているアノード電極１４の領域及び基板１２の表面領域の直上には、有機ＥＬ層（発光層）１８が設けられている。この有機ＥＬ層１８は、カソード隔壁１６の延在方向に沿って、複数のラインパターンとして平行に設けられている。   An organic EL layer (light emitting layer) 18 is provided in the gap between the cathode barrier ribs 16 and immediately above the area of the anode electrode 14 exposed in the gap and the surface area of the substrate 12. The organic EL layer 18 is provided in parallel as a plurality of line patterns along the extending direction of the cathode partition 16.

従って、有機ＥＬ層１８は、所定の間隔で、アノード電極１４のラインパターンと直交する方向に、複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして設けられている。   Therefore, the organic EL layer 18 is provided as a striped line pattern composed of a plurality of lines in a direction orthogonal to the line pattern of the anode electrode 14 at a predetermined interval.

有機ＥＬ層１８上には、カソード電極１９が有機ＥＬ層１８の上面を覆って設けられている。このカソード電極１９の上面１９ａの基板上面１２ａからの高さは、カソード隔壁１６の上面１６ａの基板上面１２ａからの高さよりも低くなっている。図１では図示が省略されているが、カソード隔壁１６の上面１６ａには、実際には、有機ＥＬ層１８の材料及びカソード電極１９の材料が、発光機能は持たないものの、製造プロセスの結果として積層されている。従って、ここでいうカソード隔壁１６の高さとは、これらの高さ（厚さ）を含めた高さを指すものとする。   On the organic EL layer 18, a cathode electrode 19 is provided so as to cover the upper surface of the organic EL layer 18. The height of the upper surface 19a of the cathode electrode 19 from the substrate upper surface 12a is lower than the height of the upper surface 16a of the cathode partition 16 from the substrate upper surface 12a. Although not shown in FIG. 1, although the material of the organic EL layer 18 and the material of the cathode electrode 19 actually do not have a light emitting function on the upper surface 16a of the cathode partition wall 16, as a result of the manufacturing process. Are stacked. Therefore, the height of the cathode partition 16 here refers to the height including these heights (thicknesses).

ここまで説明した、基板１２上に形成される有機ＥＬディスプレイパネルの構成要素については、従来公知の構成を適用することができる。これらについてはこの発明の要旨ではないので、材料等の詳細な説明については省略する。   Conventionally known configurations can be applied to the components of the organic EL display panel formed on the substrate 12 described so far. Since these are not the gist of the present invention, detailed description of materials and the like is omitted.

上述した構成要素、すなわち、アノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８、及びカソード電極１９は、封止膜２０により封止されて、外気から隔絶される。以下、この発明の特徴的な構成である封止膜２０の具体的な構成について説明する。   The above-described components, that is, the anode electrode 14, the cathode partition 16, the organic EL layer 18, and the cathode electrode 19 are sealed by the sealing film 20 and isolated from the outside air. Hereinafter, a specific configuration of the sealing film 20 which is a characteristic configuration of the present invention will be described.

封止膜２０は、ＣＶＤ膜２２を含む膜として構成されている。   The sealing film 20 is configured as a film including the CVD film 22.

この例では、ＣＶＤ膜２２として、基板１２上に、上述したアノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８及びカソード電極１９を埋め込んで設けられている第１ＣＶＤ膜２２ａと、この第１ＣＶＤ膜２２ａ上に設けられている第２ＣＶＤ膜２２ｂとを含んでいる。この例ではＣＶＤ膜２２を２層の膜構造としているが、１層の膜構造として構成してもよいし、或いは３層以上の膜構造として構成することもできる。   In this example, as the CVD film 22, a first CVD film 22 a provided by burying the above-described anode electrode 14, cathode partition 16, organic EL layer 18, and cathode electrode 19 on the substrate 12, and the first CVD film 22 a. And a second CVD film 22b provided thereon. In this example, the CVD film 22 has a two-layer film structure. However, the CVD film 22 may have a one-layer film structure or a three-layer or more film structure.

第１ＣＶＤ膜２２ａは、カソード隔壁１６の上面を覆う厚さで形成されている。しかしながら、第１ＣＶＤ膜２２ａは、カソード隔壁１６の上面よりも低く設けてもよい。   The first CVD film 22 a is formed with a thickness that covers the upper surface of the cathode barrier 16. However, the first CVD film 22 a may be provided lower than the upper surface of the cathode barrier 16.

ＣＶＤ膜２２、すなわち、第１ＣＶＤ膜２２ａ及び第２ＣＶＤ膜２２ｂ、並びに３層以上の構成として第２ＣＶＤ膜２２ｂ上に設けられる図示されていないさらなるＣＶＤ膜は、それぞれシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜のいずれかにより構成される。従って、ＣＶＤ膜２２は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜の単層として構成することもできるし、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を組み合わせた複数の積層膜として構成することもできる。   The CVD film 22, that is, the first CVD film 22a and the second CVD film 22b, and a further CVD film (not shown) provided on the second CVD film 22b as a structure of three or more layers are each a silicon nitride film or a silicon oxide film. It is composed of Therefore, the CVD film 22 can be configured as a single layer of a silicon nitride film or a silicon oxide film, or can be configured as a plurality of laminated films combining the silicon nitride film and the silicon oxide film.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルに適用されるＣＶＤ膜２２は、真空紫外光ＣＶＤ法により成膜されて得られる薄膜であることを特色としている。製造工程及び成膜条件については後述する。   The CVD film 22 applied to the organic EL display panel of the present invention is characterized in that it is a thin film formed by vacuum ultraviolet light CVD. The manufacturing process and film forming conditions will be described later.

ＣＶＤ膜２２上には、膜構造２４が設けられている。この膜構造２４は、封止膜の強度、及び／又は上述したＣＶＤ膜２２の酸素と水の浸透性を考慮して、これら強度と浸透性を増強する必要がある場合に形成される。   A film structure 24 is provided on the CVD film 22. This film structure 24 is formed when it is necessary to enhance the strength and permeability in consideration of the strength of the sealing film and / or the oxygen and water permeability of the CVD film 22 described above.

図中、第１膜２４ａ及び第２膜２４ｂの２層からなる構造として示してあるが、ディスプレイパネルの強度、及び／又は酸素と水の浸透性を勘案して、１層として構成してもよいし、３層以上設ける構成とすることもできる。   In the figure, it is shown as a structure composed of two layers of the first film 24a and the second film 24b, but it may be configured as one layer in consideration of the strength of the display panel and / or the permeability of oxygen and water. Alternatively, a structure in which three or more layers are provided may be employed.

この膜構造２４は、温度等の成膜条件を、有機ＥＬ層にダメージを与えないことを前提として設定して、上述した真空紫外光ＣＶＤ法以外の方法により形成することができる。例えば、従来公知のスパッタリング工程により、封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透性を勘案して決定された材料、例えば、任意好適な組成のセラミック、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により形成するのがよい。パネルの構造をトップエミッション型とする場合には、封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透性等を勘案して決定された光透過性の材料により成膜を行う。 This film structure 24 can be formed by a method other than the above-described vacuum ultraviolet light CVD method on the assumption that film forming conditions such as temperature are not damaged to the organic EL layer. For example, a material determined by a conventionally known sputtering process in consideration of the strength of the sealing film 20 and / or the permeability of oxygen and water, for example, ceramic of any suitable composition, alumina (Al ₂ O ₃ ) It is good to form by. When the panel structure is a top emission type, the film is formed using a light-transmitting material determined in consideration of the strength of the sealing film 20 and / or the permeability of oxygen and water.

また、１層では封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性が確保できない場合には、複数の同一であるか、又は異なる材料により形成される膜を積層して複数の膜構造としてもよい。   Further, when the strength of the sealing film 20 and / or the resistance to permeation of oxygen and water cannot be ensured by one layer, a plurality of films formed of the same or different materials are stacked to form a plurality of layers. A film structure may be used.

さらに、この膜構造２４上に、上述した真空紫外光ＣＶＤ法により形成される２段目のＣＶＤ膜（図示せず。）を形成し、この２段目のＣＶＤ膜上にセラミック等により形成されるさらなる膜構造を形成することもできる。すなわち、ＣＶＤ膜２２及び膜構造２４からなる封止膜を基板１２上に複数段繰り返して形成することで、ディスプレイパネルの強度を確保しつつ、パネル内への酸素及び水分の侵入をより効果的に防止することができる。   Further, a second-stage CVD film (not shown) formed by the above-described vacuum ultraviolet light CVD method is formed on the film structure 24, and the second-stage CVD film is formed of ceramic or the like. Additional film structures can also be formed. That is, by forming the sealing film composed of the CVD film 22 and the film structure 24 repeatedly on the substrate 12, it is possible to more effectively prevent oxygen and moisture from entering the panel while ensuring the strength of the display panel. Can be prevented.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルは、常温で成膜が可能な真空紫外光ＣＶＤ法により良質なＣＶＤ膜を具えている。すなわちこのＣＶＤ膜により、有機ＥＬ層の機能を損なうことなく、有機ＥＬ層を覆う膜として封止することができる。   The organic EL display panel of the present invention includes a high-quality CVD film by a vacuum ultraviolet light CVD method capable of forming a film at room temperature. That is, this CVD film can be sealed as a film covering the organic EL layer without impairing the function of the organic EL layer.

真空紫外光ＣＶＤ法により形成されたＣＶＤ膜は、水及び酸素の透過性が低いので、有機ＥＬ層を効果的に保護することができる。   Since the CVD film formed by the vacuum ultraviolet light CVD method has low water and oxygen permeability, the organic EL layer can be effectively protected.

このＣＶＤ膜は、常温で、より平坦な膜として形成されているので、特にトップエミッション型のディスプレイとした場合の散乱防止、同色化といった光学的な観点から優れた特性を有する。   Since this CVD film is formed as a flatter film at room temperature, it has excellent characteristics from the optical point of view such as scattering prevention and color matching especially in the case of a top emission type display.

２．有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
上述した構造を有するこの発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法につき説明する。 2. Method for Manufacturing Organic EL Display Panel A method for manufacturing the organic EL display panel of the present invention having the above-described structure will be described.

基板１２上には、上述したアノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８及びカソード電極１９が、任意好適な材料により、所定の間隔及び大きさで形成されている。これらについてはこの発明の要旨ではないので、封止膜２０の製造工程に重点をおいて説明し、製造工程の詳細な説明については省略する。   On the substrate 12, the above-described anode electrode 14, cathode partition 16, organic EL layer 18, and cathode electrode 19 are formed with a predetermined interval and size using any suitable material. Since these are not the gist of the present invention, description will be given with emphasis on the manufacturing process of the sealing film 20, and detailed description of the manufacturing process will be omitted.

まず、第１ＣＶＤ膜２２ａを形成する。第１ＣＶＤ膜２２ａは、基板１２上に、上述したアノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８及びカソード電極１９を埋め込むように形成する。   First, the first CVD film 22a is formed. The first CVD film 22 a is formed on the substrate 12 so as to embed the above-described anode electrode 14, cathode partition 16, organic EL layer 18, and cathode electrode 19.

この発明のＣＶＤ膜２２としては、この発明の目的を損なわない範囲で、任意好適な膜材料を選択することができる。例えば好適材料例としては、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ ｅｔｈｏｘｙ ｓｉｌａｎｅ）、ＨＭＤＳＯ（Ｈｅｘａ ｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）、ＴＭＣＴＳ（Ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏｔｅｔｒａｓｉｌｏｘａｎｅ）及びＯＭＣＴＳ（Ｏｃｔｏ ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏｔｅｔｒａｓｉｌｏｘａｎｅ）を含む酸化膜系の材料と、ＢＴＢＡＳ（Ｂｉｓ（ｔｅｒｔｉａｒｙ ｂｕｔｙｌ ａｍｉｎｏ）ｓｉｌａｎｅ）を含む窒化膜系の材料が想定されている。この発明のＣＶＤ膜２２は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を単一の層とするか、又はこれらを組み合わせて複数の積層構造膜として形成される。   As the CVD film 22 of the present invention, any suitable film material can be selected as long as the object of the present invention is not impaired. For example, suitable materials include TEOS (Tetra ethoxy silane), HMDSO (Hexa methyl disiloxane), TMCTS (Tetra methyl cyclotetrasilane) and OMCTS (Octo methyl CB). ) Silane) including nitride-based materials are envisioned. The CVD film 22 of the present invention is formed as a plurality of stacked structure films by using a silicon oxide film or a silicon nitride film as a single layer or by combining them.

この発明のＣＶＤ膜２２は、真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。真空紫外光ＣＶＤ法により上記の酸化膜系の材料により形成されるシリコン酸化膜は、特に埋込み性に優れている。また、真空紫外光ＣＶＤ法により、窒化膜系の材料、すなわちＢＴＢＡＳにより形成されるシリコン窒化膜は、酸素及び水の浸透性が非常に低いという特色を有している。従って、これらの特性を組み合わせることで、埋込み性と、酸素及び水のパネル内への侵入防止効果とを両立させることができる。   The CVD film 22 of the present invention is formed by a vacuum ultraviolet light CVD method. A silicon oxide film formed of the above oxide film-based material by the vacuum ultraviolet light CVD method is particularly excellent in embeddability. In addition, a nitride film material, that is, a silicon nitride film formed by BTBAS by a vacuum ultraviolet light CVD method has a feature that the permeability of oxygen and water is very low. Therefore, by combining these characteristics, it is possible to achieve both embeddability and the effect of preventing oxygen and water from entering the panel.

ここで、真空紫外光ＣＶＤ法について概略的に説明する。   Here, the vacuum ultraviolet light CVD method will be schematically described.

真空紫外光ＣＶＤ法による成膜は、成膜材料が気相とされて、基板表面上に供給され、供給された成膜材料ガスを、比較的低温（具体的には常温（２５℃程度））で、エキシマランプのフォトンエネルギーのみで分解することにより行われる。分解された成膜材料ガスは、反応活性種となって、基板上に堆積する。従って、温度耐性の低い材料で形成される構造上であっても、これらの機能を損なうことなく良質な膜を形成することができる。エキシマランプには、例えば希ガスであるアルゴン、クリプトン及びキセノン、並びにこれらの混合ガス等が充填されている。エキシマランプに充填されるガスは、成膜材料ガスの結合エネルギーに応じて選択すればよい。成膜装置については、従来公知の成膜装置を適用することができるので、その詳細な説明は省略する。   In the film formation by the vacuum ultraviolet light CVD method, the film forming material is made into a gas phase and supplied onto the substrate surface, and the supplied film forming material gas is used at a relatively low temperature (specifically, room temperature (about 25 ° C.)). ) And is decomposed only by the photon energy of the excimer lamp. The decomposed film forming material gas becomes a reactive species and is deposited on the substrate. Therefore, even on a structure formed of a material having low temperature resistance, a high-quality film can be formed without impairing these functions. The excimer lamp is filled with, for example, rare gases such as argon, krypton, and xenon, and a mixed gas thereof. The gas filled in the excimer lamp may be selected according to the binding energy of the film forming material gas. Since a conventionally known film forming apparatus can be applied to the film forming apparatus, detailed description thereof is omitted.

以下、成膜条件につき、説明する。   Hereinafter, film forming conditions will be described.

なお、いずれの成膜も、チャンバ内の到達真空度は最低でも１．３３３×１０^-1パスカル（以下単にＰａと称する。）（１Ｅ−３Ｔｏｒｒ）として行うのがよい。これより低い真空度であれば、問題なく成膜が行える。 In any film formation, it is preferable that the ultimate vacuum in the chamber is 1.333 × 10 ⁻¹ pascal (hereinafter simply referred to as Pa) (1E-3 Torr). If the degree of vacuum is lower than this, film formation can be performed without any problem.

また、エキシマランプは、内部にキセノンガスを充填したランプを用い、厚さ２０ｍｍの合成石英窓下、５０ｍＷ／ｃｍ²で成膜を行うのがよい。 The excimer lamp is preferably a lamp filled with xenon gas, and the film is formed at 50 mW / cm ² under a synthetic quartz window having a thickness of 20 mm.

ＣＶＤ層２２の成膜
１）酸化膜系の材料により形成する場合
上述した酸化膜系の成膜材料は、埋込み性に優れている。従って、カソード隔壁１６と、有機ＥＬ層１８及びカソード電極１９の間隙に、ボイドを生じることなく埋め込むことができる。 Film formation of CVD layer 22 1) In the case of forming with an oxide film-based material The above-described oxide film-based film forming material is excellent in embedding property. Therefore, the gaps between the cathode barrier 16 and the organic EL layer 18 and the cathode electrode 19 can be embedded without generating voids.

上述した酸化膜系成膜材料のうち、ＴＥＯＳ、ＨＭＤＳＯ及びＯＭＣＴＳを使用する場合には、フロー特性を向上させて、埋込み性を良好なものとするために、材料ガス：Ｏ₂の流量比を例えば最大でも１０：１の比率として、好ましくはＯ₂ガスを添加して埋込みを行うのがよい。 Among the oxide film-based film forming materials described above, when TEOS, HMDSO, and OMCTS are used, the flow ratio of the material gas: O ₂ is increased in order to improve the flow characteristics and improve the embedding property. For example, the filling is preferably performed by adding O ₂ gas at a ratio of 10: 1 at the maximum.

この程度の比率の酸素濃度であれば、Ｏ₂ガスは、成膜材料ガスの分解のみに費やされるので、直接的に有機ＥＬ層１８にダメージを与えることはない。 If the oxygen concentration is in such a ratio, the O ₂ gas is consumed only for the decomposition of the film forming material gas, so that the organic EL layer 18 is not directly damaged.

ＴＭＣＴＳを使用する場合には、Ｏ₂ガスを添加することなく、良好な埋込み性を確保しつつ成膜を行うことができる。 When TMCTS is used, film formation can be performed while ensuring good embedding without adding O ₂ gas.

成膜温度は、常温（２５℃）とする。従って、有機ＥＬ層の機能を損なうことなく酸化膜の成膜を行うことができる。また、有機ＥＬ層の機能を損なわない温度であることを条件として、成膜温度を上げて成膜を行うこともできる。例えば有機ＥＬ層の耐熱温度が８０℃である場合には、常温（２５℃）から８０℃より低い温度の範囲であれば、これを成膜温度とすることができる。このように常温よりも反応温度を高く設定すれば、成膜されたＣＶＤ膜中に含まれる材料ガス由来の有機成分の量を減少させることができる。従って、反応温度をこの範囲内で適宜調節することにより、形成される膜の性質を調整して最適化することができる。   The film forming temperature is normal temperature (25 ° C.). Therefore, the oxide film can be formed without impairing the function of the organic EL layer. In addition, film formation can be performed by raising the film formation temperature on condition that the temperature does not impair the function of the organic EL layer. For example, when the heat-resistant temperature of the organic EL layer is 80 ° C., the film forming temperature can be set within a range from room temperature (25 ° C.) to lower than 80 ° C. Thus, if the reaction temperature is set higher than the normal temperature, the amount of the organic component derived from the material gas contained in the formed CVD film can be reduced. Therefore, by appropriately adjusting the reaction temperature within this range, the properties of the formed film can be adjusted and optimized.

具体的な成膜条件としては、例えば、以下のように設定するのがよい。   Specific film forming conditions are preferably set as follows, for example.

ｉ）成膜ガス：ＴＥＯＳ
ａ）Ｏ₂ガス添加なし
ＴＥＯＳガス流量：５０ｓｃｃｍ
反応圧力：３９．９９Ｐａ（３００ｍｔｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約３０ｎｍ／分
ｂ）Ｏ₂ガス添加
ＴＥＯＳガス流量：５０ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：２５ｓｃｃｍ
反応圧力：５９．９９Ｐａ（４５０ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約２００ｎｍ／分
ｉｉ）成膜ガス：ＨＭＤＳＯ
ａ）Ｏ₂ガス添加なし
ＨＭＤＳＯ蒸気圧：１３．３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）
反応圧力：３９．９９Ｐａ（３００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約１００ｎｍ／分
ｂ）Ｏ₂ガス添加
ＨＭＤＳＯ蒸気圧：１３．３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）
Ｏ₂ガス流量：２０ｓｃｃｍ
反応圧力：７９．９８Ｐａ（６００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約５００ｎｍ／分
ｉｉｉ）成膜ガス：ＯＭＣＴＳ
ａ）Ｏ₂ガス添加なし
ＯＭＣＴＳ蒸気圧：６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
反応圧力：１３．３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約３００ｎｍ／分
ｂ）Ｏ₂ガス添加
ＯＭＣＴＳ蒸気圧：６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
Ｏ₂ガス流量：２０ｓｃｃｍ
反応圧力：２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約６００ｎｍ／分
ｉｖ）成膜ガス：ＴＭＣＴＳ
ａ）Ｏ₂ガス添加なし
ＴＭＣＴＳ蒸気圧：１１．３３Ｐａ（８５ｍＴｏｒｒ）
反応圧力：１３．３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約５０ｎｍ／分
ｂ）Ｏ₂ガス添加
ＴＭＣＴＳ蒸気圧：１１．３３Ｐａ（８５ｍＴｏｒｒ）
Ｏ₂ガス流量：２０ｓｃｃｍ
反応圧力：２６．６６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約２５０ｎｍ／分 i) Deposition gas: TEOS
a) No O ₂ gas added TEOS gas flow rate: 50 sccm
Reaction pressure: 39.99 Pa (300 mtorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 30 nm / min b) O ₂ gas added TEOS gas flow rate: 50 sccm
O ₂ gas flow rate: 25 sccm
Reaction pressure: 59.99 Pa (450 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 200 nm / min ii) Deposition gas: HMDSO
a) HMDSO vapor pressure without addition of O ₂ gas: 13.33 Pa (100 mTorr)
Reaction pressure: 39.99 Pa (300 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 100 nm / min b) O ₂ gas added HMDSO vapor pressure: 13.33 Pa (100 mTorr)
O ₂ gas flow rate: 20 sccm
Reaction pressure: 79.98 Pa (600 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 500 nm / min iii) Deposition gas: OMCTS
a) No O ₂ gas added OMCTS vapor pressure: 6.665 Pa (50 mTorr)
Reaction pressure: 13.33 Pa (100 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 300 nm / min b) O ₂ gas added OMCTS vapor pressure: 6.665 Pa (50 mTorr)
O ₂ gas flow rate: 20 sccm
Reaction pressure: 26.66 Pa (200 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 600 nm / min iv) Deposition gas: TMCTS
a) TMCTS vapor pressure without addition of O ₂ gas: 11.33 Pa (85 mTorr)
Reaction pressure: 13.33 Pa (100 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 50 nm / min b) O ₂ gas added TMCTS vapor pressure: 11.33 Pa (85 mTorr)
O ₂ gas flow rate: 20 sccm
Reaction pressure: 26.66 Pa (200 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 250 nm / min

２）窒化膜系の材料により形成する場合
窒化膜系の材料により成膜されるシリコン窒化膜は、上述したように、酸素及び水の透湿性が極めて低いので、パネル内への酸素及び水の浸透を効果的に防止することができる。 2) In the case of forming with a nitride film-based material As described above, the silicon nitride film formed with a nitride film-based material has extremely low moisture permeability of oxygen and water. Penetration can be effectively prevented.

成膜温度は、常温（２５℃）とする。従って、有機ＥＬ層の機能を損なうことなく成膜を行うことができる。また、酸化膜系の材料で成膜を行うのと同様に、有機ＥＬ層の機能を損なわない温度であることを条件として、成膜温度を上げて成膜を行うこともできる。   The film forming temperature is normal temperature (25 ° C.). Accordingly, film formation can be performed without impairing the function of the organic EL layer. Similarly to the case where the film is formed using an oxide film-based material, the film can also be formed at a higher film formation temperature, provided that the temperature does not impair the function of the organic EL layer.

具体的な成膜条件としては、例えば、以下のように設定するのがよい。
成膜ガス：ＢＴＢＡＳ（Ｏ₂ガス添加なし）
ＢＴＢＡＳ蒸気圧：１１．３３Ｐａ（８５ｍＴｏｒｒ）
反応圧力：１３．３３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）
反応温度：常温（２５℃）
成膜レート：約１００ｎｍ／分 Specific film forming conditions are preferably set as follows, for example.
Deposition gas: BTBAS (without addition of O ₂ gas)
BTBAS vapor pressure: 11.33 Pa (85 mTorr)
Reaction pressure: 13.33 Pa (100 mTorr)
Reaction temperature: normal temperature (25 ° C)
Deposition rate: about 100 nm / min

第１ＣＶＤ膜２２ａは、カソード隔壁１６の上面を覆う高さで形成しても、カソード隔壁１６の上面よりも低く形成してもよい。   The first CVD film 22 a may be formed at a height that covers the upper surface of the cathode barrier 16 or lower than the upper surface of the cathode barrier 16.

第１ＣＶＤ膜２２ａとしては、少なくともカソード隔壁１６の高さまでは、好ましくは、埋込み性の良好な酸化膜系の材料により成膜を行うのがよい。次いで、第２ＣＶＤ膜２２ｂとして、酸素及び水の透過性が低い窒化膜系の材料を用いて成膜を行うのがよい。このようにすれば、有機ＥＬ層及びカソード電極を効果的に埋め込んで外気から隔絶することができる。また、その上層に積層される窒化膜により外部からの酸素及び水の浸透を防止することができる。   The first CVD film 22a is preferably formed at least as high as the cathode partition wall 16 with an oxide film-based material having good embedding properties. Next, the second CVD film 22b is preferably formed using a nitride film-based material having low oxygen and water permeability. In this way, the organic EL layer and the cathode electrode can be effectively embedded and isolated from the outside air. Moreover, the penetration of oxygen and water from the outside can be prevented by the nitride film laminated thereon.

パネル内への酸素及び水の浸透の防止を重視して、第１ＣＶＤ膜２２ａとして、窒化膜系の材料により成膜を行う構成も好適である。この場合には、好ましくは、カソード隔壁１６の高さよりも低い高さで、第１ＣＶＤ膜２２ａとしてシリコン窒化膜を成膜するのがよい。次いで、第２ＣＶＤ膜２２ｂとして、埋込み性の良好な酸化膜系の材料を用いて、有機ＥＬ層１８、カソード電極１９及びカソード隔壁１６を埋め込んで成膜を行うのがよい。   A configuration in which the first CVD film 22a is formed using a nitride film-based material with emphasis on prevention of oxygen and water permeation into the panel is also suitable. In this case, it is preferable to form a silicon nitride film as the first CVD film 22a at a height lower than the height of the cathode partition 16. Next, as the second CVD film 22b, it is preferable to form the film by embedding the organic EL layer 18, the cathode electrode 19, and the cathode partition wall 16 by using an oxide film-based material having a good embedding property.

ＣＶＤ膜２２上には、膜構造２４が形成される。この膜構造２４は、例えば、封止膜２０全体として、さらなる膜強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性が求められる場合に形成すればよい。膜構造２４は、図１において、第１膜２４ａ及び第２膜２４ｂの２層からなる構成として示してあるが、単層として構成してもよいし、３層以上の複数の膜の積層構造とすることもできる。   A film structure 24 is formed on the CVD film 22. The membrane structure 24 may be formed, for example, when the sealing membrane 20 as a whole is required to have further membrane strength and / or resistance to permeation of oxygen and water. Although the film structure 24 is shown in FIG. 1 as a structure composed of two layers of the first film 24a and the second film 24b, it may be formed as a single layer or a laminated structure of a plurality of films of three or more layers. It can also be.

この膜構造２４は、温度等の成膜条件を、有機ＥＬ層にダメージを与えないことを前提として設定することを条件として、上述した真空紫外光ＣＶＤ法以外の方法により形成することができる。例えば、従来公知のスパッタリング工程により、膜強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性を勘案して決定された材料、例えば、任意好適な組成のセラミック材料、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により形成するのがよい。パネルの構造をトップエミッション型とする場合には、所要の膜強度、及び／又は酸素と水の浸透性を勘案して決定された光透過性の材料により成膜を行えばよい。すなわち、ＣＶＤ膜２２上に所望により設けられる非真空紫外光ＣＶＤ膜は、膜強度を補強する性質、及び／又は酸素と水の浸透を防止する性質を有する膜であればよい。 The film structure 24 can be formed by a method other than the above-described vacuum ultraviolet CVD method on condition that the film forming conditions such as temperature are set on the premise that the organic EL layer is not damaged. For example, a material determined by a conventionally known sputtering process in consideration of film strength and / or resistance to penetration of oxygen and water, for example, a ceramic material of any suitable composition, formed of alumina (Al ₂ O ₃ ). It is good to do. When the panel structure is a top emission type, the film may be formed using a light transmissive material determined in consideration of required film strength and / or oxygen and water permeability. That is, the non-vacuum ultraviolet CVD film provided on the CVD film 22 as desired may be a film having the property of reinforcing the film strength and / or the property of preventing the permeation of oxygen and water.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルに適用されるＣＶＤ膜は、平坦な膜として形成できるので、このＣＶＤ膜をバッファ層として、このＣＶＤ膜上に形成される膜構造の材質及び成膜方法の選択の自由度を高めることができる。   Since the CVD film applied to the organic EL display panel of the present invention can be formed as a flat film, the material of the film structure formed on the CVD film and the method of film formation can be selected using the CVD film as a buffer layer. The degree of freedom can be increased.

［第２の実施の形態］
図２は、この発明の第２の実施の形態のパッシブ型の有機ＥＬディスプレイパネルの要部を、アノード電極上でアノード電極の延在方向に沿って切断した切断面を概略的に示す模式的な図である。 [Second Embodiment]
FIG. 2 is a schematic view schematically showing a cut surface of a main part of a passive organic EL display panel according to the second embodiment of the present invention cut on the anode electrode along the extending direction of the anode electrode. It is a simple figure.

この実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネル１０は、基板１２を任意好適な種々の材料からなるプラスチックフィルム等のフレキシブルな基板とした例である。   The organic EL display panel 10 of this embodiment is an example in which the substrate 12 is a flexible substrate such as a plastic film made of any suitable various materials.

基板１２上には、基板封止膜１２０が設けられている。この基板封止膜１２０は、基板ＣＶＤ膜１２２と、この基板ＣＶＤ膜１２２上に形成される基板膜構造１２４とにより構成されている。   A substrate sealing film 120 is provided on the substrate 12. The substrate sealing film 120 includes a substrate CVD film 122 and a substrate film structure 124 formed on the substrate CVD film 122.

この例では、基板ＣＶＤ膜１２２として、基板１２上に直接的に設けられている基板第１ＣＶＤ膜１２２ａと、この基板第１ＣＶＤ膜１２２ａ上に設けられている基板第２ＣＶＤ膜１２２ｂとを含んでいる。この例では基板ＣＶＤ膜１２２を２層の構成としているが、１層として構成してもよいし、３層以上積層する構成とすることもできる。   In this example, the substrate CVD film 122 includes a substrate first CVD film 122a provided directly on the substrate 12, and a substrate second CVD film 122b provided on the substrate first CVD film 122a. . In this example, the substrate CVD film 122 has a two-layer structure. However, the substrate CVD film 122 may have a single layer structure, or may have a structure in which three or more layers are stacked.

基板ＣＶＤ膜１２２、すなわち、基板第１ＣＶＤ膜１２２ａ及び基板第２ＣＶＤ膜１２２ｂ、並びに基板第２ＣＶＤ膜１２２ｂ上に設けられる図示されていないさらなるＣＶＤ膜は、それぞれシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜のいずれかにより構成される。従って、基板ＣＶＤ膜１２２は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜の単層膜として構成することもできるし、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜を組み合わせた複数の膜の積層構造とすることもできる。   The substrate CVD film 122, that is, the substrate first CVD film 122a and the substrate second CVD film 122b, and the further CVD film (not shown) provided on the substrate second CVD film 122b are each formed of either a silicon nitride film or a silicon oxide film. Composed. Therefore, the substrate CVD film 122 can be configured as a single layer film of a silicon nitride film or a silicon oxide film, or can be formed as a laminated structure of a plurality of films combining a silicon nitride film or a silicon oxide film.

この基板ＣＶＤ膜１２２は、第１の実施の形態で説明したＣＶＤ膜２２と同様に、真空紫外光ＣＶＤ法により成膜される薄膜、すなわち真空紫外光ＣＶＤ膜とするのがよい。製造工程及び成膜条件については第１の実施の形態で既に説明したＣＶＤ膜２２の製造工程及び成膜条件を適用すればよい。   Similar to the CVD film 22 described in the first embodiment, the substrate CVD film 122 is preferably a thin film formed by a vacuum ultraviolet light CVD method, that is, a vacuum ultraviolet light CVD film. Regarding the manufacturing process and film forming conditions, the manufacturing process and film forming conditions of the CVD film 22 already described in the first embodiment may be applied.

成膜温度は、常温（２５℃）とするのがよい。しかしながら、基板の機能を損なわない温度であることを条件として、成膜温度を上げて成膜を行うこともできる。   The film forming temperature is preferably normal temperature (25 ° C.). However, film formation can also be performed by raising the film formation temperature on condition that the temperature does not impair the function of the substrate.

基板ＣＶＤ膜１２２上には、基板膜構造１２４が設けられている。この基板膜構造１２４は、図中、基板側第１膜１２４ａ及び基板側第２膜１２４ｂの２層からなる構成として示してあるが、単層膜として構成してもよいし、３層以上の膜の積層構造とすることもできる。   A substrate film structure 124 is provided on the substrate CVD film 122. The substrate film structure 124 is shown in the figure as being composed of two layers, a substrate-side first film 124a and a substrate-side second film 124b. A laminated structure of films can also be used.

この基板膜構造１２４は、温度等の成膜条件を、有機ＥＬ層にダメージを与えないことを前提として設定して、上述した真空紫外光ＣＶＤ以外の方法により形成することができる。例えば、従来公知のスパッタリング工程により、膜強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性を勘案して決定された材料、例えば、任意好適な組成のセラミック材料、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により形成するのがよい。パネルの構造をトップエミッション型とする場合には、膜強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性を勘案して決定された光透過性の材料により成膜を行う。 The substrate film structure 124 can be formed by a method other than the above-described vacuum ultraviolet light CVD, assuming that film formation conditions such as temperature are set on the assumption that the organic EL layer is not damaged. For example, a material determined by a conventionally known sputtering process in consideration of film strength and / or resistance to penetration of oxygen and water, for example, a ceramic material of any suitable composition, formed of alumina (Al ₂ O ₃ ). It is good to do. In the case where the panel structure is a top emission type, the film is formed using a light-transmitting material determined in consideration of film strength and / or resistance to permeation of oxygen and water.

また、単層ではディスプレイパネルとしての強度が確保できない場合には、複数の異なる材料により成膜する積層構造としてもよい。   Further, in the case where the strength as a display panel cannot be ensured with a single layer, a stacked structure in which films are formed using a plurality of different materials may be employed.

さらに、この基板膜構造１２４上に、上述した真空紫外光ＣＶＤ法により形成される第２のＣＶＤ膜（図示せず。）を形成し、この第２のＣＶＤ膜上にセラミック等により形成されるさらなる膜構造を形成することもできる。すなわち、基板ＣＶＤ膜１２２及び基板膜構造１２４からなる基板封止膜１２０を基板１２上に複数段繰り返して形成することで、基板１２の強度を補完しつつ、パネル内への酸素及び水分の浸透をより効果的に防止することができる。   Further, a second CVD film (not shown) formed by the above-described vacuum ultraviolet light CVD method is formed on the substrate film structure 124, and formed on the second CVD film by a ceramic or the like. Additional film structures can also be formed. That is, by forming the substrate sealing film 120 composed of the substrate CVD film 122 and the substrate film structure 124 repeatedly on the substrate 12, oxygen and moisture permeate into the panel while complementing the strength of the substrate 12. Can be prevented more effectively.

基板封止膜１２０上に設けられている構成要素については、第１の実施の形態で説明した構成要素と同様の構成とすることができるので、同一番号を付して概略的な説明にとどめる。   The constituent elements provided on the substrate sealing film 120 can be configured in the same manner as the constituent elements described in the first embodiment. .

第１の実施の形態と同様に、基板封止膜１２０の上面には、アノード電極１４が複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして形成されている。この例では、アノード電極１４の複数のラインパターンが、断面図の横方向に、所定の間隔で並んで設けられている。   Similar to the first embodiment, the anode electrode 14 is formed as a striped line pattern including a plurality of lines on the upper surface of the substrate sealing film 120. In this example, a plurality of line patterns of the anode electrode 14 are provided at predetermined intervals in the horizontal direction of the cross-sectional view.

アノード電極１４の上面を含む基板上面には、カソード隔壁１６が設けられている。カソード隔壁１６は、並列にかつ直線的に設けられているアノード電極１４に対して直交する方向に、やはり複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして、設けられている。従って、カソード隔壁１６は、互いに所定の間隔で並列にかつ直線的に設けられている。   A cathode partition wall 16 is provided on the upper surface of the substrate including the upper surface of the anode electrode 14. The cathode barrier 16 is provided as a stripe-like line pattern composed of a plurality of lines in a direction orthogonal to the anode electrodes 14 provided in parallel and linearly. Accordingly, the cathode partition walls 16 are provided in parallel and linearly at a predetermined interval.

カソード隔壁１６同士の間隙であって、当該間隙に露出しているアノード電極１４の領域及び基板１２の表面領域の直上には、有機ＥＬ層（発光層）１８が設けられている。この有機ＥＬ層１８は、カソード隔壁１６の延在方向に沿って、複数のラインパターンとして平行に設けられている。   An organic EL layer (light emitting layer) 18 is provided in the gap between the cathode barrier ribs 16 and immediately above the area of the anode electrode 14 exposed in the gap and the surface area of the substrate 12. The organic EL layer 18 is provided in parallel as a plurality of line patterns along the extending direction of the cathode partition 16.

従って、有機ＥＬ層１８は、所定の間隔で、アノード電極１４のラインパターンと直交する方向に、複数のラインからなるストライプ状のラインパターンとして設けられている。   Therefore, the organic EL layer 18 is provided as a striped line pattern composed of a plurality of lines in a direction orthogonal to the line pattern of the anode electrode 14 at a predetermined interval.

有機ＥＬ層１８上には、カソード電極１９が有機ＥＬ層１８の上面を覆って設けられている。このカソード電極１９の上面１９ａの基板上面１２ａからの高さは、カソード隔壁１６の上面１６ａの基板上面１２ａからの高さよりも低くなっている。   On the organic EL layer 18, a cathode electrode 19 is provided so as to cover the upper surface of the organic EL layer 18. The height of the upper surface 19a of the cathode electrode 19 from the substrate upper surface 12a is lower than the height of the upper surface 16a of the cathode partition 16 from the substrate upper surface 12a.

上述した構成要素、すなわち、アノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８、及びカソード電極１９は、封止膜２０により封止されて、外気から隔絶される。   The above-described components, that is, the anode electrode 14, the cathode partition 16, the organic EL layer 18, and the cathode electrode 19 are sealed by the sealing film 20 and isolated from the outside air.

封止膜２０は、ＣＶＤ膜２２を含む膜として構成されている。   The sealing film 20 is configured as a film including the CVD film 22.

この例では、ＣＶＤ膜２２として、基板１２上に、上述したアノード電極１４、カソード隔壁１６、有機ＥＬ層１８及びカソード電極１９を埋め込んで設けられている第１ＣＶＤ膜２２ａと、この第１ＣＶＤ膜２２ａ上に設けられている第２ＣＶＤ膜２２ｂとを含んでいる。   In this example, as the CVD film 22, a first CVD film 22 a provided by burying the above-described anode electrode 14, cathode partition 16, organic EL layer 18, and cathode electrode 19 on the substrate 12, and the first CVD film 22 a. And a second CVD film 22b provided thereon.

第１ＣＶＤ膜２２ａは、カソード隔壁１６の上面を覆う厚さで形成されている。   The first CVD film 22 a is formed with a thickness that covers the upper surface of the cathode barrier 16.

ＣＶＤ膜２２、すなわち、第１ＣＶＤ膜２２ａ及び第２ＣＶＤ膜２２ｂ、並びに３層以上の構成として第２ＣＶＤ膜２２ｂ上に設けられる図示されていないさらなるＣＶＤ膜は、それぞれシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜のいずれかにより構成される。   The CVD film 22, that is, the first CVD film 22a and the second CVD film 22b, and a further CVD film (not shown) provided on the second CVD film 22b as a structure of three or more layers are each a silicon nitride film or a silicon oxide film. It is composed of

ＣＶＤ膜２２上には、膜構造２４が設けられている。この膜構造２４は、封止膜の強度、及び／又は上述したＣＶＤ膜２２の酸素と水の浸透性を考慮して、これら強度と浸透性の低減を増強する必要がある場合に形成される。   A film structure 24 is provided on the CVD film 22. This membrane structure 24 is formed when the strength of the sealing film and / or the oxygen and water permeability of the above-described CVD film 22 is taken into consideration and it is necessary to enhance the reduction of the strength and permeability. .

この膜構造２４は、例えば、従来公知のスパッタリング工程により、封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透性を勘案して決定された材料、例えば、任意好適な組成のセラミック、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により形成するのがよい。パネルの構造をトップエミッション型とする場合には、封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透性等を勘案して決定された光透過性の材料により成膜を行う。 This film structure 24 is made of, for example, a material determined by a conventionally known sputtering process in consideration of the strength of the sealing film 20 and / or the permeability of oxygen and water, such as ceramic or alumina having any suitable composition. preferably formed by (Al ₂ O _3). When the panel structure is a top emission type, the film is formed using a light-transmitting material determined in consideration of the strength of the sealing film 20 and / or the permeability of oxygen and water.

また、１層では封止膜２０の強度、及び／又は酸素と水の浸透に対する耐性が確保できない場合には、複数の同一であるか、又は異なる材料により形成される膜を積層して複数の膜構造としてもよい。   Further, when the strength of the sealing film 20 and / or the resistance to permeation of oxygen and water cannot be ensured by one layer, a plurality of films formed of the same or different materials are stacked to form a plurality of layers. A film structure may be used.

この第２の実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルの構成によれば、封止膜の特色により得られる第１の実施の形態と同様の効果に加えて、酸素及び水の浸透性が低い基板封止膜が形成されているので、フレキシブルな有機ＥＬディスプレイパネルを得ることができる。   According to the configuration of the organic EL display panel of the second embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment obtained by the characteristics of the sealing film, the substrate sealing with low oxygen and water permeability is provided. Since the stop film is formed, a flexible organic EL display panel can be obtained.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルの構成例の説明において、パッシブ型の有機ＥＬディスプレイパネルを例にとって説明したが、アクティブ型の有機ＥＬディスプレイパネルの構成に、上述した封止膜の構成を適用することもできる。   In the description of the configuration example of the organic EL display panel of the present invention, the passive type organic EL display panel has been described as an example. However, the configuration of the sealing film described above is applied to the configuration of the active type organic EL display panel. You can also.

この場合には、例えば低温ポリシリコン等を用いて、画素ごとにマトリクス状に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した、プラスティックフィルム基板、ガラス基板等の基板を用いる。そして、ＴＦＴ上に有機ＥＬ層及びカソード電極を常法に従って形成して、上述した封止膜により封止する構成とすればよい。   In this case, for example, a substrate such as a plastic film substrate or a glass substrate in which thin film transistors (TFTs) are formed in a matrix for each pixel using low-temperature polysilicon or the like is used. Then, an organic EL layer and a cathode electrode may be formed on the TFT according to a conventional method and sealed with the above-described sealing film.

この発明の有機ＥＬディスプレイパネルに適用して好適な膜構造によれば、常温により成膜が可能な真空紫外光ＣＶＤ法によりＣＶＤ膜を形成するので、有機ＥＬ層の機能を損なうことなく、有機ＥＬ層を効果的に保護することができる。   According to the film structure suitable for application to the organic EL display panel of the present invention, the CVD film is formed by a vacuum ultraviolet light CVD method that can be formed at room temperature, so that the function of the organic EL layer is not impaired. The EL layer can be effectively protected.

真空紫外光ＣＶＤ法により形成されたＣＶＤ膜は、水及び酸素の浸透性が低いので、有機ＥＬ層を効果的に保護することができる。   Since the CVD film formed by the vacuum ultraviolet light CVD method has low water and oxygen permeability, the organic EL layer can be effectively protected.

このＣＶＤ膜は、常温で、より平坦な膜として形成することができるので、特にトップエミッション型のディスプレイとした場合の光の散乱防止、同色化といった光学的な観点から優れた特性を有する。また、平坦な膜として形成できるので、このＣＶＤ膜をバッファ層として、このＣＶＤ膜上に形成される膜構造の材質及び成膜方法の選択の自由度を高めることができる。   Since this CVD film can be formed as a flatter film at room temperature, it has excellent characteristics from the optical point of view such as prevention of light scattering and color matching especially in the case of a top emission type display. Further, since the film can be formed as a flat film, the CVD film can be used as a buffer layer, and the degree of freedom in selecting the material and film forming method of the film structure formed on the CVD film can be increased.

さらに、真空紫外光ＣＶＤ法により、酸素及び水の浸透性が低い基板封止膜を具えたフレキシブルな有機ＥＬディスプレイパネルを得ることができる。   Furthermore, a flexible organic EL display panel including a substrate sealing film having low oxygen and water permeability can be obtained by a vacuum ultraviolet light CVD method.

この発明の第１の実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルの構成例を示す概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of an organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention. この発明の第２の実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルの構成例を示す概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example of the organic electroluminescent display panel of the 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０：ディスプレイパネル
１２：基板
１２ａ：基板の上面
１４：アノード電極
１４ａ：アノード電極の上面
１６：カソード隔壁
１６ａ：カソード隔壁の上面
１８：有機ＥＬ層
１９：カソード電極
１９ａ：カソード隔壁の上面
２０：封止膜
２２：ＣＶＤ膜
２２ａ：第１ＣＶＤ膜
２２ｂ：第２ＣＶＤ膜
２４：膜構造
２４ａ：第１膜
２４ｂ：第２膜
１２０：基板封止膜
１２２：基板ＣＶＤ膜
１２２ａ：基板第１ＣＶＤ膜
１２２ｂ：基板第２ＣＶＤ膜
１２４：基板膜構造
１２４ａ：基板側第１膜
１２４ｂ：基板側第２膜 10: Display panel 12: Substrate 12a: Upper surface 14 of substrate: Anode electrode 14a: Upper surface of anode electrode 16: Cathode barrier 16a: Upper surface of cathode barrier 18: Organic EL layer 19: Cathode electrode 19a: Upper surface 20 of cathode barrier Stop film 22: CVD film 22a: first CVD film 22b: second CVD film 24: film structure 24a: first film 24b: second film 120: substrate sealing film 122: substrate CVD film 122a: substrate first CVD film 122b: substrate Second CVD film 124: Substrate film structure 124a: Substrate side first film 124b: Substrate side second film

Claims (11)

アノード電極、該アノード電極上に形成されている有機ＥＬ層、及び該有機ＥＬ層上に形成されているカソード電極を具えている基板と、該基板上に、真空紫外光ＣＶＤ膜を含む封止膜とを具えていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。   A substrate including an anode electrode, an organic EL layer formed on the anode electrode, and a cathode electrode formed on the organic EL layer, and a sealing including a vacuum ultraviolet light CVD film on the substrate An organic EL display panel comprising a film. 前記ＣＶＤ膜は、シリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。   The organic EL display panel according to claim 1, wherein the CVD film includes a silicon oxide film. 前記ＣＶＤ膜は、シリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。   The organic EL display panel according to claim 1, wherein the CVD film includes a silicon nitride film. 前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。   The organic EL display panel according to claim 1, wherein the substrate is a glass substrate. 前記基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。   The organic EL display panel according to claim 1, wherein the substrate is a flexible substrate. 前記封止膜は、前記ＣＶＤ膜上に積層されている、酸素及び水の浸透を防止することができる膜をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。   The organic material according to claim 1, wherein the sealing film further includes a film laminated on the CVD film and capable of preventing permeation of oxygen and water. EL display panel. 基板上にアノード電極を形成する工程と、
前記アノード電極上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に、カソード電極を形成する工程と、
該基板上に、前記アノード電極、前記有機ＥＬ層及び前記カソード電極を埋め込む１層又は２層以上のＣＶＤ膜を、真空紫外光ＣＶＤ法により、形成する工程と
を含むことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 Forming an anode electrode on the substrate;
Forming an organic EL layer on the anode electrode;
Forming a cathode electrode on the organic EL layer;
And forming a single-layer or two-layer CVD film embedding the anode electrode, the organic EL layer, and the cathode electrode on the substrate by a vacuum ultraviolet light CVD method. Display panel manufacturing method. 前記ＣＶＤ膜を形成する工程の後に、前記ＣＶＤ膜上に、酸素及び水の浸透を防止することができる膜を積層構造膜として形成する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。   8. The organic material according to claim 7, further comprising a step of forming a film capable of preventing permeation of oxygen and water as a laminated structure film on the CVD film after the step of forming the CVD film. Manufacturing method of EL display panel. 前記ＣＶＤ膜を形成する工程は、真空紫外光ＣＶＤ法により、少なくとも１層のシリコン窒化膜を形成する工程であることを特徴とする請求項７又は８に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。   9. The method of manufacturing an organic EL display panel according to claim 7, wherein the step of forming the CVD film is a step of forming at least one silicon nitride film by a vacuum ultraviolet light CVD method. 前記ＣＶＤ膜を形成する工程は、真空紫外光ＣＶＤ法により、少なくとも１層のシリコン酸化膜を形成する工程であることを特徴とする請求項７又は８に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。   9. The method of manufacturing an organic EL display panel according to claim 7, wherein the step of forming the CVD film is a step of forming at least one silicon oxide film by a vacuum ultraviolet light CVD method. 前記ＣＶＤ膜を形成する工程は、第１ＣＶＤ膜として、基板上に、シリコン窒化膜を形成する第１サブ工程と、該シリコン窒化膜上に、第２ＣＶＤ膜としてシリコン酸化膜を形成する第２サブ工程とを含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
The step of forming the CVD film includes a first sub-step of forming a silicon nitride film on the substrate as the first CVD film, and a second sub-step of forming a silicon oxide film as the second CVD film on the silicon nitride film. The manufacturing method of the organic electroluminescent display panel as described in any one of Claims 7-10 characterized by including the process.

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