JP2005051408A - 圧電デバイスとその製造方法ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージ37を構成するための絶縁基体55の電極部31に、圧電振動片32を接合する工程と、前記圧電振動片の接合後に前記絶縁基体に蓋体39を固定して封止する工程と、前記蓋体による封止後に、前記絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔45を介して脱ガスするアニール工程とを含んでおり、前記アニール工程に先行して、前記貫通孔にこの貫通孔と一体に形成された通気部46を残してバンプ61aを形成するバンプ形成工程と、前記アニール工程の後で、真空もしくは不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することにより、前記パッケージ37を気密に封止する孔封止工程を有している。
【選択図】 図5
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスおよびその製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話と電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
HDD(ハード・ディスク・ドライブ)、モバイルコンピュータ、あるいはICカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
従来の圧電デバイスは、例えば、図27に示すように構成されている(特許文献1参照)。
図において、圧電デバイス1は、パッケージ2の上面に形成した電極部8に圧電振動片3を接合し、蓋体6により気密封止することによって構成されている。
パッケージ2の電極部8は、このパッケージ2の下面の実装端子5と接続されている。
【0003】
パッケージ2の電極部8上には、導電性接着剤7が塗布され、この導電性接着剤7の上に圧電振動片3の基部4を載置して、導電性接着剤7を硬化させることにより、圧電振動片3の図示しない電極と、パッケージ2側の電極部8とが電気的に接続されて、固定されている。
【0004】
パッケージ2に圧電振動片3を接合した後で、封止材9を用いて、蓋体6によりパッケージ2を封止する。
ここで、パッケージ2の底部には、パッケージ2内と外部とを連通する貫通孔2aが形成されており、蓋体6の封止後において、パッケージ2を真空雰囲気内で加熱することで、貫通孔2aを介して、パッケージ2内の気体、例えば、パッケージ2内の水分等の蒸発気体や、導電性接着剤7の硬化の際に生成されるガス成分などを排気し、パッケージ2内の必要な真空度を確保する。
【0005】
その後、貫通孔2aに、金属封止材2bを配置して、この金属封止材2bにレーザ光を照射し、金属封止材2bを溶融させることにより、貫通孔2bを気密に封止するようにしている(孔封止)。
なお、貫通孔2aは、溶融前に、金属封止材2bを載置するための段部2cを有しており、そのため底部が2枚の基板材料を重ねて焼成した構造とされている。
【0006】
【特許文献1】特開平2000−106515
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図27のような手法により孔封止を行うと、外部から照射されたレーザ光により、金属封止材2bが溶融した際に、その溶けた金属が飛散し、圧電振動片3に付着して、性能を損なう危険がある。
【0008】
また、レーザ光が金属封止材2bを溶融すると同時に、貫通して圧電振動片3に直接照射され、圧電振動片3が損傷するおそれがある。
さらには、金属封止材2bの溶融時に、ガスが生成され、パッケージ2内の真空度を損ない、周波数のずれの原因となる。
【0009】
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、圧電デバイスの性能を損なうことなく、パッケージの孔封止を行うことができる圧電デバイスとその製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話と電子機器を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第1の発明によれば、パッケージを構成するための絶縁基体の電極部に、圧電振動片を接合する工程と、前記圧電振動片の接合後に前記絶縁基体に蓋体を固定して封止する工程と、前記蓋体による封止後に、前記絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔を介して脱ガスするアニール工程とを含んでおり、前記アニール工程に先行して、前記貫通孔にこの貫通孔と一体に形成された通気部を残してバンプを形成するバンプ形成工程と、前記アニール工程の後で、真空もしくは不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することにより、前記パッケージを気密に封止する孔封止工程を有している圧電デバイスの製造方法により、達成される。
【0011】
第1の発明の構成によれば、前記アニール工程において、蓋体の封止後のパッケージを加熱して、パッケージ内を脱ガスする前に、前記パッケージを形成するための絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔に、前記通気部を残してバンプを形成しておく。そして、前記アニール工程の終了後において、真空または不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することで、前記貫通孔を通気部を含めて、気密に塞ぐことで、パッケージ内を気密状態として封止することができる。この場合、貫通孔の封止に際して、従来、金属封止材をレーザ光で溶融することで、金属封止材が溶融して飛散し、圧電振動片に付着することや、金属封止材を貫通したレーザ光が圧電振動片を損傷すること、あるいは、金属封止材の溶融時に生成されるガスがパッケージ内の真空度に悪影響を及ぼすことが、いずれも有効に防止される。ここで、前記「通気部」とは、貫通孔に形成されるバンプがこの貫通孔を完全に塞がないように、空気の通路を確保してアニール工程を実現するためのもので、貫通孔をバンプで完全に塞がない場合の隙間や、あるいは、貫通孔に連通して設けられる空気孔であって、バンプ形成時にふさがれないもの等の種々形態をとりえる。
、かくして、本発明によれば、圧電デバイスの性能を損なうことなく、パッケージの孔封止を行うことができる圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【0012】
第2の発明は、第1の構成において、前記通気部が、前記貫通孔を介して、前記パッケージ内を排気するための空気孔であることを特徴とする。
前記通気部として、前記貫通孔と連通する空気孔を設けることで、バンプを形成した際に、バンプが貫通孔を塞ぐ場合にも、空気孔を介して、アニール工程における脱ガスを行うことができる。
【0013】
第3の発明は、第1または第2の発明のいずれかの構成において前記貫通孔の周縁部には、前記バンプと接合性のよい金属による金属被覆部が形成されていることを特徴とする。
第3の発明の構成によれば、金属被覆部を設けることで、前記バンプとして形成が容易な金属バンプを用いることができる。
【0014】
第4の発明は、第1ないし第3の発明のいずれかの構成において前記貫通孔が、前記パッケージ底面に設けた実装端子に開口され内面に金属被覆が施されたスルーホールであることを特徴とする。
第4の発明の構成によれば、パッケージ内の電極部と実装端子とを電気的に接続する手段としての導電スルーホールを形成するのと同じ手法で、バンプを接合する金属被覆を備えた前記貫通孔を設けることができる。
【0015】
また、上記目的は、第5の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスであって、前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている、圧電デバイスにより、達成される。
第5の発明の構成によれば、アニール工程で利用される排気のための貫通孔が、バンプにより塞がれている構成である。このため、従来のように、貫通孔が、金属封止材をレーザ光で溶融させて塞がれていないので、溶融時に、金属封止材が溶融して飛散し、圧電振動片に付着することや、金属封止材を貫通したレーザ光が圧電振動片を損傷すること、あるいは、金属封止材の溶融時に生成されるガスがパッケージ内の真空度に悪影響を及ぼすことが、いずれも有効に防止され、このような点で品質が損なわれることがない圧電デバイスを提供することができる。
【0016】
第6の発明は、第5の発明の構成において前記バンプが、前記貫通孔とともに、この貫通孔を介してパッケージ内を排気するために、前記貫通孔と一体に形成された空気孔でなる通気部を気密に封止したことを特徴とする。
第6の発明の構成によれば、バンプの形成時に、バンプが貫通孔を塞ぐ場合にも、空気孔を介して、アニール工程における脱ガスを行うことができる。
【0017】
第7の発明は、第5または第6の発明のいずれかの構成において、前記パッケージ底面に設けた実装端子に開口され内面に金属被覆が施されたスルーホールであることを特徴とする。
第7の発明の構成によれば、パッケージ内の電極部と実装端子とを電気的に接続する手段としての導電スルーホールを形成するのと同じ手法で、バンプを接合する金属被覆を備えた前記貫通孔を設けることができる。
【0018】
また、上記目的は、第8の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスを利用した携帯電話装置であって、前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした、携帯電話装置により、達成される。
【0019】
また、上記目的は、第9の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスを利用した電子機器であって、前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした、電子機器により、達成される。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は、本発明の圧電デバイスの第1の実施の形態を示しており、図1はその概略平面図、図2は図1のA−A線概略断面図、図3はその概略底面図、図4は図3のB−B線切断端面図である。
図において、圧電デバイス30は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス30は、パッケージ37内に圧電振動片32を収容している。パッケージ37は、例えば、後述するように、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。
【0021】
すなわち、この実施形態では、パッケージ37は、全体の厚みを最小とするために、第1の基板55と第2の基板56を積層して形成されており、第2の基板56の内側の材料を除去することで、内部空間Sのスペースを形成している。この内部空間Sが圧電振動片32を収容するための収容空間である。
ここで、本実施形態では、箱状のパッケージ37を形成して、圧電振動片32を収容するようにしているが、例えば、絶縁基体である第1の基板55に圧電振動片32を接合し、厚みの薄い箱状のリッドないしは蓋体をかぶせて封止して、全体として圧電振動片32を収容するためのパッケージを構成するようにしてもよい。
【0022】
パッケージ37の内部空間S内の図において左端部付近において、内部空間Sに露出して内側底部を構成する第1の基板55には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極部31,31が設けられている。
この電極部31,31は、それぞれ図2および図3に示す実装端子41,42と接続されており、外部から印加される駆動電圧を、圧電振動片32に供給するものである。具体的には、この実装端子41,42と電極部31,31は、パッケージ37外部をメタライズにより引き回したり、あるいは第1の基板55の焼成前にタングステンメタライズ等を利用して形成した導電スルーホール48等で接続することで形成できる。
この各電極部31,31の上には、導電性接着剤43が塗布されて、圧電振動片32の基部51が接合されている。この導電性接着剤43としては、接合力を発揮する接着剤成分(バインダー成分)としての合成樹脂剤に、導電性のフィラー(銀製の細粒等の導電粒子を含む)および、所定の溶剤を含有させたものが使用できる。
【0023】
圧電振動片32は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム,ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動片32は、小型に形成して、必要な性能を得るために、特に図示する形状とされている。
すなわち、圧電振動片32は、パッケージ37側と固定される基部51と、この基部51を基端として、図において右方に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕35,36を備えており、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。
【0024】
また、圧電振動片32の基部51の端部(図1では左端部)の幅方向両端付近には、上述したように、パッケージ37の電極部31,31と接続するための電極部として、引き出し電極33a,34aが形成されている。各引き出し電極33a,34aは、圧電振動片32の基部51の表裏に設けられている。これらの各引き出し電極33a,34aは、図示しない励振電極と接続されている。
【0025】
これにより、引き出し電極33a,34aから、励振電極に駆動電圧が印加されることにより、各振動腕35,36内で電界が適切に形成され、振動腕35,36の各先端部が互いに接近したり離間したりするように駆動されて、所定の周波数で振動する。
ここで、各振動腕35,36の主面には、それぞれ長さ方向に延びる図示しない長溝を形成し、この長溝内に一方の励振電極を形成し、振動腕35,36の側面に長溝内の励振電極と対となる他方の励振電極を形成するようにしてもよい。これにより、より電界効率を高めることができる。
また、圧電振動片としては、図示のような音叉型の圧電振動片に限らず、圧電材料を矩形にカットしたATカット振動片やコンベックスタイプの振動片等の種々の圧電振動片を使用することができる。
【0026】
パッケージ37の開放された上端には、蓋体39が接合されることにより、封止されている。蓋体39は、好ましくは、パッケージ37に封止固定した後で、図2に示すように、外部からレーザ光LBを圧電振動片32の金属被覆部もしくは励振電極の一部(図示せず)に照射して、質量削減方式により周波数調整を行うために、光を透過する材料,特に、薄板ガラスにより形成されている。
蓋体39として適するガラス材料としては、例えば、ダウンドロー法により製造される薄板ガラスとして、例えば、硼珪酸ガラスが使用される。
蓋体39が、ガラスにより形成される場合には、例えば、低融点ガラス等を利用したロウ材38を利用して、パッケージ37に固定される。蓋体39が、コバール等の金属材料で形成される場合には、シーム溶接等の手法により、パッケージ37に対して固定される。
【0027】
この実施形態では、図2ないし図4に示されているように、第1の基板55のほぼ中央付近に、貫通孔45が形成されており、バンプ61により気密に封止されている。貫通孔45は、パッケージ37の内部空間Sと外部とを連通することで、バンプ61により封止される前の段階では、後述する製造工程におけるアニール工程において、パッケージ37内のガス(気体成分)を外部に排出する機能を有している。
【0028】
貫通孔45からは、図3および図4を参照して理解されるように、通気部としての空気孔46が、例えば、斜めに傾斜して外方に延びる溝を形成するようにして設けられている。通気部は、後述する孔封止工程において、バンプ61を形成した際に、上述した脱ガスのために、パッケージ37の内部空間Sと、外部との空気通路を形成し、パッケージ37を完全に塞がないようにするためのものであるとともに、バンプ61が、図示されているように、加熱,加圧されて変形されることにより、この変形されたバンプ61によって、貫通孔45とともに塞がれる構成とする必要がある。また、このような機能を果たすものであれば、この実施形態の構成に限らず、いかなる構成を採用してもよい。
例えば、図4の下方から見て、横方向に長い長孔とし、図4の情報から見ると、真円として表れるような形態、すなわち、上記通気部が両側に延びるような形態等を採用してもよい。
また、貫通孔45の周縁部には、バンプ61が金属バンプである場合に対応して、その接合に適した金属被覆部47が形成されている。
【0029】
(圧電デバイスの製造方法)
次に、圧電デバイス30の製造方法の第1の実施形態を図5のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、図1ないし図3で説明した圧電振動片32と蓋体39は、別々に形成しておく。圧電振動片32については、例えば、水晶ウエハをエッチングして、既に説明した形状を形成するとともに、必要な励振電極を形成することで、従来と同様に製造することができるので、詳しい説明は省略する。
また、蓋体39との詳しい構造は上述の通りであるから、従来と同様の方法で作成することができる。
【0030】
(パッケージの形成工程)
図5において、例えば、所定の溶液中にセラミックパウダを分散させ、バインダを添加して生成される混練物をシート状の長いテープ形状に成形し(ST11)、これを所定の長さにカットして(ST12)得た、図6に示す所謂グリーンシート52を用意する。
グリーンシート52は、上述した第1の基板55と、56を形成するために共通して使用することができる。
【0031】
図6のグリーンシート52を利用して、図7(a)に示すように、第1の基板となるシート55−1を形成する。具体的には、シート55−1は、この場合、縦横に連続した4つ分の第1の基板を一度に形成する場合を示している。シート55−1には、上述した電極31と実装端子41,42とを電気的に接続するための導電スルーホール48(図2参照)を形成するための貫通孔48aと、脱ガスのための貫通孔45、通気部46を必要な数だけ形成する。この際には、個別の製品に後でカットするための案内となるキャスタレーションも同時に形成する(ST13)。
【0032】
図7(b)は、図6のグリーンシート52を利用して第2の基板を形成するためのシート56−1を形成する様子を示している。この場合、シート56−1は、これと重ねられるシート55−1と同様に、4つ分の第2の基板を形成するようにしている。シート56−1は、図2で説明した内部空間Sのために内側の材料を除去して、矩形の枠状に成形され、かつ必要なキャスタレーションを形成したものである。
【0033】
図8(a)に示されているように、シート55−1には、その焼成前に、図2で説明した電極部31,31および導電スルーホール48を形成するためのタングステンメタライズ31a,31aを塗布する。この際に、図示は省略するが、貫通孔45の周縁の金属被覆部、図3の実装端子41,42に対応した個所にもタングステンメタライズを塗布する(ST14)。
一方、図2で説明したの蓋体39として金属製のものを使用し、シーム溶接でパッケージと固定する場合には、予めシート56−1の上端に、タングステンメタライズを塗布する(図示せず)。
【0034】
次いで、図9に示すように、シート55−1の上にシート56−1を積層し(ST15)、焼成した(ST16)後で、タングステンメタライズの上にニッケルメッキおよび金メッキを順次施して、電極や端子および金属被覆部を形成する。
また、図2で説明した蓋体39としてガラス製のものを使用する場合には、上記メッキ後に、シート56―1(パッケージ)の上端に、ガラス印刷を行わないロウ材38を塗布する。そして、キャスタレーションを利用して、図示されている切断線C1,C2に沿ってカットし(ST17)、個々のパッケージを形成する。
【0035】
(圧電振動片の接合工程)
図10に示すように、第1の基板55に形成した電極部31の上に導電性接着剤43を塗布し、その上に圧電振動片32の基部51を載置し、上方から僅かに加重を与えて、加熱下で、導電性接着剤43を硬化させる(ST18)(マウント工程)。
この際に、導電性接着剤43の硬化の過程で、パッケージ37の内部空間S内には、ガスが生成され、このガスやパッケージ37内の水分が加熱により蒸発した気体成分が生成される。
【0036】
圧電振動片32が電極部31に接合された状態で、圧電振動片32に駆動電圧を印加し、周波数をモニタしながら、周波数調整がされる(粗調整)(ST19)。
その後、ロウ材38を利用して、蓋体39を固定する(蓋封止)(ST20)。
(バンプの形成工程)
次いで、図11および図11のC−C線断面図である図12に示す貫通孔45に、バンプを形成する。つまり、図12の拡大断面図に示すように、貫通孔45の外側に、バンプ61−1を形成する(ST21)。
ここで、使用されるバンプは、主として金属バンプであるが、樹脂製のバンプなどを利用することもできる。すなわち、このバンプは、電気的接続を目的とせず、孔封止に適するものであれば、種類は問わない。
バンプ61−1として、金属バンプを使用する場合、金属被覆部47の金属の種類と適合するものとして、この実施形態では、金属被覆部47をAuメッキで形成したので、金バンプが適している。
【0037】
金属バンプ61−1の形成方法は、メッキ法やスタッドバンプ形成法が利用される。すなわち、メッキ法は金属被覆部47上に金属バンプを形成するための金属材料としての金または金合金を形成した後でリフローし、半球状もしくは、図12のような複数段を有するバンプを形成する。あるいは蒸着やペースト印刷により形成してもよい。
また、フォトプロセスを利用したメッキ法に限らず、ボールバンプもしくはスタッドバンプにより形成してもよい。すなわち、金ワイヤをキャピラリから露出させた先端に、電気トーチや水素トーチ等で加熱溶融させてボールを形成する。そして、金属被覆部47の上であって、貫通孔45をほぼ塞ぐ位置に移動させて、熱併用超音波圧着して形成する。
この場合、通気部である空気孔46の外端部は、形成されるバンプ61−1から確実に露出するようにしておく。
【0038】
(アニール工程)
図12の状態で、パッケージ(図10で示すパッケージ37)を、気密にしたチャンバー(図示せず)内に収容して、チャンバー内を真空に引き、加熱下で、脱ガスを行う(ST22)。
これにより、パッケージ37内で、上述した導電性接着剤の硬化などに起因するガスが図12の矢印Dに示すように、パッケージの外部に排出される。
【0039】
(孔封止工程)
次に、図13に示すように、治具J1を用いて、バンプを符号61に示すように変形させて、貫通孔45と空気孔46を完全に塞ぎ、パッケージを気密状態で封止する(ST23)。
この工程は、アニール工程に続いて、真空雰囲気下で行われる。治具J1は、図示しないヒータなどの加熱手段と接続されているとともに、超音波ホーン等の手段と接続されており、さらに、矢印Eの方向に沿って下降し、加重を与えることができるようにされている。
【0040】
この治具J1を図13に示すように、バンプの上に当て、下降させて加圧する。同時に治具J1を介して加熱し、さらに超音波を印加する。
例えば、加熱温度として、例えば、300度(摂氏)ないし400度、荷重として、500g(グラム)ないし1000g、加圧時間として5秒ないし30秒の条件で、加熱加圧する。
【0041】
さらに、加熱加圧と同時に、超音波を印加する。その条件としては、例えば、超音波出力50ないし200(PW)、超音波印加時間0.01ないし1秒、同時に行う荷重として10ないし300(gf/bump)、加圧時間として0.01ないし1(gf/bump/秒)とする。
【0042】
これにより、バンプ61は、上方から加圧され、図示するように変形する。すなわち、バンプ61の変形された当接面61aは、貫通孔45と空気孔46の開口を完全に塞ぐことにより、パッケージを気密に封止することができる。
したがって、この実施形態における孔封止工程では、バンプ61を利用して、孔封止を行うようにしたので、貫通孔の封止に際して、従来、金属封止材をレーザ光で溶融することで、金属封止材が溶融して飛散し、圧電振動片に付着することや、金属封止材を貫通したレーザ光が圧電振動片32を損傷すること、あるいは、金属封止材の溶融時に生成されるガスがパッケージ37内の真空度に悪影響を及ぼすことが、いずれも有効に防止される。
【0043】
次いで、図2で説明したように、外部からレーザ光LBを圧電振動片32の金属被覆部もしくは励振電極の一部(図示せず)に照射して、質量削減方式により周波数調整を行い(ST24)、必要な検査(ST25)を経て、圧電デバイス30が完成する。
さらに、図5の製造工程において、パッケージ37に固定する蓋体39として、ガラス製のものを使用する場合において、ST19の周波数調整を行わなくても良い。この場合、ST24の周波数調整だけを行うことになる。
また、金属製の蓋体39をシーム溶接により、パッケージ37に固定する場合においては、ST24の周波数調整は行うことができず、ST19の周波数調整は粗調整とはしないで、精密に周波数調整することになる。
【0044】
図14ないし図16は、圧電デバイスの第2の実施形態を示しており、図14は第2の実施形態に係る圧電デバイスの概略平面図、図15は図14のF−F線概略断面図、図16は第2の実施形態に係る圧電デバイスの概略底面図である。
第2の実施形態の圧電デバイス70において、第1の実施形態の圧電デバイス30と同一の符号を付した個所は共通の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
【0045】
第2の実施形態の圧電デバイス70は、第1の実施形態の圧電デバイス30と比較すると、脱ガス用の貫通孔の位置が相違している。
図示されているように、貫通孔45−1は、第1の基板55の長さ方向の一端寄りに形成されており、実装端子42の位置に開口している。そして、この貫通孔45−1は、第1の実施形態の圧電デバイス30の貫通孔45と同じ構造であるが、空気孔が設けられていない点が異なる。
【0046】
図17ないし図20は、第2の実施形態の圧電デバイス70の構造に関連して、そのアニール工程と孔封止工程を示した図である。
図17に示すように、加熱手段72の上にパッケージ37を蓋体39を下にして載置して、パッケージ37の底面に、キャピラリ等でなる治具J2を利用して、バンプ61aを形成する。バンプ61aの形成方法は、第1の実施形態と同じであるが、形成位置としては、バンプ61aが、貫通孔45−1を完全に塞がないように、やや偏心した位置に形成され、隙間71を有するようにしている。また、貫通孔45−1の内周面には、実装端子42の形成と同時にメタライズ42aが形成されている。
【0047】
図18は、アニール工程における脱ガス時の様子を示している。工程の諸条件は、第1の実施形態と同じであるが、パッケージ37内のガスは、通気部としての隙間71から排出される。
次いで、図19および図20に示すように、治具J1を用いて、第1の実施形態と同様に、形成したバンプ61aを加熱、加圧、超音波印加を行い、変形したバンプ61として接合して、孔封止を行う。
【0048】
かくして、この第2の実施形態においても、第1の実施形態と同じ作用効果を発揮できるだけでなく、パッケージ内の電極部31と実装端子41とを電気的に接続する手段としての導電スルーホール48を形成するのと同じ手法で、バンプ61を接合するメタライズ42aを備えた前記貫通孔を設けることができる。
これにより、バンプ61は、金属被覆であるメタライズ42aと結合して、強靭な孔封止構造を形成することができる。
【0049】
また、図19の治具J1を用いた加熱、加圧が行われる個所としての貫通孔45−1は、第1の実施形態と異なり、パッケージ37の端部となることから、第1の実施形態における貫通孔45のように、パッケージ37の中心位置と比べると、構造的に強い位置で、加工を行うことができるから、加工中に破損の恐れがなく、安全である。
【0050】
図21は、第1の実施形態の変形例1を示している。
この圧電デバイス80の場合、図2の構造と比較すると、パッケージ37が、第1の基板55および第2の基板56に加えて、外側(底面側)にもうひとつの第3の基板57が追加されている。そして、第3の基板57には、貫通孔81が形成されており、貫通孔81は、第1の基板55の貫通孔45と同心で連通しており、その内径は、第1の基板55の貫通孔45より大きい。
【0051】
このため、圧電デバイス80は、圧電デバイス30と比較すると、基板を追加した分、全体の小型化の点でやや不利であるが、バンプ61が貫通孔81内に完全に収容されるから、パッケージ37の底面で突出することなく、実装基板などへの実装作業などの点で有利である。
【0052】
図22は、第1の実施形態の変形例2を示している。
図示されているように、パッケージ37を構成する第2の基板56の上には、第4の基板58が重ねられており、このため、内部空間S2は、圧電振動片32の上の空間が広くされている。
また、この変形例2の圧電デバイス90では、脱ガス用の貫通孔91が、金属製の蓋体39に形成されており、バンプ61で封止されるようになっており、その他の構成は圧電デバイス30と同じである。そして、パッケージ側には、脱ガス用の貫通孔は存在しない。
このように、アニール工程で使用される貫通孔は、パッケージだけでなく、蓋体39側に設けることもできる。
【0053】
図23ないし図25は第1および第2の実施形態に共通して採用できる変形例3を示しており、この場合は第1の実施形態に採用した場合、すなわちパッケージを構成する第1の基板55の略中央に孔封止用の貫通孔145形成した構成を示している。
図23は、第1の基板55の貫通孔145を形成した付近の拡大底面図、図24は図23の状態にバンプ61−1を載置した様子を示す図、図25は加圧等により変形させて接合されたバンプ61付近の切断端面図である。
【0054】
図23に示すように、この例では、貫通孔145は、長円もしくは楕円形状であり、傾斜部は無く、図25に示されているように、孔の内面全体が、第1の基板55の厚み方向に沿って垂直に延びる貫通孔である。
図24において、貫通孔145の長手方向の両端部は、通気部146,146として機能し、脱ガスすることができる。これら通気部146,146は、図24のバンプ61−1を、図25に符号61で示すように、加圧変形することで、完全にバンプ61に塞がれるようになっている。
【0055】
そして、このような構成の貫通孔145は、上述した第1および第2の実施形態、ならびに全ての変形例において採用することができる。
かくして、この変形例3も第1および第2の実施形態と同様の作用効果を発揮できるとともに、これらに加えて、製造工程における貫通孔の穿孔作業がより容易となるという利点がある。
【0056】
図26は、本発明の上述した実施形態に係る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン308及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ309を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるCPU(CentralProcessing Unit)301を備えている。
CPU301は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのLCDや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部302や、RAM,ROM等でなる情報記憶手段(メモリ)303の制御を行うようになっている。このため、CPU301には、圧電デバイス30等が取り付けられて、その出力周波数をCPU301に内蔵された所定の分周回路(図示せず)等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。このCPU301に取付けられる圧電デバイス30等は、圧電デバイス30等単体でなくても、圧電デバイス30等と、所定の分周回路等とを組み合わせた発振器であってもよい。
【0057】
CPU301は、さらに、温度補償水晶発振器(TCXO)305と接続され、温度補償水晶発振器305は、送信部307と受信部306に接続されている。これにより、CPU301からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償水晶発振器305により修正されて、送信部307及び受信部306に与えられるようになっている。
【0058】
このように、制御部を備えたデジタル式携帯電話装置300のような電子機器に、上述した実施形態に係る孔封止方法により形成した圧電デバイス30その他の実施形態や変形例の圧電デバイスを利用することができる。これにより、バンプを利用して、孔封止を行うようにしたので、貫通孔の封止に際して、従来、金属封止材をレーザ光で溶融することで、金属封止材が溶融して飛散し、圧電振動片に付着することや、金属封止材を貫通したレーザ光が圧電振動片を損傷すること、あるいは、金属封止材の溶融時に生成されるガスがパッケージ内の真空度に悪影響を及ぼすことが、いずれも有効に防止されるから、製品の信頼性が向上する。
【0059】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージや箱状の蓋体に被われるようにして、内部に圧電振動片を収容するものであれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧電デバイスの第1の実施形態を示す概略平面図。
【図2】図1のA−A線概略断面図。
【図3】図1の圧電デバイスの概略底面図。
【図4】図3のB−B線概略断面図。
【図5】図1の圧電デバイスの製造方法の実施形態を示すフローチャート。
【図6】図1の圧電デバイスの製造方法におけるパッケージの製造工程を示す説明図。
【図7】図1の圧電デバイスの製造方法におけるパッケージの製造工程を示す説明図。
【図8】図1の圧電デバイスの製造方法におけるパッケージの製造工程を示す説明図。
【図9】図1の圧電デバイスの製造方法におけるパッケージの製造工程を示す説明図。
【図10】図1の圧電デバイスの製造方法における圧電振動片の接合工程を示す説明図。
【図11】図10の圧電デバイスの貫通孔付近を拡大して示す概略底面図。
【図12】図11のバンプ形成の際のC−C線概略断面図。
【図13】図11のバンプ接合の際のC−C線概略断面図。
【図14】本発明の圧電デバイスの第2の実施形態を示す概略平面図。
【図15】図14のF−F線概略断面図。
【図16】図14の圧電デバイスの概略底面図。
【図17】図14の圧電デバイスのバンプ形成工程の説明図。
【図18】図14の圧電デバイスのバンプ形成工程の説明図。
【図19】図14の圧電デバイスのバンプ形成工程の説明図。
【図20】図14の圧電デバイスのバンプ形成工程の説明図。
【図21】図1の圧電デバイスの変形例1を示す概略断面図。
【図22】図1の圧電デバイスの変形例2を示す概略断面図。
【図23】図1の圧電デバイスの変形例3において第1の基板の貫通孔を形成した付近の拡大底面図。
【図24】図23の状態にバンプを載置した様子を示す図。
【図25】加圧等により変形させて接合されたバンプ付近の切断端面図。
【図26】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図。
【図27】従来の圧電デバイスの一例を示す概略断面図。
【符号の説明】
30,70,80,90・・・圧電デバイス、32・・・圧電振動片、35,36・・・振動腕、31・・・電極部、55・・・第1の基板(絶縁基体)、56・・・第2の基板、61・・・金属バンプ。
Claims (9)
- パッケージを構成するための絶縁基体の電極部に、圧電振動片を接合する工程と、
前記圧電振動片の接合後に前記絶縁基体に蓋体を固定して封止する工程と、
前記蓋体による封止後に、前記絶縁基体または前記蓋体に設けられた貫通孔を介して脱ガスするアニール工程と
を含んでおり、
前記アニール工程に先行して、前記貫通孔にこの貫通孔と一体に形成された通気部を残してバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記アニール工程の後で、真空もしくは不活性雰囲気内で、前記バンプを加熱および/または加圧、もしくは超音波接合することにより、前記パッケージを気密に封止する孔封止工程を有している
ことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。 - 前記通気部が、前記貫通孔を介して、前記パッケージ内を排気するための空気孔であることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記貫通孔の周縁部には、前記バンプと接合性のよい金属による金属被覆部が形成されていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記貫通孔が、前記パッケージ底面に設けた実装端子に開口され内面に金属被覆が施されたスルーホールであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
- パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスであって、
前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている
ことを特徴とする、圧電デバイス。 - 前記バンプが、前記貫通孔とともに、この貫通孔を介してパッケージ内を排気するために、前記貫通孔と一体に形成された空気孔でなる通気部を気密に封止したことを特徴とする請求項5に記載の圧電デバイス。
- 前記貫通孔が、前記パッケージ底面に設けた実装端子に開口され内面に金属被覆が施されたスルーホールであることを特徴とする請求項5または6のいずれかに記載の圧電デバイス。
- パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスを利用した携帯電話装置であって、
前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにしたことを特徴とする、携帯電話装置。 - パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体によりパッケージを封止した圧電デバイスを利用した電子機器であって、
前記パッケージを形成するための絶縁基体または蓋体に形成され、前記パッケージ内と外部とを連通させることで、パッケージ内を排気できるようにした貫通孔が、バンプにより孔封止されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにしたことを特徴とする、電子機器。
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