JP2005049491A - 照明光学系 - Google Patents

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利彦 大森
Hiromi Ishikawa
弘美 石川
Yutaka Korogi
裕 興梠
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Abstract

【課題】ロッドインテグレータを用いて空間光変調素子に照明光を照射する照明光学系において、照明光の照射領域形状を空間光変調素子の略矩形状の光照射面の形状と略一致させ、ロッドインテグレータの研磨作業を容易化し、またその隅部にカケが生じることを防止する。
【解決手段】ロッドインテグレータ72の射出面72aの輪郭形状を、該輪郭形状の重心Gを通る4本の対角線H1〜H4を有し、それらの対角線には互いに長さの異なるものが含まれている、全頂角が90°以上の八角形状とする。そして、最も長い第1の対角線H1と、それに対して最も大きい角度で交差する第2の対角線H4との比と、空間光変調素子における照明光の照射領域に投影された該第1および第2の対角線との比とを比べると、前者より後者の方がより1に近くなるように、空間光変調素子とロッドインテグレータ72との相対位置を設定する。
【選択図】 図17

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は空間光変調素子に照明光を照射する照明光学系に関し、特に詳細には、空間光変調素子に照射する照明光の強度分布をロッドインテグレータによって一様化する構成を備えた照明光学系に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、空間光変調素子で変調された光を感光性記録媒体に照射してそこに画像を記録する装置や、あるいは同様に変調された光をスクリーンに投影して画像を表示する装置が種々公知となっている。なお特許文献1には、上述のような画像記録装置の一例が示されている。
【0003】
上述の空間光変調素子としては、透過型のものおよび反射型のものが知られているが、反射型の空間光変調素子の一つとして、近時、デジタル・マイクロミラー・デバイス(テキサツ・インスツルメンツ社の登録商標。以下DMDという)が多くの分野に適用されつつある。このDMDは、1画素を構成する微小ミラーを多数格子状に(例えば1024個×768個等)配列して構成されたミラーデバイスである。すなわち、上記微小ミラーは各々独立に傾動して2つの角度位置を取り得るように構成され、そこに照射された照明光を上記角度位置に応じて互いに異なる2方向に反射させる。したがって、この2方向のうちの一方に反射した照明光が入射する位置に例えば記録媒体を配置しておけば、照明光を該2方向のうちの他方に反射させたときには記録媒体に光が入射しなくなるので、該記録媒体に照射される光を1つの微小ミラー単位で空間変調可能になる。そこで、上記微小ミラーの角度位置を画像情報に応じて制御すれば、記録媒体にはこの画像情報に対応した画像光が照射されて、画像が記録されることとなる。
【0004】
なお、上記DMDのように、照射された照明光の射出方向を画像情報に応じて制御することにより、画像情報を表す画像光を射出する空間光変調素子に対しては、照明光の中心軸が空間光変調素子の光照射面に所定の角度で斜めに入射するように照明光学系が配置されることになる。前述した特許文献1には、そのようにして空間光変調素子に照明光を照射する照明光学系の一例が示されている。
【0005】
他方、DMD等の空間光変調素子に照射される照明光は、光源から射出されたままの状態では、強度分布が不均一になっていることが多い。特に、光源として複数のレーザ等を用い、それらからの光を合波して高強度の照明光を得るようにしている場合は、この強度分布の不均一がより顕著なものとなる。
【0006】
従来、このような照明光の強度分布を均一化する手段の一つとして、ロッドインテグレータが知られている。このロッドインテグレータは、一般に角柱状に形成された導光部材であり、そこに入射された照明光は該ロッドインテグレータの側面とその外側の媒質との界面で全反射しつつロッド長手方向に導波し、全反射を繰り返すうちに該照明光の強度分布が均一化される。なお特許文献2には、このようなロッドインテグレータの一例が示されている。
【0007】
ところで、ロッドインテグレータから出射する光の広がり形状(ビーム断面形状)は、その射出面の形状に対応したものとなる。つまり、例えば四辺形の射出面を有するロッドインテグレータから出射した照明光は、照射面を四辺形状に照明するようになる。先に述べたDMD等の空間光変調素子の光照射面は、画素がマトリクス状に配置されている部分であるので、通常、略矩形状である。したがって、そのような空間光変調素子に照明光を照射するロッドインテグレータとしては、当然、四辺形の射出面を有するものが適用される。
【0008】
しかしここで、上記DMDを用いる場合のように、照明光の中心軸が空間光変調素子の光照射面に所定の角度で斜めに入射するように照明光学系が配置される場合は、ロッドインテグレータの射出面が長方形状であっても、空間光変調素子上の照明光の照射領域は長方形から歪んで平行四辺形状、菱形状あるいはもっと歪んだ四辺形状となる。そうであると、空間光変調素子の略矩形状の光照射面と照明光の照射領域形状が一致しないので、空間光変調素子の光照射面の一部だけが照明されたり、あるいはそれと反対に、照明光の一部が空間光変調素子の光照射面から外側に外れた所を進行するような事態が生じる。前者の場合は、空間光変調素子の一部しか実使用されないので、記録画像や表示画像の所望サイズに対して不当に大きな空間光変調素子を使用する必要が生じ、それにより画像記録装置や画像表示装置のコストが高いものになってしまう。一方後者の場合は、照明光の利用効率が低くなるので、装置のランニングコストが高くなる、といった問題が生じる。
【0009】
上述のような問題に対処するものとして、前述の特許文献2には、略矩形状の光照射面に照射された照明光の射出方向を画像情報に応じて制御することにより、画像を表す画像光を射出する空間光変調素子に対して、前記光照射面に照射された照明光の中心軸が前記光照射面に所定の角度で斜めに入射するように、前記照明光を射出する照明光学系において、光源部と、射出面の輪郭形状が、長さの異なる第1と第2の対角線を有する四辺形であるロッドインテグレータ(透光性ロッド)とを備え、前記四辺形は、前記ロッドインテグレータから前記光照射面に入射する照明光によって照射される四辺形状の照明領域の2つの対角線の長さの比が、前記第1と第2の対角線の比よりも1に近くなるように設定されたものが記載されている。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−202442号公報
【0011】
【特許文献2】
特許第3317298号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献2に記載された照明光学系は、空間光変調素子の略矩形状の光照射面に照射される照明光の照明領域の形状を、該光照射面の形状に近いものとすることができるものであるが、その半面、ロッドインテグレータの射出面の輪郭形状(つまり断面形状)が、長さの異なる第1と第2の対角線を有する四辺形とされているので、その2つの隅部は鋭角となり、そのため研磨作業が難しくなるという問題や、研磨作業中や使用中にその隅部にカケが発生しやすいという問題が認められる。このようにロッドインテグレータの隅部にカケが発生すると、照明効率や照明の均一性が低下することになる。
【0013】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、ロッドインテグレータを用いて空間光変調素子に照射する照明光の照射領域形状を、該空間光変調素子の略矩形状の光照射面の形状と略一致させることができ、その上で、ロッドインテグレータの研磨作業を容易化し、またその隅部にカケが生じることを防止できる照明光学系を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明による照明光学系は、前述したように、略矩形状の光照射面に照射された照明光の射出方向を画像情報に応じて制御することにより、画像情報を表す画像光を射出する空間光変調素子に対して照明光を照射する照明光学系であって、照明光の中心軸が前記光照射面に所定の角度で斜めに入射するように配置されてなる照明光学系において、
前記空間光変調素子に照射する照明光を発する光源と、
この光源と前記空間光変調素子との間に配置され、該空間光変調素子に照射される前記照明光の強度分布を一様化するロッドインテグレータとを備え、
前記ロッドインテグレータの射出面の輪郭形状が、該輪郭形状の重心を通る4本の対角線を有し、それらの対角線には互いに長さの異なるものが含まれている、全ての頂角が90°以上の八角形状とされ、
前記4本の対角線のうち最も長い第1の対角線と、該第1の対角線に対して最も大きい角度で交差する第2の対角線との比と、前記空間光変調素子における照明光の照射領域に投影された該第1および第2の対角線との比とを比べると、前者より後者の方がより1に近くなるように、該空間光変調素子と前記ロッドインテグレータとの相対位置が設定されていることを特徴とするものである。
【0015】
【発明の効果】
本発明による照明光学系においては、ロッドインテグレータの射出面の輪郭形状が、該輪郭形状の重心を通る4本の対角線を有し、それらの対角線には互いに長さの異なるものが含まれている八角形状とされた上で、前記4本の対角線のうち最も長い第1の対角線と、該第1の対角線に対して最も大きい角度で交差する第2の対角線との比と、空間光変調素子における照明光の照射領域に投影された該第1および第2の対角線との比とを比べると、前者より後者の方がより1に近くなるように、該空間光変調素子と前記ロッドインテグレータとの相対位置が設定されているので、空間光変調素子に照射する照明光の照射領域形状を、該空間光変調素子の略矩形状の光照射面の形状と略一致させることができる。
【0016】
またロッドインテグレータの射出面の輪郭形状が、全ての頂角が90°以上の八角形状とされているので、該ロッドインテグレータの隅部(上記頂角を含む部分)の研磨作業を容易化し、また該隅部にカケが生じることを防止可能となる。こうしてロッドインテグレータの隅部にカケが生じることを防止できれば、そのカケのために照明効率や照明の均一性が低下することを防止できる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0018】
なおここでは、本発明の一実施形態である照明光学系を説明するが、まず、この照明光学系が適用される画像露光装置について詳しく説明する。
【0019】
[露光装置の構成]
この画像露光装置は、図1に示すように、シート状の感光材料150を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ152を備えている。4本の脚部154に支持された厚い板状の設置台156の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド158が設置されている。ステージ152は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド158によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置には、副走査手段としてのステージ152をガイド158に沿って駆動する後述のステージ駆動装置304(図15参照)が設けられている。
【0020】
設置台156の中央部には、ステージ152の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート160が設けられている。コ字状のゲート160の端部の各々は、設置台156の両側面に固定されている。このゲート160を挟んで一方の側にはスキャナ162が設けられ、他方の側には感光材料150の先端および後端を検知する複数(例えば2個)のセンサ164が設けられている。スキャナ162およびセンサ164はゲート160に各々取り付けられて、ステージ152の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ162およびセンサ164は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
【0021】
スキャナ162は、図2および図3(B)に示すように、m行n列(例えば3行5列)の略マトリックス状に配列された複数(例えば14個)の露光ヘッド166を備えている。この例では、感光材料150の幅との関係で、3行目には4個の露光ヘッド166を配置してある。なお、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド166mnと表記する。
【0022】
露光ヘッド166による露光エリア168は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、ステージ152の移動に伴い、感光材料150には露光ヘッド166毎に帯状の露光済み領域170が形成される。なお、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア168mnと表記する。
【0023】
また、図3(A)および(B)に示すように、帯状の露光済み領域170が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔(露光エリアの長辺の自然数倍、本例では2倍)ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア16811と露光エリア16812との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア16821と3行目の露光エリア16831とにより露光することができる。
【0024】
露光ヘッド16611〜166mn各々は、図4および図5に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子として、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)50を備えている。このDMD50は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた後述のコントローラ302(図15参照)に接続されている。このコントローラ302のデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド166毎にDMD50の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド166毎にDMD50の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御については後述する。
【0025】
DMD50の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア168の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源66、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系67、このレンズ系67を透過したレーザ光をDMD50に向けて反射するミラー69がこの順に配置されている。なお図4では、レンズ系67を概略的に示してある。
【0026】
上記レンズ系67は、図5に詳しく示すように、ファイバアレイ光源66から出射した照明光としてのレーザ光Bを集光する集光レンズ71、この集光レンズ71を通過した光の光路に挿入されたロッドインテグレータ72、およびこのロッドインテグレータ72の前方つまりミラー69側に配置された結像レンズ74から構成されている。ロッドインテグレータ72は、ファイバアレイ光源66から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてDMD50に入射させる。このロッドインテグレータ72の形状等については、後に詳しく説明する。
【0027】
上記レンズ系67から出射したレーザ光Bはミラー69で反射し、TIR(全反射)プリズム70を介してDMD50に照射される。なお図4では、このTIRプリズム70は省略してある。
【0028】
またDMD50の光反射側には、DMD50で反射されたレーザ光Bを、記録媒体としての感光材料150上に結像する結像光学系51が配置されている。この結像光学系51は図4では概略的に示してあるが、図5に詳細を示すように、レンズ系52,54からなる第1結像光学系と、レンズ系57,58からなる第2結像光学系と、これらの結像光学系の間に挿入されたマイクロレンズアレイ55と、アパーチャアレイ59とから構成されている。上記のマイクロレンズアレイ55は、DMD50の各画素に対応する多数のマイクロレンズ55aが配置されてなるものである。このマイクロレンズ55aは、一例として焦点距離が0.19mm、NA(開口数)が0.11のものである。またアパーチャアレイ59は、マイクロレンズアレイ55の各マイクロレンズ55aに対応する多数のアパーチャ59aが形成されてなるものである。
【0029】
上記第1結像光学系は、DMD50による像を3倍に拡大してマイクロレンズアレイ55上に結像する。そして第2結像光学系は、マイクロレンズアレイ55を経た像を1.67倍に拡大して感光材料150上に結像、投影する。したがって全体では、DMD50による像が5倍に拡大して感光材料150上に結像、投影されることになる。
【0030】
なお本例では、第2結像光学系と感光材料150との間にプリズムペア73が配設され、このプリズムペア73を図5中で上下方向に移動させることにより、感光材料150上における像のピントを調節可能となっている。なお同図中において、感光材料150は矢印Y方向に副走査送りされる。
【0031】
DMD50は図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)60上に、微小ミラー(マイクロミラー)62が支柱により支持されて配置されたものであり、画素(ピクセル)を構成する多数の(例えば1024個×768個)の微小ミラーを格子状に配列して構成されたミラーデバイスである。各ピクセルには、最上部に支柱に支えられたマイクロミラー62が設けられており、マイクロミラー62の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー62の反射率は90%以上である。また、マイクロミラー62の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのSRAMセル60が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。
【0032】
DMD50のSRAMセル60にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー62が、対角線を中心としてDMD50が配置された基板側に対して±α度(例えば±10度)の範囲で傾けられる。図7(A)は、マイクロミラー62がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7(B)は、マイクロミラー62がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、DMD50の各ピクセルにおけるマイクロミラー62の傾きを、図6に示すように制御することによって、DMD50に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー62の傾き方向へ反射される。
【0033】
なお図6には、DMD50の一部を拡大し、マイクロミラー62が+α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー62のオンオフ制御は、DMD50に接続された上記コントローラ302によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー62で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。
【0034】
また、DMD50は、その短辺が副走査方向と所定角度θ(例えば、0.1°〜1°)を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図8(A)はDMD50を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像(露光ビーム)53の走査軌跡を示し、図8(B)はDMD50を傾斜させた場合の露光ビーム53の走査軌跡を示している。
【0035】
DMD50には、長手方向にマイクロミラーが多数個(例えば1024個)配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組(例えば756組)配列されているが、図8(B)に示すように、DMD50を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム53の走査軌跡(走査線)のピッチPが、DMD50を傾斜させない場合の走査線のピッチPより狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、DMD50の傾斜角は微小であるので、DMD50を傾斜させた場合の走査幅Wと、DMD50を傾斜させない場合の走査幅Wとは略同一である。
【0036】
また、異なるマイクロミラー列により同じ走査線上が重ねて露光(多重露光)されることになる。このように、多重露光されることで、露光位置の微少量をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。また、主走査方向に配列された複数の露光ヘッドの間のつなぎ目を微少量の露光位置制御により段差無くつなぐことができる。
【0037】
なお、DMD50を傾斜させる代わりに、各マイクロミラー列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらして千鳥状に配置しても、同様の効果を得ることができる。
【0038】
ファイバアレイ光源66は図9aに示すように、複数(例えば14個)のレーザモジュール64を備えており、各レーザモジュール64には、マルチモード光ファイバ30の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ30の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ30と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ30より小さい光ファイバ31が結合されている。図9bに詳しく示すように、マルチモード光ファイバ31の光ファイバ30と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って7個並べられ、それが2列に配列されてレーザ出射部68が構成されている。
【0039】
マルチモード光ファイバ31の端部で構成されるレーザ出射部68は、図9bに示すように、表面が平坦な2枚の支持板65に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ31の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ31の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
【0040】
本例では図10に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ30のレーザ光出射側の先端部分に、長さ1〜30cm程度のクラッド径が小さい光ファイバ31が同軸的に結合されている。それらの光ファイバ30,31は、それぞれのコア軸が一致する状態で光ファイバ31の入射端面を光ファイバ30の出射端面に融着することにより結合されている。上述した通り、光ファイバ31のコア31aの径は、マルチモード光ファイバ30のコア30aの径と同じ大きさである。
【0041】
マルチモード光ファイバ30および光ファイバ31としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、および複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本例では、マルチモード光ファイバ30および光ファイバ31は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ30は、クラッド径=125μm、コア径=50μm、NA=0.2、入射端面コートの透過率=99.5%以上であり、光ファイバ31は、クラッド径=60μm、コア径=50μm、NA=0.2である。
【0042】
但し、光ファイバ31のクラッド径は60μmには限定されない。従来のファイバ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は125μmであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は80μm以下が好ましく、60μm以下がより好ましく、40μm以下が更に好ましい。一方、コア径は少なくとも3〜4μm必要であることから、光ファイバ31のクラッド径は10μm以上が好ましい。
【0043】
レーザモジュール64は、図11に示す合波レーザ光源(ファイバ光源)によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック10上に配列固定された複数(例えば7個)のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6,およびLD7と、GaN系半導体レーザLD1〜LD7の各々に対応して設けられたコリメータレンズ11,12,13,14,15,16および17と、1つの集光レンズ20と、1本のマルチモード光ファイバ30とから構成されている。なお、半導体レーザの個数は7個に限定されるものではなく、その他の個数が採用されてもよい。また、上述のような7個のコリメータレンズ11〜17に代えて、それらのレンズが一体化されてなるコリメータレンズアレイを用いることもできる。
【0044】
GaN系半導体レーザLD1〜LD7は、発振波長が総て共通(例えば、405nm)であり、最大出力も総て共通(例えば、マルチモードレーザでは100mW、シングルモードレーザでは30mW)である。なお、GaN系半導体レーザLD1〜LD7としては、350nm〜450nmの波長範囲で、上記の405nm以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【0045】
上記の合波レーザ光源は、図12および図13に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ40内に収納されている。パッケージ40は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋41を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ40の開口をパッケージ蓋41で閉じることにより、それらによって形成される閉空間(封止空間)内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【0046】
パッケージ40の底面にはベース板42が固定されており、このベース板42の上面には、前記ヒートブロック10と、集光レンズ20を保持する集光レンズホルダー45と、マルチモード光ファイバ30の入射端部を保持するファイバホルダー46とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ30の出射端部は、パッケージ40の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【0047】
また、ヒートブロック10の側面にはコリメータレンズホルダー44が取り付けられており、そこにコリメータレンズ11〜17が保持されている。パッケージ40の横壁面には開口が形成され、この開口を通してGaN系半導体レーザLD1〜LD7に駆動電流を供給する配線47がパッケージ外に引き出されている。
【0048】
なお、図13においては、図の煩雑化を避けるために、複数のGaN系半導体レーザのうちGaN系半導体レーザLD7にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ17にのみ番号を付している。
【0049】
図14は、上記コリメータレンズ11〜17の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ11〜17の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ11〜17は、長さ方向がGaN系半導体レーザLD1〜LD7の発光点の配列方向(図14の左右方向)と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【0050】
一方GaN系半導体レーザLD1〜LD7としては、発光幅が2μmの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば10°、30°の状態で各々レーザ光B1〜B7を発するレーザが用いられている。これらGaN系半導体レーザLD1〜LD7は、活性層と平行な方向に発光点が1列に並ぶように配設されている。
【0051】
したがって、各発光点から発せられたレーザ光B1〜B7は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ11〜17に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向(長さ方向と直交する方向)と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ11〜17の幅が1.1mm、長さが4.6mmであり、それらに入射するレーザ光B1〜B7の水平方向、垂直方向のビーム径は各々0.9mm、2.6mmである。また、コリメータレンズ11〜17の各々は、焦点距離f=3mm、NA=0.6、レンズ配置ピッチ=1.25mmである。
【0052】
集光レンズ20は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ11〜17の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ20は、焦点距離f=23mm、NA=0.2である。この集光レンズ20も、例えば樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【0053】
次に図15を参照して、本例の画像露光装置における電気的な構成について説明する。ここに示されるように全体制御部300には変調回路301が接続され、該変調回路301にはDMD50を制御するコントローラ302が接続されている。また全体制御部300には、レーザモジュール64を駆動するパルス駆動回路303が接続されている。さらにこの全体制御部300には、前記ステージ152を駆動するステージ駆動装置304が接続されている。
【0054】
[露光装置の動作]
次に、上記露光装置の動作について説明する。スキャナ162の各露光ヘッド166において、ファイバアレイ光源66の合波レーザ光源を構成するGaN系半導体レーザLD1〜LD7(図11参照)の各々から発散光状態で出射したレーザ光B1,B2,B3,B4,B5,B6,およびB7の各々は、対応するコリメータレンズ11〜17によって平行光化される。平行光化されたレーザ光B1〜B7は、集光レンズ20によって集光され、マルチモード光ファイバ30のコア30aの入射端面上で収束する。
【0055】
本例では、コリメータレンズ11〜17および集光レンズ20によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ30とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ20によって上述のように集光されたレーザ光B1〜B7が、このマルチモード光ファイバ30のコア30aに入射して光ファイバ内を伝搬し、1本のレーザ光Bに合波されてマルチモード光ファイバ30の出射端部に結合された光ファイバ31から出射する。
【0056】
各レーザモジュールにおいて、レーザ光B1〜B7のマルチモード光ファイバ30への結合効率が0.85で、GaN系半導体レーザLD1〜LD7の各出力が30mWの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ31の各々について、出力180mW(=30mW×0.85×7)の合波レーザ光Bを得ることができる。したがって、14本のマルチモード光ファイバ31全体では、2.52W(=0.18W×17)の出力のレーザ光Bが得られる。
【0057】
画像露光に際しては、図15に示す変調回路301から露光パターンに応じた画像データがDMD50のコントローラ302に入力され、そのフレームメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を2値(ドットの記録の有無)で表したデータである。
【0058】
感光材料150を表面に吸着したステージ152は、図15に示すステージ駆動装置304により、ガイド158に沿ってゲート160の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ152がゲート160下を通過する際に、ゲート160に取り付けられたセンサ164により感光材料150の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド166毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド166毎にDMD50のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。なお本例の場合、1画素部となる上記マイクロミラーのサイズは14μm×14μmである。
【0059】
ファイバアレイ光源66からDMD50にレーザ光Bが照射されると、DMD50のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系54、58により感光材料150上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料150がDMD50の使用画素数と略同数の画素単位(露光エリア168)で露光される。また、感光材料150がステージ152と共に一定速度で移動されることにより、感光材料150がスキャナ162によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、各露光ヘッド166毎に帯状の露光済み領域170が形成される。
【0060】
なお本例では、図16(A)および(B)に示すように、DMD50には、主走査方向にマイクロミラーが1024個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に768組配列されているが、本例では、コントローラ302により一部のマイクロミラー列(例えば、1024個×256列)だけが駆動するように制御がなされる。
【0061】
この場合、図16(A)に示すようにDMD50の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図16(B)に示すように、DMD50の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。
【0062】
DMD50のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで1ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の画素を全部使用する必要はない。
【0063】
スキャナ162による感光材料150の副走査が終了し、センサ164で感光材料150の後端が検出されると、ステージ152は、ステージ駆動装置304により、ガイド158に沿ってゲート160の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド158に沿ってゲート160の上流側から下流側に一定速度で移動される。
【0064】
次に、図5に示したファイバアレイ光源66、集光レンズ71、ロッドインテグレータ72、結像レンズ74、ミラー69およびTIRプリズム70から構成されてDMD50に照明光としてのレーザ光Bを照射する照明光学系について説明する。まず、ロッドインテグレータ72の形状について詳しく説明する。図17は、ロッドインテグレータ72の射出面72aの形状を示す正面図である。図示の通りこの射出面72aは、八角形の輪郭形状を有している。つまり該ロッドインテグレータ72は、八角柱状のものとされている。上記八角形は、全ての頂角が90°以上であって、かつ、その重心Gを通る互いに長さの異なる4本の対角線H1,H2,H3およびH4を有する形状とされている。
【0065】
上記ロッドインテグレータ72の射出面72aから射出して、ミラー69およびTIRプリズム70を介してDMD50に照射されるレーザ光Bは、結像レンズ74の結像作用により、射出面72aの形状に対応した形状でDMD50上に結像照射される。
【0066】
ここで図18に示すように、この照明光学系は、DMD50の光照射面50M(つまり図7に示したマイクロミラー62が並設されている面)に対して、レーザ光Bが所定の角度で斜めに入射するように配置されており、そのためレーザ光Bは、射出面72aの形状から歪んだ形状となってDMD50上に照射される。本例では、DMD50上におけるレーザ光Bの照射領域は、具体的には図19にBaで示す通りとなっている。この照射領域Baにおいて、上記ロッドインテグレータ72の射出面72aの対角線H1,H2,H3およびH4が投影された対角線を各々H1′,H2′,H3′およびH4′とする。ここで上記対角線H1〜H4のうち、最も長い第1の対角線H1と、該第1の対角線H1に対して最も大きい角度で交差する第2の対角線H4との比と、それらが投影された対角線H1′とH4′との比を比べると、前者より後者の方がより1に近くなっている。
【0067】
DMD50の光照射面50Mは、多数のマイクロミラー62が縦、横に並設されている面であって、略矩形状となっているが、このような光照射面50Mに対してレーザ光Bの照射領域が上記のような形状になっていれば、光照射面50M全体をレーザ光Bで照明した上で、この照明に有効利用されないレーザ光Bの光量を極力少なくすることができるので、照明光の利用効率を高く確保して、装置のランニングコストを低く抑えることが可能になる。
【0068】
ここで、上記のことと比較するために、ロッドインテグレータ72の射出面72aが仮に図20に示すように略矩形状であるとすると、DMD50上におけるレーザ光Bの照射領域Baは図21に通り平行四辺形状に歪んで、DMD50の略矩形状の光照射面50Mからかけ離れた形となってしまう。そうであると、光照射面50Mの照明に有効利用されないレーザ光Bの光量が多くなり、照明光の利用効率が低下してしまう。
【0069】
また、ロッドインテグレータ72の射出面72aの輪郭形状は、全ての頂角が90°以上である八角形とされているので、該ロッドインテグレータ72の隅部(上記頂角を含む部分)の研磨作業が容易化され、また該隅部にカケが生じることも効果的に防止される。こうしてロッドインテグレータ72の隅部にカケが生じることを防止できれば、そのカケのために照明効率や照明の均一性が低下することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である照明光学系が適用された露光装置の外観を示す斜視図
【図2】図1の露光装置のスキャナの構成を示す斜視図
【図3】(A)は感光材料に形成される露光済み領域を示す平面図、(B)は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図
【図4】図1の露光装置の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図
【図5】本発明の一実施形態である照明光学系を含む露光ヘッドの、光軸に沿った副走査方向の断面図
【図6】デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)の構成を示す部分拡大図
【図7】(A)および(B)はDMDの動作を説明するための説明図
【図8】(A)および(B)は、DMDを傾斜配置しない場合と傾斜配置する場合とで、露光ビームの配置および走査線を比較して示す平面図
【図9a】ファイバアレイ光源の構成を示す斜視図
【図9b】ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図
【図10】マルチモード光ファイバの構成を示す図
【図11】合波レーザ光源の構成を示す平面図
【図12】レーザモジュールの構成を示す平面図
【図13】図12に示すレーザモジュールの構成を示す側面図
【図14】図12に示すレーザモジュールの構成を示す部分正面図
【図15】上記露光装置の電気的構成を示すブロック図
【図16】(A)および(B)は、DMDの使用領域の例を示す図
【図17】上記照明光学系を構成するロッドインテグレータの正面図
【図18】DMDに対する照明光の入射方向を示す側面図
【図19】上記実施形態における、DMDに対する照明光の照射状態を説明する概略図
【図20】本発明に対する比較例におけるロッドインテグレータの正面図
【図21】上記比較例における、DMDに対する照明光の照射状態を説明する概略図
【符号の説明】
LD1〜LD7 GaN系半導体レーザ
30、31 マルチモード光ファイバ
50 デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)
50M DMD上における照明光の照射領域
51 拡大結像光学系
53、54 第1結像光学系のレンズ
55 マイクロレンズアレイ
57、58 第2結像光学系のレンズ
59 アパーチャアレイ
66 レーザモジュール
66 ファイバアレイ光源
68 レーザ出射部
72 ロッドインテグレータ
72a ロッドインテグレータの射出面
150 感光材料
152 ステージ
162 スキャナ
166 露光ヘッド
168 露光エリア
170 露光済み領域

Claims (1)

  1. 略矩形状の光照射面に照射された照明光の射出方向を画像情報に応じて制御することにより、画像情報を表す画像光を射出する空間光変調素子に対して前記照明光を照射する照明光学系であって、照明光の中心軸が前記光照射面に所定の角度で斜めに入射するように配置されてなる照明光学系において、
    前記空間光変調素子に照射する照明光を発する光源と、
    この光源と前記空間光変調素子との間に配置され、該空間光変調素子に照射される前記照明光の強度分布を一様化するロッドインテグレータとを備え、
    前記ロッドインテグレータの射出面の輪郭形状が、該輪郭形状の重心を通る4本の対角線を有し、それらの対角線には互いに長さの異なるものが含まれている、全ての頂角が90°以上の八角形状とされ、
    前記4本の対角線のうち最も長い第1の対角線と、該第1の対角線に対して最も大きい角度で交差する第2の対角線との比と、前記空間光変調素子における照明光の照射領域に投影された該第1および第2の対角線との比とを比べると、前者より後者の方がより1に近くなるように、該空間光変調素子と前記ロッドインテグレータとの相対位置が設定されていることを特徴とする照明光学系。
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