JP2005049184A - 電流センサおよび過電流判定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】広い測定範囲でも測定分解能を損なわず、高精度に過電流のしきい値を設定できるようにする。
【解決手段】発振回路3により高周波駆動され、バイアスコイル2を介してバイアス電流を供給され、被測定電流Imに応じた出力を出す磁気インピーダンス素子1の出力を検波回路6,増幅回路7を介して取出し、これをAD変換回路8でデジタル値に変換し、判定回路9で設定回路10からの設定値と比較して過電流判定を行なうに当たり、電流測定感度がバイアス磁界で変わることに着目し、測定電流領域に応じて電流源51,52を選択できるようにすることで、特に低電流領域の測定分解能を高める。
【選択図】図1
【解決手段】発振回路3により高周波駆動され、バイアスコイル2を介してバイアス電流を供給され、被測定電流Imに応じた出力を出す磁気インピーダンス素子1の出力を検波回路6,増幅回路7を介して取出し、これをAD変換回路8でデジタル値に変換し、判定回路9で設定回路10からの設定値と比較して過電流判定を行なうに当たり、電流測定感度がバイアス磁界で変わることに着目し、測定電流領域に応じて電流源51,52を選択できるようにすることで、特に低電流領域の測定分解能を高める。
【選択図】図1
Description
この発明は、被測定電流が発生する磁界中に磁気インピーダンス素子(MI素子)を置き、このMI素子に高周波信号を印加することにより、MI素子から被測定電流に対応した測定値を得る電流センサ、およびその測定値から過電流判定を行なう過電流判定装置に関する。
被測定電流が発生する磁界の強さを検出することにより、被測定電流の大きさを非接触式に検出するMI素子として、例えば特開平06−281712号公報に開示されているアモルファスワイヤや、特開平08−330645号公報に開示されている薄膜形状のものがある。
また、MI素子を用いた電流センサとしては、例えば特許文献1に示すものがある。図4にこのような電流センサを用いた過電流判定装置の例を示す。なお、過電流判定装置は一般に、工場設備,工作機械のモータなどで過負荷保護のために用いられる。
また、MI素子を用いた電流センサとしては、例えば特許文献1に示すものがある。図4にこのような電流センサを用いた過電流判定装置の例を示す。なお、過電流判定装置は一般に、工場設備,工作機械のモータなどで過負荷保護のために用いられる。
図4において、1はMI素子で、その出力電圧が後述の検波回路6および増幅回路7を経て電流測定信号(電流検出値)Vmとなる。2はバイアスコイルであり、図5(a)に示すようなバイアス磁界Hbを発生することにより、導体12に流れる被測定電流Imが発生する磁界Hmに対し、一定のオフセットを与えるものである。3は数MHz程度の高周波パルスを供給する発振回路、4は固定抵抗、5はバイアスコイル2に所定の電流を注入するバイアス電流源である。6は検波回路で、一般的にダイオードおよびコンデンサからなるピークホールド回路と、電圧フォロアとから構成される。7は所定の信号増幅度を有する増幅回路である。
以上までが、特許文献1と等価な電流センサの構成である。図5を参照してその動作を説明する。
図5(a)は、MI素子の基本特性を示している。一般に、MI素子はこの図5(a)のように、測定電流に応じてインピーダンスZが変化する(ここでは、電流の増加とともにインピーダンスが低下している)。また、所定のバイアス磁界Hbを与えた場合、被測定電流±Imによる磁界Hmと、Hbとの合成磁界に相当するΔZ(±Hm)の変化となる。このインピーダンスZの変化を図4の抵抗4,検波回路6および増幅回路7により電圧信号に変換すると、その出力信号Vmは図5(b)のように、電流Imに比例する特性となる。
図5(a)は、MI素子の基本特性を示している。一般に、MI素子はこの図5(a)のように、測定電流に応じてインピーダンスZが変化する(ここでは、電流の増加とともにインピーダンスが低下している)。また、所定のバイアス磁界Hbを与えた場合、被測定電流±Imによる磁界Hmと、Hbとの合成磁界に相当するΔZ(±Hm)の変化となる。このインピーダンスZの変化を図4の抵抗4,検波回路6および増幅回路7により電圧信号に変換すると、その出力信号Vmは図5(b)のように、電流Imに比例する特性となる。
次に、過電流判定装置の構成と動作について、同じ図4,図5を参照して説明する。
図4において、8は電流測定信号Vmをデジタル量に変換するAD(アナログ・デジタル)変換回路、10は過電流判定のしきい値(Ith)を与える設定回路、
9はAD変換回路8と設定回路10の各出力を比較し、過電流の有無および過電流に応じた遮断時間を判定する判定回路、11は判定回路10からの遮断時間に応じて遮断信号を出力する時限回路である。つまり、過電流判定装置はこのような回路等を、先の電流センサに付加して構成される。
図4において、8は電流測定信号Vmをデジタル量に変換するAD(アナログ・デジタル)変換回路、10は過電流判定のしきい値(Ith)を与える設定回路、
9はAD変換回路8と設定回路10の各出力を比較し、過電流の有無および過電流に応じた遮断時間を判定する判定回路、11は判定回路10からの遮断時間に応じて遮断信号を出力する時限回路である。つまり、過電流判定装置はこのような回路等を、先の電流センサに付加して構成される。
過電流判定装置における測定電流,AD変換値および過電流判定値等の具体例を図5(c)に示す。
横軸の測定電流範囲の0〜1000%と、縦軸のAD変換レンジの0〜1000%および過電流判定範囲の0〜1000%が1対1の関係になっている。ここで、過電流のしきい値Ithは通常、定格電流(100%)付近に或る幅を持って設定される。この例では、105〜120%に設定されている。
このしきい値Ithを超えた場合、判定回路9および時限回路11はその電流値に応じて、例えば低い過電流の場合はしばらくして遮断信号を出力し、また高い過電流の場合は速やかに遮断信号を出力する動作をする。これにより、モータを過負荷などから保護する。
横軸の測定電流範囲の0〜1000%と、縦軸のAD変換レンジの0〜1000%および過電流判定範囲の0〜1000%が1対1の関係になっている。ここで、過電流のしきい値Ithは通常、定格電流(100%)付近に或る幅を持って設定される。この例では、105〜120%に設定されている。
このしきい値Ithを超えた場合、判定回路9および時限回路11はその電流値に応じて、例えば低い過電流の場合はしばらくして遮断信号を出力し、また高い過電流の場合は速やかに遮断信号を出力する動作をする。これにより、モータを過負荷などから保護する。
上記のような構成では、電流測定範囲を広くすると測定分解能が低下すると言う問題がある。その結果、過電流判定装置では判定しきい値Ithの設定が困難になったり、ノイズなどの影響で電流測定信号(電流検出値)Vmが変動した場合に、過電流判定を誤るというおそれがあるだけでなく、過電流に応じた細やかな遮断時間の設定が困難になるという問題がある。
したがって、この発明の課題は、広い電流測定範囲でもその測定分解能を損なわない電流センサおよび過電流判定装置を提供することにある。
したがって、この発明の課題は、広い電流測定範囲でもその測定分解能を損なわない電流センサおよび過電流判定装置を提供することにある。
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、磁気インピーダンス素子にバイアスコイルを巻回し、被測定電流が発生する磁界に応じて変化する前記磁気インピーダンス素子のインピーダンス変化から電流を検出する電流センサにおいて、前記バイアスコイルに複数の異なるバイアス電流を選択的に供給するバイアス手段を設け、検出した電流値に応じてバイアス電流を変更することを特徴とする。
請求項2の発明では、磁気インピーダンス素子にバイアスコイルを巻回し、被測定電流が発生する磁界に応じて変化する前記磁気インピーダンス素子のインピーダンス変化から電流を検出する電流センサを有し、この電流センサによる検出電流値を所定値と比較して過電流判定を行なう過電流判定装置において、前記バイアスコイルに複数の異なるバイアス電流を選択的に供給するバイアス手段を設け、前記電流センサの検出電流値に応じてバイアス電流を変更することを特徴とする。
すなわち、電流センサを構成するMI素子は、バイアス磁界により電流測定感度が変わることに着目し、測定電流領域に応じて複数の異なるバイアス電流によりバイアスコイルを駆動することで、特に低電流領域の測定分解能を高める。その結果、過電流のしきい値を高精度に設定できるだけでなく、ノイズなどの影響による誤った過電流の判定を無くすことができる。
この発明によれば、電流センサの測定感度を複数バイアス電流源で調整可能としたので、広い測定範囲でも測定分解能を損なうことがない。その結果、過電流のしきい値を高精度に設定できるとともに、ノイズなどの影響による誤った過電流判定を無くすことができる。
図1はこの発明の実施の形態を示す構成図、図2はその動作説明図である。
図1からも明らかなように、これは図4に示すものに対し切換回路13およびバイアス電流源51,52を付加して構成されている。切換回路13は判定回路9の指示に従い、低バイアス電流源51および高バイアス電流源52の出力を切り換え、バイアスコイル2に与える。
バイアス電流源51,52は例えば図2(a)に示すように、異なる2つのバイアス磁界Hb1,Hb2を発生させる。これらのバイアス磁界下での、測定電流に対するMI素子のインピーダンス変化はΔZ1とΔZ2であるが、低バイアス磁界Hb1による変化の方が大きい、つまり測定感度が高いことになる。なお、インピーダンス変化を従来と同じく電圧信号に変換すると、図2(b)のようになる。
図1からも明らかなように、これは図4に示すものに対し切換回路13およびバイアス電流源51,52を付加して構成されている。切換回路13は判定回路9の指示に従い、低バイアス電流源51および高バイアス電流源52の出力を切り換え、バイアスコイル2に与える。
バイアス電流源51,52は例えば図2(a)に示すように、異なる2つのバイアス磁界Hb1,Hb2を発生させる。これらのバイアス磁界下での、測定電流に対するMI素子のインピーダンス変化はΔZ1とΔZ2であるが、低バイアス磁界Hb1による変化の方が大きい、つまり測定感度が高いことになる。なお、インピーダンス変化を従来と同じく電圧信号に変換すると、図2(b)のようになる。
測定電流,AD変換値および過電流判定値等の具体例を図2(c)に示す。
バイアスコイル2への電流供給は、例えば判定回路9により測定電流0〜500%の範囲で低バイアス電流源51を選択し、測定電流500〜1000%の範囲で高バイアス電流源52を選択するものとする。この操作により、AD変換レンジの0〜1000%に対し、測定電流範囲が0〜500%、過電流判定範囲が0〜500%の関係になり、従来に比べて低電流領域の測定感度が上がる。
バイアスコイル2への電流供給は、例えば判定回路9により測定電流0〜500%の範囲で低バイアス電流源51を選択し、測定電流500〜1000%の範囲で高バイアス電流源52を選択するものとする。この操作により、AD変換レンジの0〜1000%に対し、測定電流範囲が0〜500%、過電流判定範囲が0〜500%の関係になり、従来に比べて低電流領域の測定感度が上がる。
したがって、従来に比べ電流測定信号VmのAD変換の分解能が上がる。よって、過電流のしきい値の設定が高精度にできるだけでなく、細やかな遮断時間の設定が可能となる。
図1,図2では2つのバイアス電流の場合について説明したが、図3のようにバイアス電流を3種類、またはそれ以上にすることができ、複数のバイアス電流を選択可能とすることで測定電流の分解能を上げることが可能となる。
図1,図2では2つのバイアス電流の場合について説明したが、図3のようにバイアス電流を3種類、またはそれ以上にすることができ、複数のバイアス電流を選択可能とすることで測定電流の分解能を上げることが可能となる。
1…MI素子、2…バイアスコイル、3…発振回路、4…抵抗、5…バイアス電流源、51…低バイアス電流源、52…高バイアス電流源、6…検波回路、7…増幅回路、8…AD変換回路、9…判定回路、10…設定回路、11…時限回路、12…導体、13…切換回路。
Claims (2)
- 磁気インピーダンス素子にバイアスコイルを巻回し、被測定電流が発生する磁界に応じて変化する前記磁気インピーダンス素子のインピーダンス変化から電流を検出する電流センサにおいて、
前記バイアスコイルに複数の異なるバイアス電流を選択的に供給するバイアス手段を設け、検出した電流値に応じてバイアス電流を変更することを特徴とする電流センサ。 - 磁気インピーダンス素子にバイアスコイルを巻回し、被測定電流が発生する磁界に応じて変化する前記磁気インピーダンス素子のインピーダンス変化から電流を検出する電流センサを有し、この電流センサによる検出電流値を所定値と比較して過電流判定を行なう過電流判定装置において、
前記バイアスコイルに複数の異なるバイアス電流を選択的に供給するバイアス手段を設け、前記電流センサの検出電流値に応じてバイアス電流を変更することを特徴とする過電流判定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003280561A JP2005049184A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 電流センサおよび過電流判定装置 |
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JP2003280561A Pending JP2005049184A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 電流センサおよび過電流判定装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105510686A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-20 | 谭焕玲 | 一种电流测量装置和方法 |
US9638767B2 (en) | 2011-09-19 | 2017-05-02 | Denso Corporation | Current sensor and attachment structure of the same |
WO2020059898A1 (ko) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 전자부품연구원 | 스마트 그리드용 가변 바이어스 전원을 이용한 자기 센서 기반 전류 센서 |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003280561A patent/JP2005049184A/ja active Pending
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CN105510686A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-20 | 谭焕玲 | 一种电流测量装置和方法 |
WO2020059898A1 (ko) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 전자부품연구원 | 스마트 그리드용 가변 바이어스 전원을 이용한 자기 센서 기반 전류 센서 |
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