JP2005033075A - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、内部圧力を低いレベルに保持した空洞を備えた電子デバイスの製造方法に関する。特に、赤外線センサなどの検知部が減圧された雰囲気内に密閉される電子デバイスの製造方法に関している。 The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device having a cavity in which internal pressure is maintained at a low level. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing an electronic device in which a detection unit such as an infrared sensor is sealed in a reduced-pressure atmosphere.
従来、赤外線センサなどの電子デバイスは、その検出感度を高めるために、少なくとも検知部が基板上に形成した空洞内に配置され、キャップ部によって真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気中に密封されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in order to increase the detection sensitivity of an electronic device such as an infrared sensor, at least a detection unit is disposed in a cavity formed on a substrate, and is sealed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere by a cap unit.
このような電子デバイスには、赤外線センサの他、圧力センサ、加速度センサ、流速センサ、真空トランジスタなどが含まれる。 Such electronic devices include a pressure sensor, an acceleration sensor, a flow rate sensor, a vacuum transistor and the like in addition to an infrared sensor.
これらのセンサのうち、赤外線センサは、ボロメータ型センサ、焦電型センサ、サーモパイル型センサまたは熱電対型センサなどの熱型センサと、PbS、InSb、HgCdTeなどを用いた量子型センサとに大別される。ボロメータ型センサの多くは、ポリシリコン、Ti、TiON、VOxなどの抵抗変化材料から形成した検出部を備えるが、PNダイオードなどの順方向電流の過渡特性を利用するものもある。サーモパイル型センサは、例えばPN接合部に生じるゼーペック効果を利用し、焦電型赤外線センサは、PZT、BST、ZnO、PbTiO3などの材料の焦電効果を利用する。また、量子型センサは、電子励起によって流れる電流を検出する。また、ゼーベック効果によって赤外線を検出するクロメル・アルメル熱電対(Chromel-Alumel Thermocouple)を有する赤外センサ等がある。 Among these sensors, infrared sensors are roughly classified into thermal sensors such as bolometer sensors, pyroelectric sensors, thermopile sensors, and thermocouple sensors, and quantum sensors using PbS, InSb, HgCdTe, and the like. Is done. Many bolometer-type sensors include a detection unit formed of a resistance change material such as polysilicon, Ti, TiON, or VO x , but some use a forward current transient characteristic such as a PN diode. The thermopile sensor utilizes the Seepec effect generated at, for example, the PN junction, and the pyroelectric infrared sensor utilizes the pyroelectric effect of materials such as PZT, BST, ZnO, and PbTiO 3 . The quantum sensor detects a current that flows due to electronic excitation. In addition, there is an infrared sensor having a Chromel-Alumel Thermocouple that detects infrared rays by the Seebeck effect.
赤外線の検出感度および精度を高く維持するためには、赤外線検出部からの熱放散を小さくすることが好ましく、キャップ体などによって密閉された真空雰囲気又は減圧された不活性ガス雰囲気中に検出部を封入すると、検出特性が向上することが知られている。 In order to maintain high infrared detection sensitivity and accuracy, it is preferable to reduce heat dissipation from the infrared detection unit, and the detection unit is placed in a vacuum atmosphere or a reduced inert gas atmosphere sealed by a cap body or the like. It is known that when encapsulated, the detection characteristics are improved.
圧力センサや加速度センサの感度も、検出部の周りに存在する空気の粘性抵抗が低下すると向上するため、キャップ体などによって密閉された真空雰囲気又は減圧された不活性ガス雰囲気中に検出部を封入することが好ましい。 The sensitivity of the pressure sensor and acceleration sensor also increases as the viscosity resistance of the air around the detector decreases, so the detector is sealed in a vacuum atmosphere sealed with a cap or other inert gas atmosphere. It is preferable to do.
以下、図1Aから図1Fを参照しながら、従来の電子デバイスの製造方法を説明する。 Hereinafter, a conventional method of manufacturing an electronic device will be described with reference to FIGS. 1A to 1F.
まず、図1Aに示す工程で、赤外線センサなどの検出部102が形成されたシリコン基板101上を用意する。そして、例えばCVD法により、シリコン酸化膜103を基板上に堆積した後、検出部102およびその周辺部を覆うようにシリコン酸化膜103をパターニングする。このシリコン酸化膜103は、犠牲層として機能し、後の工程においてエッチングによって除去され、空洞部の形状を規定する。
First, in the step shown in FIG. 1A, a
図1Bに示す工程で、CVD法により、シリコン酸化膜103を覆うようにポリシリコン膜104を形成する。このポリシリコン膜104は、電子デバイスのキャップ部の側壁および天井壁となる。
In the step shown in FIG. 1B, a
図1Cに示す工程で、ポリシリコン膜104を貫通してシリコン酸化膜103に到達する多数のエッチング用ホール111を形成する。
In the step shown in FIG. 1C, a large number of
図1Dに示す工程で、エッチング用ホール111からフッ酸を注入し、シリコン酸化膜103を溶解し、エッチング用ホール111を介して溶液を除去する。これにより、シリコン酸化膜103によって囲まれる空洞112が形成され、空洞112内でセンサの検出部102が露出された状態になる。
In the step shown in FIG. 1D, hydrofluoric acid is injected from the
次に、図1Eに示す工程で、CVD法により、ポリシリコン膜104を覆うポリシリコン膜106を堆積する。このとき、エッチング用ホール111の内壁部分にもポリシリコン膜106が堆積されるので、エッチング用ホール111は塞がれる。CVD法の開始後、エッチング用ホールが完全に塞がれるまでの間に、空洞112の内壁にもポリシリコン膜106が堆積される。
Next, in the step shown in FIG. 1E, a
上記のCVD工程は、通常、500mTorr(約67Pa)程度の圧力下でSiH4などの反応ガスを用いて行なわれる。したがって、空洞112は、その内部圧力がCVD工程時における圧力500mTorr(約67Pa)程度の状態で密閉される。また、このCVD工程では、空洞112の内部に未反応のSiH4や、反応によって生じるH2ガスが残留している。更に、空洞112の壁面上に堆積したポリシリコン膜106には、未反応のSiH4や反応によって生じるH2ガスが吸着している。
The above CVD process is usually performed using a reactive gas such as SiH 4 under a pressure of about 500 mTorr (about 67 Pa). Therefore, the
次に、図1Fに示す工程で、高真空下、500℃以上の高温で基板101の全体を加熱する。このとき、空洞112の内部のSiH4ガスがある程度分解し、H2ガスがポリシリコン膜104、106を通過して外部に放出される。このため、空洞112内の圧力は、CVD工程時における空洞112の内部圧力よりも少し低下し、空洞112の真空度が幾分向上する。
Next, in the step shown in FIG. 1F, the
上記の製造方法は、例えば特許文献1に記載されている。
上述した電子デバイスの製造方法によれば、図1Fに示す熱処理工程において空洞112内でSiH4ガスが分解し、H2ガスが空洞112の外部に放出される。このため、空洞内の真空度は、CVD工程時における圧力500mTorr(約67Pa)よりも幾分は高まるものの、センサの感度向上のためには、それ以上の真空度の向上が見込めないという問題がある。
According to the method for manufacturing an electronic device described above, SiH 4 gas is decomposed in the
上記の製造方法では、検出部102と基板101との間には空洞を形成していないが、検出部102の上層および下層の各々に犠牲層を設けることにより、検出部102の上方だけではなく下方も空洞内の雰囲気ガスを接触する構造を作製することが可能である。
In the above manufacturing method, a cavity is not formed between the
図2は、このような構造を有するボロメータ型赤外線センサの検出部付近を示す斜視図である。図2では、赤外線検出部として機能する「ボロメータ」と呼ばれる抵抗体151と、抵抗体151を支持する支持部材152とが基板101上に形成されている。抵抗体151は、例えばパターニングされたポリシリコン膜から形成され、支持部材152はポリシリコン膜、窒化膜、酸化膜などを積層して設けられることが多い。支持部材152は、上面に抵抗体151が形成されている支持本体部分から延びたアーム部分を有しており、このアーム部分を介して基板101に固定された状態にある。
FIG. 2 is a perspective view showing the vicinity of the detection part of the bolometer-type infrared sensor having such a structure. In FIG. 2, a
図2では、空洞壁用部材は示されてないが、現実の赤外線センサでは、図1Fに示す空洞112と同様の空洞の内部に支持部材150が配置されている。
In FIG. 2, the cavity wall member is not shown, but in the actual infrared sensor, the support member 150 is disposed inside the cavity similar to the
以下、エッチング用ホールをCVD法によって塞いだ場合に生じる問題を詳細に説明する。 Hereinafter, a problem that occurs when the etching hole is blocked by the CVD method will be described in detail.
図2に示していないが、空洞を囲むように存在するポリシリコン膜(図1Fの参照符号「104」、「106」で示す膜)を通過して赤外線が抵抗体151に入射すると、抵抗体151の温度が上昇するため、この温度上昇に伴って抵抗値が変化する。図2の構造を有する赤外線センサでは、この抵抗値の変化を測定することにより、抵抗体151に入射した赤外線の量を検出することができる。
Although not shown in FIG. 2, when infrared rays enter the
赤外線センサの検出感度を向上させるためには、赤外線が抵抗体151に入射したときの抵抗体151の温度上昇を大きくする必要がある。このため、赤外線検出部として機能する抵抗体151とその外部との間をできるだけ断熱することが好ましい。
In order to improve the detection sensitivity of the infrared sensor, it is necessary to increase the temperature rise of the
抵抗体151とその外部との間の熱伝導は、抵抗体151と基板101とを接続している支持部材152を介した熱伝導、および、抵抗体151の周囲の気体を介した熱伝導に分けられる。
The heat conduction between the
支持部材152を介した熱伝導は、支持部材152の最も細い部分の断面積が小さく、かつ、基板101との距離が大きいほど小さい。例えば、MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)の技術を用いれば、図2に示すように、支持部材152のうち基板101につながる部分(接続部)を断面積3μm2、長さ50μmのSi3N4の2本の柱によって構成することが可能である。この場合には、熱コンダクタンス(Thermal Conductance)は3×10-7(W/K)となる。
The heat conduction through the
これに対して、抵抗体151の周囲の気体を介した熱コンダクタンスは、気体の圧力が小さいほど小さい。このことから、赤外線センサの感度を向上するためには検出部の周囲の気体圧力を小さくする必要がある。
On the other hand, the thermal conductance through the gas around the
しかしながら、図1Aから図1Fを参照しながら説明した従来の製造方法では、図1Eに示す工程の後、残留ガスによって空洞112の内部の圧力は500mTorr(約67Pa)程度に保たれている。空洞112の形成後、真空高温処理を行なうことにより、内部の水素が外部に拡散するため、空洞112の内部圧力を幾分低下させることができるが、高温加熱によっても空洞112の外部に追い出すことができないSiH4ガスが残留する。
However, in the conventional manufacturing method described with reference to FIGS. 1A to 1F, the pressure inside the
ボロメータ型などの赤外線イメージセンサでは、検出部を覆う空気の圧力と感度との間に図3のグラフに示す関係がある。このような関係は、例えば、Academic Press社の「Uncooled Infrared Imaging Arrays and Systems」の115ページに説明されている。 In an infrared image sensor such as a bolometer type, there is a relationship shown in the graph of FIG. 3 between the pressure of air covering the detector and the sensitivity. Such a relationship is described, for example, on page 115 of “Uncooled Infrared Imaging Arrays and Systems” by Academic Press.
図3のグラフは、縦軸が感度を示し、横軸が検出部12の雰囲気圧力を示している。このグラフからわかるように、圧力が低いほど感度が高くなる。圧力が50mTorrの場合の感度は、圧力が500mTorrの場合の感度の感度に比べて約3倍になる。このため、空洞内部の圧力は50mTorr以下にすることが望ましい。
In the graph of FIG. 3, the vertical axis indicates sensitivity, and the horizontal axis indicates the atmospheric pressure of the
また、赤外線センサの検出部151の支持部材152は図2に示すような微細な構造をもつので、図1Fに示す工程で、あまりに高温の加熱を行なうと、支持部材152に熱応力が発生して支持部材152が破損するおそれがある。
Further, since the
さらに、660℃以上の高温加熱を行なった場合、センサの配線に用いられているAlが融解するという問題が生じるため、この温度以下で加熱する必要があるが、この温度においてはH2の外部への拡散速度が非常に小さいので、真空度向上のための加熱としての機能をそれほど期待することができない。 Furthermore, when subjected to high temperature heating above 660 ° C., a problem that Al used in the wiring of the sensor is melted occurs, it is necessary to heat at this temperature or less, external H 2 in this temperature Since the diffusion rate into the layer is very small, the function as heating for improving the degree of vacuum cannot be expected so much.
このように、CVDを用いてエッチング用ホールを塞ぐ従来の製造方法では、空洞112の真空度を更に向上させ、それによって検出感度を高めることが困難である。
As described above, in the conventional manufacturing method in which the etching hole is closed using CVD, it is difficult to further improve the degree of vacuum of the
本発明の目的は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少なくとも一部が空洞内に保持される電子デバイスの製造方法において、前記空洞の内部圧力を従来よりも低減することができる電子デバイスの製造方法を提供することにある。 The object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to provide an electronic device manufacturing method in which at least a part of the object is held in the cavity, and the internal pressure of the cavity is set higher than in the prior art. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic device that can be reduced.
本発明による電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの一部が設けられた基板を用意する工程(a)と、前記電子デバイスの一部を覆う犠牲層を前記基板の選択された領域上に形成する工程(b)と、前記犠牲層を覆う空洞壁用膜を前記基板上に形成する工程(c)と、前記空洞壁用膜を貫通して前記犠牲層に達する少なくとも1つの開口部を前記空洞壁用膜に形成する工程(d)と、前記開口部を介して前記犠牲層の少なくとも1部を選択的にエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞を形成する工程(e)と、スパッタ法により前記開口部を塞ぐシール部材を形成する工程(f)とを含む。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, a step (a) of preparing a substrate provided with a part of the electronic device and a sacrificial layer covering a part of the electronic device are formed on a selected region of the substrate. A step (b) of forming a cavity wall film covering the sacrificial layer on the substrate, and at least one opening reaching the sacrificial layer through the cavity wall film. A step (d) of forming a film for a cavity wall, and a step of forming a cavity surrounding a part of the electronic device by selectively etching at least one part of the sacrificial layer through the opening (e) And a step (f) of forming a seal member that closes the opening by sputtering.
好ましい実施形態において、前記工程(d)は、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、直径0.1μm6.0μm以下の前記開口部を形成する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (d) includes a step of forming the opening having a diameter of 0.1 μm to 6.0 μm or less by photolithography and etching.
好ましい実施形態において、前記工程(e)と前記工程(f)の間に、CVD法を用いて薄膜を堆積することにより、前記開口部の直径を縮小する工程を更に行う。 In a preferred embodiment, a step of reducing the diameter of the opening is further performed between the step (e) and the step (f) by depositing a thin film using a CVD method.
好ましい実施形態において、前記工程(f)は、厚さ1.7μm以上のシリコン膜を前記空洞壁用膜上に堆積する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (f) includes a step of depositing a silicon film having a thickness of 1.7 μm or more on the cavity wall film.
好ましい実施形態において、前記工程(f)は、電極およびシリコンターゲットを備えたスパッタ装置内に前記基板を配置する工程と、前記電極の単位面積あたり10W/cm2以下の電力を前記電極に供給して前記シリコンターゲットをスパッタすることにより、シリコンからなる前記シール部材を形成する工程とを含む。 In a preferred embodiment, the step (f) includes the step of placing the substrate in a sputtering apparatus including an electrode and a silicon target, and supplying electric power of 10 W / cm 2 or less per unit area of the electrode to the electrode. Forming the sealing member made of silicon by sputtering the silicon target.
好ましい実施形態において、前記電極の単位面積あたりの電力を2.5W/cm2以上に設定する。 In a preferred embodiment, the power per unit area of the electrode is set to 2.5 W / cm 2 or more.
好ましい実施形態において、前記工程(f)において、0.01Pa以上60Pa以下の圧力のもとで前記シール部材を形成する。 In a preferred embodiment, in the step (f), the seal member is formed under a pressure of 0.01 Pa to 60 Pa.
好ましい実施形態において、前記工程(f)において、1Pa以上7Pa以下の圧力のもとで前記シール部材を形成する。 In a preferred embodiment, in the step (f), the seal member is formed under a pressure of 1 Pa or more and 7 Pa or less.
本発明による他の電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの一部が設けられた基板を用意する工程(a)と、前記電子デバイスの一部を覆う犠牲層を前記基板の選択された領域上に形成する工程(b)と、前記犠牲層を覆う空洞壁用膜を前記基板上に形成する工程(c)と、前記空洞壁用膜を貫通して前記犠牲層に達する少なくとも1つの開口部を前記空洞壁用膜に形成する工程(d)と、前記開口部を介して前記犠牲層の少なくとも1部を選択的にエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞を形成する工程(e)と、真空蒸着法により前記開口部を塞ぐシール部材を形成する工程(f)とを含む。 Another method of manufacturing an electronic device according to the present invention includes a step (a) of preparing a substrate provided with a part of the electronic device, and a sacrificial layer covering a part of the electronic device on a selected region of the substrate. Forming a cavity wall film covering the sacrificial layer on the substrate, and at least one opening reaching the sacrificial layer through the cavity wall film Forming in the cavity wall film, and forming a cavity surrounding a part of the electronic device by selectively etching at least one part of the sacrificial layer through the opening. (E) and the process (f) of forming the sealing member which block | closes the said opening part by a vacuum evaporation method.
好ましい実施形態において、前記工程(d)は、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、直径0.1μm6.0μm以下の前記開口部を形成する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (d) includes a step of forming the opening having a diameter of 0.1 μm to 6.0 μm or less by photolithography and etching.
好ましい実施形態において、前記工程(e)と前記工程(f)の間に、CVD法を用いて薄膜を堆積することにより、前記開口部の直径を縮小する工程を更に行う。 In a preferred embodiment, a step of reducing the diameter of the opening is further performed between the step (e) and the step (f) by depositing a thin film using a CVD method.
好ましい実施形態において、前記工程(f)は、前記真空蒸着法によって金属層を前記空洞用壁膜上に堆積する工程と、前記金属層の上面部分をエッチングすることにより、前記金属層の一部を前記開口部内に残存させ、前記金属層から前記シール部材を形成する工程とを含む。 In a preferred embodiment, the step (f) includes a step of depositing a metal layer on the cavity wall film by the vacuum evaporation method, and a part of the metal layer by etching an upper surface portion of the metal layer. Remaining in the opening, and forming the seal member from the metal layer.
好ましい実施形態において、前記開口部の位置は、前記電子デバイスの一部と重なり合わない領域に配置される。 In a preferred embodiment, the position of the opening is arranged in a region that does not overlap with a part of the electronic device.
好ましい実施形態において、前記工程(b)は、前記犠牲層をシリコン膜から形成する工程を含み、前記工程(c)は、前記空洞壁用膜の少なくとも一部として機能するシリコン酸化物層を形成する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (b) includes a step of forming the sacrificial layer from a silicon film, and the step (c) forms a silicon oxide layer that functions as at least a part of the cavity wall film. The process of carrying out is included.
好ましい実施形態において、前記工程(b)は、前記犠牲層をシリコン酸化膜から形成する工程を含み、前記工程(c)は、前記空洞壁用膜の少なくとも一部として機能するシリコン層を形成する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (b) includes a step of forming the sacrificial layer from a silicon oxide film, and the step (c) forms a silicon layer that functions as at least a part of the cavity wall film. Process.
好ましい実施形態において、前記工程(a)は、前記電子デバイスの一部として機能する赤外線センサの検出部を前記基板上に形成する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (a) includes a step of forming, on the substrate, a detection portion of an infrared sensor that functions as a part of the electronic device.
好ましい実施形態において、前記工程(a)は、前記電子デバイスの一部として機能する赤外線センサの検出部と、前記検出部の側方および下方を埋める下部空洞用犠牲層とを形成する工程を含み、前記工程(e)は、前記犠牲層および前記下部空洞用犠牲層を除去する工程を含む。 In a preferred embodiment, the step (a) includes a step of forming a detection portion of an infrared sensor that functions as a part of the electronic device, and a sacrificial layer for a lower cavity that fills the side and bottom of the detection portion. The step (e) includes a step of removing the sacrificial layer and the sacrificial layer for the lower cavity.
本発明の更に他の電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの一部が設けられた基板を用意する工程(a)と、前記基板の一部をエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞、および前記空洞に達する開口部を形成する工程(b)と、前記開口部を塞ぐシール部材をスパッタ法または真空蒸着法によって形成する工程(c)とを含む。 According to still another aspect of the invention, there is provided a method for manufacturing an electronic device, the step (a) of preparing a substrate provided with a part of the electronic device, and etching the part of the substrate to A step (b) of forming an enclosing cavity and an opening reaching the cavity; and a step (c) of forming a seal member for closing the opening by a sputtering method or a vacuum deposition method.
好ましいじにおいて、前記工程(b)は、前記基板上にエッチングストップ層を形成する工程と、前記エッチングストップ層に前記開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記基板の一部をエッチングする工程とを含む。 In the preferred embodiment, the step (b) includes forming an etching stop layer on the substrate, forming the opening in the etching stop layer, and forming a part of the substrate through the opening. Etching.
本発明の電子デバイスの製造方法によれば、空洞を形成するためのエッチング用ホールをスパッタ法または真空蒸着法による堆積物で塞ぐため、空洞の圧力を低圧(高真空)に保持することができる。このため、空洞内の圧力が低い場合に高い感度を示すセンサなどの電子デバイスの特性を高めることが可能になる。 According to the method for manufacturing an electronic device of the present invention, the etching hole for forming the cavity is closed with the deposit by the sputtering method or the vacuum evaporation method, so that the pressure of the cavity can be maintained at a low pressure (high vacuum). . For this reason, it becomes possible to improve the characteristic of electronic devices, such as a sensor which shows a high sensitivity, when the pressure in a cavity is low.
(実施形態1)
以下、図面を参照しながら、本発明による電子デバイスの製造方法の第1の実施形態を説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, a first embodiment of an electronic device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、図4Aに示す工程で、シリコン基板11の主面上に赤外線センサのボロメータなどの検出部12を形成する。具体的には、センサ機能を有する材料の薄膜をシリコン基板11上に堆積した後、フォトリソグラフィおよびエッチング技術などの微細加工を施すことにより、上記薄膜をパターニングする。この検出部12の平面形状は、例えば、図2の抵抗体151と同様の平面形状を有するように設計される。
First, in the step shown in FIG. 4A, a
次に、CVD法などの薄膜堆積技術により、検出部12を覆うシリコン酸化膜13をシリコン基板11上に堆積した後、検出部12およびその周辺部を覆うようにシリコン酸化膜13をパターニングする。このパターニングも、フォトリソグラフィおよびエッチング技術によって実行され得る。パターニンされたシリコン酸化膜13は、犠牲層として機能し、後にエッチングで除去され、空洞部の形状を規定することになる。シリコン酸化膜13の厚さは、空洞の高さを規定する。本実施形態では、シリコン酸化膜13の厚さ、例えば0.5μm以上2μm以下の範囲に設定する。
Next, after a
次に、図4Bに示す工程で、CVD法などの薄膜堆積技術により、シリコン酸化膜13を覆うポリシリコン膜14をシリコン基板11上に堆積する。このポリシリコン膜14は、空洞部を形成した後、電子デバイスのキャップ部の側壁および天井壁として機能す空洞壁部材である。ポリシリコン膜14の厚さは、例えば0.5μm以上2μm以下の範囲に設定される。本実施形態では、エッチングによって除去される犠牲層をシリコン酸化膜から形成しているため、シリコン酸化膜をエッチングするエッチャントに対してエッチングされにくい材料から空洞壁部材を形成する必要がある。ポリシリコンは、シリコン酸化物のエッチングに利用される種々のエッチャントに対して優れた耐エッチング性を示す材料の一つである。
Next, in the step shown in FIG. 4B, a
図4Cに示す工程で、ポリシリコン膜14を貫通してシリコン酸化膜13に到達する多数のエッチング用ホール21を形成する。エッチング用ホール21は、フォトリソグラフィおよびエッチング技術により、任の位置に任意の個数および配列で形成される。本実施形態では、エッチング用ホール21の直径を0.1μm以上6μm以下の範囲に設定する。
In the step shown in FIG. 4C, a large number of etching holes 21 that penetrate the
次に、図4Dに示す工程で、エッチング用ホール21にフッ酸を注入し、シリコン酸化膜13をエッチングする。フッ酸と反応して溶解したシリコン酸化膜13は、エッチング用ホール21を介して除去され、ポリシリコン膜14によって囲まれる空洞22が形成される。空洞22の内部は、センサの検出部12が露出した状態になる。
Next, in the step shown in FIG. 4D, hydrofluoric acid is injected into the
図4Eに示す工程で、ポリシリコン膜14の上面を覆うシリコン膜16をシリコン基板11上に形成する。本実施形態では、このシリコン膜16をスパッタ法によって形成する。シリコン膜16の結晶性は任意であり、例えば多結晶であっても非晶質であってもよい。シリコン膜16の厚さは、エッチング用ホール21の直径に応じて異なるが、本実施形態では、2.0μmに設定している。
In the step shown in FIG. 4E, a
スパッタは、例えば図5に示すスパッタ装置を用いて行うことができる。図5の装置は、平行平板型のRFマグネトロンスパッタ装置の構成を示している。このような装置には、例えばアネルバ社の品番:C-7250がある。図示されている装置は、チャンバー40内に配置された、シリコン基板11が載せられる基板ホルダ41と、基板ホルダ41に対向する位置に設けられたシリコンターゲット42とを備えており、シリコンターゲット42には整合回路(Matching BOX)44を介してRF電源46から高周波の電力が供給される。本実施形態では、直径6インチのシリコンターゲットが好適に用いられ得る。
Sputtering can be performed using, for example, a sputtering apparatus shown in FIG. The apparatus of FIG. 5 shows the configuration of a parallel plate type RF magnetron sputtering apparatus. An example of such an apparatus is an Anelva product number: C-7250. The illustrated apparatus includes a
このようなスパッタ装置によれば、不図示のインレットからチャンバー40内に導入されたアルゴン(Ar)などのガスが、基板ホルダ41とターゲット42との間に印加される電界によって放電し、プラズマ化する。プラズマ中のイオンの一部がシリコンターゲット42に高いエネルギで衝突することにより、シリコンターゲット42を構成するシリコンがスパッタされることになる。スパッタされたシリコンの粒子(原子または原子団)は、ターゲット42から離脱して、対向する位置の基板ホルダ41に向かう。スパッタ装置のチャンバー42内のガス圧力は通常60Pa程度以下にあるため、スパッタされたシリコン粒子は、Arガスの分子にほとんど衝突することなく、直線的に基板ホルダ41上のシリコン基板11(図5において不図示)に入射する。入射角度は、シリコン基板11の主面にほぼ垂直となる。シリコン基板11に入射したシリコンは、図4Dに示すポリシリコン膜14上に堆積し、シリコン膜16を成長させる。シリコンターゲット42からポリシリコン膜14上に飛来したシリコンは、ポリシリコン膜14をある程度移動した後、シリコン膜16の成長により、エッチング用ホール21は塞がれ、空洞は密閉される。
According to such a sputtering apparatus, a gas such as argon (Ar) introduced into the
次に図4Eを参照する。本明細書においては、スパッタ法によって堆積されたシリコン膜16のうち、エッチング用ホール21を塞ぐ部分を「シール部材16a」と称する場合がある。図4Eでは、このシール部材16aがエッチング用ホール21の内部を完全に埋めているように記載されているが、現実には、シール部材16aはエッチング用ホール21の内部に入り込んである必要はない。
Reference is now made to FIG. In the present specification, a portion of the
エッチング用ホール21の大きさが例えば0.3μmの場合、厚さ2.0μm程度のシリコン膜16を形成することにより、シリコン膜16でエッチング用ホール21を充分に塞ぐことができる。直径0.3μm以上のエッチング用ホール21を塞ぐためには、シリコン膜16の厚さを1.7μm以上に設定する必要があるが、エッチング用ホール21が大きくなれば、それに応じてシリコン膜16の厚さを大きくする必要がある。
When the size of the
エッチング用ホール21の直径は、6μm以下に設定することが好ましい。直径が6μm以下であれば、スパッタ条件を調節することにより、24時間以下のスパッタ時間でエッチング用ホールを完全に塞ぐことが可能になる。ただし、エッチング用ホールの直径が一時的に6μmを超える大きさに設定されていても、スパッタ法による膜の堆積を行う時点で6μm以下であればよい。すなわち、犠牲層のエッチングを行って空洞を形成する時点では6μmを越えていても、空洞形成後にCVD法膜の成長によってエッチング用ホールの直径を6μm以下の縮小し、その後、スパッタ法によってエッチング用ホールを塞げば、スパッタ時間を長大化しなくてもすむ。
The diameter of the
なお、エッチング用ホールの直径は、0.1μm以上に設定することが好ましい。これよりも小さなエッチング用ホールを形成することは加工性の観点から難しく、また、エッチング用ホールを介して行う犠牲層のエッチングも困難になる。 The diameter of the etching hole is preferably set to 0.1 μm or more. It is difficult to form an etching hole smaller than this from the viewpoint of workability, and it becomes difficult to etch the sacrificial layer through the etching hole.
シリコン膜16を形成するために本実施形態で行うスパッタ工程は、0.01Pa以上で60Pa以下の圧力範囲で行なわれる。60Pa以下の圧力でスパッタを行うことにより、空洞内部の圧力は60Pa(=450mTorr)以下に保たれる。
The sputtering process performed in the present embodiment to form the
ボロメータ型の赤外線イメージセンサでは、検出部12を覆う空気の圧力と感度と間には、前述した図3のグラフの関係がある。このグラフからわかるように、内部の圧力を約50mTorr以下に保つことが好ましく、そのためには、7Pa(=52.5mTorr)以下の圧力でスパッタを行うことが好ましい。
In the bolometer-type infrared image sensor, the relationship between the pressure of the air covering the
一方、プラズマを安定的に形成するという観点からは、スパッタ圧力を0.01Pa以上に設定することが好ましい。一方、スパッタレートを実用上充分なレベルに高めるという観点からは、スパッタ圧力を0.1Pa以上に設定することが好ましい。例えば、0.85Paの圧力で1kWの電力でスパッタを行うと、条件を調整することにより、成膜レートは0.025μm/分となり、2μmのシリコンの堆積が約80分で完了する。 On the other hand, from the viewpoint of stably forming plasma, it is preferable to set the sputtering pressure to 0.01 Pa or more. On the other hand, from the viewpoint of increasing the sputtering rate to a practically sufficient level, it is preferable to set the sputtering pressure to 0.1 Pa or more. For example, when sputtering is performed at a pressure of 0.85 Pa and a power of 1 kW, the film formation rate is 0.025 μm / min by adjusting the conditions, and the deposition of 2 μm silicon is completed in about 80 minutes.
本実施形態では、シリコン膜16を堆積するためのスパッタ工程は、電極の単位面積あたりの電力が10W/cm2以下の条件で行う。このことにより、プラズマ加熱によるデバイスの変形を防ぐことができるからである。例えば、図5に示す装置においては、電極面積が182cm2である場合、電極の単位面積あたりの電力が10W/cm2という場合は、全体の電力が約1800Wである場合に相当する。
In this embodiment, the sputtering process for depositing the
図6(a)から(c)は、CVD法によって堆積するシリコン膜106でエッチング用ホール21が塞がれる様子を示す断面図であり、図7(a)から(c)は、スパッタ法によって堆積するシリコン膜16でエッチング用ホール21が塞がれる様子を示す断面図である。
FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views showing a state in which the
図6(a)から(c)に示されるように、CVD法によるシリコン膜106は段差被覆性(ステッブカバレッジ)に優れ、エッチング用ホール21および空洞22の内壁にも成長する。空洞の内壁上におけるCVDシリコン膜106の成長は、エッチング用ホール21が完全に塞がれるまで進行する。
As shown in FIGS. 6A to 6C, the
これに対して、スパッタ法による場合、ターゲットに対向する面上にのみ膜が堆積されてゆくため、図7(a)から(c)に示すように、シリコン膜16は空洞22の内部には成長しにくい。 On the other hand, in the case of the sputtering method, the film is deposited only on the surface facing the target. Therefore, as shown in FIGS. Hard to grow.
図8は、図5に示す構成を有するスパッタ装置を用いて2000Wの電力でスパッタを行ったときに生じる空洞の変形を模式的に示している。2000W以上の電力でスパッタを行った場合、プラズマによって空洞を有する構造物が加熱されるため、下地膜(例えば酸化膜)とシリコン膜との熱膨張係数の差などにより、スパッタ工程後に基板を常温に冷やしたときに大きな歪が生じ、内部の電子デバイスに悪影響を及ぼすことになる。 FIG. 8 schematically shows the deformation of the cavity that occurs when sputtering is performed at a power of 2000 W using the sputtering apparatus having the configuration shown in FIG. When sputtering is performed with a power of 2000 W or more, a structure having a cavity is heated by plasma, so that the substrate is kept at room temperature after the sputtering process due to a difference in thermal expansion coefficient between a base film (eg, an oxide film) and a silicon film. When it is cooled down, a large distortion occurs, which adversely affects the internal electronic device.
スパッタに要する工程時間を短縮するという観点からは、電極の単位面積あたりの電力が2.5W/cm2以上の電力でシリコンをスパッタすることが好ましい。本実施形態で用いるスパッタ装置における電極面積は182cm2であるので、電極の単位面積あたりの電力が2.5W/cm2の場合は、全体の電力が約460Wになる。 From the viewpoint of shortening the process time required for sputtering, it is preferable to sputter silicon with a power of 2.5 W / cm 2 or more per unit area of the electrode. The electrode area of a sputtering apparatus used in this embodiment is a 182cm 2, if the power per unit area of the electrode is 2.5 W / cm 2, the total power is about 460W.
スパッタ圧力が一定であれば、成長レートは電力に略比例する。スパッタ圧力が例えば0.85Paの場合、1kWの電力で成膜レートは0.025μm/分となるので、厚さ2μmのシリコンを約80分で形成できる。 If the sputtering pressure is constant, the growth rate is substantially proportional to the power. For example, when the sputtering pressure is 0.85 Pa, the film formation rate is 0.025 μm / min with a power of 1 kW, so that silicon having a thickness of 2 μm can be formed in about 80 minutes.
本実施形態で採用するスパッタ条件の好ましい具体例を以下の表1に示す。 Preferred specific examples of sputtering conditions employed in this embodiment are shown in Table 1 below.
表1において、「Ar導入前の真空度」とは、スパッタ装置のチャンバー内を真空引きによって減圧した状態でチャンバー内の圧力を示している。「RF電力」は、電極に与える高周波電力の大きさを示している。「Ar圧力」は、Arガスをチャンバー内に導入したArガスの圧力を示し、「Ar流量」は、そのときのArガスの流量を示している。 In Table 1, “the degree of vacuum before introducing Ar” indicates the pressure in the chamber in a state where the pressure in the chamber of the sputtering apparatus is reduced by evacuation. “RF power” indicates the magnitude of the high-frequency power applied to the electrode. “Ar pressure” indicates the pressure of Ar gas introduced into the chamber, and “Ar flow rate” indicates the flow rate of Ar gas at that time.
スパッタターゲットとしては、例えば直径6インチのP型Siを用いることができる。 As the sputtering target, for example, P-type Si having a diameter of 6 inches can be used.
本実施形態によると、エッチング用ホール21を塞ぐシリコン膜をCVD法ではなくスパッタ法によって堆積するため、より低い圧力(より高い真空度)でエッチング用ホール21を塞ぐことができる。その結果、空洞22の真空度を更に高いレベルに保持できる。例えば7Pa以下の圧力でスパッタを行えば、空洞22の圧力を7Pa(約50mTorr)以下の圧力に保持することができる。空洞22の圧力を7Pa以下に保持すると、空洞22内に配置されたセンサの検出部から、その周囲の空間を介した熱伝導を充分に抑制できるため、センサの検出感度を従来例に比べて約3倍以上に向上することができる。
According to the present embodiment, since the silicon film that closes the
しかも、本実施形態によれば、エッチング用ホール21を塞ぐポリシリコン膜を堆積した後に従来不可欠であった熱処理を行なう必要がない。このため、アルミニウム配線等に悪影響を及ぼすことなく、センサの感度を向上することができる。
In addition, according to the present embodiment, it is not necessary to perform the heat treatment that has been indispensable in the past after depositing the polysilicon film that closes the
(実施形態2)
以下、本発明による電子デバイスの製造方法の第2の実施形態を説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, a second embodiment of the electronic device manufacturing method according to the present invention will be described.
まず、第1の実施形態の製造工程(図4A〜4C)と同様の製造工程を行うことにより、図4Cに示す状態の構造物を形成する。 First, the structure in the state shown in FIG. 4C is formed by performing the same manufacturing process as that of the first embodiment (FIGS. 4A to 4C).
次に、図9Aに示す工程で、エッチング用ホール21からフッ酸を注入することにより、シリコン酸化膜13を溶解する。そして、エッチング用ホール21を介して溶液を除去することにより、ポリシリコン膜14によって囲まれる空洞22を形成する。
Next, in the step shown in FIG. 9A, the
次に、図9Bに示す工程で、真空蒸着法により、基板11の上面を金属膜306で覆う。ポリシリコン膜14の上面に成長した金属膜306の一部は、エッチング用ホール21の内部を塞ぎ、シール部材306aを形成する。真空蒸着を行なう際の圧力は、1Pa以下に設定することが好ましい。圧力が1Paを超えると、蒸着源を加熱するために用いられるフィラメントが酸化したり、蒸着膜の膜質が劣化する可能性があるからである。
Next, in the step shown in FIG. 9B, the upper surface of the
金属膜306の成長に用いられる金属の粒子は、堆積の初期段階においては、エッチング用ホール21を通り抜けて空洞22の内部に入りこむ。
Metal particles used for the growth of the
本実施形態では、抵抗加熱による気相法を用いた真空蒸着により金属膜306を堆積する。堆積条件の好ましい具体例を、以下の表2に示す。
In this embodiment, the
エッチング用ホール21の直径が例えば0.3μmの場合、Al蒸着によって厚さ1.2μm以上の金属膜(Al膜)306を形成することにより、金属膜306でエッチング用ホール21を完全に塞ぐことができる。エッチング用ホール21の直径が大きくなれば、それに応じて堆積する金属膜306を厚くする必要がある。
When the diameter of the
抵抗加熱による気相法を用いた真空蒸着で金属膜306を形成する場合、エッチング用ホール21から空洞22の内部にアルミニウム粒子が入り込み、空洞22の内部に付着する。
When the
図10は、例えば直径0.3μmのエッチング用ホール21を塞ぐために、上記の条件1の真空蒸着を行うことによって1.2μmのアルミニウム膜306を堆積した場合の空洞22の断面を示している。エッチング用ホール21はシール部材306aによって塞がれている。図10では、エッチング用ホール21の内部がシール部材306aによって完全に埋め込まれているように記載されているが、現実にはエッチング用ホール21の一部が埋め込まれていればよい。真空蒸着によってアルミニウム膜306を堆積する場合、各エッチング用ホール21の下方に高さ0.74μm程度の円錐状の金属突起306bが形成される。
FIG. 10 shows a cross section of the
本実施形態で用いる真空蒸着による場合、実施形態1で用いるスパッタ法による場合に比べて、成膜時の真空度が高くなる。このため、蒸着膜を構成することになるアルミニウム原子または分子の平均自由工程が長いために、膜形成の初期段階において、アルミニウム原子または分子の一部がエッチング用ホール21を通過して空洞の内部22に到達しやすい。
In the case of vacuum deposition used in the present embodiment, the degree of vacuum during film formation is higher than in the case of sputtering using the first embodiment. For this reason, since the mean free path of the aluminum atoms or molecules constituting the deposited film is long, a part of the aluminum atoms or molecules passes through the
本実施形態の製造方法によって赤外線イメージセンサを製造する場合、犠牲層として機能するシリコン酸化膜13の厚さは1μm〜2μm程度であることが望ましい。これの範囲によりも厚さが小さければ、空気の熱伝導による熱の逃げが増加して、イメージセンサの感度が劣化する。一方、上記の範囲よりも膜厚が大きければ、シリコン酸化膜13の堆積に要する工程時間が長くなりすぎるため、製造コストが増加し、また膜の応力によってイメージセンサの動作に支障をきたす可能性がある。
When an infrared image sensor is manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, the thickness of the
なお、赤外線検出部に多数の金属突起306bが形成されると、金属突起306bとポリシリコン膜14とが近接するために、その間の空気を介した熱伝導が増加し、結果として、イメージセンサの感度が劣化する。また、金属は、一般に赤外線を透過しないので、赤外線検出部に金属が付着すると、検出感度が劣化する。
When a large number of
以上の問題を解決するには、以下のような構成を採ることが好ましい。 In order to solve the above problems, it is preferable to adopt the following configuration.
図2に示すような抵抗体151と同様の抵抗体31を空洞22の内部に形成する場合、エッチング用ホールの位置は、抵抗体31に入射する赤外線を遮断しない領域に形成されることが好ましい。赤外線センサでは、レンズ等の光学素子によって集光された赤外線が検出部に入射するので、金属突起306bが赤外線の一部を遮蔽する位置に形成されないことが好ましい。
When a
基板11の主面に垂直な方向に沿って赤外線の平行光線が入射する場合は、平面レイアウト上、抵抗体31とエッチング用ホール21とがオーバーラップしなければよいことになる。
When parallel rays of infrared rays enter along a direction perpendicular to the main surface of the
図11は、空洞22の内部における抵抗体151とエッチング用ホール(シール部材306a)の配置関係を示す平面レイアウト図である。この例では、図11に示されるように、赤外線センサのボロメータとして機能する抵抗体31および支持部材32が空洞22内に配置されている。そして、抵抗体31および支持部材32と、エッチング用ホール22を塞ぐシール部材306aとが、赤外線の入射方向からみて互いにオーバーラップしないように配置されている。このことにより、シール部材306aおよび空洞内部に堆積した金属突起(図10において参照符号「306b」で示す部分)が抵抗体31への赤外線入射を遮断することなく、また、シール部材306aとポリシリコン膜14との接近による熱の逃げを抑制することができるため、赤外線の検出感度が向上する。
FIG. 11 is a plan layout diagram showing the positional relationship between the
本実施形態のように、真空蒸着によってエッチング用ホール21を塞ぐ場合は、成膜時の圧力を例えば1×10-3Pa(=7.5×10-6Torr)という極めて低いレベルに保持できる。このため、空洞22の内部圧力を小さくすることができるため、センサの感度を更に向上させることができる。
When the
次に、図9Cに示す工程で、金属膜306のエッチバックを行なうことにより、金属膜306のうちエッチング用ホール21の内部に位置する部分(シール部材306a)以外の部分を除去する。
Next, in the step shown in FIG. 9C, the
本実施形態では、エッチング用ホール21を塞ぐために蒸着金属を用いているために、CVD法シリコン膜によって塞ぐ場合のように、ガスを吸着したシリコンが空洞22内に残存する問題がない。したがって、電子デバイスを使用しているうちに、残留ガス等が空洞に放出されて真空度が悪化するような不具合もない。
In this embodiment, since the deposited metal is used to close the
(第3の実施形態)
図12A〜図12Nを参照しながら、本発明による電子デバイスの製造方法の第3の実施形態を説明する。図12A〜11Cは、本実施形態における電子デバイスの製造工程のうち、犠牲層を形成するまでの工程を示す断面図である。図12D〜11Fは、第3の実施形態に係る電子デバイスの製造工程のうち、犠牲層を形成してからBPSG膜の平坦化を行なうまでの工程を示す断面図である。図12G〜11Iは、第3の実施形態に係る電子デバイスの製造工程のうち、BPSG膜の平坦化を行なってから保護膜等のパターニングを行なうまでの工程を示す断面図である。図12J〜図12Lは、第3の実施形態に係る電子デバイスの製造工程のうち、保護膜等のパターニングを行なってからエッチング用ホールを形成するまでの工程を示す断面図である。図12M〜11Nは、第3の実施形態に係る電子デバイスの製造工程のうち、エッチング用ホールを形成してからエッチング用ホールを塞ぐシール部材を形成するまでの工程を示す断面図である。
(Third embodiment)
A third embodiment of the electronic device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 12A to 12N. 12A to 11C are cross-sectional views illustrating steps up to formation of the sacrificial layer in the manufacturing steps of the electronic device according to the present embodiment. 12D to 11F are cross-sectional views illustrating steps from the formation of the sacrificial layer to the planarization of the BPSG film in the manufacturing steps of the electronic device according to the third embodiment. 12G to 11I are cross-sectional views illustrating steps from the planarization of the BPSG film to the patterning of the protective film and the like in the electronic device manufacturing process according to the third embodiment. 12J to 12L are cross-sectional views illustrating steps from patterning of a protective film and the like to formation of etching holes in the manufacturing process of the electronic device according to the third embodiment. 12M to 11N are cross-sectional views illustrating steps from the formation of the etching hole to the formation of the sealing member that closes the etching hole in the manufacturing process of the electronic device according to the third embodiment.
ここでは、ボロメータ型赤外線センサの製造方法を説明するが、本実施形態は、他のセンサの製造方法に適用することができる。 Here, although the manufacturing method of a bolometer type infrared sensor is demonstrated, this embodiment is applicable to the manufacturing method of another sensor.
まず、図12Aに示す工程で、シリコン基板51の上に周辺回路部52を形成する。この周辺回路部52には、MOSトランジスタやダイオードなどの公知の素子が形成される。
First, the
次に、図12Bに示す工程で、CVD法によってシリコン基板51および周辺回路部52を覆うシリコン酸化膜53を形成する。
Next, in the step shown in FIG. 12B, a
図12Cに示す工程で、シリコン酸化膜53上にポリシリコン膜を堆積した後、これをパターニングして第1犠牲ポリシリコン層55を形成する。この第1犠牲ポリシリコン層55は、後の工程で除去されて下部空洞の形状を規定するものである。
In the step shown in FIG. 12C, a polysilicon film is deposited on the
図12Dに示す工程で、CVD法により、基板51の全体を覆うシリコン酸化膜56を形成した後、シリコン酸化膜56の上面を平坦化する。この平坦化は、CMPもしくはエッチバックなどの方法を用いる。
In the step shown in FIG. 12D, after the
図12Eに示す工程で、シリコン酸化膜56上にポリシリコン膜を堆積した後、これをパターニングすることによりボロメータとして機能する抵抗体57を形成する。この抵抗体57は、図11に示すような抵抗体31の平面形状と同様の平面形状を有している。なお、抵抗体57としては、ポリシリコンの他にチタン(Ti)などの金属を用いることができる。
In the step shown in FIG. 12E, a polysilicon film is deposited on the
図12Fに示す工程で、シリコン酸化膜56および抵抗体57を覆うBPSG(ボロフォスフォ・シリケートガラス)膜59を堆積した後、リフローによる平坦化を行なう。BPSG膜59はAl配線と周辺回路部52や抵抗体57との間を電気的に絶縁するために設けられるので、BPSG膜59に代えて、他の絶縁膜を用いることもできる。
In the step shown in FIG. 12F, after a BPSG (borophospho silicate glass)
次に、図12Gに示す工程で、周辺回路部52の素子および抵抗体57にそれぞれ到達するコンタクトホールをBPSG膜59に形成した後、各コンタクトホールの内部およびBPSG膜59上にAl合金膜を堆積する。この後、Al合金膜をパターニングして、抵抗体57と周辺回路部52の素子とを接続するAl配線60を形成する。
Next, in the step shown in FIG. 12G, contact holes reaching the elements of the
図12Hに示す工程で、Al配線60およびBPSG膜59を覆う窒化シリコンからなる保護膜62を形成する。
In the step shown in FIG. 12H, a
図12Iに示す工程で、保護膜62、BPSG膜59およびシリコン酸化膜56を貫通して、第1犠牲ポリシリコン層55に到達する溝63を形成する。このときの溝63の平面レイアウトを図15に示す。溝63は、Al配線60を横切らないように形成される。
In the step shown in FIG. 12I, a
図12Jに示す工程で、ホール63内および保護膜62上にポリシリコン膜を堆積した後、ポリシリコン膜をパターニングすることにより、厚さが約1μmの第2犠牲ポリシリコン層65を形成する。この第2犠牲ポリシリコン層65は、後に第1犠牲ポリシリコン層55とともに除去され、上部空洞の形状を規定する。
In the step shown in FIG. 12J, after depositing a polysilicon film in the
図12Kに示す工程で、CVD法によって第2犠牲ポリシリコン層65および保護膜62を覆う厚さ約2μmのシリコン酸化膜64を堆積した後、CMP等により、シリコン酸化膜64の上面を平坦化する。
In the step shown in FIG. 12K, a
図12Lに示す工程で、シリコン酸化膜64を貫通して第2犠牲ポリシリコン層65に到達する多数のエッチング用ホール66を形成する。エッチング用ホール66の直径は例えば0.3μm以上である。
In the step shown in FIG. 12L, a large number of etching holes 66 that penetrate the
図12Mに示す工程で、エッチング用ホール66からCF4ガスを第2犠牲ポリシリコン層65および第1犠牲ポリシリコン層55に導入し、第1、第2犠牲ポリシリコン層55、65を除去する。この処理により、赤外線センサの赤外線検出部である抵抗体57およびこれを支持する支持部材67の上方には上部空洞68が形成され、それらの下方には下部空洞69が形成される。すなわち、抵抗体57および基板51が支持部材67の支柱67aのみでつながった状態となり、抵抗体57がシリコン基板51とほぼ断熱された状態となる。
In the step shown in FIG. 12M, CF 4 gas is introduced from the
図12Nに示す工程で、基板51に垂直な方向からのスパッタにより、エッチング用ホール21内および基板51の上面に厚さ2.0μmのシリコン膜70を堆積する。エッチング用ホール21の大きさが例えば0.3μmの場合、シリコン膜70の厚さは、例えば2.0μmに設定するとする。0.3μmの大きさのエッチング用ホールを塞ぐためには、シリコン膜16の厚さは1.7μm以上である必要がある。また、エッチング用ホール21が大きくなれば、それに応じてスパッタ法で堆積するシリコン膜70の厚さを大きくする必要がある。
In the step shown in FIG. 12N, a
図12Nで示すスパッタ工程は、0.01Pa以上で60Pa以下の圧力下で行なわれる。このとき、60Pa以下の圧力でスパッタを行うことにより空洞内部の圧力は60Pa(=約500mTorr)以下に保たれる。また、0.01Pa以上の圧力でスパッタを行うことにより、プラズマがスムーズに発生して、スパッタを効率よく行うことができる。 The sputtering process shown in FIG. 12N is performed under a pressure of 0.01 Pa to 60 Pa. At this time, by performing sputtering at a pressure of 60 Pa or less, the pressure inside the cavity is maintained at 60 Pa (= about 500 mTorr) or less. Moreover, by performing sputtering at a pressure of 0.01 Pa or more, plasma is generated smoothly, and sputtering can be performed efficiently.
さらに、7Pa以下の圧力でスパッタを行うことにより、空洞内部の圧力が約50mTorr以下に保たれる。このことにより赤外線イメージセンサに適用した場合に、従来例と比較して感度が約3倍以上に向上する。また、0.1Pa以上の圧力でスパッタを行うことにより、スパッタレートが増加してスパッタを効率よく行うことができる。例えば、圧力が0.85Paで電力が1kWの時に条件を調整すれば、成膜レートは0.025μm/分となり、2μmのシリコンの堆積が約80分で完了する。 Further, by performing sputtering at a pressure of 7 Pa or less, the pressure inside the cavity is maintained at about 50 mTorr or less. As a result, when applied to an infrared image sensor, the sensitivity is improved about three times or more as compared with the conventional example. Moreover, by performing sputtering at a pressure of 0.1 Pa or higher, the sputtering rate increases and sputtering can be performed efficiently. For example, if the conditions are adjusted when the pressure is 0.85 Pa and the power is 1 kW, the deposition rate is 0.025 μm / min, and the deposition of 2 μm silicon is completed in about 80 minutes.
スパッタ装置は、例えばアネルバ社の品番:C-7250などのRFマグネトロンスパッタ装置を使用することができる。スパッタ装置の構成は、例えば図5に示された構成を採用でき、スパッタ条件としては、例えば以下の表3に示す条件を採用できる。また、スパッタターゲットは、例えば直径6インチのP型Siターゲットを用いることができる。 As the sputtering apparatus, for example, an RF magnetron sputtering apparatus such as an Anelva product number: C-7250 can be used. For example, the configuration shown in FIG. 5 can be adopted as the configuration of the sputtering apparatus, and the conditions shown in Table 3 below can be adopted as the sputtering conditions. As the sputtering target, for example, a P-type Si target having a diameter of 6 inches can be used.
本実施形態によると、図12Nに示す工程において、エッチング用ホール66を塞ぐためのシリコン膜(シール部材)をスパッタ法によって堆積するため、CVD法を用いる場合に比べると、より低い圧力(高い真空度)下でエッチング用ホール66を塞ぐことができる。したがって、上部空洞68および下部空洞69の真空度を高く保持することができる。とくに、7Pa以下の圧力のスパッタによってエッチング用ホールを封鎖した場合には、上部空洞68および下部空洞69の圧力を7Pa(約50mTorr)以下の圧力に保持することができる。その結果、上部空洞68および下部空洞69の間に配置されるセンサの検出部からその周囲の空間を介しての熱伝導を低減することができ、センサの検出感度を従来例に比べて約3倍以上に向上することができる。しかも、従来の製造工程のごとく、エッチング用ホールを塞ぐポリシリコン膜を堆積した後の熱処理を行なう必要がないので、アルミニウム配線等に悪影響を及ぼすことなく、センサの感度を向上することができる。
According to the present embodiment, in the step shown in FIG. 12N, the silicon film (sealing member) for closing the
本実施形態の製造方法によれば、支持部材67や空洞壁部がシリコン酸化物やシリコン窒化物によって構成されているのに対して、犠牲層がポリシリコンによって構成されている。このため、以下のような利点が得られる。
According to the manufacturing method of the present embodiment, the
すなわち、犠牲ポリシリコン層55、65をエッチングするために好適に用いられるCF4ガスは、シリコン酸化物やシリコン窒化物をエッチングしにくい。言い換えると、シリコン酸化物やシリコン窒化物に対するCF4ガスのエッチングレートは、犠牲ポリシリコン層55、65に対するCF4ガスのエッチングレートよりも充分に小さい。このため、抵抗体57を支持している支持部材67は、CF4ガスによって除去されず、支持部材67の周囲に新たにエッチストップ層を設ける必要がない。このため、赤外線センサの検出部を空洞内に設ける工程が簡単になる。
That is, the CF 4 gas suitably used for etching the sacrificial polysilicon layers 55 and 65 is difficult to etch silicon oxide or silicon nitride. In other words, the etching rate of CF 4 gas for silicon oxide or silicon nitride is sufficiently smaller than the etching rate of CF 4 gas for sacrificial polysilicon layers 55 and 65. For this reason, the
なお、本実施形態においては、犠牲ポリシリコン層55、56をエッチングする際にCF4ガスを用いているが、CF4ガスの代わりにKOHやTMAHなどのエッチング液を用いてもよいし、また、XeFなどのエッチングガスを用いてもよい。エッチング液を用いる場合には、犠牲ポリシリコン層55、56とシリコン酸化膜との間で高いエッチング選択比を確保しやすいという利点がある。 In this embodiment, CF 4 gas is used when the sacrificial polysilicon layers 55 and 56 are etched, but an etching solution such as KOH or TMAH may be used instead of the CF 4 gas. Etching gas such as XeF may be used. When the etching solution is used, there is an advantage that it is easy to ensure a high etching selection ratio between the sacrificial polysilicon layers 55 and 56 and the silicon oxide film.
(第4の実施形態)
以下、図13Aから図13Cを参照しながら、本発明による電子デバイスの製造方法の第4の実施形態を説明する。本実施形態では、犠牲ポリシリコン層のエッチングを行なった後、CVD法により、エッチング用ホールのサイズを縮小する工程を行う。言い換えると、エッチング用ホールを塞ぐ工程として、CVD法とスパッタ法とを併用する。
(Fourth embodiment)
Hereinafter, a fourth embodiment of an electronic device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 13A to 13C. In this embodiment, after the sacrificial polysilicon layer is etched, a step of reducing the size of the etching hole is performed by a CVD method. In other words, the CVD method and the sputtering method are used in combination as a step of closing the etching hole.
まず、第3の実施形態と同様にして、図13Aに示す構造を作製する。図13Aは、第3の実施形態における図12Mに相当する。本実施形態では、図13Aに示す工程において、第3の実施形態の図12Mに示す工程と同様に、エッチング用ホール66からCF4ガスを第2犠牲ポリシリコン層65および第1犠牲ポリシリコン層55に接触させ、第1犠牲ポリシリコン層55および第2犠牲ポリシリコン層65を除去する。
First, the structure shown in FIG. 13A is fabricated in the same manner as in the third embodiment. FIG. 13A corresponds to FIG. 12M in the third embodiment. In the present embodiment, in the step shown in FIG. 13A, as in the step shown in FIG. 12M of the third embodiment, CF 4 gas is supplied from the
上記のエッチング処理により、赤外線センサの検出部として機能する抵抗体57および支持部材67の上方に、上部空洞68が形成されとともに、それらの下方には下部空洞69が形成される。すなわち、抵抗体57および支持部材67が支持部材67の支柱67aのみでつながった状態となり、抵抗体57がシリコン基板51とほぼ断熱された状態となる。
By the above etching process, an
図13Bに示す工程で、CVD法により、例えば厚さ50nm程度のポリシリコン膜71を堆積して基板51の上面を覆う。この処理によって、エッチング用ホール66の直径が縮小し、開口部の面積が狭くなる。
In the step shown in FIG. 13B, a
図13Cに示す工程で、スパッタ法により、エッチング用ホール66内および基板51の上面上にシリコン膜70を堆積する。このとき、スパッタは60Pa以下の範囲の低圧下で行なわれる。これにより、エッチング用ホール66はシリコン膜70によって塞がれる。
In the step shown in FIG. 13C, a
本実施形態によると、図13Aに示す工程では、内径が比較的大きいエッチング用ホール66(例えば0.35μm径)を用いて、第1犠牲ポリシリコン層55および第2犠牲ポリシリコン層65の除去を迅速かつ確実に行なうことができる。更に、図13Cに示す工程では、内径の小さくなったエッチング用ホール66(例えば0.25μm径)をスパッタ法によった堆積するシリコンによって短時間で効率的に塞ぐことができる。
According to the present embodiment, in the step shown in FIG. 13A, the first
なお、各空洞68、69内の壁面や支持部材67の表面上にポリシリコン膜71が堆積しても、このポリシリコン膜71は赤外線を通過させるので、赤外線センサの感度には影響がない。また、ポリシリコン膜71に代えてシリコン酸化膜を堆積した場合でも、厚さが十分薄い(例えば50nm程度)場合には、赤外線センサの感度にほとんど影響を与えることはない。
Note that even if the
(第5の実施形態)
図14を参照しながら、本発明による電子デバイスの製造方法の第5の実施形態を説明する。図14は、第3の実施形態における図12Lに相当する工程断面図である。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the electronic device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a process cross-sectional view corresponding to FIG. 12L in the third embodiment.
本実施形態では、第3の実施形態における図12Kに示す工程において、シリコン酸化膜64を堆積した後、CMP等により、シリコン酸化膜64の上面が第2犠牲ポリシリコン層65の上面と同じ高さ位置になるまでシリコン酸化膜64を平坦化する。
In the present embodiment, in the step shown in FIG. 12K in the third embodiment, after the
その後、CVD法により、基板51の全面上に厚さが50nm程度のシリコン酸化膜73と厚さが500nm程度のポリシリコン膜74とを順次堆積した後、ポリシリコン膜74に直径0.4μm程度の比較的大きい開口部を形成する。
Thereafter, a
次に、CVD法により、基板の全面上に、厚さ50nm程度のシリコン酸化膜75を堆積した後、シリコン酸化膜75、73のうちポリシリコン膜74の開口部に位置する部分を除去することにより、第2犠牲ポリシリコン層65に達するエッチング用ホール66を形成する。以上の工程を行うことにより、図14に示す構造が形成される。
Next, after a
本実施形態では、第1犠牲ポリシリコン層55および第2犠牲ポリシリコン層65のエッチングを行なうときに用いるエッチング用ホール66を囲む輪郭部全体をシリコン酸化膜で構成するのではなく、ポリシリコン膜74をシリコン酸化膜73、75によって覆う。この場合、第2の実施形態に比べると、赤外線を吸収するシリコン酸化膜の厚さが大幅に薄くなる(この例では、合計100nm)ので、赤外線センサの感度の低下を抑制することができる。一方、ポリシリコン膜74の周囲はシリコン酸化膜73、75によって覆われているので、第1、第2犠牲ポリシリコン層55、65のエッチングには、何ら支障をきたさない。
In the present embodiment, the entire contour portion surrounding the
上記の各実施形態では、本発明を赤外線センサの製造に適用しているが、本発明の製造方法が適用される電子デバイスには、赤外線センサの他、各種の圧力センサ、加速度センサ、流速センサ、真空トランジスタなどが含まれる。 In each of the above embodiments, the present invention is applied to the manufacture of an infrared sensor. However, the electronic device to which the manufacturing method of the present invention is applied includes various pressure sensors, acceleration sensors, and flow velocity sensors in addition to the infrared sensor. , Vacuum transistors and the like.
なお、上記の各実施形態では、エッチング用ホールを塞ぐシール部材として、シリコンやアルミウム膜の一部を利用しているが、他の材料を用いてもよい。 In each of the above embodiments, a part of silicon or aluminum film is used as a sealing member for closing the etching hole, but other materials may be used.
また、基板上に空洞を規定する犠牲層および空洞壁用膜を形成する代わりに、基板の内部をエッチングすることによって基板内部に空洞を形成してもよい。この場合も、空洞に達する開口部を形成する必要があるが、本発明によれば、CVD法に比べて低い圧力下で開口部を塞ぐシール部材を形成するため、空洞内の圧力を低く抑えることができる。基板をエッチングして空洞を形成する工程の前に、基板の表面にエッチストップ層を形成してもよい。この場合、シール部材で塞がれることになる開口部は、エッチストップ層を貫くようにして形成される。ただし、基板としてSOI基板を用いる場合は、基板内部にエッチストップ層として機能する内部絶縁層が存在しているため、基板の表面にエッチングストップ層を設ける必要はない。 Further, instead of forming the sacrificial layer defining the cavity and the film for the cavity wall on the substrate, the cavity may be formed inside the substrate by etching the inside of the substrate. In this case as well, it is necessary to form an opening that reaches the cavity. However, according to the present invention, a sealing member that closes the opening is formed under a lower pressure than in the CVD method, so the pressure in the cavity is kept low. be able to. An etch stop layer may be formed on the surface of the substrate before the step of etching the substrate to form the cavity. In this case, the opening to be blocked by the seal member is formed so as to penetrate the etch stop layer. However, in the case where an SOI substrate is used as the substrate, there is no need to provide an etching stop layer on the surface of the substrate because an internal insulating layer that functions as an etch stop layer exists inside the substrate.
11 シリコン基板
12 検出部
13 シリコン酸化膜
14 ポリシリコン膜
16 シリコン膜
16a シール部材
21 エッチング用ホール
22 空洞
306 金属膜
306a シール部材
306b 金属突起
31 抵抗体
32 支持部材
51 シリコン基板
52 周辺回路部
53 シリコン酸化膜
55 第1犠牲ポリシリコン層
56 シリコン酸化膜
57 抵抗体
59 BPSG膜
60 Al配線
62 保護膜
63 溝
64 シリコン酸化膜
65 第2犠牲ポリシリコン層
66 エッチング用ホール
67 支持部材
67a 支柱
68 上部空洞
69 下部空洞
70 シリコン膜
71 ポリシリコン膜
73 シリコン酸化膜
74 ポリシリコン膜
75 シリコン酸化膜
DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記電子デバイスの一部を覆う犠牲層を前記基板の選択された領域上に形成する工程(b)と、
前記犠牲層を覆う空洞壁用膜を前記基板上に形成する工程(c)と、
前記空洞壁用膜を貫通して前記犠牲層に達する少なくとも1つの開口部を前記空洞壁用膜に形成する工程(d)と、
前記開口部を介して前記犠牲層の少なくとも1部を選択的にエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞を形成する工程(e)と、
前記開口部を塞ぐシール部材をスパッタ法によって形成する工程(f)と、
を含む電子デバイスの製造方法。 Preparing a substrate provided with a part of the electronic device (a);
Forming a sacrificial layer covering a portion of the electronic device on a selected region of the substrate;
Forming a cavity wall film covering the sacrificial layer on the substrate (c);
Forming at least one opening in the cavity wall film through the cavity wall film and reaching the sacrificial layer;
Forming a cavity surrounding a portion of the electronic device by selectively etching at least a portion of the sacrificial layer through the opening;
A step (f) of forming a sealing member for closing the opening by sputtering;
A method of manufacturing an electronic device comprising:
電極およびシリコンターゲットを備えたスパッタ装置内に前記基板を配置する工程と、
前記電極の単位面積あたり10W/cm2以下の電力を前記電極に供給して前記シリコンターゲットをスパッタすることにより、シリコンからなる前記シール部材を形成する工程とを含む請求項1から4のいずれかに電子デバイスの製造方法。 The step (f)
Placing the substrate in a sputtering apparatus comprising an electrode and a silicon target;
5. The method includes: forming the sealing member made of silicon by supplying power of 10 W / cm 2 or less per unit area of the electrode to the electrode to sputter the silicon target. A method for manufacturing an electronic device.
前記電子デバイスの一部を覆う犠牲層を前記基板の選択された領域上に形成する工程(b)と、
前記犠牲層を覆う空洞壁用膜を前記基板上に形成する工程(c)と、
前記空洞壁用膜を貫通して前記犠牲層に達する少なくとも1つの開口部を前記空洞壁用膜に形成する工程(d)と、
前記開口部を介して前記犠牲層の少なくとも1部を選択的にエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞を形成する工程(e)と、
真空蒸着法により前記開口部を塞ぐシール部材を形成する工程(f)と、
を含む電子デバイスの製造方法。 Preparing a substrate provided with a part of the electronic device (a);
Forming a sacrificial layer covering a portion of the electronic device on a selected region of the substrate;
Forming a cavity wall film covering the sacrificial layer on the substrate (c);
Forming at least one opening in the cavity wall film through the cavity wall film and reaching the sacrificial layer;
Forming a cavity surrounding a portion of the electronic device by selectively etching at least a portion of the sacrificial layer through the opening;
A step (f) of forming a sealing member for closing the opening by a vacuum deposition method;
A method of manufacturing an electronic device comprising:
前記真空蒸着法によって金属層を前記空洞用壁膜上に堆積する工程と、
前記金属層の上面部分をエッチングすることにより、前記金属層の一部を前記開口部内に残存させ、前記金属層から前記シール部材を形成する工程と
を含む、請求項9から12のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The step (f)
Depositing a metal layer on the cavity wall film by the vacuum evaporation method;
The method includes: etching a top surface portion of the metal layer to leave a part of the metal layer in the opening, and forming the seal member from the metal layer. The manufacturing method of the electronic device of description.
前記工程(c)は、前記空洞壁用膜の少なくとも一部として機能するシリコン酸化物層を形成する工程を含む、請求項1から14のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The step (b) includes a step of forming the sacrificial layer from a silicon film,
The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the step (c) includes a step of forming a silicon oxide layer that functions as at least a part of the hollow wall film.
前記工程(c)は、前記空洞壁用膜の少なくとも一部として機能するシリコン層を形成する工程を含む、請求項1から14のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The step (b) includes a step of forming the sacrificial layer from a silicon oxide film,
The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the step (c) includes a step of forming a silicon layer that functions as at least a part of the hollow wall film.
前記工程(e)は、前記犠牲層および前記下部空洞用犠牲層を除去する工程を含む請求項1から17のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The step (a) includes a step of forming a detection portion of an infrared sensor that functions as a part of the electronic device, and a sacrificial layer for a lower cavity that fills the side and the lower side of the detection portion,
The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the step (e) includes a step of removing the sacrificial layer and the sacrificial layer for the lower cavity.
前記基板の一部をエッチングすることにより、前記電子デバイスの一部を囲む空洞、および前記空洞に達する開口部を形成する工程(b)と、
前記開口部を塞ぐシール部材をスパッタ法または真空蒸着法によって形成する工程(c)と、
を含む電子デバイスの製造方法。 Preparing a substrate provided with a part of the electronic device (a);
(B) forming a cavity surrounding the part of the electronic device and an opening reaching the cavity by etching a part of the substrate;
A step (c) of forming a sealing member for closing the opening by a sputtering method or a vacuum deposition method;
A method of manufacturing an electronic device comprising:
前記基板上にエッチングストップ層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層に前記開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記基板の一部をエッチングする工程と、
を含む請求項19に記載の電子デバイスの製造方法。 The step (b)
Forming an etching stop layer on the substrate;
Forming the opening in the etching stop layer;
Etching a portion of the substrate through the opening;
The manufacturing method of the electronic device of Claim 19 containing this.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060357A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Nippon Ceramic Co Ltd | Infrared sensor |
CN104501970A (en) * | 2014-12-18 | 2015-04-08 | 上海新微技术研发中心有限公司 | Three-dimensional temperature detector and manufacturing method thereof |
JP2016194525A (en) * | 2010-10-26 | 2016-11-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for detecting electromagnetic radiation |
JP2016194507A (en) * | 2015-02-20 | 2016-11-17 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | Device for detecting electromagnetic radiation possessing hermetic encapsulating structure comprising exhaust vent |
JP2019114695A (en) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method |
-
2003
- 2003-07-09 JP JP2003272222A patent/JP2005033075A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060357A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Nippon Ceramic Co Ltd | Infrared sensor |
JP2016194525A (en) * | 2010-10-26 | 2016-11-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for detecting electromagnetic radiation |
CN104501970A (en) * | 2014-12-18 | 2015-04-08 | 上海新微技术研发中心有限公司 | Three-dimensional temperature detector and manufacturing method thereof |
CN104501970B (en) * | 2014-12-18 | 2017-05-03 | 上海新微技术研发中心有限公司 | Three-dimensional temperature detector and manufacturing method thereof |
JP2016194507A (en) * | 2015-02-20 | 2016-11-17 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | Device for detecting electromagnetic radiation possessing hermetic encapsulating structure comprising exhaust vent |
JP2019114695A (en) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method |
JP6999410B2 (en) | 2017-12-25 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Board processing method |
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