JP2005026302A

JP2005026302A - 発光モジュール

Info

Publication number: JP2005026302A
Application number: JP2003187497A
Authority: JP
Inventors: Masahito Yamada; 雅人山田
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2003-06-30
Filing date: 2003-06-30
Publication date: 2005-01-27

Abstract

【課題】発光素子チップを覆うモールドからの光取出し効率をより高めることができ、ひいてはより高輝度を得ることができる発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１は、化合物半導体層の積層体からなる発光層部２４を有した発光素子チップ２０と、発光層部２４からの発光光束に対して透光性を有するモールド部６０とを有する。モールド部６０は、発光素子チップ２０の周囲空間を覆う屈折率が１．４５以上であって、発光素子チップ２０の最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい第一モールド層１０と、第一モールド層１０の外側を覆う屈折率が１．０より大きく１．４５未満のフッ素系樹脂からなる第二モールド層１１とを有する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
本発明は、化合物半導体からなる発光素子チップを用いた発光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平１１−１９１６４１号公報
【特許文献２】
特開２００３−００８０７３号公報
【０００３】
半導体発光素子は、ＡｌＧａＩｎＰやＩｎＡｌＧａＮなどを基本材料とする高輝度タイプのものが開発されてきたが、材料及び素子構造の長年にわたる進歩の結果、素子内部における光電変換効率が理論上の限界に次第に近づきつつある。従って、一層高輝度の素子を得ようとした場合、素子からの光取出し効率が極めて重要となる。光取出し効率を高めるために、一般的に採用されている方法として、発光素子チップの周囲を屈折率の高い樹脂によりモールドする手法を例示できる。発光素子チップを構成する化合物半導体の屈折率は一般に高く（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の場合、屈接率が２以上（多くの場合３以上）であることが多い）、チップ外側が屈折率の小さい空気（屈折率１．０）で満たされていると、発光光束がチップ表面で全反射してチップ内に戻る臨界角が減少し、光取出し効率が低下する。そこで、特許文献１のように、エポキシ樹脂（屈折率：例えば１．５０以上１．６以下）などの高屈折材料でチップを覆っておくと、発光素子チップとの屈折率差が縮小するので臨界角が大きくなり、光取出し効率を高めることができる。この樹脂モールドは、発光素子チップの大気中水分などとの反応による劣化から保護するパッシベーション層としての機能も果たす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、エポキシ樹脂によるモールドには、次のような問題点がある。
▲１▼エポキシ樹脂は透水性が比較的大きく、使用環境中に含まれる湿度水分等が経時的に浸透し、発光素子チップの劣化を招くことがある。
▲２▼エポキシ樹脂の屈折率は概ね１．５０以上１．６以下であるため、空気に比べれば依然高く、（空気との界面をなす）エポキシ樹脂モールドの外表面で全反射してチップ内に戻る発光光束の比率が高くなる。
【０００５】
本発明の課題は、発光素子チップを覆うモールドからの光取出し効率をより高めることができ、ひいてはより高輝度を得ることができる発光モジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために、本発明の発光モジュールは、
化合物半導体層の積層体からなる発光層部を有した発光素子チップと、
発光層部からの発光光束に対して透光性を有するとともに、発光素子チップの周囲空間を覆う屈折率が１．４５以上であって、発光素子チップの最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい第一モールド層と、発光層部からの発光光束に対して透光性を有するとともに、第一モールド層の外側を覆う屈折率が１．０より大きく１．４５未満のフッ素系樹脂からなる第二モールド層とを有したモールド部と、を備えることを特徴とする。なお、本明細書において「屈折率」は、いずれも発光素子チップからの発光光束のピーク波長における屈折率を意味するものとする。
【０００７】
発光素子用のモールド部として従来使用されているエポキシ樹脂などの材料は、屈折率が１．４５以上１．６以下と比較的高く、発光素子チップを構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との屈折率差が縮小するので、チップ表面での全反射抑制には効果がある。しかし、空気との屈折率差が大きいため、モールドの外表面での全反射が避けがたい。
【０００８】
そこで本発明においては、高屈折率（屈折率が１．４５以上であって、発光素子チップの最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小）の第一モールド層の表面を、該第一モールド層と空気との中間、つまり１．０より大きく１．４５未満の屈折率を有するフッ素系樹脂製の第二モールド層で覆ったモールド部を設けた。つまり、発光素子チップに近い側のモールド層は、比較的高屈折率の第一モールド層を用い、空気に近い側のモールド層は、空気により近い屈折率を有したフッ素系樹脂からなる第二モールド層を用いたので、素子チップ表面とモールド表面とのいずれにおいても発光光束の全反射が効果的に抑制され、光取出効率の大幅な向上を図ることができる。また、空気に近い側の第二モールド層を構成するフッ素系樹脂は、一般に透水性が小さく、多くの場合撥水性を有するので、第一モールド層側ひいては発光素子チップ側への水分の浸透を大幅に抑制でき、ひいては第一モールド層及び発光素子チップの、水分浸透等による劣化を効果的に防止することができる。
【０００９】
第一モールド層を構成する、屈折率１．４５以上であって、かつ発光素子チップの最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい材料は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、スチレン樹脂など、発光素子用モールド材料として従来使用されている樹脂材料を使用できる。屈折率１．４５未満では、発光素子チップ（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の場合、２以上（多くの場合３以上）であることが多い）との屈折率差が大きくなりすぎて、チップ表面での発光光束の全反射比率が大きくなり、光取出効率の低下を生じやすくなる。他方、第一モールド層を構成する材料の屈折率は、チップ側の屈折率未満の範囲でなるべくチップに近い屈折率を有したものを使用することが、全反射の防止を図る上で望ましい。上記例示した一般の樹脂材料を単独で用いる場合、屈折率１．６を超えるものを入手することは現実的には困難であり、多くの場合は１．５５以下の範囲で選定することになる。
【００１０】
ただし、第一モールド層に、上記樹脂材料からなる基質中に、該基質よりも高屈折率の粒子を分散させることにより、第一モールド層の見かけの屈折率をより高めることができる場合がある。高屈折率の粒子としては、Ｓｉ_３Ｎ_４（屈折率：２．１）、ＢＮ（屈折率：２．０）、ＡｌＮ（屈折率：２．２）、Ａｌ_２Ｏ_３（屈折率：１．８）、ＴｉＯ_２（屈折率：２．５）、ＺｒＯ_２、Ｓｉ（屈折率：３．５）、Ｇｅ（屈折率：４．０）、Ｓｂ_２Ｓ_３（屈折率：４．５）、ＳｉＣ（屈折率：３．２）などを採用できる。この場合、高屈折率粒子の平均粒径は１μｍ以下とするのがよく、より望ましくは、発光層部からの発光光束の中心波長よりも小粒径（特に一次粒子の平均粒径にて２〜１００ｎｍ）とすることで、散乱による透光性低下を顕著に抑制することができる。また、第一モールド層に分散させる高屈折率粒子の含有率は、屈折率向上効果とモールド層の成形性とを両立させるため、５体積％以上２０体積％以下の範囲で調整することが望ましい。
【００１１】
第一モールド層の材料は、特にエポキシ材料を使用することが、例えば１．５以上１．６以下の高屈折率を比較的得やすく、また、透明性と機械的強度を両立でき、しかも主剤と硬化剤との混合により硬化制御も容易であるため、本発明に好適に使用できる。
【００１２】
他方、第二モールド層を構成するフッ素系樹脂は、例えばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、４‐フルオロエチレン‐６‐フルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４‐フルオロエチレン‐パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、４‐フルオロエチレン‐エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、フルオロエチレン‐炭化水素系ビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）などを主体（５０質量％以上を意味する）とするものを使用できる。屈折率は材質の選定により例えば１．０より大きく１．４５未満に調整できる。モールド化のためには成形性や塗料皮膜化が容易であることが必要であるが、この観点において、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＣＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＥＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、特にＥＴＦＥ、ＥＣＴＦＥ、ＰＶＤＦが好適である。このうち、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン樹脂）は、低い屈折率を容易に実現でき、透明性も良好なので本発明に特に好適に使用できる。
【００１３】
高屈折率の第一モールド層は、発光素子チップに接して配置することで、チップ表面での全反射の発生を効果的に抑制できる。また、第二モールド層を第一モールド層に接して配置することにより、第一モールド層側から第二モールド層側に光が侵入する際に屈折率が減少側に変化し、しかもその変化量も比較的小さいことから、両モールド層間での全反射の発生も効果的に抑制できる。
【００１４】
なお、特許文献２には、発光素子チップ側への水分浸透防止を目的として、フッ素樹脂モールドを使用した発光素子モジュールが開示されている。しかし、特許文献２の構造では、フッ素樹脂にて発光素子チップが直接モールドされている。また、特許文献２においては使用するフッ素樹脂の屈折率には特に触れられていないが、仮にこれが本発明のごとく１．４５以下の屈折率を有したものを使用していると考えれば、より高屈折率のエポキシ樹脂にて直接素子チップを覆った特許文献１等の構成と比べ、発光素子チップとの間の屈折率差が拡大することは明白であり、光取出効率が低下することにつながる。さらに、特許文献２においては、フッ素樹脂モールド部の外側を、より高屈折率のエポキシ樹脂製の導波部にて覆った構造が開示されているが、これでは、発光素子側からフッ素樹脂モールド部にていったん縮小した屈折率が、エポキシ樹脂製の導波部において増加に転ずるため、該導波部との境界位置での全反射が著しくなり、光取出効率を高めることができない。本発明においては、発光素子チップ→第一モールド層（例えばエポキシ樹脂製）→第二モールド層（フッ素系樹脂製）→空気の順で、屈折率が順次的に縮小する構造を採用することにより、上記のような全反射ひいてはそれによる光取出効率の低下を極めて効果的に抑制することができる。
【００１５】
発光素子チップには、そのアノード及びカソードに導通する通電用の端子リード部をモールド部から延出させる形で設けることができる。モールド部内側への水分の浸透は、モールド部から延出する金属製の端子リード部のモールド／リード境界部にて早く進行しやすい。このため、全体がエポキシ樹脂等で構成された従来のモールドの場合、エポキシ樹脂自体の水分拡散速度から見積もられるよりも短期間で、モールド／リード境界部を伝って水分等がモールドの奥深くに浸透し、端子リード部の腐食や発光素子チップの劣化等につながることもあった。そこで、上記の端子リード部は、モールド部からの延出基端位置においてフッ素系樹脂からなる第二モールド層に覆われた構成とすることが有効である。このようにすることで、端子リード部のモールド部からの延出基端位置、つまり水分浸透のいわば入口部分が撥水性の高いフッ素樹脂製の第二モールド層により覆われるので、モールド／リード境界部を経由したモールド部内への水分浸透を極めて効果的に抑制することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の発光モジュールの一例を示すものである。発光モジュール１は、シリコン基板やＧａＡｓ基板などの導電性基板７上に、発光層部２４及び電流拡散層２（発光層部２４がＡｌＧａＩｎＰの場合はＧａＰやＡｌＧａＡｓなど）がこの順序で形成された発光素子チップ２０を有し、光取出面を形成する電流拡散層２の一部領域が電極９にて覆われている。ＧａＰの屈接率は約３．３、ＡｌＧａＡｓの屈接率は約３．２〜３．５である。発光層部２４は、内部量子効率を高めるために、ｎ型にドーピングされたｎ型クラッド層と、ｐ型にドーピングされたｐ型クラッド層とにより、ノンドープの活性層を挟んだダブルへテロ構造が採用されている。発光層部２４を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としては、例えばＩｎ_ａＧａ_ｂＡｌ_{１−ａ−ｂ}Ｎ（０≦ａ≦１，０≦ｂ≦１，ａ＋ｂ≦１：以下、ＩｎＧａＡｌＮとも記載する）あるいは（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１：以下、ＡｌＧａＩｎＰとも記載する）などを採用できるが、いずれも周知であるため、詳細な説明は省略する。
【００１７】
発光素子チップ２０の導電性基板７側は、Ａｇペースト等の金属導体ペースト３を介して金属ステージ５３上に接合されている。金属ステージ５３は、発光素子チップ２０の接続面が凹面状に形成され、光取出の指向性が高められている。また、電極９は、導体金具５１に金属リード９ａにより接続されている。端子リード部３１，３２は、金属ステージ５３及び導体金具５１（つまり、発光素子チップ２０のアノード及びカソードに相当する）にそれぞれ結合されている。そして、これら端子リード部３１，３２の末端を延出させた形で、金属ステージ５３、発光素子チップ２０及び導体金具５１の全体が、透光性のモールド部６０により覆われている。
【００１８】
モールド部６０は、発光素子チップ２４を覆う屈折率が１．４５以上であって、かつ発光素子チップ２４の最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい材質からなる第一モールド層１０と、第一モールド層１０の外側を覆うとともに、屈折率が１．０より大きく１．４５未満のフッ素樹脂からなる第二モールド層１１とからなるモールド部６０を有する。本実施形態において第一モールド層１０はエポキシ樹脂からなり、発光素子チップ２０と接する形でこれと一体的に成型されたものである。なお、第一モールド層１０には、これを構成するエポキシ樹脂（基質）よりも屈折率が高い高屈折率粒子２６１を分散させておくことができる。高屈折率粒子２６１は、例えばＳｉ_３Ｎ_４、ＢＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ_２Ｓ_３あるいはＳｉＣから選ばれる１種又は２種以上で構成でき、粒子の平均粒径は１μｍ以下、特に、発光層部２４からの発光光束ＬＢの中心波長よりも小粒径（特に一次粒子の平均粒径にて２ｎｍ以上１００ｎｍ以下）とすることで、散乱による透光性低下を顕著に抑制することができる。高屈折率粒子２６１の含有率は５体積％以上２０体積％以下とする。
【００１９】
他方、本実施形態において第二モールド層１１は、フッ素樹脂（例えば、ポリフッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ））を主たる塗膜構成材料として調製したフッ素系樹脂の塗料を塗布・乾燥することにより、第一モールド層１０と接するように形成されている。このような塗料の組成物としては、例えば特開平８−６００３０号公報、特開２００１−９３６７号公報あるいは特開２０００−２２６５４９号公報に開示されているものを使用できる。なお、フッ素系樹脂はフッ素樹脂を主体とするものであり、かつ屈折率を１．０より大きく１．４５未満に確保できるものであれば、フッ素樹脂と他の樹脂との混合樹脂を用いてもよい（例えば、特開２００１−９３６７号公報や特開２０００−２２６５４９号公報に開示の、ポリフッ化ビニリデン樹脂５０〜９０重量部とアクリル樹脂１０〜５０重量部とを配合したものなど）。なお、第二モールド層１１の外周面のうち、光取出面側に臨む部分は、発光光束の入射角を大きくするため凸面（例えば球状面）に形成されている。また、第二モールド層１１の厚さは、発光光束の光学的波長（波長λを屈折率ｄにて除した値である）よりも大きくされる（例えば２００ｎｍ以上１００μｍ以下）。
【００２０】
発光モジュール１の組み立ては以下のようにする。すなわち、端子リード部３１，３２及び発光素子チップ２０の組み立てアセンブリを用意し、金型内のキャビティ内にこれを配置して、主剤と硬化剤との混合を完了させた未硬化のエポキシ樹脂（必要に応じて高屈折率粒子２６１を分散させておく）を流し込み、硬化させることにより第一モールド層１０が得られる。次いで、図２に示すように、フッ素系樹脂を含有した塗料１１’を第一モールド層１０上に塗布して乾燥させることにより第二モールド層１１が形成され、図１に示す構造のモールド部６０が得られる。図２においては、第一モールド層１０形成済みの組み立てアセンブリを塗装台５０上に載置し、スプレーノズル５１から塗料１１’を噴霧して塗布を行なっている。第一モールド層１０は、底面から延出する端子リード部３１，３２を孔部５０ｈ内に挿入する形で塗装台５０上に載置され、底面が遮蔽された状態で塗料１１’の塗付がなされる。従って、図１に示すように、モールド部６０の底面においては第一モールド層１０が露出し、端子リード部３１，３２は該第一モールド層１０の露出面から延出した構成となっている。
【００２１】
なお、第一モールド層１０形成済みの組み立てアセンブリを、フッ素樹脂を主体とするモールド樹脂材料を用いてインサート成形することにより第二モールド層１１を形成してもよい。
【００２２】
上記発光モジュール１は、発光素子チップ２０と接する第一モールド層１０が、比較的高屈折率のエポキシ樹脂（屈折率：例えば１．５以上１．５５以下）とされ、空気に接する第二モールド層１１が、これよりも低屈折率のフッ素系樹脂（屈折率：例えば１．３以上１．４以下）とされている。これにより、発光素子チップ２０の表面と第二モールド層１１の表面とのいずれにおいても、発光層部２４からの発光光束の全反射が効果的に抑制され、光取出効率の大幅な向上を図ることができる。また、第二モールド層１１を構成するフッ素系樹脂は透水性が小さく、第一モールド層１０側ひいては発光素子チップ２０側への水分の浸透を大幅に抑制できる。その結果、第一モールド層１０及び発光素子チップ２０の水分浸透による劣化を効果的に防止できる。
【００２３】
なお、端子リード部３１，３２の延出位置も含めて、水分を含有した雰囲気下にモールド部６０が長時間曝されることが想定される場合には、図３の発光モジュール１００のように、端子リード部３１，３２を、モールド部６０からの延出基端位置においても、フッ素系樹脂からなる第二モールド層１１にて覆った構成とすることが有効である。端子リード部３１，３２のモールド／リード境界部においては、界面拡散あるいは毛管現象により、モールド部６０をなす樹脂のバルク部分よりも水分の浸透が早く進行しやすい。しかし、上記のように、端子リード部３１，３２の延出基端位置も含めて、第一モールド層１０の全表面を、撥水性の高いフッ素系樹脂製の第二モールド層１１により覆うことで、モールド／リード境界部を経由したモールド部６０内への水分浸透を極めて効果的に抑制することができる。
【００２４】
上記のような構造は、例えば、次のようにして容易に得ることができる。すなわち、図４に示すように、第一モールド層１０を形成済みの組み立てアセンブリの端子リード部３１，３２の末端部を保持し、その状態で、第一モールド層１０側からアセンブリを、フッ素系樹脂を含有した塗料１１’中に、端子リード部３１，３２の延出基端部が液面下に没するまで浸漬する。その後引き上げて乾燥させることにより、第一モールド層１０の全表面を覆った第二モールド層１１を得ることができる。
【００２５】
なお、図５の発光モジュール２００のように、透光性基板７’（例えばＧａＰ屈接率：約３．３）の第二主表面ＭＰ２側に発光層部２４を配置し、透光性基板７’の第一主表面ＭＰ１側を光取出面として用いてもよい。本実施形態では、発光層部２４の第二主表面ＭＰ３側に、Ａｕ等からなる第一電極９を配置し、他方該発光層部２４の一部領域を切り欠く形で、透光性基板７’と発光層部２４との間に配置した高導電率層８の露出部を形成し、その露出部にＡｕ等からなる第二電極１５を配置している（露出部は、周知のフォトリソグラフィー技術により形成できる）。端子リード部３１，３２は、それら第一電極９及び第二電極１５からそれぞれ、透光性基板７’の第一主表面ＭＰ１から離間する向きに延出形成されている。
【００２６】
また、透光性基板７’の第一主表面ＭＰ１が主な光取出面とされている。モールド部６０の第二モールド層１１の外表面は、発光素子チップ３０を取り囲む略球状とされ、幾何学的には、次のような条件を充足するものとなっている。すなわち、透光性基板７’の第一主表面ＭＰ１を延長した第一仮想平面ＶＰ１に対向する部分Ｗ１、透光性基板７’の周側面ＰＰを延長した仮想直柱体面ＶＰ２に対向する部分Ｗ２、及び発光層部２４の第二主表面ＭＰ３を延長した第二仮想平面ＶＰ３に対向する部分Ｗ３が、いずれも、発光素子チップ３０から見て外向きに凸な形態に湾曲した凸湾曲面とされている（なお、部分Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、部分的に互いに重なり合っている）。これにより、第一主表面ＭＰ１、第二主表面ＭＰ３及び周側面ＰＰの全てにおいて、モールド部６０の外面及び第一モールド層１０及び第二モールド層１１の境界面が全て凸湾曲面とされ、光取出効率が一層向上している。なお、ここでも、端子リード部３１，３２の延出基端位置も含めて、第一モールド層１０の全表面がフッ素系樹脂製の第二モールド層１１により覆われている。
【００２７】
さらに、図６の発光モジュール３００のように、モールド部６０の表面の一部領域を光取出領域６０Ｗとして利用し、その残余の領域に、発光光束の漏洩を遮断するとともに、発光層部２４からの発光光束ＬＢを反射させる反射層６０ｒを設けることもできる。これにより、発光層部２４から光取出領域６０Ｗに向かう直接光束ＬＢに、反射層６０ｒによる反射光ＲＢを重畳して取り出すことができる。反射層６０ｒは、Ａｌ、ＡｇあるいはＡｕなどを主体とする金属膜として構成することができるほか、屈折率の相違する酸化物層あるいは透明樹脂層を交互にないし周期的に積層した多重反射膜あるいはＤＢＲ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）膜にて構成することも可能である。
【００２８】
反射層６０ｒを金属にて形成する場合は、端子リード部３１，３２のモールド部６０からの延出位置において反射層６０ｒに、反射層６０ｒとの電気的短絡を回避するための絶縁ウィンドウ領域６０ｉを形成することができる。また、反射層６０ｒは、第二モールド層１１の表面（つまり、モールド部６０の最外面）に形成してもよいが、図６に示すように、モールド部６０の表層部に反射層６０ｒを埋設する形にすると、反射層６０ｒを機械的な衝撃等から保護することができる上、撥水性の高いフッ素系樹脂製の第二モールド層１１にて覆われるので、反射層６０の酸化劣化抑制も同時に図ることができる。本実施形態では、第一モールド層１０と第二モールド層１１との境界位置に反射層６０ｒ配置している。この構造は、第一モールド層１０上に反射層６０ｒを蒸着やスパッタ等により形成後、その上に第二モールド層１１を、フッ素系樹脂塗料の塗付等により形成すれば簡単に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光モジュールの第一実施形態を示す断面図。
【図２】図１の発光モジュールにおけるモールド部の形成工程の一例を説明する図。
【図３】本発明の発光モジュールの第二実施形態を示す断面図。
【図４】図３の発光モジュールにおけるモールド部の形成工程の一例を説明する図。
【図５】本発明の発光モジュールの第三実施形態を示す断面図。
【図６】本発明の発光モジュールの第四実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
１，１００，２００，３００発光モジュール
２０，３０発光素子チップ
１０第一モールド層
１１第二モールド層
３１，３２端子リード部
６０モールド部

Claims

化合物半導体層の積層体からなる発光層部を有した発光素子チップと、
前記発光層部からの発光光束に対して透光性を有するとともに、前記発光素子チップの周囲空間を覆う屈折率が１．４５以上であって、前記発光素子チップの最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい第一モールド層と、前記発光層部からの発光光束に対して透光性を有するとともに、前記第一モールド層の外側を覆う屈折率が１．０より大きく１．４５未満のフッ素系樹脂からなる第二モールド層とを有したモールド部と、
を備えることを特徴とする発光モジュール。
前記第一モールド層はエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の発光モジュール。
前記第一モールド層が前記発光素子チップに接して配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光モジュール。
前記第二モールド層が前記第一モールド層に接して配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の発光モジュール。
前記発光素子チップのアノード及びカソードに導通する通電用の端子リード部が前記モールド部から延出してなり、かつ、前記端子リード部は、前記モールド部からの延出基端位置においてフッ素樹脂からなる前記第二モールド層に覆われてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発光モジュール。