JP2005012141A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005012141A JP2005012141A JP2003177525A JP2003177525A JP2005012141A JP 2005012141 A JP2005012141 A JP 2005012141A JP 2003177525 A JP2003177525 A JP 2003177525A JP 2003177525 A JP2003177525 A JP 2003177525A JP 2005012141 A JP2005012141 A JP 2005012141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heating
- lamp group
- susceptor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させる。
【解決手段】RTP装置10のウエハWを処理する処理室11には第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26が水平に架設され、処理室11にはサセプタ回転装置36によって回転されるタレット31が同心円に配置されている。タレット31の上に水平に架設されたアウタプラットホーム37の内側にはインナプラットホーム38が水平に架設され、インナプラットホーム38の内周の下端部にはウエハWを載置するサセプタ40が内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部39に係合されて保持されている。
【効果】ウエハはサセプタに第二加熱ランプ群の上面との間隔dが近づく状態で保持されるので、加熱ランプ群によるウエハへの加熱効果はきわめて高くなり、その結果、ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【選択図】 図2
【解決手段】RTP装置10のウエハWを処理する処理室11には第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26が水平に架設され、処理室11にはサセプタ回転装置36によって回転されるタレット31が同心円に配置されている。タレット31の上に水平に架設されたアウタプラットホーム37の内側にはインナプラットホーム38が水平に架設され、インナプラットホーム38の内周の下端部にはウエハWを載置するサセプタ40が内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部39に係合されて保持されている。
【効果】ウエハはサセプタに第二加熱ランプ群の上面との間隔dが近づく状態で保持されるので、加熱ランプ群によるウエハへの加熱効果はきわめて高くなり、その結果、ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板を加熱する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理(thermal treatment )を施すのに利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの製造方法において成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理を施す基板処理装置として、加熱源にタングステン−ハロゲン直線ランプ(以下、加熱ランプという。)を使用したRTP(Rapid Thermal Processing)装置がある。このRTP装置は、被処理基板としてのウエハを収容する処理室と、この処理室においてウエハを保持する保持部材と、保持部材の上のウエハを保持部材の下方から加熱する複数本の加熱ランプと、処理室を大気圧よりも若干低めに排気する排気口と、ウエハを保持した保持部材を回転させる回転装置とを備えている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特許第3018246号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記したRTP装置においては、加熱ランプの電極との干渉を回避する必要上、保持部材を下げることができないために、加熱ランプとウエハとが離間していることにより、ウエハの昇温速度や最高処理温度が低下されてしまうという問題点がある。
【0005】
本発明の目的は、加熱ランプと被処理基板との間を近づけることができ、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を収容する処理室と、この処理室に設置されて前記被処理基板を保持する保持部材と、この保持部材の下に設置された加熱源とを備えている基板処理装置であって、
前記保持部材は少なくとも平板部材と、前記平板部材から下方に延びる略円筒部材とから構成され、前記被処理基板は前記略円筒部材の下端側に保持されることを特徴とする。
【0007】
前記した手段によれば、被処理基板は保持部材の保持凹部の底部において保持されるので、被処理基板は加熱源に近づいた状態になる。したがって、被処理基板は加熱源によって効果的に加熱されるために、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
図1に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、ICの製造方法において成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の様々な熱処理に使用される枚葉式コールドウオール形常圧RTP装置(以下、RTP装置という。)として構成されている。熱処理の具体例としては、ウエハの熱アニール、硼素−燐から成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープドポリシリコン、未ドープドポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングステン金属や珪化タングステンから成る薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる。
【0010】
図1に示されたRTP装置10は被処理基板としてのウエハWを処理する処理室11を形成した筐体12を備えており、筐体12は上下面が開口した円筒形状に形成されたカップ13と、カップ13の上面開口部を閉塞する円盤形状のトッププレート14と、カップ13の下面開口部を閉塞する円盤形状のボトムプレート15とが組み合わされて円筒中空体形状に構築されている。筐体12は様々な金属によって形成することができる。図示しないが、筐体12は周知の循環式冷水フローシステムによって室温程度まで水冷されるように構成されている。カップ13の側壁の一部には排気口16が処理室11の内外を連通するように開設されており、排気口16には処理室11を大気圧未満(以下、負圧という。)に排気し得る排気装置が接続されている。なお、排気口16はボトムプレート15の中心線上にも開設されている。カップ13の側壁の排気口16と反対側の位置には、被処理基板としてのウエハWを処理室11に搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口17が開設されており、ウエハ搬入搬出口17はゲートバルブ18によって開閉されるようになっている。ウエハWはウエハ搬入搬出口17を経由して処理室11内にウエハ移載装置(wafer transfer equipment )によって搬入搬出されるようになっている。
【0011】
ボトムプレート15の下面の中心線上には昇降駆動装置19が設置されており、昇降駆動装置19はボトムプレート15を上下方向に挿通されて摺動自在に支持された昇降軸20を昇降させるように構成されている。昇降軸20の上端には昇降板21が水平に固定されており、昇降板21の上面には複数本(通常は三本または四本)のリフタピン22が垂直に立脚されて固定されており、各リフタピン22は昇降板21の昇降に伴って昇降することにより、ウエハWを下から水平に支持して昇降させるようになっている。
【0012】
ボトムプレート15の上面における昇降軸20の外側には支持筒23が突設されており、支持筒23の上端面の上には冷却プレート24が水平に架設されている。冷却プレート24の上方には複数本の加熱ランプから構成された第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26が、下から順に配置されてそれぞれ水平に架設されており、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は第一支柱27および第二支柱28によってそれぞれ水平に支持されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は加熱源としての加熱ランプ(タングステン−ハロゲン直線ランプ)が複数本、互いに平行に配列されて水平にそれぞれ架設されて構成されている。図示しないが、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26には四つのゾーンが、両端から中央にかけてそれぞれ設定されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は第一ゾーン〜第四ゾーン毎に制御器に並列に接続されており、制御器は後記する温度計測器が接続されたコントローラ(図示せず)によってオン・オフ制御されるように構成されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26の電力供給電線29はボトムプレート15を挿通して外部に引き出されている。なお、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26やコントローラ等から成るヒータアッセンブリは、放射ピークが0.95μmの波長の放射熱線(光)を照射し、多くの熱を中央部のゾーンよりも周辺部のゾーンに加える加熱プロファイルを呈するように設定されている。
【0013】
処理室11には処理室11の内径よりも小径の外径の円筒形状に形成されたタレット31が同心円に配置されている。タレット31はセラミックやグラファイトより好ましくはシリコングラファイトによって被覆されたグラファイト等が使用されて構成されている。タレット31は円形のリング形状の内歯平歯車33の上面に同心円に配置されて固定されており、内歯平歯車33はボトムプレート15に介設されたベアリング32によって水平に支承されている。内歯平歯車33には原動側平歯車34が噛合されており、原動側平歯車34はボトムプレート15に介設されたベアリング35によって水平に支承されて、ボトムプレート15の下に設置されたサセプタ回転装置36によって回転駆動されるようになっている。なお、タレット31の回転速度は処理の諸条件に対応して5〜60rpmに設定することが好ましい。
【0014】
タレット31の上端面の上には平板の円形リング形状に形成されたアウタプラットホーム37が水平に架設されており、アウタプラットホーム37の内側には平板部材である小径の円形リング部材と略円筒部材の合成により形成されたインナプラットホーム38が水平に架設されている。図2に示されているように、インナプラットホーム38の内周の下端部にはサセプタ40が、内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部39に係合されて保持されている。すなわち、サセプタ40はインナプラットホーム38の上面よりも下がった位置において保持されており、サセプタ40に保持されたウエハWの下面と第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが、1cmになるように設定されている。つまり、アウタプラットホーム37、インナプラットホーム38およびサセプタ40によって、ウエハWを保持するための保持部材が構成されており、ウエハWが保持部材の中央部に形成された保持凹部の底部において保持されるようになっている。サセプタ40は周方向および径方向において複数に分割され、複数の分割片が円板形状に組み立てられて一体的に構成されている。サセプタ40の各分割片は炭化シリコンによって被覆されたグラファイトやクォーツ、純炭化シリコン、アルミナ、ジルコニア、アルミニウムまたは鋼等が使用されて製造されている。サセプタ40の各リフタピン22に対向する位置には挿通孔41がそれぞれ開設されている。
【0015】
図1に示されているように、トッププレート14には原料ガス供給管42および不活性ガス供給管43が処理室11に連通するようにそれぞれ接続されている。また、トッププレート14には放射温度計のプローブ44が複数本、互いに半径方向にウエハWの中心から周辺にかけてずらされてそれぞれ配置されてウエハWの上面と対向するように挿入されており、放射温度計は複数本のプローブ44がそれぞれ検出した放射光に基づく計測温度をコントローラに逐次送信するように構成されている。トッププレート14の他の場所にはウエハWの放射率を非接触にて測定する放射率測定装置45が設置されている。放射率測定装置45はレファレンスプローブ46を備えており、レファレンスプローブ46はレファレンスプローブ用モータ47によって垂直面内で回転されるようになっている。レファレンスプローブ46の上側には参照光を照射するレファレンスランプ48がレファレンスプローブ46の先端に対向するように設置されている。レファレンスプローブ46は放射温度計に光学的に接続されており、放射温度計はウエハWからの光子密度とレファレンスランプ48からの参照光の光子密度とを比較することにより、計測温度を校正するようになっている。
【0016】
次に、前記構成に係るRTP装置の作用を説明する。
【0017】
カップ13の側壁に開設されたウエハ搬入搬出口17がゲートバルブ18により開放されると、昇降軸20が昇降駆動装置19によって上限位置に上昇されて、リフタピン22がサセプタ40の挿通孔41を下から挿通する。続いて、ウエハ移載装置によって搬送されて来たウエハWが複数本のリフタピン22の上端間に受け渡される。その後に、リフタピン22にウエハWを受け渡したウエハ移載装置は後退する。続いて、昇降軸20が昇降駆動装置19によって下降されることにより、リフタピン22がサセプタ40の下方に引き込まれて、リフタピン22の上のウエハWがサセプタ40の上に受け渡される。ウエハWがサセプタ40に受け渡されると、ウエハ搬入搬出口17がゲートバルブ18により閉じられる。処理室11が閉じられると、処理室11が排気口16を通じて排気される。
【0018】
ウエハWがサセプタ40に受け渡されると、ウエハWをサセプタ40によって保持したタレット31が内歯平歯車33および原動側平歯車34を介してサセプタ回転装置36によって回転される。サセプタ40に保持されたウエハWはサセプタ回転装置36によって回転されながら、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって加熱される。この加熱中におけるウエハWの温度は放射温度計のプローブ44によって逐次計測され、コントローラへ逐次送信されている。コントローラは放射温度計からの計測結果に基づいてフィードバック制御を実行する。この際、放射率測定装置45からのデータに基づいて測定温度の校正が実施される。
【0019】
サセプタ40がサセプタ回転装置36によって回転されながら、サセプタ40の上に保持されたウエハWは第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって加熱されるため、ウエハWは全面にわたって均等に熱処理される。そして、熱処理レートはウエハWの面内温度分布に依存するため、ウエハWの面内温度分布が全面にわたって均一であれば、ウエハWに施される熱処理状況の面内分布はウエハWの全面にわたって均一になる。
【0020】
予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室11は排気口16によって所定の負圧に排気される。続いて、前述とは逆の手順により、ウエハWはリフタピン22によってサセプタ40から所定の間隔だけ浮かされた後に、リフタピン22の上からウエハ移載装置によってピックアップされ、処理室11の外部へ搬出される。
【0021】
以降、前述した作業が繰り返されることにより、RTP装置10の枚葉処理が実施されて行く。
【0022】
ところで、照度と光源との関係は光源からの距離の二乗に反比例するので、ウエハWの第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26に対する距離を近づけることにより、ウエハWに対する第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26による加熱効果をきわめて向上させることができる。本実施の形態においては、図2に示されているように、ウエハWはサセプタ40に第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが1cmになるように近接して保持されているので、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によるウエハWへの加熱効果はきわめて高くなる。ウエハWが第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって効果的に加熱されるために、ウエハWの昇温速度や最高処理温度は向上されることになる。
【0023】
図3は加熱ランプからウエハへの照射強度(照度)の向上効果を示すグラフである。縦軸には照射強度(W/m2 )が取られ、横軸にはウエハ上の位置(m)が取られている。実線曲線AはウエハWと第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが1cmの本実施の形態の場合を示しており、破線曲線BはウエハWと第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが4cmの従来例の場合を示している。図3によれば、本実施の形態の場合には、照射強度が従来例の場合に比べて、約40%も向上していることが判る。したがって、ウエハWは第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって効果的に加熱されるために、ウエハWの昇温速度や最高処理温度は向上されることになる。
【0024】
なお、図2に示されているように、ウエハWがインナプラットホーム38の底部において保持されていることにより、ウエハWの周辺部がインナプラットホーム38の内周壁面の輻射熱49によっても加熱されるので、ウエハWの周辺部の温度が低下するのを抑制することができ、その結果、ウエハWの面内温度分布をより一層均一化させることができる。
【0025】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0026】
1) ウエハのサセプタによる保持位置を第一加熱ランプ群および第二加熱ランプ群に近づけることにより、第一加熱ランプ群および第二加熱ランプ群によるウエハへの加熱効果を向上させることができるので、ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【0027】
2) ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることにより、RTP装置の処理時間を短縮することができるので、RTP装置の生産性を向上させることができる。
【0028】
3) ウエハをインナプラットホームの底部において保持することにより、ウエハの周辺部をインナプラットホームの内周壁面の輻射熱によっても加熱することができるために、ウエハの周辺部の温度が低下するのを抑制することができる。その結果、ウエハの面内温度分布を均一化させることができるので、ウエハの面内膜厚分布等の熱処理状況の分布を均一化させることができる。
【0029】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0030】
例えば、前記実施の形態においては、ウエハWはサセプタ40により保持されているが、サセプタ40を用いずに、インナプラットホーム38の内径を小さくして、係合部39に直接ウエハWを保持させてもよい。
【0031】
加熱源としては、加熱ランプを使用するに限らず、抵抗線式ヒータ等を使用してもよい。
【0032】
基板はウエハに限らず、LCD装置(液晶表示装置)の製造工程におけるガラス基板やアレイ基板等の基板であってもよい。
【0033】
前記実施の形態においては枚葉式コールドウオール形常圧RTP装置に構成した場合について説明したが、本発明は、減圧RTP装置やプラズマRTP装置、ドライエッチング装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱ランプとウエハとの間を近づけることにより、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるRTP装置を示す正面断面図である。
【図2】その主要部を示す側面断面図である。
【図3】加熱ランプからウエハへの照射強度の向上効果を示すグラフである。
【符号の説明】
W…ウエハ(基板)、10…RTP装置(基板処理装置)、11…処理室、12…筐体、13…カップ、14…トッププレート、15…ボトムプレート、16…排気口、17…ウエハ搬入搬出口、18…ゲートバルブ、19…昇降駆動装置、20…昇降軸、21…昇降板、22…リフタピン、23…支持筒、24…冷却プレート、25…第一加熱ランプ群、26…第二加熱ランプ群、27…第一支柱、28…第二支柱、29…電力供給電線、31…タレット、32…ベアリング、33…内歯平歯車、34…原動側平歯車、35…ベアリング、36…サセプタ回転装置、37…アウタプラットホーム、38…インナプラットホーム、39…係合部、40…サセプタ、41…挿通孔、42…原料ガス供給管、43…不活性ガス供給管、44…プローブ、45…放射率測定装置、46…レファレンスプローブ、47…レファレンスプローブ用モータ、48…レファレンスランプ、49…輻射熱。
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板を加熱する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理(thermal treatment )を施すのに利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの製造方法において成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理を施す基板処理装置として、加熱源にタングステン−ハロゲン直線ランプ(以下、加熱ランプという。)を使用したRTP(Rapid Thermal Processing)装置がある。このRTP装置は、被処理基板としてのウエハを収容する処理室と、この処理室においてウエハを保持する保持部材と、保持部材の上のウエハを保持部材の下方から加熱する複数本の加熱ランプと、処理室を大気圧よりも若干低めに排気する排気口と、ウエハを保持した保持部材を回転させる回転装置とを備えている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特許第3018246号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記したRTP装置においては、加熱ランプの電極との干渉を回避する必要上、保持部材を下げることができないために、加熱ランプとウエハとが離間していることにより、ウエハの昇温速度や最高処理温度が低下されてしまうという問題点がある。
【0005】
本発明の目的は、加熱ランプと被処理基板との間を近づけることができ、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を収容する処理室と、この処理室に設置されて前記被処理基板を保持する保持部材と、この保持部材の下に設置された加熱源とを備えている基板処理装置であって、
前記保持部材は少なくとも平板部材と、前記平板部材から下方に延びる略円筒部材とから構成され、前記被処理基板は前記略円筒部材の下端側に保持されることを特徴とする。
【0007】
前記した手段によれば、被処理基板は保持部材の保持凹部の底部において保持されるので、被処理基板は加熱源に近づいた状態になる。したがって、被処理基板は加熱源によって効果的に加熱されるために、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
図1に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、ICの製造方法において成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の様々な熱処理に使用される枚葉式コールドウオール形常圧RTP装置(以下、RTP装置という。)として構成されている。熱処理の具体例としては、ウエハの熱アニール、硼素−燐から成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープドポリシリコン、未ドープドポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングステン金属や珪化タングステンから成る薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる。
【0010】
図1に示されたRTP装置10は被処理基板としてのウエハWを処理する処理室11を形成した筐体12を備えており、筐体12は上下面が開口した円筒形状に形成されたカップ13と、カップ13の上面開口部を閉塞する円盤形状のトッププレート14と、カップ13の下面開口部を閉塞する円盤形状のボトムプレート15とが組み合わされて円筒中空体形状に構築されている。筐体12は様々な金属によって形成することができる。図示しないが、筐体12は周知の循環式冷水フローシステムによって室温程度まで水冷されるように構成されている。カップ13の側壁の一部には排気口16が処理室11の内外を連通するように開設されており、排気口16には処理室11を大気圧未満(以下、負圧という。)に排気し得る排気装置が接続されている。なお、排気口16はボトムプレート15の中心線上にも開設されている。カップ13の側壁の排気口16と反対側の位置には、被処理基板としてのウエハWを処理室11に搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口17が開設されており、ウエハ搬入搬出口17はゲートバルブ18によって開閉されるようになっている。ウエハWはウエハ搬入搬出口17を経由して処理室11内にウエハ移載装置(wafer transfer equipment )によって搬入搬出されるようになっている。
【0011】
ボトムプレート15の下面の中心線上には昇降駆動装置19が設置されており、昇降駆動装置19はボトムプレート15を上下方向に挿通されて摺動自在に支持された昇降軸20を昇降させるように構成されている。昇降軸20の上端には昇降板21が水平に固定されており、昇降板21の上面には複数本(通常は三本または四本)のリフタピン22が垂直に立脚されて固定されており、各リフタピン22は昇降板21の昇降に伴って昇降することにより、ウエハWを下から水平に支持して昇降させるようになっている。
【0012】
ボトムプレート15の上面における昇降軸20の外側には支持筒23が突設されており、支持筒23の上端面の上には冷却プレート24が水平に架設されている。冷却プレート24の上方には複数本の加熱ランプから構成された第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26が、下から順に配置されてそれぞれ水平に架設されており、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は第一支柱27および第二支柱28によってそれぞれ水平に支持されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は加熱源としての加熱ランプ(タングステン−ハロゲン直線ランプ)が複数本、互いに平行に配列されて水平にそれぞれ架設されて構成されている。図示しないが、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26には四つのゾーンが、両端から中央にかけてそれぞれ設定されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26は第一ゾーン〜第四ゾーン毎に制御器に並列に接続されており、制御器は後記する温度計測器が接続されたコントローラ(図示せず)によってオン・オフ制御されるように構成されている。第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26の電力供給電線29はボトムプレート15を挿通して外部に引き出されている。なお、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26やコントローラ等から成るヒータアッセンブリは、放射ピークが0.95μmの波長の放射熱線(光)を照射し、多くの熱を中央部のゾーンよりも周辺部のゾーンに加える加熱プロファイルを呈するように設定されている。
【0013】
処理室11には処理室11の内径よりも小径の外径の円筒形状に形成されたタレット31が同心円に配置されている。タレット31はセラミックやグラファイトより好ましくはシリコングラファイトによって被覆されたグラファイト等が使用されて構成されている。タレット31は円形のリング形状の内歯平歯車33の上面に同心円に配置されて固定されており、内歯平歯車33はボトムプレート15に介設されたベアリング32によって水平に支承されている。内歯平歯車33には原動側平歯車34が噛合されており、原動側平歯車34はボトムプレート15に介設されたベアリング35によって水平に支承されて、ボトムプレート15の下に設置されたサセプタ回転装置36によって回転駆動されるようになっている。なお、タレット31の回転速度は処理の諸条件に対応して5〜60rpmに設定することが好ましい。
【0014】
タレット31の上端面の上には平板の円形リング形状に形成されたアウタプラットホーム37が水平に架設されており、アウタプラットホーム37の内側には平板部材である小径の円形リング部材と略円筒部材の合成により形成されたインナプラットホーム38が水平に架設されている。図2に示されているように、インナプラットホーム38の内周の下端部にはサセプタ40が、内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部39に係合されて保持されている。すなわち、サセプタ40はインナプラットホーム38の上面よりも下がった位置において保持されており、サセプタ40に保持されたウエハWの下面と第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが、1cmになるように設定されている。つまり、アウタプラットホーム37、インナプラットホーム38およびサセプタ40によって、ウエハWを保持するための保持部材が構成されており、ウエハWが保持部材の中央部に形成された保持凹部の底部において保持されるようになっている。サセプタ40は周方向および径方向において複数に分割され、複数の分割片が円板形状に組み立てられて一体的に構成されている。サセプタ40の各分割片は炭化シリコンによって被覆されたグラファイトやクォーツ、純炭化シリコン、アルミナ、ジルコニア、アルミニウムまたは鋼等が使用されて製造されている。サセプタ40の各リフタピン22に対向する位置には挿通孔41がそれぞれ開設されている。
【0015】
図1に示されているように、トッププレート14には原料ガス供給管42および不活性ガス供給管43が処理室11に連通するようにそれぞれ接続されている。また、トッププレート14には放射温度計のプローブ44が複数本、互いに半径方向にウエハWの中心から周辺にかけてずらされてそれぞれ配置されてウエハWの上面と対向するように挿入されており、放射温度計は複数本のプローブ44がそれぞれ検出した放射光に基づく計測温度をコントローラに逐次送信するように構成されている。トッププレート14の他の場所にはウエハWの放射率を非接触にて測定する放射率測定装置45が設置されている。放射率測定装置45はレファレンスプローブ46を備えており、レファレンスプローブ46はレファレンスプローブ用モータ47によって垂直面内で回転されるようになっている。レファレンスプローブ46の上側には参照光を照射するレファレンスランプ48がレファレンスプローブ46の先端に対向するように設置されている。レファレンスプローブ46は放射温度計に光学的に接続されており、放射温度計はウエハWからの光子密度とレファレンスランプ48からの参照光の光子密度とを比較することにより、計測温度を校正するようになっている。
【0016】
次に、前記構成に係るRTP装置の作用を説明する。
【0017】
カップ13の側壁に開設されたウエハ搬入搬出口17がゲートバルブ18により開放されると、昇降軸20が昇降駆動装置19によって上限位置に上昇されて、リフタピン22がサセプタ40の挿通孔41を下から挿通する。続いて、ウエハ移載装置によって搬送されて来たウエハWが複数本のリフタピン22の上端間に受け渡される。その後に、リフタピン22にウエハWを受け渡したウエハ移載装置は後退する。続いて、昇降軸20が昇降駆動装置19によって下降されることにより、リフタピン22がサセプタ40の下方に引き込まれて、リフタピン22の上のウエハWがサセプタ40の上に受け渡される。ウエハWがサセプタ40に受け渡されると、ウエハ搬入搬出口17がゲートバルブ18により閉じられる。処理室11が閉じられると、処理室11が排気口16を通じて排気される。
【0018】
ウエハWがサセプタ40に受け渡されると、ウエハWをサセプタ40によって保持したタレット31が内歯平歯車33および原動側平歯車34を介してサセプタ回転装置36によって回転される。サセプタ40に保持されたウエハWはサセプタ回転装置36によって回転されながら、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって加熱される。この加熱中におけるウエハWの温度は放射温度計のプローブ44によって逐次計測され、コントローラへ逐次送信されている。コントローラは放射温度計からの計測結果に基づいてフィードバック制御を実行する。この際、放射率測定装置45からのデータに基づいて測定温度の校正が実施される。
【0019】
サセプタ40がサセプタ回転装置36によって回転されながら、サセプタ40の上に保持されたウエハWは第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって加熱されるため、ウエハWは全面にわたって均等に熱処理される。そして、熱処理レートはウエハWの面内温度分布に依存するため、ウエハWの面内温度分布が全面にわたって均一であれば、ウエハWに施される熱処理状況の面内分布はウエハWの全面にわたって均一になる。
【0020】
予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室11は排気口16によって所定の負圧に排気される。続いて、前述とは逆の手順により、ウエハWはリフタピン22によってサセプタ40から所定の間隔だけ浮かされた後に、リフタピン22の上からウエハ移載装置によってピックアップされ、処理室11の外部へ搬出される。
【0021】
以降、前述した作業が繰り返されることにより、RTP装置10の枚葉処理が実施されて行く。
【0022】
ところで、照度と光源との関係は光源からの距離の二乗に反比例するので、ウエハWの第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26に対する距離を近づけることにより、ウエハWに対する第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26による加熱効果をきわめて向上させることができる。本実施の形態においては、図2に示されているように、ウエハWはサセプタ40に第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが1cmになるように近接して保持されているので、第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によるウエハWへの加熱効果はきわめて高くなる。ウエハWが第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって効果的に加熱されるために、ウエハWの昇温速度や最高処理温度は向上されることになる。
【0023】
図3は加熱ランプからウエハへの照射強度(照度)の向上効果を示すグラフである。縦軸には照射強度(W/m2 )が取られ、横軸にはウエハ上の位置(m)が取られている。実線曲線AはウエハWと第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが1cmの本実施の形態の場合を示しており、破線曲線BはウエハWと第二加熱ランプ群26の中心との間隔dが4cmの従来例の場合を示している。図3によれば、本実施の形態の場合には、照射強度が従来例の場合に比べて、約40%も向上していることが判る。したがって、ウエハWは第一加熱ランプ群25および第二加熱ランプ群26によって効果的に加熱されるために、ウエハWの昇温速度や最高処理温度は向上されることになる。
【0024】
なお、図2に示されているように、ウエハWがインナプラットホーム38の底部において保持されていることにより、ウエハWの周辺部がインナプラットホーム38の内周壁面の輻射熱49によっても加熱されるので、ウエハWの周辺部の温度が低下するのを抑制することができ、その結果、ウエハWの面内温度分布をより一層均一化させることができる。
【0025】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0026】
1) ウエハのサセプタによる保持位置を第一加熱ランプ群および第二加熱ランプ群に近づけることにより、第一加熱ランプ群および第二加熱ランプ群によるウエハへの加熱効果を向上させることができるので、ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【0027】
2) ウエハの昇温速度や最高処理温度を向上させることにより、RTP装置の処理時間を短縮することができるので、RTP装置の生産性を向上させることができる。
【0028】
3) ウエハをインナプラットホームの底部において保持することにより、ウエハの周辺部をインナプラットホームの内周壁面の輻射熱によっても加熱することができるために、ウエハの周辺部の温度が低下するのを抑制することができる。その結果、ウエハの面内温度分布を均一化させることができるので、ウエハの面内膜厚分布等の熱処理状況の分布を均一化させることができる。
【0029】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0030】
例えば、前記実施の形態においては、ウエハWはサセプタ40により保持されているが、サセプタ40を用いずに、インナプラットホーム38の内径を小さくして、係合部39に直接ウエハWを保持させてもよい。
【0031】
加熱源としては、加熱ランプを使用するに限らず、抵抗線式ヒータ等を使用してもよい。
【0032】
基板はウエハに限らず、LCD装置(液晶表示装置)の製造工程におけるガラス基板やアレイ基板等の基板であってもよい。
【0033】
前記実施の形態においては枚葉式コールドウオール形常圧RTP装置に構成した場合について説明したが、本発明は、減圧RTP装置やプラズマRTP装置、ドライエッチング装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱ランプとウエハとの間を近づけることにより、被処理基板の昇温速度や最高処理温度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるRTP装置を示す正面断面図である。
【図2】その主要部を示す側面断面図である。
【図3】加熱ランプからウエハへの照射強度の向上効果を示すグラフである。
【符号の説明】
W…ウエハ(基板)、10…RTP装置(基板処理装置)、11…処理室、12…筐体、13…カップ、14…トッププレート、15…ボトムプレート、16…排気口、17…ウエハ搬入搬出口、18…ゲートバルブ、19…昇降駆動装置、20…昇降軸、21…昇降板、22…リフタピン、23…支持筒、24…冷却プレート、25…第一加熱ランプ群、26…第二加熱ランプ群、27…第一支柱、28…第二支柱、29…電力供給電線、31…タレット、32…ベアリング、33…内歯平歯車、34…原動側平歯車、35…ベアリング、36…サセプタ回転装置、37…アウタプラットホーム、38…インナプラットホーム、39…係合部、40…サセプタ、41…挿通孔、42…原料ガス供給管、43…不活性ガス供給管、44…プローブ、45…放射率測定装置、46…レファレンスプローブ、47…レファレンスプローブ用モータ、48…レファレンスランプ、49…輻射熱。
Claims (1)
- 被処理基板を収容する処理室と、この処理室に設置されて前記被処理基板を保持する保持部材と、この保持部材の下に設置された加熱源とを備えている基板処理装置であって、
前記保持部材は少なくとも平板部材と、前記平板部材から下方に延びる略円筒部材とから構成され、前記被処理基板は前記略円筒部材の下端側に保持されることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003177525A JP2005012141A (ja) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003177525A JP2005012141A (ja) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005012141A true JP2005012141A (ja) | 2005-01-13 |
Family
ID=34100059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003177525A Pending JP2005012141A (ja) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005012141A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007063838A1 (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-23 JP JP2003177525A patent/JP2005012141A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007063838A1 (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP4896039B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-03-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US8172950B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101923050B1 (ko) | 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링 | |
JP3296300B2 (ja) | 光照射式加熱装置 | |
JP5077018B2 (ja) | 熱処理装置 | |
TWI625821B (zh) | 用於更均勻的層厚度的基板支撐環 | |
JP2003531489A (ja) | ウェハーを熱処理する方法および装置 | |
JP2008182228A (ja) | 熱処理チャンバにおけるウエハ支持体の温度測定及び制御 | |
JP2000323487A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
US8980767B2 (en) | Methods and apparatus for processing a substrate | |
KR102343692B1 (ko) | 저압 열 프로세스들을 위한 광 파이프 구조물 윈도우 | |
JPH10107018A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
TW201903903A (zh) | 熱處理方法 | |
JPH08250444A (ja) | 熱処理装置 | |
US8172950B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method | |
JP2007005399A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005012141A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH10242067A (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
JP2006019565A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005183823A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010086985A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4495717B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005123284A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
JP2005012073A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008218698A (ja) | 熱処理装置 | |
JP3240187B2 (ja) | 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置 |