JP2005005304A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱膨張によるボンディング位置精度の劣化を抑制する。
【解決手段】テープ基板7の搬送方向の上流側にボンディングステージ1が延伸された延伸部2を設け、半導体チップ12の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極11a、11bの形成領域に予め発生させてから、リード電極11a、11bの形成領域をボンディングステージ1上に搬送する。
【選択図】 図1
【解決手段】テープ基板7の搬送方向の上流側にボンディングステージ1が延伸された延伸部2を設け、半導体チップ12の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極11a、11bの形成領域に予め発生させてから、リード電極11a、11bの形成領域をボンディングステージ1上に搬送する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、COF(チップ・オン・フィルム)におけるFDB(フェイス・ダウン・ボンディング)に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、熱圧着によりフレキシブル基板上に半導体チップを実装する方法がある。
【0003】
【特許文献1】
特開平6−13148号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱圧着によりフレキシブル基板上に半導体チップを実装する場合、フレキシブル基板および半導体チップに熱膨張が発生する。そして、フレキシブル基板と半導体チップとの間で熱膨張量が異なる場合、フレキシブル基板上に半導体チップをボンディングすると、ボンディング位置精度が劣化するという問題があった。
【0005】
そこで、本発明の目的は、熱膨張によるボンディング位置精度の劣化を抑制することが半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、回路基板を保持するボンディングステージと、前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、前記回路基板を搬送する搬送手段と、前記回路基板の搬送方向の上流側に前記ボンディングステージが延伸された延伸部と、前記ボンディングステージおよび前記延伸部の加熱制御を行う第1加熱制御手段と、前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする。
【0007】
これにより、ボンディングステージの上流側で回路基板を予め加熱することが可能となり、ボンディングステージ上に回路基板が搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0008】
また、搬送方向の上流側にボンディングステージを延伸させることにより、熱膨張させられた回路基板をボンディングステージ上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、回路基板がボンディングステージに送られる途中に搬送が停止した場合においても、ボンディングステージに送られる回路基板の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0009】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記第1加熱制御手段は、前記ボンディングヘッドにより加熱される半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が前記回路基板に発生するように、前記延伸部の加熱制御を行うことを特徴とする。
これにより、半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張を回路基板に発生させることが可能となり、ボンディングヘッドを介して半導体チップを加熱しながら回路基板上に半導体チップをボンディングする場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、回路基板を保持するボンディングステージと、前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、前記回路基板を搬送する搬送手段と、前記ボンディングステージに送られる回路基板の予備加熱を行う予備加熱手段と、前記ボンディングステージの加熱制御を行う第1加熱制御手段と、前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、半導体チップのボンディングが行われる前に回路基板を予め加熱することが可能となり、回路基板がボンディングステージ上に搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、ボンディングステージ上における回路基板の滞留時間が異なる場合においても、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、回路基板の製品ピッチが異なる場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させてから、前記半導体チップを前記回路基板に実装することを特徴とする。
これにより、半導体チップを回路基板上に実装する際に半導体チップの加熱が行われる場合においても、半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させることが可能となり、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0013】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、回路基板を予備加熱する工程と、前記予備加熱された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする。
これにより、半導体チップのボンディングが行われる前に回路基板を予め加熱してから、回路基板をボンディングステージ上に搬送することが可能となり、回路基板がボンディングステージ上に搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、半導体チップを回路基板上の実装する際に半導体チップの加熱が行われる場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0014】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が回路基板に発生するように温度設定されたヒートブロック上に回路基板を搬送する工程と、前記ヒートブロック上に搬送された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に前記半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする。
【0015】
これにより、回路基板の下流側にて半導体チップのボンディングを行いながら、回路基板の上流側にて半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させることが可能となる。このため、ボンディングステージ上における半導体チップの搬送タクトを考慮することなく、半導体チップの熱膨張量と回路基板の熱膨張量とを一致させることが可能となり、搬送効率の劣化を抑制しつつ、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0016】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ヒートブロックは、前記ボンディングステージの上流側に一体的に形成されていることを特徴とする。
これにより、ヒートブロックにて熱膨張させられた回路基板をボンディングステージ上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、回路基板がボンディングステージに送られる途中に搬送が停止した場合においても、ボンディングステージに送られる回路基板の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るボンディング装置およびボンディング方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るボンディング方法を示す断面図である。
図1において、ボンディングステージ1には、テープ基板7を吸着する吸引孔3a、3bが設けられるとともに、テープ基板7の搬送方向の上流側には、ボンディングステージ1が延伸された延伸部2が設けられている。また、ボンディングステージ1の上方には、半導体チップ9、12を吸着保持しながら、半導体チップ9、12をテープ基板7上に配置するボンディングヘッド5が設けられている。
【0018】
ここで、半導体チップ9、12には、突出電極10a、10b、13a、13bがそれぞれ設けられ、テープ基板7上には、リード電極8a、8b、11a、11b、14a、14bが形成されている。
また、ボンディング装置には、ボンディングステージ1および延伸部2の加熱制御を行う加熱制御部4が設けられるとともに、ボンディングヘッド5の加熱制御を行う加熱制御部6が設けられている。
【0019】
ここで、今回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極8a、8bが形成され、次回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極11a、11bが形成され、次々回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極14a、14bが形成されているものとする。
そして、図1(a)に示すように、今回ボンディングされるリード電極8a、8bの形成領域がボンディングステージ1上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域が延伸部2上に搬送される。そして、吸引孔3a、3bを介してテープ基板7の吸引が行われながら、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ9が今回ボンディングされるリード電極8a、8bの形成領域上に配置され、半導体チップ9に設けられた突出電極10a、10bがリード電極8a、8bに接合される。
【0020】
ここで、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ9はボンディングヘッド5を介して加熱される。また、ボンディングステージ1上に搬送されたリード電極8a、8bの形成領域は、ボンディングステージ1を介して加熱され、ボンディングステージ1の延伸部2上に搬送されたリード電極11a、11bの形成領域は、ボンディングステージ1の延伸部2を介して加熱される。
【0021】
ここで、ボンディングステージ1および延伸部2の温度は、ボンディングヘッド1により加熱される半導体チップ9の熱膨張量に対応した熱膨張がテープ基板7に発生するように設定することができる。例えば、ボンディングヘッド5の温度は465℃程度、ボンディングステージ1および延伸部2の温度は115±15℃程度に設定することができる。
【0022】
そして、半導体チップ9に設けられた突出電極10a、10bがリード電極8a、8bに接合されると、テープ基板7が搬送される。そして、図1(b)に示すように、今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域がボンディングステージ1上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極14a、14bの形成領域が延伸部2上に搬送される。
【0023】
そして、図1(c)に示すように、吸引孔3a、3bを介してテープ基板7の吸引が行われながら、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ12が今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域上に配置され、半導体チップ12に設けられた突出電極13a、13bがリード電極11a、11bに接合される。
【0024】
ここで、今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域は、ボンディングステージ1上に搬送される前に延伸部2にて加熱され、半導体チップ12の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極11a、11bの形成領域に予め発生させてから、リード電極11a、11bの形成領域をボンディングステージ1上に搬送することが可能となる。このため、ボンディングステージ1上にリード電極11a、11bの形成領域が留まっている時間に依存することなく、半導体チップ12の熱膨張に対応させてリード電極11a、11bの形成領域を熱膨張させた状態で、半導体チップ12をテープ基板7上にボンディングすることが可能となり、半導体チップ12をテープ基板7上に精度よく実装することが可能となる。
【0025】
また、テープ基板7の搬送方向の上流側にボンディングステージ1を延伸させることにより、熱膨張させられたテープ基板7をボンディングステージ1上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、トラブルなどの発生によりテープ基板7の搬送が途中で停止した場合においても、ボンディングステージ1に送られるテープ基板7の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0026】
なお、突出電極10a、10b、13a、13bとしては、例えば、Auバンプ、Au/Niバンプ、半田材などで被覆されたCuバンプやNiバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、リード電極8a、8b、11a、11b、14a、14bとしては、例えば、銅Cu、鉄Fe、金Au、銀Ag、半田材で被覆された銅Cu、金Auで被覆された銅Cuなどを用いることができる。
【0027】
また、突出電極10a、10b、13a、13bをリード電極8a、8b、11a、11bにそれぞれ接合する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ACF(Anisotropic Conductive Film)接合、NCF(Nonconductive Film)接合、ACP(Anisotropic Conductive Paste)接合、NCP(Nonconductive Paste)接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、COF(チップ・オン・フィルム)を例にとって説明したが、TCP(テープ・キャリア、パッケージ)、COG(チップ・オン・グラス)、TCM(テープキャリアモジュール)などに適用するようにしてもよい。
【0028】
図2は、本発明の第2実施形態に係るボンディング方法を示す断面図である。
図2において、ボンディングステージ21には、テープ基板27を吸着する吸引孔23a、23bが設けられるとともに、テープ基板27の搬送方向の上流側には、テープ基板27を予備加熱するヒートブロック22が設けられている。また、ボンディングステージ21の上方には、半導体チップ29、32を吸着保持しながら、半導体チップ29、32をテープ基板27上に配置するボンディングヘッド25が設けられている。
【0029】
ここで、半導体チップ29、32には、突出電極30a、30b、33a、33bがそれぞれ設けられ、テープ基板27上には、リード電極28a、28b、31a、31b、34a、34bが形成されている。
また、ボンディング装置には、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の加熱制御をそれぞれ行う加熱制御部24a、24bが設けられるとともに、ボンディングヘッド25の加熱制御を行う加熱制御部26が設けられている。
【0030】
ここで、今回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極28a、28bが形成され、次回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極31a、31bが形成され、次々回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極34a、34bが形成されているものとする。
【0031】
そして、図2(a)に示すように、今回ボンディングされるリード電極28a、28bの形成領域がボンディングステージ21上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域が延伸部22上に搬送される。そして、吸引孔23a、23bを介してテープ基板27の吸引が行われながら、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ29が今回ボンディングされるリード電極28a、28bの形成領域上に配置され、半導体チップ29に設けられた突出電極30a、30bがリード電極28a、28bに接合される。
【0032】
ここで、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ29はボンディングヘッド25を介して加熱される。また、ボンディングステージ21上に搬送されたリード電極28a、28bの形成領域は、ボンディングステージ21を介して加熱され、ヒートブロック22上に搬送されたリード電極31a、31bの形成領域は、ヒートブロック22を介して加熱される。
【0033】
ここで、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の温度は、ボンディングヘッド21により加熱される半導体チップ29の熱膨張量に対応した熱膨張がテープ基板27に発生するように設定することができる。例えば、ボンディングヘッド25の温度は465℃程度、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の温度は115±15℃程度に設定することができる。
【0034】
そして、半導体チップ29に設けられた突出電極30a、30bがリード電極28a、28bに接合されると、テープ基板27が搬送される。そして、図2(b)に示すように、今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域がボンディングステージ21上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極34a、34bの形成領域がヒートブロック22上に搬送される。
【0035】
そして、図2(c)に示すように、吸引孔23a、23bを介してテープ基板27の吸引が行われながら、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ32が今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域上に配置され、半導体チップ32に設けられた突出電極33a、33bがリード電極31a、31bに接合される。
【0036】
ここで、今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域は、ボンディングステージ21上に搬送される前にヒートブロック22にて加熱され、半導体チップ32の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極31a、31bの形成領域に予め発生させてから、リード電極31a、31bの形成領域をボンディングステージ21上に搬送することが可能となる。このため、ボンディングステージ21上にリード電極31a、31bの形成領域が留まっている時間に依存することなく、半導体チップ32の熱膨張に対応させてリード電極31a、31bの形成領域を熱膨張させた状態で、半導体チップ32をテープ基板27上にボンディングすることが可能となる。
【0037】
この結果、テープ基板27の製品ピッチが異なる場合においても、半導体チップ32をテープ基板27上に精度よく実装することが可能となる。また、ボンディングステージ21の上流側にヒートブロック22を設けることにより、ボンディングステージ21を改造することなく、半導体チップ32の熱膨張に対応させてリード電極31a、31bの形成領域を熱膨張させることができ、ボンディングステージ21のコストアップを伴うことなく、半導体チップ32をテープ基板27上に精度よく実装することが可能となる。
【0038】
なお、ヒートブロック22はボンディングステージ21に接触するように配置してもよい。これにより、ヒートブロック22にて熱膨張させられたテープ基板27をボンディングステージ21上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、トラブルなどの発生によりテープ基板27の搬送が途中で停止した場合においても、ボンディングステージ21に送られるテープ基板27の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るボンディング方法を示す断面図。
【図2】本発明の第2実施形態に係るボンディング方法を示す断面図。
【符号の説明】
1、21 ボンディングステージ、2 延伸部、3a、3b、23a、23b吸引孔、4、6、24、26 加熱制御部、5、25 ボンディングヘッド、7、27 テープ基板、8a、8b、11a、11b、14a、14b、28a、28b、31a、31b、34a、34b リード電極、9、12、29、32 半導体チップ、10a、10b、13a、13b、30a、30b、33a、33b 突出電極、22 ヒートブロック
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、COF(チップ・オン・フィルム)におけるFDB(フェイス・ダウン・ボンディング)に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、熱圧着によりフレキシブル基板上に半導体チップを実装する方法がある。
【0003】
【特許文献1】
特開平6−13148号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱圧着によりフレキシブル基板上に半導体チップを実装する場合、フレキシブル基板および半導体チップに熱膨張が発生する。そして、フレキシブル基板と半導体チップとの間で熱膨張量が異なる場合、フレキシブル基板上に半導体チップをボンディングすると、ボンディング位置精度が劣化するという問題があった。
【0005】
そこで、本発明の目的は、熱膨張によるボンディング位置精度の劣化を抑制することが半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、回路基板を保持するボンディングステージと、前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、前記回路基板を搬送する搬送手段と、前記回路基板の搬送方向の上流側に前記ボンディングステージが延伸された延伸部と、前記ボンディングステージおよび前記延伸部の加熱制御を行う第1加熱制御手段と、前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする。
【0007】
これにより、ボンディングステージの上流側で回路基板を予め加熱することが可能となり、ボンディングステージ上に回路基板が搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0008】
また、搬送方向の上流側にボンディングステージを延伸させることにより、熱膨張させられた回路基板をボンディングステージ上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、回路基板がボンディングステージに送られる途中に搬送が停止した場合においても、ボンディングステージに送られる回路基板の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0009】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記第1加熱制御手段は、前記ボンディングヘッドにより加熱される半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が前記回路基板に発生するように、前記延伸部の加熱制御を行うことを特徴とする。
これにより、半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張を回路基板に発生させることが可能となり、ボンディングヘッドを介して半導体チップを加熱しながら回路基板上に半導体チップをボンディングする場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、回路基板を保持するボンディングステージと、前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、前記回路基板を搬送する搬送手段と、前記ボンディングステージに送られる回路基板の予備加熱を行う予備加熱手段と、前記ボンディングステージの加熱制御を行う第1加熱制御手段と、前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、半導体チップのボンディングが行われる前に回路基板を予め加熱することが可能となり、回路基板がボンディングステージ上に搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、ボンディングステージ上における回路基板の滞留時間が異なる場合においても、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、回路基板の製品ピッチが異なる場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させてから、前記半導体チップを前記回路基板に実装することを特徴とする。
これにより、半導体チップを回路基板上に実装する際に半導体チップの加熱が行われる場合においても、半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させることが可能となり、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0013】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、回路基板を予備加熱する工程と、前記予備加熱された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする。
これにより、半導体チップのボンディングが行われる前に回路基板を予め加熱してから、回路基板をボンディングステージ上に搬送することが可能となり、回路基板がボンディングステージ上に搬送される際に、回路基板を予め熱膨張させることが可能となる。このため、半導体チップの熱膨張に対応させて回路基板を熱膨張させてから、半導体チップを回路基板上にボンディングすることが可能となり、半導体チップを回路基板上の実装する際に半導体チップの加熱が行われる場合においても、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0014】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が回路基板に発生するように温度設定されたヒートブロック上に回路基板を搬送する工程と、前記ヒートブロック上に搬送された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に前記半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする。
【0015】
これにより、回路基板の下流側にて半導体チップのボンディングを行いながら、回路基板の上流側にて半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させることが可能となる。このため、ボンディングステージ上における半導体チップの搬送タクトを考慮することなく、半導体チップの熱膨張量と回路基板の熱膨張量とを一致させることが可能となり、搬送効率の劣化を抑制しつつ、半導体チップを回路基板上に精度よく実装することが可能となる。
【0016】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ヒートブロックは、前記ボンディングステージの上流側に一体的に形成されていることを特徴とする。
これにより、ヒートブロックにて熱膨張させられた回路基板をボンディングステージ上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、回路基板がボンディングステージに送られる途中に搬送が停止した場合においても、ボンディングステージに送られる回路基板の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るボンディング装置およびボンディング方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るボンディング方法を示す断面図である。
図1において、ボンディングステージ1には、テープ基板7を吸着する吸引孔3a、3bが設けられるとともに、テープ基板7の搬送方向の上流側には、ボンディングステージ1が延伸された延伸部2が設けられている。また、ボンディングステージ1の上方には、半導体チップ9、12を吸着保持しながら、半導体チップ9、12をテープ基板7上に配置するボンディングヘッド5が設けられている。
【0018】
ここで、半導体チップ9、12には、突出電極10a、10b、13a、13bがそれぞれ設けられ、テープ基板7上には、リード電極8a、8b、11a、11b、14a、14bが形成されている。
また、ボンディング装置には、ボンディングステージ1および延伸部2の加熱制御を行う加熱制御部4が設けられるとともに、ボンディングヘッド5の加熱制御を行う加熱制御部6が設けられている。
【0019】
ここで、今回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極8a、8bが形成され、次回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極11a、11bが形成され、次々回ボンディングされるテープ基板7の回路ブロックにはリード電極14a、14bが形成されているものとする。
そして、図1(a)に示すように、今回ボンディングされるリード電極8a、8bの形成領域がボンディングステージ1上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域が延伸部2上に搬送される。そして、吸引孔3a、3bを介してテープ基板7の吸引が行われながら、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ9が今回ボンディングされるリード電極8a、8bの形成領域上に配置され、半導体チップ9に設けられた突出電極10a、10bがリード電極8a、8bに接合される。
【0020】
ここで、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ9はボンディングヘッド5を介して加熱される。また、ボンディングステージ1上に搬送されたリード電極8a、8bの形成領域は、ボンディングステージ1を介して加熱され、ボンディングステージ1の延伸部2上に搬送されたリード電極11a、11bの形成領域は、ボンディングステージ1の延伸部2を介して加熱される。
【0021】
ここで、ボンディングステージ1および延伸部2の温度は、ボンディングヘッド1により加熱される半導体チップ9の熱膨張量に対応した熱膨張がテープ基板7に発生するように設定することができる。例えば、ボンディングヘッド5の温度は465℃程度、ボンディングステージ1および延伸部2の温度は115±15℃程度に設定することができる。
【0022】
そして、半導体チップ9に設けられた突出電極10a、10bがリード電極8a、8bに接合されると、テープ基板7が搬送される。そして、図1(b)に示すように、今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域がボンディングステージ1上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極14a、14bの形成領域が延伸部2上に搬送される。
【0023】
そして、図1(c)に示すように、吸引孔3a、3bを介してテープ基板7の吸引が行われながら、ボンディングヘッド5により吸着保持された半導体チップ12が今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域上に配置され、半導体チップ12に設けられた突出電極13a、13bがリード電極11a、11bに接合される。
【0024】
ここで、今回ボンディングされるリード電極11a、11bの形成領域は、ボンディングステージ1上に搬送される前に延伸部2にて加熱され、半導体チップ12の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極11a、11bの形成領域に予め発生させてから、リード電極11a、11bの形成領域をボンディングステージ1上に搬送することが可能となる。このため、ボンディングステージ1上にリード電極11a、11bの形成領域が留まっている時間に依存することなく、半導体チップ12の熱膨張に対応させてリード電極11a、11bの形成領域を熱膨張させた状態で、半導体チップ12をテープ基板7上にボンディングすることが可能となり、半導体チップ12をテープ基板7上に精度よく実装することが可能となる。
【0025】
また、テープ基板7の搬送方向の上流側にボンディングステージ1を延伸させることにより、熱膨張させられたテープ基板7をボンディングステージ1上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、トラブルなどの発生によりテープ基板7の搬送が途中で停止した場合においても、ボンディングステージ1に送られるテープ基板7の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【0026】
なお、突出電極10a、10b、13a、13bとしては、例えば、Auバンプ、Au/Niバンプ、半田材などで被覆されたCuバンプやNiバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、リード電極8a、8b、11a、11b、14a、14bとしては、例えば、銅Cu、鉄Fe、金Au、銀Ag、半田材で被覆された銅Cu、金Auで被覆された銅Cuなどを用いることができる。
【0027】
また、突出電極10a、10b、13a、13bをリード電極8a、8b、11a、11bにそれぞれ接合する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ACF(Anisotropic Conductive Film)接合、NCF(Nonconductive Film)接合、ACP(Anisotropic Conductive Paste)接合、NCP(Nonconductive Paste)接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、COF(チップ・オン・フィルム)を例にとって説明したが、TCP(テープ・キャリア、パッケージ)、COG(チップ・オン・グラス)、TCM(テープキャリアモジュール)などに適用するようにしてもよい。
【0028】
図2は、本発明の第2実施形態に係るボンディング方法を示す断面図である。
図2において、ボンディングステージ21には、テープ基板27を吸着する吸引孔23a、23bが設けられるとともに、テープ基板27の搬送方向の上流側には、テープ基板27を予備加熱するヒートブロック22が設けられている。また、ボンディングステージ21の上方には、半導体チップ29、32を吸着保持しながら、半導体チップ29、32をテープ基板27上に配置するボンディングヘッド25が設けられている。
【0029】
ここで、半導体チップ29、32には、突出電極30a、30b、33a、33bがそれぞれ設けられ、テープ基板27上には、リード電極28a、28b、31a、31b、34a、34bが形成されている。
また、ボンディング装置には、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の加熱制御をそれぞれ行う加熱制御部24a、24bが設けられるとともに、ボンディングヘッド25の加熱制御を行う加熱制御部26が設けられている。
【0030】
ここで、今回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極28a、28bが形成され、次回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極31a、31bが形成され、次々回ボンディングされるテープ基板27の回路ブロックにはリード電極34a、34bが形成されているものとする。
【0031】
そして、図2(a)に示すように、今回ボンディングされるリード電極28a、28bの形成領域がボンディングステージ21上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域が延伸部22上に搬送される。そして、吸引孔23a、23bを介してテープ基板27の吸引が行われながら、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ29が今回ボンディングされるリード電極28a、28bの形成領域上に配置され、半導体チップ29に設けられた突出電極30a、30bがリード電極28a、28bに接合される。
【0032】
ここで、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ29はボンディングヘッド25を介して加熱される。また、ボンディングステージ21上に搬送されたリード電極28a、28bの形成領域は、ボンディングステージ21を介して加熱され、ヒートブロック22上に搬送されたリード電極31a、31bの形成領域は、ヒートブロック22を介して加熱される。
【0033】
ここで、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の温度は、ボンディングヘッド21により加熱される半導体チップ29の熱膨張量に対応した熱膨張がテープ基板27に発生するように設定することができる。例えば、ボンディングヘッド25の温度は465℃程度、ボンディングステージ21およびヒートブロック22の温度は115±15℃程度に設定することができる。
【0034】
そして、半導体チップ29に設けられた突出電極30a、30bがリード電極28a、28bに接合されると、テープ基板27が搬送される。そして、図2(b)に示すように、今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域がボンディングステージ21上に搬送されるとともに、次回ボンディングされるリード電極34a、34bの形成領域がヒートブロック22上に搬送される。
【0035】
そして、図2(c)に示すように、吸引孔23a、23bを介してテープ基板27の吸引が行われながら、ボンディングヘッド25により吸着保持された半導体チップ32が今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域上に配置され、半導体チップ32に設けられた突出電極33a、33bがリード電極31a、31bに接合される。
【0036】
ここで、今回ボンディングされるリード電極31a、31bの形成領域は、ボンディングステージ21上に搬送される前にヒートブロック22にて加熱され、半導体チップ32の熱膨張量に対応した熱膨張をリード電極31a、31bの形成領域に予め発生させてから、リード電極31a、31bの形成領域をボンディングステージ21上に搬送することが可能となる。このため、ボンディングステージ21上にリード電極31a、31bの形成領域が留まっている時間に依存することなく、半導体チップ32の熱膨張に対応させてリード電極31a、31bの形成領域を熱膨張させた状態で、半導体チップ32をテープ基板27上にボンディングすることが可能となる。
【0037】
この結果、テープ基板27の製品ピッチが異なる場合においても、半導体チップ32をテープ基板27上に精度よく実装することが可能となる。また、ボンディングステージ21の上流側にヒートブロック22を設けることにより、ボンディングステージ21を改造することなく、半導体チップ32の熱膨張に対応させてリード電極31a、31bの形成領域を熱膨張させることができ、ボンディングステージ21のコストアップを伴うことなく、半導体チップ32をテープ基板27上に精度よく実装することが可能となる。
【0038】
なお、ヒートブロック22はボンディングステージ21に接触するように配置してもよい。これにより、ヒートブロック22にて熱膨張させられたテープ基板27をボンディングステージ21上に間隔を空けることなく搬送することが可能となる。このため、トラブルなどの発生によりテープ基板27の搬送が途中で停止した場合においても、ボンディングステージ21に送られるテープ基板27の熱膨張状態を維持することが可能となり、ボンディング位置精度の劣化を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るボンディング方法を示す断面図。
【図2】本発明の第2実施形態に係るボンディング方法を示す断面図。
【符号の説明】
1、21 ボンディングステージ、2 延伸部、3a、3b、23a、23b吸引孔、4、6、24、26 加熱制御部、5、25 ボンディングヘッド、7、27 テープ基板、8a、8b、11a、11b、14a、14b、28a、28b、31a、31b、34a、34b リード電極、9、12、29、32 半導体チップ、10a、10b、13a、13b、30a、30b、33a、33b 突出電極、22 ヒートブロック
Claims (7)
- 回路基板を保持するボンディングステージと、
前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、
前記回路基板を搬送する搬送手段と、
前記回路基板の搬送方向の上流側に前記ボンディングステージが延伸された延伸部と、
前記ボンディングステージおよび前記延伸部の加熱制御を行う第1加熱制御手段と、
前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第1加熱制御手段は、前記ボンディングヘッドにより加熱される半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が前記回路基板に発生するように、前記延伸部の加熱制御を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 回路基板を保持するボンディングステージと、
前記回路基板上に半導体チップを配置するボンディングヘッドと、
前記回路基板を搬送する搬送手段と、
前記ボンディングステージに送られる回路基板の予備加熱を行う予備加熱手段と、
前記ボンディングステージの加熱制御を行う第1加熱制御手段と、
前記ボンディングヘッドの加熱制御を行う第2加熱制御手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 半導体チップの熱膨張量に対応させて回路基板を熱膨張させてから、前記半導体チップを前記回路基板に実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 回路基板を予備加熱する工程と、
前記予備加熱された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、
前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップの熱膨張量に対応した熱膨張が回路基板に発生するように温度設定されたヒートブロック上に回路基板を搬送する工程と、
前記ヒートブロック上に搬送された回路基板をボンディングステージ上に搬送する工程と、
前記ボンディングステージ上に搬送された回路基板上に前記半導体チップをボンディングする工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ヒートブロックは、前記ボンディングステージの上流側に一体的に形成されていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011209353A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | Fpdモジュールの組立装置 |
JP2017195287A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品圧着装置及び部品圧着方法 |
WO2022024580A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6000626B2 (ja) | 2012-05-01 | 2016-10-05 | 新光電気工業株式会社 | 電子装置の製造方法及び電子部品搭載装置 |
KR101981173B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2019-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 본딩 장치 및 그 방법 |
KR101679953B1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-11-28 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 본딩장치 및 본딩방법 |
CN105810629B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 支撑台、芯片绑定方法及装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6730541B2 (en) * | 1997-11-20 | 2004-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Wafer-scale assembly of chip-size packages |
JP4190611B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2008-12-03 | パナソニック株式会社 | 部品装着方法、及び部品装着装置 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003163828A patent/JP2005005304A/ja not_active Withdrawn
-
2004
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011209353A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | Fpdモジュールの組立装置 |
JP2017195287A (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品圧着装置及び部品圧着方法 |
WO2022024580A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法 |
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