JP2004536924A - シロキサン樹脂 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 128
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 128
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 63
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 10
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 6
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 53
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229920006009 resin backbone Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- KUMPBPKDBIHFIG-UHFFFAOYSA-N 2-[diamino-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]oxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](N)(N)OC(C)(C)C KUMPBPKDBIHFIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000003104 hexanoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000000413 hydrolysate Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003774 valeryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxysilane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH3] BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N [C].[N].[Si] Chemical compound [C].[N].[Si] DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBMXAAKAFOKSPA-UHFFFAOYSA-N [N].[O].[Si] Chemical compound [N].[O].[Si] UBMXAAKAFOKSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WLIGPBOVYTVHKD-UHFFFAOYSA-N dihydroxy-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](O)(O)OC(C)(C)C WLIGPBOVYTVHKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- GQUUKQQWGMHLQK-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl diethyl silicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C GQUUKQQWGMHLQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGHXHELPFKLYNJ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl dimethyl silicate Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC)(OC)OC(C)(C)C YGHXHELPFKLYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)C(O)=O GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【0001】
[発明の技術分野]
本発明は、R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位を含むシロキサン樹脂組成物(ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され;R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、bは1〜3である)に関する。本発明は、さらに前記シロキサン樹脂組成物から製造された不溶性多孔質樹脂及び不溶性多孔質コーティングに関する。
【背景技術】
【0002】
[発明の背景技術]
半導体デバイスは、集積回路(IC)を形成する個々の回路要素を電気的に結合するために供給するパターン相互接続レベルの1以上の配列をしばしば有する。相互接続レベルは、絶縁又は誘電体コーティングによって典型的に分けられる。以前に、化学的気相成長法(CVD)又はプラズマ増強技術(PECVD)を使用することで形成された酸化ケイ素コーティングは、そのような誘電体コーティングのための最も一般に使用されている材料であった。しかしながら、回路要素のサイズ及びそのような要素間の間隔が減少するにつれ、そのような酸化ケイ素コーティングの比較的高い誘電率(すなわち、約4)は、十分な電気絶縁体を提供するのに不十分となっている。
【0003】
酸化ケイ素の誘電率よりも低い誘電率を提供するために、シロキサンベースの樹脂から形成された誘電体コーティングが、使用を見出した。そのようなコーティングの例は、Collins等による米国特許第3615272号及びHaluska等による米国特許第4756977号中の実施例に関して記載されているように、水素シルセスキオキサン樹脂から形成されたものである。そのようなコーティングは、CVD又はPECVD酸化ケイ素コーティングよりも低い誘電率を提供し、また他の利益(すなわち、増加したギャップ充填及び表面平坦化)を提供するのに、典型的に、そのようなコーティングの誘電率は、おおよそ3以上に限定される。
【0004】
低い電力消費、クロストーク及び信号遅延を持つICが要求される場合、絶縁コーティングの誘電率が重要な要因であることは、よく知られている。IC寸法が縮小し続けるにつれ、この要因は重要性を増加する。その結果、3以下の誘電率を持つ電気絶縁コーティングを提供し得るシロキサンベースの樹脂材料及びそのような材料を作製する方法が望ましい。加えて、クラッキングに対する高抵抗を有するコーティングを提供するシロキサンベースの樹脂及びそのような樹脂を作製する方法を有することが望ましい。また、そのようなシロキサンベースの樹脂に関して、標準加工技術(すなわちスピンコーティング)によってコーティングを提供することが望ましい。固体コーティングの誘電率は、コーティング材料の密度の減少と共に減少することが知られている。多孔質コーティングは典型的に、対応する固体コーティングよりも低い密度を有する。
【0005】
Haluska(米国特許第5446088号)は、コーティングの形成に有用な共加水分解物(co-hydrolysate)を形成するために、式HSi(OR)3及びSi(OR)4のシランを共加水分解(co-hydrolyzing)する方法を述べている。R基は、酸素原子を通してケイ素に結合する時に、加水分解性置換基を形成する1〜20の炭素原子を含有する有機基である。特に好ましい加水分解性基は、メトキシ及びエトキシである。水での加水分解は、極性溶媒を含有する酸性化酸素の中で実行される。溶媒中の共加水分解物が基板に適用され、溶媒を蒸発し、コーティングを50〜1000℃まで加熱し、シリカにコーティングを転換する。Haluskaは、分枝アルコキシ基を有するシランを開示していない。
【0006】
Chung等(米国特許第6231989号)は、多孔質コーティングを、水素シルセスキオキサン樹脂から形成する方法を述べている。多孔質ネットワークは、水素シルセスキオキサン樹脂及び溶媒を含む溶液を用いて、基板上にコーティングを沈着することによって形成され、幾分その中で、少なくとも5容量%の溶媒が、沈着後にコーティング中に残る。コーティングは、次に塩基性触媒及び水を含む環境にさらされる;溶媒はコーティングから蒸発させられ、約1.5〜2.4の範囲の誘電率を持つ多孔質ネットワークを形成する。
【0007】
Smith等(国際公開第98/49721号)は、ナノ多孔質誘電体コーティングを基板上に形成するプロセスを述べている。そのプロセスは、アルコキシシランと溶媒組成物及び任意の水とを混合する段階と、溶媒の少なくとも一部を蒸発する間に、その混合物を基板上へ沈着する段階と、封止チャンバーにその基板を配置し、大気圧以下の圧力にチャンバーを排気する段階と、大気圧以下の圧力でその基板を水蒸気にさらし、次いでその基板を塩基蒸気にさらす段階と、を含む。
【0008】
Mikoshiba等(米国特許第6022814号)は、250℃〜樹脂のガラス転移点までの範囲に及ぶ温度で除去される有機置換基を有する水素又はメチルシロキサンベースの樹脂から、酸化ケイ素フィルムを基板上に形成するプロセスを述べている。報告された酸化ケイ素フィルム特性は、0.8〜1.4g/cm3の密度、1〜3nmの平均孔径、600〜1,500m2/gの表面積及び2.0〜3.0の範囲の誘電率を含む。開示された250℃以上の温度で酸化され得る有用な有機置換基は、3,3,3−トリフルオロプロピル、βーフェネチル基、t−ブチル基、2−シアノエチル基、ベンジル基及びビニル基によって例示された置換及び無置換のアルキル又はアルコキシ基を含む。
【0009】
Mikoskiba等(J. Mat. Chem., 1999, 9, 591-598)は、コーティングの密度及び誘電率を減少するために、メチルシルセスキオキサンコーティングにおいてオングストロームサイズの孔を作る方法を報告している。メチル(トリシロキシシリル)単位及びアルキル(トリシロキシシリル単位を持つコポリマーは、基板上にスピンコートされ、そして250℃で加熱され、堅いシロキサン基質を提供する。そのコーティングは、その後450℃〜500℃で加熱されて熱的不安定な基を除去し、置換基のサイズに相当する孔が残り、約2.3の誘電率を有する。トリフルオロプロピル、シアノエチル、フェニルエチル及びプロピル基が、熱的不安定な置換基として検討された。
【0010】
Ito等(特開平5−333553)は、プロトン受容体の存在下、ジアセトキシジ(ターシャリーブトキシ)シランの加水分解によって、アルコキシ及びシラノール官能性を含有するシロキサン樹脂の調製を述べている。その樹脂は、光酸(photo acid)の存在下、二次熱処理(subsequent thermal processing)で放射線硬化され、SiO2のようなコーティングを形成し、IC製作のためのフォトレジスト材料として使用され得る。
【0011】
シロキサン樹脂中への分枝アルコキシ基(SiOR2)(ここで、R2は3〜30の炭素原子を有するアルキル基である)の取り込みは、いくつかの利益、すなわち硬化樹脂の改良した貯蔵安定性、増加した引張応力及び増加した空隙率を提供するのに、2.1〜3.0の範囲の誘電率を維持する。それゆえに、本発明の目的は、改良した貯蔵安定性を有するシロキサン樹脂組成物を示すことにある。本発明の目的はまた、シロキサン樹脂を作製する方法及びこれらの樹脂を硬化する方法を示し、2.1〜3.0の範囲の誘電率、2〜40容量%の範囲の空隙率及び1.9〜20GPaの範囲の弾性率(modulus)樹脂及び不溶性多孔質コーティングを製造する。これらの不溶性多孔質コーティングは、伝統的な薄いフィルム処理を使用することによって形成され得る利益を有する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0012】
[発明の概要]
本発明は、R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位を含むシロキサン樹脂組成物(ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され;R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、bは1〜3である)に関する。前記シロキサン樹脂組成は、1:99〜99:1のR1SiO3/2単位と(R2O)bSiO(4−b)/2単位の平均モル比を含有する。R1SiO3/2単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2単位の合計は、前記樹脂組成物における全シロキサン単位の少なくとも50%である。
【0013】
本発明はまた、式R1SiX3のシラン又はシランの混合物(ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択される)及び式(R2O)cSiX(4−c)のシラン又はシランの混合物(ここで、R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、cは1〜3であり、Xは加水分解性基又はヒドロキシ基である)を反応することによりシロキサン樹脂を作製する方法に関する。
【0014】
本発明はさらに、不溶性多孔質樹脂を形成する方法及び不溶性多孔質コーティングを基板上に形成する方法に関する。その不溶性多孔質コーティングの誘電率は、2.1〜3の範囲である。不溶性多孔質樹脂及び不溶性多孔質コーティングの空隙率は、2〜40容量%の範囲に及ぶ。不溶性多孔質コーティングは、1.9〜20GPの範囲の引張張力を有する。
【0015】
[本発明の詳細な説明]
シロキサン樹脂組成物は、R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位を含む。ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択され、R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、bは1〜3である。
シロキサン樹脂は、1:99〜99:1のR1SiO3/2単位と(R2O)bSiO(4−b)/2単位のモル比を含有する。R1SiO3/2単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2単位の合計は、樹脂組成物における全シロキサン単位の少なくとも50%である。
【0016】
シロキサン樹脂の構造は、特に限定されることはない。シロキサン樹脂は、本質的に完全に縮合されていても、単に部分的に反応されていてもよい(すなわち、10モル%未満のSi−OR及び/又は30モル%未満のSi−OHを含有する)。部分的に反応されたシロキサン樹脂は、R1Si(X)dO(3−d/2)及びSi(X)d(OR2)fO(4−d−f/2)(ここで、R1及びR2は上記で定義され、各Xは独立して加水分解性基又はヒドロキシル基であり、d及びfは1〜2である)の様なシロキサン単位によって例示されるが、これに限定されない。加水分解性基は、ケイ素に結合したアルコキシ基又はケイ素に結合したアシロキシ基を形成する酸素原子を通してケイ素原子に接続した有機基(Si−OR)である。Rは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルのような1〜6の炭素原子を有する直鎖アルキル基、及びホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル又はヘキサノイルのような1〜6の炭素原子を有するアシル基によって例示されるが、これに限定されない。
【0017】
シロキサン樹脂は、5,000〜150,000の範囲、好ましくは10,000〜50,000の範囲の重量平均分子量を有する。
【0018】
R1は、1〜5の炭素原子を有する直鎖アルキル基であり得る。アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル及びペンチルによって例示されるが、これに限定されない。R1がメチルであることが好ましい。
【0019】
R2は、3〜30の炭素原子を有する置換又は無置換分枝アルキル基である。置換分枝アルキル基は、炭素に結合した水素原子(C−H)の代わりに、置換基と置換され得る。置換されたR2基は、塩素及びフッ素のようなハロゲン、式−(CH2)aC(O)O(CH2)bCH3により記述されるようなアルコキシカルボニル、式−(CH2)aO(CH2)bCH3により記述されるようなアルコキシ置換、及び式−(CH2)aC(O)(CH2)bCH3により記述されるようなカルボニル置換(ここでa≧0及びb≧0である)によって例示されるが、これに限定されない。無置換R2基は、イソプロピル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert−ペンチル、2−メチルブチル、2−メチルペンチル、2−メチルヘキシル、2−エチルブチル、2−エチルペンチル、2−エチルヘキシル等によって例示されるが、これに限定されない。好ましいR2は、4〜18の炭素原子を有するターシャリーアルキルであり、より好ましいR2は、t−ブチルである。
【0020】
シロキサン樹脂の調製方法は、シロキサン樹脂の形成をもたらすのに十分な時間及び温度で、
(a)式R1SiX3のシラン又はシランの混合物(ここで、各R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Xは独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である)と、
(b)式(R2O)cSiX(4−c)のシラン又はシランの混合物(ここで、R2は上記で述べられたように、3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、cは1〜3であり、Xは加水分解性基又はヒドロキシ基である)と、
(c)水と、
を組合せることを含む。
【0021】
シラン(a)は、式R1SiX3のシラン又はシランの混合物である。ここで、各R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択される。R1はメチルであることが好ましい。Xは、加水分解性基又はヒドロキシ基である。「加水分解性基」とは、80モル%より大きいXが、シロキサン樹脂の形成をもたらすための反応の条件下で、水と反応する(加水分解する)ことを意味する。ヒドロキシ基は縮合基であり、少なくとも70モル%は、異なるケイ素原子に結合した他のX基と反応し、縮合してシロキサン結合(Si−O−Si)を形成する。加水分解性基は、ケイ素に結合したアルコキシ基又はケイ素に結合したアシロキシ基を形成する酸素原子を通してケイ素原子に付いたアミノ基又は有機基である。Xがアミノの場合、生じるシロキサン樹脂が30モル%を超えるSiOHを含有することがあるので、30モル%未満で典型的に使用される。Rは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルのような1〜6の炭素原子を有する直鎖アルキル基、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル又はヘキサノイルのような1〜6の炭素原子を有するアシル基によって例示されるが、これに限定されない。シランは、その容易な入手可能性の観点から、メチルトリメトキシシラン又はメチルトリエトキシシランであることが好ましい。
【0022】
シラン(b)は、式(R2O)cSiX(4−c)のシラン又はシランの混合物である。ここで、R2は上記で述べられたように、3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、cは1〜3であり、Xは上記で述べられたように独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である。シラン(b)は、その容易な入手可能性の観点から、ジ−t−ブトキシジヒドロキシシラン、ジ−t−ブトキシジメトキシシラン、ジ−t−ブトキシジエトキシシラン、ジ−t−ブトキシジアミノシラン及びジ−t−ブトキシジアセトキシシランであることが好ましい。シラン(a)及びシラン(b)は、1:99〜99:1のシラン(a)とシラン(b)のモル比で存在する。シラン(a)及びシラン(b)は、40:60〜98:2のシラン(a)とシラン(b)のモル比で存在することが好ましく、50:50〜85:15のシラン(a)とシラン(b)のモル比で存在することがより好ましい。
【0023】
水は、加水分解性基Xの加水分解をもたらす量が存在する。典型的に、水は、シラン(a)及び(b)における1モルのXあたり、0.5〜2.0モルの水が存在し、好ましくは、水は、シラン(a)及び(b)における1モルのXあたり、0.8〜1.2モルである。
【0024】
シロキサンの形成をもたらすための反応は、溶媒有無の液体状態で実行され得る。もし溶媒が使用されるなら、加水分解/縮合に関係するかもしれない官能基を含有しない及びシラン(a)及び(b)のための溶媒であるどんな適当な有機溶媒も含むことができる。溶媒は、n−ペンタン、ヘキサン、n−ヘプタン、イソオクタン及びドデカンのような飽和脂肪族;シクロペンタン及びシクロヘキサンのような環状脂肪族;ベンゼン、トルエン、キシレン及びメシチレンのような芳香族;テトラヒドロフラン(THF)及びジオキサンのような環状エステル;メチルイソブチルケトン(MIBK)のようなケトン;トリクロロエタンのようなハロゲン置換アルカン;ブロモベンゼン及びクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族;及びメタノール、エタノール、プロパノール及びブタノールのようなアルコールによって例示されるが、これに限定されない。或いは、上記溶媒は、共溶媒として組み合わせて使用されてもよい。好ましい溶媒は、芳香族化合物及び環状エーテルであり、トルエン、メシチレン及びテトラヒドロフランが最も好まれる。溶媒が使用されるとき、溶媒及びシラン(a)及び(b)の全重量に対して、40〜95重量%の範囲内で一般的に使用される。より好ましいのは、全重量に対して、70〜90重量%である。
【0025】
加水分解性基(X)と水との間の接触がある限り、成分(a)、(b)、(c)及び任意に溶媒(もし存在するなら)を組み合わせることは、どんな順序で行われてもよく、反応はシロキサン樹脂の形成をもたらすまで続行してよい。一般的に、シランは溶媒に溶解され、次いで水がその溶液に加えられる。上記成分が組み合わされるとき、いくつかの反応が通常起こる。反応の速度及び広がりを増加するために、しかしながら、温度制御及び/又は撹拌のような種々の促進手段(measure)が利用される。
【0026】
シロキサン樹脂生成物の重大なゲル化又は硬化を起こさない限り、反応が実行される温度は重大ではない。一般的に、温度は20℃〜150℃の範囲にあり得、20℃〜100℃の温度が好ましい。Xがアセトキシのようなアシロキシ基であるとき、85℃以下で反応を行うことが好ましい。シロキサン樹脂を形成するための時間は、使用される特定のシラン、温度、及び反応のシロキサン樹脂生成物において望まれたR1とR2Oとのモル比のようないくつかの要因に依存するが、これに限定されない。典型的に、反応時間は、数分〜数時間である。調製されたシロキサン樹脂の分子量を増加するため、及びシロキサン樹脂の貯蔵安定性を改良するために、上記反応に続く又は上記反応の一部としての重量増加(bodying)段階を実行することが好ましい。
「重量増加(bodying)」とは、重量平均分子量における増加をもたらすために、反応が40℃から溶媒の還流温度までの加熱で、数時間にわたって行わることを意味する。加熱後のシロキサン樹脂が5,000〜150,000の範囲の重量平均分子量を有するように、反応混合物が加熱されることが好ましい。
【0027】
Xがアセトキシのようなアシロキシ基であるとき、酢酸のような対応する酸が反応の副生成物として生成される。酢酸の存在は、シロキサン樹脂生成物の安定性に不利に影響を及ぼすことがあるので、どんな酢酸も中和されることが望ましい。副生成物酢酸の中和は、反応物と中和剤の接触により、又は蒸留による除去によってもたらされ得る。蒸留は、トルエンのような溶媒の添加し(もし、すでに存在していないならば)、その溶媒との共沸混合物として、減圧及び加熱(すなわち50℃まで)下で酢酸を除去することによって、一般的に成し遂げられる。もし中和剤が使用されるなら、シロキサン樹脂生成物の転位を起こさないように、どんな残留酢酸及びまだ不十分な塩基性も中和するために、十分に塩基性でなければならない。適切な塩基の例は、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸アンモニウム、アンモニア、酸化カルシウム及び水酸化カルシウムを含む。中和は、粉末中和剤中において撹拌し、続いてろ過したり、又は該反応物や付加的溶媒を、流れを妨害しないサイズの微粒子中和剤の床(bed)上又はその床を通すような如何なる好適な手段によっても成し遂げられてよい。
【0028】
シロキサン樹脂は、溶媒を除去することにより形成する固体において回収されてもよい。溶媒除去の方法は重大ではなく、多数のアプローチが当該技術分野において公知である。例えば、真空及び加熱(すなわち50℃〜120℃)下、蒸留によって溶媒を除去することを含むプロセスが使用されてもよい。或いは、特定の溶媒においてシロキサン樹脂を有することが望まれるならば、第2溶媒を添加すること及び第1溶媒を蒸留することによって、溶媒交換が行われてもよい。シロキサン樹脂はまた、固体形状で貯蔵されてもよい。
【0029】
不溶性多孔質樹脂は、シロキサン樹脂の硬化及びR2O基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、シロキサン樹脂を加熱することによって得られてもよく、それによって不溶性多孔質樹脂を形成する。「硬化」とは、それからシロキサン樹脂が基板に沈着される溶媒又はシロキサン樹脂の適用に関して有用であるとして上記で叙述されたどんな溶媒にも本質的に不溶性であることを意味する。「除去」とは、ケイ素原子に結合した80モル%を超えるR2O基が、コーティングにおいてボイドを生じる揮発性炭化水素及び炭化水素断片として除去され、その結果、不溶性多孔質樹脂の形成を生じることを意味する。加熱は、単一段階プロセス又は二段階プロセスで行われてよい。二段階加熱プロセスにおいて、シロキサン樹脂は、R2O基の重要な除去なしに硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、最初に加熱される。一般的に、この温度は、数分〜数時間の間、20℃を超え、350℃以下の範囲にあり得る。それから、硬化シロキサン樹脂は、350℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又はR1SiO3/2単位のケイ素に結合したR1基の分解未満までの範囲内の時間及び温度の間(数分〜数時間)、さらに加熱され、ケイ素原子からR2O基の除去をもたらす。典型的に、除去段階は、350℃を超え、600℃以下の範囲の温度で行われる。除去段階は、350℃を超え、600℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、400℃〜500℃がより好ましい。最終的な不溶性多孔質樹脂における空隙率は、シロキサン樹脂におけるOR2のモル%及びシロキサン樹脂がどのように加熱されるかによって制御され得る。
【0030】
単一段階プロセスにおいて、シロキサン樹脂の硬化及びR2O基の除去が、20℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したR1基の分解未満までの範囲内の時間及び温度の間、加熱によって同時にもたらされ、硬化シロキサン樹脂からR2O基の除去をもたらす。一般的に、硬化/除去段階は、350℃を超え、600℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、400℃〜550℃の範囲の温度で行われることが最も好ましい。
【0031】
加熱は、不活性雰囲気で行われることが好ましいが、他の雰囲気が使用されてもよい。本明細書で有用な不活性雰囲気は、50ppm未満、好ましくは15ppm未満の酸素レベルを持つ窒素、ヘリウム及びアルゴンを含むが、これに限定されない。加熱はまた、真空から上記大気までのどんな有効な大気圧、及び空気、O2、酸素プラズマ、オゾン、アンモニア、アミン、湿気(moisture)、N2O、水素等を含むようなどんな有効な酸化又は非酸化ガス状環境下でも行われてよい。
【0032】
不溶性多孔質樹脂は、形状選択ガス又は液体浸透膜、触媒担体、バッテリーのようなエネルギー貯蔵装置、並びに分子分離及び単離のような制御可能な空隙率及び550℃までの高温安定性を持つ孔質材料として有用であり得る。用語「多孔質」とは、2〜40容量%の範囲の空隙率を有する不溶性多孔質樹脂を意味する。不溶性多孔質樹脂の引張応力は1.9〜20GPaに及ぶ。
【0033】
シロキサン樹脂は、
(A)R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位(ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、bは1〜3である)を含むシロキサン樹脂組成物を含むコーティング組成物で基板を被覆すること。前記シロキサン樹脂組成は、1:99〜99:1のR1SiO3/2単位と(R2O)bSiO(4−b)/2単位の平均モル比を含有する。R1SiO3/2単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2単位の合計は、前記樹脂組成物における全シロキサン単位の少なくとも50%である。;
(B)前記コーティング組成物の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板を加熱すること、及び
(C)前記硬化コーティング組成物からR2O基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板をさらに加熱し、それによって基板上に不溶性多孔質コーティングを形成すること、によって、不溶性多孔質コーティングを基板上に調製するために使用されてもよい。
【0034】
シロキサン樹脂は、溶媒分散として基板に典型的に適用される。使用されてもよい溶媒は、シロキサン樹脂を溶解又は分散し、その結果として生じるコーティング又は基板に影響を及ぼすことなく均一な液体混合物を形成するどんな試薬又は試薬の混合物を含む。溶媒は、一般的に、ヒドロキシルのような、シロキサン樹脂との反応に関係してもよい官能基を含有しないどんな有機溶媒でもあり得、シラン混合物と水との反応に関して上記で論じたものによって例示される。
【0035】
溶媒は、シロキサン樹脂を特定の適用のために望まれた濃度に溶解するのに十分な量存在する。典型的には、溶媒は、シロキサン樹脂及び溶媒の重量に対して、40〜95重量%、好ましくは70〜90重量%の量で存在する。もしシロキサン樹脂が上記で述べられた溶媒中に保持されるなら、溶媒は基板をコーティングすることに使用されてもよく、又はもし望まれるなら、第二溶媒を加えること及び第一溶媒を蒸留することにより、単純な溶媒交換が行われてもよい。
【0036】
基板へのシロキサン樹脂の適用に関する特定の方法は、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、フローコーティング、スクリーン印刷法等を含むが、これに限定されない。適用に関して好ましい方法は、スピンコーティングである。溶媒が使用されたとき、その溶媒は被覆された基板から蒸発され得、結果として基板上のシロキサン樹脂コーティングの沈着となる。周囲の環境にさらすことによる単純な空気乾燥、真空の適用若しくは加熱(50℃まで)によって、又は硬化プロセスの初期段階の間に、蒸発のための如何なる適切な手段が使用されてもよい。スピンコーティングが使用されたとき、スピニングが溶媒を追い払うので、付加的乾燥方法は最小限度にされる。
【0037】
基板への次の適用は、シロキサン樹脂コーティングが、シロキサン樹脂の硬化及びケイ素原子に結合したR2O基の除去をもたらすのに十分な温度で加熱され、それにより不溶性多孔質コーティングを形成する。「硬化コーティング」とは、コーティングが溶媒において本質的に不溶性であってから、シロキサン樹脂が基板又はシロキサン樹脂の適用に関して有用であるとして上記で叙述されたどんな溶媒の上にも沈着されることを意味する。「除去」とは、ケイ素原子に結合した80モル%を超えるR2O基が、コーティングにおいてボイドを生じる揮発性炭化水素及び炭化水素断片として除去され、その結果として、不溶性多孔質樹脂の形成を生じることを意味する。加熱は、単一段階プロセス又は二段階プロセスで行われてよい。二段階加熱プロセスにおいて、シロキサン樹脂は、R2O基の重要な除去なしに硬化をもたらすのに十分な温度で最初に加熱される。一般的に、この温度は、20℃を超え、350℃以下の範囲にあり得る。それから、硬化シロキサン樹脂コーティングは、350℃よりも大きく、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したR1基の分解未満までの範囲内の温度で、さらに加熱され、ケイ素原子からR2O基の除去をもたらす。典型的に、除去段階は、350℃を超え、800℃以下の範囲の温度で行われる。除去段階は、350℃を超え、600℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、400℃〜550℃の範囲の温度がより好ましい。硬化及び加熱段階の間、90モル%を超えるR1基は、一般的にシロキサン樹脂上に残る。
【0038】
単一段階プロセスにおいて、シロキサン樹脂の硬化及びR2O基の除去は、20℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したR1基の分解未満までの範囲内の温度での加熱によって同時にもたらされ、硬化コーティング組成物からR2O基の除去をもたらす。一般的に、硬化/除去段階は、350℃を超え、600℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、400℃〜550℃の範囲の温度が最も好ましい。
【0039】
加熱は、不活性雰囲気で行われることが好ましいが、他の雰囲気が使用されてもよい。本明細書で有用な不活性雰囲気は、50ppm未満、好ましくは15ppm未満の酸素レベルを持つ窒素、ヘリウム及びアルゴンを含むが、これに限定されない。加熱はまた、真空から上記大気までのどんな有効な大気圧、及び空気、O2、酸素プラズマ、オゾン、アンモニア、アミン、湿気(moisture)、N2O、水素等を含むようなどんな有効な酸化又は非酸化ガス状環境下で行われてもよい。
【0040】
石英管状炉、対流式オーブン、又は放射(radiant)若しくはマイクロ波エネルギーの使用のようなどんな加熱方法でも、本明細書において一般的に機能する。同様に、加熱の速度は、一般的に重要要因ではないが、できるだけ迅速に被覆された基板を加熱することが最も実用的であり、好ましい。
【0041】
本明細書において製造された不溶性多孔質コーティングは、どんな基板上に製造されてもよい。しかしながら、コーティングは、電子基板上が特に有用である。「電子基板」とは、焦点面アレイ、オプトエレクトロニクス素子(opto-electronic device)、光電池、光学デバイス、トランジスターのようなデバイス、3−Dデバイス、シリコンオンインシュレーターデバイス(silicon-on-insulator device)、超格子等を含む半導体部品の製品における使用を意図されるケイ素ベースデバイス及びガリウムヒ素ベースデバイスを含むことを意味する。
【0042】
上記方法により、薄い(5μm未満)不溶性多孔質コーティングが基板上に製造される。好ましくは、そのコーティングは0.3〜2.5μmの厚さを有し、0.5〜1.2μmの厚さであることがより好ましい。コーティングは、種々の基板の不規則な表面を平滑にし、優秀な付着特性を有する。
【0043】
付加的コーティングは、もし望まれるなら不溶性多孔質コーティング上に適用されてもよい。これらは、例えば、アモルファスSiC:H、ダイヤモンド、窒化ケイ素の沈着(すなわちPVD、PECVD等)から製造されるSiO2コーティング、ケイ素含有コーティング、ケイ素炭素含有コーティング、ケイ素窒素含有コーティング、ケイ素酸素窒素含有コーティング、ケイ素窒素炭素含有コーティング、及び/又はダイヤモンドのようなコーティングを含み得る。そのようなコーティングの適用方法は、当該技術分野において公知である。付加的コーティングを適用する方法は重大ではなく、そのようなコーティングは、熱化学的気相成長法(TCVD)、光化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法(PECVD)、電子サイクロトロン共鳴(ECR)及びジェット気相成長法のような化学的気相成長法技術によって典型的に適用される。付加的コーティングはまた、スパッタリング又は電子ビーム蒸発のような物理的気相成長法技術によって適用され得る。これらのプロセスは、所望の反応を引き起こすための蒸発種(vaporized species)への熱、プラズマ等の形態でのエネルギーの付加も、その沈着を引き起こすための固体サンプルの材料上へのエネルギーの集中も含む。
【0044】
この方法によって形成された不溶性多孔質コーティングは、集積回路であるような電子デバイス上のコーティングとして特に有用である。不溶性多孔質コーティングの誘電率は2.1〜3.0の範囲に及び、層間誘電体コーティングに関しては2.1〜2.5がより好ましい。用語「多孔質」とは、2〜40容量%の空隙率を有する不溶性コーティングを意味する。不溶性多孔質コーティングの引張応力は、1.9〜20GPaの範囲に及び、4〜13GPaの範囲がより好ましい。
【実施例】
【0045】
[実施例]
当業者が本発明をより容易に理解することができるように、次の限定されない実施例が提供される。実施例において、重量はグラム(g)として表される。分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーによって決定された重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)として報告される。シロキサン樹脂組成物の分析は、29Si核磁気共鳴(NMR)を使用することによって行われた。窒素吸着ポロシメトリー測定は、QuantaChrome Autosorb 1 MP装置を使用することによって行われた。硬化シロキサン樹脂は、サンプルセルの中に配置される前に細かい粉末に砕かれ、数時間脱気され、分析位置(station)の中に詰められた。表面積は、Brunauer-Emmett-Teller法によって決定された。全孔容量は、孔が吸着物質で満たされたという仮定条件を持つ単位に近い相対圧力(P/P0=0.995)で、孔中に吸着された蒸気の量から決定された。骨格(skeletal)密度は、ヘリウムガス比重計を使用することによって測定された。骨格密度は、測定において、どんな内部のボイド、クラック又は孔を除外するシロキサン樹脂固体構造の真の密度を表す。パーセント空隙率は、骨格密度及び全孔容量から計算された。屈折率(RI)及びコーティング厚さは、Woollam M-88 分光円二色計(Ellipsometer)を使用することによって測定された。
【0046】
次の実施例において、Meはメチルを示し、tBuはターシャリーブチルを示し、Acはアセトキシを示し、Etはエチルを示す。以下の表において、n.m.は、明記された特性が測定されなかったことを示す。
【0047】
[実施例1]
本実施例は、シロキサン樹脂組成物の形成を説明する。ここで、R1はMe、R2はt−ブチルである。10.00gの(HO)2Si(OtBu)2と6.44gのMeSi(OMe)3とを、アルゴン雰囲気下、フラスコにおいて、22.20gのTHFに添加した。1.75gの脱イオン水を、室温で反応混合物にそれからゆっくりと添加した。室温で1時間撹拌した後、反応混合物は加熱され、6時間還流した。溶媒を、ロータリーエバポレーターを使用することによって除去し、シロキサン樹脂を粘性オイルとして得た。そのオイルを、真空下、150℃で12時間加熱した;その温度は、200℃に上げられ、真空下でさらに5時間保持された。13,100のMw、4,900のMnを有する9.37gの収量の固体樹脂を得た。29Si NMRによって決定されたような組成は、(MeSiO3/2)0.36((ZO)SiO3/2)0.14((tBuO)bSiO4−b/2)0.5(ここで、ZO=OH又はOMeである)であった。
【0048】
[実施例2]
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例1で調製したシロキサン樹脂のサンプル(1.9744g)を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を<20mmHg(<2666Pa)に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、10℃/分の速度で450℃に加熱し、450℃で1時間保持した。硬化材料を、47.2重量%の収率(9319g)で得た。29Si NMRによって決定されたような組成は、(MeSiO3/2)0.47(SiO4/2)0.53であった。BET表面積は、584m2/gであり、孔容積は0.40cc/gであった。
【0049】
[実施例3]
本実施例は、シロキサン樹脂組成物の形成を説明する。ここで、R1はMeであり、R2はt−ブチルである。MeSi(OMe)3(A)、(H2N)2Si(OtBu)2(B)及びTHFを、表1に述べられた量で、アルゴン雰囲気下、フラスコに添加した。脱イオン水を、それからゆっくりとそのフラスコに添加して、その混合物を室温で1時間撹拌し、その混合物を65℃に加熱した。温度を、65℃で2時間維持し、それから室温に冷却した。揮発成分を、真空(1mmHg)下、室温でロータリーエバポレーターを使用することによって除去した。生成物をトルエンに溶解して共沸混合乾燥し、その溶液を30分間還流で保持し、冷却して0.45μmシリンジフィルターを通して濾過した。溶媒を25℃で真空(1mmHg)蒸発し、シロキサン樹脂を得た。シロキサン樹脂構造の分析及び分子量は、表2に示した。
【0050】
【表1】
【0051】
【表2】
【0052】
[実施例4]
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例3で調製された樹脂(2〜3g)を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を<20mmHg(<2666Pa)に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、10℃/分の速度で表3に示される温度に加熱し、温度を1時間保持した。熱分解温度、チャー(char)収率及び空隙率データを表3に示した。チャー収率は、明示された温度で分析された後に保持された重量%として表され、加熱の際のバルクシロキサン樹脂の収縮の測定である。
【0053】
【表3】
【0054】
[実施例5]
本実施例は、シロキサン樹脂組成物の形成を説明する。ここで、R1はMeであり、R2はt−ブチルである。MeSi(OMe)3(A)、(AcO)2Si(OtBu)2(B)及びTHFを、表4に述べられた量で、アルゴン雰囲気下、フラスコに添加した。脱イオン水を、それからゆっくりとそのフラスコに添加し、その混合物を室温で1時間撹拌した。75gのトルエンを反応混合物に添加した。溶媒を、ロータリーエバポレーターを使用することによって除去し、生成物を粘性オイルとして得、それを150gのトルエンにすぐに溶解した。残留酢酸を、トルエンとの共沸混合物として減圧下で除去した(共沸混合物沸点は38℃)。樹脂を110gのトルエンに再度溶解して共沸混合乾燥し、1時間還流した。その溶液をろ過し、溶媒が蒸発によって除去され、最終樹脂生成物を得た。樹脂合成の要約を表4に示した。樹脂に関する分子量情報を表5に示した。
【0055】
【表4】
【0056】
【表5】
【0057】
[実施例6]
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例5で調製された樹脂(2〜3g)を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を<20mmHg(<2666Pa)に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、10℃/分の速度で450℃に加熱し、450℃で1時間保持した。硬化シロキサン樹脂を、透明又はわずかに不透明な厚いフィルムとして得た。熱分解温度、チャー(char)収率及び空隙率データを表6に示した。チャー収率は、明示された温度で分析された後に保持された重量%として表した。
【0058】
【表6】
【0059】
[実施例7]
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例5で調製された樹脂(2〜3g)を、MIBKに溶解し、樹脂として25重量%を含有する透明な溶液を形成した。その溶液を、0.2μmシリンジメンブレンフィルターが後続する1.0μmシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を2000rpmで20秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を400℃、425℃又は450℃(50〜60℃/分)に加熱し、2時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温まで冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率(Dk)を表7に示した。
【0060】
【表7】
【0061】
[比較例1]
本比較例は、米国特許第6022814号により調製された(MeSiO3/2)h(CF3CH2CH2)SiO3/2)i樹脂の調製及びその樹脂からの薄いフィルムの形成を説明する。0.5gのトリフルオロプロピルトリメトキシシラン、9.5gのメチルトリエトキシシラン(methyltrethoxy silane)、10gのイソプロピルアルコール、3.4gのブタノール及び0.10gのシュウ酸二水和物(dihidrate)をフラスコ中で混合した。3.4gの水を、シリンジを通して反応フラスコにそれから添加した。24℃から30℃への温度において、わずかな増加を観察した。反応混合物を70℃に加熱し、70℃で2時間維持し、続いて室温まで冷却した。溶媒を真空下、35℃でそれから除去し、4.98gの生成物を得た。
【0062】
得られた生成物を、10gのブタノール及び2.56gのイソプロパノールに溶解し、溶液を形成した。溶液を、1500、2000及び3000rpmでスピンコーティングにより単結晶シリコンウェハーに適用し、結果として、発生し得るキャラクタリゼーションデータがない低品質フィルムを有するシリコンウェハーを生じた。そのフィルムは、ウェハーの全体表面上に分散された異なる大きさの多数の環状欠陥を含有していた。光学顕微鏡を使用することにより、これらの欠陥はまた、フィルムの表面以下でも存在していることが明らかとなった。
【0063】
調製された再被覆生成物の他のサンプルをMIBKに溶解し、25重量%の溶液を形成した。その溶液を、0.2μmシリンジメンブレンフィルターが後続する1.0μmシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を2000rpmで20秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を450℃(25℃/分)に加熱し、2時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温まで冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率を、表8に示した。
【0064】
【表8】
【0065】
(MeSiO3/2)h(CF3CH2CH2)SiO3/2)i樹脂から調製された薄いフィルムは、米国特許第6022814号において報告されたDkよりも大きなDkを有していた。弾性率は、本発明の不溶性多孔質コーティングの弾性率よりも、より低かった。
【0066】
[比較例2]
本比較例は、(MeSiO3/2)樹脂の形成及びその樹脂から作製される薄いフィルムの形成を説明する。2560g(140mol)の脱イオン水及び1536g(15.4mol)の(MIBK)を、フラスコに添加した。その混合物を、攪拌の間に−4℃に冷却した。512g(5.12mol)のMIBK及び817gのメチルトリクロロシラン(5.46mol)を、攪拌の間、4時間にわたって(5.5g/分)の速度でフラスコに添加した。添加の間に、温度が約8℃に増加した。添加が終了した後、2時間の期間の間に、温度は56℃に上昇し、さらに2時間、56℃で維持した。その反応溶液は56℃で透明であった。その溶液を30℃以下に冷却し、その時に相分離を観察した。HClを含有する水層を、フラスコにおける下バルブを通して排出した。シロキサン樹脂生成物を含有する溶媒層を、攪拌する間に1Lの脱イオン水で水洗し、水の除去に続いた。水洗段階を、水洗した水のpH値が約4になるまで4回繰り返した。MIBK溶媒、水及びどんな残留HClも、40℃でロータリーエバポレーターを使用することにより除去してシルセスキオキサン樹脂生成物を残し、トルエンにそれから溶解した。トルエンを、ロータリーエバポレーターを使用することにより除去した。シロキサン樹脂組成物を、真空下、一晩室温でさらに乾燥した。樹脂を、さらにキャラクタリゼーション及び薄いフィルム評価のために、冷蔵庫で保管した。得られた樹脂のGPC分析は、13,500のMw及び3,500のMnを示した。
【0067】
2〜3gのメチルシルセスキオキサン樹脂生成物をMIBKに溶解し、樹脂として25重量%を含有する透明溶液を形成した。その溶液を、0.2μmシリンジメンブレンフィルターが後続する1.0μmシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を2000rpmで20秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を450℃(25℃/分)に加熱し、2時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温に冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率を、表9に示した。
【0068】
【表9】
【0069】
本比較例は、(MeSiO3/2)樹脂から作製されたナノ孔の薄いフィルムが、本発明の薄いフィルムと同様の誘電率であるが、より低い弾性率(<2GPa)であることを説明する。
Claims (9)
- R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位を含むシロキサン樹脂組成物であって、R1が1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、R2が3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、bが1〜3であり、前記シロキサン樹脂が、1:99〜99:1のR1SiO3/2単位と(R2O)bSiO(4−b)/2単位のモル比を含有し、R1SiO3/2単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2単位の合計が、前記樹脂組成物における全シロキサン単位の少なくとも50%である当該組成物。
- R2がt−ブチルである請求項1に記載のシロキサン樹脂組成物。
- R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位(ここで、bは1〜3である)を含むシロキサン樹脂を調製する方法であって、
シロキサン樹脂の形成をもたらすのに十分な時間及び温度で、
(a)式R1SiX3のシラン又はシランの混合物(ここで、各R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Xは独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である)と、
(b)式(R2O)cSiX(4−c)のシラン又はシランの混合物(ここで、R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、cは1〜3であり、Xは加水分解性基又はヒドロキシ基であり、シラン(a)及びシラン(b)は1:99〜99:1のシラン(a)とシラン(b)のモル比で存在する)と、
(c)水と、
を組み合わせることを含む当該方法。 - R1がメチルであり、R2がt−ブチルである請求項3に記載の方法。
- 不溶性多孔質樹脂を形成する方法であって、
(A)シロキサン樹脂の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、請求項1又は請求項2のシロキサン樹脂を加熱すること、及び
(B)前記硬化シロキサン樹脂からR2O基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記シロキサン樹脂をさらに加熱し、それによって不溶性多孔質樹脂を形成すること、
を含む当該方法。 - 基板上に不溶性多孔質コーティングを形成する方法であって、
(A)R1SiO3/2シロキサン単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2シロキサン単位を含むシロキサン樹脂組成物を含むコーティング組成物で基板を被覆する段階(ここで、R1は1〜5の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、R2は3〜30の炭素原子を有する分枝アルキル基及び3〜30の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、bは1〜3であり、前記シロキサン樹脂組成は、1:99〜99:1のHSiO3/2単位と(R2O)bSiO(4−b)/2単位のモル比を含有し、R1SiO3/2単位及び(R2O)bSiO(4−b)/2単位の合計は、前記樹脂組成物における全シロキサン単位の少なくとも50%である)と、
(B)前記コーティング組成物の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板を加熱する段階と、
(C)前記硬化コーティング組成物からR2O基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板をさらに加熱し、それによって基板上に不溶性多孔質コーティングを形成する段階と、
を含む当該方法。 - 前記シロキサン樹脂の硬化及び前記硬化シロキサン樹脂からのR2O基の除去が、単一段階で行われる請求項5又は6に記載の方法。
- 不溶性多孔質樹脂が、2.1〜3.0の誘電率、2〜40容量%の空隙率及び1.9〜20GPaの弾性率を有する請求項5又は6に記載の方法。
- 請求項6の方法により調製された不溶性多孔質コーティングを有する電子基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/915,902 US6872456B2 (en) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | Siloxane resins |
PCT/US2002/023152 WO2003010246A1 (en) | 2001-07-26 | 2002-07-16 | Siloxane resins |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004536924A true JP2004536924A (ja) | 2004-12-09 |
JP2004536924A5 JP2004536924A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4411067B2 JP4411067B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=25436405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003515600A Expired - Fee Related JP4411067B2 (ja) | 2001-07-26 | 2002-07-16 | シロキサン樹脂 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6872456B2 (ja) |
EP (1) | EP1412434B1 (ja) |
JP (1) | JP4411067B2 (ja) |
KR (1) | KR20040023683A (ja) |
CN (1) | CN1535300A (ja) |
AT (1) | ATE399822T1 (ja) |
DE (1) | DE60227373D1 (ja) |
TW (1) | TW593548B (ja) |
WO (1) | WO2003010246A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7404990B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
US6940173B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Interconnect structures incorporating low-k dielectric barrier films |
TW200628981A (en) | 2004-09-29 | 2006-08-16 | Sumitomo Bakelite Co | Semiconductor device |
US8088547B2 (en) * | 2004-11-02 | 2012-01-03 | Dow Corning Corporation | Resist composition |
WO2008018981A2 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-14 | Dow Corning Corporation | Silicone resin and silicone composition |
TWI434891B (zh) * | 2007-02-22 | 2014-04-21 | Silecs Oy | 積體電路用高矽含量矽氧烷聚合物 |
KR101523393B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2015-05-27 | 이엠디 퍼포먼스 머티리얼스 코프. | 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물 |
DE102008000353A1 (de) * | 2008-02-20 | 2009-08-27 | Wacker Chemie Ag | Härtbare Polymerabmischungen |
US20100291475A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Chenghong Li | Silicone Coating Compositions |
US20110111239A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-12 | Hemant Dandekar | Sol-gel coating for steel and cast iron substrates and methods of making and using same |
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- 2001-07-26 US US09/915,902 patent/US6872456B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2002-07-16 EP EP20020750218 patent/EP1412434B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-16 KR KR10-2004-7001129A patent/KR20040023683A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-07-16 WO PCT/US2002/023152 patent/WO2003010246A1/en active Application Filing
- 2002-07-16 JP JP2003515600A patent/JP4411067B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-16 AT AT02750218T patent/ATE399822T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-16 CN CNA028146980A patent/CN1535300A/zh active Pending
- 2002-07-16 DE DE60227373T patent/DE60227373D1/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4411067B2 (ja) | 2010-02-10 |
CN1535300A (zh) | 2004-10-06 |
ATE399822T1 (de) | 2008-07-15 |
TW593548B (en) | 2004-06-21 |
EP1412434A1 (en) | 2004-04-28 |
US20030087082A1 (en) | 2003-05-08 |
EP1412434B1 (en) | 2008-07-02 |
US6872456B2 (en) | 2005-03-29 |
WO2003010246A1 (en) | 2003-02-06 |
KR20040023683A (ko) | 2004-03-18 |
DE60227373D1 (de) | 2008-08-14 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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