JP2004522608A - 光透過型光学フッ化物結晶の作成方法 - Google Patents

光透過型光学フッ化物結晶の作成方法 Download PDF

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Abstract

本発明は光学フッ化物結晶に関し、特に、エキシマーレーザでつくられるような波長200nm未満の光に対する透過率レベルが高い、フッ化カルシウムのような光学フッ化物結晶(20)に関する。特に、本発明は改善された光透過面(30)をもつ光学フッ化物結晶の作成に関する。また、本発明は、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さを光学フッ化物結晶表面から除去することに関する。光学フッ化物結晶表面から空間波長1〜1000μmである中間空間周波数及び空間波長1μm未満である高空間周波数を除去することにより、193nm及び157nmなどの200nm未満の光リソグラフィ波長において光透過率の向上が得られる。本発明は、200nm未満の波長における光透過率が高い、空間波長が1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さのない最終仕上高光透過率面(30)を有する、最終仕上光学フッ化物結晶(28)を含む。

Description

【関連出願の説明】
【0001】
本出願は、レザーフォード(Retherford)等により2001年6月20日に出願された、名称を「200nmより短波長の光を透過させるための<200nm光透過光学フッ化物結晶の作成方法」とする、米国仮特許出願第60/299690号の恩典を主張する。
【技術分野】
【0002】
本発明は光学フッ化物結晶に関し、特に、エキシマーレーザでつくられるような200nmより短波長の光の透過率レベルが高い、フッ化カルシウムのような光学フッ化物結晶に関する。特に、本発明は光透過面が改善された光学フッ化物結晶の作成に関する。本発明は、中間の空間周波数粗さである1〜1000μmの空間波長と、高空間周波数粗さである1μm未満の空間波長とを、光学フッ化物結晶表面から除去することに関する。
【背景技術】
【0003】
材料を研磨するためにコロイド状懸濁液を適用することは、光学素子部品及びそのブランクの形成の最終段階において非常に重要な側面となっている。様々な技法によりシリカ及びアルミナのコロイドが形成されるが、最高純度の製品を確保するには一般に高価な前駆体材料が必要である。溶液は、最適な表面仕上が達成されるpH及び固体配合値に、緩衝液によって安定化される。粒度分布を調節することによって、最終表面仕上も、研磨後の加工品表面から残留研磨剤粒子を除去する機能も制御することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
光学フッ化物結晶について現在得られる最終光透過面のレベルは、光学フッ化物結晶のレーザ部品及び光リソグラフィ素子にとって満足できるレベルではない。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は波長λが200nm未満である光(以降‘λ<200nm光’と略記する)を透過させる光学フッ化物結晶を作成する方法を含む。本方法は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを複数もつ、表面粗さ20オングストロームRMS以下の第1及び第2の初期仕上光透過面を有するフッ化物結晶プリフォームを提供する工程を含み、初期仕上フッ化物プリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、pHが9以上であり、複数のコロイド状粒子を有する、最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去コロイド状粒子溶液を提供する工程、及び、HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ、空間波長1〜1000μmである中間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さをもたない、最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、初期仕上面を中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液で最終研磨して、中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が初期仕上空間周波数空間波長を除去することにより、第1及び第2の最終仕上光学フッ化物結晶光透過面を得る最終研磨工程、及び最終使用λ<200nm光を最終仕上高光透過率面に透過させる工程を含む。
【0006】
本発明は、20J/cm未満のフルーエンスにおいてλ<200nm光を透過させるための、λ<200nm光透過光学フッ化物結晶ブランクを作成する方法を含む。本方法は、初期仕上中間空間周波数(空間波長1〜1000μm)粗さ及び初期仕上高空間周波数(空間波長<1μm)粗さをもつ、表面粗さが50オングストロームRMS以下である平行で平坦な第1及び第2の初期仕上光透過面を有する光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程を含み、初期仕上プリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、9以上のpH及び平均粒度が20から300nmの範囲にある複数のコロイド状非脆性球形研磨粒子を有する、最終表面処理用のコロイド状非脆性球形研磨粒子溶液を提供する工程を含む。本方法は、HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶ブランクを提供するために、初期仕上面を最終表面処理用のコロイド状粒子溶液で最終研磨して、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを最終研磨最終表面処理用のコロイド状粒子溶液が除去することにより最終研磨光透過面を得る、最終研磨工程を含む。
【0007】
本発明は、λ<200nmでの、好ましくはλ<200nmにおいて20J/cmより低いフルーエンスでの使用に対して品質保証された、λ<200nm紫外光品質保証光学フッ化物結晶を作成する方法を含む。本方法は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ表面粗さが50オングストロームRMS以下の平坦な第1の初期仕上光透過面を有する光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程を含み、プリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数除去コロイド状球形研磨剤粒子溶液を提供する工程を含み、中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液は、9以上のpH及び平均粒度が20から300nmの範囲にある、好ましくはSiOからなる粒子を含む、複数のコロイド状粒子を有する。本方法は、HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、初期仕上面を中間及び高空間周波数除去溶液で最終研磨して、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液が除去することにより最終研磨光透過面を得る最終研磨工程、及び、λ<200nm光に対する品質評価光透過率測定を提供するために、フルーエンスが20J/cm未満の最終使用λ<200nm光ビームを最終仕上高光透過率面に透過させる工程を含む。
【0008】
本発明は、20J/cm未満のフルーエンスで使用するためのλ<200nm光透過光学フッ化カルシウム結晶を作成する方法を含む。本方法は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、表面粗さが50オングストロームRMS以下の第1及び第2の初期仕上平光透過面を有するフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含み、初期仕上フッ化カルシウムプリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、9以上のpH及び平均粒度が20から300nmの範囲にある複数のコロイド状SiO粒子を有する、最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数除去コロイド状SiO粒子溶液を提供する工程を含む。本方法は、HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、初期仕上面を中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液で最終研磨して、空間周波数除去溶液が初期仕上空間周波数空間波長を除去することにより、第1及び第2の最終研磨フッ化カルシウム光透過面を得る最終研磨工程を含む。本方法は、λ<200nmに対する品質評価光透過率測定を提供するために、フルーエンスが20J/cm未満である最終使用λ<200nm光ビームを最終仕上高光透過率面に透過させる工程を含む。
【0009】
本発明は、λ<200nm光透過光学フッ化カルシウム結晶を作成する方法を含み、本方法は、複数の、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、表面粗さが20オングストロームRMS以下である第1及び第2の初期仕上光透過面を有するフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含み、初期仕上フッ化カルシウムプリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、9以上のpH及び複数のコロイド状粒子を有する最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去コロイド状粒子溶液を提供する工程、及び、HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)を有する、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さをもたない、最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、初期仕上面を中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液で最終研磨して、中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が初期仕上空間周波数空間波長を除去することにより、第1及び第2の最終研磨フッ化カルシウム高光透過率面を得る最終研磨工程、及び最終使用λ<200nm光を最終仕上高光透過率面に透過させる工程を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
本発明は、波長200nm未満の光を、好ましくは20J/cm未満のフルーエンスで透過させるためのλ<200nm光透過光学フッ化物結晶の作成を含む。そのような<200nm光透過光学フッ化物結晶は、200nm未満の波長で動作する、VUV(真空紫外)光リソグラフィシステム及びレーザに利用される。図1は、λ<200nm光透過光学フッ化物結晶を利用する、そのような193nm光リソグラフィシステム/エキシマーレーザを示し、図2はλ<200nm光透過光学フッ化物結晶を利用する157nm光リソグラフィシステム/エキシマーレーザを示す。
【0011】
本発明はλ<200nm光透過光学フッ化物結晶プリフォーム20を作成する方法を含む。図3〜4に示されるように、フッ化物結晶プリフォーム20は平行で平坦な第1及び第2の初期仕上光透過面22を有することが好ましい。平坦な初期仕上光透過面22は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、50オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、プリフォーム20は初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、9以上のpH及び平均粒度が20から300nmの範囲にある複数のコロイド状非脆性球形研磨剤粒子26を有する、最終表面処理用のコロイド状非脆性球形研磨剤粒子溶液24を提供する工程を含む。図5〜7に示されるように、本方法はプリフォーム20の初期仕上面22を最終表面処理用のコロイド状粒子溶液24で最終研磨する工程を含む。最終研磨コロイド状粒子溶液24により空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さが除去されて、最終仕上研磨光透過面が得られる。粒子溶液24による最終研磨により、プリフォーム20の面22の初期仕上波長が除去されて、HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上高光透過率面30を有する最終仕上光学フッ化物結晶ブランク28が得られる。最終研磨により、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さが除去されて、1〜1000μmの中間空間周波数空間波長及び1μm未満である高空間周波数空間波長をもたない、最終仕上高光透過率面30が得られ、最終仕上結晶28は改善されたλ<200nm光透過率を有する。
【0012】
光学フッ化物結晶プリフォーム20を作成する方法は、193nmにおいて初期仕上低光透過率LTをもつプリフォーム20を提供する工程及び、193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である、高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化物結晶28を提供するために、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さを除去する工程を含むことが好ましい。結晶プリフォーム20を提供する工程は、193nmにおいてLT>90%/cmである、低初期仕上193nm光透過率LTをもつフッ化カルシウム結晶プリフォーム20を提供する工程を含むことが好ましい。一実施形態において、光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程はフッ化マグネシウム結晶プリフォームを提供する工程を含む。別の実施形態において、光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程はフッ化バリウム結晶プリフォームを提供する工程を含む。また別の実施形態において、光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程はフッ化リチウム結晶プリフォームを提供する工程を含む。光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程は、表面粗さが20オングストロームRMS以下である初期仕上面22を有する光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程を含む。
【0013】
最終表面処理用の粒子溶液24のコロイド状球形研磨剤粒子36は、崩れてバラバラになり、研磨時に材料を摩耗により機械的に除去する鋸歯状の角(かど)を形成する傾向を有する脆い研磨剤粒子と比較して、測定可能な脆性をもたない点で非脆性である。最終表面処理粒子溶液24を提供する工程は、シリカからなる粒子26を含む、最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去シリカ粒子溶液を提供する工程を含むことが好ましい。シリカ粒子26は火炎加水分解で得られたシリカ粒子であることが好ましい。好ましい実施形態において、最終表面処理溶液24のシリカ粒子26は火炎加水分解溶融シリカスート粒子である。好ましい実施形態において、シリカ粒子26は火炎加水分解ヒュームドシリカ粒子である。別の実施形態において、シリカ粒子26は、ゾル−ゲル法で得られるシリカ粒子のような、沈殿シリカ粒子である。一実施形態において、最終表面処理溶液24を提供する工程は、酸化アルミニウム粒子26を含む、最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去酸化アルミニウム粒子溶液24を提供する工程を含む。最終表面処理溶液24を提供する工程は、表面積が10から200m/gの範囲にある粒子26を含む、最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含む。粒子26の表面積は、20から110m/gの範囲にあることが好ましく、20から50m/gの範囲にあることがさらに好ましい。最終表面処理溶液24を提供する工程は、pHが9から13の範囲にあることが好ましく、10から11の範囲にあることがさらに好ましい、最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含む。好ましい実施形態において、最終表面処理溶液24は水酸化カリウムを含む。別の実施形態において、最終表面処理溶液24は水酸化アンモニウムを含む。また別の実施形態において、最終表面処理溶液24は水酸化ナトリウムを含む。
【0014】
好ましい実施形態において、本方法はλ<200nm光透過光学素子結晶として用いるために最終仕上光学フッ化物結晶28を品質評価する工程を含み、本工程は、結晶28の193nm光透過率を測定する工程を含むことが好ましく、結晶28の157nm光透過率を測定する工程を含むことがさらに好ましい。一実施形態において、本方法は、最終仕上光学フッ化物結晶28で、好ましくは20J/cm未満のフルーエンス、さらに好ましくは10J/cm未満のフルーエンス、一層好ましくは1J/cm未満のフルーエンスにおけるλ<200nm光レーザのλ<200nm光レーザ部品光学素子を形成する工程を含む。結晶28は、窓、プリズムまたはレンズのような、157nm光レーザ部品に形成されることが好ましい。一実施形態において、本方法は最終仕上光学フッ化物結晶28からλ<200nm光リソグラフィ素子を形成する工程を含み、光リソグラフィ素子は、好ましくは20J/cm未満のフルーエンス、さらに好ましくは10J/cm未満のフルーエンス、一層好ましくは1J/cm未満のフルーエンスで利用される。光学フッ化物結晶光学素子は157nm光の透過に利用されることが好ましい。
【0015】
図3〜14に示されるように、本発明は、200nm未満の波長λ及び20J/cm未満のフルーエンスでの使用に対して品質保証される、λ<200nm紫外光品質保証光学フッ化物結晶を作成する方法を含む。本方法は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ50オングストロームRMS以下の表面粗さを有する、第1の初期仕上平光透過面22を有する光学フッ化物結晶プリフォーム20を提供する工程を含み、プリフォーム20は初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、好ましくはコロイド状SiO粒子26を含む、最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数除去コロイド状研磨剤粒子溶液24を提供する工程を含む。提供されるコロイド状粒子溶液24は、9以上のpH及び複数のコロイド状SiO粒子26を有することが好ましい。コロイド状粒子26の平均粒度は20から300nmの範囲にあることが好ましい。本方法は、最終仕上高光透過率面30を有する最終仕上光学フッ化物結晶28を提供するために、提供された空間周波数波長除去最終研磨粒子溶液24で初期仕上面22を最終研磨して、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを除去する最終研磨工程を含み、最終仕上フッ化物結晶28は、HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)を有する。本方法は、λ<200nm光に対する品質評価光透過率測定を提供するために、20J/cmより低いフルーエンス、好ましくは10J/cmより低いフルーエンス、さらに好ましくは1J/cmより低いフルーエンスで、最終使用λ<200nm光ビームを最終仕上高光透過率面30に透過させる工程を含む。
【0016】
プリフォーム20を提供する工程は、初期仕上低193nm光透過率プリフォーム20を提供する工程及び、193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化物結晶28を提供するために、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さを除去する工程を含み、193nmにおいてLT>90%/cmであることが好ましい。本発明の実施においては、193nmにおいてLT=90.3%のプリフォーム20が1〜1000μmの空間波長及び1μm未満の空間波長の除去により改善されて、HT=91.98%の最終仕上結晶28が得られた。一実施形態において、提供されるプリフォーム20は、初期仕上低193nm光透過率LTが90%/cmより高い、フッ化カルシウム結晶プリフォームである。一実施形態において、提供されるプリフォーム20はフッ化マグネシウム結晶プリフォームである。別の実施形態において、提供されるプリフォーム20はフッ化バリウム結晶プリフォームである。また別の実施形態において、提供されるプリフォーム20はフッ化リチウム結晶プリフォームである。提供されるプリフォーム20の表面粗さは20オングストロームRMS以下であることが好ましい。
【0017】
空間波長を除去する最終研磨用のコロイド状球形研磨剤粒子溶液24を提供する工程はコロイド状球形研磨剤SiO粒子26を提供する工程を含むことが好ましい。一実施形態において、SiO粒子26は火炎加水分解で得られた溶融シリカスート粒子である。一実施形態において、SiO粒子26は火炎加水分解で得られたヒュームドシリカスート粒子である。一実施形態において、SiO粒子26は、ゾル−ゲル法で得られる粒子のような、沈殿シリカ粒子である。SiO粒子26は、好ましくは10から200m/g,さらに好ましくは20から110m/g,最も好ましくは20から50m/gの範囲にある表面積を有する。提供される粒子溶液24は、好ましくは9から13の範囲にあり、さらに好ましくは10から11の範囲にあるpHを有する。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化カリウムを含む。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化アンモニウムを含む。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化ナトリウムを含む。
【0018】
一実施形態において、本方法は、最終仕上光学フッ化物結晶から、レーザ窓、レーザプリズムまたはレーザレンズなど、λ<200nm光レーザ部品光学素子を形成する工程をさらに含み、レーザ部品は、好ましくは10J/cm未満のフルーエンス、さらに好ましくは1J/cm未満のフルーエンスで、好ましくは193nm光、最も好ましくは157nm光の透過に用いられる。
【0019】
一実施形態において、本方法は、最終仕上光学フッ化物結晶から、レンズまたはビームスプリッタのような、λ<200nm光リソグラフィ素子を形成する工程をさらに含み、光リソグラフィ素子は、好ましくは10J/cm未満のフルーエンス、さらに好ましくは1J/cm未満のフルーエンスで、好ましくは193nm光、最も好ましくは157nm光の透過に用いられる。
【0020】
本発明は、好ましくは20J/cm未満のフルーエンスで用いるための、λ<200nm光透過光学フッ化カルシウム結晶の作成方法を含む。本方法は、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ50オングストロームRMS以下の表面粗さを有する、平坦な初期仕上光透過面22を有するフッ化カルシウム結晶プリフォーム20を提供する工程を含む。提供されるフッ化カルシウム結晶プリフォーム20は、初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する。本方法は、9以上のpH及び平均粒度が20から300nmの範囲にあるコロイド状SiO粒子を有する最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去コロイド状SiO粒子溶液24を提供する工程を含む。本方法は、初期仕上空間周波数空間波長を除去して、HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)を有する最終仕上高光透過率面30を有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶28を提供するために、プリフォーム20の表面22を粒子溶液24で最終研磨する工程を含む。本方法は、λ<200nm光に対する品質評価光透過率測定及び品質保証された結晶28を提供するためにλ<200nm光ビームを最終仕上高光透過率面に透過させる工程を含む。本方法は、好ましくは20J/cm未満、さらに好ましくは10J/cm未満、最も好ましくは1J/cm未満フルーエンスで使用するために、結晶28を品質評価する工程を含む。プリフォーム20を提供する工程は初期仕上低193nm透過率LTをもつフッ化カルシウム結晶プリフォーム20を提供する工程及び、193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である、高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さを除去する工程を含むことが好ましく、193nmにおけるLTは90%/cmより高いことが好ましい。好ましい実施形態において、提供されるフッ化カルシウム結晶プリフォーム20は表面粗さが20オングストロームRMS以下である初期仕上面22を有する。
【0021】
一実施形態において、提供される粒子溶液24は溶融シリカスート粒子を含む。一実施形態において、提供される粒子溶液24はヒュームドシリカ粒子を含む。一実施形態において、提供される粒子溶液24は沈殿シリカ粒子を含む。SiO粒子26の表面積は、好ましくは10から200m/g,さらに好ましくは20から110m/gの範囲にある。粒子溶液24のpHは、好ましくは9から13の範囲にあり、さらに好ましくは10から11の範囲にある。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化カリウムを含む。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化アンモニウムを含む。一実施形態において、粒子溶液24は水酸化ナトリウムを含む。
【0022】
初期仕上光透過面は、不純物レベルが低く、透過率が高い、ストックバーガー法でつくられるような単結晶光学フッ化物結晶ボウルの作成により提供されることが好ましい。機械加工により、好ましくは平坦表面、さらに好ましくは平坦であって互いに平行な2つの対向する表面が、単結晶ボウルにつくられる。また、機械加工損傷は、(ラップ仕上のような)固定または遊動研磨剤研削を用いて除去するが、粒度6μm以上、好ましくは7μm以上の研磨剤を用いて除去することが好ましい。次いで、表面を改善し、平坦度を維持する、多段階研磨が初期仕上光透過面に施される。多段階研磨は、中性pH溶液(pH=6〜8)内の機械的研磨剤を、約3から0.1μmの範囲にある粒度で、粒度を徐々に小さくして行われることが好ましく、機械的研磨剤の例として、Al,ダイアモンド,SiC及びZrOがある。
【0023】
本発明の、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さの表面粗さ及び表面下損傷の除去は、結晶の有用な計測学測定、特に透過率測定を提供するものである。本発明は、通常は表面欠陥による透過損失を評価するために用いられる、多重路長試料測定を実施する必要のない光透過率の品質評価を提供する。本発明は多重路長試料を作成する必要を排除する。本発明は、より高速でより低コストの品質評価を提供し、光素子の形につくる前に結晶の光透過率の品質を評価して保証することにより、光学素子の作成に関するコストを改善する。
【0024】
好ましい実施形態において、提供される光学フッ化物結晶プリフォーム20は、初期仕上面22が[111]結晶面である<111>方位のCaF結晶である。好ましい実施形態において、提供される結晶プリフォーム20は、初期仕上面22が[100]結晶面である、<100>方位のCaF結晶である。本発明にしたがえば、中間空間周波数及び高空間周波数粗さ並びに表面下損傷に関する表面品質が光透過率に強く影響し、短波長になるほど表面品質の改善により光透過率が高くなる。特に193nm光では、透過率は、粗さ1.4nmRMSの表面に対する90.30%から、粗さ0.8nmRMSの表面に対する91.98%まで高くなった(Δ=1.68%)。本発明は、空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さの除去及び消去による、改善された光透過率を提供する。
【0025】
本発明は、先行する機械的研磨による表面及び表面下の残留損傷を除去する最終段階研磨を用いる、優れた内部透過率測定用CaF表面を提供する。最終段階研磨は、(pHが9〜12の)アルカリ性環境内に分散された、球形非脆性研磨剤粒子を用いて実施される。研磨剤粒子には、火炎加水分解SiO(ヒュームドシリカまたは溶融シリカ),沈殿SiO及び沈殿Alがあるがこれらには限定されない。高pH溶液内にある球形非脆性粒子を用いる最終研磨段階は、化学−機械的プロセスである。適用例ではヒュームドSiOを利用している。このプロセスは、光透過率及びレーザ損傷(TLD)試料に関する計測のため並びにエキシマーレーザ部品及びリソグラフィ製品の製造のために実施されることが好ましい。
【0026】
本発明は、光学性能を高めるためにはどの表面態様の改善が必要かを評価するために、表面品質を特性決定する工程を含む。以下の本発明の実施例では、フッ化カルシウム単結晶について、2つの相異なる表面品質の関数として光透過性能を試験した。CaFにはどのタイプの表面欠陥が一番多いか及びそのような欠陥がどの程度まで光透過性能に影響するかを決定するために、処理された表面の特性決定を、光干渉法及び原子間力顕微鏡法を用いて実施した。中間空間周波数及び高空間周波数粗さ(それぞれの空間波長範囲は1〜1000μm及び1μm未満)に関して、表面品質を考察した。
【0027】
バルクCTE(熱膨張係数)が18.85×10−6/℃(表1参照)である単結晶フッ化カルシウムボウルをストックバーガー法を用いて作成した。平行露出面として(111)面をもつ単路長試料を結晶から切り出した。試料を両面研削にかけ、ラップ仕上げし、次いで純機械的研磨剤を用い、徐々に粒度を小さくする多段階研磨(仕上手順Aと称する)を施して、初期仕上光学フッ化物結晶プリフォームを得た。露出され、研磨された表面について測定したヌープ硬度は圧子の長軸と結晶学的方向の間の方位(すなわち方位角)に依存して、152〜159kg/mmであった。試料表面をプラズマで清浄化して、走査型白色光干渉法を用いて倍率5X及び40X(走査面積はそれぞれ1.48mm及び0.023mm)で特徴を調べ、中間空間周波数欠陥及び巨視的表面粗さについて解析した。さらに、高空間周波数スクラッチ及び微視的表面粗さの特徴を調べるために、原子間力顕微鏡法(AFM)を用いた。次いで、窒素パージを備える、ビーム寸法27mmのタングステン/重水素2ビームUV/VIS(紫外/可視)分光光度計を用い、光透過率について試料を試験した。185〜400nmのスペクトル走査を30nm/分の走査速度で実施し、それぞれの波長における滞留時間を60秒として、185,193,205,248及び400nmで単一波長試験を実施した。このシステムの波長精度は±0.2nmであり、透過率精度は±0.03%/cmであった。試験終了後、本発明にしたがう、スクラッチ及び表面下損傷のない表面の形成を促進する、化学的に調整された環境(pHが10〜10.5の水酸化アンモニウム溶液)内にある球形非脆性研磨剤(ヒュームドSiO)を用いてそれぞれの表面をさらに研磨した(仕上手順Bと称する)。再処理された試料について、清浄化、表面の特徴調べ及び光透過率試験を再度行った。再処理試料についての経路長変化は0.5%未満であった。
【0028】
CaFの表面解析結果を表2に示す。純機械的研磨プロセス(仕上手順A)では、1.48mm及び0.023mmの走査面積のそれぞれに対して、光干渉法(倍率5X及び40X)を用いて決定された、2.0nmRMS及び1.4nmRMSの巨視的表面粗さが得られた。倍率5Xでの走査では、スクラッチすなわち周波数依存欠陥は全く見られない(図15(A))。しかし、倍率40Xでの解析は、表面上の局所的な準平坦領域における差(すなわち、山対谷データで決定されたほぼ10nmの段差がある、横方向25〜50μm毎に繰り返される高点及び低点)で表される中間空間周波数粗さの存在を示す(図16(A))。25μmを走査するAFMを用いてさらに解析すると、0.2nmRMSの微視的表面粗さをもつ高空間周波数スクラッチの存在が示される(図17(A))。
【0029】
本発明にしたがう化学−機械的最終研磨工程(仕上手順B)を適用すると、表面仕上はさらに、1.48mm及び0.023mmの走査面積に対してそれぞれ1.5nmRMS及び0.8nmRMSまで改善された。さらに、最終処理工程の追加により、先の倍率40Xでの試験時に見られたような中間空間周波数粗さの存在が除去された(図16(B))。これらの光学観測を裏付けているのは、局所的な準平坦領域の除去を示す、改善された山対谷値である(表2参照)。AFM解析は、同様に、ほぼ0.2nmRMSの微視的表面仕上をもつ高空間周波数スクラッチの除去を示す(図17(B))。
【0030】
初めに初期仕上手順Aを用い、次いで、仕上手順Bに対して先に定められた最終研磨処理工程をさらに用いて作成した、代表的な(111)CaF試料について実施したUV/VIS分光光度法走査が図18に示される。波長が短くなるにつれて、表面品質による光透過率への影響が大きくなる。しかし、改善された光透過率データの有意性は、60秒の滞留時間により試験確度がさらに高い、表3に示される単一波長光透過率試験結果を用いてさらに正確に定量化される。それぞれの波長に対して、改善された表面品質による光透過性能の測定可能な向上が認められる。特に193nmについては、2つの仕上手順間の差が1.68%の光透過性能の差になって現れている。これらの結果は、CaFの光透過率に関する中間空間周波数及び高空間周波数粗さの複合効果を表し、深UV波長が、表面品質、特に空間波長1〜1000μmである中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さに対して敏感であることを明らかに示すものである。
【0031】
透過率試験は、化学−機械的研磨工程の追加使用による、(111)CaFの光学性能における有意な向上を示すが、結果を表面粗さの改善だけに帰因させることはできない。AFM解析は、純機械的プロセス(すなわち初期仕上手順A)を用いた表面処理について高空間周波数スクラッチの存在を示す(図17(A))。これらのスクラッチの形成は、機械的研磨中に表面に至った浅いクラックの形態のある程度の表面下損傷にともなうと考えられる。そのような損傷は、光を散乱させることにより透過率を低めると考えられる。化学−機械的研磨工程(すなわち仕上手順B)の使用により、高空間周波数スクラッチが除去されることが示され(図17(B))、さらに付随する表面下損傷も除去されたと考えられる。透過率の向上は、表面下損傷の除去にある程度はよると考えられる。
【0032】
異なる仕様で作成したCaF試料の光学試験は、光透過率に対する表面品質の有意な影響を示した。特に193nmでは、光透過率が、純機械的研磨剤を用いる多段階研磨手順で作成された1.4nmRMS表面についての90.30%から、アルカリ性溶液内の球形非脆性研磨剤粒子による化学−機械的最終研磨工程を用いて0.8nmRMSまでさらに処理された同じ表面についての91.98%まで高まることがわかった。表面品質の差は、光干渉法及び原子間力顕微鏡法による解析で決定されたように、中間空間周波数及び高空間周波数粗さの除去にあった。純機械的研磨にともなう表面下損傷の除去も明らかであった。
【表1】
Figure 2004522608
【表2】
Figure 2004522608
【表3】
Figure 2004522608
【0033】
当業者には、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明に様々な改変及び変形がなされ得ることが明らかであろう。したがって、添付される特許請求項及びそれ等の等価物の範囲内に本発明の改変及び変形が入れば、本発明はそのような改変及び変形を包含するとされる。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明にしたがうλ<200nm光リソグラフィ及びレーザ光学素子の実施形態を示す
【図2】本発明にしたがうλ<200nm光リソグラフィ及びレーザ光学素子の実施形態を示す
【図3】本発明にしたがう方法を示す
【図4】本発明にしたがう方法を示す
【図5】本発明にしたがう方法を示す
【図6】本発明にしたがう方法を示す
【図7】本発明にしたがう方法を示す
【図8】本発明にしたがう方法を示す
【図9】本発明にしたがう方法を示す
【図10】本発明にしたがう方法を示す
【図11】本発明にしたがう方法を示す
【図12】本発明にしたがう方法を示す
【図13】本発明にしたがう方法を示す
【図14】本発明にしたがう方法を示す
【図15A】仕上手順Aで作成されたCaF面(初期仕上光透過面)の光干渉像であり、この光干渉像は1.48mmの走査面積が倍率5Xで記録され、Ra=1.58nm,RMS=2.00nm,Rt=17.63nmの表面品質を示す
【図15B】本発明にしたがう仕上手順Bで作成されたCaF面(最終仕上研磨光透過面)の光干渉像であり、この光干渉像は1.48mmの走査面積が倍率5Xで記録され、Ra=1.21nm,RMS=1.52nm,Rt=11.90nmの表面品質を示す
【図16A】仕上手順Aで作成されたCaF面(初期仕上光透過面)の光干渉像であり、この光干渉像は0.023mmの走査面積が倍率40Xで記録され、Ra=1.05nm,RMS=1.29nm,Rt=9.58nmの表面品質を示す
【図16B】本発明にしたがう仕上手順Bで作成されたCaF面(最終仕上研磨光透過面)の光学干渉像であり、この光学干渉像は0.023mmの走査面積が倍率40Xで記録され、Ra=0.64nm,RMS=0.82nm,Rt=6.76nmの表面品質を示す
【図17A】仕上手順Aで作成されたCaF面(初期仕上光透過面)の原子間力顕微鏡写真であり、この原子間力顕微鏡写真はRa=0.15nm,RMS=0.20nm,Rt=1.75nmの表面品質を示す
【図17B】本発明にしたがう仕上手順Bで作成されたCaF面(最終仕上研磨光透過面)の原子間力顕微鏡写真であり、この原子間力顕微鏡写真はRa=0.13nm,RMS=0.17nm,Rt=1.35nmの表面品質を示す
【図18】初めに1.4nmRMSの表面品質(手順A−初期仕上光透過面)につくられ、次いで本発明にしたがい、空間波長が1〜1000nmの中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である高空間周波数粗さがない、0.8nmRMSの表面品質(手順B−最終仕上研磨光透過面)につくられた、(111)CaF試料に対する性能改善を実証する、波長185から400nmまでの光透過率のグラフを示す。最終研磨処理の追加による経路長変化は0.5%より小さい
【符号の説明】
【0035】
20 光学フッ化物結晶プリフォーム
22 初期仕上光透過面
24 コロイド状研磨剤粒子溶液
26 コロイド状研磨剤粒子
28 最終仕上光学フッ化物結晶
30 最終仕上高光透過率面

Claims (58)

  1. 波長λが200nm未満である光を透過させるためのλ<200nm光透過光学フッ化物結晶を作成する方法において、
    光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程であって、前記プリフォームが平行で平坦な第1及び第2の初期仕上光透過面を有し、前記初期仕上面が、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、50オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、前記初期仕上プリフォームが初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する工程、
    最終表面処理用のコロイド状非脆性球形研磨剤粒子溶液を提供する工程であって、前記最終表面処理溶液が9以上のpH及び複数のコロイド状非脆性球形研磨剤粒子を有し、前記粒子の平均粒度が20から300nmの範囲にある工程、及び
    HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上研磨高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、前記初期仕上面を前記最終表面処理用のコロイド状粒子溶液で最終研磨して、空間波長1〜1000μmである前記初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記初期仕上高空間周波数粗さを前記最終研磨最終表面処理用のコロイド状粒子溶液が除去することによって、最終研磨光透過面を得る、最終研磨工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、初期仕上低193nm光透過率LTをもつプリフォームを提供する工程及び、波長193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である、高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、空間波長1〜1000μmである前記中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記高空間周波数粗さを除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、波長193nmにおいてLT>90%/cmである、初期仕上低193nm光透過率LTをもつフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化マグネシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化バリウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化リチウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、前記初期仕上面の表面粗さが20オングストロームRMS以下である光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 最終表面処理用のコロイド状非脆性球形研磨剤粒子溶液を提供する前記工程が最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去シリカ粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去SiO粒子溶液が複数の溶融シリカスート粒子を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去SiO粒子溶液が複数のヒュームドシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  11. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去SiO粒子溶液が複数の沈殿シリカ粒子を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  12. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去酸化アルミニウム粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  13. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、表面積が10m/gから200m/gの範囲にある複数の粒子を含む最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  14. 前記粒子の表面積が20m/gから110m/gの範囲にあることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  15. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、pHが9から13の範囲にある最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  16. 前記溶液のpHが10から11の範囲にあることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記溶液が水酸化カリウムを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  18. 前記溶液が水酸化アンモニウムを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  19. 前記溶液が水酸化ナトリウムを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  20. 前記最終仕上光学フッ化物結晶からλ<200nm光レーザ部品を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  21. 前記最終仕上光学フッ化物結晶からλ<200nm光リソグラフィ素子を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  22. 前記最終仕上光学フッ化物結晶をλ<200nm光透過光学素子結晶として使用するために品質評価する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  23. 200nm未満の波長λでの使用に品質保証された紫外光透過光学フッ化物結晶を作成する方法において、
    光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程であって、前記プリフォームが第1の初期仕上平光透過面を有し、前記初期仕上面が、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、50オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、前記初期仕上プリフォームが初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する工程、
    最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数除去コロイド状球形SiO粒子研磨剤溶液を提供する工程であって、前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液が9以上のpH及び複数のコロイド状SiO粒子を有し、前記粒子の平均粒度が20から300nmの範囲にある工程、
    HT>LTである、最終仕上高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上研磨高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、前記初期仕上面を前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液で最終研磨して、空間波長1〜1000μmである前記初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記初期仕上高空間周波数粗さを前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液が除去することによって、最終研磨光透過面を得る、最終研磨工程、及び
    前記波長λ<200nmの光に対する品質評価光透過率測定を提供するために、フルーエンスが20J/cm未満である最終使用λ<200nm光ビームに前記最終仕上高光透過率面を透過させる工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  24. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、初期仕上低193nm光透過率LTをもつプリフォームを提供する工程及び、波長193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である、高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、空間波長1〜1000μmである前記中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記高空間周波数粗さを除去する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  25. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、波長193nmにおいてLT>90%/cmである、初期仕上低193nm光透過率LTをもつフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  26. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化マグネシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  27. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化バリウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  28. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程がフッ化リチウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  29. 光学フッ化物結晶プリフォームを提供する前記工程が、前記初期仕上面の表面粗さが20オングストロームRMS以下である光学フッ化物結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  30. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去SiO粒子溶液が複数の溶融シリカスート粒子を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  31. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去SiO粒子溶液が複数のヒュームドシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  32. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、表面積が10m/gから200m/gの範囲にある複数の粒子を含む最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  33. 前記粒子の表面積が20m/gから110m/gの範囲にあることを特徴とする請求項32に記載の方法。
  34. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、pHが9から13の範囲にある最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  35. 前記溶液のpHが10から11の範囲にあることを特徴とする請求項34に記載の方法。
  36. 前記溶液が水酸化カリウムを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
  37. 前記溶液が水酸化アンモニウムを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
  38. 前記溶液が水酸化ナトリウムを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
  39. 前記最終仕上光学フッ化物結晶からλ<200nm光レーザ部品を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  40. 前記最終仕上光学フッ化物結晶からλ<200nm光リソグラフィ素子を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  41. λ<200nm光透過光学フッ化カルシウム結晶を作成する方法において、
    フッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程であって、前記プリフォームは第1及び第2の初期仕上光透過面を有し、前記初期仕上面は空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さをもつ、50オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、前記初期仕上フッ化カルシウムプリフォームは初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する工程、
    最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数除去コロイド状SiO粒子溶液を提供する工程であって、前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液が9以上のpH及び複数のコロイド状SiO粒子を有し、前記粒子の平均粒度が20から300nmの範囲にある工程、
    HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、前記初期仕上面を前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液で最終研磨して、前記初期仕上空間周波数空間波長を前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液が除去することによって、第1及び第2の最終研磨フッ化カルシウム光透過面を得る、最終研磨工程、及び
    前記λ<200nm光に対する品質評価光透過率測定を提供するために、最終使用λ<200nm光ビームに前記最終仕上高光透過率面を透過させる工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  42. フッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する前記工程が、初期仕上低193nm光透過率LTをもつプリフォームを提供する工程及び、波長193nmにおいてHT−LT>1(%/cm)である、高193nm光透過率HTを有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、空間波長1〜1000μmである前記中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記高空間周波数粗さを除去する工程を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  43. フッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する前記工程が、波長193nmにおいてLT>90%/cmである、初期仕上低193nm光透過率LTをもつフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  44. フッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する前記工程が、前記初期仕上面の表面粗さが20オングストロームRMS以下であるフッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  45. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液が複数の溶融シリカスート粒子を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  46. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液が複数のヒュームドシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  47. 前記中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液が複数の沈殿シリカ粒子を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  48. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、表面積が10m/gから200m/gの範囲にある複数の粒子を含む最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  49. 前記粒子の表面積が20m/gから110m/gの範囲にあることを特徴とする請求項48に記載の方法。
  50. 最終表面処理溶液を提供する前記工程が、pHが9から13の範囲にある最終表面処理用の中間空間周波数及び高空間周波数除去粒子溶液を提供する工程を含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  51. 前記溶液のpHが10から11の範囲にあることを特徴とする請求項50に記載の方法。
  52. 前記溶液が水酸化カリウムを含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。
  53. 前記溶液が水酸化アンモニウムを含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。
  54. 前記溶液が水酸化ナトリウムを含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。
  55. 前記方法が前記最終仕上光学フッ化カルシウム結晶をλ<200nm光レーザ部品の形につくる工程をさらに含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  56. 前記方法が前記最終仕上光学フッ化カルシウム結晶をλ<200nm光リソグラフィ素子の形につくる工程をさらに含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
  57. λ<200nm光透過光学フッ化カルシウム結晶を作成する方法において、前記方法が、
    フッ化カルシウム結晶プリフォームを提供する工程であって、前記プリフォームが第1及び第2の初期仕上光透過面を有し、前記初期仕上面が、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを複数もつ、20オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、前記初期仕上フッ化カルシウムプリフォームが初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する工程と、
    最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去コロイド状粒子溶液を提供する工程であって、前記中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が9以上のpH及び複数のコロイド状SiO粒子を有する工程、
    HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ、空間波長1〜1000μmである前記中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記高空間周波数粗さをもたない最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化カルシウム結晶を提供するために、前記初期仕上面を前記中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液で最終研磨して、前記初期仕上空間周波数空間波長を前記中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が除去することによって、第1及び第2の最終研磨フッ化カルシウム光透過面を得る、最終研磨工程、及び
    最終使用λ<200nm光を前記最終仕上高光透過率面に透過させる工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  58. λ<200nm光透過光学フッ化物結晶を作成する方法において、
    フッ化物結晶プリフォームを提供する工程であって、前記プリフォームが第1及び第2の初期仕上光透過面を有し、前記初期仕上面が、空間波長1〜1000μmである初期仕上中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である初期仕上高空間周波数粗さを複数もつ、20オングストロームRMS以下の表面粗さを有し、前記初期仕上フッ化物プリフォームが初期仕上低λ<200nm光透過率LT(%/cm)を有する工程、
    最終研磨用の中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去コロイド状粒子溶液を提供する工程であって、前記中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が9以上のpH及び複数のコロイド状SiO粒子を有する工程、
    HT>LTである、高λ<200nm光透過率HT(%/cm)をもつ、空間波長1〜1000μmである前記中間空間周波数粗さ及び空間波長1μm未満である前記高空間周波数粗さをもたない最終仕上高光透過率面を有する最終仕上光学フッ化物結晶を提供するために、前記初期仕上面を前記中間空間周波数及び高空間周波数除去溶液で最終研磨して、前記初期仕上空間周波数空間波長を前記中間空間周波数及び高空間周波数空間波長除去溶液が除去することによって、第1及び第2の最終研磨フッ化物光透過面を得る、最終研磨工程、及び
    最終使用λ<200nm光を前記最終仕上高光透過率面に透過させる工程、
    を含むことを特徴とする方法。
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