JP2004509476A - 磁性層系並びにかゝる層を有する構造要素 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は新世代の巨大磁気抵抗(GMR)センサーおよびトンネル磁気抵抗(TMR)センサーを製造する方法に関する。本発明によれば、薄膜固定相を例えば高い磁気結晶異方性を有する5d遷移金属(W、Rd、Os、Ir、Pt)または4d遷移金属から製造する。上記薄膜固定層は固定された層(3d強磁性遷移金属)の磁化の方向を固定する。GMRおよびTMRセンサーの効率を増加させることができるモーメントフィルターを構成することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性層系並びにかゝる層系を有する構造要素、特に磁気抵抗(MR)またはトンネル磁気抵抗(Tunnelmagnetwiderstand)(TMR)を利用する構造要素、例えば磁気センサーまたは磁気メモリーに関する。
【0002】
【従来の技術】
種々の材料は、かけられた磁場に特に敏感に反応する電導性を有する。
【0003】
この現象は多くの磁気センサー、および読み取り磁気抵抗(GMR)およびトンネル磁気抵抗(TMR)をベースとする磁気メモリー(MRAM−マグネチック・ランダム・アクセス・メモリー)において利用される。
【0004】
かゝるセンサーは一般に、非磁性層によって分離されている多数の強磁性層を有している。外部磁場が存在しない場合には、強磁性層が中間層−交換結合によって対峙する方向に磁化され得る。そのときに負荷された外側磁場は強磁性層中に磁化方向の平行配向をもたらす。抵抗は磁化方向に依存するので、磁気形状が変化する外側磁場は抵抗の変化によって簡単に検出できる。この場合、種々の磁化方向の間のエネルギーの差を、弱い磁場を検出できるためにできるだけ少なく維持することが必要である。これは強磁性層間の非磁性中間層によって達成される。
コンピュータ・ハードディスクの場合の磁気データメモリーの領域においてGMR型のセンサーが(以下の長所のために)従来使用されていたセンサーとどんどん取り替えられていることは公知である。異方性磁気抵抗(AMR)を利用するセンサーに比べてGMR−型のセンサーは若干の長所を有している。GMR−型のセンサーは全部の角度情報を有利に利用している。AMR−センサーについては反対の方向に配向した磁場が見分けを付けることができずそしてその旨の信号をもたらし、GMR−センサーの場合にはコリニア(kollinear)および非コリニアに配向した領域が種々の電気抵抗を生じさせる。
【0005】
AMR−センサーに対するGMR−センサーの別の長所は比較的に大きな信号を放つことである。
【0006】
更にGMR−効果が界面効果に基づいているという事実も長所である。このことは、GMR−センサーがAMR−型の相応するセンサーよりも非常に薄くともよいことを意味する。
【0007】
トンネル磁気抵抗(TMR)が将来の磁気動作メモリーにおいて利用する可能性に関する効果を調べることも同様に公知である。これは磁気ランタムアクセスメモリー(MRAM)の概念のもとで公知であり、今日使用される半導体メモリーに交換可能である。
【0008】
原則としてこのためにはGMR−効果が適している。しかしながらTMR−効果はセンサーの大きな固有抵抗というあきらかな長所を有する。MRAMにおいては、メモリー素子とプロセッサーとの間の接続導体の高い抵抗のために、このことは重要である。
【0009】
GMR−並びにTMR−センサーは典型的には自由磁気層、中間層、および磁化方向が隣接するアンチ強磁性層により固定される強磁性層で構成されている。
【0010】
自由層は一般に同様に強磁性層でありそしてセンサー層と称される。中間層はGMR−タイプの場合にはCu、Ag、Au、Mn、Crの様な元素をそしてTMR−タイプの場合には絶縁体を包含する。
【0011】
層系のこの機能は、センサー層の磁化方向が外部磁場に反応するが、固定された強磁性層は外部磁場に影響されないままであることに基づいている。固定された層の磁化方向は固定された強磁性層と隣接する反強磁性層との間の強い反強磁性相互作用によって固定される。
【0012】
かゝる層系を製造する際の問題は、反強磁性的に連結された固定層に適する適当な材料を見出すことである。
【0013】
別の問題は、必要な種々の磁気配向(コリニア(kollinear)および非コリニア)を造ることである。更にセンサー層の磁化方向は層間の広範囲の相互作用のために、固定された層の磁化方向に規則的に結合される。このことは不利にも僅かな効率を意味する(GMRの場合には20%より少なく、TMRの場合には50%より少ない)。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来技術に比較して強磁性層の磁化方向の改善された固定を可能とする層系およびかゝる層系を収容する磁気構造要素を提供することである。
【0015】
更に本発明の別の課題は、固定された強磁性層と別の強磁気センサー層との間に僅かな相互作用しか示さない磁気構造要素を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明のこれらの課題は、請求項1の特徴部分を有する層系並びに請求項9の特徴部分を有する磁気構造要素によって解決される。更に請求項14、15および18も本発明の有利な実施形態である。
【0017】
別の有利な実施態様はそれぞれに従属する請求項から明らかである。
【0018】
発明の説明
請求項1によれば本発明の層系は固定層およびこれに隣接する強磁性層を有する。この強磁性層は一般に3d−遷移金属または3d−遷移金属よりなる合金または多層系を有している。3d−遷移元素には特にFe、NiおよびCoが属する。
【0019】
隣接強磁性層の磁化方向を固定するために、固定層は4d−あるいは亜5d−遷移元素を有している。
【0020】
驚くべきことに、強磁性層の3d−遷移元素と固定層の4d−あるいは5d−遷移金属との材料組合せの場合には3d−遷移金属が磁気モーメントの大きさを決定し、これに対して磁化方向は4d−あるいは5d−遷移金属によって決定されることが確認された。
【0021】
この場合、3d−遷移金属よりなる強磁性層は固定層の4d−あるいは5d−遷移金属の磁気結晶異方性の高いエネルギー(MAE)によって固定される。従来技術から公知になっている様な材料による強い反強磁性結合は従来から通例である。本発明の層の磁気結晶異方性エネルギーは固定された強磁性層の磁化方向の有利な結合を実現する。
【0022】
磁化方向は一般に結晶優先方向に沿って延びおよび/または磁性物質の巨視的構造によって決められる。この性質は磁気結晶異方性である。最も少ないエネルギーの状態から最も高いエネルギーの状態に方位を変えるために必要とされるエネルギーが異方性エネルギーである。この異方性エネルギーは相関的効果、特に双極子/双極子およびスピン/オービット(Orbit) 相互作用から得られる。磁気の単位で表される磁性異方性は0.01〜10MJ/m3 の大きさである。
【0023】
この場合、固定層のための特に有利に適する4d−遷移元素としては請求項2に従ってパラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)およびルテニウム(Ru)の各元素が挙げられる。
【0024】
請求項3に従う有利に適する5d−遷移元素としてはタングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)の各元素が挙げられる。
【0025】
4d−並びに5d−遷移元素は高い磁気結晶異方性エネルギー(MAE)を有し、隣接した強磁性層の磁化方向の固定を簡単に可能とする。
【0026】
一つの有利な実施態様においては、請求項4に従い、4d−あるいは5d−遷移金属を含む固定層は薄い層として構成されている。これは、1〜10の単分子層の層厚を持つ層を意味する。
【0027】
特に本発明の固定層は請求項5に従って単分子層として形成されているのが有利である。4d−または5d−遷移元素の単分子層は既に強磁性層の磁化方向を本発明に従って固定させる。それ故にこの実施態様は特に材料を節約しそして固定層の非常にコンパクトな構造を可能とする。この層系を有する磁気構造要素も相応してコンパクトに形成することもできる。
【0028】
更に、固定層のために5d−遷移金属(または唯一の4d−遷移金属)を使用することによって、固定された層(例えば3d−遷移金属の薄い膜)の磁化方向を固定するのに5d−遷移金属(または唯一の4d−遷移金属)の唯一の単分子層で十分であるために製造プロセスが簡単である。
【0029】
3d−と4d−あるいは5d−遷移金属とよりなる材料組合せの場合の磁気異方性は大きなスピン/オービット−定数および小さいスピン−スプリッチング(Splitting )のために非常に大きい。
【0030】
この場合、異方性はフェルミ(Fermi )エネルギーの近辺における4d−あるいは5d−遷移元素の荷電密度の微細構造に規則的に過敏に反応する。
【0031】
3d−遷移元素を含む強磁性層と4d−および/または5d−遷移元素を含む固定層との本発明に従う組合せによって固定層の磁気結晶異方性の強さおよび方向が調整される。
【0032】
本発明の基礎となる理論は磁場へのスピン/オービット相互作用の割合を正確に算出することにある。磁性異方性のスピン/オービット相互作用のこの割合は表面において特に大きくそして薄い層の場合に磁性異方性にとって優勢である。5d−遷移金属(および唯一の4d−遷移金属)の誘発する磁性体結晶異方性は、固定された層の磁化方向を固定するために十分の大きさである。それ故にセンサー層と固定された層との間の相互作用は有利にも非常に小さい。
【0033】
種々の磁性形状(コリニア(kollinear)および非コリニアセンサー層および固定された層)は材料を適切に選択することによって簡単に製造される。この場合、センサー層の磁化方向は、中間層が十分に厚い限り、固定された層の磁化方向に左右される。この場合に十分な厚さとは特に1.0nmより厚いことを意味する。このことは、5d−遷移金属の高い磁気結晶異方性エネルギーのためにセンサー層と固定された層との間の相互作用がないことを意味する。
【0034】
他の用途はGMR−およびTMR−効果の効率を高めることである。これはモーメントフィルター(momentfilter)の使用によって生じるが、無極の(unpolarisierte)sおよびp電子に対して不透過性である。
【0035】
本発明の構造要素の有利な実施態様においては(5d−遷移金属または唯一の4d−遷移金属よりなる)固定層の磁気結晶異方性エネルギーは約10〜20meVである。これはセンサー層(3d−遷移金属よりなる薄い膜)の磁気結晶異方性エネルギーよりも約100倍大きい。この高いエネルギーは固定された層の磁気結晶異方性エネルギーより優勢であり、従ってそれの磁化方向が固定される。
【0036】
図面の説明
図1:5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造。この実施態様は固定層を有している。センサー層および固定された層の磁化方向は相応するベクトルグラフで図示している。
図2:5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造。この実施態様は2つの固定層を有している。ここでもセンサー層と固定された層の磁化方向を相応するベクトルグラフで図示してる
この配置(図1および図2)においてセンサー層1は固定された層3に結合しておらず、その結果センサー層1と固定された層3の磁気方向が異なっていてもよく、コリニア配置も非コリニア配置も簡単に実現される。
図3:実際の磁気センサーのための図1に従う本発明の層構造の周期的配置。
図4:実際の磁気センサーのための図2に従う本発明の層構造の周期的配置。
【0037】
【実施例】
個別のGMR−(またはTMR−)センサーについて図1に図示した通り、単分子層よりなる(3d−遷移金属よりなる)固定層を5d−遷移金属または単一の4d−遷移金属よりなる固定層4に直ぐ並べて設ける。固定層4は単一の単分子層、薄い膜、合金または多層系よりなるのが有利である。ここに記載した実施態様においては、固定層4は単一の単分子層だけよりなる。なぜならば高い磁気異方性エネルギーが弱過ぎたからである。例えばセンサー層1のためのFeおよび固定された層3のためのW上のFe原子の単一層の様に、種々の磁気配置が可能である。センサー層(1)(MAE約0.1meV)が高い磁性異方性を有する面に垂直にあるので、非コリニア配置が実現され、他方、約2.0meVのMAEを有するを固定層3は平面にある。コリニア配置は、センサー層1のためにFeの代わりにCoを使用する時に現れる。
【0038】
原則として、センサー層1と固定された層3との間の磁化方向(MF )および(MP )の任意の組合せは、図1のベクトルグラフで示す通り、元素の相応する組み合わせを選択することによって調整される。
【0039】
別の有利な実施態様は図2に示してあり、これは固定層4、固定された層3および別の固定層4よりなるサンドイッチ配置(多重層)よりなる。この実施例の場合には固定された層は単一の単分子層ならびに厚い膜よりなる。しかしながら固定層4は厚い必要はない(特に5より少ない単分子層)。固定された層3の磁気結晶異方性エネルギーはここでは図1におけるよりも高く、その結果中間層相互作用はそれどころか非常に薄い中間層2に対して無視できるほど少ない。
【0040】
上記の配置の場合には、GMR−およびTMR−効果の効率を高めるために、モーメントフィルターが使用される。この場合には、状態密度がフェルミ・エネルギーの近辺にありそしてモーメントに依存する様に互いに組み合わせる。フェルミ・エネルギーの近くのsおよびp状態密度が低い材料を選択することができるが、d状態密度がそこでは高く、その結果d状態だけが電流に寄与する。
【0041】
図3および4に示した通り、実際のGMR−およびTMR−センサーは沢山の個々のGMR−およびTMR−センサーの配列で構成されている。具体的実施形態においては5d−遷移金属(W、Re、Os、Ir、Pt)のそれぞれを使用することができ、4d−遷移金属(Pd、Rh、Ru)のそれぞれも固定層として使用可能である。
【0042】
図1および2に示す様な配列においては、層配列は固定層4の他に基体5および連結層2よりなる。
【0043】
基体5は貴金属(Cu、Ag、Au)、3d−、4d−または5d−遷移金属を含めた層系(多層)である。しばしば中間層とも称する連結層2のためには好ましくは貴金属(Cu、Ag、Au)または絶縁体を使用するべきである。3d−、4d−または5d−遷移金属の全てが連結層2のために使用するのが適しているわけでない。しかし当業者ならば、所定の問題設定にとって適する組合せを見出すことができる。
【0044】
センサー層1の磁化(MF )は固定された層3の磁化(MP )にのみ左右される。センサー層1の磁化(MP )は3d−遷移金属の弱いスピン/オービット−相互作用によって生ずる。3d−(固定された層)および5d−(固定層)遷移金属の組合せよりなるセンサーの場合には3d−遷移金属が磁気モーメントの大きさを決定し、他方、磁化方向は5d−遷移金属の強いスピン/オービット−相互作用に基づいて決められる。この構造は、固定層が反強磁性結合によって固定される慣用のGMR−およびTMR−材料と全く相違している。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造を示す。
【図2】
図2は5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造を示す。
【図3】
図3は実際の磁気センサーのための図1に従う本発明の層構造の周期的配置を示す。
【図4】
図4は実際の磁気センサーのための図2に従う本発明の層構造の周期的配置を示す。
【符号の説明】
1・・・強磁性層(センサー層)
2・・・中間層
3・・・強磁性層(固定層)
4・・・本発明の固定層
5・・・基体
【外1】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性層系並びにかゝる層系を有する構造要素、特に磁気抵抗(MR)またはトンネル磁気抵抗(Tunnelmagnetwiderstand)(TMR)を利用する構造要素、例えば磁気センサーまたは磁気メモリーに関する。
【0002】
【従来の技術】
種々の材料は、かけられた磁場に特に敏感に反応する電導性を有する。
【0003】
この現象は多くの磁気センサー、および読み取り磁気抵抗(GMR)およびトンネル磁気抵抗(TMR)をベースとする磁気メモリー(MRAM−マグネチック・ランダム・アクセス・メモリー)において利用される。
【0004】
かゝるセンサーは一般に、非磁性層によって分離されている多数の強磁性層を有している。外部磁場が存在しない場合には、強磁性層が中間層−交換結合によって対峙する方向に磁化され得る。そのときに負荷された外側磁場は強磁性層中に磁化方向の平行配向をもたらす。抵抗は磁化方向に依存するので、磁気形状が変化する外側磁場は抵抗の変化によって簡単に検出できる。この場合、種々の磁化方向の間のエネルギーの差を、弱い磁場を検出できるためにできるだけ少なく維持することが必要である。これは強磁性層間の非磁性中間層によって達成される。
コンピュータ・ハードディスクの場合の磁気データメモリーの領域においてGMR型のセンサーが(以下の長所のために)従来使用されていたセンサーとどんどん取り替えられていることは公知である。異方性磁気抵抗(AMR)を利用するセンサーに比べてGMR−型のセンサーは若干の長所を有している。GMR−型のセンサーは全部の角度情報を有利に利用している。AMR−センサーについては反対の方向に配向した磁場が見分けを付けることができずそしてその旨の信号をもたらし、GMR−センサーの場合にはコリニア(kollinear)および非コリニアに配向した領域が種々の電気抵抗を生じさせる。
【0005】
AMR−センサーに対するGMR−センサーの別の長所は比較的に大きな信号を放つことである。
【0006】
更にGMR−効果が界面効果に基づいているという事実も長所である。このことは、GMR−センサーがAMR−型の相応するセンサーよりも非常に薄くともよいことを意味する。
【0007】
トンネル磁気抵抗(TMR)が将来の磁気動作メモリーにおいて利用する可能性に関する効果を調べることも同様に公知である。これは磁気ランタムアクセスメモリー(MRAM)の概念のもとで公知であり、今日使用される半導体メモリーに交換可能である。
【0008】
原則としてこのためにはGMR−効果が適している。しかしながらTMR−効果はセンサーの大きな固有抵抗というあきらかな長所を有する。MRAMにおいては、メモリー素子とプロセッサーとの間の接続導体の高い抵抗のために、このことは重要である。
【0009】
GMR−並びにTMR−センサーは典型的には自由磁気層、中間層、および磁化方向が隣接するアンチ強磁性層により固定される強磁性層で構成されている。
【0010】
自由層は一般に同様に強磁性層でありそしてセンサー層と称される。中間層はGMR−タイプの場合にはCu、Ag、Au、Mn、Crの様な元素をそしてTMR−タイプの場合には絶縁体を包含する。
【0011】
層系のこの機能は、センサー層の磁化方向が外部磁場に反応するが、固定された強磁性層は外部磁場に影響されないままであることに基づいている。固定された層の磁化方向は固定された強磁性層と隣接する反強磁性層との間の強い反強磁性相互作用によって固定される。
【0012】
かゝる層系を製造する際の問題は、反強磁性的に連結された固定層に適する適当な材料を見出すことである。
【0013】
別の問題は、必要な種々の磁気配向(コリニア(kollinear)および非コリニア)を造ることである。更にセンサー層の磁化方向は層間の広範囲の相互作用のために、固定された層の磁化方向に規則的に結合される。このことは不利にも僅かな効率を意味する(GMRの場合には20%より少なく、TMRの場合には50%より少ない)。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来技術に比較して強磁性層の磁化方向の改善された固定を可能とする層系およびかゝる層系を収容する磁気構造要素を提供することである。
【0015】
更に本発明の別の課題は、固定された強磁性層と別の強磁気センサー層との間に僅かな相互作用しか示さない磁気構造要素を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明のこれらの課題は、請求項1の特徴部分を有する層系並びに請求項9の特徴部分を有する磁気構造要素によって解決される。更に請求項14、15および18も本発明の有利な実施形態である。
【0017】
別の有利な実施態様はそれぞれに従属する請求項から明らかである。
【0018】
発明の説明
請求項1によれば本発明の層系は固定層およびこれに隣接する強磁性層を有する。この強磁性層は一般に3d−遷移金属または3d−遷移金属よりなる合金または多層系を有している。3d−遷移元素には特にFe、NiおよびCoが属する。
【0019】
隣接強磁性層の磁化方向を固定するために、固定層は4d−あるいは亜5d−遷移元素を有している。
【0020】
驚くべきことに、強磁性層の3d−遷移元素と固定層の4d−あるいは5d−遷移金属との材料組合せの場合には3d−遷移金属が磁気モーメントの大きさを決定し、これに対して磁化方向は4d−あるいは5d−遷移金属によって決定されることが確認された。
【0021】
この場合、3d−遷移金属よりなる強磁性層は固定層の4d−あるいは5d−遷移金属の磁気結晶異方性の高いエネルギー(MAE)によって固定される。従来技術から公知になっている様な材料による強い反強磁性結合は従来から通例である。本発明の層の磁気結晶異方性エネルギーは固定された強磁性層の磁化方向の有利な結合を実現する。
【0022】
磁化方向は一般に結晶優先方向に沿って延びおよび/または磁性物質の巨視的構造によって決められる。この性質は磁気結晶異方性である。最も少ないエネルギーの状態から最も高いエネルギーの状態に方位を変えるために必要とされるエネルギーが異方性エネルギーである。この異方性エネルギーは相関的効果、特に双極子/双極子およびスピン/オービット(Orbit) 相互作用から得られる。磁気の単位で表される磁性異方性は0.01〜10MJ/m3 の大きさである。
【0023】
この場合、固定層のための特に有利に適する4d−遷移元素としては請求項2に従ってパラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)およびルテニウム(Ru)の各元素が挙げられる。
【0024】
請求項3に従う有利に適する5d−遷移元素としてはタングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)の各元素が挙げられる。
【0025】
4d−並びに5d−遷移元素は高い磁気結晶異方性エネルギー(MAE)を有し、隣接した強磁性層の磁化方向の固定を簡単に可能とする。
【0026】
一つの有利な実施態様においては、請求項4に従い、4d−あるいは5d−遷移金属を含む固定層は薄い層として構成されている。これは、1〜10の単分子層の層厚を持つ層を意味する。
【0027】
特に本発明の固定層は請求項5に従って単分子層として形成されているのが有利である。4d−または5d−遷移元素の単分子層は既に強磁性層の磁化方向を本発明に従って固定させる。それ故にこの実施態様は特に材料を節約しそして固定層の非常にコンパクトな構造を可能とする。この層系を有する磁気構造要素も相応してコンパクトに形成することもできる。
【0028】
更に、固定層のために5d−遷移金属(または唯一の4d−遷移金属)を使用することによって、固定された層(例えば3d−遷移金属の薄い膜)の磁化方向を固定するのに5d−遷移金属(または唯一の4d−遷移金属)の唯一の単分子層で十分であるために製造プロセスが簡単である。
【0029】
3d−と4d−あるいは5d−遷移金属とよりなる材料組合せの場合の磁気異方性は大きなスピン/オービット−定数および小さいスピン−スプリッチング(Splitting )のために非常に大きい。
【0030】
この場合、異方性はフェルミ(Fermi )エネルギーの近辺における4d−あるいは5d−遷移元素の荷電密度の微細構造に規則的に過敏に反応する。
【0031】
3d−遷移元素を含む強磁性層と4d−および/または5d−遷移元素を含む固定層との本発明に従う組合せによって固定層の磁気結晶異方性の強さおよび方向が調整される。
【0032】
本発明の基礎となる理論は磁場へのスピン/オービット相互作用の割合を正確に算出することにある。磁性異方性のスピン/オービット相互作用のこの割合は表面において特に大きくそして薄い層の場合に磁性異方性にとって優勢である。5d−遷移金属(および唯一の4d−遷移金属)の誘発する磁性体結晶異方性は、固定された層の磁化方向を固定するために十分の大きさである。それ故にセンサー層と固定された層との間の相互作用は有利にも非常に小さい。
【0033】
種々の磁性形状(コリニア(kollinear)および非コリニアセンサー層および固定された層)は材料を適切に選択することによって簡単に製造される。この場合、センサー層の磁化方向は、中間層が十分に厚い限り、固定された層の磁化方向に左右される。この場合に十分な厚さとは特に1.0nmより厚いことを意味する。このことは、5d−遷移金属の高い磁気結晶異方性エネルギーのためにセンサー層と固定された層との間の相互作用がないことを意味する。
【0034】
他の用途はGMR−およびTMR−効果の効率を高めることである。これはモーメントフィルター(momentfilter)の使用によって生じるが、無極の(unpolarisierte)sおよびp電子に対して不透過性である。
【0035】
本発明の構造要素の有利な実施態様においては(5d−遷移金属または唯一の4d−遷移金属よりなる)固定層の磁気結晶異方性エネルギーは約10〜20meVである。これはセンサー層(3d−遷移金属よりなる薄い膜)の磁気結晶異方性エネルギーよりも約100倍大きい。この高いエネルギーは固定された層の磁気結晶異方性エネルギーより優勢であり、従ってそれの磁化方向が固定される。
【0036】
図面の説明
図1:5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造。この実施態様は固定層を有している。センサー層および固定された層の磁化方向は相応するベクトルグラフで図示している。
図2:5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造。この実施態様は2つの固定層を有している。ここでもセンサー層と固定された層の磁化方向を相応するベクトルグラフで図示してる
この配置(図1および図2)においてセンサー層1は固定された層3に結合しておらず、その結果センサー層1と固定された層3の磁気方向が異なっていてもよく、コリニア配置も非コリニア配置も簡単に実現される。
図3:実際の磁気センサーのための図1に従う本発明の層構造の周期的配置。
図4:実際の磁気センサーのための図2に従う本発明の層構造の周期的配置。
【0037】
【実施例】
個別のGMR−(またはTMR−)センサーについて図1に図示した通り、単分子層よりなる(3d−遷移金属よりなる)固定層を5d−遷移金属または単一の4d−遷移金属よりなる固定層4に直ぐ並べて設ける。固定層4は単一の単分子層、薄い膜、合金または多層系よりなるのが有利である。ここに記載した実施態様においては、固定層4は単一の単分子層だけよりなる。なぜならば高い磁気異方性エネルギーが弱過ぎたからである。例えばセンサー層1のためのFeおよび固定された層3のためのW上のFe原子の単一層の様に、種々の磁気配置が可能である。センサー層(1)(MAE約0.1meV)が高い磁性異方性を有する面に垂直にあるので、非コリニア配置が実現され、他方、約2.0meVのMAEを有するを固定層3は平面にある。コリニア配置は、センサー層1のためにFeの代わりにCoを使用する時に現れる。
【0038】
原則として、センサー層1と固定された層3との間の磁化方向(MF )および(MP )の任意の組合せは、図1のベクトルグラフで示す通り、元素の相応する組み合わせを選択することによって調整される。
【0039】
別の有利な実施態様は図2に示してあり、これは固定層4、固定された層3および別の固定層4よりなるサンドイッチ配置(多重層)よりなる。この実施例の場合には固定された層は単一の単分子層ならびに厚い膜よりなる。しかしながら固定層4は厚い必要はない(特に5より少ない単分子層)。固定された層3の磁気結晶異方性エネルギーはここでは図1におけるよりも高く、その結果中間層相互作用はそれどころか非常に薄い中間層2に対して無視できるほど少ない。
【0040】
上記の配置の場合には、GMR−およびTMR−効果の効率を高めるために、モーメントフィルターが使用される。この場合には、状態密度がフェルミ・エネルギーの近辺にありそしてモーメントに依存する様に互いに組み合わせる。フェルミ・エネルギーの近くのsおよびp状態密度が低い材料を選択することができるが、d状態密度がそこでは高く、その結果d状態だけが電流に寄与する。
【0041】
図3および4に示した通り、実際のGMR−およびTMR−センサーは沢山の個々のGMR−およびTMR−センサーの配列で構成されている。具体的実施形態においては5d−遷移金属(W、Re、Os、Ir、Pt)のそれぞれを使用することができ、4d−遷移金属(Pd、Rh、Ru)のそれぞれも固定層として使用可能である。
【0042】
図1および2に示す様な配列においては、層配列は固定層4の他に基体5および連結層2よりなる。
【0043】
基体5は貴金属(Cu、Ag、Au)、3d−、4d−または5d−遷移金属を含めた層系(多層)である。しばしば中間層とも称する連結層2のためには好ましくは貴金属(Cu、Ag、Au)または絶縁体を使用するべきである。3d−、4d−または5d−遷移金属の全てが連結層2のために使用するのが適しているわけでない。しかし当業者ならば、所定の問題設定にとって適する組合せを見出すことができる。
【0044】
センサー層1の磁化(MF )は固定された層3の磁化(MP )にのみ左右される。センサー層1の磁化(MP )は3d−遷移金属の弱いスピン/オービット−相互作用によって生ずる。3d−(固定された層)および5d−(固定層)遷移金属の組合せよりなるセンサーの場合には3d−遷移金属が磁気モーメントの大きさを決定し、他方、磁化方向は5d−遷移金属の強いスピン/オービット−相互作用に基づいて決められる。この構造は、固定層が反強磁性結合によって固定される慣用のGMR−およびTMR−材料と全く相違している。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造を示す。
【図2】
図2は5d−遷移金属よりなる固定層を持つ本発明の磁気センサーのための層構造を示す。
【図3】
図3は実際の磁気センサーのための図1に従う本発明の層構造の周期的配置を示す。
【図4】
図4は実際の磁気センサーのための図2に従う本発明の層構造の周期的配置を示す。
【符号の説明】
1・・・強磁性層(センサー層)
2・・・中間層
3・・・強磁性層(固定層)
4・・・本発明の固定層
5・・・基体
【外1】
Claims (18)
- 3d−遷移金属を有する強磁性層およびそれに隣接する固定層層を持つ層系において、固定層が4d−または5d−遷移元素を有することを特徴とする、上記層系。
- Pd、Rh、Ruの群の内の少なくとも1種の元素を含む固定層を持つ、請求項1に記載の層系。
- W、Re,Os、IrおよびPtよりなる群の内の少なくとも1種の元素を含む固定層を持つ、請求項1に記載の層系。
- 4d−または5d−遷移金属元素よりなる合金よりなる固定層を持つ、請求項1〜3のいずれか一つに記載の層系。
- 固定層が多層系を含む、請求項1〜4のいずれか一つに記載の層系。
- 固定層が薄い層として形成されている、請求項1〜5のいずれか一つに記載の層系。
- 固定層が単分子層として形成されている、請求項1〜6のいずれか一つに記載の層系。
- 固定層の結晶磁気異方性が1〜100meV、特に10〜20meVの範囲内にある、請求項1〜7のいずれか一つに記載の層系。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の層系を持つ磁性構造要素。
- 第二の強磁性層を持つ請求項9に記載の磁性構造要素。
- 固定層が4d−または5d−遷移元素を含むサンドイッチ層よりなることを特徴とする、請求項9または10に記載の磁性構造要素。
- 第二の強磁性層が単分子膜として形成されている、請求項9〜11のいずれか一つに記載の磁性構造要素。
- 層系中に第二の磁性層が第一の強磁性層に隣接して配置されている、請求項9〜12のいずれか一つに記載の磁性構造要素。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の層系を持つモーメントフィルター。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の層系を持つ磁気センサー(Magnetsensor)。
- 請求項15に従う磁気センサーとしてのGMR−センサー。
- 請求項15に従う磁気センサーとしてのTMR−センサー。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の層系を持つ磁気メモリー。
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