CN105051855A - 熔丝元件以及熔丝器件 - Google Patents

Abstract

提供一种能够进行表面安装并且能够兼顾额定的提高和速熔断性的熔丝元件以及使用该熔丝元件的熔丝器件。在构成熔丝器件（1）的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件（5）中，具有：低熔点金属层（5a）和层叠于低熔点金属层（5a）的高熔点金属层（5b），低熔点金属层（5a）在通电时侵蚀高熔点金属层（5b）而熔断。

Description

熔丝元件以及熔丝器件

技术领域

本发明涉及安装在电流路径上并且在超过额定的电流流动时利用自我发热进行熔断来切断该电流路径的熔丝元件以及熔丝器件，特别是涉及速断性优越的熔丝元件以及熔断后的绝缘性优越的熔丝器件。本申请基于在日本国在2013年3月28日申请的日本特许申请号特愿2013-070306和在2014年3月20日申请的日本特许申请号特愿2014-059135要求优先权，通过参照而将这些申请援引于本申请。

背景技术

历来，使用在超过额定的电流流动时利用自我发热进行熔断来切断该电流路径的熔丝元件。作为熔丝元件，例如，多使用将焊料封入到玻璃管中的支架固定型熔丝、在陶瓷基板表面印刷Ag电极的芯片熔丝、使铜电极的一部分变细而装入到塑料盒（plasticcase）中的拧入或***型熔丝等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-82064号公报。

发明内容

发明要解决的课题

但是，在上述现有的熔丝元件中，指出以下那样的问题点：不能进行利用回流的表面安装，电流额定低，此外，当通过大型化来提高额定时速断性差。

此外，在设想回流安装用的速断熔丝器件的情况下，为了不由于回流的热而熔融，通常，在熔丝元件中，熔点为300℃以上的加入Pb的高熔点焊料是熔断特性上优选的。但是，在RoHS指令等中，含有Pb焊料的使用只不过被限定地同意，认为今后无Pb化的要求会变强。

即，作为熔丝元件，要求：利用回流的表面安装是可能的且向熔丝器件的安装性优越、能够提高额定而与大电流对应、具备在超过额定的过电流时迅速地切断电流路径的速熔断性。

因此，本发明的目的在于提供一种能够进行表面安装并且能够兼顾额定的提高和速熔断性的熔丝元件和使用该熔丝元件的熔丝器件。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，本发明的熔丝元件是，在构成熔丝器件的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件中，具有：低熔点金属层；以及高熔点金属层，层叠于所述低熔点金属层，所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断。

此外，本发明的熔丝器件具备：绝缘基板；以及熔丝元件，装载在所述绝缘基板上，由于超过额定的电流通电而利用自我发热来熔断通电路径，所述熔丝元件具有：低熔点金属层；以及高熔点金属层，层叠于所述低熔点金属层，所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断。

发明效果

根据本发明，在熔丝元件中，在作为内层的低熔点金属层层叠高熔点金属层来作为外层，由此，即使在回流温度超过低熔点金属层的熔融温度的情况下，作为熔丝元件，也不会达到熔断。因此，熔丝元件能够利用回流而高效率地安装。

此外，关于本发明所涉及的熔丝元件，当比额定高的值的电流流动时，利用自我发热进行熔融来切断通电路径。此时，在熔丝元件中，熔融后的低熔点金属层侵蚀高熔点金属层，由此，高熔点金属层以比熔融温度低的温度熔解。因此，熔丝元件能够利用由低熔点金属层造成的高熔点金属层的侵蚀作用而在短时间内熔断。

此外，关于熔丝元件，在低熔点金属层层叠低电阻的高熔点金属层来构成，因此，能够大幅地减小导体电阻，与相同尺寸的以往的芯片熔丝等相比，能够大幅地提高电流额定。此外，与具有相同的电流额定的以往的芯片熔丝相比，能够谋求薄型化，并且速熔断性优越。

附图说明

图1是示出应用本发明的熔丝元件以及熔丝器件的剖面图。

图2是示出应用本发明的另外的熔丝元件的剖面图。

图3是示出应用本发明的另外的熔丝元件的剖面图。

图4是示出应用本发明的另外的熔丝元件的立体图，（A）示出将高熔点金属层设置在低熔点金属层的上下表面，（B）示出将高熔点金属层设置在长尺状的低熔点金属的表面而切断为适当的长度，（C）示出将高熔点金属层设置在线（wire）状的低熔点金属的表面而切断为适当的长度。

图5是示出形成有保护构件的熔丝元件的立体图。

图6是示出被保护套保护的熔丝元件的图，（A）为分解立体图，（B）为示出在框体内收纳有熔丝元件的状态的立体图，（C）为示出被盖体闭塞的状态的立体图。

图7是示出利用夹具（clamp）端子夹持熔丝元件的熔丝器件的剖面图。

图8是示出将与夹具端子嵌合连接的熔丝元件自身用作熔丝器件的实施例的剖面图。

图9是示出应用本发明的另外的熔丝元件的立体图。

图10是示出使用了图9所示的熔丝元件的熔丝器件的制造工序，（A）示出绝缘基板的立体图，（B）示出在绝缘基板装载有熔丝元件的状态，（C）示出在熔丝元件上设置有焊剂（flux）的状态，（D）示出装载了覆盖构件的状态，（E）示出向电路基板的安装状态。

图11是示出使用了一个板状元件的熔丝器件的熔断状态的图，（A）示出超过额定的电流开始通电的状态，（B）示出元件熔融并凝集了的状态，（C）示出元件伴随着电弧放电而爆发地熔断了的状态。

图12是示出使用了具有多个元件部的熔丝元件的熔丝器件的熔断状态，（A）示出超过额定的电流开始通电的状态，（B）示出外侧的元件部熔断了的状态，（C）示出内侧的元件部伴随着电弧放电而熔断了的状态。

图13是示出熔丝元件的平面图，（A）示出整体地支承元件部的两侧，（B）示出整体地支承元件部的单侧。

图14是示出并联有3个元件的熔丝器件的立体图。

图15是示出在第一、第二电极设置有突出部的熔丝器件的图，（A）为绝缘基板的平面图，（B）为立体图。

图16是示出使用了图9所示的熔丝元件的另外的熔丝器件的制造工序的图，（A）示出绝缘基板的立体图，（B）示出在绝缘基板装载有熔丝元件的状态，（C）示出在熔丝元件上设置有焊剂的状态，（D）示出装载有覆盖构件的状态和向电路基板的安装状态。

图17是示出使用了另外的熔丝元件的另外的熔丝器件的立体图。

图18（A）（B）是示出形成有第一、第二分割电极的绝缘基板的平面图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边详细地说明应用本发明的熔丝元件以及熔丝器件。再有，本发明并不仅限定于以下的实施方式，当然能够在不偏离本发明的主旨的范围内进行各种变更。此外，附图是示意性的，存在各尺寸的比率等与现实的比率不同的情况。关于具体的尺寸等，应参考以下的说明来判断。此外，当然，在附图互相间也包含彼此的尺寸的关系、比率不同的部分。

[第一实施方式]

[熔丝器件]

本发明的熔丝器件1如图1所示那样具备：绝缘基板2、设置在绝缘基板2的第一和第二电极3、4、以及遍及第一和第二电极3、4间安装并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热进行熔断来切断第一电极3与第二电极4之间的电流路径的熔丝元件5。

绝缘基板2例如通过氧化铝、玻璃陶瓷、多铝红柱石、氧化锆等具有绝缘性的构件而形成为方形形状。此外，绝缘基板2也可以使用在玻璃环氧基板、苯酚（phenol）基板等印刷布线基板中使用的材料。

在绝缘基板的相向的两端部形成有第一、第二电极3、4。第一、第二电极3、4分别由Cu布线等的导电图案形成，在表面适当地作为氧化防止对策而设置有Sn电镀等保护层6。此外，第一、第二电极3、4从绝缘基板2的表面2a经由侧面到达背面2b。熔丝器件1经由形成在背面2b的第一、第二电极3、4而安装在电路基板的电流路径上。

[熔丝元件]

遍及第一和第二电极3、4间安装的熔丝元件5由于超过额定的电流通电而利用自我发热（焦耳热）熔断来切断第一电极3与第二电极4之间的电流路径。

熔丝元件5为由内层和外层构成的层叠构造体，作为内层具有低熔点金属层5a，作为层叠于低熔点金属层5a的外层具有高熔点金属层5b，形成为大致矩形板状。熔丝元件5在经由焊料等粘接材料8装载在第一和第二电极3、4间之后通过回流焊接等连接在绝缘基板2上。

关于低熔点金属层5a，优选的是将Sn作为主要成分的金属，是通常被称为“无Pb焊料”的材料（例如，千住金属工作制、M705等）。低熔点金属层5a的熔点未必需要比回流炉的温度高，也可以以200℃左右熔融。高熔点金属层5b为层叠在低熔点金属层5a的表面的金属层，例如为将Ag或Cu或它们之中的任一个作为主要成分的金属，具有即使在通过回流炉在绝缘基板2上进行熔丝元件5的安装的情况下也不熔融的高的熔点。

关于熔丝元件5，在成为内层的低熔点金属层5a层叠高熔点金属层5b来作为外层，由此，即使在回流温度超过低熔点金属层5a的熔融温度的情况下，作为熔丝元件5，也不达到熔断。因此，熔丝元件5能够利用回流高效率地安装。

此外，熔丝元件5在规定的额定电流流动的期间不会由于自我发热而熔断。然后，当流动比额定高的值的电流时，通过自我发热而熔融来切断第一和第二电极3、4间的电流路径。此外，关于熔丝元件5，熔融后的低熔点金属层5a侵蚀高熔点金属层5b，由此，高熔点金属层5b以比熔融温度低的温度熔融。因此，熔丝元件5能够利用由低熔点金属层5a的高熔点金属层5b的侵蚀作用在短时间内熔断。此外，熔丝元件5的熔融金属由于第一和第二电极3、4的物理的拉拢（draw）作用而分断为左右，因此，能够迅速地且可靠地切断第一和第二电极3、4间的电流路径。

此外，熔丝元件5在成为内层的低熔点金属层5a层叠高熔点金属层5b来构成，因此，与以往的由高熔点金属构成的芯片熔丝等相比，能够大幅降低熔断温度。因此，熔丝元件5与相同尺寸的芯片熔丝等相比，能够使剖面积变大而能够大幅提高电流额定。此外，与具有相同的电流额定的以往的芯片熔丝相比，能够谋求小型化、薄型化，速熔断性优越。

此外，熔丝元件5能够提高向对装入有熔丝器件1的电***瞬间地施加异常高的电压的浪涌（surge）的耐性（耐脉冲性）。即，熔丝元件5甚至在例如100A的电流流动了数msec那样的情况下也不会熔断。在此方面，在极短时间内流动的大电流在导体的表层流动（表皮效果），因此，由于在熔丝元件5中设置电阻值低的Ag电镀等高熔点金属层5b来作为外层，所以能够容易使由浪涌施加的电流流动，防止由于自我发热造成的熔断。因此，熔丝元件5与以往的由焊料合金构成的熔丝相比，能够大幅提高针对浪涌的耐性。

[耐脉冲试验]

在此，对熔丝器件1的耐脉冲试验进行说明。在本试验中，作为熔丝器件，准备了对低熔点金属箔（Sn96.5/Ag/Cu）的双面分别实施了厚度4μm的Ag电镀的熔丝元件（实施例）以及仅由低熔点金属箔（Pb90/Sn/Ag）构成的熔丝元件（比较例）。关于实施例所涉及的熔丝元件，剖面积为0.1mm²，长度L为1.5mm，熔丝器件电阻为2.4mΩ。关于比较例所涉及的熔丝元件，剖面积为0.15mm²，长度L为1.5mm，熔丝器件电阻为2.4mΩ。

将这些实施例和比较例所涉及的熔丝元件的两端分别焊接连接在形成在绝缘基板上的第一、第二电极间（参照图1），使100A的电流以10秒间隔在10msec期间流动（on=10msec/off=10sec），对熔断之前的脉冲数量进行计量。

[表1]

如表1所示那样，实施例所涉及的熔丝元件在熔断之前容忍3890次脉冲，但是，比较例所涉及的熔丝元件尽管剖面积比实施例所涉及的熔丝元件大但是仅容忍了412次。由此，已知在低熔点金属层层叠了高熔点金属层的熔丝元件的耐脉冲性大幅提高。

再有，关于熔丝元件5，优选的是使低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积大。关于熔丝元件5，使低熔点金属层5a的体积变多，由此，能够有效地进行利用高熔点金属层5b的侵蚀的短时间内的熔断。

具体地，熔丝元件5是内层为低熔点金属层5a并且外层为高熔点金属层5b的包覆构造，低熔点金属层5a与高熔点金属层5b的层厚比也可以为低熔点金属层﹕高熔点金属层=2.1﹕1~100﹕1。由此，能够可靠地使低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积多，从而能够有效地进行利用高熔点金属层5b的侵蚀的短时间内的熔断。

即，在熔丝元件5中，在构成内层的低熔点金属层5a的上下表面层叠高熔点金属层5b，因此，在层厚比为低熔点金属层﹕高熔点金属层=2.1﹕1以上的情况下，低熔点金属层5a越厚，越能够使低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积多。此外，关于熔丝元件5，当低熔点金属层5a变厚且高熔点金属层5b变薄而使层厚比超过低熔点金属层﹕高熔点金属层=100﹕1时，存在高熔点金属层5b被由于回流安装时的热而熔融后的低熔点金属层5a侵蚀的担忧。

准备改变了膜厚的多个熔丝元件的样品并经由焊料浆装载在第一和第二电极3、4上，之后，施加回流适合的260℃的温度来观察熔丝元件未熔断的状态，由此，求取这样的膜厚的范围。

在100μm厚的低熔点金属层5a（Sn96.5/Ag/Cu）的上下表面形成有厚度1μm的Ag电镀层的熔丝元件中，在260℃的温度下，Ag电镀熔解而不能维持元件形状。当考虑利用回流的表面安装时，确认了相对于100μm厚的低熔点金属层5a，只要高熔点金属层5b的厚度为3μm以上，则即使通过利用回流的表面安装，也能够可靠地维持形状。再有，在将Cu用作高熔点金属的情况下，只要厚度为0.5μm以上，则即使通过利用回流的表面安装，也能够可靠地维持形状。

此外，还能够通过由于在高熔点金属层中采用Cu造成的侵蚀性的减少、由于在低熔点金属层的材料中采用Sn/Bi、In/Sn等熔点低的合金造成的Sn含有量的减少，从而使低熔点金属层﹕高熔点金属层=100﹕1。

再有，关于低熔点金属层5a的厚度，当考虑使向高熔点金属层5b的侵蚀扩散而迅速熔断的情况时，虽然也根据熔丝元件的尺寸，但是通常优选的是30μm以上。

[制造方法]

能够通过使用电镀技术来在低熔点金属层5a的表面对高熔点金属5b进行成膜来制造熔丝元件5。关于熔丝元件5，例如能够通过对长尺状的焊料箔的表面实施Ag电镀来高效率地制造，在使用时根据尺寸进行切断，由此，能够容易地使用。

此外，也可以通过贴合低熔点金属箔和高熔点金属箔来制造熔丝元件5。关于熔丝元件5，例如能够通过在轧制后的2个Cu箔或Ag箔之间夹持并压制（press）同样地轧制后的焊料箔来制造。在该情况下，关于低熔点金属箔，优选的是选择比高熔点金属箔柔软的材料。由此，能够吸收厚度的偏差而使低熔点金属箔与高熔点金属箔无间隙地紧贴。此外，低熔点金属箔通过压制而膜厚变薄，因此，优选预先使其变厚。在通过压制而低熔点金属箔从熔丝元件端面露出的情况下，优选的是切掉来调整形状。

此外，关于熔丝元件5，也能够通过使用蒸镀等薄膜形成技术、其他的周知的层叠技术来形成在低熔点金属层5a层叠了高熔点金属层5b的熔丝元件5。

此外，关于熔丝元件5，也可以如图2所示那样交替地形成多层低熔点金属层5a和高熔点金属层5b。在该情况下，作为最外层，也可以是低熔点金属层5a和高熔点金属层5b的任一个。

此外，关于熔丝元件5，如图3所示那样，在将高熔点金属层5b作为最外层时，也可以进一步在该最外层的高熔点金属层5b的表面形成氧化防止膜7。关于熔丝元件5，进而通过氧化防止膜7包覆最外层的高熔点金属层5b，由此，即使在例如作为高熔点金属层5b而形成了Cu电镀、Cu箔的情况下，也能够防止Cu的氧化。因此，关于熔丝元件5，能够防止由于Cu的氧化而熔断时间变长的事态，能够在短时间内熔断。

此外，关于熔丝元件5，能够使用Cu等便宜但是容易氧化的金属来作为高熔点金属层5b，能够不使用Ag等高价的材料来形成。

高熔点金属的氧化防止膜7能够使用与内层的低熔点金属层5a相同的材料，例如能够使用将Sn作为主要成分的无Pb焊料。此外，氧化防止膜7能够通过在高熔点金属层5b的表面实施锡电镀来形成。此外，氧化防止膜7也能够通过Au电镀、预焊剂（preflux）来形成。

此外，关于熔丝元件5，既可以如图4（A）所示那样在低熔点金属层5a的上表面和背面层叠高熔点金属层5b，或者也可以如图4（B）所示那样利用高熔点金属层5b包覆除了低熔点金属层5a的相向的2个端面之外的外周部。

此外，关于熔丝元件5，既可以采用方形的可熔导体，也可以如图4（C）所示那样采用圆线状的可熔导体。进而，关于熔丝元件5，也可以利用高熔点金属层5b包覆包含端面的整个表面。

此外，关于熔丝元件5，也可以如图5所示那样在外周的至少一部分设置保护构件10。保护构件10防止熔丝元件5的回流安装时的连接用焊料的流入、内层的低熔点金属层5的流出来维持形状，并且，即使在超过额定的电流流动时，也防止熔融焊料的流入来防止由于额定的上升造成的速熔断性的降低。

即，关于熔丝元件5，通过在外周设置保护构件10，从而能够防止在回流温度下熔融后的低熔点金属层5a的流出，维持元件的形状。特别地，在低熔点金属层5a的上表面和下表面层叠高熔点金属层5b并且低熔点金属层5a从侧面露出的熔丝元件5中，在外周部设置保护构件10，由此，能够防止从该侧面的低熔点金属的流出，维持形状。

此外，关于熔丝元件5，通过在外周设置保护构件10，从而能够在超过额定的电流流动时防止熔融焊料的流入。在熔丝元件5焊接连接在第一、第二电极3、4上的情况下，存在由于超过额定的电流流动时的发热使向第一、第二电极的连接用的焊料、构成低熔点金属层5a的金属熔融而流入到应熔断的熔丝元件5的中央部的担忧。关于熔丝元件5，当焊料等熔融金属流入时，存在如下的担忧：电阻值降低而阻碍发热，在规定的电流值下不熔断或熔断时间延长，或者在熔断后损害第一、第二电极3、4间的绝缘可靠性。因此，关于熔丝元件5，通过在外周设置保护构件10，从而能够防止熔融金属的流入来使电阻值固定，以规定的电流值迅速地熔断，并且，确保第一、第二电极3、4间的绝缘可靠性。

因此，作为保护构件10，优选的是具备绝缘性、回流温度的耐热性并且具备针对熔融焊料等的抵抗性的材料。例如，保护构件10能够通过使用聚酰亚胺薄膜如图5所示那样利用粘接剂11粘贴于带状的熔丝元件5的中央部来形成。此外，保护构件10能够通过在熔丝元件5的外周涂敷具备绝缘性、耐热性、抵抗性的油墨来形成。或者，保护构件10能够通过使用阻焊剂（solderresist）在熔丝元件5的外周涂敷来形成。

关于由上述的薄膜、油墨、阻焊剂等构成的保护构件10，能够通过在长尺状的熔丝元件5的外周粘贴或涂敷来形成，此外，只要在使用时切断设置有保护构件10的熔丝元件5即可，操作性优越。

此外，保护构件10也可以如图6（A）所示那样使用收纳有熔丝元件5的保护套10a。该保护套10a例如由上表面被开口的框体12、以及覆盖框体12的上表面的盖体13构成。保护套10a具有使与第一、第二电极3、4连接的熔丝元件5的两端向外方导出的开口部14。保护套10a除了导出熔丝元件5的开口部14之外被闭塞，防止熔融焊料等向框体12内的侵入。保护套10a能够使用具备绝缘性、耐热性、抵抗性的工程塑料（engineeringplastics）等来形成。

保护套10a通过如图6（B）所示那样利用框体12的被开口的上表面侧收纳熔丝元件5，如图6（C）所示那样利用盖体13进行闭塞来形成。关于熔丝元件5，与第一、第二电极3、4连接的两端向下方弯曲，从框体12的侧面导出。框体12被盖体13闭塞，由此，通过形成在盖体13的内表面的凸部13a和框体12的侧面来形成熔丝元件5导出的开口部14。

关于设置有这样的保护构件10、保护套10a的熔丝元件5，除了装入到熔丝器件1来使用（参照图1）之外，还可以自身作为熔丝器件而直接在电子部件的电路基板上直接表面安装。

[安装状态]

接着，对熔丝元件5的安装状态进行说明。在熔丝器件1中，如图1所示那样，熔丝元件5与绝缘基板2的表面2a分离地安装。由此，在熔丝器件1中，在超过额定的电流流动时，在第一、第二电极3、4间，熔丝元件5的熔融金属不会附着于绝缘基板2的表面2a，而能够可靠地切断电流路径。

另一方面，在利用向绝缘基板的表面印刷来形成熔丝元件等熔丝元件与绝缘基板的表面相接的熔丝器件中，在第一、第二电极间熔丝元件的熔融金属附着于绝缘基板上而产生泄露。例如，在通过向陶瓷基板印刷Ag浆来形成熔丝元件的熔丝器件中，陶瓷和银被烧结并陷入而残留在第一、第二电极间。因此，通过该残留物，泄露电流在第一、第二电极间流动，不能完全地切断电流路径。

在此方面，在熔丝器件1中，在绝缘基板2之外以单体形成熔丝元件5，并且与绝缘基板2的表面2a分离地安装。因此，关于熔丝器件1，即使在熔丝元件5的熔融时，熔融金属也不会向绝缘基板2陷入，而被拉拢到第一、第二电极上，能够可靠地使第一、第二电极间绝缘。

[焊剂涂敷]

此外，关于熔丝元件5，为了外层的高熔点金属层5b或低熔点金属层5a的氧化防止和熔断时的氧化物除去和焊料的流动性提高，如图1所示那样，也可以在熔丝元件5上的外层的大致整个表面涂覆焊剂。通过涂覆焊剂17，从而能够提高低熔点金属（例如焊料）的湿润性，并且，除去低熔点金属熔解的期间的氧化物，使用向高熔点金属（例如Ag）的侵蚀作用来提高速熔断性。

此外，通过涂覆焊剂17，从而即使在最外层的高熔点金属层5b的表面形成了以Sn为主要成分的无Pb焊料等的氧化防止膜7的情况下，也能够除去该氧化防止膜7的氧化物，从而能够有效地防止高熔点金属层5b的氧化，维持、提高速熔断性。

这样的熔丝元件5能够如上述的那样通过回流焊接而连接于第一、第二电极3、4上，但是，此外，熔丝元件5也可以通过超声波熔接而连接于第一、第二电极3、4上。

此外，熔丝元件5也可以如图7所示那样利用与第一、第二电极3、4连接的夹具端子21来安装。夹具端子21通过压接来夹持熔丝元件5的端部，由此，能够容易地连接。

关于利用夹具端子21物理地嵌合连接的熔丝元件5，除了被装入到熔丝器件1来使用之外，还可以如图8所示那样自身作为熔丝器件而直接地直接装入到熔丝盒、断路器（breaker）装置。在该情况下，熔丝元件5由配设在绝缘端子台22上的第一、第二电线端子23、24和夹具端子21所夹持，通过贯通夹具端子21、电线端子23、24和绝缘端子台22的螺栓25以及配置于绝缘端子台22的背面的螺母26等缔结工具来固定。

[覆盖构件]

再有，熔丝器件1也可以如图1所示那样为了保护像这样构成的绝缘基板2的表面2a上而在绝缘基板2上载置覆盖构件20。

此外，关于熔丝元件5，除了应用于上述的通过由于超过额定的电流造成的自我发热而熔断的熔丝器件1，还能够应用于通过设置在绝缘基板的发热体的加热而熔断来切断电流路径的锂离子二次电池等用的保护器件。

[第二实施方式]

接着，对应用本发明的其他的熔丝元件和熔丝器件进行说明。再有，在以下的说明中，对与上述的熔丝器件1相同的构件标注相同的附图标记并省略其细节。图9是熔丝元件30的立体图，图10是示出使用了熔丝元件30的熔丝器件40的制造工序的立体图。

如图10所示那样，熔丝器件40具有：设置有第一、第二电极3、4的绝缘基板2、遍及第一、第二电极3、4间装载的熔丝元件30、设置在熔丝元件30上的焊剂17、以及覆盖设置有熔丝元件30的绝缘基板2的表面2a上的覆盖构件20。熔丝器件40被安装于电路基板，由此，熔丝元件30串联地装入到形成在该电路基板上的电路。

熔丝器件40实现了小型且高额定的熔丝器件，例如，谋求作为绝缘基板2的尺寸而小型到3~4mm×5~6mm左右同时电阻值高额定化到0.5~1mΩ、50~60A额定。再有，当然本发明能够应用于具备一切尺寸、电阻值和电流额定的熔丝器件。

如图9所示，在熔丝元件30中，并联多个元件部31A~31C，由此，具有多个通电路径。如图10（B）所示，多个元件部31A~31C分别遍及形成在绝缘基板2的表面2a的第一、第二电极3、4间连接，成为电流的通电路径，超过额定的电流进行通电，由此，通过自我发热（焦耳热）熔断。在熔丝元件30中，通过使全部的元件部31A~31C熔断来切断遍及第一、第二电极3、4间的电流路径。

熔丝元件30与上述的熔丝元件5同样地为由内层和外层构成的层叠构造体，作为内层具有低熔点金属层5a，作为层叠在低熔点金属层5a的外层具有高熔点金属层5b。此外，熔丝元件30经由焊料等粘接材料8装载在第一和第二电极3、4间，之后，通过回流焊接等连接在绝缘基板2上。关于熔丝元件30的低熔点金属层5a和高熔点金属层5b的材料、层叠构造以及其制法、作用、效果等外形以外，与上述的熔丝元件5相同，因此，省略详细的说明。

再有，低熔点金属层5a通过将Sn作为主要成分来熔蚀高熔点金属，例如，通过使用包含40%以上Sn的合金，从而能够熔蚀Ag等高熔点金属，迅速地熔断熔丝元件30。

如图9所示，在熔丝元件30中，并联有遍及形成在绝缘基板2的第一、第二电极3、4间装载的多个元件部31A~31C。由此，即使熔丝元件30在超过额定的电流通电而熔断时发生了电弧放电的情况下，也能够防止熔融后的熔丝元件遍及广范围飞散而由飞散的金属新形成电流路径或者飞散的金属附着于端子、周围的电子部件等。

即，如图11（A）所示，在遍及绝缘基板40上的电极端子41、42间而在广范围内装载的熔丝元件43中，当施加超过额定的电压而大电流流动时，整体地发热。然后，如图11（B）所示，熔丝元件43的整体熔融而成为凝集状态，之后，如图11（C）所示那样，一边发生大规模的电弧放电一边熔断。因此，熔丝元件43的熔融物爆发地飞散。因此，存在如下的担忧：由飞散的金属新形成电流路径而损害绝缘性，或者，使形成在绝缘基板40的电极端子41、42熔融并且飞散，由此，附着于周围的电子部件等。进而，关于熔丝元件43，在整体地凝集之后，使其熔融、切断，因此，熔断所需要的热能也变多，速熔断性差。

作为迅速地停止电弧放电而切断电路的对策，还提出在中空壳体内塞满消弧材料的熔丝、在散热材料的周围将熔丝元件卷绕成螺旋状来使时滞（timelag）发生的高电压对应的电流熔丝。但是，在以往的高电压对应的电流熔丝中，需要消弧材料的封入、螺旋熔丝的制造等均是复杂的材料、加工过程，在熔丝器件的小型化、电流的高额定化等方面中是不利的。

在此方面，在熔丝元件30中，并联有遍及第一、第二电极3、4间装载的多个元件部31A~31C，因此，当超过额定的电流通电时，在电阻值低的元件部31中许多电流流动，通过自我发热而依次熔断，仅在最后残留的元件部31熔断时发生电弧放电。因此，根据熔丝元件30，即使在最后残留的元件部31的熔断时发生了电弧放电的情况下，根据元件部31的体积也是小规模的放电，能够防止熔融金属的爆发的飞散，此外，也能够大幅提高熔断后的绝缘性。此外，熔丝元件30按照多个元件部31A~31C的每一个熔断，因此，各元件部31的熔断所需要的热能很少就行，而能够在短时间内切断。

在熔丝元件30中，也可以使多个元件部31之中的一个元件部31的一部分或全部的剖面积比其他的元件部的剖面积小，由此，相对地高电阻化。通过使一个元件部31相对地高电阻化，从而，在熔丝元件30中，当超过额定的电流通电时，从比较低电阻的元件部31起，许多电流进行通电而熔断。之后，电流集中于残留的该高电阻化后的元件部31，最后伴随着电弧放电而熔断。因此，在熔丝元件30中，能够使元件部31依次熔断。此外，在剖面积小的元件部31的熔断时发生电弧放电，因此，根据元件部31的体积而为小规模的放电，能够防止熔融金属的爆发的飞散。

此外，关于熔丝元件30，优选的是设置3个以上的元件部，并且，使内侧的元件部最后熔断。例如，如图9所示，关于熔丝元件30，优选的是设置3个元件部31A、31B、31C，并且使正中的元件部31B最后熔断。

如图12（A）所示，当在熔丝元件30中超过额定的电流通电时，首先在2个元件部31A、31C中许多电流流动而通过自我发热熔断。如图12（B）所示，元件部31A、31C的熔断并未伴随着由自我发热造成的电弧放电，因此，也没有熔融金属的爆发的飞散。

接着，如图12（C）所示，电流集中于正中的元件部31B，一边伴随着电弧放电一边熔断。此时，在熔丝元件30中，使正中的元件部31B最后熔断，由此，即使发生电弧放电，也能够通过先熔断的外侧的元件部31A、31C来捕捉元件部31B的熔融金属。因此，能够抑制元件部31B的熔融金属的飞散，防止由熔融金属造成的短路等。

此时，在熔丝元件30中，可以通过使3个元件部31A~31C之中的位于内侧的正中的元件部31B的一部分或全部的剖面积比位于外侧的其他的元件部31A、31C的剖面积小，从而相对地高电阻化，由此，使正中的元件部31B最后熔断。在该情况下，使剖面积相对地变小，由此，最后熔断，因此，电弧放电也根据元件部31B的体积而为小规模，能够进一步抑制熔融金属的爆发的飞散。

[元件制法]

关于形成有这样的多个元件部31的熔丝元件30，能够通过例如如图13（A）所示那样将板状的低熔点金属5a和高熔点金属5b的层叠体32的中央部2处打通为矩形形状来制造。在熔丝元件30中，整体地支承并联的3个元件部31A~31C的两侧。再有，如图13（B）所示，在熔丝元件30中，也可以整体地支承并联的3个元件部31A~31C的单侧。

[端子部]

此外，熔丝元件30也可以形成作为形成在绝缘基板2的第一、第二电极3、4的外部连接端子的端子部33。端子部33当装载有熔丝元件30的熔丝器件40安装在电路基板时，将形成在该电路基板的电路和熔丝元件30连接，如图9所示那样形成在元件部31的长尺寸方向的两侧。然后，端子部33通过熔丝器件40以面向下的方式安装在电路基板，从而经由焊料等与形成在电路基板上的电极端子连接。

熔丝器件40经由形成在熔丝元件30的端子部33与电路基板导通连接，由此，能够降低器件整体的电阻值，谋求小型化且高额定化。即，熔丝器件40在绝缘基板2的背面设置与电路基板的连接用电极，并且，在经由填充有导电浆的通孔等与第一、第二电极3、4连接的情况下，由于通孔、城堡（castellation）的孔径、孔数的限制、导电浆的电阻率、膜厚的限制而难以进行熔丝元件的电阻值以下的实现，高额定化变得困难。

因此，在熔丝器件40中，在熔丝元件30形成端子部33，并且，经由覆盖构件20向器件外部突出。然后，熔丝器件40如图10（e）所示那样面向下安装在电路基板上，由此，将端子部33直接连接于电路基板的电极端子。由此，在熔丝器件40中，能够防止由于使导电通孔介于之间造成的高电阻化，能够根据熔丝元件30决定器件的额定，谋求小型化并且实现高额定化。

此外，在熔丝器件40中，在熔丝元件30形成端子部33，由此，不需要在绝缘基板2的背面形成与电路基板的连接用电极，只要仅在表面2a形成第一、第二电极3、4就足够，能够谋求制造工作量的削减。

设置有端子部33的熔丝元件30例如能够通过打通板状的低熔点金属5a和高熔点金属5b的层叠体并且弯曲两侧缘部来制造。或者，也可以通过在第一和第二电极3、4上连接构成端子部33的金属板来制造。

再有，在熔丝器件40中，在弯曲构成熔丝元件30的板状的低熔点金属5a和高熔点金属5b的层叠体来制造端子部33的情况下，预先整体地形成端子部33和多个元件部31，因此，也可以不在绝缘基板2设置第一、第二电极3、4。在该情况下，绝缘基板2为了使熔丝元件30的热散热而使用，优选使用导热性好的陶瓷基板。此外，作为将熔丝元件30与绝缘基板2连接的粘接剂，可以没有导电性并且导热性优越的粘接剂是优选的。

此外，作为熔丝元件，也可以通过遍及第一和第二电极3、4间并联连接相当于元件部31的多个元件34来制造。如图14所示，关于元件34，并联有例如元件34A、34B、34C这3个。各元件34A~34C形成为矩形板状，并且，在两端弯曲形成端子部33。关于元件34，可以通过使设置在内侧的正中的元件34B的剖面积比设置在外侧的其他的元件34A、34B的剖面积小，从而相对地高电阻化而最后熔断。

[熔丝器件]

使用熔丝元件30的熔丝器件40通过以下的工序来制造。装载有熔丝元件30的绝缘基板2如图10（A）所示那样在表面2a形成第一、第二电极3、4。第一、第二电极3、4连接有熔丝元件30（图10（B））。由此，熔丝元件30通过熔丝器件40安装在电路基板而被串联地装入到形成在电路基板的电路上。

熔丝元件30在第一、第二电极3、4间经由焊料等连接材料而被装载，在熔丝器件40回流安装在电路基板时被焊接连接。此外，如图10（C）所示，在熔丝元件30上设置焊剂17。通过设置焊剂17，从而能够谋求熔丝元件30的氧化防止、湿润性的提高，迅速地熔断。此外，通过设置焊剂17，从而能够抑制由于电弧放电造成的熔融金属向绝缘基板2的附着，提高熔断后的绝缘性。

接着，如图10（D）所示那样，保护绝缘基板2的表面2a上，并且，装载使由于电弧放电造成的熔丝元件30的熔融飞散物减少的覆盖构件20，由此，完成熔丝器件40。覆盖构件20在长尺寸方向的两端形成遍及宽度方向的一对脚部，该脚部设置在表面2a上，并且，熔丝元件30的端子部33从开放的侧面向上方突出。

该熔丝器件40如图10（E）所示那样通过将设置有覆盖构件20的表面2a侧朝向电路基板的面向下安装而被连接。由此，在熔丝器件40中，熔丝元件30的各元件部31被覆盖构件20和端子部33覆盖，因此，即使在电弧放电的发生的情况下，熔融金属也被端子部33、覆盖构件20捕捉，而能够防止向周围的飞散。

[第一、第二电极的突出部]

此外，在熔丝器件40中，如图15（A）（B）所示那样，形成了第一、第二电极3、4的连接有一个元件部31的部位突出的突出部3a、4a，可以使突出部3a、4a间的电极间距离比连接有其他的元件部31的部位的电极间距离短。

在突出部3a、4a上也装载元件部31，由此，该元件部31与第一、第二电极3、4和突出部3a、4a的接触面积增加。因此，该元件部31即使在电流流动而自我发热的情况下，也经由第一、第二电极3、4以及其突出部3a、4a而散热，因此，与装载在未设置突出部3a、4a的部位的其他元件部31相比，容易变冷，比其他的元件部31晚熔断。由此，熔丝器件40能够使熔丝元件30的元件部31依次熔断。

此外，通过设置突出部3a、4a，从而电极间距离比其他的元件部短。关于元件部31，电极间距离越长，越容易熔断，因此，装载在突出部3a、4a上的元件部31与其他的元件部31相比难以熔断，比其他的元件部31晚熔断。由此，熔丝器件40也能够使熔丝元件30的元件部31依次熔断。

此外，关于熔丝器件40，优选的是，使用设置有3个以上的元件部的熔丝元件30，在第一、第二电极3、4之中的装载有内侧的元件部31的部位设置突出部3a、4a，使内侧的元件部31最后熔断。例如，如图15所示，优选的是，使用设置有3个元件部31A、31B、31C的熔丝元件30，并且，在装载有正中的元件部31B的部位设置突出部3a、4a，使正中的元件部31B容易变冷，并且，也使电极间距离变短，由此，最后熔断。

如上述那样，熔丝元件30在最后的元件部31熔断时，伴随着电弧放电，因此，通过使正中的元件部31B最后熔断，从而即使发生电弧放电，也能够通过先熔断的外侧的元件部31A、31C来捕捉元件部31B的熔融金属。因此，能够抑制元件部31B的熔融金属的飞散，防止由熔融金属造成的短路等。

再有，此时，关于熔丝元件30，可以通过使3个元件部31A~31C之中的位于内侧的正中的元件部31B的一部分或全部的剖面积比位于外侧的其他的元件部31A、31C的剖面积小，从而相对地高电阻化，由此，使正中的元件部31B最后熔断。在该情况下，也通过使剖面积相对地变小，从而最后熔断，因此，电弧放电也能够根据元件部31B的体积而为小规模。

此外，在应用本发明的熔丝器件中，可以如图16（B）所示那样，与熔丝元件30整体成型端子部33，并且，使该端子部33嵌合于绝缘基板2的侧面，向绝缘基板2的背面侧突出。

该熔丝器件50通过如图16（C）所示那样在熔丝元件30上设置焊剂17接着如图16（D）所示那样在绝缘基板2的表面2a上装载覆盖构件20来制造。端子部33从覆盖构件20的开放的侧面向绝缘基板2的背面侧突出。再有，在熔丝器件50中，未必需要装载覆盖构件20。

然后，熔丝器件50利用焊料等连接材料将绝缘基板2的背面朝向电路基板来安装。由此，在熔丝器件50中，端子部33与形成在电路基板的电极端子连接，熔丝元件30与电路基板的电路串联连接。

在该熔丝器件50中，如图16（A）所示，在绝缘基板2的侧面形成熔丝元件30的端子部33嵌合的嵌合凹部35，由此，向电路基板的安装面积不会扩大，此外，能够固定熔丝元件30的嵌合位置。

再有，在图16所示的熔丝器件50中，可以不在绝缘基板2的表面2a形成第一、第二电极3、4。由此，关于熔丝器件50，不需要在绝缘基板2的表面2a形成电极，能够谋求制造工作量的削减。

此外，在熔丝器件50中，绝缘基板2为了使熔丝元件30的热散热而使用，优选使用导热性好的陶瓷基板。此外，作为将熔丝元件30与绝缘基板2连接的粘接剂，可以没有导电性并且导热性优越的粘接剂是优选的。进而，在该熔丝器件50中，可以在绝缘基板2的背面形成散热用的电极。

此外，熔丝器件50也可以如图17所示那样通过遍及第一和第二电极3、4间并联连接相当于元件部31的多个元件51来制造。在各元件51中弯曲形成有端子部52，并且，使这些端子部52嵌合于绝缘基板2的侧面，向绝缘基板2的背面侧突出。

在该情况下，也可以不形成设置在绝缘基板2的表面2a的第一、第二电极3、4。此外，在熔丝器件50中，并联3个元件51，可以使设置在内侧的正中的元件51B的剖面积比设置在外侧的其他的元件51A、51B的剖面积小，由此，相对地高电阻化，最后熔断。

[第一、第二电极的分割]

此外，在熔丝器件40中，如图18（A）所示，第一、第二电极3、4也可以根据熔丝元件30的多个元件部31A~31C、多个元件34的装载位置而分割为第一分割电极3A~3C和第二分割电极4A~4C。同样地，在熔丝器件50中，如图18（B）所示，第一、第二电极3、4也可以根据熔丝元件30的元件部31A~31C、多个元件51的装载位置而分割为第一分割电极3A~3C和第二分割电极4A~4C。

通过将第一电极3分割为第一分割电极3A~3C、将第二电极4分割为第二分割电极4A~4C，从而能够抑制熔丝元件30的元件部31A~31C或多个元件34、51的焊接连接时的焊料的表面张力所造成的安装偏离、不小心的焊料积存。

附图标记的说明

1熔丝器件、2绝缘基板、2a表面、2b背面、3第一电极、4第二电极、5熔丝元件、5a低熔点金属层、5b高熔点金属层、7氧化防止膜、10保护构件、10a保护套、11粘接剂、12框体、13盖体、14开口部、17焊剂、20覆盖构件、30熔丝元件、31元件部、33端子部、34元件、35嵌合凹部、40,50熔丝器件、51元件。

Claims (45)

1.一种熔丝元件，构成熔丝器件的通电路径，由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断，其中，所述熔丝元件具有：

低熔点金属层；以及

高熔点金属层，层叠于所述低熔点金属层，

使用所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断的作用。

2.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层为焊料，

所述高熔点金属层为Ag、Cu、将Ag或Cu作为主要成分的合金。

3.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，与所述高熔点金属层相比，所述低熔点金属层的体积多。

4.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为

低熔点金属层﹕高熔点金属层=2﹕1~100﹕1。

5.根据权利要求4所述的熔丝元件，其中，

所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，

所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。

6.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面电镀来形成。

7.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面粘贴金属箔来形成。

8.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层在所述低熔点金属层的表面通过薄膜形成工序来形成。

9.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，在所述高熔点金属层的表面进一步形成有氧化防止膜。

10.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，所述低熔点金属层和所述高熔点金属层交替地层叠多层。

11.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，所述低熔点金属层的除了相向的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层包覆。

12.根据权利要求1或2所述的熔丝元件，其中，外周的至少一部分被保护构件保护。

13.根据权利要求1所述的熔丝元件，其中，

具有并联的多个元件部，

所述多个元件部利用由于超过额定的电流的通电造成的自我发热而熔断。

14.根据权利要求13所述的熔丝元件，其中，所述多个元件部依次熔断。

15.根据权利要求14所述的熔丝元件，其中，一个所述元件部的一部分或全部的剖面积比其他的元件部的剖面积小。

16.根据权利要求13或14所述的熔丝元件，其中，

并联有3个所述元件部，

正中的所述元件部最后熔断。

17.根据权利要求16所述的熔丝元件，其中，正中的所述元件部的一部分或全部的剖面积比两侧的元件部的剖面积小。

18.根据权利要求1、2、13~15中的任一项所述的熔丝元件，其中，形成有作为所述熔丝器件的外部连接端子的端子部。

19.根据权利要求5所述的熔丝元件，其中，所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。

20.一种熔丝器件，其中，具备：

绝缘基板；以及

熔丝元件，装载在所述绝缘基板上，由于超过额定的电流通电而利用自我发热来熔断通电路径，

所述熔丝元件具有：

低熔点金属层；以及

高熔点金属层，层叠于所述低熔点金属层，

使用所述低熔点金属层在所述通电时侵蚀所述高熔点金属层而熔断的作用。

21.根据权利要求20所述的熔丝器件，其中，

具有设置在所述绝缘基板的第一和第二电极，

所述熔丝元件遍及所述第一和第二电极间安装。

22.根据权利要求21所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件与所述第一和第二电极焊接连接。

23.根据权利要求21所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件通过超声波熔接与所述第一和第二电极连接。

24.根据权利要求20~23中的任一项所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件与所述绝缘基板分离地安装。

25.根据权利要求20~23中的任一项所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件的表面通过焊剂涂覆。

26.根据权利要求20~23中的任一项所述的熔丝器件，其中，利用覆盖构件来覆盖所述绝缘基板上。

27.根据权利要求20~23中的任一项所述的熔丝器件，其中，

具有并联的多个所述熔丝元件或具有并联的多个元件部的所述熔丝元件，

所述熔丝元件利用由于超过额定的电流的通电造成的自我发热而熔断。

28.根据权利要求27所述的熔丝器件，其中，多个所述熔丝元件或多个所述元件部依次熔断。

29.根据权利要求28所述的熔丝器件，其中，一个所述熔丝元件或一个所述元件部的一部分或全部的剖面积比其他的熔丝元件或其他的元件部的剖面积小。

30.根据权利要求27所述的熔丝器件，其中，

并联有3个所述熔丝元件或3个所述元件部，

正中的所述熔丝元件或正中的所述元件部最后熔断。

31.根据权利要求30所述的熔丝器件，其中，正中的所述熔丝元件或正中的所述元件部的一部分或全部的剖面积比两侧的熔丝元件或两侧的元件部的剖面积小。

32.根据权利要求28所述的熔丝器件，其中，

遍及设置在所述绝缘基板的第一和第二电极间并联有多个所述熔丝元件或多个所述元件部，

所述第一和第二电极的连接有一个所述熔丝元件或一个所述元件部的部位突出，电极间距离比连接有其他的所述熔丝元件或其他的所述元件部的部位的电极间距离短。

33.根据权利要求29所述的熔丝器件，其中，

遍及设置在所述绝缘基板的第一和第二电极间并联有多个所述熔丝元件或多个所述元件部，

所述第一和第二电极的连接有一个所述熔丝元件或一个所述元件部的部位突出，电极间距离比连接有其他的所述熔丝元件或其他的所述元件部的部位的电极间距离短。

34.根据权利要求30所述的熔丝器件，其中，

遍及设置在所述绝缘基板的第一和第二电极间并联有3个所述熔丝元件或3个所述元件部，

所述第一和第二电极的连接有正中的所述熔丝元件或正中的所述元件部的部位突出，电极间距离比连接有其他的所述熔丝元件或其他的所述元件部的部位的电极间距离短。

35.根据权利要求31所述的熔丝器件，其中，

遍及设置在所述绝缘基板的第一和第二电极间并联有3个所述熔丝元件或3个所述元件部，

所述第一和第二电极的连接有正中的所述熔丝元件或正中的所述元件部的部位突出，电极间距离比连接有其他的所述熔丝元件或其他的所述元件部的部位的电极间距离短。

36.根据权利要求27所述的熔丝器件，其中，在所述熔丝元件形成有作为外部连接端子的端子部。

37.根据权利要求36所述的熔丝器件，其中，

所述熔丝元件以所述端子部在所述绝缘基板的表面上突出的方式连接，

所述端子部与覆盖构件一起覆盖所述熔丝元件的熔断部位。

38.根据权利要求36所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件的所述端子部嵌合于所述绝缘基板的侧面。

39.根据权利要求38所述的熔丝器件，其中，所述绝缘基板在与装载有所述熔丝元件的面相反侧的面形成有散热用电极。

40.根据权利要求27所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件通过粘接剂与所述绝缘基板连接。

41.根据权利要求27所述的熔丝器件，其中，所述第一和第二电极根据多个所述熔丝元件或多个所述元件部的装载位置而分割。

42.根据权利要求20~23中的任一项所述的熔丝器件，其中，

在所述熔丝元件形成有作为外部连接端子的端子部，

所述熔丝元件利用由于超过额定的电流的通电造成的自我发热而熔断。

43.根据权利要求42所述的熔丝器件，其中，

所述熔丝元件以所述端子部在所述绝缘基板的表面上突出的方式连接，

所述端子部与覆盖构件一起覆盖熔断部位。

44.根据权利要求42所述的熔丝器件，其中，所述熔丝元件的所述端子部嵌合于所述绝缘基板的侧面。

45.根据权利要求44所述的熔丝器件，其中，所述绝缘基板在与装载有所述熔丝元件的面相反侧的面形成有散热用电极。