JP2004363568A - Module with built-in circuit element - Google Patents

Module with built-in circuit element Download PDF

Info

Publication number
JP2004363568A
JP2004363568A JP2004137127A JP2004137127A JP2004363568A JP 2004363568 A JP2004363568 A JP 2004363568A JP 2004137127 A JP2004137127 A JP 2004137127A JP 2004137127 A JP2004137127 A JP 2004137127A JP 2004363568 A JP2004363568 A JP 2004363568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit element
module
built
heat
insulating material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004137127A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Handa
浩之 半田
Seiichi Nakatani
誠一 中谷
Koichi Hirano
浩一 平野
Osamu Inoue
修 井上
Akihiro Ishikawa
明洋 石川
Masanori Yoshida
雅憲 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2004137127A priority Critical patent/JP2004363568A/en
Publication of JP2004363568A publication Critical patent/JP2004363568A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a module with a built-in circuit element module of a small size capable of efficiently dissipating the heat generated from circuit elements to the outside. <P>SOLUTION: In the module with the built-in circuit element module 51, a plurality of pieces of two-dimensionally formed wiring 12 are laminated via an electrically insulating material 11, which is composed of a mixture of at least a filler and an electrically insulating resin, while one or more circuit elements are electrically connected to the wiring and at least a part of the circuit elements is embedded in the electrically insulating material. The module is provided with a heat-dissipating member 13 having higher thermal conductivity than that of the electrically insulating material, wherein the heat-dissipating member and the circuit element having the highest temperature rise within the module with the built-in circuit-element are mutually arranged in such a way that, viewing from the laminating direction of the wiring, an overlap exists between the two. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子機器に用いられる回路モジュールに関し、特に回路素子を内蔵する回路素子内蔵モジュールに関する。   The present invention relates to a circuit module used for an electronic device, and more particularly to a circuit element built-in module having a built-in circuit element.

従来から、電子機器には様々な種類の回路モジュールが搭載されている。この回路モジュールは、所定の電子回路を構成するように複数の回路素子（例えば、トランジスタ、ＩＣ等の能動素子や、抵抗、コンデンサ等の受動素子等）を基板上に実装した後、実装したそれらの回路素子と前記基板との全体を、例えばエポキシ樹脂等の電気絶縁性材料で覆うようにして封止することにより構成されたものである。このようにして形成された回路モジュールでは、前記複数の回路素子が前記基板上に二次元的に高密度に実装されており、そのため回路モジュール自体が小型であるため、電子機器の小型化および高性能化において効果的である。そのため、この回路モジュールは、ＰＤＡ（Personal Digital Assistance）等の情報端末機器や携帯電話等の、特に小型化が要求される電子機器において、従来から好適に用いられている。   Conventionally, various types of circuit modules have been mounted on electronic devices. In this circuit module, a plurality of circuit elements (for example, active elements such as transistors and ICs and passive elements such as resistors and capacitors) are mounted on a substrate so as to form a predetermined electronic circuit, and then the mounted circuit elements are mounted. And sealing the entire circuit element and the substrate with an electrically insulating material such as an epoxy resin. In the circuit module thus formed, the plurality of circuit elements are two-dimensionally mounted on the substrate at a high density, and thus the circuit module itself is small. It is effective in performance improvement. For this reason, this circuit module has been conventionally suitably used in information terminal equipment such as a PDA (Personal Digital Assistance) and in electronic equipment such as a mobile phone, in particular, which is required to be miniaturized.

一方、近年では、回路素子の実装密度を更に高めた回路素子内蔵モジュールの開発が進められている。この回路素子内蔵モジュールは、回路モジュールを構成する一部の回路素子を基板の内部に埋設することによって、回路素子の実装密度を三次元的に高めた回路モジュールである。この回路素子内蔵モジュールは従来から用いられている回路モジュールと比してより小型であるため、この回路素子内蔵モジュールを搭載することによって、従来から好適に用いられている前記回路モジュールを搭載する場合よりも電子機器の小型化が可能になるという効果が得られる。しかし、この回路素子内蔵モジュールでは、回路素子が熱伝導率の低い樹脂の内部に埋設されるため、その埋設された回路素子から機器動作時に発生する熱は、回路素子内蔵モジュールの内部に蓄熱される。そして、その蓄熱される熱の影響によって、埋設された回路素子が過剰に加熱される場合がある。その結果、埋設された回路素子の温度が許容限度を超えた場合には、その埋設された回路素子が破損するという問題が生じる。従って、回路素子内蔵モジュールの開発においては、機器動作時において埋設された回路素子から発生する熱を回路素子内蔵モジュールの外部へ放出し得る構成を取り入れる必要がある。そして、機器動作時において回路素子から発生する熱を外部へ放出し得る回路素子内蔵モジュールとして、以下に例示するような種々の構成が提案されている。   On the other hand, in recent years, development of a module with a built-in circuit element that further increases the mounting density of the circuit element has been promoted. This module with a built-in circuit element is a circuit module in which a part of the circuit element constituting the circuit module is embedded in a substrate, thereby increasing the mounting density of the circuit element three-dimensionally. Since this module with a built-in circuit element is smaller than a conventionally used circuit module, the mounting of the module with a built-in circuit element makes it possible to mount the circuit module that has been conventionally suitably used. The effect that the electronic device can be reduced in size can be obtained. However, in this module with a built-in circuit element, since the circuit element is buried in a resin having a low thermal conductivity, heat generated during operation of the device from the buried circuit element is stored inside the module with a built-in circuit element. You. The buried circuit element may be excessively heated by the influence of the stored heat. As a result, when the temperature of the embedded circuit element exceeds an allowable limit, there is a problem that the embedded circuit element is damaged. Therefore, in the development of a module with a built-in circuit element, it is necessary to adopt a configuration that can release heat generated from a buried circuit element during operation of the device to the outside of the module with a built-in circuit element. Various configurations as exemplified below have been proposed as circuit element built-in modules capable of releasing heat generated from the circuit elements to the outside during operation of the device.

図１４は、埋設された回路素子から発生する熱を外部へ放出し得る構成を備えた回路素子内蔵モジュールの一例の一部分を示す斜視断面図である。   FIG. 14 is a perspective sectional view showing a part of an example of a circuit element built-in module having a configuration capable of releasing heat generated from a buried circuit element to the outside.

図１４に示す回路素子内蔵モジュール４００は、基板（層）４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃと、配線（配線パターン）４０２ｄとによって構成されている。また、基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃは、配線４０２ａ、４０２ｂおよび４０２ｃと、電気絶縁性材料４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃとをそれぞれ有して構成されている。そして、電気絶縁性材料４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃのそれぞれの内部には、回路素子４０３ａおよび／または４０３ｂが埋設されている。これらの回路素子４０３ａおよび４０３ｂは、配線４０２ａ、４０２ｂおよび４０２ｃ上の所定の位置に電気的に接続されている。また、配線４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃおよび４０２ｄの対向する配線、すなわち配線４０２ａと配線４０２ｂ、配線４０２ｂと配線４０２ｃ、配線４０２ｃと配線４０２ｄのそれぞれは、インナービア４０４によって相互に電気的に接続されている。なお、このインナービア４０４の内部には導電性樹脂が充填されており、この導電性樹脂が配線４０２ａ〜配線４０２ｄの表面と電気的に接続することによって、前記対向するそれぞれの配線を電気的に接続している。ここで、図１４に示す回路素子内蔵モジュール４００では、前記電気絶縁性材料４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃが、熱硬化性樹脂と無機質フィラー（７０重量％〜９５重量％）との混合物によって構成されている。そして、この無機質フィラーの熱伝導率は熱硬化性樹脂の熱伝導率よりも大きいため、電気絶縁性材料４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃの熱伝導率は、熱硬化性樹脂のみで構成した場合と比して著しく改善されている。そのため、電子機器が動作する際に回路素子４０３ａおよび４０３ｂから発生する熱は、回路素子４０３ａおよび４０３ｂから電気絶縁性材料４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃへと伝わり、さらに回路素子内蔵モジュール４００の主面および側面に達する。その結果、回路素子４０３ａおよび４０３ｂから発生する熱の多くは、回路素子内蔵モジュール４００の主面および側面から外部へ放出される（例えば、特許文献１参照）。   The module 400 with a built-in circuit element shown in FIG. 14 includes substrates (layers) 401a, 401b and 401c, and wirings (wiring patterns) 402d. Further, the substrates 401a, 401b, and 401c are configured to include wirings 402a, 402b, and 402c, and electrically insulating materials 405a, 405b, and 405c, respectively. The circuit elements 403a and / or 403b are embedded in each of the electrically insulating materials 405a, 405b, and 405c. These circuit elements 403a and 403b are electrically connected to predetermined positions on wirings 402a, 402b and 402c. Further, the wirings facing the wirings 401a, 401b, 401c, and 402d, that is, the wirings 402a and 402b, the wirings 402b and 402c, and the wirings 402c and 402d are electrically connected to each other by the inner via 404. . The inside of the inner via 404 is filled with a conductive resin, and the conductive resin is electrically connected to the surfaces of the wirings 402a to 402d to electrically connect the opposed wirings. Connected. Here, in the circuit element built-in module 400 shown in FIG. 14, the electric insulating materials 405a, 405b, and 405c are made of a mixture of a thermosetting resin and an inorganic filler (70% by weight to 95% by weight). . Since the thermal conductivity of the inorganic filler is higher than the thermal conductivity of the thermosetting resin, the thermal conductivity of the electrically insulating materials 405a, 405b, and 405c is lower than that of the case where only the thermosetting resin is used. Has been significantly improved. Therefore, heat generated from the circuit elements 403a and 403b when the electronic device operates is transmitted from the circuit elements 403a and 403b to the electrically insulating materials 405a, 405b, and 405c. Reach As a result, much of the heat generated from the circuit elements 403a and 403b is released to the outside from the main surface and the side surface of the circuit element built-in module 400 (see, for example, Patent Document 1).

一方、図１５は、搭載された回路素子から発生する熱を外部へ放出し得る構成を備えた回路素子内蔵モジュールの一例を示す斜視図である。なお、図１５に示す回路素子内蔵モジュール１００は、後述する積層電子部品１１０と、積層電子部品１１０上に搭載される半導体チップ１４０とが、相互に分離された状態で図示されている。また、半導体チップ１４０は透視的に図示されている。更に、積層電子部品１１０は、その内部の構造を明示するために一部分を欠切いた状態で図示されている。   On the other hand, FIG. 15 is a perspective view showing an example of a circuit element built-in module having a configuration capable of releasing heat generated from a mounted circuit element to the outside. In the module 100 with a built-in circuit element shown in FIG. 15, a laminated electronic component 110 to be described later and a semiconductor chip 140 mounted on the laminated electronic component 110 are illustrated in a state where they are separated from each other. Further, the semiconductor chip 140 is shown in a transparent manner. Further, the laminated electronic component 110 is illustrated with a part thereof cut off to clearly show the internal structure thereof.

図１５に示す回路素子内蔵モジュール１００は、積層電子部品１１０と半導体チップ１４０とにより構成されている。これらの積層電子部品１１０と半導体チップ１４０とは、積層電子部品１１０の主面１１１上に形成された複数のランド１１４と、半導体チップ１４０の主面１４１上に形成された複数の接続用ボール１４２とが所定の手段によって電気的に接続されることにより、一体化されている。そして、積層電子部品１１０の主面１１１上に形成された複数のランド１１４には、インナービア１１８の一方の端部が電気的に接続されている。また、このインナービア１１８の他方の端部は、放熱用導体１１６またはインダクタ素子１１５の接続端子１１７に電気的に接続されている。なお、図１５に示す積層電子部品１１０は、これらのインナービア１１８、放熱用導体１１６およびインダクタ素子１１５が磁性焼結体１１３の内部に埋設されることにより構成されている。ここで、図１５に示す回路素子内蔵モジュール１００では、前記放熱用導体１１６は矩形状に成形されており、積層電子部品１００の内部の主面１１１に近接する所定の位置において、主面１１１と略平行とされかつ少なくとも一カ所においてランド１１４と伝熱状態となるように埋設されている。そのため、半導体チップ１４０から発生した熱は接続用ボール１４２を経由してランド１１４へと伝わり、さらにインナービア１１８を経由して放熱用導体１１６へと伝わる。その結果、半導体チップ１４０から発生する熱の多くは、積層電子部品１１０の主面１１１から外部へ放出される（例えば、特許文献２参照）。
特開平１１−２２０２６２号公報（第１０頁、図４） 特開２０００−３３１８３５号公報（第３−４頁、図１） The module 100 with a built-in circuit element illustrated in FIG. 15 includes a multilayer electronic component 110 and a semiconductor chip 140. The multilayer electronic component 110 and the semiconductor chip 140 include a plurality of lands 114 formed on the main surface 111 of the multilayer electronic component 110 and a plurality of connection balls 142 formed on the main surface 141 of the semiconductor chip 140. And are electrically connected by a predetermined means to be integrated. One end of the inner via 118 is electrically connected to a plurality of lands 114 formed on the main surface 111 of the multilayer electronic component 110. The other end of the inner via 118 is electrically connected to the heat dissipation conductor 116 or the connection terminal 117 of the inductor element 115. The laminated electronic component 110 shown in FIG. 15 is configured by burying the inner via 118, the heat dissipation conductor 116, and the inductor element 115 inside the magnetic sintered body 113. Here, in the circuit element built-in module 100 shown in FIG. 15, the heat dissipation conductor 116 is formed in a rectangular shape, and at a predetermined position close to the main surface 111 inside the multilayer electronic component 100, It is substantially parallel and is buried in at least one place so as to be in heat transfer with the land 114. Therefore, heat generated from the semiconductor chip 140 is transmitted to the lands 114 via the connection balls 142, and further transmitted to the heat dissipation conductor 116 via the inner vias 118. As a result, much of the heat generated from the semiconductor chip 140 is emitted to the outside from the main surface 111 of the multilayer electronic component 110 (for example, see Patent Document 2).
JP-A-11-220262 (page 10, FIG. 4) JP-A-2000-331835 (page 3-4, FIG. 1)

ところで、近年では、電子機器の高性能化および高機能化等の影響により、電子機器の消費電力は増加する傾向にある。また、そのような電子機器の消費電力の増加に伴い、電子機器に搭載される前記回路モジュールおよび回路素子内蔵モジュールにおいても取り扱う電力は増加する傾向にある。そして、回路モジュールおよび回路素子内蔵モジュールの取り扱う電力が従来よりも増大した場合には、その回路モジュールおよび回路素子内蔵モジュールに搭載または埋設される回路素子を流れる電流は従来よりも増大し、それによって、その搭載または埋設される回路素子の発熱温度は従来よりも高まることになる。この場合、一般にトランジスタやＩＣ等の能動素子は熱に弱いという特徴を有しているため、回路モジュールおよび回路素子内蔵モジュールを正常に動作させるためには、埋設等される回路素子を冷却する必要がある。このような要請は、回路素子が基板の深部に埋設されている回路素子内蔵モジュールにおいて特に顕著である。   By the way, in recent years, the power consumption of electronic devices tends to increase due to the effects of higher performance and higher functions of the electronic devices. In addition, with the increase in power consumption of such electronic devices, the power handled by the circuit module and the module with a built-in circuit element mounted on the electronic devices also tends to increase. If the power handled by the circuit module and the module with a built-in circuit element is larger than before, the current flowing through the circuit element mounted or embedded in the circuit module and the module with a built-in circuit element is larger than before, and as a result, The heat generated by the mounted or buried circuit element is higher than in the prior art. In this case, since active elements such as transistors and ICs generally have a feature of being weak to heat, it is necessary to cool the embedded circuit elements in order to normally operate the circuit module and the module with a built-in circuit element. There is. Such a demand is particularly remarkable in a module with a built-in circuit element in which the circuit element is buried deep in the substrate.

しかしながら、図１４に例示した回路素子内蔵モジュールでは、熱硬化性樹脂に無機質フィラーを添加することによって電気絶縁性材料の熱伝導率を向上させているが、一般に熱硬化性樹脂の熱伝導率は非常に小さいために、無機質フィラーの添加のみによる熱伝導率の向上には限界がある。そのため、上述の如く回路素子内蔵モジュールが取扱う電力が増大し、それに伴って回路素子の発熱が増大した場合には、その回路素子から発生した熱を回路素子内蔵モジュールの外部へ十分に放出することができないという問題が発生する。また、無機質フィラーと熱硬化性樹脂とからなる電気絶縁性材料の熱伝導率をより一層向上させるためには前記無機質フィラーの配合比を高めれば良いが、無機質フィラーの配合比を高めた場合には、電気絶縁性材料の流動性が悪化する。この場合、回路素子内蔵モジュールを構成する基板を製造する際の回路素子の埋め込み性が悪化するため、回路素子の周辺にはボイドが発生する可能性がある。また、回路素子の埋め込み性を改善しボイドの発生を抑えるためには基板製造時の加圧圧力を高めれば良いが、この場合には、回路素子を破損する危険性が高まるという問題が発生する。   However, in the module with a built-in circuit element illustrated in FIG. 14, the thermal conductivity of the electrically insulating material is improved by adding an inorganic filler to the thermosetting resin. Due to the extremely small size, there is a limit to the improvement of the thermal conductivity by adding only the inorganic filler. Therefore, as described above, when the power handled by the module with a built-in circuit element increases and the heat generated by the circuit element increases accordingly, the heat generated from the circuit element must be sufficiently released to the outside of the module with a built-in circuit element. The problem that cannot be done occurs. Further, in order to further improve the thermal conductivity of the electrically insulating material composed of the inorganic filler and the thermosetting resin, the compounding ratio of the inorganic filler may be increased, but when the compounding ratio of the inorganic filler is increased, , The fluidity of the electrically insulating material deteriorates. In this case, since the embedding property of the circuit element at the time of manufacturing a substrate constituting the module with a built-in circuit element is deteriorated, a void may be generated around the circuit element. Further, in order to improve the embedding property of the circuit element and suppress the generation of voids, it is only necessary to increase the pressurizing pressure at the time of manufacturing the substrate, but in this case, there is a problem that the risk of damaging the circuit element increases. .

また、図１５に例示した回路素子内蔵モジュールでは、回路素子内蔵モジュールが取扱う電力の増加に伴い増大する回路素子から発生する熱を効率的に放出するためには、放熱用導体の厚みを増加させる必要がある。しかし、この場合には回路素子内蔵モジュール自体の厚みが増大するため、回路素子内蔵モジュールの小型化が阻害されるという問題が発生する。また、回路素子内蔵モジュールの内部に厚い放熱用導体を埋設する場合、この厚い放熱用導体そのものを形成する製造プロセスが特殊になることや、電気絶縁性材料による放熱用導体の埋め込み性が悪化するという問題が発生する。また、同一配線上に複数の回路素子が実装される場合には、その厚い放熱用導体の存在によって隣接する一方の回路素子から他方の回路素子への熱伝導性が高められるため、発熱量の大きな回路素子から発生した熱によって発熱量の小さい回路素子が加熱されるという問題が発生する。更に、図１５に例示した回路素子内蔵モジュールは、その製造過程において焼成工程を有しているため、熱に弱いという特徴を有するトランジスタおよびＩＣ等の能動素子や、有機化合物を含む受動素子等の回路素子を電気絶縁性材料の内部に埋設することができないという問題があると共に、配線に用いられる材料がタングステンやモリブデン等の高抵抗材料であるため、配線の電力損失が大きいという問題もある。   In the module with a built-in circuit element illustrated in FIG. 15, the thickness of the heat dissipation conductor is increased in order to efficiently release the heat generated from the circuit element that increases with an increase in the power handled by the module with a built-in circuit element. There is a need. However, in this case, since the thickness of the module with a built-in circuit element itself increases, there arises a problem that miniaturization of the module with a built-in circuit element is hindered. When a thick heat-dissipating conductor is buried inside a circuit element built-in module, the manufacturing process for forming the thick heat-dissipating conductor itself becomes special, and the embedding of the heat-dissipating conductor by an electrically insulating material deteriorates. The problem occurs. Further, when a plurality of circuit elements are mounted on the same wiring, the heat conduction from one adjacent circuit element to the other circuit element is enhanced by the presence of the thick heat-radiating conductor. There is a problem that a circuit element having a small amount of heat is heated by heat generated from a large circuit element. Furthermore, since the module with a built-in circuit element illustrated in FIG. 15 has a baking step in its manufacturing process, active modules such as transistors and ICs having characteristics of being weak to heat, passive elements including organic compounds, etc. In addition to the problem that the circuit element cannot be embedded inside the electrically insulating material, there is also a problem that since the material used for the wiring is a high resistance material such as tungsten or molybdenum, the power loss of the wiring is large.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、製造が容易であり、また、小型化における阻害要因を有さず、更に、回路素子から発生する熱を効率良く外部へ放出することが可能な樹脂系の電気絶縁性材料を用いる回路素子内蔵モジュールを提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve the above-described problems, is easy to manufacture, has no obstructive factors in miniaturization, and efficiently removes heat generated from circuit elements to the outside. It is an object of the present invention to provide a circuit element built-in module using a resin-based electrically insulating material that can be discharged to a circuit.

そして、これらの目的を達成するために、本発明に係る回路素子内蔵モジュールは、略二次元状に形成された複数の配線が電気絶縁性材料を介して積層されており、該電気絶縁性材料は少なくともフィラーと電気絶縁性樹脂とを含む混合物からなり、前記配線に一以上の回路素子が電気的に接続されかつ該回路素子の少なくとも一部が前記電気絶縁性材料の内部に埋設されている回路素子内蔵モジュールであって、前記電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材を備え、かつ該放熱用部材と、前記回路素子の内の少なくとも前記回路素子内蔵モジュール内で最も温度上昇の高い高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向から見て重なりを有するように配置されている（請求項１）。   In order to achieve these objects, the module with a built-in circuit element according to the present invention has a structure in which a plurality of wirings formed in a substantially two-dimensional shape are laminated via an electrically insulating material. Is composed of a mixture containing at least a filler and an electrically insulating resin, one or more circuit elements are electrically connected to the wiring, and at least a part of the circuit element is embedded in the electrically insulating material. A module with a built-in circuit element, comprising: a heat-dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material; and the heat-dissipating member and the highest temperature rise in at least the circuit-element-containing module of the circuit elements And a high heat-generating circuit element having a high degree of overlap with each other when viewed from the lamination direction of the wiring.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと移動させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇が抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損を防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的に正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to move to a heat dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. As a result, the temperature rise of the high heat generating circuit element during the operation of the electronic device is suppressed, so that damage of the high heat generating circuit element due to high heat can be prevented. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates normally continuously.

前記放熱用部材と前記高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向において対向するように配置されている（請求項２）。   The heat dissipating member and the high heat generating circuit element are arranged so as to face each other in the laminating direction of the wiring.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと効率良く移動させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇が効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損を効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的により一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to efficiently move to a heat dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is efficiently suppressed, so that the high heat-generating circuit element can be effectively prevented from being damaged due to high heat. That is, there is an effect that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記放熱用部材が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていても良い（請求項３）。   Further, the heat dissipating member may be provided on a surface of the electrically insulating material.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと移動させ、その放熱用部材から回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になり得る。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になり得る。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られ得る。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It may be possible to move to a heat-dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material and release the heat-dissipating member to the outside of the module with a built-in circuit element. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. Can be That is, it is possible to obtain an effect that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記配線の積層方向から見て、前記放熱用部材の面積は前記高発熱性回路素子の面積よりも広い（請求項４）。   The area of the heat dissipation member is larger than the area of the high heat-generating circuit element when viewed from the lamination direction of the wiring.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと移動させ、その放熱用部材から回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to move to a heat dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material and to discharge the heat dissipating member to the outside of the circuit element built-in module. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. become. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記高発熱性回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていても良い（請求項５）。   Further, the high heat generating circuit element may be disposed on a surface of the electrically insulating material.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと効率良く移動させることが可能になる。また、高発熱性回路素子から発生した熱を、該高発熱性回路素子の表面から直接的に回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to efficiently move to a heat dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. Further, heat generated from the high heat-generating circuit element can be released directly from the surface of the high heat-generating circuit element to the outside of the circuit element built-in module. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. become. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記放熱用部材は前記配線と電気的に接続されている（請求項６）。   Further, the heat dissipation member is electrically connected to the wiring (claim 6).

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において例えば高発熱性回路素子から発生したノイズや、回路素子内蔵モジュールの外部から照射されるノイズをそれぞれ遮蔽することが可能になると共に、そのノイズを電気的に除去することが可能になる。その結果、例えば電子機器をノイズの多い環境において動作させる場合においても、回路素子内蔵モジュールの動作の信頼性を高めることが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to shield noise generated from, for example, a high heat-generating circuit element and noise emitted from the outside of the circuit element built-in module during operation of the electronic device. Noise can be electrically removed. As a result, for example, even when the electronic device is operated in a noisy environment, the effect that the reliability of the operation of the circuit element built-in module can be improved can be obtained.

また、前記複数の配線を互いに電気的に接続する電気伝導性部材が前記電気絶縁性材料に接して設けられており、該電気伝導性部材と前記放熱用部材とが伝熱的に接続する部分を有して配設されている（請求項７）。   Further, an electrically conductive member electrically connecting the plurality of wires to each other is provided in contact with the electrically insulating material, and a portion where the electrically conductive member and the heat dissipation member are thermally connected. (Claim 7).

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生し、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料を経由し該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材へと伝わった熱を、配線を経由せずに直接的に電気伝導性部材へと伝達させることが可能になる。その結果、電子機器が長時間に渡って動作する場合においても、高発熱性回路素子の温度上昇を連続的に効率良く抑制することが可能になる。つまり、高発熱性回路素子の高熱に起因する破損を長期的に防止することが可能になると共に、回路素子内蔵モジュールの動作の長期的な信頼性をより一層高めることが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the electronically insulating material is generated from the highly heat-generating circuit element during the operation of the electronic device and passes through the electrically insulating material whose thermal conductivity is improved by adding the filler. Heat transmitted to the heat dissipating member having a higher thermal conductivity can be directly transmitted to the electrically conductive member without passing through the wiring. As a result, even when the electronic device operates for a long time, it is possible to continuously and efficiently suppress the temperature rise of the high heat generation circuit element. That is, it is possible to prevent the heat-generating circuit element from being damaged due to high heat for a long time, and to further enhance the long-term reliability of the operation of the circuit element built-in module. can get.

前記電気伝導性部材は、スルーホールである（請求項８）。   The electric conductive member is a through hole (claim 8).

また、前記電気伝導性部材は、インナービアであっても良い（請求項９）。   Further, the electric conductive member may be an inner via (claim 9).

このような構成とすることにより、前記電気絶縁性材料および前記電気伝導性部材を、従来から用いられている製造設備および製造プロセスによって構成することが可能になる。その結果、新規設備の構築および新規製造プロセスの開発が不要となるため、経済性に優れた回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the electrically insulating material and the electrically conductive member can be configured by a conventionally used manufacturing facility and manufacturing process. As a result, the construction of a new facility and the development of a new manufacturing process are not required, so that it is possible to provide an economical module with a built-in circuit element.

前記放熱用部材は、チップ部品形状を有している（請求項１０）。   The heat dissipating member has a chip component shape.

このような構成とすることにより、前記放熱用部材を、従来から一般的に用いられているチップ部品実装装置を用いて実装することが可能になる。その結果、新規設備の構築および新規製造プロセスの開発が不要となるため、経済性に優れた回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to mount the heat radiation member using a chip component mounting apparatus generally used conventionally. As a result, the construction of a new facility and the development of a new manufacturing process are not required, so that it is possible to provide an economical module with a built-in circuit element.

前記放熱用部材は、金属を主成分とする部材であっても良い（請求項１１）。   The heat dissipating member may be a member mainly composed of a metal (claim 11).

このような構成、即ち、高発熱性回路素子の近傍に金属、又は金属を主成分とする部材等の熱伝導率が非常に高い放熱用部材を配設することにより、過渡熱抵抗を低減させることが可能になる。この過渡熱抵抗とは放熱特性の一種であり、熱が発生してからの短期間的な放熱性の程度（瞬間的な発熱に対する放熱効果の程度）を表すものである。この過渡熱抵抗が小さい場合、ヒートスポットが形成され難くなるため、熱サイクル試験等における回路素子内蔵モジュールの信頼性（耐熱性）が向上するという効果が得られる。   With such a configuration, that is, by disposing a heat radiating member having a very high thermal conductivity, such as a metal or a member containing a metal as a main component, in the vicinity of the high heat generating circuit element, transient thermal resistance is reduced. It becomes possible. The transient thermal resistance is a kind of heat radiation characteristic, and represents a degree of heat radiation in a short period of time after heat generation (a degree of heat radiation effect to instantaneous heat generation). When the transient thermal resistance is small, it is difficult to form a heat spot, so that an effect of improving the reliability (heat resistance) of the module with a built-in circuit element in a heat cycle test or the like can be obtained.

また、前記放熱用部材は、セラミックスを主成分とする部材であっても良い（請求項１２）。   The heat dissipating member may be a member mainly composed of ceramics.

このような構成とすることにより、比較的安価な素材によって熱伝導率が高い放熱用部材を構成することが可能になる。また、その放熱用部材の熱伝導率を、素材の選択によって任意に制御することが可能になる。また、その放熱用部材は小片であるため、回路素子内蔵モジュールを構成する何れも回路素子の近傍にも任意に配設することができる。その結果、高発熱性回路素子から発生する熱を、その発熱量に応じて、かつ比較的安価な構成によって外部へ放出することが可能な小型の回路素子内蔵モジュールを構成することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to configure a heat-dissipating member having high thermal conductivity using a relatively inexpensive material. Further, the thermal conductivity of the heat dissipating member can be arbitrarily controlled by selecting a material. Further, since the heat dissipating member is a small piece, any of the components constituting the circuit element built-in module can be arbitrarily disposed near the circuit element. As a result, it is possible to configure a small circuit element built-in module capable of releasing the heat generated from the high heat-generating circuit element to the outside in accordance with the heat generation amount and with a relatively inexpensive configuration. The effect is obtained.

前記放熱用部材の熱伝導率は、前記電気絶縁性材料の熱伝導率の３倍以上である（請求項１３）。   The thermal conductivity of the heat dissipating member is at least three times the thermal conductivity of the electrically insulating material (claim 13).

このような構成とすることにより、熱抵抗の低減効果が安定して得られるようになる。その結果、高発熱性回路素子を安定して冷却することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the effect of reducing the thermal resistance can be stably obtained. As a result, an effect is obtained that the high heat-generating circuit element can be cooled stably.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材とは、前記配線の積層方向から見て互いに重なり合う部分の面積が前記高発熱性回路素子の前記配線の積層方向から見た面積の４０％以上となるように配設されている（請求項１４）。   In addition, the high heat generating circuit element and the heat dissipating member may have an area of a portion overlapping each other when viewed from the wiring stacking direction of 40% or more of an area of the high heat generating circuit element viewed from the wiring stacking direction. (Claim 14).

このような構成とすることにより、熱抵抗の低減効果がさらに安定して得られるようになる。その結果、高発熱性回路素子をさらに安定して冷却することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the effect of reducing the thermal resistance can be more stably obtained. As a result, an effect is obtained that the highly heat-generating circuit element can be cooled more stably.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材との距離が０ｍｍを超えかつ０．５ｍｍ以下であっても良い（請求項１５）。   The distance between the high heat-generating circuit element and the heat-dissipating member may be more than 0 mm and 0.5 mm or less.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子と放熱用部材との間の熱抵抗が大きくなりすぎることが防止され、本発明の効果が発揮され易くなる。また、回路素子内蔵モジュールの厚みが抑制されるので機器の小型化の観点から好ましい形態となる。すなわち、このような構成とすることにより、高い放熱性を備えかつ低背な回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to prevent the thermal resistance between the highly heat-generating circuit element and the heat-dissipating member from becoming too large, and to easily exert the effects of the present invention. Further, since the thickness of the module with a built-in circuit element is suppressed, it is a preferable embodiment from the viewpoint of miniaturization of the device. That is, with such a configuration, it is possible to provide a low-height circuit element built-in module having high heat dissipation.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材とが少なくとも前記電気絶縁性材料を介して密着していても良い（請求項１６）。   Further, the high heat generating circuit element and the heat radiating member may be in close contact with each other via at least the electric insulating material.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子と放熱用部材との間の熱抵抗が、その間が空隙である場合に対して低くなるので、高発熱性回路素子から発生する熱を安定して外部に放出することが可能になるという効果が得られる。   With this configuration, the thermal resistance between the high heat-generating circuit element and the heat radiating member is lower than when there is a gap therebetween, so that the heat generated from the high heat-generating circuit element can be stabilized. And it can be released to the outside.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材との間に前記配線が更に配設されていても良い（請求項１７）。   Further, the wiring may be further provided between the high heat generation circuit element and the heat dissipation member.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子から発生する熱を効率良く外部に放出することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to obtain an effect that heat generated from the high heat generating circuit element can be efficiently released to the outside.

また、前記放熱用部材の厚みが前記配線の厚みより厚くても良い（請求項１８）。   The thickness of the heat dissipating member may be greater than the thickness of the wiring.

このような構成とすることにより、放熱用部材の熱放散性に加えてその熱容量を大きくすることができるので、回路素子内蔵モジュールにおける局所的な温度上昇を抑制することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat capacity of the heat dissipating member can be increased in addition to the heat dissipating property of the heat dissipating member. can get.

また、前記放熱用部材の厚みが０．１ｍｍ以上でありかつ１．０ｍｍ以下であっても良い（請求項１９）。   The thickness of the heat dissipating member may be not less than 0.1 mm and not more than 1.0 mm (claim 19).

このような構成とすることにより、回路素子内蔵モジュールにおける局所的な温度上昇を効果的に抑制することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to effectively suppress a local temperature rise in the circuit element built-in module.

また、本発明に係る回路素子内蔵モジュールは、略二次元状に形成された複数の配線が電気絶縁性材料を介して積層されており、該電気絶縁性材料は少なくともフィラーと電気絶縁性樹脂とを含む混合物からなり、前記配線に一以上の回路素子が電気的に接続されかつ該回路素子の少なくとも一部が前記電気絶縁性材料の内部に埋設されている回路素子内蔵モジュールであって、前記回路素子が前記電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子を有し、かつ該放熱用回路素子と、前記回路素子の内の少なくとも前記回路素子内蔵モジュール内で最も温度上昇の高い高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向から見て重なりを有するように配置されている（請求項２０）。   Further, in the module with a built-in circuit element according to the present invention, a plurality of wirings formed in a substantially two-dimensional shape are laminated via an electrically insulating material, and the electrically insulating material is at least a filler and an electrically insulating resin. A circuit element built-in module, wherein at least one circuit element is electrically connected to the wiring and at least a part of the circuit element is embedded in the electrically insulating material, The circuit element has a heat-dissipating circuit element having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material, and the heat-dissipating circuit element has the highest temperature rise in at least the circuit element built-in module among the circuit elements. The high heat-generating circuit element is arranged so as to have an overlap when viewed from the lamination direction of the wiring (claim 20).

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子へと移動させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇が抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損を防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的に正常に動作するようになるという効果が得られる。また、このような構成とすることにより、回路素子内蔵モジュールを構成するための回路素子が電気絶縁性材料よりも熱伝導率の高い放熱用部材としても利用されるため、上述の如く回路素子以外の他の部材を搭載する必要が無くなる。また、その回路素子以外の他の部材を実装するための領域が不要となるため、回路素子内蔵モジュールにおける回路素子の実装密度を高めることができる。つまり、回路素子内蔵モジュールをより一層小型化することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to move to a heat radiation circuit element having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. As a result, the temperature rise of the high heat generating circuit element during the operation of the electronic device is suppressed, so that damage of the high heat generating circuit element due to high heat can be prevented. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates normally continuously. Further, with such a configuration, the circuit element for forming the module with a built-in circuit element is also used as a heat-radiating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. There is no need to mount other members. Further, since a region for mounting other members other than the circuit element is not required, the mounting density of the circuit element in the circuit element built-in module can be increased. That is, there is an effect that the module with a built-in circuit element can be further reduced in size.

前記放熱用回路素子と前記高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向において対向するように配置されている（請求項２１）。   The circuit element for heat dissipation and the circuit element for high heat generation are arranged so as to face each other in the laminating direction of the wiring.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子へと効率良く移動させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇が効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損を効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的により一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to efficiently move to a heat dissipation circuit element having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is efficiently suppressed, so that the high heat-generating circuit element can be effectively prevented from being damaged due to high heat. That is, there is an effect that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記放熱用回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていても良い（請求項２２）。   Further, the heat dissipation circuit element may be provided on a surface of the electrically insulating material.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子へと移動させ、その放熱用回路素子から回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になり得る。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になり得る。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られ得る。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It may be possible to move to a circuit element for heat radiation having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material and to release the circuit element for heat radiation to the outside of the circuit element built-in module. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. Can be That is, it is possible to obtain an effect that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記配線の積層方向から見て、前記放熱用回路素子の面積は前記高発熱性回路素子の面積よりも広い（請求項２３）。   Further, the area of the circuit element for heat dissipation is larger than the area of the circuit element having high heat generation as viewed from the lamination direction of the wirings.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子へと移動させ、その放熱用回路素子から回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to move to a circuit element for heat radiation having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material, and to release the circuit element for heat radiation to the outside of the module with a built-in circuit element. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. become. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

また、前記高発熱性回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていても良い（請求項２４）。   Further, the high heat generating circuit element may be disposed on a surface of the electrically insulating material.

このような構成とすることにより、電子機器の動作時において高発熱性回路素子から発生した熱を、フィラーが添加されたことによって熱伝導性が改善された電気絶縁性材料へ移動させ、さらに、該電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子へと効率良く移動させることが可能になる。また、高発熱性回路素子から発生した熱を、該高発熱性回路素子の表面から直接的に回路素子内蔵モジュールの外部へと放出させることが可能になる。その結果、電子機器の動作時における高発熱性回路素子の温度上昇がより一層効率良く抑制されるため、該高発熱性回路素子の高熱に起因する破損をより一層効果的に防止することが可能になる。つまり、回路素子内蔵モジュールが連続的にさらにより一層正常に動作するようになるという効果が得られる。   With such a configuration, the heat generated from the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is transferred to the electrically insulating material whose thermal conductivity has been improved by adding the filler, It is possible to efficiently move to a heat dissipation circuit element having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material. Further, heat generated from the high heat-generating circuit element can be released directly from the surface of the high heat-generating circuit element to the outside of the circuit element built-in module. As a result, the temperature rise of the high heat-generating circuit element during the operation of the electronic device is more efficiently suppressed, so that damage due to the high heat of the high heat-generating circuit element can be more effectively prevented. become. That is, an effect is obtained that the module with a built-in circuit element operates continuously and more normally.

前記放熱用回路素子は、抵抗器である（請求項２５）。   The heat dissipation circuit element is a resistor (claim 25).

また、前記放熱用回路素子は、コンデンサであっても良い（請求項２６）。   Further, the circuit element for heat dissipation may be a capacitor.

また、前記放熱用回路素子は、インダクタであっても良い（請求項２７）。   Further, the heat dissipation circuit element may be an inductor.

また、前記放熱用回路素子は、コンデンサとインダクタとの積層体であっても良い（請求項２８）。   The heat dissipation circuit element may be a laminate of a capacitor and an inductor.

このような構成とすることにより、これらの回路素子は一般的に熱伝導率の高い素材によって構成されているため、放熱用回路素子としての機能を十分に果たすことが可能になる。また、これらの回路素子は回路素子内蔵モジュールを構成するための回路素子でもあり、従って、回路素子内蔵モジュールにおける回路素子の実装密度を高めることができる。つまり、連続的に正常に動作する小型の回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, since these circuit elements are generally made of a material having a high thermal conductivity, it is possible to sufficiently fulfill the function as a circuit element for heat dissipation. These circuit elements are also circuit elements for constituting a module with a built-in circuit element, and therefore, the mounting density of the circuit elements in the module with a built-in circuit element can be increased. That is, there is an effect that it is possible to provide a small module with a built-in circuit element that normally operates normally.

前記積層体は前記コンデンサが前記高発熱性回路素子の近傍となるように配設されている（請求項２９）。   The laminated body is disposed such that the capacitor is in the vicinity of the high heat generation circuit element (claim 29).

このような構成とすることにより、スイッチング電源等のコンバータ回路においてはパワー半導体デバイスとコンデンサおよびインダクタとを近接して配置することが望ましいという要求を満たすことが可能であると共に、そのパワー半導体デバイスから発生する熱を回路素子内蔵モジュールの外部へ放出することが可能になる。また、パワー半導体デバイスから発生した熱がコンデンサによって放熱されると同時に、インダクタから発生する漏れ磁束がコンデンサの金属層によって遮蔽されるというシールド効果を得ることも可能になる。その結果、小型でかつ安定に動作するコンバータモジュールを回路素子内蔵モジュールによって構成することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, in a converter circuit such as a switching power supply, it is possible to satisfy the requirement that it is desirable to arrange a power semiconductor device and a capacitor and an inductor close to each other. The generated heat can be released to the outside of the module with a built-in circuit element. Further, it is possible to obtain a shielding effect that the heat generated from the power semiconductor device is radiated by the capacitor and the leakage magnetic flux generated from the inductor is shielded by the metal layer of the capacitor. As a result, an effect is obtained that a converter module that is small and operates stably can be configured by the module with a built-in circuit element.

前記コンデンサは、セラミックコンデンサである（請求項３０）。   The capacitor is a ceramic capacitor.

また、前記コンデンサは、固体電解コンデンサであっても良い（請求項３１）。   Further, the capacitor may be a solid electrolytic capacitor (claim 31).

このような構成とすることによっても、これらの回路素子は一般的に熱伝導率の高い素材によって構成されているため、放熱用回路素子としての機能を十分に果たすことが可能になるという効果が得られる。   Even with such a configuration, since these circuit elements are generally made of a material having a high thermal conductivity, an effect that the function as a heat radiation circuit element can be sufficiently achieved can be obtained. can get.

前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつ薄型のシート形状を有している（請求項３２）。   The inductor has a laminated structure of a winding and a magnetic material, and has a thin sheet shape.

また、前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつメッキ法によって形成されたシート状コイルを前記巻線として構成されていても良い（請求項３３）。   Further, the inductor may have a laminated structure of a winding and a magnetic material, and a sheet-like coil formed by a plating method may be configured as the winding.

また、前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつ前記磁性体に少なくとも金属薄体を用いて構成されていても良い（請求項３４）。   Further, the inductor may have a laminated structure of a winding and a magnetic body, and may be configured by using at least a thin metal body for the magnetic body.

このような構成とすることによっても、これらの回路素子は一般的に熱伝導率の高い素材によって構成されているため、放熱用回路素子としての機能を十分に果たすことが可能になるという効果が得られる。   Even with such a configuration, since these circuit elements are generally made of a material having a high thermal conductivity, an effect that the function as a heat radiation circuit element can be sufficiently achieved can be obtained. can get.

前記放熱用回路素子の熱伝導率は、前記電気絶縁性材料の熱伝導率の３倍以上である（請求項３５）。   The thermal conductivity of the heat dissipation circuit element is at least three times the thermal conductivity of the electrically insulating material.

このような構成とすることにより、熱抵抗の低減効果が安定して得られるようになる。その結果、高発熱性回路素子を安定して冷却することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the effect of reducing the thermal resistance can be stably obtained. As a result, an effect is obtained that the high heat-generating circuit element can be cooled stably.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子とは、前記配線の積層方向から見て互いに重なり合う部分の面積が前記高発熱性回路素子の前記配線の積層方向から見た面積の４０％以上となるように配設されている（請求項３６）。   Further, the high heat generating circuit element and the heat radiating circuit element may have an area of a portion overlapping each other when viewed from the wiring stacking direction of 40% of an area of the high heat generating circuit element viewed from the wiring stacking direction. The above arrangement is provided (claim 36).

このような構成とすることにより、熱抵抗の低減効果がさらに安定して得られるようになる。その結果、高発熱性回路素子をさらに安定して冷却することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, the effect of reducing the thermal resistance can be more stably obtained. As a result, an effect is obtained that the highly heat-generating circuit element can be cooled more stably.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子との距離が０ｍｍを超えかつ０．５ｍｍ以下であっても良い（請求項３７）。   Further, the distance between the high heat generating circuit element and the heat radiating circuit element may be more than 0 mm and 0.5 mm or less.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子と放熱用回路素子との間の熱抵抗が大きくなりすぎることが防止され、本発明の効果が発揮され易くなる。また、回路素子内蔵モジュールの厚みが抑制されるので機器の小型化の観点から好ましい形態となる。すなわち、このような構成とすることにより、高い放熱性を備えかつ低背な回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to prevent the thermal resistance between the high heat generation circuit element and the heat radiation circuit element from becoming too large, and to easily exert the effects of the present invention. Further, since the thickness of the module with a built-in circuit element is suppressed, it is a preferable embodiment from the viewpoint of miniaturization of the device. That is, with such a configuration, it is possible to provide a low-height circuit element built-in module having high heat dissipation.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子とが少なくとも前記電気絶縁性材料を介して密着していても良い（請求項３８）。   Further, the high heat generating circuit element and the heat radiating circuit element may be in close contact with each other via at least the electric insulating material.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子と放熱用回路素子との間の熱抵抗が、その間が空隙である場合に対して低くなるので、高発熱性回路素子から発生する熱を安定して外部に放出することが可能になるという効果が得られる。   With this configuration, the thermal resistance between the high heat-generating circuit element and the circuit element for heat radiation is lower than that in the case where there is an air gap therebetween. The effect of being able to stably emit to the outside is obtained.

また、前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子との間に前記配線が更に配設されていても良い（請求項３９）。   Further, the wiring may be further provided between the high heat generating circuit element and the heat radiating circuit element.

このような構成とすることにより、高発熱性回路素子から発生する熱を効率良く外部に放出することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to obtain an effect that heat generated from the high heat generating circuit element can be efficiently released to the outside.

また、前記放熱用回路素子の厚みが前記配線の厚みより厚くても良い（請求項４０）。   Further, the thickness of the circuit element for heat dissipation may be larger than the thickness of the wiring.

このような構成とすることにより、放熱用回路素子の熱放散性に加えてその熱容量を大きくすることができるので、回路素子内蔵モジュールにおける局所的な温度上昇を抑制することが可能になるという効果が得られる。   With this configuration, since the heat capacity of the heat dissipation circuit element can be increased in addition to the heat dissipation property, a local temperature increase in the circuit element built-in module can be suppressed. Is obtained.

また、前記放熱用回路素子の厚みが０．１ｍｍ以上でありかつ１．０ｍｍ以下であっても良い（請求項４１）。   The thickness of the heat dissipation circuit element may be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.

このような構成とすることにより、回路素子内蔵モジュールにおける局所的な温度上昇を効果的に抑制することが可能になるという効果が得られる。   With such a configuration, it is possible to effectively suppress a local temperature rise in the circuit element built-in module.

本発明の上記目的、他の目的、特徴、及び利点は、添付図面参照の下、以下の好適な実施態様の詳細な説明から明らかにされる。   The above and other objects, features, and advantages of the present invention will be apparent from the following detailed description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings.

本発明は、以上に述べたような手段で実施され、製造が容易であり、また、小型化における阻害要因を有さず、更に、回路素子から発生する熱を効率良く外部へ放出することが可能な樹脂系の電気絶縁性材料を用いる回路素子内蔵モジュールを提供することが可能になるという効果が得られる。   The present invention is implemented by the above-described means, is easy to manufacture, has no obstructive factor in miniaturization, and can efficiently release heat generated from circuit elements to the outside. An effect is obtained that it is possible to provide a module with a built-in circuit element using a possible resin-based electrically insulating material.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、図１を参照しながら説明する。 (Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態１では、熱伝導率が高い放熱用部材として、金属またはセラミックス等の、回路素子以外の他の部材を用いる場合の形態における第一の例について説明する。   In the first embodiment of the present invention, a first example in a case where a member other than a circuit element, such as a metal or a ceramic, is used as a heat radiating member having a high thermal conductivity will be described.

図１は、本発明の実施の形態１に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a module with a built-in circuit element according to Embodiment 1 of the present invention.

図１に示した回路素子内蔵モジュール５１は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線（配線パターン）１２および信号パターン１２ａと、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続するインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い放熱用部材１３とを有して構成されている。なお、図１に示す回路素子内蔵モジュール５１は、基板（層）２０１、基板（層）２０２および基板（層）２０３が積層されることによって構成されている。   The module 51 with a built-in circuit element shown in FIG. 1 includes an electric insulating material 11, a plurality of wirings (wiring patterns) 12 and signal patterns 12 a attached to the electric insulating material 11, and a plurality of wirings 12. An inner via 41 electrically connected to each other so as to have a connection relationship; a circuit element 14 and a circuit electrically connected to the wiring 12 and buried so as to thermally conductively connect to the electrically insulating material 11 An element 15 and a heat dissipating member 13 having a thermal conductivity higher than that of the electrically insulating material 11 and arranged so as to be substantially parallel to and opposed to the main surface of the circuit element 14. It is configured. The circuit element built-in module 51 shown in FIG. 1 is configured by stacking a substrate (layer) 201, a substrate (layer) 202, and a substrate (layer) 203.

電気絶縁性材料１１は、無機質フィラーと電気絶縁性樹脂との混合物によって構成されている。無機質フィラーとしては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ボロン、窒化アルミニウム、二酸化珪素、炭化珪素およびフェライト等を用いることができる。また、電気絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、弗素樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンエーテルおよびポリイミド等の熱硬化性樹脂を用いることができる。この電気絶縁性材料１１は、前記無機質フィラーと電気絶縁性樹脂との配合比が、電気絶縁性材料１１の線膨張係数、熱伝導率、比誘電率、透磁率等の諸特性が適切な値となるように決定されている。例えば、回路素子１４が発熱性の大きい回路素子である場合、機器動作時に発生する回路素子１４からの熱によって、回路素子１４の近傍の電気絶縁性材料１１は熱膨張する。しかし、電気絶縁性材料１１の線膨張係数が上述した手段によって回路素子１４の線膨張係数に近づけられていれば、回路素子１４の近傍の電気絶縁性材料１１の熱膨張量は小さくなる。この場合、回路素子１４の温度変化による電気絶縁性材料１１の内部応力を低減することができるので、回路素子内蔵モジュール５１の動作の信頼性を向上させることが可能となる。   The electrically insulating material 11 is composed of a mixture of an inorganic filler and an electrically insulating resin. As the inorganic filler, for example, aluminum oxide, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon dioxide, silicon carbide, ferrite, and the like can be used. As the electrically insulating resin, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a phenol resin, a cyanate resin, a fluorine resin, a polyester, a polyphenylene ether, and a polyimide can be used. In the electrically insulating material 11, the compounding ratio of the inorganic filler and the electrically insulating resin is such that various characteristics such as a coefficient of linear expansion, a thermal conductivity, a relative dielectric constant, and a magnetic permeability of the electrically insulating material 11 are appropriate. It is determined to be. For example, when the circuit element 14 is a circuit element having a large heat generation, the electric insulating material 11 in the vicinity of the circuit element 14 thermally expands due to heat from the circuit element 14 generated during operation of the device. However, if the coefficient of linear expansion of the electrically insulating material 11 is made closer to the coefficient of linear expansion of the circuit element 14 by the above-described means, the amount of thermal expansion of the electrically insulating material 11 near the circuit element 14 becomes small. In this case, since the internal stress of the electrically insulating material 11 due to the temperature change of the circuit element 14 can be reduced, the operation reliability of the circuit element built-in module 51 can be improved.

配線１２および信号パターン１２ａは、電気導電性を有する物質からなり、例えば、銅箔や導電性樹脂組成物等が所定の形状に成型されることによって構成されている。このように、電気導電性の高い物質を用いることにより配線の面積を低減することができるので、回路素子内蔵モジュール５１の小型化に有効である。これらの配線１２および信号パターン１２ａは、回路素子１４と放熱用部材１３との間にも配設されている。   The wiring 12 and the signal pattern 12a are made of a material having electrical conductivity, and are formed by, for example, molding a copper foil or a conductive resin composition into a predetermined shape. As described above, the area of the wiring can be reduced by using a substance having a high electric conductivity, which is effective in reducing the size of the module 51 with a built-in circuit element. These wirings 12 and signal patterns 12 a are also provided between the circuit element 14 and the heat radiation member 13.

回路素子１４は、パワートランジスタ、三端子レギュレータ等の電源用ＩＣ等の能動素子であり、比較的発熱温度が高くかつ発熱量の大きい回路素子である。一方、回路素子１５は、セラミックコンデンサ、固体電解コンデンサ、インダクタ等の受動素子であり、比較的発熱温度が低くかつ発熱量の小さい回路素子である。これらの回路素子１４および回路素子１５は、配線１２上の所定の位置に、半田付け等の任意の実装手段によって実装されている。また、回路素子１４および回路素子１５の主面および側面は電気絶縁性材料１１と接触しており、すなわち電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続されている。   The circuit element 14 is an active element such as a power supply IC such as a power transistor and a three-terminal regulator, and is a circuit element having a relatively high heat generation temperature and a large heat generation amount. On the other hand, the circuit element 15 is a passive element such as a ceramic capacitor, a solid electrolytic capacitor, and an inductor, and has a relatively low heat generation temperature and a small heat generation amount. These circuit elements 14 and 15 are mounted at predetermined positions on the wiring 12 by any mounting means such as soldering. The main surface and the side surfaces of the circuit element 14 and the circuit element 15 are in contact with the electrically insulating material 11, that is, are electrically connected to the electrically insulating material 11.

熱伝導率が高い放熱用部材１３としては、金属やセラミックス等を用いることが望ましい。その理由は、金属やセラミックス等の熱伝導率は無機質フィラーと熱硬化性樹脂からなる電気絶縁性材料１１の熱伝導率よりも二桁から一桁程度高いため、例えば回路素子１４から発生した熱を効率良く外部へ放出することができるからである。なお、金属の種類としては、銅（熱伝導率：３９８（Ｗ／ｍ・Ｋ））、アルミニウム（熱伝導率：２３７（Ｗ／ｍ・Ｋ））等が適している。また、セラミックスの種類としては、酸化アルミニウム（熱伝導率：２２（Ｗ／ｍ・Ｋ））、窒化アルミニウム（熱伝導率：１７０（Ｗ／ｍ・Ｋ））等が適している。   As the heat radiation member 13 having a high thermal conductivity, it is desirable to use a metal, a ceramic, or the like. The reason is that the thermal conductivity of metal or ceramics is higher by about two to one orders of magnitude than the thermal conductivity of the electrically insulating material 11 composed of an inorganic filler and a thermosetting resin. Can be efficiently released to the outside. Suitable types of metal include copper (thermal conductivity: 398 (W / m · K)), aluminum (thermal conductivity: 237 (W / m · K)), and the like. Suitable types of ceramics include aluminum oxide (thermal conductivity: 22 (W / m · K)), aluminum nitride (thermal conductivity: 170 (W / m · K)), and the like.

熱伝導率が高い放熱用部材１３を金属で構成した場合には、金属には電磁ノイズの遮蔽効果があることから、例えば回路素子１４から発生するノイズや、外部から照射されるノイズ等を遮蔽することが可能になる。また、熱伝導率が高い放熱用部材１３をセラミックスで構成した場合にも、そのセラミックスの表面（少なくともセラミックスの実装面と半対面）に金属膜を形成することによって、同様の効果を得ることが可能になる。   When the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity is made of a metal, the metal has an effect of shielding electromagnetic noise, and thus, for example, shields noise generated from the circuit element 14 and noise radiated from the outside. It becomes possible to do. Further, even when the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity is made of ceramics, the same effect can be obtained by forming a metal film on the surface of the ceramics (at least half the surface with the mounting surface of the ceramics). Will be possible.

熱伝導率が高い放熱用部材１３は、チップ部品形状を有していることが望ましい。その理由は、放熱用部材１３がチップ部品形状を有することによって、この放熱用部材１３を、従来から一般的に用いられているチップ部品実装設備を用いて実装することが可能になるからである。また、この放熱用部材１３の厚みは、同一配線層上に配設されるその他の回路素子１５の厚みと同等もしくは同等以下であることが望ましい。その理由は、放熱用部材１３と回路素子１５との厚みを同等もしくは同等以下とすることによって、回路素子内蔵モジュールの厚みに影響を与えることが無く、その小型化が可能になるからである。   It is desirable that the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity has a chip component shape. The reason is that, since the heat radiation member 13 has a chip component shape, it becomes possible to mount the heat radiation member 13 using chip component mounting equipment generally used conventionally. . It is desirable that the thickness of the heat radiating member 13 be equal to or less than the thickness of the other circuit elements 15 disposed on the same wiring layer. The reason is that by making the thickness of the heat radiation member 13 and the circuit element 15 equal or less than the thickness, the thickness of the module with a built-in circuit element is not affected, and the module can be downsized.

熱伝導率が高い放熱用部材１３と配線１２との電気的な絶縁が必要である場合には、放熱用部材１３の表面に絶縁膜を形成すれば良い。なお、放熱用部材１３がセラミックスである場合には、セラミックスは元来絶縁物であるので、特に絶縁膜を形成する必要は無い。   When electrical insulation between the heat radiating member 13 having high thermal conductivity and the wiring 12 is required, an insulating film may be formed on the surface of the heat radiating member 13. When the heat radiating member 13 is made of ceramic, it is not necessary to particularly form an insulating film because the ceramic is originally an insulator.

また、熱伝導率が高い放熱用部材１３の厚みは、配線１２や信号パターン１２ａの厚みよりも厚く構成されていることが好ましい。また、この場合、放熱用部材１３の厚みは、０．１ｍｍ以上でありかつ１．０ｍｍ以下であることが好適とされる。これにより、回路素子１４から発生する熱を効果的に放出することが可能になる。   Further, it is preferable that the thickness of the heat radiation member 13 having a high thermal conductivity is configured to be thicker than the thickness of the wiring 12 or the signal pattern 12a. In this case, it is preferable that the thickness of the heat radiation member 13 be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less. Thus, heat generated from the circuit element 14 can be effectively released.

また、放熱用部材１３と回路素子１４との間隔は、０ｍｍを超えかつ０．５ｍｍ以下であることが望ましい。これにより、回路素子１４から発生する熱を更に効果的に放出することが可能になる。   Further, the distance between the heat radiation member 13 and the circuit element 14 is desirably more than 0 mm and 0.5 mm or less. As a result, heat generated from the circuit element 14 can be released more effectively.

インナービア４１は、回路素子内蔵モジュール５１に着設された複数の配線１２を所定の回路が形成されるように相互に電気的に接続している。このインナービア４１の内部には導電性樹脂が充填されており、この導電性樹脂が配線１２の表面と電気的に接続することによって、対向するそれぞれの配線１２を電気的に接続している。このインナービア４１は、回路素子内蔵モジュール内における複数の配線１２を所定の回路を形成するように電気的に接続すると共に、それらの配線１２を相互に伝熱的に接続している。なお、配線を相互に電気的に接続する方法としては、上記の如くインナービアによる場合の他に、スルーホールによる場合もある。しかしながら、回路素子の高密度実装という観点では、インナービアを用いた場合の方がより適している。   The inner via 41 electrically connects the plurality of wirings 12 attached to the circuit element built-in module 51 to each other so that a predetermined circuit is formed. The inside of the inner via 41 is filled with a conductive resin, and the conductive resin is electrically connected to the surface of the wiring 12, thereby electrically connecting the opposing wirings 12. The inner via 41 electrically connects the plurality of wirings 12 in the circuit element built-in module so as to form a predetermined circuit, and also connects the wirings 12 with each other in a heat conductive manner. In addition, as a method of electrically connecting the wirings to each other, in addition to the method using the inner via as described above, a method using a through hole may be used. However, from the viewpoint of high-density mounting of circuit elements, the case where inner vias are used is more suitable.

ここで、図１に示すように、回路素子内蔵モジュール５１では、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い放熱用部材１３が、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設されている。従って、回路素子１４から発生した熱は回路素子１４上の電気絶縁性材料１１に伝わり、さらに、配線１２を経由して熱伝導率が高い放熱用部材１３へ移動する。そして、再び電気絶縁性材料１１と配線１２とを経由することによって、回路素子内蔵モジュール５１の外部へと放出される。その結果、機器動作時における回路素子１４の温度上昇が抑制されるため、回路素子１４の破損を防止することが可能になると共に、回路素子内蔵モジュール５１は連続的に正常に動作するようになる。また、熱伝導率が高い放熱用部材１３が配設されることにより放熱性が改善されるので、電気絶縁性材料１１における無機質フィラーの重量比率を低下させることが可能となる。これによって、回路素子内蔵モジュール５１を製造する際の回路素子１４等の埋め込み性が改善される。また、回路素子１４等に加わる外部応力が低減するので、回路素子の破損を防止することが可能になる。   Here, as shown in FIG. 1, in the circuit element built-in module 51, the heat radiating member 13 having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material 11 is substantially parallel to and faces the main surface of the circuit element 14. They are arranged in a relationship. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 is transmitted to the electrically insulating material 11 on the circuit element 14 and further moves to the heat radiating member 13 having high thermal conductivity via the wiring 12. Then, it is released to the outside of the circuit element built-in module 51 by passing through the electrically insulating material 11 and the wiring 12 again. As a result, a rise in the temperature of the circuit element 14 during operation of the device is suppressed, so that damage to the circuit element 14 can be prevented, and the module 51 with a built-in circuit element operates normally continuously. . In addition, since the heat dissipating property is improved by disposing the heat dissipating member 13 having high thermal conductivity, the weight ratio of the inorganic filler in the electrically insulating material 11 can be reduced. Thereby, the embedding property of the circuit element 14 and the like at the time of manufacturing the circuit element built-in module 51 is improved. In addition, since external stress applied to the circuit element 14 and the like is reduced, breakage of the circuit element can be prevented.

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２について、図２を参照しながら説明する。 (Embodiment 2)
Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態２では、熱伝導率が高い放熱用部材として、金属またはセラミックス等の、回路素子以外の他の部材を用いる場合の形態における第二の例について説明する。   In the second embodiment of the present invention, a second example in a case where a member other than a circuit element, such as a metal or a ceramic, is used as a heat radiating member having a high thermal conductivity will be described.

図２は、本発明の実施の形態２に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a circuit element built-in module according to Embodiment 2 of the present invention.

図２に示した回路素子内蔵モジュール５１は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い複数の放熱用部材１３と、スルーホール１７とを有して構成されている。   The module 51 with a built-in circuit element illustrated in FIG. 2 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and a plurality of wirings 12 connected to each other so as to have a predetermined connection relationship. A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 and a circuit element 15 buried so as to be electrically connected to the wiring 12 and thermally conductively connected to the electrically insulating material 11; It has a plurality of heat dissipating members 13 having a thermal conductivity higher than that of the electrically insulating material 11 and a through hole 17 disposed so as to be substantially parallel to and opposed to the main surface of the element 14. It is configured.

ここで、図２に示すように、回路素子内蔵モジュール５１は、熱伝導率が高い放熱用部材１３を二個有して構成されている。そして、これらの放熱用部材１３は、相互に略平行となるように配設されていると共に、回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設されている。さらに、複数ある放熱用部材１３の内の一つは、スルーホール１７に対して伝熱的に、直に接続されている。従って、図２に示したように回路素子１４が回路素子内蔵モジュール５１の深部に配設されている場合であっても、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１と配線１２とを経由して熱伝導率が高い放熱用部材１３へ移動し、さらにスルーホール１７を経由して回路素子内蔵モジュール５１の主面へと伝達される。そして、回路素子内蔵モジュール５１の主面に達した熱は、その主面から回路素子内蔵モジュール５１の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 2, the circuit element built-in module 51 is configured to include two heat radiation members 13 having high thermal conductivity. The heat radiating members 13 are disposed so as to be substantially parallel to each other, and are disposed so as to be substantially parallel to the main surface of the circuit element 14 and to face each other. Further, one of the plurality of heat dissipating members 13 is directly and thermally connected to the through hole 17. Therefore, even when the circuit element 14 is disposed deep in the circuit element built-in module 51 as shown in FIG. Through the through hole 17 to the main surface of the circuit element built-in module 51. Then, the heat that has reached the main surface of the circuit element built-in module 51 is released from the main surface to the outside of the circuit element built-in module 51. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３について、図３を参照しながら説明する。 (Embodiment 3)
Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態３では、熱伝導率が高い放熱用部材として、金属またはセラミックス等の、回路素子以外の他の部材を用いる場合の形態における第三の例について説明する。   In a third embodiment of the present invention, a third example in a case where a member other than a circuit element, such as a metal or a ceramic, is used as a heat radiating member having a high thermal conductivity will be described.

図３は、本発明の実施の形態３に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a module with a built-in circuit element according to Embodiment 3 of the present invention.

図３に示した回路素子内蔵モジュール５１は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い放熱用部材１３と、この放熱用部材１３と伝熱的に接続されている筐体３１とを有して構成されている。   The module 51 with a built-in circuit element illustrated in FIG. 3 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and a plurality of wirings 12 connected to each other so as to have a predetermined connection relationship. A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 and a circuit element 15 buried so as to be electrically connected to the wiring 12 and thermally conductively connected to the electrically insulating material 11; A heat dissipating member 13 having a thermal conductivity higher than that of the electrically insulating material 11 and disposed substantially parallel to the main surface of the element 14 so as to face each other; And a housing 31 connected to the main body.

ここで、図３に示すように、回路素子内蔵モジュール５１では、熱伝導率が高い放熱用部材１３が、回路素子１４と略平行とされかつ対向する関係となるように配設されていると共に、回路素子内蔵モジュール５１の表面に露出するように配設されている。そして、熱伝導率が高い放熱用部材１３の上部には、外部への強制冷却手段である筐体３１が伝熱的に密着または接着されている。従って、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１を経由して熱伝導率が高い放熱用部材１３へ移動し、さらに筐体３１を経由して回路素子内蔵モジュール５１の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 3, in the circuit element built-in module 51, the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity is disposed so as to be substantially parallel to the circuit element 14 and to be opposed to each other. , Are arranged to be exposed on the surface of the circuit element built-in module 51. In addition, a housing 31 as a forced cooling means to the outside is heat conductively adhered or adhered to the upper portion of the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 moves to the heat radiating member 13 having high thermal conductivity via the electrically insulating material 11 and further to the outside of the circuit element built-in module 51 via the housing 31. Released. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

（実施の形態４）
本発明の実施の形態４について、図４を参照しながら説明する。 (Embodiment 4)
Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態４では、熱伝導率が高い放熱用部材として、金属またはセラミックス等の、回路素子以外の他の部材を用いる場合の形態における第四の例について説明する。   In a fourth embodiment of the present invention, a fourth example in a case where a member other than a circuit element, such as a metal or a ceramic, is used as a heat radiating member having a high thermal conductivity will be described.

図４は、本発明の実施の形態４に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a module with a built-in circuit element according to Embodiment 4 of the present invention.

図４に示した回路素子内蔵モジュール５１は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い複数の放熱用部材１３とを有して構成されている。   The module 51 with a built-in circuit element shown in FIG. 4 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 and a circuit element 15 buried so as to be electrically connected to the wiring 12 and thermally conductively connected to the electrically insulating material 11; It has a plurality of heat dissipating members 13 having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material 11 and arranged so as to be substantially parallel to and opposed to the main surface of the element 14. .

ここで、図４に示すように、回路素子内蔵モジュール５１では、熱伝導率の高い複数の放熱用部材１３が、回路素子内蔵モジュール５１の一方の主面を形成する配線１２上において、複数個配設されている。従って、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１を経由して熱伝導率が高い放熱用部材１３へ移動し、さらに配線１２を経由して回路素子内蔵モジュール５１の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 4, in the circuit element built-in module 51, a plurality of heat radiating members 13 having high thermal conductivity are provided on the wiring 12 forming one main surface of the circuit element built-in module 51. It is arranged. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 moves to the heat radiating member 13 having high thermal conductivity via the electrically insulating material 11 and further radiates to the outside of the circuit element built-in module 51 via the wiring 12. Is done. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

（実施の形態５）
本発明の実施の形態５について、図５を参照しながら説明する。 (Embodiment 5)
Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態５では、熱伝導率が高い放熱用部材として、回路素子を用いる場合の形態における第一の例について説明する。   In the fifth embodiment of the present invention, a first example in a case where a circuit element is used as a heat radiation member having a high thermal conductivity will be described.

図５は、本発明の実施の形態５に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a module with a built-in circuit element according to the fifth embodiment of the present invention.

図５に示した回路素子内蔵モジュール５２は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い回路素子１９とを有して構成されている。   The module 52 with a built-in circuit element shown in FIG. 5 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and a plurality of wirings 12 connected to each other so as to have a predetermined connection relationship. A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 and a circuit element 15 buried so as to be electrically connected to the wiring 12 and thermally conductively connected to the electrically insulating material 11; A circuit element 19 having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material 11 is provided so as to be substantially parallel to and opposed to the main surface of the element 14.

ここで、図５に示すように、回路素子内蔵モジュール５２では、熱伝導率の高い放熱用部材として、回路構成素子である回路素子１９が用いられている。そして、この回路素子１９は、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配線１２上の所定の位置に配設されている。従って、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１と配線１２とを経由して回路素子１９へ移動し、さらに電気絶縁性材料１１を経由して回路素子内蔵モジュール５２の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 5, in the circuit element built-in module 52, the circuit element 19, which is a circuit component, is used as a heat radiation member having high thermal conductivity. The circuit element 19 is disposed at a predetermined position on the wiring 12 so as to be substantially parallel to the main surface of the circuit element 14 and to be opposed to each other. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 moves to the circuit element 19 via the electrically insulating material 11 and the wiring 12, and further to the outside of the circuit element built-in module 52 via the electrically insulating material 11. Released. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

熱伝導率が高いこの回路素子１９は、回路素子内蔵モジュールを構成する電子回路において機能的に動作する回路素子であり、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗、半導体デバイス等の様々な回路素子が対象となり得る。回路素子１４が大電力を取扱う半導体デバイスである場合には、この回路素子内蔵モジュール５２における特に図示しない電源ラインには、平滑用のコンデンサを実装する必要がある。また、コンバータなどのパワー変換回路においては、インダクタは半導体デバイスの近傍に配設される必要がある。このような場合、大電力を取り扱うことによって回路素子１４から発生する熱は、上述の如くその回路素子１４の近傍に配置されるコンデンサ、インダクタ等の効果によって、回路素子内蔵モジュール５２の外部へと放出される。本実施の形態は、実施の形態１のように、回路素子１４の冷却のためだけに用いられる部材を新たに加えるものではないので、回路素子の実装密度を高密度化することが可能になる。さらには、熱伝導率が高い回路素子１９を回路素子１４の近傍に配設することにより、相互を電気的に接続するための配線が最短化されるので、回路から発生するノイズの低減化にも有効である。また、配線自身のインダクタ等も極小化できるので、回路素子内蔵モジュールとしての性能向上が図られ得る。   The circuit element 19 having a high thermal conductivity is a circuit element that functions functionally in an electronic circuit that constitutes the module with a built-in circuit element, and includes various circuit elements such as a capacitor, an inductor, a resistor, and a semiconductor device. obtain. When the circuit element 14 is a semiconductor device that handles large power, it is necessary to mount a smoothing capacitor on a power supply line (not shown) of the module 52 with a built-in circuit element. Further, in a power conversion circuit such as a converter, the inductor needs to be disposed near the semiconductor device. In such a case, the heat generated from the circuit element 14 by handling the large power is transferred to the outside of the circuit element built-in module 52 by the effect of the capacitor, the inductor, and the like arranged near the circuit element 14 as described above. Released. In the present embodiment, unlike Embodiment 1, a member used only for cooling the circuit element 14 is not newly added, so that the mounting density of the circuit element can be increased. . Further, by disposing the circuit element 19 having a high thermal conductivity in the vicinity of the circuit element 14, wiring for electrically connecting the circuit elements is minimized, so that noise generated from the circuit can be reduced. Is also effective. In addition, since the inductor and the like of the wiring itself can be minimized, the performance as a circuit element built-in module can be improved.

放熱用の回路素子１９として積層セラミックコンデンサを用いることによって、回路素子１４から発生した熱を効率良く外部へ放出することが可能になる。その理由は、一般的な積層セラミックコンデンサには誘電体材料として熱伝導率が小さいチタン酸バリウムが用いられているが、積層セラミックコンデンサの内部には体積的に半分近くを占める、ニッケル、銅または銀等で構成される金属内部電極があるからである。このため、積層セラミックコンデンサの熱伝導率は優れており、層状に構成された金属内部電極により、特に横方向については金属と同程度の熱伝導率が得られる。これにより、回路素子１４から発生する熱の放出が良好に行われる。   By using a multilayer ceramic capacitor as the circuit element 19 for heat dissipation, heat generated from the circuit element 14 can be efficiently released to the outside. The reason is that barium titanate, which has a small thermal conductivity, is used as a dielectric material in a general multilayer ceramic capacitor, but nickel, copper, or nickel occupying almost half of the volume inside the multilayer ceramic capacitor. This is because there is a metal internal electrode made of silver or the like. Therefore, the heat conductivity of the multilayer ceramic capacitor is excellent, and the metal internal electrodes formed in a layer form can provide the same heat conductivity as that of the metal particularly in the lateral direction. As a result, the heat generated from the circuit element 14 is satisfactorily released.

（実施の形態６）
本発明の実施の形態６について、図６を参照しながら説明する。 (Embodiment 6)
Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態６では、熱伝導率が高い放熱用部材として、回路素子を用いる場合の形態における第二の例について説明する。   In the sixth embodiment of the present invention, a second example in a case where a circuit element is used as a heat dissipation member having a high thermal conductivity will be described.

図６は、本発明の実施の形態６に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a circuit element built-in module according to Embodiment 6 of the present invention.

本実施の形態では、熱伝導率が高い放熱用部材として、固体電解コンデンサを用いる例について示している。固体電解コンデンサとは、一般的に、表面積を増やすためにエッチングされた弁金属薄板の表面に陽極用酸化皮膜を形成し、その弁金属薄板と陽極用酸化被膜との複合体を誘電体として利用するものである。そして、固体電解コンデンサは、前記誘電体における陽極引き出し部以外の部分に固体電解質、カーボン層、銀導電性樹脂層を形成し（この段階のものをコンデンサ素体という）、さらに陽極端子と陰極端子とを接続し、その後、トランスファーモールドやポッティング等によりパッケージを施すことによって製造される。しかし、トランスファーモールドやポッティング等によってパッケージングする固体電解コンデンサは小型化が困難であると共に、その固体電解コンデンサの熱伝導率が低いため、回路素子内蔵モジュールには適さない。そこで、本実施の形態では、コンデンサ素体に陽極端子および陰極端子を接続せず、コンデンサ素体のままで配線上に直接配設することによって、回路素子内蔵モジュールを構成した。   In the present embodiment, an example is shown in which a solid electrolytic capacitor is used as a heat radiating member having a high thermal conductivity. Generally, a solid electrolytic capacitor is formed by forming an anode oxide film on the surface of a valve metal sheet etched to increase the surface area, and using a composite of the valve metal sheet and the anode oxide film as a dielectric. To do. In the solid electrolytic capacitor, a solid electrolyte, a carbon layer, and a silver conductive resin layer are formed in portions other than the anode lead portion of the dielectric (this stage is called a capacitor body), and an anode terminal and a cathode terminal are further formed. And then packaged by transfer molding, potting or the like. However, it is difficult to reduce the size of the solid electrolytic capacitor packaged by transfer molding, potting, or the like, and the thermal conductivity of the solid electrolytic capacitor is low. Therefore, in the present embodiment, a circuit element built-in module is configured by directly disposing the capacitor element body directly on the wiring without connecting the anode terminal and the cathode terminal to the capacitor element body.

図６に示した回路素子内蔵モジュール５２は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された弁金属薄板３２と、弁金属薄板３２の周囲に形成されたカーボン層３３と、カーボン層３３と配線１２とを電気的に接続する銀導電性樹脂層３４とを有して構成されている。固体電解コンデンサとして機能するコンデンサ素体は、弁金属薄板３２とカーボン層３３と銀導電性樹脂層３４と、特に図示されない陽極用酸化被膜と固体電解質とで構成されている。そして、このようにして構成されたコンデンサ素体が、回路素子２０として用いられている。   The module 52 with a built-in circuit element illustrated in FIG. 6 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 electrically connected to the wiring 12 and embedded so as to thermally conductively connect to the electrically insulating material 11; The valve metal thin plate 32 disposed substantially in parallel to the surface and disposed so as to face each other, the carbon layer 33 formed around the valve metal thin plate 32, and the carbon layer 33 and the wiring 12 are electrically connected to each other. And a silver conductive resin layer 34 to be connected. The capacitor element functioning as a solid electrolytic capacitor includes a valve metal thin plate 32, a carbon layer 33, a silver conductive resin layer 34, an oxide film for anode and a solid electrolyte (not shown). The capacitor element configured as described above is used as the circuit element 20.

ここで、図６に示すように、回路素子内蔵モジュール５２では、熱伝導率の高い放熱用部材として、回路構成素子である回路素子２０が用いられている。そして、この回路素子２０は、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配線１２上の所定の位置に配設されている。従って、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１と配線１２とを経由して回路素子２０へ移動し、さらに電気絶縁性材料１１を経由して回路素子内蔵モジュール５２の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 6, in the circuit element built-in module 52, the circuit element 20 which is a circuit component is used as a heat radiation member having a high thermal conductivity. The circuit element 20 is disposed at a predetermined position on the wiring 12 so as to be substantially parallel to the main surface of the circuit element 14 and to be opposed to each other. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 moves to the circuit element 20 via the electrically insulating material 11 and the wiring 12, and further to the outside of the circuit element built-in module 52 via the electrically insulating material 11. Released. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

固体電解コンデンサとしては、例えば、アルミ固体電解コンデンサが好適に用いられている。その理由は、このアルミ固体電解コンデンサでは弁金属薄板３２としてアルミニウム板が用いられており、このアルミニウム板が体積的に前記コンデンサ素体の半分近くを占めているため、素子の熱伝導率が優れているからである。   As the solid electrolytic capacitor, for example, an aluminum solid electrolytic capacitor is suitably used. The reason is that in this aluminum solid electrolytic capacitor, an aluminum plate is used as the valve metal thin plate 32, and since this aluminum plate occupies almost half of the capacitor body in volume, the heat conductivity of the element is excellent. Because it is.

また、本実施の形態におけるコンデンサ素体は、電気絶縁性材料１１により内蔵されているので、改めてトランスファーモールドやポッティング等によってパッケージングする必要は無い。   In addition, since the capacitor body in the present embodiment is built in the electrically insulating material 11, there is no need to package it again by transfer molding, potting, or the like.

（実施の形態７）
本発明の実施の形態７について、図７を参照しながら説明する。 (Embodiment 7)
Embodiment 7 of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施の形態７では、熱伝導率が高い放熱用部材として、回路素子を用いる場合の形態における第三の例について説明する。   In a seventh embodiment of the present invention, a third example in a case where a circuit element is used as a heat dissipation member having high thermal conductivity will be described.

図７は、本発明の実施の形態７に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。   FIG. 7 is a sectional view schematically showing a configuration of a module with a built-in circuit element according to the seventh embodiment of the present invention.

図７に示した回路素子内蔵モジュール５２は、電気絶縁性材料１１と、電気絶縁性材料１１に着設された複数の配線１２と、複数の配線１２を所定の接続関係となるように相互に電気的に接続する複数のインナービア４１と、前記配線１２に電気的に接続されかつ電気絶縁性材料１１と伝熱的に接続するように埋設された回路素子１４および回路素子１５と、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配設された、電気絶縁性材料１１よりも熱伝導率が高い回路素子２１とを有して構成されている。この回路素子２１はインダクタであり、シート状の巻線導体２２と磁性体層２３とを有して構成されている。   The module 52 with a built-in circuit element shown in FIG. 7 includes an electrically insulating material 11, a plurality of wirings 12 attached to the electrically insulating material 11, and A plurality of inner vias 41 electrically connected to each other; a circuit element 14 and a circuit element 15 buried so as to be electrically connected to the wiring 12 and thermally conductively connected to the electrically insulating material 11; A circuit element 21 having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material 11 is provided so as to be substantially parallel to the main surface of the element 14 and to face each other. The circuit element 21 is an inductor and includes a sheet-shaped winding conductor 22 and a magnetic layer 23.

ここで、図７に示すように、回路素子内蔵モジュール５２では、熱伝導率の高い放熱用部材として、回路構成素子である回路素子２１が用いられている。そして、この回路素子２１は、前記回路素子１４の主面に略平行とされかつ対向する関係となるように配線１２上の所定の位置に配設されている。従って、回路素子１４から発生した熱は、電気絶縁性材料１１と配線１２とを経由して回路素子２１へ移動し、さらに電気絶縁性材料１１を経由して回路素子内蔵モジュール５２の外部へと放出される。その結果、本実施の形態によっても、本発明の実施の形態１に係る形態と同様の効果が得られる。なお、その他については、実施の形態１と同様である。   Here, as shown in FIG. 7, in the circuit element built-in module 52, the circuit element 21 which is a circuit component is used as a heat dissipation member having high thermal conductivity. The circuit element 21 is disposed at a predetermined position on the wiring 12 so as to be substantially parallel to the main surface of the circuit element 14 and to have a relationship facing the main surface. Therefore, the heat generated from the circuit element 14 moves to the circuit element 21 via the electrically insulating material 11 and the wiring 12 and further to the outside of the circuit element built-in module 52 via the electrically insulating material 11. Released. As a result, according to the present embodiment, the same effect as in the embodiment according to the first embodiment of the present invention can be obtained. The rest is the same as in the first embodiment.

一般的に、インダクタを構成する部材としては、巻線導体には金属が、また磁性体層には焼結磁性体や金属等が用いられる。これらの金属や焼結磁性体の熱電度率は高く、従ってインダクタの熱伝導率も高いため、回路素子内蔵モジュールには適している。しかしながら、一般的なインダクタは焼結磁性体に導線を巻き付けた構成であるので、インダクタの薄型化が困難である。また、焼結磁性体は成形時の加圧によって破壊される可能性がある。さらに、導線を巻回して構成した巻線では内部に空隙があるため、埋め込み用の回路素子としては適さない。そこで、本実施の形態では、図７に示すように、シート状の巻線導体２２と磁性体層２３とを平面状に配置することによって、インダクタ２１を構成した。このようにして構成された平面状のインダクタ２１は、その形状から、素子埋設時の成形圧力に対しても強い。なお、この巻線導体２２は、平面性が良好であることから、シート状コイルとすることが望ましい。このシート状コイルの製造方法としては、エッチング法やメッキ法による方法がある。しかし、エッチング法では、コイルの巻線と巻線との間に導体厚み以上の線間距離が形成されるため、巻線部分の全断面積に対する導体断面積の割合、すなわち占積率を高くすることが困難である。例えば、エッチング法における占積率は通常５０％以下となる。このため、メッキ法によりシート状コイルを製造することが望ましい。このメッキ法では、導体厚みが８０μｍ以上の巻線であっても、線間距離を２０μｍ以下とする事が可能である。すなわち、前記占積率を向上させることが可能である。占積率が向上されれば、インダクタの抵抗成分が下がり、従ってインダクタによる電力損失を低減することが可能になる。また、導体体積を向上することができるので、インダクタの熱伝導率を一層高めることが可能になる。エッチング法やメッキ法によって形成したインダクタにおいては、導体と導体との間には樹脂を充填する。このことによって巻線の内部に空隙が無くなると同時に、導体間の電気的絶縁性を高めることが可能になる。また、シート状の巻線の中央部や周辺部に孔を形成しておき、この孔に磁性材料を充填させることによってインダクタを構成しても良い。この場合、充填に用いる磁性材料としては、樹脂に焼結磁性体粉末や金属磁性粉末を配合させたものを用いることができる。このような方法とすることによって、インダクタ２１の厚み方向の熱伝導率が改善されると同時に、インダクタ２１のインダクタンス値を高めることも可能なる。   Generally, as the members constituting the inductor, a metal is used for the winding conductor, and a sintered magnetic material, a metal, or the like is used for the magnetic layer. These metals and sintered magnetic materials have a high thermoelectric power factor, and thus a high thermal conductivity of the inductor, and are therefore suitable for a module with a built-in circuit element. However, since a general inductor has a configuration in which a conductive wire is wound around a sintered magnetic body, it is difficult to reduce the thickness of the inductor. Further, the sintered magnetic material may be broken by pressure during molding. Furthermore, a winding formed by winding a conductive wire is not suitable as a circuit element for embedding because there is a gap inside. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the inductor 21 is configured by arranging the sheet-shaped winding conductor 22 and the magnetic layer 23 in a plane. Due to its shape, the planar inductor 21 configured as described above is strong against molding pressure at the time of embedding the element. In addition, since this winding conductor 22 has good flatness, it is desirable to use a sheet-like coil. As a method of manufacturing the sheet-shaped coil, there are a method by an etching method and a plating method. However, in the etching method, a line-to-line distance greater than the conductor thickness is formed between the windings of the coil, so that the ratio of the conductor cross-sectional area to the total cross-sectional area of the winding portion, that is, the space factor is increased. Is difficult to do. For example, the space factor in the etching method is usually 50% or less. For this reason, it is desirable to manufacture a sheet coil by a plating method. In this plating method, even if the winding has a conductor thickness of 80 μm or more, it is possible to reduce the line distance to 20 μm or less. That is, it is possible to improve the space factor. If the space factor is improved, the resistance component of the inductor decreases, and therefore, it is possible to reduce the power loss due to the inductor. Further, since the conductor volume can be improved, the thermal conductivity of the inductor can be further increased. In an inductor formed by an etching method or a plating method, a resin is filled between conductors. This makes it possible to eliminate voids inside the windings and at the same time to enhance the electrical insulation between the conductors. Alternatively, a hole may be formed in a central portion or a peripheral portion of the sheet-shaped winding, and the hole may be filled with a magnetic material to form an inductor. In this case, as a magnetic material used for filling, a material obtained by mixing a sintered magnetic powder or a metal magnetic powder with a resin can be used. With this method, the thermal conductivity in the thickness direction of the inductor 21 is improved, and at the same time, the inductance value of the inductor 21 can be increased.

磁性体層２３としては、焼結磁性体や、磁性粉末と樹脂との混合物や、金属磁性箔体等が挙げられる。その中でも、磁性粉末と樹脂との混合物や金属磁性箔体の強度は高く、インダクタを構成した場合の素子の強度が向上するため、埋設する回路素子として適している。特に、金属磁性箔体の透磁率は高く、ノイズ遮蔽効果があるので、例えば半導体素子のようにノイズの影響を受けるものに対して近接して配設することによって、ノイズの影響を低減させることが可能になるという効果もある。なお、巻線導体２２はここでは単層となっているが、多層であっても良い。巻線導体２２を多層で形成することによって、巻線の端子配置が行い易くなるという効果が得られる。   Examples of the magnetic material layer 23 include a sintered magnetic material, a mixture of a magnetic powder and a resin, and a metal magnetic foil. Among them, the strength of a mixture of a magnetic powder and a resin or a metal magnetic foil is high, and the strength of an element in the case of forming an inductor is improved, so that it is suitable as a buried circuit element. In particular, since the magnetic permeability of the metal magnetic foil body is high and has a noise shielding effect, the influence of the noise can be reduced by disposing the metal magnetic foil close to an object that is affected by the noise such as a semiconductor element. There is also an effect that it becomes possible. Although the winding conductor 22 has a single layer here, it may have a multilayer structure. By forming the winding conductor 22 in a multilayer structure, an effect is obtained that the terminal arrangement of the winding becomes easier.

（実施の形態８）
本発明の実施の形態８について、図８〜図１０を参照しながら説明する。 (Embodiment 8)
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の実施の形態８では、回路素子内蔵モジュールの一例として、スイッチング電源モジュールについて説明する。   Embodiment 8 of the present invention describes a switching power supply module as an example of a circuit element built-in module.

図８はスイッチング電源モジュールの一例の一部分を模式的に示す断面図であり、図９は別構成のスイッチング電源モジュールの一部分を模式的に示す断面図である。また、図１０は、スイッチング電源モジュールの一般的な回路図を示している。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an example of a switching power supply module, and FIG. 9 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of a switching power supply module having another configuration. FIG. 10 shows a general circuit diagram of a switching power supply module.

図８および図９に示すスイッチング電源モジュール５３おいて、回路素子２４は制御回路を内蔵したパワー半導体デバイスであり、また回路素子２０は実施の形態６において説明した固体電解コンデンサであり、さらに回路素子２１は実施の形態７において説明したインダクタである。なお、図９に示すスイッチング電源モジュール５３は、このスイッチング電源モジュールを他の基板へ電気的に接続するための端子４３と、インダクタ２１を覆う望ましくは金属製のケース４２とを有して構成されている。また、図８および図９において、電気絶縁性材料１１、配線１２、インナービア４１については、実施の形態１〜７と同様である。   In the switching power supply module 53 shown in FIGS. 8 and 9, the circuit element 24 is a power semiconductor device having a built-in control circuit, and the circuit element 20 is the solid electrolytic capacitor described in the sixth embodiment. Reference numeral 21 denotes the inductor described in the seventh embodiment. The switching power supply module 53 shown in FIG. 9 includes a terminal 43 for electrically connecting the switching power supply module to another substrate, and a metal case 42 that covers the inductor 21. ing. 8 and 9, the electrically insulating material 11, the wiring 12, and the inner via 41 are the same as in the first to seventh embodiments.

通常、スイッチング電源においては、パワー半導体デバイスである回路素子２４における電力損失が支配的であるため、この回路素子２４からの発熱は非常に大きい。そこで、本実施の形態では、図８および図９に示すように、パワー半導体デバイスであるその回路素子２４に対向して固体電解コンデンサである回路素子２０およびインダクタである回路素子２１を配設することにより、回路素子２４から発生する熱をスイッチング電源モジュール５３の外部へと放出する構成としている。   Usually, in a switching power supply, power loss in the circuit element 24, which is a power semiconductor device, is dominant, so that heat generated from the circuit element 24 is very large. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, a circuit element 20 which is a solid electrolytic capacitor and a circuit element 21 which is an inductor are provided facing the circuit element 24 which is a power semiconductor device. Thereby, the heat generated from the circuit element 24 is released to the outside of the switching power supply module 53.

図１０はスイッチング電源モジュールの一般的な回路図である。なお、図１０に示した回路図の例は、いわゆる降圧型スイッチング電源回路の回路図である。ここで、回路素子２４は制御回路を内蔵したパワー半導体デバイスであり、回路素子２１はインダクタであり、回路素子２０は固体電解コンデンサである。通常、スイッチング電源モジュールからスイッチング周波数１ＭＨｚで１Ｗ程度の出力を得るためには、回路素子２１にはμＨオーダーのインダクタンスが、また、回路素子２０にはμＦオーダーのキャパシタンスが必要である。そして、そのようなスイッチング電源モジュールからは、回路内にスイッチング周波数に対応するパルス電圧とパルス電流とが発生するため、パルス状のノイズが発生する。このパルス状のノイズを低減させるためには、パワー半導体デバイスである回路素子２４と、固体電解コンデンサおよびインダクタである回路素子２０および回路素子２１とを極力近接するように配設する必要がある。ここで、図８および図９に示したスイッチング電源モジュール５３では、回路素子２４と、回路素子２０および回路素子２１とが相互に近接するように配設されているため、それらの回路素子を電気的に接続するための配線は最短とされている。その結果、スイッチング周波数に対応して発生するパルス状のノイズを効果的に抑制することが可能である。また、回路素子２１が低透磁率の磁性体を用いたインダクタである場合には、そのインダクタからの漏れ磁束が半導体デバイスやその周辺回路に悪影響を及ぼす恐れが有る。しかし、図８および図９に示したように、回路素子２１と回路素子２４との間に回路素子２０を挿入することによって、その回路素子２０のシールド効果により、インダクタからの漏れ磁束による悪影響を抑制することが可能になる。   FIG. 10 is a general circuit diagram of a switching power supply module. Note that the example of the circuit diagram shown in FIG. 10 is a circuit diagram of a so-called step-down switching power supply circuit. Here, the circuit element 24 is a power semiconductor device incorporating a control circuit, the circuit element 21 is an inductor, and the circuit element 20 is a solid electrolytic capacitor. Normally, in order to obtain an output of about 1 W at a switching frequency of 1 MHz from the switching power supply module, the circuit element 21 needs an inductance on the order of μH, and the circuit element 20 requires a capacitance on the order of μF. Then, from such a switching power supply module, a pulse voltage and a pulse current corresponding to the switching frequency are generated in the circuit, so that pulse-like noise is generated. In order to reduce this pulse-like noise, it is necessary to arrange the circuit element 24 as a power semiconductor device and the circuit elements 20 and 21 as solid electrolytic capacitors and inductors as close as possible. Here, in the switching power supply module 53 shown in FIGS. 8 and 9, since the circuit element 24, the circuit element 20 and the circuit element 21 are arranged so as to be close to each other, these circuit elements are electrically connected. The wiring for making the connection is the shortest. As a result, it is possible to effectively suppress pulse-like noise generated corresponding to the switching frequency. When the circuit element 21 is an inductor using a magnetic material having a low magnetic permeability, the magnetic flux leaking from the inductor may adversely affect the semiconductor device and its peripheral circuits. However, as shown in FIGS. 8 and 9, by inserting circuit element 20 between circuit element 21 and circuit element 24, the shielding effect of circuit element 20 reduces the adverse effect due to the leakage magnetic flux from the inductor. It becomes possible to suppress.

なお、本実施の形態では回路素子２０を固体電解コンデンサとしたが、これに限定されるものではなく、セラミックコンデンサ等の熱伝導率が高いコンデンサであっても良い。   In this embodiment, the circuit element 20 is a solid electrolytic capacitor. However, the present invention is not limited to this, and a capacitor having a high thermal conductivity such as a ceramic capacitor may be used.

（実施の形態９）
本発明の実施の形態において、上述した実施の形態１〜８では、発熱性を有する回路素子から発生した熱が放熱用部材及び電気絶縁性材料を介して回路素子内蔵モジュールの外部へ放出される機構について説明した。 (Embodiment 9)
In the embodiment of the present invention, in Embodiments 1 to 8 described above, heat generated from the circuit element having heat generation is released to the outside of the module with a built-in circuit element through the heat dissipation member and the electrically insulating material. The mechanism has been described.

ところで、通常、回路素子内蔵モジュールは、マザーボード（メインボード）上に実装されている。そのため、発熱性を有する回路素子を冷却する方法としては、その回路素子から発生した熱を、回路素子内蔵モジュールを介してマザーボードへ移動させる方法がある。この場合、発熱性を有する回路素子を効率良く冷却するためには、回路素子内蔵モジュール内の放熱用部材を、発熱性を有する回路素子とマザーボードとの間に、少なくともそれぞれに対向する領域を有するようにして配設する。放熱用部材をそのように配設することによって、回路素子から発生した熱は、マザーボードへ効率良く移動するようになる。放熱用部材を上記の如く配設して回路素子内蔵モジュールを構成することは、本発明の実施の形態１〜８を含め、あらゆる形態において応用可能であり、かつ有効となり得る。   By the way, usually, the circuit element built-in module is mounted on a motherboard (main board). Therefore, as a method of cooling a circuit element having heat generation, there is a method of transferring heat generated from the circuit element to a motherboard via a circuit element built-in module. In this case, in order to efficiently cool the heat-generating circuit element, the heat-dissipating member in the circuit-element-containing module has at least areas opposed to each other between the heat-generating circuit element and the motherboard. It is arranged as follows. By arranging the heat radiating member in such a manner, heat generated from the circuit element is efficiently transferred to the motherboard. The configuration of the circuit element built-in module by disposing the heat radiating member as described above can be applied and effective in all forms including the first to eighth embodiments of the present invention.

（実施の形態１０）
本発明の実施の形態１０について、図１１〜図１３を参照しながら説明する。 (Embodiment 10)
A tenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１１は、本実施の形態における回路素子内蔵モジュール５４を模式的に示した断面図である。   FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the circuit element built-in module 54 according to the present embodiment.

本実施の形態においては、図１１に示した構造を有する回路素子内蔵モジュール５４を用いて、以下の如く実験を行った。   In the present embodiment, an experiment was performed as follows using the circuit element built-in module 54 having the structure shown in FIG.

図１１において、回路素子１４は、その主面の寸法が２ｍｍ×２ｍｍである半導体素子である。そして、その回路素子１４と配線１２との間隙における電気絶縁性材料１１の厚み１１ｄは０．４ｍｍである。また、前記回路素子１４と対向して配設された熱伝導率が高い放熱用部材１３の厚み１３ｄは０．３ｍｍである。さらに、電気絶縁性材料１１の熱伝導率は３（Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、放熱用部材１３の熱伝導率は４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。このように構成された回路素子内蔵モジュール５４において回路素子１４を動作させ、その回路素子１４から発生した熱の移動に関する調査を行った。なお、回路素子１４から発生した熱の放出は回路素子内蔵モジュール５４の上面からのみとするため、回路素子内蔵モジュール５４の上面（放熱用部材１３に近接した面）を冷却した。   In FIG. 11, a circuit element 14 is a semiconductor element whose main surface has a size of 2 mm × 2 mm. The thickness 11d of the electrically insulating material 11 in the gap between the circuit element 14 and the wiring 12 is 0.4 mm. The thickness 13d of the heat-radiating member 13 having a high thermal conductivity disposed opposite to the circuit element 14 is 0.3 mm. Further, the thermal conductivity of the electrically insulating material 11 is 3 (W / m · K), and the thermal conductivity of the heat radiation member 13 is 400 (W / m · K). The circuit element 14 was operated in the circuit element built-in module 54 configured as described above, and an investigation regarding the transfer of heat generated from the circuit element 14 was performed. Since the heat generated from the circuit element 14 is released only from the upper surface of the circuit element built-in module 54, the upper surface of the circuit element built-in module 54 (the surface close to the heat radiation member 13) is cooled.

図１２は、上記実験によって得られた第一の結果について示しており、回路素子１４と放熱用部材１３との対向する部分の面積の、回路素子１４の主面の面積に対する比率と、回路素子１４から放熱用部材１３へ熱が伝わる際の熱抵抗比率との関係を表した模式図である。そして、横軸は面積比（％）を、また縦軸は熱抵抗比を、それぞれ示している。   FIG. 12 shows the first result obtained by the above experiment, in which the ratio of the area of the opposing portion between the circuit element 14 and the heat dissipation member 13 to the area of the main surface of the circuit element 14 and the circuit element FIG. 4 is a schematic diagram showing a relationship between a heat resistance ratio when heat is transmitted from a heat radiation member 14 to a heat radiation member 13. The horizontal axis indicates the area ratio (%), and the vertical axis indicates the thermal resistance ratio.

図１２に示された特性曲線によって明示されるように、熱伝導率が高い放熱用部材１３の主面の、回路素子１４の主面と対向する部分の面積が増大するにつれて、熱抵抗は減少する。そして、面積比が４０％付近において、特性曲線上には変曲点が存在している。すなわち、熱伝導率が高い放熱用部材１３の主面の回路素子１４と対向する部分の面積を、回路素子１４の主面の面積の４０％以上とすることによって、回路素子１４から発生した熱を安定して効率良く外部へ放出することが可能になることが判明した。   As evident by the characteristic curve shown in FIG. 12, the thermal resistance decreases as the area of the portion of the main surface of the heat dissipating member 13 having high thermal conductivity facing the main surface of the circuit element 14 increases. I do. When the area ratio is around 40%, an inflection point exists on the characteristic curve. That is, by setting the area of the portion of the main surface of the heat radiating member 13 facing the circuit element 14 having a high thermal conductivity to be 40% or more of the area of the main surface of the circuit element 14, the heat generated from the circuit element 14 is increased. Has been found to be able to be stably and efficiently released to the outside.

一方、図１３は、上記実験によって得られた第二の結果について示しており、熱伝導率が高い放熱用部材１３を同一面積で回路素子１４に対向させた場合における、電気絶縁性材料１１と放熱用部材１３との熱伝導率の比率と、回路素子１４から放熱用部材１３へ熱が伝わる際の熱抵抗比率との関係を表した模式図である。そして、横軸は熱伝導率の倍率（倍）を、また縦軸は熱抵抗比を、それぞれ示している。   On the other hand, FIG. 13 shows a second result obtained by the above-described experiment, in which the heat insulating member 13 having a high thermal conductivity is opposed to the circuit element 14 in the same area and the electrically insulating material 11 and FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a relationship between a ratio of a thermal conductivity to a heat radiation member 13 and a heat resistance ratio when heat is transmitted from the circuit element 14 to the heat radiation member 13. The horizontal axis indicates the thermal conductivity magnification (times), and the vertical axis indicates the thermal resistance ratio.

図１３に示された特性曲線によって明示されるように、熱伝導率が高い放熱用部材１３の熱伝導率の倍率が大きくなるにつれて、熱抵抗は減少する。そして、熱伝導率の倍率が３倍付近において、特性曲線上には変曲点が存在している。すなわち、熱伝導率が高い放熱用部材１３の熱伝導率を、電気絶縁性材料１１の熱伝導率の３倍以上とすることによって、回路素子１４から発生した熱を安定して効率良く外部へ放出することが可能になることが判明した。   As evident by the characteristic curve shown in FIG. 13, the thermal resistance decreases as the magnification of the thermal conductivity of the heat radiating member 13 having a high thermal conductivity increases. When the magnification of the thermal conductivity is about three times, there is an inflection point on the characteristic curve. That is, by setting the thermal conductivity of the heat radiation member 13 having a high thermal conductivity to be at least three times the thermal conductivity of the electrically insulating material 11, the heat generated from the circuit element 14 can be stably and efficiently discharged to the outside. It has been found possible to release.

なお、以上の説明では、回路素子内蔵モジュールについての例を挙げて説明したが、例えば回路素子を内蔵するプリント配線板等であっても、さらに他の用途に採用される装置であっても、本発明を実施または応用することができる。   In the above description, an example of a module with a built-in circuit element has been described.However, for example, a printed wiring board or the like having a built-in circuit element, or a device used for other purposes, The present invention can be implemented or applied.

上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施形態が明らかである。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更できる。   From the above description, many modifications and other embodiments of the present invention are obvious to one skilled in the art. Accordingly, the above description should be construed as illustrative only and is provided for the purpose of teaching those skilled in the art the best mode of carrying out the invention. Details of its structure and / or function may be substantially changed without departing from the spirit of the invention.

本発明に係る回路素子内蔵モジュールは、製造が容易であり、また、小型化における阻害要因を有さず、更に、回路素子から発生する熱を効率良く外部へ放出することが可能な樹脂系の電気絶縁性材料を用いる回路素子内蔵モジュールとして有用である。   The module with a built-in circuit element according to the present invention is a resin-based module that is easy to manufacture, has no hindrance in miniaturization, and can efficiently release heat generated from the circuit element to the outside. It is useful as a module with a built-in circuit element using an electrically insulating material.

本発明の実施の形態１に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the module with a built-in circuit element according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態２に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a circuit element built-in module according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施の形態３に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a circuit element built-in module according to Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施の形態４に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a module with a built-in circuit element according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態５に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a module with a built-in circuit element according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態６に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a circuit-element built-in module according to Embodiment 6 of the present invention. 本発明の実施の形態７に係る回路素子内蔵モジュールの構成を模式的に示した断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a module with a built-in circuit element according to a seventh embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態８に係るスイッチング電源モジュールの一例の一部分を模式的に示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an example of a switching power supply module according to Embodiment 8 of the present invention. 本発明の実施の形態８に係る別構成のスイッチング電源モジュールの一部分を模式的に示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of a switching power supply module having another configuration according to Embodiment 8 of the present invention. スイッチング電源モジュールの一般的な回路図である。It is a general circuit diagram of a switching power supply module. 本発明の実施の形態９に係る回路素子内蔵モジュールを模式的に示した断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a circuit element built-in module according to Embodiment 9 of the present invention. 本発明の実施の形態９に係る、回路素子と放熱用部材との対向する部分の面積の、回路素子の主面の面積に対する比率と、回路素子から放熱用部材へ熱が伝わる際の熱抵抗比率との関係を表した模式図である。The ratio of the area of the opposing portion between the circuit element and the heat radiating member to the area of the main surface of the circuit element and the thermal resistance when heat is transmitted from the circuit element to the heat radiating member according to Embodiment 9 of the present invention. It is a schematic diagram showing the relationship with the ratio. 本発明の実施の形態９に係る、熱伝導率が高い放熱用部材を同一面積で回路素子に対向させた場合における、電気絶縁性材料と放熱用部材との熱伝導率の比率と、回路素子から放熱用部材へ熱が伝わる際の熱抵抗比率との関係を表した模式図である。The ratio of the thermal conductivity between the electrically insulating material and the heat radiating member when the heat radiating member having a high thermal conductivity is opposed to the circuit element in the same area according to the ninth embodiment of the present invention, and the circuit element FIG. 5 is a schematic diagram showing a relationship with a heat resistance ratio when heat is transmitted from a member to a heat radiation member. 埋設された回路素子から発生する熱を外部へ放出し得る構成を備えた従来の回路素子内蔵モジュールの一例の一部分を示す斜視断面図である。It is a perspective sectional view showing a part of example of the conventional circuit element built-in module provided with the composition which can radiate the heat generated from the embedded circuit element to the outside. 搭載された回路素子から発生する熱を外部へ放出し得る構成を備えた従来の回路素子内蔵モジュールの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the conventional circuit element built-in module provided with the structure which can discharge | release the heat | fever generate | occur | produced from the mounted circuit element to the outside.

符号の説明Explanation of reference numerals

１１ 電気絶縁性材料
１２ 配線
１２ａ 信号パターン
１３ 放熱用部材
１４ 回路素子
１５ 回路素子
１７ スルーホール
１９ 回路素子
２０ 固体電解コンデンサ
２１ インダクタ
２２ 巻線導体
２３ 磁性体層
２４ 回路素子
３１ 筐体
３２ 弁金属薄板
３３ カーボン層
３４ 銀導電性樹脂層
４１ インナービア
４２ ケース
４３ 端子
５１〜５４ 回路素子内蔵モジュール
１００ 回路素子内蔵モジュール
１１０ 積層電子部品
１１１ 主面
１１３ 磁性焼結体
１１４ ランド
１１５ インダクタ素子
１１６ 放熱用導体
１１７ 接続端子
１１８ インナービア
１４０ 半導体チップ
１４１ 主面
１４２ 接続用ボール
２０１〜２０３ 基板（層）
４００ 回路素子内蔵モジュール
４０１ａ〜４０１ｃ 基板
４０２ａ〜４０２ｄ 配線
４０３ａ〜４０３ｂ 回路素子
４０４ インナービア
４０５ａ〜４０５ｃ 電気絶縁性材料

DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Electrically insulating material 12 Wiring 12a Signal pattern 13 Heat dissipation member 14 Circuit element 15 Circuit element 17 Through hole 19 Circuit element 20 Solid electrolytic capacitor 21 Inductor 22 Winding conductor 23 Magnetic layer 24 Circuit element 31 Housing 32 Valve metal thin plate Reference Signs List 33 carbon layer 34 silver conductive resin layer 41 inner via 42 case 43 terminal 51 to 54 circuit element built-in module 100 circuit element built-in module 110 laminated electronic component 111 main surface 113 magnetic sintered body 114 land 115 inductor element 116 heat dissipation conductor 117 Connection terminal 118 Inner via 140 Semiconductor chip 141 Main surface 142 Connection ball 201-203 Substrate (layer)
400 Module with built-in circuit element 401a-401c Substrate 402a-402d Wiring 403a-403b Circuit element 404 Inner via 405a-405c Electrically insulating material

Claims (41)

略二次元状に形成された複数の配線が電気絶縁性材料を介して積層されており、該電気絶縁性材料は少なくともフィラーと電気絶縁性樹脂とを含む混合物からなり、前記配線に一以上の回路素子が電気的に接続されかつ該回路素子の少なくとも一部が前記電気絶縁性材料の内部に埋設されている回路素子内蔵モジュールであって、
前記電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用部材を備え、かつ該放熱用部材と、前記回路素子の内の少なくとも前記回路素子内蔵モジュール内で最も温度上昇の高い高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向から見て重なりを有するように配置されていることを特徴とする回路素子内蔵モジュール。 A plurality of wirings formed in a substantially two-dimensional shape are laminated via an electrically insulating material, and the electrically insulating material is made of a mixture containing at least a filler and an electrically insulating resin, and the wiring has one or more wirings. A circuit element built-in module in which circuit elements are electrically connected and at least a part of the circuit elements is embedded in the electrically insulating material,
A heat dissipating member having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material, and the heat dissipating member; and a high heat generating circuit element having a highest temperature rise in at least the circuit element built-in module of the circuit elements. Are arranged so as to have an overlap when viewed from the lamination direction of the wiring. 前記放熱用部材と前記高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向において対向するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   2. The circuit element built-in module according to claim 1, wherein the heat-dissipating member and the high heat-generating circuit element are arranged so as to face each other in the laminating direction of the wiring. 3. 前記放熱用部材が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the heat radiation member is provided on a surface of the electrically insulating material. 前記配線の積層方向から見て、前記放熱用部材の面積は前記高発熱性回路素子の面積よりも広いことを特徴とする、請求項３に記載の回路素子内蔵モジュール。   4. The circuit element built-in module according to claim 3, wherein an area of the heat radiating member is larger than an area of the high heat generation circuit element when viewed from a lamination direction of the wiring. 5. 前記高発熱性回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the high heat generating circuit element is provided on a surface of the electrically insulating material. 前記放熱用部材は前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the heat radiating member is electrically connected to the wiring. 前記複数の配線を互いに電気的に接続する電気伝導性部材が前記電気絶縁性材料に接して設けられており、該電気伝導性部材と前記放熱用部材とが伝熱的に接続する部分を有して配設されていることを特徴とする、請求項６に記載の回路素子内蔵モジュール。   An electrically conductive member that electrically connects the plurality of wirings to each other is provided in contact with the electrically insulating material, and a portion that thermally connects the electrically conductive member and the heat dissipation member is provided. The module with a built-in circuit element according to claim 6, wherein the module is provided in such a manner that: 前記電気伝導性部材はスルーホールであることを特徴とする、請求項７に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module according to claim 7, wherein the electrically conductive member is a through hole. 前記電気伝導性部材はインナービアであることを特徴とする、請求項７に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module according to claim 7, wherein the electrically conductive member is an inner via. 前記放熱用部材はチップ部品形状を有していることを特徴とする、請求項６に記載の回路素子内蔵モジュール。   7. The circuit element built-in module according to claim 6, wherein the heat radiating member has a chip component shape. 前記放熱用部材は金属を主成分とする部材であることを特徴とする、請求項１０に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 10, wherein the heat radiating member is a member mainly composed of a metal. 前記放熱用部材はセラミックスを主成分とする部材であることを特徴とする、請求項１０に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 10, wherein the heat radiating member is a member mainly composed of ceramics. 前記放熱用部材の熱伝導率は、前記電気絶縁性材料の熱伝導率の３倍以上であることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   2. The circuit element built-in module according to claim 1, wherein a thermal conductivity of the heat radiating member is at least three times a thermal conductivity of the electrically insulating material. 3. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材とは、前記配線の積層方向から見て互いに重なり合う部分の面積が前記高発熱性回路素子の前記配線の積層方向から見た面積の４０％以上となるように配設されていることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   The high heat-generating circuit element and the heat dissipating member have an area of a portion overlapping each other when viewed from the lamination direction of the wiring is 40% or more of an area of the high heat-generating circuit element viewed from the lamination direction of the wiring. The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the module is arranged as follows. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材との距離が０ｍｍを超えかつ０．５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   2. The circuit element built-in module according to claim 1, wherein a distance between the high heat generation circuit element and the heat dissipation member is more than 0 mm and 0.5 mm or less. 3. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材とが少なくとも前記電気絶縁性材料を介して密着していることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   2. The circuit element built-in module according to claim 1, wherein the high heat generation circuit element and the heat dissipation member are in close contact with each other via at least the electric insulating material. 3. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用部材との間に前記配線が更に配設されていることを特徴とする、請求項１６に記載の回路素子内蔵モジュール。   17. The module with a built-in circuit element according to claim 16, wherein the wiring is further provided between the high heat generating circuit element and the heat radiating member. 前記放熱用部材の厚みが前記配線の厚みより厚いことを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the thickness of the heat dissipation member is larger than the thickness of the wiring. 前記放熱用部材の厚みが０．１ｍｍ以上でありかつ１．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１８に記載の回路素子内蔵モジュール。   19. The module with a built-in circuit element according to claim 18, wherein the thickness of the heat radiating member is 0.1 mm or more and 1.0 mm or less. 前記放熱用部材が前記回路素子の内の前記電気絶縁性材料よりも熱伝導率が高い放熱用回路素子であり、かつ該放熱用回路素子と、前記回路素子の内の少なくとも前記回路素子内蔵モジュール内で最も温度上昇の高い高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向から見て重なりを有するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子内蔵モジュール。   The heat dissipating member is a heat dissipating circuit element having a higher thermal conductivity than the electrically insulating material in the circuit elements, and the heat dissipating circuit element and at least the circuit element built-in module among the circuit elements 2. The module with a built-in circuit element according to claim 1, wherein the high heat-generating circuit element having the highest temperature rise is arranged so as to overlap when viewed from the lamination direction of the wiring. 3. 前記放熱用回路素子と前記高発熱性回路素子とが前記配線の積層方向において対向するように配置されていることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the circuit element for heat dissipation and the circuit element with high heat generation are arranged so as to face each other in the direction of lamination of the wiring. 前記放熱用回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていることを特徴とする、請求項２０または２１に記載の回路素子内蔵モジュール。   22. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the circuit element for heat dissipation is arranged on a surface of the electrically insulating material. 前記配線の積層方向から見て、前記放熱用回路素子の面積は前記高発熱性回路素子の面積よりも広いことを特徴とする、請求項２２に記載の回路素子内蔵モジュール。   23. The module with a built-in circuit element according to claim 22, wherein the area of the circuit element for heat dissipation is larger than the area of the circuit element with high heat generation as viewed from the lamination direction of the wiring. 前記高発熱性回路素子が前記電気絶縁性材料の表面に配設されていることを特徴とする、請求項２０または２１に記載の回路素子内蔵モジュール。   22. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the high heat-generating circuit element is disposed on a surface of the electrically insulating material. 前記放熱用回路素子は抵抗器であることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the circuit element for heat dissipation is a resistor. 前記放熱用回路素子はコンデンサであることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the heat radiating circuit element is a capacitor. 前記放熱用回路素子はインダクタであることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the circuit element for heat dissipation is an inductor. 前記放熱用回路素子はコンデンサとインダクタとの積層体であることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the heat radiation circuit element is a laminate of a capacitor and an inductor. 前記積層体は前記コンデンサが前記高発熱性回路素子の近傍となるように配設されていることを特徴とする、請求項２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   29. The circuit element built-in module according to claim 28, wherein the laminate is provided so that the capacitor is located near the high heat generation circuit element. 前記コンデンサはセラミックコンデンサであることを特徴とする、請求項２６または２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 26 or 28, wherein the capacitor is a ceramic capacitor. 前記コンデンサは固体電解コンデンサであることを特徴とする、請求項２６または２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   29. The circuit element built-in module according to claim 26, wherein the capacitor is a solid electrolytic capacitor. 前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつ薄型のシート形状を有していることを特徴とする、請求項２７または２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   The module with a built-in circuit element according to claim 27 or 28, wherein the inductor has a laminated structure of a winding and a magnetic material, and has a thin sheet shape. 前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつメッキ法によって形成されたシート状コイルを前記巻線として構成されていることを特徴とする、請求項２７または２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   29. The inductor according to claim 27, wherein the inductor has a laminated structure of a winding and a magnetic material, and a sheet-like coil formed by a plating method is configured as the winding. Module with built-in circuit elements. 前記インダクタは巻線と磁性体との積層構造を備えており、かつ前記磁性体に少なくとも金属薄体を用いて構成されていることを特徴とする、請求項２７または２８に記載の回路素子内蔵モジュール。   29. The built-in circuit element according to claim 27, wherein the inductor has a laminated structure of a winding and a magnetic body, and is configured by using at least a thin metal body for the magnetic body. module. 前記放熱用回路素子の熱伝導率は、前記電気絶縁性材料の熱伝導率の３倍以上であることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The circuit element built-in module according to claim 20, wherein the heat conductivity of the heat dissipation circuit element is three times or more than the heat conductivity of the electrically insulating material. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子とは、前記配線の積層方向から見て互いに重なり合う部分の面積が前記高発熱性回路素子の前記配線の積層方向から見た面積の４０％以上となるように配設されていることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   The high heat generating circuit element and the heat radiating circuit element may have an area of a portion overlapping each other when viewed from the lamination direction of the wirings at least 40% of an area of the high heat generating circuit element viewed from the lamination direction of the wirings. 21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the module is arranged so as to be arranged as follows. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子との距離が０ｍｍを超えかつ０．５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein a distance between the high heat-generating circuit element and the circuit element for heat dissipation is more than 0 mm and 0.5 mm or less. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子とが少なくとも前記電気絶縁性材料を介して密着していることを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the circuit element having a high heat generation and the circuit element for heat dissipation are in close contact with each other via at least the electrically insulating material. 前記高発熱性回路素子と前記放熱用回路素子との間に前記配線が更に配設されていることを特徴とする、請求項３８に記載の回路素子内蔵モジュール。   39. The circuit element built-in module according to claim 38, wherein the wiring is further provided between the high heat generation circuit element and the heat radiation circuit element. 前記放熱用回路素子の厚みが前記配線の厚みより厚いことを特徴とする、請求項２０に記載の回路素子内蔵モジュール。   21. The module with a built-in circuit element according to claim 20, wherein the thickness of the circuit element for heat dissipation is larger than the thickness of the wiring. 前記放熱用回路素子の厚みが０．１ｍｍ以上でありかつ１．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項４０に記載の回路素子内蔵モジュール。

41. The module with a built-in circuit element according to claim 40, wherein the thickness of the circuit element for heat dissipation is 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.

JP2004137127A 2003-05-09 2004-05-06 Module with built-in circuit element Withdrawn JP2004363568A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004137127A JP2004363568A (en) 2003-05-09 2004-05-06 Module with built-in circuit element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003132066 2003-05-09
JP2004137127A JP2004363568A (en) 2003-05-09 2004-05-06 Module with built-in circuit element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004363568A true JP2004363568A (en) 2004-12-24

Family

ID=34067088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004137127A Withdrawn JP2004363568A (en) 2003-05-09 2004-05-06 Module with built-in circuit element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004363568A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7375421B2 (en) * 2004-06-15 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High density multilayer circuit module
JP2009277784A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Toshiba Corp Component-embedded printed circuit board, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2010080781A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Panasonic Corp Electronic device and method of manufacturing the same
JP2010519755A (en) * 2007-02-22 2010-06-03 エアバス フランス Electronic board and aircraft equipped with the electronic board
JP2012015192A (en) * 2010-06-29 2012-01-19 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012503890A (en) * 2008-09-26 2012-02-09 パーカー．ハニフィン．コーポレイション Thermally conductive gel pack
JP2012186440A (en) * 2011-02-18 2012-09-27 Ibiden Co Ltd Inductor component, printed circuit board incorporating the component, and manufacturing method of the inductor component
JP2012238797A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Murata Mfg Co Ltd Multilayer circuit module
JP2014138069A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Murata Mfg Co Ltd Multilayer wiring substrate
JP2015149514A (en) * 2015-05-27 2015-08-20 株式会社村田製作所 multilayer circuit module
JP2019504496A (en) * 2016-05-24 2019-02-14 ミツビシ・エレクトリック・アールアンドディー・センター・ヨーロッパ・ビーヴィＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｒｅ Ｅｕｒｏｐｅ Ｂ．Ｖ． Power module and method for manufacturing power module

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7375421B2 (en) * 2004-06-15 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High density multilayer circuit module
JP2010519755A (en) * 2007-02-22 2010-06-03 エアバス フランス Electronic board and aircraft equipped with the electronic board
JP2009277784A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Toshiba Corp Component-embedded printed circuit board, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2010080781A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Panasonic Corp Electronic device and method of manufacturing the same
JP2012503890A (en) * 2008-09-26 2012-02-09 パーカー．ハニフィン．コーポレイション Thermally conductive gel pack
JP2012015192A (en) * 2010-06-29 2012-01-19 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012186440A (en) * 2011-02-18 2012-09-27 Ibiden Co Ltd Inductor component, printed circuit board incorporating the component, and manufacturing method of the inductor component
US9265158B2 (en) 2011-02-18 2016-02-16 Ibiden Co., Ltd. Inductor component and printed wiring board incorporating inductor component and method for manufacturing inductor component
JP2012238797A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Murata Mfg Co Ltd Multilayer circuit module
JP2014138069A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Murata Mfg Co Ltd Multilayer wiring substrate
JP2015149514A (en) * 2015-05-27 2015-08-20 株式会社村田製作所 multilayer circuit module
JP2019504496A (en) * 2016-05-24 2019-02-14 ミツビシ・エレクトリック・アールアンドディー・センター・ヨーロッパ・ビーヴィＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｒｅ Ｅｕｒｏｐｅ Ｂ．Ｖ． Power module and method for manufacturing power module
US11152340B2 (en) 2016-05-24 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Power module having a multilayered structure with liquid cooled busbar and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004100264A1 (en) Module including circuit elements
US11257690B2 (en) 3DIC package comprising perforated foil sheet
JP6815807B2 (en) Surface mount coil parts
JP4337955B2 (en) Battery module and charging module
US7262973B2 (en) Power conversion module device and power unit using the same
TWI438872B (en) Package for housing semiconductor element and semiconductor device using the same
JP2000331835A (en) Laminated electronic part and circuit module
JP2008171965A (en) Microminiature power converter
US9620448B1 (en) Power module
JPH1154939A (en) Wiring board
JP2004363568A (en) Module with built-in circuit element
JP2015005681A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US11676758B2 (en) Magnetic device
JP2008099378A (en) Hybrid ic circuit and dc-dc converter
JP4065125B2 (en) Component built-in module and manufacturing method thereof
JP6651999B2 (en) Composite device
US11778773B2 (en) Choke structure with water cooling
JP2004349400A (en) Thermally conductive circuit board and power module using the same
JP2010003718A (en) Heat-dissipating substrate and its manufacturing method, and module using heat-dissipating substrate
JP2004214583A (en) Wiring board and method for manufacturing it
TWI738019B (en) Multi-stack cooling structure for radiofrequency component
KR102281468B1 (en) Chip embedded substrate and method of manufacturing the same
JP2011192762A (en) Power module
JP2892089B2 (en) Hybrid multilayer circuit device and hybrid multilayer circuit component
JP2010251559A (en) Electronic circuit device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061213

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20071025