JP2004360000A - Method and equipment for wafer processing - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板、半導体ウエハ等の基板の表面へエッチング液を供給して基板をエッチング処理した後に、基板の表面に向かって純水を噴出して基板を水洗処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板の表面へエッチング液を供給して基板を1枚ずつエッチング処理するエッチング処理槽には、水洗槽が連接して設けられている。そして、エッチング処理槽でエッチング処理された基板は、水洗槽内へ搬入され、搬送ローラによって水平方向へ搬送されながら、水洗槽内に配列された複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されることにより、基板の表面上のエッチング液が基板上から洗い流される。水洗槽内に配設されたスプレイノズルは、従来、吐出口が基板の表面に対向するように下向きに固定され、スプレイノズルから吐出された純水が基板の表面に対して垂直に吹き付けられていた(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特公平3−77278号公報(第2頁、第5図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近年は、基板が大型化する傾向にあり、例えば、液晶表示装置用ガラス基板についてみると、一辺の長さが2mもある大型基板が用いられるようになってきている。このように基板が大型化すると、従来の装置では、水洗槽内においてスプレイノズルからエッチング処理後の基板の表面に純水を吹き付けて基板上からエッチング液を洗い流そうとしても、基板の中央部に溜まっていたエッチング液の一部は、純水によって基板の周端縁まで押し流されずに、基板の表面上にエッチング液と純水とが不定に混ざり合った混合液が滞留する、といったことが起こる。この結果、エッチング工程で基板表面の金属被膜がエッチングされて形成された、例えば配線パターンが、水洗工程で混合液によって基板面内で不均一にエッチングされ、水洗処理後の基板においてエッチングむらが発生する、といった問題点がある。
【0005】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板が大型化しても、エッチング工程後の水洗工程において基板上からエッチング液を完全に除去することができ、水洗工程でエッチングむらが発生することを防止することができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、基板の表面へエッチング液を供給して基板表面をエッチングするエッチング工程と、複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する水洗工程と、を有する基板処理方法において、前記水洗工程の初期においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出することを特徴とする。
【0007】
請求項2に係る発明は、請求項1記載の基板処理方法において、前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させることを特徴とする。
【0008】
請求項3に係る発明は、請求項1記載の基板処理方法において、前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)に沿って直線的に揺動させることを特徴とする。
【0009】
請求項4に係る発明は、基板の表面へエッチング液を供給するエッチング液供給手段を備え、基板のエッチング処理が行われるエッチング処理槽と、このエッチング処理槽に連設された水洗槽と、この水洗槽内に配列され、基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する複数のスプレイノズルと、これらのスプレイノズルへ純水を供給する純水供給手段と、を備えた基板処理装置において、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)において揺動させるノズル揺動手段を備え、前記水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記ノズル揺動手段によって前記複数のスプレイノズルを揺動させながらスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出するようにしたことを特徴とする。
【0010】
請求項5に係る発明は、請求項4記載の基板処理装置において、前記ノズル揺動手段が、前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させる回動機構であることを特徴とする。
【0011】
請求項6に係る発明は、請求項4記載の基板処理装置において、前記ノズル揺動手段が、前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)に沿って直線的に揺動させる直動機構であることを特徴とする。
【0012】
請求項1に係る発明の基板処理方法によると、水洗工程の初期においては、スプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水が噴出されるので、純水が強い力で基板表面に打ちつけられ、基板表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。その後に、複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液は、純水によって基板の短手方向へ押し流され、基板の長手方向に沿った両側周端縁から流れ落ちて基板上から除去される。このように、エッチング液は純水によって基板の短手方向へ押し流されるので、基板が大型化しても、基板上からエッチング液を完全に除去することが可能になる。したがって、基板の表面上にエッチング液と純水とが混ざり合った混合液が滞留する、といったことは起こらない。
【0013】
請求項2に係る発明の基板処理方法では、水洗工程の初期においては、図5の(a)に正面から見た模式図を示すように、スプレイノズル1を静止させた状態でスプレイノズル1から基板Wの表面に対して垂直に純水2が噴出されるので、上述したとおり、基板Wの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、図5の(b)、(c)に模式図を示すように、複数のスプレイノズル1を、基板Wの長手方向に沿った軸を中心として揺動させながら、スプレイノズル1から基板Wの表面に向かって純水2が噴出されるので、基板Wの表面上のエッチング液が純水2によって基板Wの短手方向へ押し流され基板W上から除去される。すなわち、図5の(b)に示すように、正面から見て左方向へ複数のスプレイノズル1が回動したときは、スプレイノズル1から、基板Wの表面に対して垂直な方向から左側に傾斜した方向へ純水2が噴出されることにより、基板W上のエッチング液は、純水により矢印で示すように基板Wの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される。一方、図5の(c)に示すように、正面から見て右方向へ複数のスプレイノズル1が回動したときは、スプレイノズル1から、基板Wの表面に対して垂直な方向から右側に傾斜した方向へ純水2が噴出されることにより、基板W上のエッチング液は、純水により矢印で示すように基板Wの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される。このような図5の(b)、(c)に示した動作を繰り返すことにより、基板W上からエッチング液が効果的に除去される。
【0014】
請求項3に係る発明の基板処理方法では、水洗工程の初期においては、図6の(a)に正面から見た模式図を示すように、スプレイノズル1を静止させた状態でスプレイノズル1から基板Wの表面に対して垂直に純水2が噴出されるので、上述したとおり、基板Wの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、図6の(b)、(c)に模式図を示すように、複数のスプレイノズル1を、基板Wの長手方向と直交する方向(短手方向)に沿って直線的に揺動させながら、スプレイノズル1から基板Wの表面に向かって純水2が噴出されるので、基板Wの表面上のエッチング液が純水2によって基板Wの短手方向へ押し流され基板W上から除去される。すなわち、図6の(b)に示すように、正面から見て左方向へ複数のスプレイノズル1が移動したときは、複数のスプレイノズル1から、基板Wの短手方向における中心より左側の領域へより多くの純水2が噴出されることにより、基板W上のエッチング液の多くは、純水により矢印で示すように基板Wの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される。一方、図6の(c)に示すように、正面から見て右方向へ複数のスプレイノズル1が移動したときは、複数のスプレイノズル1から、基板Wの短手方向における中心より右側の領域へより多くの純水2が噴出されることにより、基板W上のエッチング液の多くは、純水により矢印で示すように基板Wの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される。このような図6の(b)、(c)に示した動作を繰り返すことにより、基板W上からエッチング液が効果的に除去される。
【0015】
請求項4に係る発明の基板処理装置において、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、スプレイノズルが静止した状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水が噴出されるので、純水が強い力で基板表面に打ちつけられ、基板表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。その後に、ノズル揺動手段によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)において揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液は、純水によって基板の短手方向へ押し流され、基板の長手方向に沿った両側周端縁から流れ落ちて基板上から除去される。このように、エッチング液は純水によって基板の短手方向へ押し流されるので、基板が大型化しても、基板上からエッチング液を完全に除去することが可能になる。したがって、基板の表面上にエッチング液と純水とが混ざり合った混合液が滞留する、といったことは起こらない。
【0016】
請求項5に係る発明の基板処理装置では、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初において基板の表面上にエッチング液が浮き上がらされた後に、回動機構によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液が純水によって基板の短手方向へ押し流され、図5の(b)、(c)に基づいて上述したように、基板上からエッチング液が効果的に除去される。
【0017】
請求項6に係る発明の基板処理装置では、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初において基板の表面上にエッチング液が浮き上がらされた後に、直動機構によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向と直交する方向(短手方向)に沿って直線的に揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液が純水によって基板の短手方向へ押し流され、図6の(b)、(c)に基づいて上述したように、基板上からエッチング液が効果的に除去される。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図1ないし図4を参照しながら説明する。
【0019】
図1は、この発明の1実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の1例を示す模式的側面図である。この基板処理装置は、エッチング処理部10と水洗処理部12とを連設して構成されている。
【0020】
エッチング処理部10は、搬入側開口16および搬出側開口18を有する密閉されたエッチング処理槽14を備えている。エッチング処理槽14の内部には、基板Wを支持して水平方向へ搬送する正・逆回転可能な搬送ローラ20が複数本、互いに平行に基板搬送路に沿って配列されている。これらの搬送ローラ20により、基板Wがエッチング処理槽14内において往復移動させられる。また、基板搬送路の上方には、複数のスプレイノズル22が基板搬送路に沿って配列されている。これらのスプレイノズル22には、エッチング液供給管24が連通接続されている。エッチング液供給管24は、エッチング液26が貯留されたエッチング液槽28に流路接続されており、エッチング液供給管24に、エッチング液槽28内のエッチング液26をスプレイノズル22へ送給するためのポンプ30が介挿されている。そして、スプレイノズル22からは、搬送ローラ20によって搬送される基板Wの表面に向かってエッチング液が噴出されるようになっている。また、エッチング処理槽14の底部には、排液管32が連通接続されており、エッチング処理槽14の内底部に流下したエッチング液が排液管32を通ってエッチング処理槽14内から排出される。排液管32の先端は、エッチング液槽28の内部に挿入されており、エッチング液の一部が循環使用されるようになっている。
【0021】
水洗処理部12は、搬入側開口36および搬出側開口38を有する密閉された水洗処理槽34を備えており、水洗処理槽34は、エッチング処理槽14に隣接して配設され、エッチング処理槽14の搬出側開口18と水洗処理槽34の搬入側開口36とが対向して配置されている。水洗処理槽34の内部には、基板Wを支持して水平方向へ搬送する正・逆回転可能な搬送ローラ40が複数本、互いに平行に基板搬送路に沿って配列されている。これらの搬送ローラ40により、基板Wが水洗処理槽34内において往復移動させられるようになっている。水洗処理槽34の搬入側開口36付近には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された吐出ノズル42が配設されている。この吐出ノズル42のスリット状吐出口からは、水洗処理槽34内へ搬入されてきた基板Wの表面へ純水がカーテン状に吐出される。なお、この吐出ノズル42は、設置しなくても差し支えない。
【0022】
また、水洗処理槽34内の基板搬送路の上方および下方には、複数のスプレイノズル44、46がそれぞれ基板搬送路に沿って配列されている。これらのスプレイノズル44、46および上記した吐出ノズル42には、純水供給管48がそれぞれ連通接続されている。純水供給管48は、純水50が貯留された純水槽52に流路接続されており、純水供給管48に、純水槽52内の純水50を吐出ノズル42および各スプレイノズル44、46へ送給するためのポンプ54が介挿されている。そして、スプレイノズル44、46からは、搬送ローラ40によって搬送される基板Wの表面および裏面に向かって純水がそれぞれ噴出されるようになっている。また、水洗処理槽34の底部には、排水管56が連通接続されており、水洗処理槽34の内底部に流下した純水が排水管56を通って水洗処理槽34内から排出される。排水管56の先端は、純水槽52の内部に挿入されており、純水の一部が循環使用されるようになっている。
【0023】
水洗処理槽34の内部に配設された上方側のスプレイノズル44は、基板Wの長手方向に沿った軸を中心として揺動、すなわち回動させることができるように支持されており、スプレイノズル44を回動させる回動機構が設けられている。すなわち、例えば図2に、水洗処理槽34を水平方向に切断した断面で概略平面図を示すように、純水供給管48が水洗処理槽34の内部に挿入されて固設され、図3に正面図を示すように下向きの吐出口58が複数個、長さ方向に等間隔で配列して形設された各スプレイノズル44の一端部が、純水供給管48にそれぞれロータリジョイント60を介し回動自在に連接されて支持され、各スプレイノズル44の他端部の、その端面に一体に固着された支軸62が、水洗処理槽34の壁部にそれぞれ軸受(図示せず)を介して回動自在に支持されている。そして、各スプレイノズル44の支軸62にそれぞれ従動プーリ64が固着され、各従動プーリ64にベルト66がそれぞれ掛け回されて、そのベルト66が、駆動モータ68の回転軸に固着された駆動プーリ70に掛け回されている。このような機構を備えた装置において、駆動モータ68を正・逆方向へ交互に繰り返し回転駆動させると、駆動プーリ70、ベルト66および各従動プーリ64を介して各スプレイノズル44がそれぞれ回動させられる。
【0024】
上記した構成を有する基板処理装置において、エッチング処理部10でエッチング処理された基板Wがエッチング処理槽14内から搬出され、水洗処理部12の水洗処理槽34内へ基板Wが搬入されてくると、その搬入当初、すなわち水洗工程の初期においては、図3の(a)に示すようにスプレイノズル44は、その吐出口58を真下に向けて静止した状態であり、スプレイノズル44、46の吐出口58から基板Wの表面および裏面に対してそれぞれ垂直に純水が噴出される。このように基板Wの表面に対して垂直に純水が噴出されることにより、純水が強い力で基板Wの表面に打ちつけられ、基板Wの表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。
【0025】
その後に、上記したように駆動モータ68が駆動して、図3の(b)に示すように各スプレイノズル44がそれぞれ回動しながら、スプレイノズル44の吐出口58から基板Wの表面に向かって種々の角度で純水が噴出される。これにより、スプレイノズル44の吐出口58が、図3の(b)に実線で示すように正面から見て左斜め下方向に向いたときは、スプレイノズル44の吐出口58から噴出する純水により基板W上のエッチング液が基板Wの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される(図5の(b)参照)。一方、スプレイノズル44の吐出口58が、図3の(b)に二点鎖線で示すように正面から見て右斜め下方向に向いたときは、スプレイノズル44の吐出口58から噴出する純水により基板W上のエッチング液が基板Wの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される(図5の(c)参照)。このように、スプレイノズル44が回動しながらその吐出口58から純水が噴出することにより、基板W上からエッチング液が効果的に除去されることとなる。以上の動作は、水洗処理槽34内への基板Wの搬入のタイミングに合わせ、図示しないコントローラによって駆動モータ68を制御することにより実行される。
【0026】
上記した実施形態では、スプレイノズル44を、基板Wの長手方向に沿った軸を中心として回動させるようにしているが、スプレイノズルを回動させる動作に代えて、スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向に沿って直線的に揺動、すなわち往復移動させるようにしてもよい。すなわち、図4にスプレイノズルを正面から見た図を示すように、下向きの吐出口74が複数個、長さ方向(紙面に対して垂直な方向)に等間隔で配列して形設された複数本のスプレイノズル72を横方向に並列させて保持板76に取着し、その保持板76を直動駆動機構(図示せず)によって基板の長手方向と直交する方向に往復移動させる構成としてもよい。
【0027】
図4に示したスプレイノズル72を備えた装置では、エッチング処理後の基板が水洗処理槽34内へ搬入されてきた当初(水洗工程の初期)においては、スプレイノズル72が静止した状態であり、スプレイノズル72の吐出口74から基板Wの表面に対して垂直に純水が噴出される。これにより、基板Wの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、直動駆動機構によって保持板76と共に複数のスプレイノズル72が基板Wの長手方向と直交する方向(短手方向)に往復移動させられながら、スプレイノズル72の吐出口74から基板Wの表面に向かって純水が噴出される。これにより、複数のスプレイノズル72が、正面から見て左方向へ移動したときは、複数のスプレイノズル72の吐出口74から、基板Wの短手方向における中心より左側の領域へより多くの純水が噴出され、基板W上のエッチング液の多くが純水により基板Wの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される(図6の(b)参照)。一方、複数のスプレイノズル72が、正面から見て右方向へ移動したときは、複数のスプレイノズル72の吐出口74から、基板Wの短手方向における中心より右側の領域へより多くの純水が噴出され、基板W上のエッチング液の多くが純水により基板Wの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板W上から除去される(図6の(c)参照)。このように、スプレイノズル72が直線的に往復移動しながらその吐出口74から純水が噴出することにより、基板W上からエッチング液が効果的に除去される。
【0028】
なお、上記した実施形態は、基板の長手方向を基板搬送路に沿った方向にして基板を搬送する場合のものであるが、基板の長手方向を基板搬送路と直交する方向にして基板Wを搬送する場合には、スプレイノズルを、基板搬送路に沿った方向において揺動させるようにする。すなわち、スプレイノズル44を、基板搬送路に沿った軸を中心として回動させ、また、スプレイノズル72を、基板搬送路に沿って直線的に往復移動させるようにする。また、図1に示した実施形態では、水洗処理槽34内において基板Wを往復移動(揺動)させながら水洗処理するようにしているが、基板Wを連続的に一方向へ搬送しながら水洗処理する装置であってもよい。さらに、図1に示した実施形態では、エッチング処理部10においてスプレイ式エッチング処理を行うようにしているが、他の方式によるエッチング処理、例えばパドル方式で基板のエッチング処理を行った後に水洗処理する基板処理装置についても、この発明は適用し得るものである。
【0029】
【発明の効果】
請求項1ないし請求項3に係る各発明の基板処理方法によると、基板が大型化しても、エッチング工程後の水洗工程において基板上からエッチング液を完全に除去することができ、このため、水洗工程でエッチングむらが発生することを防止することができる。
【0030】
請求項4ないし請求項6に係る各発明の基板処理装置を使用すると、請求項1ないし請求項3に係る各発明の方法を好適に実施することができ、上記した効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の1例を示す模式的側面図である。
【図2】図1に示した装置の水洗処理槽に設置されるスプレイノズル回動機構の構成の1例を示す概略平面断面図である。
【図3】図1に示す装置の水洗処理槽に設置されたスプレイノズルを正面から見た図である。
【図4】この発明の別の実施形態を示し、スプレイノズルを正面から見た図である。
【図5】請求項2に係る発明の作用を説明するための正面図である。
【図6】請求項3に係る発明の作用を説明するための正面図である。
【符号の説明】
W 基板
10 エッチング処理部
12 水洗処理部
14 エッチング処理槽
20、40 搬送ローラ
22 エッチング液のスプレイノズル
24 エッチング液供給管
26 エッチング液槽
30、54 ポンプ
34 水洗処理槽
42 吐出ノズル
44、46、72 純水のスプレイノズル
48 純水供給管
52 純水槽
58、74 スプレイノズルの吐出口
60 ロータリジョイント
62 支軸
64、70 プーリ
66 ベルト
68 駆動モータ
76 保持板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention supplies an etching solution to the surface of a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a printed circuit board, and a semiconductor wafer to etch the substrate, and then purifies pure water toward the surface of the substrate. The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for jetting and washing a substrate with water.
[0002]
[Prior art]
A water washing tank is connected to an etching tank for supplying an etching solution to the surface of the substrate and etching the substrates one by one. Then, the substrate that has been subjected to the etching treatment in the etching treatment tank is carried into the washing tank, and while being transported in the horizontal direction by the transport roller, pure water is directed toward the surface of the substrate from the plurality of spray nozzles arranged in the washing tank. Is ejected, the etchant on the surface of the substrate is washed away from the substrate. Conventionally, the spray nozzle disposed in the washing tank is fixed downward so that the discharge port faces the surface of the substrate, and pure water discharged from the spray nozzle is sprayed perpendicular to the surface of the substrate. (For example, see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 3-77278 (
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent years, the size of substrates has been increasing. For example, as for a glass substrate for a liquid crystal display device, a large substrate having a side length of 2 m has been used. When the size of the substrate is increased as described above, in the conventional apparatus, even if the etching liquid is sprayed from the spray nozzle to the surface of the substrate after the etching treatment in the washing tank to wash away the etching solution from the substrate, the central part of the substrate is not cleaned. Some of the etching solution that has accumulated in the substrate is not flushed to the peripheral edge of the substrate by the pure water, but the mixed solution in which the etching solution and the pure water are mixed indefinitely on the surface of the substrate stays. Occur. As a result, for example, a wiring pattern formed by etching the metal film on the substrate surface in the etching process is unevenly etched in the substrate surface by the mixed solution in the washing process, and uneven etching occurs on the substrate after the washing process. Problem.
[0005]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and even when a substrate is enlarged, an etching solution can be completely removed from the substrate in a water washing process after the etching process, and the etching process can be performed in the water washing process. It is an object of the present invention to provide a substrate processing method capable of preventing occurrence of unevenness, and to provide a substrate processing apparatus capable of suitably performing the method.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to
[0007]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, the spray nozzle is swung about an axis along a longitudinal direction of the substrate.
[0008]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, the spray nozzle is swung linearly in a direction (transverse direction) orthogonal to a longitudinal direction of the substrate. .
[0009]
The invention according to claim 4 is provided with an etching solution supply means for supplying an etching solution to the surface of the substrate, an etching bath for performing an etching process on the substrate, a washing bath connected to the etching bath, A plurality of spray nozzles arranged in a washing tank, which spray pure water toward the surface of the substrate to remove an etchant on the surface of the substrate from the substrate, and pure water for supplying pure water to the spray nozzles. A nozzle swinging means for swinging the plurality of spray nozzles in a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate, wherein the substrate is moved into the washing tank. Initially, when the plurality of spray nozzles are stopped, pure water is spouted from the spray nozzles perpendicular to the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are stationary. Characterized by being adapted to eject pure water toward the surface of the substrate from the spray nozzle while oscillating the plurality of spray nozzles by means.
[0010]
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the nozzle swinging means is a rotating mechanism for swinging the spray nozzle around an axis along a longitudinal direction of the substrate. It is characterized by.
[0011]
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, the nozzle swinging means swings the spray nozzle linearly along a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. It is a linear motion mechanism for moving.
[0012]
According to the substrate processing method of the first aspect of the present invention, in the initial stage of the washing step, pure water is jetted from the spray nozzle perpendicular to the surface of the substrate with the spray nozzle stationary, so that pure water is The etching solution that is struck against the substrate surface with a strong force and penetrates into the details of the pattern on the substrate surface also floats on the surface. Thereafter, pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while swinging the plurality of spray nozzles in a direction (transverse direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. The etchant is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, flows down from both peripheral edges along the longitudinal direction of the substrate, and is removed from the substrate. As described above, since the etching solution is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, even if the substrate is enlarged, the etching solution can be completely removed from the substrate. Therefore, the mixed liquid in which the etching liquid and the pure water are mixed does not stay on the surface of the substrate.
[0013]
In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, in the initial stage of the water washing step, as shown in a schematic view from the front in FIG. Since the
[0014]
In the substrate processing method according to the third aspect of the present invention, in the initial stage of the water washing step, as shown in a schematic diagram viewed from the front in FIG. Since the
[0015]
In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the invention, when the substrate is initially carried into the washing tank, pure water is ejected from the spray nozzle perpendicular to the surface of the substrate while the spray nozzle is stationary. Therefore, the pure water is struck against the substrate surface with a strong force, and the etchant that has entered the pattern details on the substrate surface also floats on the surface. Thereafter, pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are swung in a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate by the nozzle swing means. The etchant on the surface of the substrate is washed away by pure water in the short direction of the substrate, flows down from both peripheral edges along the longitudinal direction of the substrate, and is removed from the substrate. As described above, since the etching solution is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, even if the substrate is enlarged, the etching solution can be completely removed from the substrate. Therefore, the mixed liquid in which the etching liquid and the pure water are mixed does not stay on the surface of the substrate.
[0016]
In the substrate processing apparatus according to the fifth aspect of the present invention, after the etching liquid is floated on the surface of the substrate at the beginning when the substrate is carried into the washing tank, a plurality of spray nozzles are rotated by the rotating mechanism to extend the substrate in the longitudinal direction. Pure water is sprayed from the spray nozzle toward the surface of the substrate while being swung about the axis along the direction, so that the etchant on the surface of the substrate is swept away by the pure water in the short direction of the substrate. As described above with reference to FIGS. 5B and 5C, the etching solution is effectively removed from the substrate.
[0017]
In the substrate processing apparatus according to the sixth aspect of the present invention, after the etchant is floated on the surface of the substrate at the beginning when the substrate is carried into the washing tank, the plurality of spray nozzles are moved by the linear motion mechanism to extend the length of the substrate. Pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while being swung linearly along the direction (transverse direction) perpendicular to the direction. The substrate is swept away in the lateral direction of the substrate, and the etchant is effectively removed from the substrate as described above with reference to FIGS. 6B and 6C.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0019]
FIG. 1 is a schematic side view showing one embodiment of the present invention and showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus is configured by connecting an
[0020]
The
[0021]
The rinsing
[0022]
In addition, a plurality of
[0023]
The
[0024]
In the substrate processing apparatus having the above-described configuration, when the substrate W that has been subjected to the etching processing in the
[0025]
Thereafter, the driving
[0026]
In the above-described embodiment, the
[0027]
In the apparatus having the
[0028]
In the above-described embodiment, the substrate is transported with the longitudinal direction of the substrate being along the substrate transport path. However, the substrate W is placed with the longitudinal direction of the substrate orthogonal to the substrate transport path. When transporting, the spray nozzle is caused to swing in a direction along the substrate transport path. That is, the
[0029]
【The invention's effect】
According to the substrate processing method of each of the inventions according to
[0030]
When the substrate processing apparatus according to each of the inventions according to claims 4 to 6 is used, the method according to each of the inventions according to
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic side view showing one embodiment of the present invention and showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus.
FIG. 2 is a schematic plan sectional view showing an example of a configuration of a spray nozzle rotating mechanism installed in a washing tank of the apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a front view of a spray nozzle installed in a washing tank of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, and is a view of a spray nozzle as viewed from the front.
FIG. 5 is a front view for explaining the operation of the invention according to
FIG. 6 is a front view for explaining the operation of the invention according to claim 3;
[Explanation of symbols]
Claims (6)
複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する水洗工程と、
を有する基板処理方法において、
前記水洗工程の初期においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出することを特徴とする基板処理方法。An etching step of etching the substrate surface by supplying an etching solution to the surface of the substrate,
A washing step of ejecting pure water from the plurality of spray nozzles toward the surface of the substrate to remove an etchant on the surface of the substrate from above the substrate,
In the substrate processing method having
In the initial stage of the rinsing step, pure water is spouted from the spray nozzles perpendicular to the surface of the substrate in a state where the spray nozzles are stationary, and thereafter, the spray nozzles are moved in the longitudinal direction of the substrate. A pure water jet from the spray nozzle toward the surface of the substrate while swinging in a direction perpendicular to the substrate.
このエッチング処理槽に連設された水洗槽と、
この水洗槽内に配列され、基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する複数のスプレイノズルと、
これらのスプレイノズルへ純水を供給する純水供給手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向において揺動させるノズル揺動手段を備え、
前記水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記ノズル揺動手段によって前記複数のスプレイノズルを揺動させながらスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出するようにしたことを特徴とする基板処理装置。An etching treatment tank that includes an etching solution supply unit that supplies an etching solution to the surface of the substrate, and an etching process of the substrate is performed,
A washing tank connected to the etching tank,
A plurality of spray nozzles arranged in the washing tank to eject pure water toward the surface of the substrate to remove the etchant on the surface of the substrate from the substrate,
Pure water supply means for supplying pure water to these spray nozzles,
In a substrate processing apparatus provided with
The plurality of spray nozzles, comprising a nozzle swing means for swinging in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the substrate,
At the beginning when the substrate is carried into the washing tank, pure water is spouted perpendicularly to the surface of the substrate from the spray nozzle while the plurality of spray nozzles are stopped, and then the nozzle swings. A substrate processing apparatus characterized in that pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are oscillated by means.
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- 2003-06-04 JP JP2003158967A patent/JP2004360000A/en active Pending
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