JP2004360000A

JP2004360000A - Method and equipment for wafer processing

Info

Publication number: JP2004360000A
Application number: JP2003158967A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Suzuki; 聡鈴木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-06-04
Filing date: 2003-06-04
Publication date: 2004-12-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which, even if a wafer grows in size, an etching solution can be perfectly removed from the surface of the wafer in a water-washing step after an etching step and the occurrence of uneven etching in the water-washing step can be prevented. <P>SOLUTION: In the initial stage of the water-washing step, pure water is ejected vertically onto the surface of the wafer W through a plurality of spray nozzles 44 arranged in a water-washing treatment tank 34 in a state where the spray nozzles are kept stationary. Then the pure water is ejected toward the surface of the wafer through the plurality of spray nozzles while oscillating the spray nozzles in a direction orthogonal to a longitudinal direction of the wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板、半導体ウエハ等の基板の表面へエッチング液を供給して基板をエッチング処理した後に、基板の表面に向かって純水を噴出して基板を水洗処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面へエッチング液を供給して基板を１枚ずつエッチング処理するエッチング処理槽には、水洗槽が連接して設けられている。そして、エッチング処理槽でエッチング処理された基板は、水洗槽内へ搬入され、搬送ローラによって水平方向へ搬送されながら、水洗槽内に配列された複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されることにより、基板の表面上のエッチング液が基板上から洗い流される。水洗槽内に配設されたスプレイノズルは、従来、吐出口が基板の表面に対向するように下向きに固定され、スプレイノズルから吐出された純水が基板の表面に対して垂直に吹き付けられていた（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特公平３−７７２７８号公報（第２頁、第５図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近年は、基板が大型化する傾向にあり、例えば、液晶表示装置用ガラス基板についてみると、一辺の長さが２ｍもある大型基板が用いられるようになってきている。このように基板が大型化すると、従来の装置では、水洗槽内においてスプレイノズルからエッチング処理後の基板の表面に純水を吹き付けて基板上からエッチング液を洗い流そうとしても、基板の中央部に溜まっていたエッチング液の一部は、純水によって基板の周端縁まで押し流されずに、基板の表面上にエッチング液と純水とが不定に混ざり合った混合液が滞留する、といったことが起こる。この結果、エッチング工程で基板表面の金属被膜がエッチングされて形成された、例えば配線パターンが、水洗工程で混合液によって基板面内で不均一にエッチングされ、水洗処理後の基板においてエッチングむらが発生する、といった問題点がある。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板が大型化しても、エッチング工程後の水洗工程において基板上からエッチング液を完全に除去することができ、水洗工程でエッチングむらが発生することを防止することができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基板の表面へエッチング液を供給して基板表面をエッチングするエッチング工程と、複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する水洗工程と、を有する基板処理方法において、前記水洗工程の初期においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出することを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の基板処理方法において、前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１記載の基板処理方法において、前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）に沿って直線的に揺動させることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、基板の表面へエッチング液を供給するエッチング液供給手段を備え、基板のエッチング処理が行われるエッチング処理槽と、このエッチング処理槽に連設された水洗槽と、この水洗槽内に配列され、基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する複数のスプレイノズルと、これらのスプレイノズルへ純水を供給する純水供給手段と、を備えた基板処理装置において、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）において揺動させるノズル揺動手段を備え、前記水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記ノズル揺動手段によって前記複数のスプレイノズルを揺動させながらスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出するようにしたことを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の基板処理装置において、前記ノズル揺動手段が、前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させる回動機構であることを特徴とする。
【００１１】
請求項６に係る発明は、請求項４記載の基板処理装置において、前記ノズル揺動手段が、前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）に沿って直線的に揺動させる直動機構であることを特徴とする。
【００１２】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、水洗工程の初期においては、スプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水が噴出されるので、純水が強い力で基板表面に打ちつけられ、基板表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。その後に、複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液は、純水によって基板の短手方向へ押し流され、基板の長手方向に沿った両側周端縁から流れ落ちて基板上から除去される。このように、エッチング液は純水によって基板の短手方向へ押し流されるので、基板が大型化しても、基板上からエッチング液を完全に除去することが可能になる。したがって、基板の表面上にエッチング液と純水とが混ざり合った混合液が滞留する、といったことは起こらない。
【００１３】
請求項２に係る発明の基板処理方法では、水洗工程の初期においては、図５の（ａ）に正面から見た模式図を示すように、スプレイノズル１を静止させた状態でスプレイノズル１から基板Ｗの表面に対して垂直に純水２が噴出されるので、上述したとおり、基板Ｗの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、図５の（ｂ）、（ｃ）に模式図を示すように、複数のスプレイノズル１を、基板Ｗの長手方向に沿った軸を中心として揺動させながら、スプレイノズル１から基板Ｗの表面に向かって純水２が噴出されるので、基板Ｗの表面上のエッチング液が純水２によって基板Ｗの短手方向へ押し流され基板Ｗ上から除去される。すなわち、図５の（ｂ）に示すように、正面から見て左方向へ複数のスプレイノズル１が回動したときは、スプレイノズル１から、基板Ｗの表面に対して垂直な方向から左側に傾斜した方向へ純水２が噴出されることにより、基板Ｗ上のエッチング液は、純水により矢印で示すように基板Ｗの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される。一方、図５の（ｃ）に示すように、正面から見て右方向へ複数のスプレイノズル１が回動したときは、スプレイノズル１から、基板Ｗの表面に対して垂直な方向から右側に傾斜した方向へ純水２が噴出されることにより、基板Ｗ上のエッチング液は、純水により矢印で示すように基板Ｗの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される。このような図５の（ｂ）、（ｃ）に示した動作を繰り返すことにより、基板Ｗ上からエッチング液が効果的に除去される。
【００１４】
請求項３に係る発明の基板処理方法では、水洗工程の初期においては、図６の（ａ）に正面から見た模式図を示すように、スプレイノズル１を静止させた状態でスプレイノズル１から基板Ｗの表面に対して垂直に純水２が噴出されるので、上述したとおり、基板Ｗの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、図６の（ｂ）、（ｃ）に模式図を示すように、複数のスプレイノズル１を、基板Ｗの長手方向と直交する方向（短手方向）に沿って直線的に揺動させながら、スプレイノズル１から基板Ｗの表面に向かって純水２が噴出されるので、基板Ｗの表面上のエッチング液が純水２によって基板Ｗの短手方向へ押し流され基板Ｗ上から除去される。すなわち、図６の（ｂ）に示すように、正面から見て左方向へ複数のスプレイノズル１が移動したときは、複数のスプレイノズル１から、基板Ｗの短手方向における中心より左側の領域へより多くの純水２が噴出されることにより、基板Ｗ上のエッチング液の多くは、純水により矢印で示すように基板Ｗの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される。一方、図６の（ｃ）に示すように、正面から見て右方向へ複数のスプレイノズル１が移動したときは、複数のスプレイノズル１から、基板Ｗの短手方向における中心より右側の領域へより多くの純水２が噴出されることにより、基板Ｗ上のエッチング液の多くは、純水により矢印で示すように基板Ｗの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される。このような図６の（ｂ）、（ｃ）に示した動作を繰り返すことにより、基板Ｗ上からエッチング液が効果的に除去される。
【００１５】
請求項４に係る発明の基板処理装置において、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、スプレイノズルが静止した状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水が噴出されるので、純水が強い力で基板表面に打ちつけられ、基板表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。その後に、ノズル揺動手段によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）において揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液は、純水によって基板の短手方向へ押し流され、基板の長手方向に沿った両側周端縁から流れ落ちて基板上から除去される。このように、エッチング液は純水によって基板の短手方向へ押し流されるので、基板が大型化しても、基板上からエッチング液を完全に除去することが可能になる。したがって、基板の表面上にエッチング液と純水とが混ざり合った混合液が滞留する、といったことは起こらない。
【００１６】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初において基板の表面上にエッチング液が浮き上がらされた後に、回動機構によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液が純水によって基板の短手方向へ押し流され、図５の（ｂ）、（ｃ）に基づいて上述したように、基板上からエッチング液が効果的に除去される。
【００１７】
請求項６に係る発明の基板処理装置では、水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初において基板の表面上にエッチング液が浮き上がらされた後に、直動機構によって複数のスプレイノズルが、基板の長手方向と直交する方向（短手方向）に沿って直線的に揺動させられながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水が噴出されるので、基板の表面上のエッチング液が純水によって基板の短手方向へ押し流され、図６の（ｂ）、（ｃ）に基づいて上述したように、基板上からエッチング液が効果的に除去される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式的側面図である。この基板処理装置は、エッチング処理部１０と水洗処理部１２とを連設して構成されている。
【００２０】
エッチング処理部１０は、搬入側開口１６および搬出側開口１８を有する密閉されたエッチング処理槽１４を備えている。エッチング処理槽１４の内部には、基板Ｗを支持して水平方向へ搬送する正・逆回転可能な搬送ローラ２０が複数本、互いに平行に基板搬送路に沿って配列されている。これらの搬送ローラ２０により、基板Ｗがエッチング処理槽１４内において往復移動させられる。また、基板搬送路の上方には、複数のスプレイノズル２２が基板搬送路に沿って配列されている。これらのスプレイノズル２２には、エッチング液供給管２４が連通接続されている。エッチング液供給管２４は、エッチング液２６が貯留されたエッチング液槽２８に流路接続されており、エッチング液供給管２４に、エッチング液槽２８内のエッチング液２６をスプレイノズル２２へ送給するためのポンプ３０が介挿されている。そして、スプレイノズル２２からは、搬送ローラ２０によって搬送される基板Ｗの表面に向かってエッチング液が噴出されるようになっている。また、エッチング処理槽１４の底部には、排液管３２が連通接続されており、エッチング処理槽１４の内底部に流下したエッチング液が排液管３２を通ってエッチング処理槽１４内から排出される。排液管３２の先端は、エッチング液槽２８の内部に挿入されており、エッチング液の一部が循環使用されるようになっている。
【００２１】
水洗処理部１２は、搬入側開口３６および搬出側開口３８を有する密閉された水洗処理槽３４を備えており、水洗処理槽３４は、エッチング処理槽１４に隣接して配設され、エッチング処理槽１４の搬出側開口１８と水洗処理槽３４の搬入側開口３６とが対向して配置されている。水洗処理槽３４の内部には、基板Ｗを支持して水平方向へ搬送する正・逆回転可能な搬送ローラ４０が複数本、互いに平行に基板搬送路に沿って配列されている。これらの搬送ローラ４０により、基板Ｗが水洗処理槽３４内において往復移動させられるようになっている。水洗処理槽３４の搬入側開口３６付近には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された吐出ノズル４２が配設されている。この吐出ノズル４２のスリット状吐出口からは、水洗処理槽３４内へ搬入されてきた基板Ｗの表面へ純水がカーテン状に吐出される。なお、この吐出ノズル４２は、設置しなくても差し支えない。
【００２２】
また、水洗処理槽３４内の基板搬送路の上方および下方には、複数のスプレイノズル４４、４６がそれぞれ基板搬送路に沿って配列されている。これらのスプレイノズル４４、４６および上記した吐出ノズル４２には、純水供給管４８がそれぞれ連通接続されている。純水供給管４８は、純水５０が貯留された純水槽５２に流路接続されており、純水供給管４８に、純水槽５２内の純水５０を吐出ノズル４２および各スプレイノズル４４、４６へ送給するためのポンプ５４が介挿されている。そして、スプレイノズル４４、４６からは、搬送ローラ４０によって搬送される基板Ｗの表面および裏面に向かって純水がそれぞれ噴出されるようになっている。また、水洗処理槽３４の底部には、排水管５６が連通接続されており、水洗処理槽３４の内底部に流下した純水が排水管５６を通って水洗処理槽３４内から排出される。排水管５６の先端は、純水槽５２の内部に挿入されており、純水の一部が循環使用されるようになっている。
【００２３】
水洗処理槽３４の内部に配設された上方側のスプレイノズル４４は、基板Ｗの長手方向に沿った軸を中心として揺動、すなわち回動させることができるように支持されており、スプレイノズル４４を回動させる回動機構が設けられている。すなわち、例えば図２に、水洗処理槽３４を水平方向に切断した断面で概略平面図を示すように、純水供給管４８が水洗処理槽３４の内部に挿入されて固設され、図３に正面図を示すように下向きの吐出口５８が複数個、長さ方向に等間隔で配列して形設された各スプレイノズル４４の一端部が、純水供給管４８にそれぞれロータリジョイント６０を介し回動自在に連接されて支持され、各スプレイノズル４４の他端部の、その端面に一体に固着された支軸６２が、水洗処理槽３４の壁部にそれぞれ軸受（図示せず）を介して回動自在に支持されている。そして、各スプレイノズル４４の支軸６２にそれぞれ従動プーリ６４が固着され、各従動プーリ６４にベルト６６がそれぞれ掛け回されて、そのベルト６６が、駆動モータ６８の回転軸に固着された駆動プーリ７０に掛け回されている。このような機構を備えた装置において、駆動モータ６８を正・逆方向へ交互に繰り返し回転駆動させると、駆動プーリ７０、ベルト６６および各従動プーリ６４を介して各スプレイノズル４４がそれぞれ回動させられる。
【００２４】
上記した構成を有する基板処理装置において、エッチング処理部１０でエッチング処理された基板Ｗがエッチング処理槽１４内から搬出され、水洗処理部１２の水洗処理槽３４内へ基板Ｗが搬入されてくると、その搬入当初、すなわち水洗工程の初期においては、図３の（ａ）に示すようにスプレイノズル４４は、その吐出口５８を真下に向けて静止した状態であり、スプレイノズル４４、４６の吐出口５８から基板Ｗの表面および裏面に対してそれぞれ垂直に純水が噴出される。このように基板Ｗの表面に対して垂直に純水が噴出されることにより、純水が強い力で基板Ｗの表面に打ちつけられ、基板Ｗの表面のパターン細部に入り込んだエッチング液も表面上に浮き上がらされる。
【００２５】
その後に、上記したように駆動モータ６８が駆動して、図３の（ｂ）に示すように各スプレイノズル４４がそれぞれ回動しながら、スプレイノズル４４の吐出口５８から基板Ｗの表面に向かって種々の角度で純水が噴出される。これにより、スプレイノズル４４の吐出口５８が、図３の（ｂ）に実線で示すように正面から見て左斜め下方向に向いたときは、スプレイノズル４４の吐出口５８から噴出する純水により基板Ｗ上のエッチング液が基板Ｗの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される（図５の（ｂ）参照）。一方、スプレイノズル４４の吐出口５８が、図３の（ｂ）に二点鎖線で示すように正面から見て右斜め下方向に向いたときは、スプレイノズル４４の吐出口５８から噴出する純水により基板Ｗ上のエッチング液が基板Ｗの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される（図５の（ｃ）参照）。このように、スプレイノズル４４が回動しながらその吐出口５８から純水が噴出することにより、基板Ｗ上からエッチング液が効果的に除去されることとなる。以上の動作は、水洗処理槽３４内への基板Ｗの搬入のタイミングに合わせ、図示しないコントローラによって駆動モータ６８を制御することにより実行される。
【００２６】
上記した実施形態では、スプレイノズル４４を、基板Ｗの長手方向に沿った軸を中心として回動させるようにしているが、スプレイノズルを回動させる動作に代えて、スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向に沿って直線的に揺動、すなわち往復移動させるようにしてもよい。すなわち、図４にスプレイノズルを正面から見た図を示すように、下向きの吐出口７４が複数個、長さ方向（紙面に対して垂直な方向）に等間隔で配列して形設された複数本のスプレイノズル７２を横方向に並列させて保持板７６に取着し、その保持板７６を直動駆動機構（図示せず）によって基板の長手方向と直交する方向に往復移動させる構成としてもよい。
【００２７】
図４に示したスプレイノズル７２を備えた装置では、エッチング処理後の基板が水洗処理槽３４内へ搬入されてきた当初（水洗工程の初期）においては、スプレイノズル７２が静止した状態であり、スプレイノズル７２の吐出口７４から基板Ｗの表面に対して垂直に純水が噴出される。これにより、基板Ｗの表面上にエッチング液が浮き上がらされる。その後に、直動駆動機構によって保持板７６と共に複数のスプレイノズル７２が基板Ｗの長手方向と直交する方向（短手方向）に往復移動させられながら、スプレイノズル７２の吐出口７４から基板Ｗの表面に向かって純水が噴出される。これにより、複数のスプレイノズル７２が、正面から見て左方向へ移動したときは、複数のスプレイノズル７２の吐出口７４から、基板Ｗの短手方向における中心より左側の領域へより多くの純水が噴出され、基板Ｗ上のエッチング液の多くが純水により基板Ｗの左側周端縁に向かって押し流され、左側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される（図６の（ｂ）参照）。一方、複数のスプレイノズル７２が、正面から見て右方向へ移動したときは、複数のスプレイノズル７２の吐出口７４から、基板Ｗの短手方向における中心より右側の領域へより多くの純水が噴出され、基板Ｗ上のエッチング液の多くが純水により基板Ｗの右側周端縁に向かって押し流され、右側の周端縁から流れ落ちて基板Ｗ上から除去される（図６の（ｃ）参照）。このように、スプレイノズル７２が直線的に往復移動しながらその吐出口７４から純水が噴出することにより、基板Ｗ上からエッチング液が効果的に除去される。
【００２８】
なお、上記した実施形態は、基板の長手方向を基板搬送路に沿った方向にして基板を搬送する場合のものであるが、基板の長手方向を基板搬送路と直交する方向にして基板Ｗを搬送する場合には、スプレイノズルを、基板搬送路に沿った方向において揺動させるようにする。すなわち、スプレイノズル４４を、基板搬送路に沿った軸を中心として回動させ、また、スプレイノズル７２を、基板搬送路に沿って直線的に往復移動させるようにする。また、図１に示した実施形態では、水洗処理槽３４内において基板Ｗを往復移動（揺動）させながら水洗処理するようにしているが、基板Ｗを連続的に一方向へ搬送しながら水洗処理する装置であってもよい。さらに、図１に示した実施形態では、エッチング処理部１０においてスプレイ式エッチング処理を行うようにしているが、他の方式によるエッチング処理、例えばパドル方式で基板のエッチング処理を行った後に水洗処理する基板処理装置についても、この発明は適用し得るものである。
【００２９】
【発明の効果】
請求項１ないし請求項３に係る各発明の基板処理方法によると、基板が大型化しても、エッチング工程後の水洗工程において基板上からエッチング液を完全に除去することができ、このため、水洗工程でエッチングむらが発生することを防止することができる。
【００３０】
請求項４ないし請求項６に係る各発明の基板処理装置を使用すると、請求項１ないし請求項３に係る各発明の方法を好適に実施することができ、上記した効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式的側面図である。
【図２】図１に示した装置の水洗処理槽に設置されるスプレイノズル回動機構の構成の１例を示す概略平面断面図である。
【図３】図１に示す装置の水洗処理槽に設置されたスプレイノズルを正面から見た図である。
【図４】この発明の別の実施形態を示し、スプレイノズルを正面から見た図である。
【図５】請求項２に係る発明の作用を説明するための正面図である。
【図６】請求項３に係る発明の作用を説明するための正面図である。
【符号の説明】
Ｗ基板
１０エッチング処理部
１２水洗処理部
１４エッチング処理槽
２０、４０搬送ローラ
２２エッチング液のスプレイノズル
２４エッチング液供給管
２６エッチング液槽
３０、５４ポンプ
３４水洗処理槽
４２吐出ノズル
４４、４６、７２純水のスプレイノズル
４８純水供給管
５２純水槽
５８、７４スプレイノズルの吐出口
６０ロータリジョイント
６２支軸
６４、７０プーリ
６６ベルト
６８駆動モータ
７６保持板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention supplies an etching solution to the surface of a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a printed circuit board, and a semiconductor wafer to etch the substrate, and then purifies pure water toward the surface of the substrate. The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for jetting and washing a substrate with water.
[0002]
[Prior art]
A water washing tank is connected to an etching tank for supplying an etching solution to the surface of the substrate and etching the substrates one by one. Then, the substrate that has been subjected to the etching treatment in the etching treatment tank is carried into the washing tank, and while being transported in the horizontal direction by the transport roller, pure water is directed toward the surface of the substrate from the plurality of spray nozzles arranged in the washing tank. Is ejected, the etchant on the surface of the substrate is washed away from the substrate. Conventionally, the spray nozzle disposed in the washing tank is fixed downward so that the discharge port faces the surface of the substrate, and pure water discharged from the spray nozzle is sprayed perpendicular to the surface of the substrate. (For example, see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 3-77278 (page 2, FIG. 5)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent years, the size of substrates has been increasing. For example, as for a glass substrate for a liquid crystal display device, a large substrate having a side length of 2 m has been used. When the size of the substrate is increased as described above, in the conventional apparatus, even if the etching liquid is sprayed from the spray nozzle to the surface of the substrate after the etching treatment in the washing tank to wash away the etching solution from the substrate, the central part of the substrate is not cleaned. Some of the etching solution that has accumulated in the substrate is not flushed to the peripheral edge of the substrate by the pure water, but the mixed solution in which the etching solution and the pure water are mixed indefinitely on the surface of the substrate stays. Occur. As a result, for example, a wiring pattern formed by etching the metal film on the substrate surface in the etching process is unevenly etched in the substrate surface by the mixed solution in the washing process, and uneven etching occurs on the substrate after the washing process. Problem.
[0005]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and even when a substrate is enlarged, an etching solution can be completely removed from the substrate in a water washing process after the etching process, and the etching process can be performed in the water washing process. It is an object of the present invention to provide a substrate processing method capable of preventing occurrence of unevenness, and to provide a substrate processing apparatus capable of suitably performing the method.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is an etching step in which an etching solution is supplied to the surface of a substrate to etch the surface of the substrate, and pure water is jetted from a plurality of spray nozzles toward the surface of the substrate to etch the surface of the substrate. A water washing step of removing a liquid from above the substrate, wherein in the initial stage of the water washing step, the plurality of spray nozzles are kept stationary while the pure water is perpendicular to the surface of the substrate from the spray nozzles. Thereafter, pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while oscillating the plurality of spray nozzles in a direction (transverse direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. And
[0007]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, the spray nozzle is swung about an axis along a longitudinal direction of the substrate.
[0008]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, the spray nozzle is swung linearly in a direction (transverse direction) orthogonal to a longitudinal direction of the substrate. .
[0009]
The invention according to claim 4 is provided with an etching solution supply means for supplying an etching solution to the surface of the substrate, an etching bath for performing an etching process on the substrate, a washing bath connected to the etching bath, A plurality of spray nozzles arranged in a washing tank, which spray pure water toward the surface of the substrate to remove an etchant on the surface of the substrate from the substrate, and pure water for supplying pure water to the spray nozzles. A nozzle swinging means for swinging the plurality of spray nozzles in a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate, wherein the substrate is moved into the washing tank. Initially, when the plurality of spray nozzles are stopped, pure water is spouted from the spray nozzles perpendicular to the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are stationary. Characterized by being adapted to eject pure water toward the surface of the substrate from the spray nozzle while oscillating the plurality of spray nozzles by means.
[0010]
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the nozzle swinging means is a rotating mechanism for swinging the spray nozzle around an axis along a longitudinal direction of the substrate. It is characterized by.
[0011]
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, the nozzle swinging means swings the spray nozzle linearly along a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. It is a linear motion mechanism for moving.
[0012]
According to the substrate processing method of the first aspect of the present invention, in the initial stage of the washing step, pure water is jetted from the spray nozzle perpendicular to the surface of the substrate with the spray nozzle stationary, so that pure water is The etching solution that is struck against the substrate surface with a strong force and penetrates into the details of the pattern on the substrate surface also floats on the surface. Thereafter, pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while swinging the plurality of spray nozzles in a direction (transverse direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. The etchant is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, flows down from both peripheral edges along the longitudinal direction of the substrate, and is removed from the substrate. As described above, since the etching solution is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, even if the substrate is enlarged, the etching solution can be completely removed from the substrate. Therefore, the mixed liquid in which the etching liquid and the pure water are mixed does not stay on the surface of the substrate.
[0013]
In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, in the initial stage of the water washing step, as shown in a schematic view from the front in FIG. Since the pure water 2 is jetted perpendicularly to the surface of the substrate W, the etching liquid floats on the surface of the substrate W as described above. Thereafter, as shown in the schematic views of FIGS. 5B and 5C, the plurality of spray nozzles 1 are swung about the axis along the longitudinal direction of the substrate W while the substrate 1 Since the pure water 2 is jetted toward the surface of the substrate W, the etching solution on the surface of the substrate W is washed away by the pure water 2 in the short direction of the substrate W and removed from the substrate W. That is, as shown in FIG. 5B, when the plurality of spray nozzles 1 turn leftward when viewed from the front, the spray nozzles 1 move leftward from a direction perpendicular to the surface of the substrate W from the spray nozzles 1. When the pure water 2 is jetted in the inclined direction, the etching liquid on the substrate W is swept toward the left peripheral edge of the substrate W by the pure water as shown by an arrow, and flows down from the left peripheral edge. The substrate W. On the other hand, as shown in FIG. 5C, when the plurality of spray nozzles 1 rotate rightward when viewed from the front, the spray nozzles 1 move rightward from a direction perpendicular to the surface of the substrate W from the spray nozzles 1. When the pure water 2 is ejected in the inclined direction, the etching solution on the substrate W is pushed down by the pure water toward the right peripheral edge of the substrate W as shown by an arrow, and flows down from the right peripheral edge. The substrate W. By repeating the operations shown in FIGS. 5B and 5C, the etchant is effectively removed from the substrate W.
[0014]
In the substrate processing method according to the third aspect of the present invention, in the initial stage of the water washing step, as shown in a schematic diagram viewed from the front in FIG. Since the pure water 2 is jetted perpendicularly to the surface of the substrate W, the etching liquid floats on the surface of the substrate W as described above. Thereafter, as shown in the schematic views of FIGS. 6B and 6C, the plurality of spray nozzles 1 are swung linearly in a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate W. As the pure water 2 is ejected from the spray nozzle 1 toward the surface of the substrate W, the etchant on the surface of the substrate W is pushed away by the pure water 2 in the short direction of the substrate W and removed from the substrate W. Is done. That is, as shown in FIG. 6B, when the plurality of spray nozzles 1 move to the left as viewed from the front, the area from the plurality of spray nozzles 1 to the left side of the center of the substrate W in the short direction. As more pure water 2 is ejected, most of the etching liquid on the substrate W is washed away toward the left peripheral edge of the substrate W by the pure water as shown by an arrow, and the left peripheral edge is removed. And is removed from the substrate W. On the other hand, as shown in FIG. 6C, when the plurality of spray nozzles 1 move to the right as viewed from the front, the area from the plurality of spray nozzles 1 to the right side of the center of the substrate W in the short direction. As more pure water 2 is ejected, most of the etching liquid on the substrate W is swept toward the right peripheral edge of the substrate W by the pure water as shown by an arrow, and the right peripheral edge is discharged. And is removed from the substrate W. By repeating the operations shown in FIGS. 6B and 6C, the etchant is effectively removed from the substrate W.
[0015]
In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the invention, when the substrate is initially carried into the washing tank, pure water is ejected from the spray nozzle perpendicular to the surface of the substrate while the spray nozzle is stationary. Therefore, the pure water is struck against the substrate surface with a strong force, and the etchant that has entered the pattern details on the substrate surface also floats on the surface. Thereafter, pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are swung in a direction (short direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate by the nozzle swing means. The etchant on the surface of the substrate is washed away by pure water in the short direction of the substrate, flows down from both peripheral edges along the longitudinal direction of the substrate, and is removed from the substrate. As described above, since the etching solution is flushed in the short direction of the substrate by the pure water, even if the substrate is enlarged, the etching solution can be completely removed from the substrate. Therefore, the mixed liquid in which the etching liquid and the pure water are mixed does not stay on the surface of the substrate.
[0016]
In the substrate processing apparatus according to the fifth aspect of the present invention, after the etching liquid is floated on the surface of the substrate at the beginning when the substrate is carried into the washing tank, a plurality of spray nozzles are rotated by the rotating mechanism to extend the substrate in the longitudinal direction. Pure water is sprayed from the spray nozzle toward the surface of the substrate while being swung about the axis along the direction, so that the etchant on the surface of the substrate is swept away by the pure water in the short direction of the substrate. As described above with reference to FIGS. 5B and 5C, the etching solution is effectively removed from the substrate.
[0017]
In the substrate processing apparatus according to the sixth aspect of the present invention, after the etchant is floated on the surface of the substrate at the beginning when the substrate is carried into the washing tank, the plurality of spray nozzles are moved by the linear motion mechanism to extend the length of the substrate. Pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while being swung linearly along the direction (transverse direction) perpendicular to the direction. The substrate is swept away in the lateral direction of the substrate, and the etchant is effectively removed from the substrate as described above with reference to FIGS. 6B and 6C.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0019]
FIG. 1 is a schematic side view showing one embodiment of the present invention and showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus is configured by connecting an etching processing unit 10 and a water washing processing unit 12 in series.
[0020]
The etching processing unit 10 includes a sealed etching processing tank 14 having a carry-in side opening 16 and a carry-out side opening 18. A plurality of forward / reverse rotatable transport rollers 20 for supporting the substrate W and transporting the substrate W in the horizontal direction are arranged in parallel in the etching processing tank 14 along the substrate transport path. The substrate W is reciprocated in the etching bath 14 by these transport rollers 20. A plurality of spray nozzles 22 are arranged above the substrate transport path along the substrate transport path. An etchant supply pipe 24 is connected to these spray nozzles 22. The etching liquid supply pipe 24 is connected to an etching liquid tank 28 in which the etching liquid 26 is stored, and supplies the etching liquid 26 in the etching liquid tank 28 to the spray nozzle 22 to the etching liquid supply pipe 24. Pump 30 is inserted. Then, the etching liquid is ejected from the spray nozzle 22 toward the surface of the substrate W transported by the transport roller 20. A drain pipe 32 is connected to the bottom of the etching tank 14 so that the etching liquid flowing down to the inner bottom of the etching tank 14 is discharged from the etching tank 14 through the drain pipe 32. You. The distal end of the drainage pipe 32 is inserted into the inside of the etching solution tank 28 so that a part of the etching solution is circulated and used.
[0021]
The rinsing section 12 includes a sealed rinsing tank 34 having a carry-in side opening 36 and a carry-out side opening 38. The rinsing section 34 is disposed adjacent to the etching section 14 and includes an etching section. The carry-out side opening 18 of 14 and the carry-in side opening 36 of the rinsing tank 34 are arranged to face each other. A plurality of forward / reversely rotatable transport rollers 40 for supporting the substrate W and transporting the substrate W in the horizontal direction are arranged in parallel with each other along the substrate transport path inside the washing processing tank 34. The transport rollers 40 reciprocate the substrate W in the rinsing tank 34. A discharge nozzle 42 having a slit-shaped discharge port formed at the lower end surface is disposed in the vicinity of the carry-in side opening 36 of the rinsing processing tank 34, at a position directly above the substrate transfer path. From the slit-shaped discharge port of the discharge nozzle 42, pure water is discharged in a curtain shape onto the surface of the substrate W carried into the rinsing tank 34. Note that the discharge nozzle 42 does not have to be installed.
[0022]
In addition, a plurality of spray nozzles 44 and 46 are arranged along the substrate transport path above and below the substrate transport path in the rinsing tank 34, respectively. A pure water supply pipe 48 is connected to these spray nozzles 44 and 46 and the above-mentioned discharge nozzle 42, respectively. The pure water supply pipe 48 is connected to a pure water tank 52 in which pure water 50 is stored, and the pure water 50 in the pure water tank 52 is supplied to the pure water supply pipe 48 by the discharge nozzle 42 and the spray nozzles 44. A pump 54 for feeding to 46 is inserted. Then, pure water is ejected from the spray nozzles 44 and 46 toward the front surface and the back surface of the substrate W transported by the transport roller 40, respectively. A drain pipe 56 is connected to the bottom of the washing tank 34 so that pure water flowing down to the inner bottom of the washing tank 34 is discharged from the washing tank 34 through the drain pipe 56. The tip of the drain pipe 56 is inserted into the pure water tank 52 so that a part of the pure water is circulated.
[0023]
The upper spray nozzle 44 disposed inside the washing tank 34 is supported so as to be capable of swinging, that is, rotating around an axis along the longitudinal direction of the substrate W. A turning mechanism for turning the 44 is provided. That is, for example, a pure water supply pipe 48 is inserted into and fixed to the inside of the washing processing tank 34 as shown in a schematic plan view in a cross section of the washing processing tank 34 in a horizontal direction in FIG. As shown in the front view, one end of each spray nozzle 44 formed with a plurality of downward discharge ports 58 arranged at equal intervals in the length direction is connected to the pure water supply pipe 48 via a rotary joint 60. Support shafts 62 which are rotatably connected and supported, and which are integrally fixed to the end surfaces of the other ends of the spray nozzles 44, are respectively provided on the walls of the washing tank 34 via bearings (not shown). Supported rotatably. A driven pulley 64 is fixed to a support shaft 62 of each spray nozzle 44, and a belt 66 is wound around each driven pulley 64, and the belt 66 is fixed to a rotating shaft of a driving motor 68. It is multiplied by 70. In a device equipped with such a mechanism, when the drive motor 68 is alternately and rotationally driven in the forward and reverse directions, the spray nozzles 44 are respectively rotated via the drive pulley 70, the belt 66, and the driven pulleys 64, respectively. Can be
[0024]
In the substrate processing apparatus having the above-described configuration, when the substrate W that has been subjected to the etching processing in the etching processing unit 10 is carried out of the etching processing tank 14 and the substrate W is carried into the washing processing tank 34 of the washing processing unit 12. At the beginning of the carry-in, that is, at the beginning of the washing step, the spray nozzle 44 is stationary with its discharge port 58 facing directly downward as shown in FIG. Pure water is ejected from the outlet 58 perpendicularly to the front surface and the back surface of the substrate W, respectively. In this way, the pure water is spouted perpendicularly to the surface of the substrate W, so that the pure water is struck against the surface of the substrate W with a strong force, and the etching liquid that has entered the pattern details on the surface of the substrate W is also removed on the surface. It is raised to.
[0025]
Thereafter, the driving motor 68 is driven as described above, and each spray nozzle 44 is rotated from the discharge port 58 of the spray nozzle 44 toward the surface of the substrate W as shown in FIG. Pure water is jetted at various angles. Thus, when the discharge port 58 of the spray nozzle 44 faces obliquely downward and to the left as viewed from the front as shown by the solid line in FIG. 3B, pure water spouting from the discharge port 58 of the spray nozzle 44 As a result, the etchant on the substrate W is swept toward the left peripheral edge of the substrate W, flows down from the left peripheral edge, and is removed from the substrate W (see FIG. 5B). On the other hand, when the discharge port 58 of the spray nozzle 44 faces obliquely downward right as viewed from the front as shown by a two-dot chain line in FIG. The etching solution on the substrate W is flushed toward the right peripheral edge of the substrate W by the water, flows down from the right peripheral edge and is removed from the substrate W (see FIG. 5C). As described above, the pure water is ejected from the discharge port 58 while the spray nozzle 44 rotates, whereby the etching liquid is effectively removed from the substrate W. The above operation is executed by controlling the drive motor 68 by a controller (not shown) in accordance with the timing of loading the substrate W into the washing processing tank 34.
[0026]
In the above-described embodiment, the spray nozzle 44 is rotated about an axis along the longitudinal direction of the substrate W. However, instead of the operation of rotating the spray nozzle, the spray nozzle is moved in the longitudinal direction of the substrate W. You may make it rock | swivel linearly along the direction orthogonal to a direction, ie, reciprocate. That is, as shown in the front view of the spray nozzle in FIG. 4, a plurality of downward discharge ports 74 are formed at regular intervals in the length direction (perpendicular to the paper). A plurality of spray nozzles 72 are attached to the holding plate 76 in parallel in the horizontal direction, and the holding plate 76 is reciprocated in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the substrate by a linear drive mechanism (not shown). Is also good.
[0027]
In the apparatus having the spray nozzle 72 shown in FIG. 4, the spray nozzle 72 is in a stationary state at the beginning (the initial stage of the washing step) when the substrate after the etching process is carried into the washing tank 34 (in the initial stage of the washing step). Pure water is spouted from the discharge port 74 of the spray nozzle 72 perpendicularly to the surface of the substrate W. Thus, the etchant floats on the surface of the substrate W. Thereafter, the plurality of spray nozzles 72 are reciprocated along with the holding plate 76 in a direction (short side direction) orthogonal to the longitudinal direction of the substrate W by the direct drive mechanism, and the substrate W is discharged from the discharge port 74 of the spray nozzle 72. Pure water is jetted toward the surface. Thereby, when the plurality of spray nozzles 72 move to the left as viewed from the front, more pure water is discharged from the discharge ports 74 of the plurality of spray nozzles 72 to the left side of the center of the substrate W in the lateral direction. Water is jetted out, and most of the etchant on the substrate W is washed away by pure water toward the left peripheral edge of the substrate W, flows down from the left peripheral edge, and is removed from the substrate W ((FIG. b)). On the other hand, when the plurality of spray nozzles 72 move rightward when viewed from the front, more pure water is discharged from the discharge ports 74 of the plurality of spray nozzles 72 to a region on the right side of the center of the substrate W in the lateral direction. Is blown out, and most of the etching liquid on the substrate W is washed away toward the right peripheral edge of the substrate W by the pure water, flows down from the right peripheral edge, and is removed from the substrate W (FIG. 6 (c) )reference). As described above, the pure water is ejected from the discharge port 74 while the spray nozzle 72 linearly reciprocates, whereby the etching liquid is effectively removed from the substrate W.
[0028]
In the above-described embodiment, the substrate is transported with the longitudinal direction of the substrate being along the substrate transport path. However, the substrate W is placed with the longitudinal direction of the substrate orthogonal to the substrate transport path. When transporting, the spray nozzle is caused to swing in a direction along the substrate transport path. That is, the spray nozzle 44 is rotated about an axis along the substrate transport path, and the spray nozzle 72 is linearly reciprocated along the substrate transport path. Further, in the embodiment shown in FIG. 1, the washing process is performed while the substrate W is reciprocated (oscillated) in the washing process tank 34. However, the washing process is performed while the substrate W is continuously transported in one direction. The processing device may be used. Further, in the embodiment shown in FIG. 1, the spray processing is performed in the etching processing unit 10, but the etching processing is performed by another method, for example, the substrate is etched by the paddle method, and then the water cleaning processing is performed. The present invention is also applicable to a substrate processing apparatus.
[0029]
【The invention's effect】
According to the substrate processing method of each of the inventions according to claims 1 to 3, even if the substrate becomes large, the etching liquid can be completely removed from the substrate in the water washing step after the etching step. It is possible to prevent etching unevenness from occurring in the process.
[0030]
When the substrate processing apparatus according to each of the inventions according to claims 4 to 6 is used, the method according to each of the inventions according to claims 1 to 3 can be suitably implemented, and the effects described above can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic side view showing one embodiment of the present invention and showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus.
FIG. 2 is a schematic plan sectional view showing an example of a configuration of a spray nozzle rotating mechanism installed in a washing tank of the apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a front view of a spray nozzle installed in a washing tank of the apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, and is a view of a spray nozzle as viewed from the front.
FIG. 5 is a front view for explaining the operation of the invention according to claim 2;
FIG. 6 is a front view for explaining the operation of the invention according to claim 3;
[Explanation of symbols]
W Substrate 10 Etching section 12 Rinse section 14 Etching tank 20, 40 Conveying roller 22 Spray nozzle 24 for etching liquid Etching liquid supply pipe 26 Etching liquid tank 30, 54 Pump 34 Rinse processing tank 42 Discharge nozzles 44, 46, 72 Pure water spray nozzle 48 Pure water supply pipe 52 Pure water tank 58, 74 Spray nozzle discharge port 60 Rotary joint 62 Support shaft 64, 70 Pulley 66 Belt 68 Drive motor 76 Holding plate

Claims

基板の表面へエッチング液を供給して基板表面をエッチングするエッチング工程と、
複数のスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する水洗工程と、
を有する基板処理方法において、
前記水洗工程の初期においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向において揺動させながら、スプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出することを特徴とする基板処理方法。An etching step of etching the substrate surface by supplying an etching solution to the surface of the substrate,
A washing step of ejecting pure water from the plurality of spray nozzles toward the surface of the substrate to remove an etchant on the surface of the substrate from above the substrate,
In the substrate processing method having
In the initial stage of the rinsing step, pure water is spouted from the spray nozzles perpendicular to the surface of the substrate in a state where the spray nozzles are stationary, and thereafter, the spray nozzles are moved in the longitudinal direction of the substrate. A pure water jet from the spray nozzle toward the surface of the substrate while swinging in a direction perpendicular to the substrate.

前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させる請求項１記載の基板処理方法。2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the spray nozzle is swung about an axis along a longitudinal direction of the substrate.

前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向に沿って直線的に揺動させる請求項１記載の基板処理方法。2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the spray nozzle is swung linearly along a direction orthogonal to a longitudinal direction of the substrate.

基板の表面へエッチング液を供給するエッチング液供給手段を備え、基板のエッチング処理が行われるエッチング処理槽と、
このエッチング処理槽に連設された水洗槽と、
この水洗槽内に配列され、基板の表面に向かって純水を噴出して基板の表面上のエッチング液を基板上から除去する複数のスプレイノズルと、
これらのスプレイノズルへ純水を供給する純水供給手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記複数のスプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向において揺動させるノズル揺動手段を備え、
前記水洗槽内へ基板が搬入されてきた当初においては、前記複数のスプレイノズルを静止させた状態でスプレイノズルから基板の表面に対して垂直に純水を噴出し、その後に、前記ノズル揺動手段によって前記複数のスプレイノズルを揺動させながらスプレイノズルから基板の表面に向かって純水を噴出するようにしたことを特徴とする基板処理装置。An etching treatment tank that includes an etching solution supply unit that supplies an etching solution to the surface of the substrate, and an etching process of the substrate is performed,
A washing tank connected to the etching tank,
A plurality of spray nozzles arranged in the washing tank to eject pure water toward the surface of the substrate to remove the etchant on the surface of the substrate from the substrate,
Pure water supply means for supplying pure water to these spray nozzles,
In a substrate processing apparatus provided with
The plurality of spray nozzles, comprising a nozzle swing means for swinging in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the substrate,
At the beginning when the substrate is carried into the washing tank, pure water is spouted perpendicularly to the surface of the substrate from the spray nozzle while the plurality of spray nozzles are stopped, and then the nozzle swings. A substrate processing apparatus characterized in that pure water is ejected from the spray nozzle toward the surface of the substrate while the plurality of spray nozzles are oscillated by means.

前記ノズル揺動手段は、前記スプレイノズルを、基板の長手方向に沿った軸を中心として揺動させる回動機構である請求項４記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the nozzle swinging unit is a rotating mechanism that swings the spray nozzle around an axis along a longitudinal direction of the substrate.

前記ノズル揺動手段は、前記スプレイノズルを、基板の長手方向と直交する方向に沿って直線的に揺動させる直動機構である請求項４記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the nozzle swinging unit is a linear movement mechanism that swings the spray nozzle linearly along a direction orthogonal to a longitudinal direction of the substrate.