JP2004356537A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡略化された製造プロセスにより製造可能な三次元半導体装置を提供する。
【解決手段】第1部材104と第2部材108を接合して形成された三次元半導体装置が提供される。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合面側に第1面を有し、該接合面の反対側に第2面を有する。第2部材108は、該接合面側に第3面を有し、該接合面の反対側に第4面を有する。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第1面に形成された回路素子群105を含み、第2部材108は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第3面に形成された回路素子群106を含む。
【選択図】図1F
【解決手段】第1部材104と第2部材108を接合して形成された三次元半導体装置が提供される。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合面側に第1面を有し、該接合面の反対側に第2面を有する。第2部材108は、該接合面側に第3面を有し、該接合面の反対側に第4面を有する。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第1面に形成された回路素子群105を含み、第2部材108は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第3面に形成された回路素子群106を含む。
【選択図】図1F
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、第1部材及び第2部材を含む複数の部材を接合して形成された半導体装置又はそのような装置の製造方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
三次元半導体装置に関連する先行技術文献として特許文献1がある。特許文献1に記載された三次元回路素子の製造方法は、半導体基板上に多孔質層を形成する工程と、多孔質層上に単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層に第1の二次元回路素子を形成する工程と、第1の二次元回路素子を支持基板に張り合わせた後に張り合わせ体から半導体基板を取り除き、これにより半導体基板から支持基板に第1の二次元回路素子を転写する工程と、第1の二次元回路素子が転写された支持基板を第2の二次元回路素子を有する基板と張り合わせる工程を含む。
【0003】
以下、特許文献1に記載された三次元回路素子の製造方法を説明する。
【0004】
まず、図7Aに示すように、半導体基板上に陽極化成により多孔質層2を形成し、更に、その多孔質層2上に単結晶シリコン層3を形成する。
【0005】
次に、図7Bに示すように、多孔質層2上に形成された単結晶シリコン層3に一層目の二次元LSI4を形成する。二次元LSI4には、素子分離用酸化膜5、MOSFET6、多結晶シリコン配線7、層間絶縁膜8、ビアホール8a、表面金属配線9、層間絶縁膜10が含まれる。
【0006】
次に、図7Cに示すように、二次元LSI4の表面にポリイミド11をコーティングし、その上に支持基板12を接着する。
【0007】
次に、図7Dに示すように、単結晶シリコン基板1から、支持基板12によって支持された二次元LSI4を分離する。
【0008】
次に、図7Eに示すように、剥離した二次元LSI4の裏面(下面)側の単結晶シリコン層3及び素子分離用酸化膜5に、多結晶シリコン配線7に達するスルーホール13を形成し、このスルーホール13内に酸化膜14を形成する。そして、酸化膜14を部分的にエッチング除去して多結晶シリコン配線7を再び露出させ、多結晶シリコン配線7とコンタクトする裏面金属配線15を形成し、更にポリイミド16をコーティングした後、スルーホール13内の裏面金属配線15の凹部にAu/Inプール17を形成する。
【0009】
一方、図7Fに示すように、別の単結晶シリコン基板21上に上述と同様にして多孔質シリコン層22および単結晶シリコン層23を形成し、更に、単結晶シリコン層23に二次元LSI24を形成する。二次元LSI24には、素子分離用酸化膜25、MOSFET26、多結晶シリコン配線27、層間絶縁膜28、ビアホール28a、表面金属配線29、層間絶縁膜30、ビアホール30a、タングステンプラグ31が含まれる。
【0010】
次に、図7Gに示すように、図7Fに示す二次元LSI24の表面(上面)に図7Eに示す二次元LSI4の裏面をポリイミド16、30により接着し、張り合わせる。
【0011】
次に、図7Dと同様にして、単結晶シリコン基板21から二次元LSI4、24を分離する。
【0012】
このようにして、単結晶シリコン層に形成された薄膜状の二次元LSIを必要な層数だけ順次張り合わせることで、目的とする三次元超LSIを完成させることができる。
【0013】
【特許文献1】
特開平11−17107号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の三次元LSIの製造方法では、多孔質層2上に形成された二次元LSI4を支持基板12に接着した後に、支持基板12によって支持された二次元LSI4を単結晶シリコン基板1から分離し、その分離面に半導体プロセスを施して、裏面金属配線15を形成し、これに別の単結晶シリコン基板21に形成された二次元LSI24の表面を張り合わせ、その後、支持基板12を研磨またはエッチングにより除去する工程となっており、積層プロセスが複雑である。
【0015】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、例えば、三次元半導体装置の製造プロセスを簡略化すること、又は、簡略化された製造プロセスにより製造可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第1部材及び第2部材を含む複数の部材を接合して形成された半導体装置に関する。ここで、前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合面側に第1面を有し、前記接合面の反対側に第2面を有し、前記第2部材は、前記接合面側に第3面を有し、前記接合面の反対側に第4面を有する。前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合前に前記第1面に形成された第1回路素子群を含み、前記第2部材は、前記接合前に前記第3面に形成された第2回路素子群を含む。前記第1回路素子群と前記第2回路素子群とは、電気的に接続されている。
【0017】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1部材は、例えば、前記第2面に隣接した第1分離層を有する第1材料部材から前記第1分離層を利用して分離された部材である。また、前記第2部材は、例えば、前記第4面に隣接した第2分離層を有する第2材料部材から前記第2分離層を利用して分離された部材である。
【0018】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1回路素子群及び前記第2回路素子群は、それぞれ凸状電極を含み、前記第1回路素子群の凸状電極と前記第2回路素子群の凸状電極とが接合されていることが好ましい。或いは、前記第1回路素子群の電極と前記第2回路素子群の電極とは、プラグを介することなく接続されていることが好ましい。
【0019】
本発明の半導体装置の製造方法は、第1面及び第2面を有する第1部材の前記第1面に第1回路素子群を形成する第1工程と、第3面及び第4面を有する第2部材の前記第3面に第2回路素子群を形成する第2工程と、前記第1部材の前記第1面側と前記第2部材の前記第3面側とを対面させて配置し、前記第1部材と前記第2部材との結合体を形成する第3工程とを含む。
【0020】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1工程は、前記第1部材に第1分離層を形成する工程と、前記第1部材の前記第1分離層の上方に第1回路素子群を形成する工程とを含みうる。この場合において、前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第1部材を前記第1分離層において分割する工程を更に含みうる。
【0021】
更に、前記第2工程は、前記第2部材に第2分離層を形成する工程と、前記第2部材の前記第2分離層の上方に第2回路素子群を形成する工程とを含みうる。この場合において、前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第2部材を前記第2分離層において分割する工程を更に含みうる。
【0022】
【発明の実施の形態】
図1A〜図1Fは、本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示している。
【0023】
まず、図1E及び図1Fを参照しながら本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構造を説明する。本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置は、第1部材(例えば、単結晶シリコン等の半導体)104と第2部材(例えば、単結晶シリコン等の半導体)108を接合して形成されている。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合面側に第1面を有し、該接合面の反対側に第2面を有する。第2部材108は、該接合面側に第3面を有し、該接合面の反対側に第4面を有する。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第1面に形成された回路素子群(例えば、例えば、アレイ状に配列された光電変換素子等のような受光部群)105を含み、第2部材108は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第3面に形成された回路素子群(例えば、受光部群を制御するための回路素子群及び/又は受光部群から得られる信号を記憶及び/又は処理するための回路素子群等)106を含む。
【0024】
以下、図1A〜図1Fを順に参照しながら本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置及びその製造方法を説明する。
【0025】
まず、図1Aに示すように、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板101上に陽極化成法などにより分離層として1又は複数の多孔質シリコン層を形成する。以下では、単結晶シリコン基板101上に2層の多孔質シリコン層102、103を形成するものとして説明する。陽極化成法を適用した場合、多孔質層は、表面から深部に向かって形成される。2層以上の多孔質層を形成する場合、まず、多孔率の小さい多孔質層103を形成し、続いて、多孔率の大きい多孔質層102を形成することが好ましい。これにより、表面側には多孔率の小さい多孔質層103が形成され、その下に多孔率の大きな多孔質層102が形成される。このように特徴付けられた多層構造によれば、エピタキシャル成長前において基板の表面に存在する穴を塞ぐ工程を容易にするとともに、2枚の半導体基板を接合した後における単結晶シリコン基板101の分割を容易にすることができる。
【0026】
ここで、多孔質シリコン層を形成する代わりに、第1半導体基板(第1部材)101の所定深さの領域に水素等のイオンを注入することによりイオン注入層を形成してもよい。このようなイオン注入層も分離層として機能しうる。
【0027】
次に、高温水素アニール及びSiH4、SiCl4などを原料ガスとするCVD法により、多孔質シリコン層103の表面に存在する穴を塞いで下地となる多孔質シリコン層103の表面に良好な結晶面を形成するとともに、図1Bに示すように、多孔質シリコン層103上に単結晶シリコン層(半導体層)104をエピタキシャル成長させる。
【0028】
エピタキシャル成長層である単結晶シリコン層104の不純物濃度や厚さは、形成すべきデバイス(回路素子)の設計に依存するが、典型的には、不純物濃度は1014〜1017/cm3、厚さは10μm以下である。エピタキシャル成長層の厚さの制御性は非常に高いので、デバイスに最適な厚さの単結晶シリコン層104を容易に得ることができる。
【0029】
続いて、図1Cに示すように、単結晶シリコン層104に、通常の半導体プロセスにより、固体撮像装置(例えば、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ)の受光部105を形成する。ここで、受光部105は2次元に配列された回路素子群から成り、CCDやCMOS構造の光電変換素子を含む。
【0030】
一方、図1Dに示すように、別の第2半導体基板108の表面にも、通常の半導体プロセスにより、固体撮像装置の受光部105を制御し及び/又は受光部105から得られる信号を記憶及び/又は処理する機能を有する回路(例えば、受光部の制御回路、画像信号の処理回路、メモリ等)106を形成する。そして、第2半導体基板108の表面に、第1半導体基板101上に形成された受光部105をフェイスダウンで接合する。この接合は、受光部105を構成する回路素子群と第2半導体基板108側の回路106を構成する回路素子群との電気的な接続を伴うものである。また、この接合は、例えば350℃以下の比較的低温で実施可能であるため、それぞれの基板に形成されている回路素子群のプロセス温度の最高値より低いので、素子特性の劣化は生じない。受光部105を構成する回路素子群と第2半導体基板108側の回路106を構成する回路素子群とは、それぞれに設けられた凸状電極を接合することにより電気的に接続されうる。この場合、従来例のような層間の電気接続のためのプラグは不要である。
【0031】
ここで、第1半導体基板101上に、受光部105の他に、受光部105を制御し受光部105から得られる信号を記憶・処理する機能回路の一部を形成することもでき、第1半導体基板1、第2半導体基板108上に形成すべき回路素子の分配は、デバイス設計、プロセス設計、回路設計等に応じて最適化されうる。
【0032】
受光部105をCMOSセンサ構造として形成し、第2半導体基板108の表面に、各ピクセルごとに信号を記憶・処理する機能を有する回路を形成し、該回路に対する二次元の入力信号を並列で処理する構成とすることにより、高速動作・フィードバック制御が可能になり、高性能の網膜チップを実現することができる。
【0033】
次に、接合した2枚の半導体基板101、108を第1半導体基板101に形成されている多孔質層102、103付近で分離或いは分割する。多孔質層には大きな応力が加わっており、しかも密度が低いためにエッチング速度が速い。したがって、多孔質層102、103を側方からエッチングする方法や、多孔質層102、103に外部から応力を印加する方法などにより、第1半導体基板101を分割しうる。しかしながら、図1Eに示すように、多孔質シリコン層102、103付近に細く絞った高圧水流(ウォータジェット)等の流体を打ち込んで分離或いは分割する方法は、より信頼性が高く優れた方法である。
【0034】
第1半導体基板101を多孔質層の部分で分割した面は、必要に応じて、多孔質シリコン層のエッチングによる除去、化学的機械的研磨(CMP)等による平坦化、パッシベーション膜の形成が行われる。
【0035】
更に、固体撮像装置をカラー化する場合には、光を入射させる面にカラーフィルタを形成する工程が追加されうる。
【0036】
第2半導体基板108に形成された回路106によって記憶され又は処理された信号は、該回路106に接続された電極パッド107を通して取り出すことができる。電極パッド107からの信号の引き出しは、例えば、図1Fに示すように、電極パッド107が露出するように単結晶シリコン層104の一部(受光部105が形成された領域以外の不要な領域)を除去し、露出した電極パッド107にワイヤボンディングを行うことによりなされうる。或いは、図2に示すように、単結晶シリコン層104の表面側(分離面側)に電極パッド110を形成し、電極パッド110と電極パッド107とをプラグ109によって接続することにより、電極パッド110を介して信号を引き出すこともできる。
【0037】
以上のようにして作製されうる三次元構造の半導体装置は、受光部5が形成された第1半導体基板101(単結晶シリコン層104)の表面(第1面)側が第2半導体基板108の表面(第3面)側に接合され、第1半導体基板101の単結晶シリコン層104の裏面(第2面;多結晶シリコン層との界面)側が第1半導体基板101と第2半導体基板102との接合面の反対側(すなわち、光の入射面側)に配置される。
【0038】
一方、多孔質シリコン層102において分割された後の第1半導体基板101は、表面に残る多孔質シリコン層を除去後、表面研磨を行うことにより、その厚さを除けば、プロセス前の状態と同様の状態になるので、繰り返して使うことが可能であり、その分だけ製造コストが低減される。
【0039】
第2半導体基板としては、シリコン基板の他、例えば、ゲルマニウム(Ge)、砒化ガリウム(GaAs)、リン化ガリウム(GaP)、リン化インジウム(InP)、などの基板を採用してもよく、また、第1半導体基板と第2半導体基板とが異なる素材からなるものであれば、異種素材から成るデバイスを実現することができる。
【0040】
また、第1半導体基板は、ポーラス層の形成及びポーラス層上に単結晶層をできれば良いので、シリコン基板以外に、ゲルマニウム基板も使用できる。
【0041】
更に、多孔質層上に形成されるエピタキシャル層は、格子定数が近ければ、基板の結晶に制限されない。例えば、基板をシリコン基板とし、多孔質層上のエピタキシャル層をゲルマニウム層、または、シリコン・ゲルマニウム混晶層としたり、基板をゲルマニウム基板とし、エピタキシャル層を砒化ガリウム層としたりすることができる。
【0042】
二次元回路素子は、3層又はそれ以上積層されてもよい。以下、二次元回路素子を3層以上積層する方法の具体例を説明する。
【0043】
図1Eに示す工程で第1半導体基板101を多孔質層102、103を利用して分割した後に、図3に示すように、単結晶シリコン層104中の回路素子群105及び/又は第2半導体基板108中の回路素子群106と、単結晶シリコン層104上に積層すべき層中の回路素子群とを電気的に接続するための電気経路を形成した後に、単結晶シリコン層104上に電気接続の中継を行う配線層123を積層すればよい。電気経路は、例えば、単結晶シリコン層104中に、回路素子群105及び/又は回路素子群106と電気的に接続するためのプラグ121を形成し、必要に応じて単結晶シリコン層104の上面(第2面)を化学機械研磨(CMP)等により平坦化し、その上にプラグ121と電気的に接続された配線層123を形成することにより得ることができる。
【0044】
その後、配線層123が形成された面に、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層(単結晶シリコン層等の半導体層)に形成された第3の二次元回路素子131をフェイスダウンで接合し、第3半導体基板を多孔質層で分割する。これにより、3層の二次元回路素子を有する三次元半導体装置を得ることができる。
【0045】
同様の方法により、4層以上の二次元回路素子を有する三次元半導体装置を得ることができる。この場合において、図3におけるエピタキシャル層104と同様に、第3の二次元回路素子131を含むエピタキシャル層を平坦な状態として、その上に新たな層を積層すべきである。
【0046】
図3に示す例では、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層に形成された第3の二次元回路素子131をフェイスダウンで配線層121に接合しているが、図4に示すように、第3の二次元回路素子131を含むエピタキシャル層130をフェイスアップで配線層123に接合することも可能である。この場合には、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層130に第3の二次元回路素子131を形成した面に、シリコンなどの支持基板を接着剤等で貼り付けた状態で、多孔質層の部分において第3半導体基板を剥離する。その剥離面を第2の二次元回路素子105を含むエピタキシャル層104の上面(第2面)側に形成されている配線層123に接合した後、支持基板を剥がして第3の二次元回路素子表面131を露出させ、下層に存在する配線層123にプラグ133によって電気的に接続することが好ましい。第3の二次元回路素子表面131を含むエピタキシャル層130上には、該当する回路素子に接続された電極パッドが形成されうる。
【0047】
更に、第3の二次元回路素子131の面に第4の二次元回路素子をフェイスダウンで接合してもよいし、その上に更に二次元回路素子を積層してもよい。
【0048】
また、上記の実施の形態では、第2の二次元回路素子105が形成された第2半導体基板108を分割していないが、第2半導体基板108の表面に多孔質層及びエピタキシャル層を順に形成し、そのエピタキシャル層に第2の二次元回路素子108を形成し、例えば、第2の二次元回路素子106に第1の二次元回路素子105を接合した後において第2半導体基板108を多孔質層を利用して分割することで、より薄い三次元半導体装置を得ることができる。
【0049】
本発明の好適な応用例に係る三次元構造の固体撮像装置によれば、最上層として、受光部層をフェイスダウンで積層し、接合面とは反対面から入射する構成とすることで、従来の固体撮像装置に比較して、開口率及び入射立体角を大幅に改善することができ、これにより、画素の高密度化を容易にすることができる。また、第2半導体基板側には、画素サイズ内であれば回路規模に制限がないので、画素毎のメモリの搭載や二次元並列信号処理回路などを配置することができ、イメージセンサを多機能化することができる。
【0050】
また、本発明の好適な実施の形態の製造方法によれば、第1半導体基板を第2半導体基板に接合する前に第1半導体基板を支持基板に接合する工程、及び、支持基板に接合した第1半導体基板を第2半導体基板に接合した後に、該支持基板を取り除く工程が不要であるので、製造工程が大幅に簡略化され、低コストで三次元半導体装置を製造することができる。
【0051】
【実施例】
[第1実施例]
本発明の第1実施例として、図1A〜図1Fを参照しながらCMOSイメージセンサ(固体撮像装置)の製造方法を説明する。
【0052】
まず、図1Aに示すように、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板101上に陽極化成法により2層の多孔質シリコン層102、103を形成する。この際、まず、多孔率の小さい多孔質層103を形成し、続いて、多孔率の大きい多孔質102を形成する。これにより、エピタキシャル成長前において基板の表面に存在する穴を塞ぐ工程を容易にするとともに、2枚の半導体基板を接合した後の単結晶シリコン基板101の分離を容易にすることができる。
【0053】
次に、高温水素アニール及びSiH4、SiCl4を原料ガスとするCVD法により、多孔質シリコン層の表面に存在する穴を塞いで下地である多孔質シリコン層103の表面に良好な結晶面を形成するとともに、図1Bに示すように、単結晶シリコン層104をエピタキシャル成長させる。
【0054】
エピタキシャル成長層104の厚さは、CMOSイメージセンサの個別の設計に依存するが、厚さは10μm以下程度である。
【0055】
続いて、図1Cに示すように、エピタキシャル層104に、通常の半導体プロセスを用いて、CMOSイメージセンサのセンサ部105を形成する。
【0056】
一方、第2半導体基板として、別の単結晶シリコン基板108の表面には、通常の半導体プロセスにより、CMOSイメージセンサのセンサ部105を構成する各素子を制御し、各素子から得られる画像信号を処理するために、各素子に1対1で対応する回路から成る回路部106及び電極パッド107を形成する。また、回路群106の周囲には、センサ部105を構成する各素子には対応せず、イメージセンサの制御・信号出力等に必要な周辺回路が形成される。そして、第2半導体基板108の表面に、図1Dに示すように、第1半導体基板101に形成されたCMOSイメージセンサのセンサ部105を第2半導体基板の表面に形成された回路群106にフェイスダウンで接合する。
【0057】
ここで、CMOSイメージセンサのセンサ部105の電極と制御・処理などを行なうための回路群106の対応する電極を直接接続するために、それぞれの電極を凸状に形成することが好ましい。また、CMOSイメージセンサのセンサ部105を透過した入射光が、回路群106で雑音源となることを避けるために、第1半導体基板101と第2半導体基板108との接合に先立って又は接合の際に、遮蔽膜111をセンサ部105の表面又は第2半導体基板108(回路群106)の表面に設けることが好ましい。
【0058】
次に、図1Eに示すように、細く絞った高圧水流(ウォータジェット)を接合した2枚の半導体基板の多孔質層102、103付近に打ち込むことにより、第1半導体基板101を多孔質層102、103の部分において分離或いは分割する。
【0059】
次いで、分離面に残った多孔質シリコンをエッチングにより除去した後、図1Fに示すように、電極パッド107の上部を単結晶シリコン層104から除去する。
【0060】
その後、カラーフィルタ及び/又は反射防止膜を形成し、各チップに分離する。
【0061】
本発明の好適な応用例に係る三次元構造の固体撮像装置によれば、最上層として、受光部層をフェイスダウンで積層し、接合面とは反対面から入射する構成とすることで、従来の固体撮像装置に比較して、開口率及び入射立体角を大幅に改善することができ、これにより、画素の高密度化を容易にすることができる。また、第2半導体基板側には、画素サイズ内であれば回路規模に制限がないので、画素毎のメモリの搭載や二次元並列信号処理回路などを配置することができ、イメージセンサを多機能化することができる。
【0062】
更に、上記のような固体撮像素子を含む集積回路として構成された半導体装置は、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルムービーカメラ等の電子カメラを含む画像処理装置、又は、そのような画像処理装置による処理結果に応じて動作する自立システム又は自立ロボットの構成部品として好適である。
【0063】
[第2実施例]
本発明の第2実施例として、RF(Radio Frequency)タグ(無線装置)の製造方法を説明する。この製造方法では、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層及びエピタキシャル層を順に形成し、該エピタキシャル層にメモリを形成する。また、別の工程で、第2半導体基板である単結晶シリコン基板に多孔質シリコン及びエピタキシャル層を順に形成し、該エピタキシャル層にRF回路を形成する。次いで、第1半導体基板に形成されたメモリと第2半導体基板に形成されたRF回路とをフェイスツウ フェイスで接合してRFタグを作製する。
【0064】
以下、図5A〜図5Eを参照しながら本発明の第2実施例としてのRF(Radio Frequency)タグ(無線装置)の製造方法を説明する。
【0065】
まず、第1実施例と同様の方法で第1半導体基板としての単結晶シリコン基板201上に多孔質シリコン層202、203及びエピタキシャル層204を形成し、エピタキシャル層204に回路素子群としてメモリ回路205を形成する。また、別の工程で、第1実施例と同様の方法で第2半導体基板としての単結晶シリコン基板208上に多孔質シリコン層222、223及びエピタキシャル層210を形成し、エピタキシャル層210に回路素子群としてRF回路206を形成する。
【0066】
次いで、図5Aに示すように、第1半導体基板201に形成されたメモリ回路205と第2半導体基板208に形成されたRF回路206とをフェイスツウ フェイスで接合する。この接合においてメモリ回路205の電極とRF回路206の対応する電極とが直接接続されるように、それぞれの電極を凸状に形成しておくことが好ましい。
【0067】
次いで、図5Bに示すように、細く絞った高圧水流(ウォータジェット)を接合した2枚の半導体基板における第1半導体基板201の多孔質層202、203付近に打ち込むことにより、第1半導体基板201を分割する。この際、細く絞った高圧水流の径は、多孔質層202、203の厚さに比べて非常に大きいので、第1半導体基板201のみを選択的に分割するためには、第1半導体基板201に形成される多孔質層202、203の歪を第2半導体基板208の多孔質層222、223の歪より大きくしておくことが好ましい。これは、例えば、第1半導体基板201に多孔質層を形成する際の電流密度を第2半導体基板208に多孔質層を形成する際よりも大きくすることにより実現されうる。第1半導体基板201の分割後、エピタキシャル層204上に残った多孔質層203をエッチングにより除去する。
【0068】
次いで、図5Cに示すように、フォトリソグラフィープロセスにより、RF回路素子206に接続されている電極パッド207の上部の不要なエピタキシャル層206を除去し、電極パッド207に接続された第1の取り出し電極226を形成する。その後、図5Dに示すように、第1の取り出し電極226側に支持基体(ハンドル基板)227を貼り付け、再び細く絞った高圧水流(ウォータジェット)により、第2半導体基板208を多孔質層222、223で分割し、エピタキシャル層208の下面に残った多孔質層223をエッチングによって除去する。次いで、図5Eに示すように、第2の取り出し電極228を形成する。
【0069】
ここで、図6に示すように、取り出し電極を一面に形成する構成であれば、裏面電極の形成は不要であり、多孔質層223の除去工程を省くことができる。
【0070】
最後に、上記のようにして形成された積層基板をチップ化する。ここで、積層基板は非常に薄いので、クリーブやレーザによるチップ化が可能であり、チップ化のための切りしろを大幅に狭くできるので、RFタグの収率を向上させることができる。
【0071】
以上の方法により、プロセスの整合性が悪いメモリ回路とロジック回路をそれぞれ最適なプロセスで形成した後に、メモリ回路とロジック回路を混載したRFタグを低コストで製造することができる。
【0072】
また、ウォータジェットで分離された第1、第2半導体基板は、表面の多孔質層を除去し、表面を研磨することにより再利用が可能であり、これにより製造コストが更に低減される。
【0073】
上記のようなRF回路を含む集積回路として構成された半導体装置は、例えば、携帯端末等の情報処理装置の構成部品として好適である。
【0074】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、三次元半導体装置の製造プロセスを簡略化することができ、また、簡略化された製造プロセスにより製造可能な三次元半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】、
【図1B】、
【図1C】、
【図1D】、
【図1E】、
【図1F】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
【図2】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図3】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図4】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図5A】、
【図5B】、
【図5C】、
【図5D】、
【図5E】本発明の好適な実施例の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
【図6】本発明の好適な実施例の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図7A】、
【図7B】、
【図7C】、
【図7D】、
【図7E】、
【図7F】、
【図7G】特開平11−17107号公報に記載された三次元回路素子の製造方法を示す図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、第1部材及び第2部材を含む複数の部材を接合して形成された半導体装置又はそのような装置の製造方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
三次元半導体装置に関連する先行技術文献として特許文献1がある。特許文献1に記載された三次元回路素子の製造方法は、半導体基板上に多孔質層を形成する工程と、多孔質層上に単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層に第1の二次元回路素子を形成する工程と、第1の二次元回路素子を支持基板に張り合わせた後に張り合わせ体から半導体基板を取り除き、これにより半導体基板から支持基板に第1の二次元回路素子を転写する工程と、第1の二次元回路素子が転写された支持基板を第2の二次元回路素子を有する基板と張り合わせる工程を含む。
【0003】
以下、特許文献1に記載された三次元回路素子の製造方法を説明する。
【0004】
まず、図7Aに示すように、半導体基板上に陽極化成により多孔質層2を形成し、更に、その多孔質層2上に単結晶シリコン層3を形成する。
【0005】
次に、図7Bに示すように、多孔質層2上に形成された単結晶シリコン層3に一層目の二次元LSI4を形成する。二次元LSI4には、素子分離用酸化膜5、MOSFET6、多結晶シリコン配線7、層間絶縁膜8、ビアホール8a、表面金属配線9、層間絶縁膜10が含まれる。
【0006】
次に、図7Cに示すように、二次元LSI4の表面にポリイミド11をコーティングし、その上に支持基板12を接着する。
【0007】
次に、図7Dに示すように、単結晶シリコン基板1から、支持基板12によって支持された二次元LSI4を分離する。
【0008】
次に、図7Eに示すように、剥離した二次元LSI4の裏面(下面)側の単結晶シリコン層3及び素子分離用酸化膜5に、多結晶シリコン配線7に達するスルーホール13を形成し、このスルーホール13内に酸化膜14を形成する。そして、酸化膜14を部分的にエッチング除去して多結晶シリコン配線7を再び露出させ、多結晶シリコン配線7とコンタクトする裏面金属配線15を形成し、更にポリイミド16をコーティングした後、スルーホール13内の裏面金属配線15の凹部にAu/Inプール17を形成する。
【0009】
一方、図7Fに示すように、別の単結晶シリコン基板21上に上述と同様にして多孔質シリコン層22および単結晶シリコン層23を形成し、更に、単結晶シリコン層23に二次元LSI24を形成する。二次元LSI24には、素子分離用酸化膜25、MOSFET26、多結晶シリコン配線27、層間絶縁膜28、ビアホール28a、表面金属配線29、層間絶縁膜30、ビアホール30a、タングステンプラグ31が含まれる。
【0010】
次に、図7Gに示すように、図7Fに示す二次元LSI24の表面(上面)に図7Eに示す二次元LSI4の裏面をポリイミド16、30により接着し、張り合わせる。
【0011】
次に、図7Dと同様にして、単結晶シリコン基板21から二次元LSI4、24を分離する。
【0012】
このようにして、単結晶シリコン層に形成された薄膜状の二次元LSIを必要な層数だけ順次張り合わせることで、目的とする三次元超LSIを完成させることができる。
【0013】
【特許文献1】
特開平11−17107号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の三次元LSIの製造方法では、多孔質層2上に形成された二次元LSI4を支持基板12に接着した後に、支持基板12によって支持された二次元LSI4を単結晶シリコン基板1から分離し、その分離面に半導体プロセスを施して、裏面金属配線15を形成し、これに別の単結晶シリコン基板21に形成された二次元LSI24の表面を張り合わせ、その後、支持基板12を研磨またはエッチングにより除去する工程となっており、積層プロセスが複雑である。
【0015】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、例えば、三次元半導体装置の製造プロセスを簡略化すること、又は、簡略化された製造プロセスにより製造可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第1部材及び第2部材を含む複数の部材を接合して形成された半導体装置に関する。ここで、前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合面側に第1面を有し、前記接合面の反対側に第2面を有し、前記第2部材は、前記接合面側に第3面を有し、前記接合面の反対側に第4面を有する。前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合前に前記第1面に形成された第1回路素子群を含み、前記第2部材は、前記接合前に前記第3面に形成された第2回路素子群を含む。前記第1回路素子群と前記第2回路素子群とは、電気的に接続されている。
【0017】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1部材は、例えば、前記第2面に隣接した第1分離層を有する第1材料部材から前記第1分離層を利用して分離された部材である。また、前記第2部材は、例えば、前記第4面に隣接した第2分離層を有する第2材料部材から前記第2分離層を利用して分離された部材である。
【0018】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1回路素子群及び前記第2回路素子群は、それぞれ凸状電極を含み、前記第1回路素子群の凸状電極と前記第2回路素子群の凸状電極とが接合されていることが好ましい。或いは、前記第1回路素子群の電極と前記第2回路素子群の電極とは、プラグを介することなく接続されていることが好ましい。
【0019】
本発明の半導体装置の製造方法は、第1面及び第2面を有する第1部材の前記第1面に第1回路素子群を形成する第1工程と、第3面及び第4面を有する第2部材の前記第3面に第2回路素子群を形成する第2工程と、前記第1部材の前記第1面側と前記第2部材の前記第3面側とを対面させて配置し、前記第1部材と前記第2部材との結合体を形成する第3工程とを含む。
【0020】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第1工程は、前記第1部材に第1分離層を形成する工程と、前記第1部材の前記第1分離層の上方に第1回路素子群を形成する工程とを含みうる。この場合において、前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第1部材を前記第1分離層において分割する工程を更に含みうる。
【0021】
更に、前記第2工程は、前記第2部材に第2分離層を形成する工程と、前記第2部材の前記第2分離層の上方に第2回路素子群を形成する工程とを含みうる。この場合において、前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第2部材を前記第2分離層において分割する工程を更に含みうる。
【0022】
【発明の実施の形態】
図1A〜図1Fは、本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示している。
【0023】
まず、図1E及び図1Fを参照しながら本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構造を説明する。本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置は、第1部材(例えば、単結晶シリコン等の半導体)104と第2部材(例えば、単結晶シリコン等の半導体)108を接合して形成されている。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合面側に第1面を有し、該接合面の反対側に第2面を有する。第2部材108は、該接合面側に第3面を有し、該接合面の反対側に第4面を有する。第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第1面に形成された回路素子群(例えば、例えば、アレイ状に配列された光電変換素子等のような受光部群)105を含み、第2部材108は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第3面に形成された回路素子群(例えば、受光部群を制御するための回路素子群及び/又は受光部群から得られる信号を記憶及び/又は処理するための回路素子群等)106を含む。
【0024】
以下、図1A〜図1Fを順に参照しながら本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置及びその製造方法を説明する。
【0025】
まず、図1Aに示すように、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板101上に陽極化成法などにより分離層として1又は複数の多孔質シリコン層を形成する。以下では、単結晶シリコン基板101上に2層の多孔質シリコン層102、103を形成するものとして説明する。陽極化成法を適用した場合、多孔質層は、表面から深部に向かって形成される。2層以上の多孔質層を形成する場合、まず、多孔率の小さい多孔質層103を形成し、続いて、多孔率の大きい多孔質層102を形成することが好ましい。これにより、表面側には多孔率の小さい多孔質層103が形成され、その下に多孔率の大きな多孔質層102が形成される。このように特徴付けられた多層構造によれば、エピタキシャル成長前において基板の表面に存在する穴を塞ぐ工程を容易にするとともに、2枚の半導体基板を接合した後における単結晶シリコン基板101の分割を容易にすることができる。
【0026】
ここで、多孔質シリコン層を形成する代わりに、第1半導体基板(第1部材)101の所定深さの領域に水素等のイオンを注入することによりイオン注入層を形成してもよい。このようなイオン注入層も分離層として機能しうる。
【0027】
次に、高温水素アニール及びSiH4、SiCl4などを原料ガスとするCVD法により、多孔質シリコン層103の表面に存在する穴を塞いで下地となる多孔質シリコン層103の表面に良好な結晶面を形成するとともに、図1Bに示すように、多孔質シリコン層103上に単結晶シリコン層(半導体層)104をエピタキシャル成長させる。
【0028】
エピタキシャル成長層である単結晶シリコン層104の不純物濃度や厚さは、形成すべきデバイス(回路素子)の設計に依存するが、典型的には、不純物濃度は1014〜1017/cm3、厚さは10μm以下である。エピタキシャル成長層の厚さの制御性は非常に高いので、デバイスに最適な厚さの単結晶シリコン層104を容易に得ることができる。
【0029】
続いて、図1Cに示すように、単結晶シリコン層104に、通常の半導体プロセスにより、固体撮像装置(例えば、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ)の受光部105を形成する。ここで、受光部105は2次元に配列された回路素子群から成り、CCDやCMOS構造の光電変換素子を含む。
【0030】
一方、図1Dに示すように、別の第2半導体基板108の表面にも、通常の半導体プロセスにより、固体撮像装置の受光部105を制御し及び/又は受光部105から得られる信号を記憶及び/又は処理する機能を有する回路(例えば、受光部の制御回路、画像信号の処理回路、メモリ等)106を形成する。そして、第2半導体基板108の表面に、第1半導体基板101上に形成された受光部105をフェイスダウンで接合する。この接合は、受光部105を構成する回路素子群と第2半導体基板108側の回路106を構成する回路素子群との電気的な接続を伴うものである。また、この接合は、例えば350℃以下の比較的低温で実施可能であるため、それぞれの基板に形成されている回路素子群のプロセス温度の最高値より低いので、素子特性の劣化は生じない。受光部105を構成する回路素子群と第2半導体基板108側の回路106を構成する回路素子群とは、それぞれに設けられた凸状電極を接合することにより電気的に接続されうる。この場合、従来例のような層間の電気接続のためのプラグは不要である。
【0031】
ここで、第1半導体基板101上に、受光部105の他に、受光部105を制御し受光部105から得られる信号を記憶・処理する機能回路の一部を形成することもでき、第1半導体基板1、第2半導体基板108上に形成すべき回路素子の分配は、デバイス設計、プロセス設計、回路設計等に応じて最適化されうる。
【0032】
受光部105をCMOSセンサ構造として形成し、第2半導体基板108の表面に、各ピクセルごとに信号を記憶・処理する機能を有する回路を形成し、該回路に対する二次元の入力信号を並列で処理する構成とすることにより、高速動作・フィードバック制御が可能になり、高性能の網膜チップを実現することができる。
【0033】
次に、接合した2枚の半導体基板101、108を第1半導体基板101に形成されている多孔質層102、103付近で分離或いは分割する。多孔質層には大きな応力が加わっており、しかも密度が低いためにエッチング速度が速い。したがって、多孔質層102、103を側方からエッチングする方法や、多孔質層102、103に外部から応力を印加する方法などにより、第1半導体基板101を分割しうる。しかしながら、図1Eに示すように、多孔質シリコン層102、103付近に細く絞った高圧水流(ウォータジェット)等の流体を打ち込んで分離或いは分割する方法は、より信頼性が高く優れた方法である。
【0034】
第1半導体基板101を多孔質層の部分で分割した面は、必要に応じて、多孔質シリコン層のエッチングによる除去、化学的機械的研磨(CMP)等による平坦化、パッシベーション膜の形成が行われる。
【0035】
更に、固体撮像装置をカラー化する場合には、光を入射させる面にカラーフィルタを形成する工程が追加されうる。
【0036】
第2半導体基板108に形成された回路106によって記憶され又は処理された信号は、該回路106に接続された電極パッド107を通して取り出すことができる。電極パッド107からの信号の引き出しは、例えば、図1Fに示すように、電極パッド107が露出するように単結晶シリコン層104の一部(受光部105が形成された領域以外の不要な領域)を除去し、露出した電極パッド107にワイヤボンディングを行うことによりなされうる。或いは、図2に示すように、単結晶シリコン層104の表面側(分離面側)に電極パッド110を形成し、電極パッド110と電極パッド107とをプラグ109によって接続することにより、電極パッド110を介して信号を引き出すこともできる。
【0037】
以上のようにして作製されうる三次元構造の半導体装置は、受光部5が形成された第1半導体基板101(単結晶シリコン層104)の表面(第1面)側が第2半導体基板108の表面(第3面)側に接合され、第1半導体基板101の単結晶シリコン層104の裏面(第2面;多結晶シリコン層との界面)側が第1半導体基板101と第2半導体基板102との接合面の反対側(すなわち、光の入射面側)に配置される。
【0038】
一方、多孔質シリコン層102において分割された後の第1半導体基板101は、表面に残る多孔質シリコン層を除去後、表面研磨を行うことにより、その厚さを除けば、プロセス前の状態と同様の状態になるので、繰り返して使うことが可能であり、その分だけ製造コストが低減される。
【0039】
第2半導体基板としては、シリコン基板の他、例えば、ゲルマニウム(Ge)、砒化ガリウム(GaAs)、リン化ガリウム(GaP)、リン化インジウム(InP)、などの基板を採用してもよく、また、第1半導体基板と第2半導体基板とが異なる素材からなるものであれば、異種素材から成るデバイスを実現することができる。
【0040】
また、第1半導体基板は、ポーラス層の形成及びポーラス層上に単結晶層をできれば良いので、シリコン基板以外に、ゲルマニウム基板も使用できる。
【0041】
更に、多孔質層上に形成されるエピタキシャル層は、格子定数が近ければ、基板の結晶に制限されない。例えば、基板をシリコン基板とし、多孔質層上のエピタキシャル層をゲルマニウム層、または、シリコン・ゲルマニウム混晶層としたり、基板をゲルマニウム基板とし、エピタキシャル層を砒化ガリウム層としたりすることができる。
【0042】
二次元回路素子は、3層又はそれ以上積層されてもよい。以下、二次元回路素子を3層以上積層する方法の具体例を説明する。
【0043】
図1Eに示す工程で第1半導体基板101を多孔質層102、103を利用して分割した後に、図3に示すように、単結晶シリコン層104中の回路素子群105及び/又は第2半導体基板108中の回路素子群106と、単結晶シリコン層104上に積層すべき層中の回路素子群とを電気的に接続するための電気経路を形成した後に、単結晶シリコン層104上に電気接続の中継を行う配線層123を積層すればよい。電気経路は、例えば、単結晶シリコン層104中に、回路素子群105及び/又は回路素子群106と電気的に接続するためのプラグ121を形成し、必要に応じて単結晶シリコン層104の上面(第2面)を化学機械研磨(CMP)等により平坦化し、その上にプラグ121と電気的に接続された配線層123を形成することにより得ることができる。
【0044】
その後、配線層123が形成された面に、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層(単結晶シリコン層等の半導体層)に形成された第3の二次元回路素子131をフェイスダウンで接合し、第3半導体基板を多孔質層で分割する。これにより、3層の二次元回路素子を有する三次元半導体装置を得ることができる。
【0045】
同様の方法により、4層以上の二次元回路素子を有する三次元半導体装置を得ることができる。この場合において、図3におけるエピタキシャル層104と同様に、第3の二次元回路素子131を含むエピタキシャル層を平坦な状態として、その上に新たな層を積層すべきである。
【0046】
図3に示す例では、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層に形成された第3の二次元回路素子131をフェイスダウンで配線層121に接合しているが、図4に示すように、第3の二次元回路素子131を含むエピタキシャル層130をフェイスアップで配線層123に接合することも可能である。この場合には、第3半導体基板の多孔質層上のエピタキシャル層130に第3の二次元回路素子131を形成した面に、シリコンなどの支持基板を接着剤等で貼り付けた状態で、多孔質層の部分において第3半導体基板を剥離する。その剥離面を第2の二次元回路素子105を含むエピタキシャル層104の上面(第2面)側に形成されている配線層123に接合した後、支持基板を剥がして第3の二次元回路素子表面131を露出させ、下層に存在する配線層123にプラグ133によって電気的に接続することが好ましい。第3の二次元回路素子表面131を含むエピタキシャル層130上には、該当する回路素子に接続された電極パッドが形成されうる。
【0047】
更に、第3の二次元回路素子131の面に第4の二次元回路素子をフェイスダウンで接合してもよいし、その上に更に二次元回路素子を積層してもよい。
【0048】
また、上記の実施の形態では、第2の二次元回路素子105が形成された第2半導体基板108を分割していないが、第2半導体基板108の表面に多孔質層及びエピタキシャル層を順に形成し、そのエピタキシャル層に第2の二次元回路素子108を形成し、例えば、第2の二次元回路素子106に第1の二次元回路素子105を接合した後において第2半導体基板108を多孔質層を利用して分割することで、より薄い三次元半導体装置を得ることができる。
【0049】
本発明の好適な応用例に係る三次元構造の固体撮像装置によれば、最上層として、受光部層をフェイスダウンで積層し、接合面とは反対面から入射する構成とすることで、従来の固体撮像装置に比較して、開口率及び入射立体角を大幅に改善することができ、これにより、画素の高密度化を容易にすることができる。また、第2半導体基板側には、画素サイズ内であれば回路規模に制限がないので、画素毎のメモリの搭載や二次元並列信号処理回路などを配置することができ、イメージセンサを多機能化することができる。
【0050】
また、本発明の好適な実施の形態の製造方法によれば、第1半導体基板を第2半導体基板に接合する前に第1半導体基板を支持基板に接合する工程、及び、支持基板に接合した第1半導体基板を第2半導体基板に接合した後に、該支持基板を取り除く工程が不要であるので、製造工程が大幅に簡略化され、低コストで三次元半導体装置を製造することができる。
【0051】
【実施例】
[第1実施例]
本発明の第1実施例として、図1A〜図1Fを参照しながらCMOSイメージセンサ(固体撮像装置)の製造方法を説明する。
【0052】
まず、図1Aに示すように、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板101上に陽極化成法により2層の多孔質シリコン層102、103を形成する。この際、まず、多孔率の小さい多孔質層103を形成し、続いて、多孔率の大きい多孔質102を形成する。これにより、エピタキシャル成長前において基板の表面に存在する穴を塞ぐ工程を容易にするとともに、2枚の半導体基板を接合した後の単結晶シリコン基板101の分離を容易にすることができる。
【0053】
次に、高温水素アニール及びSiH4、SiCl4を原料ガスとするCVD法により、多孔質シリコン層の表面に存在する穴を塞いで下地である多孔質シリコン層103の表面に良好な結晶面を形成するとともに、図1Bに示すように、単結晶シリコン層104をエピタキシャル成長させる。
【0054】
エピタキシャル成長層104の厚さは、CMOSイメージセンサの個別の設計に依存するが、厚さは10μm以下程度である。
【0055】
続いて、図1Cに示すように、エピタキシャル層104に、通常の半導体プロセスを用いて、CMOSイメージセンサのセンサ部105を形成する。
【0056】
一方、第2半導体基板として、別の単結晶シリコン基板108の表面には、通常の半導体プロセスにより、CMOSイメージセンサのセンサ部105を構成する各素子を制御し、各素子から得られる画像信号を処理するために、各素子に1対1で対応する回路から成る回路部106及び電極パッド107を形成する。また、回路群106の周囲には、センサ部105を構成する各素子には対応せず、イメージセンサの制御・信号出力等に必要な周辺回路が形成される。そして、第2半導体基板108の表面に、図1Dに示すように、第1半導体基板101に形成されたCMOSイメージセンサのセンサ部105を第2半導体基板の表面に形成された回路群106にフェイスダウンで接合する。
【0057】
ここで、CMOSイメージセンサのセンサ部105の電極と制御・処理などを行なうための回路群106の対応する電極を直接接続するために、それぞれの電極を凸状に形成することが好ましい。また、CMOSイメージセンサのセンサ部105を透過した入射光が、回路群106で雑音源となることを避けるために、第1半導体基板101と第2半導体基板108との接合に先立って又は接合の際に、遮蔽膜111をセンサ部105の表面又は第2半導体基板108(回路群106)の表面に設けることが好ましい。
【0058】
次に、図1Eに示すように、細く絞った高圧水流(ウォータジェット)を接合した2枚の半導体基板の多孔質層102、103付近に打ち込むことにより、第1半導体基板101を多孔質層102、103の部分において分離或いは分割する。
【0059】
次いで、分離面に残った多孔質シリコンをエッチングにより除去した後、図1Fに示すように、電極パッド107の上部を単結晶シリコン層104から除去する。
【0060】
その後、カラーフィルタ及び/又は反射防止膜を形成し、各チップに分離する。
【0061】
本発明の好適な応用例に係る三次元構造の固体撮像装置によれば、最上層として、受光部層をフェイスダウンで積層し、接合面とは反対面から入射する構成とすることで、従来の固体撮像装置に比較して、開口率及び入射立体角を大幅に改善することができ、これにより、画素の高密度化を容易にすることができる。また、第2半導体基板側には、画素サイズ内であれば回路規模に制限がないので、画素毎のメモリの搭載や二次元並列信号処理回路などを配置することができ、イメージセンサを多機能化することができる。
【0062】
更に、上記のような固体撮像素子を含む集積回路として構成された半導体装置は、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルムービーカメラ等の電子カメラを含む画像処理装置、又は、そのような画像処理装置による処理結果に応じて動作する自立システム又は自立ロボットの構成部品として好適である。
【0063】
[第2実施例]
本発明の第2実施例として、RF(Radio Frequency)タグ(無線装置)の製造方法を説明する。この製造方法では、第1半導体基板としての単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層及びエピタキシャル層を順に形成し、該エピタキシャル層にメモリを形成する。また、別の工程で、第2半導体基板である単結晶シリコン基板に多孔質シリコン及びエピタキシャル層を順に形成し、該エピタキシャル層にRF回路を形成する。次いで、第1半導体基板に形成されたメモリと第2半導体基板に形成されたRF回路とをフェイスツウ フェイスで接合してRFタグを作製する。
【0064】
以下、図5A〜図5Eを参照しながら本発明の第2実施例としてのRF(Radio Frequency)タグ(無線装置)の製造方法を説明する。
【0065】
まず、第1実施例と同様の方法で第1半導体基板としての単結晶シリコン基板201上に多孔質シリコン層202、203及びエピタキシャル層204を形成し、エピタキシャル層204に回路素子群としてメモリ回路205を形成する。また、別の工程で、第1実施例と同様の方法で第2半導体基板としての単結晶シリコン基板208上に多孔質シリコン層222、223及びエピタキシャル層210を形成し、エピタキシャル層210に回路素子群としてRF回路206を形成する。
【0066】
次いで、図5Aに示すように、第1半導体基板201に形成されたメモリ回路205と第2半導体基板208に形成されたRF回路206とをフェイスツウ フェイスで接合する。この接合においてメモリ回路205の電極とRF回路206の対応する電極とが直接接続されるように、それぞれの電極を凸状に形成しておくことが好ましい。
【0067】
次いで、図5Bに示すように、細く絞った高圧水流(ウォータジェット)を接合した2枚の半導体基板における第1半導体基板201の多孔質層202、203付近に打ち込むことにより、第1半導体基板201を分割する。この際、細く絞った高圧水流の径は、多孔質層202、203の厚さに比べて非常に大きいので、第1半導体基板201のみを選択的に分割するためには、第1半導体基板201に形成される多孔質層202、203の歪を第2半導体基板208の多孔質層222、223の歪より大きくしておくことが好ましい。これは、例えば、第1半導体基板201に多孔質層を形成する際の電流密度を第2半導体基板208に多孔質層を形成する際よりも大きくすることにより実現されうる。第1半導体基板201の分割後、エピタキシャル層204上に残った多孔質層203をエッチングにより除去する。
【0068】
次いで、図5Cに示すように、フォトリソグラフィープロセスにより、RF回路素子206に接続されている電極パッド207の上部の不要なエピタキシャル層206を除去し、電極パッド207に接続された第1の取り出し電極226を形成する。その後、図5Dに示すように、第1の取り出し電極226側に支持基体(ハンドル基板)227を貼り付け、再び細く絞った高圧水流(ウォータジェット)により、第2半導体基板208を多孔質層222、223で分割し、エピタキシャル層208の下面に残った多孔質層223をエッチングによって除去する。次いで、図5Eに示すように、第2の取り出し電極228を形成する。
【0069】
ここで、図6に示すように、取り出し電極を一面に形成する構成であれば、裏面電極の形成は不要であり、多孔質層223の除去工程を省くことができる。
【0070】
最後に、上記のようにして形成された積層基板をチップ化する。ここで、積層基板は非常に薄いので、クリーブやレーザによるチップ化が可能であり、チップ化のための切りしろを大幅に狭くできるので、RFタグの収率を向上させることができる。
【0071】
以上の方法により、プロセスの整合性が悪いメモリ回路とロジック回路をそれぞれ最適なプロセスで形成した後に、メモリ回路とロジック回路を混載したRFタグを低コストで製造することができる。
【0072】
また、ウォータジェットで分離された第1、第2半導体基板は、表面の多孔質層を除去し、表面を研磨することにより再利用が可能であり、これにより製造コストが更に低減される。
【0073】
上記のようなRF回路を含む集積回路として構成された半導体装置は、例えば、携帯端末等の情報処理装置の構成部品として好適である。
【0074】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、三次元半導体装置の製造プロセスを簡略化することができ、また、簡略化された製造プロセスにより製造可能な三次元半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】、
【図1B】、
【図1C】、
【図1D】、
【図1E】、
【図1F】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
【図2】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図3】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図4】本発明の好適な実施の形態の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図5A】、
【図5B】、
【図5C】、
【図5D】、
【図5E】本発明の好適な実施例の三次元半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。
【図6】本発明の好適な実施例の三次元半導体装置の構成例を示す図である。
【図7A】、
【図7B】、
【図7C】、
【図7D】、
【図7E】、
【図7F】、
【図7G】特開平11−17107号公報に記載された三次元回路素子の製造方法を示す図である。
Claims (8)
- 第1部材及び第2部材を含む複数の部材を接合して形成された半導体装置であって、
前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合面側に第1面を有し、前記接合面の反対側に第2面を有し、
前記第2部材は、前記接合面側に第3面を有し、前記接合面の反対側に第4面を有し、
前記第1部材は、前記第1部材と前記第2部材との接合前に前記第1面に形成された第1回路素子群を含み、
前記第2部材は、前記接合前に前記第3面に形成された第2回路素子群を含み、
前記第1回路素子群と前記第2回路素子群とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1部材は、前記第2面に隣接した第1分離層を有する第1材料部材から前記第1分離層を利用して分離された部材であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2部材は、前記第4面に隣接した第2分離層を有する第2材料部材から前記第2分離層を利用して分離された部材であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1回路素子群及び前記第2回路素子群は、それぞれ凸状電極を含み、前記第1回路素子群の凸状電極と前記第2回路素子群の凸状電極とが接合されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1回路素子群の電極と前記第2回路素子群の電極とは、プラグを介することなく接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法であって、
第1面及び第2面を有する第1部材の前記第1面に第1回路素子群を形成する第1工程と、
第3面及び第4面を有する第2部材の前記第3面に第2回路素子群を形成する第2工程と、
前記第1部材の前記第1面側と前記第2部材の前記第3面側とを対面させて配置し、前記第1部材と前記第2部材との結合体を形成する第3工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程は、前記第1部材に第1分離層を形成する工程と、前記第1部材の前記第1分離層の上方に第1回路素子群を形成する工程とを含み、
前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第1部材を前記第1分離層において分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程は、前記第2部材に第2分離層を形成する工程と、前記第2部材の前記第2分離層の上方に第2回路素子群を形成する工程とを含み、
前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第2部材を前記第2分離層において分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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