JP4915107B2 - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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- 固体撮像素子が形成された第1半導体層と、
前記固体撮像素子を制御するロジック回路が形成されたもので前記第1半導体層と異なる結晶方位を有し、前記第1半導体層とは反対方向の内部応力を有する第2半導体層とを備え、
前記第1半導体層と前記第2半導体層とが前記第1半導体層と前記第2半導体層との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1半導体層は、前記第2半導体層と張り合わせられている側とは反対側の受光面側が除去加工されて薄膜化されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1半導体層は前記固体撮像素子が形成される面の結晶方位が(100)のシリコン層からなり、
前記第2半導体層は前記ロジック回路が形成される面の結晶方位が(110)のシリコン層からなる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とは、
前記第1半導体層に形成された前記固体撮像素子を被覆する第1層間絶縁膜に形成された第1電極と、
前記第2半導体層に形成された前記ロジック回路を被覆する第2層間絶縁膜に形成された第2電極との接合によって張り合わされている
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記第1電極および前記第2電極は銅からなる
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 第1半導体層に固体撮像素子を形成する工程と、
前記第1半導体層と異なる結晶方位を有し、前記第1半導体層とは反対方向の内部応力を有する第2半導体層に前記固体撮像素子を制御するロジック回路を形成する工程と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層の双方の内部応力を打ち消すように前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせる工程と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせた後、前記第1半導体層の前記第2半導体層が張り合わせられた側とは反対側の受光面側を除去加工して薄膜化する工程
を備えたことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1半導体層は前記固体撮像素子が形成される面の結晶方位が(100)のシリコン層からなり、
前記第2半導体層は前記ロジック回路が形成される面の結晶方位が(110)のシリコン層からなる
ことを特徴とする請求項6または7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像素子を形成する際に前記固体撮像素子を被覆する第1層間絶縁膜を形成するとともに該第1層間絶縁膜に第1電極を形成し、
前記ロジック回路を形成する際に前記ロジック回路を被覆する第2層間絶縁膜を形成するとともに該第2層間絶縁膜に第2電極を形成し、
前記第1電極と前記第2電極とを接合させることによって前記第1層間絶縁膜および前記第2層間絶縁膜を介して前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせる
ことを特徴とする請求項6〜8の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電極および前記第2電極を銅で形成する
ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。
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