JP2004354798A - 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004354798A JP2004354798A JP2003153751A JP2003153751A JP2004354798A JP 2004354798 A JP2004354798 A JP 2004354798A JP 2003153751 A JP2003153751 A JP 2003153751A JP 2003153751 A JP2003153751 A JP 2003153751A JP 2004354798 A JP2004354798 A JP 2004354798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- gate
- drain
- terminal
- gate terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】TFT基板100のゲート端子3及びドレイン端子を含む内部の表示領域を基板周辺の静電保護配線4及び静電保護素子19から切り離す際に、切断面に大気中で腐食しやすいゲート配線122が露出することが無いように、ゲート端子3及びドレイン端子近傍では耐腐食性のITOからなるゲート端子電極115を切断する構成とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ基板の端子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置の薄膜トランジスタ(TFT)基板では、製造工程中における基板内部の素子を静電気から保護するために、基板外周に静電保護用配線を設け、それに静電保護用トランジスタを介してゲート配線及びドレイン配線(または信号線)を接続する。この様子を示したものが図3である。
【0003】
図3に示すように、TFT基板100には横方向にゲート配線2、ゲート端子3が設けられ、基板の最外周には静電保護配線4が形成される。ゲート配線2はゲート端子3を通過し、ゲート配線22となって静電保護素子19を介して静電保護配線4に接続される。TFT基板100にはゲート配線2に直交してドレイン配線7が垂直方向に設けられる。ドレイン配線7もドレイン端子8を通過し、ドレイン配線27となって静電保護素子19を介して静電保護配線4に接続される。ゲート配線2とドレイン配線7とが交差する点に対応して薄膜トランジスタ10が設けられる。静電保護素子19は薄膜トランジスタ10と同じ構造のトランジスタにより構成する。
【0004】
図4(a)は、ゲート端子3、ゲート配線22、静電保護素子19及び静電保護配線4近傍の拡大平面図である。TFT基板200は、図の切断線I−Iに沿ってTFT基板100を切断する(ドレイン端子8側の基板も同様に切断する)ことにより得られる。従って、ゲート端子3と静電保護素子19との間のゲート配線22、ドレイン端子8と静電保護素子19との間のドレイン配線27は切断される。このときの様子を示したものが図4(b)である。図4(b)は図4(a)の切断線II−IIに沿った断面図であり、ゲート端子3、ゲート端子電極15、ゲート配線2、ゲート配線22及び表示領域の薄膜トランジスタ10を横断して切断したときの断面図である。同様に図5(a)は、ドレイン端子8、ドレイン配線27、静電保護素子19及び静電保護配線4近傍の拡大平面図であり、図5(b)は図5(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。なお、図4(a)(図5(a)も同様)では簡単のためゲート端子3、ゲート端子電極15、ゲート配線2、ゲート配線22を除く薄膜トランジスタ10等は模式的に示している。
【0005】
図4(a)、(b)及び図5(a)、(b)を参照してゲート端子3、ドレイン端子8近傍の構造を説明する。
【0006】
ゲート配線材料としてモリブデン単層を使用し、ゲート配線のフォトレジスト工程においては、透明基板1上にゲート配線2と共にゲート端子3、基板の最外周の静電保護配線4も形成する。この後、ゲート絶縁膜5を堆積させ、その上に半導体層6を形成し、さらに、モリブデン単層を使用してドレイン配線(ドレイン電極を含む)7、ドレイン端子8、ソース電極9を形成し、薄膜トランジスタ10、静電保護素子19を形成する。このとき同時に、ゲート配線2及びドレイン配線7は、それぞれ静電保護素子19を介して静電保護配線4に接続される。この後、保護膜を含む層間絶縁膜11、端子部のコンタクトホール12、13、ITOからなる画素電極(図示せず)と同時にゲート端子電極15、ドレイン端子電極16、さらにそれらを覆う配向膜17を形成する。最後に、静電保護配線4とゲート端子3及びドレイン端子8の間のゲート配線22及びドレイン配線27を切断して、TFT基板100周辺の静電保護配線4及び静電保護素子19をゲート端子3及びドレイン端子8を含むTFT基板200から切り離す。
【0007】
ゲート端子部にITOからなるゲート端子電極を設ける構造は特許文献1にも示されている。
【0008】
【特許文献1】
特開平6−95146号公報(段落番号0020,図4)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、静電保護配線4とゲート端子3及びドレイン端子8の間のゲート配線22及びドレイン配線27を切断すると切断面から大気中で腐食し易いモリブデンが露出してゲート配線22及びドレイン配線27の配線腐食が進行し易く、長時間使用すると断線の恐れがある。モリブデン以外には、Al単層、Mo/Al積層膜などは大気中で腐食し易い。特に、Mo/Al積層構造の場合、異種金属間の電池作用により腐食が速くなる。
【0010】
そこで本発明の目的は、静電保護配線から表示領域を切り離したときに、表示領域の切断面から配線腐食が進行しない薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜トランジスタ基板は、第1基板と、前記第1基板上に設けられ基板周辺にゲート端子を有するゲート配線と、前記ゲート配線を覆って前記第1基板上に設けられる第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ、前記ゲート配線と交差し、基板周辺にドレイン端子を有するドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆って前記第1絶縁膜上に設けた第2絶縁膜と、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子上の絶縁膜に設けたゲート端子開口及びドレイン端子開口を覆い、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在するそれぞれゲート端子電極及びドレイン端子電極とを備える薄膜トランジスタ基板であって、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を大気中において耐腐食性を示す材料により形成することを特徴とする。
【0012】
上記本発明の薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極は、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在させて前記第1基板上の最外周に設けられる最外周配線と接続させた状態から、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極の前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在する部分を切断することにより形成され、前記大気中において耐腐食性を示す材料が透明材料である場合は、前記透明材料はITO(Indium Titan Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)であり、前記大気中において耐腐食性を示す材料は高融点金属である場合は、前記高融点金属はCr,Ti,Nb,V,W,Ta,Zr,Hfのいずれかである。
【0013】
本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法は、第1基板上に基板周辺にゲート端子を有するゲート配線を形成するゲート配線形成工程と、
前記ゲート配線を覆って前記第1基板上に第1絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、
前記第1絶縁膜上に前記ゲート配線と交差し、基板周辺にドレイン端子を有するドレイン配線を形成するドレイン配線形成工程と、
前記ドレイン配線を覆って前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、
前記ゲート端子及び前記ドレイン端子上の絶縁膜にゲート端子開口及びドレイン端子開口を形成する端子開口形成工程と、
前記ゲート端子開口及び前記ドレイン端子開口を覆い、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在するそれぞれゲート端子電極及びドレイン端子電極を形成する端子電極形成工程とを備える薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を大気中において耐腐食性を示す材料により形成することを特徴とする。
【0014】
上記本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、前記ゲート配線形成工程又は前記ドレイン配線形成工程において、前記第1基板上の最外周に最外周配線を形成し、前記端子開口形成工程において、前記最外周配線上の絶縁膜に最外周配線開口を形成し、前記端子電極形成工程において、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在させて前記最外周配線開口を通して前記最外周配線と接続させ、前記端子電極形成工程の後に、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極の前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在する部分を切断する端子電極切断工程が続く。
【0015】
上記本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、前記大気中において耐腐食性を示す材料が透明材料である場合は、前記透明材料はITO(Indium Titan Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)であり、前記大気中において耐腐食性を示す材料が高融点金属である場合は、前記高融点金属はCr,Ti,Nb,V,W,Ta,Zr,Hfのいずれかである。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を図1(a)、(b)、図2(a)、(b)を参照して説明する。図1(a)は本実施形態による薄膜トランジスタ基板のゲート端子近傍の平面図である。図1(b)は、ゲート端子と静電保護素子との間のゲート配線を切断した後の様子を示すゲート端子近傍の拡大断面図である。図1(b)、図2(b)は、図1(a)、図2(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。TFT基板の回路構成は図3と同じであるので説明は省略する。
【0017】
ゲート配線材料として150〜300nmのアルミニウムと50〜200nmのモリブデンの積層膜を使用し、ゲート配線のフォトレジスト工程において、ゲート配線2と共にゲート端子3、TFT基板100の最外周の静電保護配線4も形成する。この場合ゲート配線2はゲート端子3に接続され、ゲート端子3からはさらにゲート配線122が延びるが一点鎖線で示す切断線I−Iの手前で途切れる。
【0018】
この後、300〜600nmの窒化膜からなるゲート絶縁膜5を堆積させ、その上に半導体層6を形成し、さらに、50〜200nmのモリブデンの単層を使用してドレイン配線(ドレイン電極を含む)7、ドレイン端子8、ソース電極9を形成し、薄膜トランジスタ10、静電保護素子19を形成する。
【0019】
このとき、ドレイン配線7はドレイン端子8に接続され、ドレイン端子8からはさらにドレイン配線127が延びるが、ゲート配線122と同様に切断線I−Iの手前で途切れる。この後、100〜250nmの窒化膜からなる層間絶縁膜11、端子部のコンタクトホール12、13、ITOからなる画素電極(図示せず)と同時にゲート端子電極115、ドレイン端子電極116を形成し、さらにこれらを覆う配向膜17を形成する。この段階で、ITOからなるゲート端子電極115及びドレイン端子電極116はそれぞれゲート端子3及びドレイン端子8を静電保護素子19に接続し、ゲート端子3及びドレイン端子8は静電保護素子19を介して静電保護配線4に接続されることになる。尚、図1(a)の平面図ではゲート端子電極115が取り出し部以外ではコンタクトホール12を覆い、ゲート端子3の内側に収まるように描いているが、ゲート端子電極115は少なくともコンタクトホール12を覆っている形状であれば良い。図2(a)の平面図に示すドレイン端子電極116についても同様である。
【0020】
最後に静電保護配線4とゲート端子3及びドレイン端子8の間のゲート端子電極115及びドレイン端子電極116を切断して、TFT基板100周辺の静電保護配線4及び静電保護素子19をゲート端子3及びドレイン端子8を含むTFT基板200から切り離す。
【0021】
以上のようにして得られるTFT基板200は、TFT基板200の切断面には大気中で腐食し易いモリブデンからなるゲート配線122及びドレイン配線127が保護膜10及び層間絶縁膜11により保護され、大気中で腐食が進行し難いITOからなるゲート端子電極115及びドレイン端子電極116が大気中に晒されることになる。従って、TFT基板200は大気中に晒してもその切断面から配線の腐食が進行し難く、非常に高い信頼性が得られる。
【0022】
本実施形態では、耐腐食性を示す材料としてITOを用いたが、透明材料としては他にIZO(Indium Zinc Oxide)を用いることができる。また、耐腐食性を示す材料として高融点金属を用いる場合は、Cr,Ti,Nb,V,W,Ta,Zr,Hfのいずれかを用いることができる。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように 本発明の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法によれば、TFT基板のゲート端子及びドレイン端子を含む内部の表示領域を基板周辺の静電保護配線及び静電保護素子から切り離す際に、ゲート端子及びドレイン端子近傍では耐腐食性のITOを切断する構成としたので、切断面に大気中で腐食しやすい配線材が露出することが無く、ゲート端子 配線及びドレイン端子配線の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施形態による薄膜トランジスタ基板のゲート端子近傍の平面図であり、(b)は(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。
【図2】(a)は本発明の実施形態による薄膜トランジスタ基板のドレイン端子近傍の平面図であり、(b)は(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。
【図3】薄膜トランジスタ基板の端子部近傍の配線を示す部分平面図である。
【図4】(a)は従来の薄膜トランジスタ基板のゲート端子近傍の平面図であり、(b)は(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。
【図5】(a)は従来の薄膜トランジスタ基板のドレイン端子近傍の平面図であり、(b)は(a)の切断線II−IIに沿った断面図である。
【符号の説明】
1 透明基板
2,22,122 ゲート配線
3 ゲート端子
4 静電保護配線
5 ゲート絶縁膜
6 半導体層
7,27,127 ドレイン配線(ドレイン電極を含む)
8 ドレイン端子
9 ソース電極
10 薄膜トランジスタ
11 層間絶縁膜
12,13 コンタクトホール
15,115 ゲート端子電極
16,116 ドレイン端子電極
17 配向膜
19 静電保護素子
100,200 TFT基板
Claims (12)
- 第1基板と、前記第1基板上に設けられ基板周辺にゲート端子を有するゲート配線と、前記ゲート配線を覆って前記第1基板上に設けられる第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ、前記ゲート配線と交差し、基板周辺にドレイン端子を有するドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆って前記第1絶縁膜上に設けた第2絶縁膜と、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子上の絶縁膜に設けたゲート端子開口及びドレイン端子開口を覆い、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在するそれぞれゲート端子電極及びドレイン端子電極とを備え、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を大気中において耐腐食性を示す材料により形成することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
- 前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極は、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在させて前記第1基板上の最外周に設けられる最外周配線と接続させた状態から、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極の前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在する部分を切断することにより形成される請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記大気中において耐腐食性を示す材料は透明材料である請求項1又は2記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記透明材料はITO(Indium Titan Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)である請求項3記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記大気中において耐腐食性を示す材料は高融点金属である請求項1又は2記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記高融点金属はCr,Ti,Nb,V,W,Ta,Zr,Hfのいずれかである請求項5記載の薄膜トランジスタ基板。
- 第1基板上に基板周辺にゲート端子を有するゲート配線を形成するゲート配線形成工程と、
前記ゲート配線を覆って前記第1基板上に第1絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、
前記第1絶縁膜上に前記ゲート配線と交差し、基板周辺にドレイン端子を有するドレイン配線を形成するドレイン配線形成工程と、
前記ドレイン配線を覆って前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、
前記ゲート端子及び前記ドレイン端子上の絶縁膜にゲート端子開口及びドレイン端子開口を形成する端子開口形成工程と、
前記ゲート端子開口及び前記ドレイン端子開口を覆い、前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在するそれぞれゲート端子電極及びドレイン端子電極を形成する端子電極形成工程とを備える薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を大気中において耐腐食性を示す材料により形成することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート配線形成工程又は前記ドレイン配線形成工程において、前記第1基板上の最外周に最外周配線を形成し、前記端子開口形成工程において、前記最外周配線上の絶縁膜に最外周配線開口を形成し、前記端子電極形成工程において、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極を前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在させて前記最外周配線開口を通して前記最外周配線と接続させ、前記端子電極形成工程の後に、前記ゲート端子電極及び前記ドレイン端子電極の前記ゲート端子及び前記ドレイン端子よりも外側に延在する部分を切断する端子電極切断工程が続く請求項7記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記大気中において耐腐食性を示す材料は透明材料である請求項7又は8記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記透明材料はITO(Indium Titan Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)である請求項9記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記大気中において耐腐食性を示す材料は高融点金属である請求項7又は8記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記高融点金属はCr,Ti,Nb,V,W,Ta,Zr,Hfのいずれかである請求項11記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003153751A JP2004354798A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
TW093115238A TWI283766B (en) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
CN200410046413XA CN1573483B (zh) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
US10/856,401 US20040238888A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
KR1020040038753A KR100708443B1 (ko) | 2003-05-30 | 2004-05-29 | 박막트랜지스터기판 및 그 제조방법 |
KR1020060114703A KR100721113B1 (ko) | 2003-05-30 | 2006-11-20 | 박막트랜지스터기판 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003153751A JP2004354798A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004354798A true JP2004354798A (ja) | 2004-12-16 |
Family
ID=33447838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003153751A Pending JP2004354798A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040238888A1 (ja) |
JP (1) | JP2004354798A (ja) |
KR (2) | KR100708443B1 (ja) |
CN (1) | CN1573483B (ja) |
TW (1) | TWI283766B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010152091A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ基板及び表示装置 |
WO2012043366A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP2019101128A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2019186845A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100647704B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치,유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 평판 디스플레이장치의 제조방법 |
CN101568950B (zh) * | 2006-12-22 | 2011-04-06 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板 |
CN101599496B (zh) * | 2008-06-06 | 2011-06-15 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板与薄膜晶体管母基板 |
CN103698952B (zh) | 2013-12-18 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
CN106057782A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-10-26 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | 半导体面板的防静电保护结构及提高可靠性的方法 |
TWI702453B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
CN113903783A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0657182A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-03-01 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 磁性塗料の製造方法 |
JPH08179351A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板 |
JP3315834B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2002-08-19 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
US6613650B1 (en) * | 1995-07-31 | 2003-09-02 | Hyundai Electronics America | Active matrix ESD protection and testing scheme |
CN1145839C (zh) * | 1995-10-03 | 2004-04-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜元件的制造方法 |
KR100238795B1 (ko) * | 1997-03-03 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 |
JP3819590B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2006-09-13 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示素子ならびに該素子を用いた液晶表示装置、および反射型液晶表示装置 |
JP2000029053A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3139549B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2001-03-05 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
KR20000066953A (ko) * | 1999-04-22 | 2000-11-15 | 김영환 | 액정 패널의 데이터 패드부 |
KR100767357B1 (ko) * | 2000-09-22 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP4646420B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびそれを用いた表示装置 |
TW492202B (en) * | 2001-06-05 | 2002-06-21 | South Epitaxy Corp | Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge |
KR100831280B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
TW538541B (en) * | 2002-05-15 | 2003-06-21 | Au Optronics Corp | Active matrix substrate of liquid crystal display device and the manufacturing method thereof |
-
2003
- 2003-05-30 JP JP2003153751A patent/JP2004354798A/ja active Pending
-
2004
- 2004-05-28 CN CN200410046413XA patent/CN1573483B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-28 US US10/856,401 patent/US20040238888A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-28 TW TW093115238A patent/TWI283766B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-29 KR KR1020040038753A patent/KR100708443B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-20 KR KR1020060114703A patent/KR100721113B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010152091A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ基板及び表示装置 |
WO2012043366A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP2019101128A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2019186845A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100708443B1 (ko) | 2007-04-18 |
TW200426445A (en) | 2004-12-01 |
KR20070003725A (ko) | 2007-01-05 |
CN1573483B (zh) | 2010-06-16 |
KR20040103474A (ko) | 2004-12-08 |
CN1573483A (zh) | 2005-02-02 |
US20040238888A1 (en) | 2004-12-02 |
TWI283766B (en) | 2007-07-11 |
KR100721113B1 (ko) | 2007-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100445286B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100721113B1 (ko) | 박막트랜지스터기판 | |
KR101272488B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 가지는 액정표시 패널과 이 액정 표시 패널의 제조방법 | |
JP5505757B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 | |
US8350266B2 (en) | Display substrate and method of fabricating the same | |
TW200812084A (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
JP2002043575A (ja) | アクティブマトリックス基板、表示装置、およびアクティブマトリックス基板の製造方法 | |
JPH1062818A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP2002258319A (ja) | 液晶表示装置 | |
CN102956550A (zh) | 制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板 | |
US20110221992A1 (en) | Array substrate for use in displays, and method of manufacturing the same | |
US6317174B1 (en) | TFT array substrate, liquid crystal display using TFT array substrate, and manufacturing method thereof | |
JP5200366B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法 | |
JP5900823B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004101976A (ja) | 薄膜回路基板 | |
KR101450884B1 (ko) | 평판표시장치 및 이의 제조 방법 | |
JPH11326941A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
TW200421467A (en) | Method of manufacturing IPS-LCD by using 4-mask process | |
US20090236604A1 (en) | Thin film transistor substrates and method of manufacturing the same | |
JP2937126B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 | |
JP2003156764A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法およびそれを備える液晶表示装置 | |
JPH07113726B2 (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 | |
US6462793B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100623820B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2001174794A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060317 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070126 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090915 |