JP2004343150A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の凹部212が形成されている第2の層間絶縁膜210の上に第1の導電性膜213を、第1の凹部212における第1の導電性膜213の内側に第2の凹部214が形成されるように堆積した後、第2の凹部214に保護膜215を埋め込み、その後、第1の凹部212の外側の第1の導電性膜213を除去して、第1の凹部212の壁面及び底部に第1の導電性膜213からなる下部電極216を形成する。
【選択図】 図9
Description
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置、具体的には、図1(a)〜(d)及び図2(a)〜(d)に示す方法を用いて製造された半導体装置について図面を参照しながら説明する。尚、第1の実施形態に係る半導体装置は、1トランジスタ・1キャパシタ型のメモリセルがマトリクス状に配置されたDRAMを対象としているが、本発明はこれに限られず、その他の半導体記憶装置、又はメモリとロジックとが混載された半導体装置に利用することができる。
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
11 第1の層間絶縁膜
12 コンタクトホール
12a リセス部
13 ポリシリコン膜
14 コバルト膜
15 コバルトシリサイド層
16 TiN膜
17 バリア層
18 プラグ
19 第2の層間絶縁膜
20 凹部
21 導電性膜
100 シリコン基板
101 STI
102 活性領域
103 ワードライン
104 第1の層間絶縁膜
105 第1の保護絶縁膜
106 プラグ
106a ポリシリコン膜
106b コバルトシリサイド層
106c バリア層
107 ビットラインコンタクト
108 ビットライン
109 第2の層間絶縁膜
110 第2の保護絶縁膜
111 キャパシタ
111a 下部電極
111b 容量絶縁膜
111c 上部電極
200 シリコン基板
201 第1の層間絶縁膜
202 第1の保護絶縁膜
203 コンタクトホール
203a リセス部
204 ポリシリコン膜
205 コバルト膜
206 コバルトシリサイド層
207 TiN膜
208 バリア層
209 プラグ
210 第2の層間絶縁膜
211 第2の保護絶縁膜
212 第1の凹部
213 第1の導電性膜
214 第2の凹部
215 保護膜
215a 部分保護膜
216 下部電極
217 容量絶縁膜
218 上部電極
219 キャパシタ
R0 折れ曲がり部
Claims (5)
- 半導体基板上に絶縁膜を堆積する第1の工程と、
前記絶縁膜に第1の凹部を形成する第2の工程と、
前記第1の凹部が形成されている前記絶縁膜の上に導電性膜を、前記第1の凹部における前記導電性膜の内側に第2の凹部が形成されるように堆積する第3の工程と、
前記第2の凹部に保護膜を埋め込む第4の工程と、
前記第1の凹部の外側の前記導電性膜を除去して、前記第1の凹部の壁面及び底部に、前記導電性膜からなる容量下部電極を形成する第5の工程と、
前記保護膜を除去して前記容量下部電極を露出させた後、該容量下部電極の上に容量絶縁膜及び容量上部電極を順次形成する第6の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記絶縁膜の上側にSiN膜又はSiAlN膜からなる保護絶縁膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性膜は白金膜からなり、
前記第3の工程は、前記導電性膜を堆積した後、該導電性膜に対して400〜750℃程度の熱処理を行なう工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第5の工程は、前記保護膜をマスクとして前記導電性膜に対してエッチングを行なって、前記第1の凹部の外側の前記導電性膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜は絶縁性を有しており、
前記第6の工程は、前記保護膜が前記容量下部電極の折れ曲がり部に残存するように、前記保護膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004257067A JP2004343150A (ja) | 1999-06-02 | 2004-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
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2004
- 2004-09-03 JP JP2004257067A patent/JP2004343150A/ja active Pending
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超LSIプロセスデータハンドブック, JPN6009002160, 15 April 1982 (1982-04-15), JP, pages 340 - 341, ISSN: 0001231150 * |
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