JP2004340973A - 接合工程のリアルタイムモニタリングシステム及びその方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 接合工程のリアルタイムモニタリングシステム及びその方法を提供する。
【解決手段】 試片に光線を照射する光源と、試片に熱を加える加熱装置と、試片の温度を検出する温度検出装置と、試片を通過した光線を検出して映像信号に変換する光線検出装置と、映像信号を受信して出力し、光源及び加熱装置を制御する信号を送信する制御装置と、を含むリアルタイムモニタリングシステム。
【選択図】 図2

Description

本発明は接合工程のモニタリングシステム及びその方法に係り、より詳細には接合工程をリアルタイムでモニタリングできるモニタリングシステム及びその方法に関する。
一般的に接合工程を行う場合、あらゆる工程が完了した後にX線や超音波顕微鏡などを利用して接合部位を検査する。この場合、リアルタイムで行う検査に比べて試片の検査が容易な利点があるが、あらゆる工程が終了した後に検査結果を得るため、不良が発生した場合に迅速に対処できず、工程実行中に不良発生の原因を除去することができない。このような問題点を解決するために工程過程をモニタリングする装置が要求される。
図1は、特許文献1に開示されたX線検査システムを含むBGA(Ball Grid Array)アセンブリを概略的に示す図面である。
図1を参照すれば、10は全体アセンブリシステムを示し、12は加熱手段、14は上部加熱板、16は下部加熱板、18はBGAパッケージ、20は回路ボード、22はX線チューブ、23はビームリミッター、24はX線、26は蛍光イメージング手段、28は出力イメージ、30はミラー、32はビデオカメラシステム、34はレンズ、36はエキステンダー、38はカメラボディ、40はビデオイメージ、42はビデオモニタを示す。
X線チューブ22から放出されたX線24は、ビームリミッター23により回路ボード20と接触しているBGAパッケージ18に焦点を合わせるように集光される。上部加熱板14を通過したX線24はBGAパッケージ18を加熱して回路ボード20に接合させる。回路ボード20を通過したX線24は、蛍光イメージング手段26を通過しながら蛍光体の電子を相異なるエネルギー状態に選択的に励起させることによって出力イメージ28を形成する。出力イメージ28は、ミラー30により反射されてレンズ34、エキステンダー36及びカメラボディ38よりなるビデオカメラシステム32を通過しながら拡大されてビデオイメージ40を形成した後、ビデオモニタ42に送信されてユーザーに表示される。
前記システム10では複数個の加熱板が必要なのでシステム10の構造が複雑であり、上部及び下部加熱板14、16の全面で熱損失が発生するため、接合部位のみ局所的に加熱されるシステムに比べて熱損失が多いという欠点がある。また、蛍光イメージング手段26の解像度が劣り、かつ不良有無の判断時に基準データがないために識別能が落ちる。
米国特許第6,009,145号明細書
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は前述した従来技術の問題点を改善するためのものであり、リアルタイムで接合状態をモニタリングできる高解像度モニタリングシステム及びその方法を提供することである。
前記技術的課題を達成するために本発明は、試片に光線を照射する光源と、前記試片に熱を加える加熱装置と、前記試片の温度を検出する温度検出装置と、前記試片を通過した光線を検出して映像信号に変換する光線検出装置と、前記映像信号を受信して出力し、前記光源及び加熱装置を制御する信号を送信する制御装置と、を含むことを特徴とするリアルタイムモニタリングシステムを提供する。
前記光源はX線または超音波を照射する。
前記加熱装置はレーザー、電熱線及び加熱板のうちいずれかである。
前記温度検出装置はパイロメータまたは熱電対である。前記光線検出装置は蛍光単一結晶板であり、前記制御装置はコンピュータである。ここで、リアルタイムモニタリングシステムは、前記試片と接合される基板を支持する支持台と、前記試片の周囲を覆い包む熱保存装置を具備することが望ましい。
前記技術的課題を達成するために本発明はまた、試片に光線を照射し、前記試片を加熱して基板に接合する第1段階と、前記試片を透過する光線を検出して映像化し、前記光線の強度及び前記試片の温度を検出して接合状態をモニタリングする第2段階と、を含むことを特徴とするリアルタイムモニタリング方法を提供する。
前記接合状態をモニタリングした後、前記光線の強度及び前記試片の温度を調節する第3段階をさらに含むことが望ましい。
前記光線はX線または超音波である。
前記第2段階は、前記光線の強度が標準強度未満であれば前記試片の温度を標準温度と比較し、前記光線の強度が標準強度以上であれば前記試片を外部に移動させて冷却させる段階と、前記試片の温度が標準温度未満であれば前記第1段階に戻り、前記試片の温度が標準温度以上であれば前記試片を外部に移動させて廃棄する段階と、を含む。
ここで、レーザー、電熱線及び加熱板のうちいずれかによって前記試片を加熱し、パイロメータまたは熱電対を利用して前記試片の温度を検出することが望ましい。
また、蛍光単一結晶板を利用して前記光線を検出し、コンピュータを利用して前記光線の強度及び試片の温度を調節することが望ましい。
また、前記試片と接合される基板を支持台によって支持し、熱保存装置によって前記試片の周囲を覆い包むことが望ましい。
本発明によると接合部位の選択的加熱が可能であるので、熱損失を最小化でき、イメージの解像度を向上させて試片接合時の不良発生率を最小化でき、かつリアルタイムでエラー発生原因のフィードバックが可能である。
すなわち、本発明のモニタリングシステム及びモニタリング方法を利用して接合の開始温度、位置、ソルダの形状変化を観察することによって最適の加熱条件、接合構造の最適化などを達成できる。
以下、本発明の実施形態によるリアルタイム接合工程モニタリングシステム及びモニタリング方法について、図面を参照して詳細に説明する。
図2は、本発明の第1実施例によるモニタリングシステムを概略的に示す構成図である。
図2を参照すれば、本発明の第1実施例によるモニタリングシステム50は、光源51、加熱装置52、温度検出装置63、光線検出装置59、制御装置62を具備する。モニタリングシステム50は前述した構成要素以外に基板57を支持する支持台64と、試片55が基板57に接合される状態を検出する第1及び第2CCD(Charge Coupled Device)カメラ53、61と、第1CCDカメラモニタ58と、光線検出装置59と第2CCDカメラ61間の光路上に配置されて光路を変化させるミラー60とをさらに具備する。
光源51は試片55に光線54を照射し、加熱装置52は基板57上にソルダ56を溶融させて試片55が基板57に接合されるように試片55に熱を加える。光線54はX線または超音波である。X線は接合しようとする試片55を非破壊的に透過するので接合部位の接合状態をリアルタイムでモニタリングするのに適している。加熱装置52としてはレーザー、電熱線、加熱板などを使用できる。
温度検出装置63は、試片55の温度を検知して試片55を基板57に接合させるために加える熱量を調節する。光線検出装置59は試片55、ソルダ56、基板57を通過する光線54を検出して光信号を映像信号に変換する。温度検出装置63としてはパイロメータまたは熱電対を利用でき、光線検出装置59としては光線54を2次元映像信号に変換させる蛍光単一結晶板を利用できる。
コンピュータ等の制御装置62は、前記映像信号を受信してユーザーが認識できるようにモニタ上に出力し、光源51及び加熱装置52を制御する制御信号を送信する。制御装置62は、温度検出装置63で受信される信号に応じて、光源51から出射される光線54の光強度及び加熱装置52から放出される熱量を調節する信号を出力する。
本発明のモニタリングシステム50は、光線(X線)54が試片55を透過する時の試片55内部の物質の状態、すなわち、物質の吸収係数によって試片55の光線透過率が変わる現象を利用して、試片55の接合状態を調べる。
図3は、本発明の第2実施例によるモニタリングシステム70を簡略に示す構成図である。図3を参照すれば、本発明の第2実施例によるモニタリングシステム70は、本発明の第1実施例によるモニタリングシステム50と同様に、光源71、加熱装置72、温度検出装置83、光線検出装置79、制御装置82を具備する。モニタリングシステム70は前述した構成要素以外に基板77を支持する支持台84と、試片75が基板77に接合される状態を検出する第1及び第2CCDカメラ73、81と、第1CCDカメラモニタ78と、光線検出装置79と第2CCDカメラ81間の光路上に配置されて光路を変化させるミラー80とをさらに具備する。
しかし、本発明の第2実施例によるモニタリングシステム70は、本発明の第1実施例によるモニタリングシステム50と異なり、熱保存装置85をさらに備える。熱保存装置85は、加熱装置72で発生した熱が試片55に均一に伝えられるように試片75の周囲を覆い包む温度保護膜であって、X線等の光線74を容易に透過する物質で構成される。
図4Aは、図3のモニタリングシステム70の熱保存装置85を実際に製作した写真であり、図4Bは、図3のモニタリングシステム70の光線検出装置79及び第2CCDカメラ81の写真である。
図5Aないし図5Dは、本発明の第2実施例によるモニタリングシステム70を利用して、LDチップC内に光ファイバーFを接合させる工程を実行し、加熱温度を高めつつリアルタイムで接合状態をモニタリングした写真である。図5Aは常温で、図5Bは278℃で、図5Cは300℃で、図5Dは315℃でLDチップCの内部状態変化をそれぞれ示す写真である。
図5Aを参照すると、グルーブG上に光ファイバーFが載置されている。図5Bを参照すると、加熱が進んでLDチップCの温度が278℃に到達し、ソルダS(図5Cを参照)が溶融されて光ファイバーFを基板上に接着させる工程が進んでいる。しかしながら、ソルダSがグルーブGの外部に現れていないので接着状態が良好であるということが分かる。
しかし、図5Cを参照すると、加熱温度が300℃に到達する際に、光ファイバーFの周辺で溶融されたソルダSがグルーブGを離脱して広がっていることが分かる。このような状態は図5Dでさらに進み、グルーブGの左右にソルダSがさらに広がって、結果的にLDチップCの接合状態が悪化していることが分かる。
図5Aないし図5Dに図示されたリアルタイムモニタリング写真から、LDチップCに光ファイバーFを接合させるのに最も適した温度は278℃以上300℃未満であることが分かり、この情報を活用してLDチップCの生産工程時に温度を制御することによって不良発生率を最小限にすることができる。
本発明のリアルタイムモニタリングシステムを利用すれば、接合工程の実行時、接合部位で気泡が生成されているか否かをリアルタイムでモニタリングできるので不良発生率を顕著に減少させることができる。図6A及び図6B、図7A及び図7Bはそれぞれ同じLDチップCの一部分を280℃で接合させる工程をリアルタイムでモニタリングした写真であって、図6A及び図7Aは気泡が比較的少なく形成された良好な状態を、図6B及び図7Bは気泡が比較的多く形成された不良状態を示す。
接合部位に微量の気泡がある場合、その部位の放射線の吸収係数は正常に接合された部位の吸収係数と異なり、これにより透過されるX線や超音波の量が減少する。これを光線検出装置を利用して検出して映像化させることによって接合部位の状態が把握できる。
図8は、本発明の実施例によるモニタリング方法を示すフローチャートである。本発明の実施例によるモニタリング方法を実行する前に、試片にアライン用マーカーを付してそのマーカーの位置をコンピュータに入力し、試片のアライン状態をモニタリング(図示せず)して参照データとして活用する。
図8を参照すると、まず、試片の内部状態の変化による映像信号を検出するために光線を照射し、試片を基板に接着すべく加熱した後(ステップS101)、試片を透過した光線を検出して映像化させる(ステップS103)。モニタに現れる映像から接合状態及びアライン状態をリアルタイムでモニタリングする。
次に検出された光線の強度を制御装置に保存された標準光線の強度と比較する(ステップS105)。検出光線の強度が標準光線の強度より弱ければ、検出温度と標準温度とを比較する(ステップS107)。検出温度が標準温度より低ければ、試片に光線を照射するステップS101に戻り、検出温度が標準温度以上であれば、不良が発生した状態であるためにアルゴリズムを終了して試片を廃棄する。ステップS105で検出光線の強度が標準光線の強度以上であれば、正常に接合された試片であるために、接合工程が完了した試片をモニタリングシステム外部に移動させて冷却させた後、アルゴリズムを終了する(ステップS109)。
前述した実施例を参照して本発明を具体的に詳述したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想に基づいて本発明の範囲が定められる。
本発明の典型的かつ好適な実施例を開示した図面及び実施例においては、特定の用語が用いられているが、これらの用語は単に一般的かつ描写的な意味で使われたものであり、特許請求の範囲によって定められる本発明の技術的思想を制限するために使われたものではない。
本発明は、リアルタイムで接合状態をモニタリングできる高解像度モニタリングシステム及びその方法に適用可能である。
特許文献1に開示されたX線検査システムを含むBGAアセンブリを概略的に示す図面である。 本発明の第1実施例によるモニタリングシステムを簡単に示す構成図である。 本発明の第2実施例によるモニタリングシステムを簡略に示す構成図である。 図3のモニタリングシステムの熱保存装置を示す写真である。 図3のモニタリングシステムの光線検出装置及び第2CCDカメラを示す写真である。 図3のモニタリングシステムを利用してリアルタイムで接合状態をモニタリングした写真である。 図3のモニタリングシステムを利用してリアルタイムで接合状態をモニタリングした写真である。 図3のモニタリングシステムを利用してリアルタイムで接合状態をモニタリングした写真である。 図3のモニタリングシステムを利用してリアルタイムで接合状態をモニタリングした写真である。 280℃での接合工程をリアルタイムでモニタリングした写真である。 280℃での接合工程をリアルタイムでモニタリングした写真である。 280℃での接合工程をリアルタイムでモニタリングした写真である。 280℃での接合工程をリアルタイムでモニタリングした写真である。 本発明の実施例による接合工程のリアルタイムモニタリング方法を示すフローチャートである。
符号の説明
50 モニタリングシステム
51 光源
52 加熱装置
53 第1CCDカメラ
54 光線
55 試片
56 ソルダ
57 基板
58 第1CCDカメラモニタ
59 光線検出装置
60 ミラー
61 第2CCDカメラ
62 制御装置
63 温度検出装置
64 支持台
85 熱保存装置

Claims (18)

  1. 試片に光線を照射する光源と、
    前記試片に熱を加える加熱装置と、
    前記試片の温度を検出する温度検出装置と、
    前記試片を通過した光線を検出して映像信号に変換する光線検出装置と、
    前記映像信号を受信して出力し、前記光源及び加熱装置を制御する信号を送信する制御装置と、を含むことを特徴とするリアルタイムモニタリングシステム。
  2. 前記光源はX線または超音波を照射することを特徴とする請求項1に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  3. 前記加熱装置はレーザー、電熱線及び加熱板のいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  4. 前記温度検出装置はパイロメータまたは熱電対であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  5. 前記光線検出装置は蛍光単一結晶板であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  6. 前記制御装置はコンピュータであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  7. 前記試片と接合される基板を支持する支持台を具備することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  8. 前記試片の周囲を覆い包む熱保存装置を具備することを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリングシステム。
  9. 試片に光線を照射し、前記試片を加熱して基板に接合する第1段階と、
    前記試片を透過する光線を検出して映像化し、前記光線の強度及び前記試片の温度を検出して接合状態をモニタリングする第2段階と、を含むことを特徴とするリアルタイムモニタリング方法。
  10. 前記接合状態をモニタリングした後、前記光線の強度及び前記試片の温度を調節する第3段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  11. 前記光線はX線または超音波であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  12. 前記第2段階は、
    前記光線の強度が標準強度未満であれば前記試片の温度を標準温度と比較し、前記光線の強度が標準強度以上であれば前記試片を外部に移動させて冷却させる段階と、
    前記試片の温度が標準温度未満であれば前記第1段階に戻り、前記試片の温度が標準温度以上であれば前記試片を外部に移動させて廃棄する段階と、を含むことを特徴とする請求項9ないし請求項11のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  13. レーザー、電熱線及び加熱板のいずれかによって、前記試片を加熱することを特徴とする請求項9ないし請求項12のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  14. パイロメータまたは熱電対によって、前記試片の温度を検出することを特徴とする請求項9ないし請求項13のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  15. 蛍光単一結晶板によって、前記光線を検出することを特徴とする請求項9ないし請求項14のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  16. コンピュータによって、前記光線の強度及び試片の温度を調節することを特徴とする請求項10に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  17. 支持台によって、前記試片と接合される基板を支持することを特徴とする請求項9ないし請求項16のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
  18. 熱保存装置によって、前記試片の周囲を覆い包むことを特徴とする請求項9ないし請求項17のいずれか一項に記載のリアルタイムモニタリング方法。
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