JP2004335899A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1およびドリフト層2、そして第1のゲート層3、並びにソース層4からなる炭化珪素基板に、ドリフト層2に達するようなトレンチ(溝)5を形成した後、このトレンチ5の内壁面にN型のチャネル層6を形成する。その後、このチャネル層6の表面にイオン注入法によってP型の第2のゲート層7を形成する。そして、この第2のゲート層7の表面に半導体膜TFを堆積形成した後、第2のゲート電極10aおよび10bを成膜し、この第2のゲート電極に対して所要の熱処理を施すことにより炭化珪素半導体装置を製造する。
【選択図】 図6
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、トレンチ(溝)構造を有する炭化珪素(SiC)半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の炭化珪素(SiC)半導体装置としては、例えば特許文献1に記載された半導体装置がある。この半導体装置は、例えばインバータのスイッチング素子等に用いられるものであり、図7に、この炭化珪素半導体装置の概略構造を模式的に示す。
【0003】
この炭化珪素半導体装置は、同図7に示されるように、N型の4H−SiC等、炭化珪素(SiC)からなる基板1の上に、N型のSiCよりなるドリフト層2と、P型のSiCよりなる第1のゲート層3と、N型のSiCよりなるソース層4とが順に積層形成されている。なお、大きくは、これら基板1およびドリフト層2、そして第1のゲート層3、並びにソース層4によって炭化珪素基板が形成されている。
【0004】
またこの装置には、上記ソース層4および第1のゲート層3とを貫通してドリフト層2に達するトレンチ(溝)5が形成されており、このトレンチ5の側壁面は上記ソース層4に対してほぼ垂直になっている。そして、上記トレンチ5の側壁部および底部には、N型のSiCよりなるチャネル層(N型の炭化珪素層)6が形成されるとともに、その表面に、P型のSiCよりなる第2のゲート層(P型の炭化珪素層)7が形成されている。なお、上記基板1およびソース層4は、上記ドリフト層2およびチャネル層6よりも高い濃度の不純物を有して形成されている。
【0005】
さらに、上記各層2〜4の露出した部分は例えばシリコン酸化膜等からなる絶縁膜8によって覆われており、この絶縁膜8を選択的にエッチング除去して形成されたコンタクトホール内、あるいは基板1の裏面に、当該半導体装置の駆動のために各種の配線と電気的に接続される各種の電極が形成されている。
【0006】
具体的には、ソース層4の上には例えばニッケル等からなるソース電極11、基板1の裏面(下面)には例えばニッケル等からなるドレイン電極12が全面に形成されている。他方、上記第2のゲート層7の上には、第2ゲート電極10aおよび10bが形成されており、上記第1のゲート層3の上には、ソース層4の一部を除去して第1のゲート層3を露出させた部分において、第1ゲート電極9aおよび9bが形成されている。より具体的には、第1および第2のゲート電極は、例えばアルミニウム等からなる電極9aおよび10aの上に、例えばニッケル等からなる電極9bおよび10bが積層されるかたちで形成されており、電極9aおよび10aは、電極9bおよび10bよりも薄い膜厚にて形成されている。なお、例えば電極接触面が十分に高い濃度の不純物を有するp型半導体で形成されている場合など、電極9bおよび10bと第1のゲート層3および第2のゲート層7との間にオーミック接触が形成される場合には、電極9aおよび10aは不要となる。
【0007】
次に、上記炭化珪素半導体装置の動作について説明する。
図7中の端子G1、G2およびS、Dは、それぞれ上記第1のゲート電極9aおよび9b、第2のゲート電極10aおよび10b、そしてソース電極11、ドレイン電極12に電気的に接続された端子である。具体的には、上記端子G1およびG2は、上記第1のゲート電極9aおよび9b、第2のゲート電極10aおよび10bを介して、上記第1のゲート層3および第2のゲート層7に電位を与えるための端子である。他方、上記端子Sはソース層4を、上記端子Dは上記基板1およびドリフト層2を介してチャネル層6と電気的に接続されており、上記端子Dから上記端子Sへ流れるドレイン電流は上記チャネル層6を通って流れることとなる。
【0008】
また、上記チャネル層6は、上記両ゲート層3および7との接合部における空乏層によりキャリアの通過することができる領域の幅(チャネル幅)が狭くなっている。そして、その膜厚は、上記端子Dおよび端子Sの間に順方向の電圧が印加されている状態においても、上記端子G1およびG2に電位(電荷)が与えられなければドレイン電流はほとんど流れないように設計されている。
【0009】
ここで、上記空乏層を形成しているP型の両ゲート層3および7とN型のチャネル層6との間に順方向の電圧を与えることにより、該空乏層を狭めることは可能である。すなわち、キャリアの通り道となるチャネル幅を広くすることができる。そして、この炭化珪素半導体装置では、上記端子DおよびS間に電圧が印加された状態で上記端子G1およびG2に電位(電荷)を与えることにより、上記端子Dから上記端子Sに流れるドレイン電流を制御することとなる。より具体的には、上記端子G1およびG2に与える電位(電荷)によって上記空乏層の幅を調整し、上記チャネル層6内においてキャリアの通過することができる領域の幅(チャネル幅)を変化させることによりドレイン電流の制御を行う。なお、上記端子G1およびG2間の電圧は、両ゲート層3および7とチャネル層6との間に電流が流れない領域で与えるものとする。
【0010】
以上のように、この炭化珪素半導体装置は、いわゆるノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタとして動作する。このようなノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタは、故障等によってゲート電極に電位(電荷)が印加されないような状態となった場合にはドレイン電流が流れないため、ノーマリオン型のものよりも高い安全性を確保することができる。
【0011】
【特許文献1】
特開2003−068981号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記炭化珪素半導体装置は通常、次のような方法によって製造されている。
【0013】
図8(a)および(b)、そして図9に、この炭化珪素半導体装置の製造方法についてその製造プロセスの一例を示す。なお、図8(a)は上記チャネル層6の内方にイオンを打ち込むことにより第2のゲート層7を形成する工程、図8(b)は上記第2のゲート層7の上に電極を形成する工程、図9は上記電極形成後の熱処理工程を示している。
【0014】
上記炭化珪素(SiC)からなる半導体装置では、不純物を導入して第1および第2導電型領域を形成する工程において、シリコンと比較して不純物拡散が格段に遅い。このため、シリコン等に不純物領域を形成する方法として用いられる熱拡散法では、半導体装置として適正に動作するために必要な不純物領域の幅(厚さ)を得ることは難しい。そこで、炭化珪素に不純物を導入する方法としては、高いエネルギーで不純物イオンを打ち込む方法が用いられている。そして、このような高いエネルギーでのイオン注入によれば、シリコンほどではないにしろ、上記半導体装置が適正に動作するために必要な不純物領域の幅(厚さ)は確保される。
【0015】
しかし、上記トレンチ構造を有する炭化珪素半導体装置において、該トレンチ5内部に形成された上記チャネル層6に対して、その側壁面に沿った方向から不純物イオンを打ち込むことにより上記第2のゲート層7を形成する場合、その不純物は、図8(a)中の領域aおよびbの部分に導入されることとなる。すなわち、イオン注入方向に垂直に対向する面には、深い(厚い)領域aにわたって不純物が導入されるが、トレンチ側壁部のようにイオン注入方向に沿った面には、狭い(薄い)領域bのみに不純物が導入される。なお前述のように、これら領域aおよびbは、可能な限り深く(厚く)形成され、上記半導体装置として動作するために必要な幅(厚さ)は保たれているものの、その幅(厚さ)は、例えば領域aで0.7μm、領域bで0.5μm以下と、極めて狭い(薄い)ものとなっている。
【0016】
このため、特にトレンチ側壁部で十分な不純物領域の幅が得られないままに、この第2のゲート層7の上に図8(b)に示される態様で上記電極10aおよび10bが形成され、その後工程として熱処理が施されると、図9中に領域DIF2として示される態様でそれら電極材料の拡散が進むことになる。このような電極材料の拡散により、トレンチ5側壁部の不純物領域の狭い(薄い)領域bにおいては、上記第2のゲート層7はさらに薄くなる。そして、このような電極材料の拡散がさらに進むと、ついには該第2のゲート層7は分離してしまう。このような第2のゲート層7はもはやその本来の機能を果せず、該第2のゲート層7と上記チャネル層6との間の空乏層が正常に形成されなかったり、リーク電流が増大したりする等の問題が生じることとなる。すなわち、このような半導体装置は、前述のようなノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタとして適正に動作することができなくなる。
【0017】
この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、イオン注入法によりトレンチ側壁部に炭化珪素からなる導電層を形成する場合であれ、その導電層としての機能を適正に維持可能とする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
こうした目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、炭化珪素基板にトレンチを形成した後、イオン注入法によって少なくともトレンチ側壁に炭化珪素からなる導電層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法として、前記形成された導電層の表面に適宜の半導体膜を堆積形成した後、電極となる金属膜を成膜し、この成膜した金属膜に対して熱処理を施すこととする。
【0019】
このような製造方法によれば、前記金属膜と前記導電層との間に介在する半導体膜が前記導電層の層厚を実質的に拡大するように作用することとなり、前記金属膜に対する熱処理に伴ってその金属膜の材料の拡散が進む場合であれ、該拡散によって前記導電層が必要以上に侵食されることを防ぐことができるようになる。
【0020】
なお、前記半導体膜としては、請求項2に記載のように、エピタキシャル成長によって形成された炭化珪素膜を用いることができる。この場合、この炭化珪素膜が堆積される下地基板も炭化珪素で形成されているため、この下地基板と前記炭化珪素膜との間で、ヤング率などの機械的性質および熱膨張係数、並びに格子定数等の差異が生じることはない。このため、前記半導体膜の成膜に伴う下地基板の歪みを最小限に抑えることができるようになる。
【0021】
また、前記半導体膜としては、請求項3に記載のように、CVDによって形成された珪素膜を用いることもできる。この珪素膜は、前記金属膜に対する熱処理により、その金属材料が拡散した領域において該金属材料と反応し、シリサイドを形成する。このシリサイドは、半導体分野において一般に知られているように、種々の電気的性質に優れ、安定な材料であることから、当該半導体装置そのものの電気的特性を好適に維持する上で有効である。
【0022】
なお、この珪素膜としては、請求項4に記載のように、その成膜時において多結晶珪素膜および非晶質(アモルファス)珪素膜のいずれかからなるものを用いることができる。一般に、単結晶珪素膜に比べて、多結晶珪素膜および非晶質珪素膜の成膜は容易である。このため該製造方法によれば、その成膜条件、例えば成膜時の温度や下地基板の種類などに関する制約も少なくなる。
【0023】
一方、前記半導体膜の膜厚についてはこれを、請求項5に記載のように、前記電極となる金属膜の熱処理に際して、該金属膜の材料が拡散する深さよりも薄く、且つ、同金属膜の材料が拡散する深さが少なくとも前記トレンチの側壁に形成された前記導電層の深さ未満となる膜厚に設定することが有効である。このような製造方法によれば、前記電極となる金属膜と前記導電層との間に良好なオーミック接触が得られ、当該製造対象となる半導体装置としての優れた電気的特性を実現することができるようになる。
【0024】
また一方、前記電極となる金属膜の熱処理についてもこれを、請求項6に記載のように、該熱処理によって前記金属膜の材料が拡散する深さが、前記半導体膜の膜厚を突き抜け、且つ、少なくとも前記トレンチの側壁に形成された導電層の深さ未満となるように、その温度および時間の少なくとも一方を制御することで、上述のように、前記電極となる金属膜と前記導電層との間に良好なオーミック接触を得ることができ、ひいては優れた電気的特性を実現することができるようになる。
【0025】
他方、前記電極となる金属膜の材料についてはこれを、請求項7に記載のように、タングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、タンタル、モリブデン、コバルト、白金のいずれか、およびそれらの合金、およびそれらのシリサイドのいずれかを採用することができる。これらの材料はいずれも、低抵抗かつ高融点の電極材料であり、このような材料を上記金属膜の材料として用いる当製造方法によれば、トランジスタ等を製造する工程で必要となる高温での熱処理プロセスにおいても、その電気的特性を維持することができるようになる。
【0026】
なおこの場合、特に請求項2または請求項3に記載のように、前記半導体膜として珪素膜を用いる場合には、それら材料のシリサイド化も容易である。
また、これらの製造方法は、請求項8に記載のように、前記炭化珪素基板として、第1導電型からなる基板上に、同じく第1導電型からなってより低濃度のドリフト層、および第2導電型からなる第1のゲート層、および第1導電型からなるソース層が順に積層されたものを用いるとともに、前記トレンチが、前記ソース層と前記第1のゲート層とを貫通して前記ドリフト層に達する深さにて形成されて且つ、このトレンチの内壁面に第1導電型の炭化珪素からなるチャネル層、および第2導電型の炭化珪素からなる第2のゲート層が順に積層されるとき、該第2のゲート層を、前記イオン注入法によって前記導電層として形成する炭化珪素半導体装置の製造に適用して特に有効である。
【0027】
前述のように、前記金属膜に対する熱処理に際し、第2のゲート層は、その前記トレンチ側壁部にある不純物領域の狭い(薄い)領域が金属材料の拡散によって侵食されて、その本来の機能が得られなくなる。そしてこれにより、前記第2のゲート層と前記チャネル層との間の空乏層が正常に形成されなかったり、リーク電流が増大したりする等の問題が生じ、トランジスタとして適正に動作することができなくなる。この点、上記製造方法によれば、イオン注入法によりトレンチ側璧部に第2のゲート層となる不純物領域を形成するとともに、その表面に電極を形成して熱処理を施す場合であれ、前記トレンチ側壁部における第2のゲート電極の幅(厚さ)は保たれ、ゲート層としての機能を適正に維持することができるようになる。
【0028】
【発明の実施の形態】
図1〜図6に、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法についてその一実施の形態を示す。なお、この実施の形態の製造方法において製造の対象とする炭化珪素半導体装置も、基本的には先の図7に例示した炭化珪素半導体装置と同様の構造を有している。すなわち、ここで製造の対象とする炭化珪素半導体装置も、トレンチ構造を有するいわゆるノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタであり、その動作態様も、先の図7を参照して前述したとおりである。
【0029】
以下、図1〜図6を参照して、この実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について詳述する。なお、これら各図において、先の図7に示した要素と同一の要素には各々同一の符号を付して示しており、それら要素についての重複する説明は割愛する。
【0030】
この製造に際しては、まず、図1(a)に示すように、例えば400μmの厚さを有する例えばN型(第1導電型)の4H−SiC等、炭化珪素からなる基板1の上に、連続エピタキシャル成長により、ドリフト層2および第1のゲート層3およびソース層4を順に積層形成する。
【0031】
具体的には、原料ガスに例えばSiH4およびC3H8等を、またN型(第1導電型)の不純物として例えばリンまたは窒素等を用いたCVD(化学気相成長)等により、上記基板1上に、例えば膜厚が10μmである上記ドリフト層2を形成する。次いで、原料ガスに例えばSiH4およびC3H8等を、またP型(第2導電型)の不純物として例えばアルミニウムまたはホウ素等を用いた、同じくCVD等により、上記ドリフト層2上に、例えば膜厚が2μm〜3μmである上記第1のゲート層3を形成する。さらに、この第1のゲート層3上に、原料ガスに例えばSiH4およびC3H8等を、またN型不純物として例えばリンまたは窒素等を用いた、同じくCVD等により、例えば膜厚が2μm〜3μmである上記ソース層4を形成する。
【0032】
この炭化珪素半導体装置にあっては前述のように、大きくは、これら基板1、ドリフト層2、第1のゲート層3、およびソース層4によって炭化珪素基板が構成される。
【0033】
次に、図1(b)に示すように、例えば反応ガスにフッ素系のガス等を用いたRIE(反応性イオンエッチング)等により、上記ソース層4および第1のゲート層3を貫通してドリフト層2に達する例えば深さが5μm〜7μmとなるトレンチ(溝)5を形成する。そしてその後、図2(a)に示すように、このトレンチ5の側壁部および底部に、原料ガスに例えばSiH4およびC3H8等を、またP型不純物として例えばリンまたは窒素等を用いたCVD等によるエピタキシャル成長により、例えば膜厚が1μm程度となるチャネル層(N型の炭化珪素層)6を形成する。ここで、このチャネル層6および上記ドリフト層2は、基板1およびソース層4よりも不純物濃度が低くなるように形成される。
【0034】
次に、上記トレンチ5の側壁部および底部に、該トレンチ5の側壁面に沿った方向からイオン注入を行って、アルミニウムまたはホウ素等のP型不純物を所定の深さにわたって導入する。この結果、図2(b)に示されるように、トレンチ5の内部も含めて、上記チャネル層6の表面全域に、第2のゲート層(P型の炭化珪素層)7が積層形成される。なお、この図2(b)に示される工程は、先の図8(a)に例示した工程に対応するものである。
【0035】
そして、この実施の形態においては、図3(a)に示すように、この第2のゲート層7の上に、原料ガスに例えばSiH4等を用いたCVDにより、多結晶珪素または非晶質(アモルファス)珪素からなる半導体膜TFを形成する。
【0036】
次に、図3(b)および図4(a)に示すように、例えば反応ガスにフッ素系のガス等を用いたRIE等により、上記半導体膜TFおよび第2のゲート層7およびチャネル層6、そしてソース層4を選択的に除去して、ソースコンタクト領域A1および第1ゲートコンタクト領域A2を順次形成する。
【0037】
さらに、図4(b)および図5(a)に示すように、例えば熱酸化等により絶縁膜8を形成し、次いで、反応ガスにHF等を用いたRIE等により、上記絶縁膜8を選択的に除去してコンタクトホールCHを形成する。
【0038】
その後、図5(b)に示すように、このコンタクトホールCHを介して各種の電極を形成する。具体的には、上記第1および第2のゲート層3および7、そしてソース層4に電気的に接続されるように、例えばCVD等により、第1のゲート電極9aおよび9b、また金属膜としての第2のゲート電極10aおよび10b、そしてソース電極11をそれぞれ形成する。また、基板1の裏面(下面)には、同じくCVD等により、ドレイン電極12を形成する。なお、これら各電極を形成する工程は、先の図8(b)に例示した工程に対応するものである。
【0039】
そして、これら各種の電極を形成した後に、例えば温度1000℃で10分間ほどの熱処理を行う。この電極形成後の熱処理は、先の図9に例示した工程に対応している。この熱処理に伴い、上記多結晶珪素または非晶質珪素からなる半導体膜TFの結晶化が進むとともに、イオン注入により形成された不純物領域である第2のゲート層は活性化され、上記各種の電極とのコンタクトも図られる。また、このようにして上記第2のゲート電極10aおよび10bに対して熱処理が施されると、これら電極材料の拡散は、図6中に領域DIF1として示される態様で進むことになる。
【0040】
ただし、この実施の形態においては上述のように、上記電極10aおよび10bと第2のゲート層7との間に上記半導体膜TFを形成しているために、こうした電極材料の拡散が上記チャネル層6まで達することはない。すなわち、トレンチ5の側壁部においても上記第2のゲート層7の幅(厚さ)は十分に確保されることとなり、該第2のゲート層7としての機能が損なわれることはない。
【0041】
ちなみにこの実施の形態において、上記半導体膜TFの膜厚についてはこれを、上記第2のゲート電極10aおよび10bの熱処理に際して、これら電極材料が拡散する深さよりも薄く、且つ、同電極材料が拡散する深さが少なくともトレンチ5の側壁に形成された第2のゲート層7の深さ未満となる膜厚に設定した。しかも、上記電極材料の拡散領域DIF1においては、電極10aおよび10bから拡散してきたアルミニウムおよびニッケルが、珪素(Si)原子を含む半導体膜TFおよび第2のゲート層7と反応して、高融点かつ低抵抗で、高温環境でも安定なシリサイドが形成されている。このため、このシリサイドを介して前記電極10aおよび10bと第2のゲート層7との間にオーミック接触が形成され、良好な電気的特性を得ることができるようになる。なお、上記電極10aの膜厚は薄いため、上記電極材料の拡散は10b(ニッケル)によるものが主であり、上記シリサイドは電極10bに基づくニッケルシリサイドが主となる。
【0042】
このようにして、先の図7に例示した炭化珪素半導体装置と基本的に同様の構造を有する半導体装置が製造される。しかも、この実施の形態にかかる上記製造方法の採用により、その製造された半導体装置としても、前述したノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタとしての適正な動作が保証されるようになる。
【0043】
以上説明したように、この実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置(接合形電界効果トランジスタ)の製造方法によれば、以下のような優れた効果が得られるようになる。
【0044】
(1)基板1およびドリフト層2、そして第1のゲート層3、並びにソース層4からなる炭化珪素基板に、前記ドリフト層2に達するようなトレンチ(溝)5を形成した後、該トレンチ5の内壁面にN型のチャネル層6を形成し、このチャネル層6の内方にイオン注入法によってP型の第2のゲート層7を形成した。そして、この第2のゲート層7の表面に半導体膜TFを堆積形成した後、第2のゲート電極10aおよび10bを成膜し、この第2のゲート電極に対して、第2のゲート層7とコンタクトをとるための熱処理を施すことにより炭化珪素半導体装置を製造するようにした。
【0045】
このため、上記第2のゲート電極10aおよび10bと第2のゲート層7との間に介在する半導体膜が導電層である第2のゲート層7の層厚を実質的に拡大するように作用する。このため、上記電極10aおよび10bに対する熱処理に伴ってこれら電極材料の拡散が進む場合であれ、該第2のゲート層7が必要以上に侵食されることを防ぐことができる。
【0046】
(2)また、上記製造方法では、斜め方向からのイオン注入などの特殊な工程を必要としないため、一般の半導体製造設備、並びに一般の半導体製造プロセスを用いて容易に上記効果を実現することができる。
【0047】
(3)上記半導体膜TFは珪素膜をCVDにて形成した。この珪素膜は、第2のゲート電極10aおよび10bに対する熱処理によりその電極材料が拡散した領域において、該電極材料と反応し、シリサイドを形成する。このシリサイドは、半導体分野において一般に知られているように、種々の電気的性質に優れ、安定な材料であるため、上記製造される炭化珪素半導体装置そのものの電気的特性を高く維持することができる。
【0048】
(4)また、この珪素膜はその下地となる第2のゲート層7の構成元素である珪素原子からなる。そのため、半導体膜TF自体の拡散に起因する第2のゲート層7内の点欠陥等の発生も抑制されるようになる。
【0049】
(5)そして、この珪素膜としては、その成膜時において多結晶珪素膜または非晶質珪素膜を用いた。珪素膜は半導体分野で使用されることが多い膜であり、既存の設備で形成することが可能であるため、炭化珪素膜よりも安価かつ容易に形成することができる。さらに、多結晶珪素膜および非晶質珪素膜の成膜は、単結晶珪素膜と比較して容易であり、その成膜条件、例えば成膜時の温度や下地基板の種類などに関する制約も少ない。
【0050】
(6)前記半導体膜TFの膜厚についてはこれを、前記第2のゲート電極10aおよび10bの熱処理に際して、これら電極材料が拡散する深さよりも薄く、且つ、同電極材料が拡散する深さが少なくとも前記トレンチ5の側壁に形成された前記第2のゲート層7の深さ未満となる膜厚に設定した。このような膜厚の設定により、第2のゲート電極10aおよび10bと第2のゲート層7との間に良好なオーミック接触が得られ、優れた電気的特性が実現される。
【0051】
(7)前記第2のゲート電極10aおよび10bを、アルミニウムおよびニッケルにより形成した。これらの材料は、低抵抗かつ高融点の電極材料でもあり、トランジスタ等を製造する工程で必要となる高温での熱処理プロセスにおいてもその電気的特性を維持することができる。
【0052】
(8)しかも、この第2のゲート電極10aおよび10bの下地には、前記珪素膜からなる半導体膜TFが用いられているため、これら電極材料のシリサイドを容易に形成することができる。シリサイドが種々の電気的性質に優れ、安定な材料であることは上述のとおりである。
【0053】
なお、本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は上記実施の形態に限られることなく、例えば以下の形態にて実施することもできる。
・上記実施の形態においては、第2のゲート電極10aおよび10bをアルミニウムおよびニッケルの2層構造として形成しているが、必ずしも2層である必要はなく、1層もしくは3層以上の構造を有する電極として形成することもできる。また、その電極自体の材料も金属であれば任意である。そして、この第2のゲート電極が、上記アルミニウムやニッケルも含めて、低抵抗かつ高融点であるタングステン、チタン、タンタル、モリブデン、コバルト、白金のいずれか、およびそれらの合金、およびそれらのシリサイドのいずれかからなる場合は、トランジスタ等の製造工程における高温での熱処理プロセスにおいてもその電気的特性は好適に維持される。なお、上記電極を2層以上で形成する場合は、これら材料の任意の組み合わせが採用可能であり、また上記第2のゲート電極に限らず、第1のゲート電極9aおよび9bや、ソース電極11およびドレイン電極12についても同様のことがいえる。
【0054】
・また、これら電極の形成方法も任意である。例えば、該電極がシリサイドからなる場合は、一般に半導体製造工程で使用されている周知の自己整合的シリサイド(サリサイド)工程を用いてそれら電極を形成することもできる。
【0055】
・上記実施の形態においては、半導体膜TFの膜厚を、第2のゲート電極10aおよび10bの熱処理に際して、これら電極材料が拡散する深さよりも薄く、且つ、同電極材料が拡散する深さが少なくともトレンチ5の側壁に形成された前記第2のゲート層7の深さ未満となる膜厚に設定した。これに代えて、前記電極10aおよび10bの熱処理に際しての温度や時間を制御するようにしてもよい。すなわち、該熱処理によってそれら電極材料が拡散する深さが、前記半導体膜TFの膜厚を突き抜け、且つ、前記トレンチ5の内壁面に形成された第2のゲート層7の深さ未満となるようにその温度および時間の少なくとも一方を制御する。このような製造方法によっても、第2のゲート電極10aおよび10bと第2のゲート層7との間には良好なオーミック接触が得られ、優れた電気的特性を実現することができる。
【0056】
・上記実施の形態においては、前記半導体膜TFに珪素膜用いているが、炭化珪素膜やその他の膜を用いても、第2のゲート電極10aおよび10bに対する熱処理に伴う上記電極材料の拡散により、第2のゲート層7が必要以上に侵食されることを防ぐことができる。また、珪素膜を用いる場合であれ、上記実施の形態のように、必ずしも成膜時に多結晶珪素膜あるいは非晶質珪素膜である必要はなく、単結晶珪素膜であったとしても同様の効果を得ることはできる。他方、上記半導体膜TFとして炭化珪素膜を用いる場合は、例えば原料ガスにSiH4およびC3H8等を用いたエピタキシャル成長によって形成する。そしてこの炭化珪素膜を用いる場合、上記第2のゲート電極に対する熱処理によりその電極材料が拡散した領域にシリサイドが形成される。またこの場合、その下地となる基板との間で熱膨張係数や格子定数等の差異が生じないため、前記半導体膜TFの成膜に伴う下地基板の歪みを最小限に抑えることができるようにもなる。
【0057】
・上記実施の形態においては、トレンチ5の底部および側壁部にチャネル層6を設けてその表面全域に第2のゲート層7を形成しているが、上記チャネル層6および第2のゲート層7はトレンチ5の側壁部のみに設けることで足りる。すなわち、極端な例ではあるが、マスク等を用いてトレンチ5の側壁部のみに上記チャネル層6設けるようにしてもよい。なお、このチャネル層6の膜厚、並びに成膜方法やエッチング方法は任意である。
【0058】
・また、ドリフト層2および第1のゲート層3、並びにソース層4および半導体膜TFの成膜方法やエッチング方法も任意である。さらには、トレンチ5の形成方法も任意であり、例えば、前述のRIEを用いずに、適宜のメタルマスクを用いたスパッタリング等により形成してもよい。
【0059】
・また、上記実施の形態においては、各膜厚についてこれを、基板1が400μm、ドリフト層2が10μm、第1のゲート層3が2μm〜3μm、ソース層4が2μm〜3μmであるとし、トレンチ5の深さについてはこれを5μm〜7μmとしている。しかし、これら各膜厚およびトレンチ5の深さは一例にすぎず、その値は、トレンチ5がソース層4および第1のゲート層3を貫通してドリフト層2に達するような範囲で任意である。また、基板1の結晶構造についても、必ずしも六方晶(4H−SiC)のものを用いる必要はない。
【0060】
・上記実施の形態においては、ノーマリオフ型の接合形電界効果トランジスタをその製造の対象としているが、本発明にかかる製造方法のおいて製造の対象となる炭化珪素半導体装置はこれに限らず任意である。すなわち、前記チャネル層6の幅を変化させることにより、ノーマリオン型の接合形電界効果トランジスタの製造に本発明を適用することもでき、また、設計次第では、その他の炭化珪素トランジスタやダイオード等の製造に本発明を適用することもできる。
【0061】
・上記実施の形態においては、第1導電型をn型、第2導電型をp型としたが、逆に、第1導電型をp型、第2導電型をn型としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(b)は、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図2】(a)〜(b)は、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図3】(a)〜(b)は、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図4】(a)〜(b)は、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図5】(a)〜(b)は、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図6】この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の一実施の形態についてその製造プロセスを示す断面図。
【図7】上記実施の形態の製造方法において製造の対象とする炭化珪素半導体装置の断面構造を示す断面図。
【図8】(a)〜(b)は、従来の炭化珪素半導体装置の製造方法についてその製造プロセス例を示す断面図。
【図9】従来の炭化珪素半導体装置の製造方法についてその製造プロセス例を示す断面図。
【符号の説明】
1…基板、2…ドリフト層、3…第1のゲート層、4…ソース層、5…トレンチ、6…チャネル層、7…第2のゲート層(導電層)、TF…半導体膜、9a、9b…第1のゲート電極、10a、10b…第2のゲート電極(金属膜)、11…ソース電極、12…ドレイン電極。
Claims (8)
- 炭化珪素基板にトレンチを形成した後、イオン注入法によって少なくともトレンチ側壁に炭化珪素からなる導電層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記形成された導電層の表面に適宜の半導体膜を堆積形成した後、電極となる金属膜を成膜し、この成膜した金属膜に対して熱処理を施す
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜が、エピタキシャル成長によって形成された炭化珪素膜からなる
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜が、CVDによって形成された珪素膜からなる
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記珪素膜が、その成膜時において多結晶珪素膜および非晶質珪素膜のいずれかからなる
請求項3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜の膜厚は、前記電極となる金属膜の熱処理に際して、該金属膜の材料が拡散する深さよりも薄く、且つ、同金属膜の材料が拡散する深さが少なくとも前記トレンチの側壁に形成された前記導電層の深さ未満となる膜厚に設定される
請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極となる金属膜の熱処理は、該熱処理によって前記金属膜の材料が拡散する深さが、前記半導体膜の膜厚を突き抜け、且つ、少なくとも前記トレンチの側壁に形成された導電層の深さ未満となるように、その温度および時間の少なくとも一方が制御される
請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記電極となる金属膜の材料が、タングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、タンタル、モリブデン、コバルト、白金のいずれか、およびそれらの合金、およびそれらのシリサイドのいずれかからなる
請求項1〜6のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素基板は、第1導電型からなる基板上に、同じく第1導電型からなってより低濃度のドリフト層、および第2導電型からなる第1のゲート層、および第1導電型からなるソース層が順に積層されてなるとともに、前記トレンチは、前記ソース層と前記第1のゲート層とを貫通して前記ドリフト層に達する深さにて形成されて且つ、このトレンチの内壁面に第1導電型の炭化珪素からなるチャネル層、および第2導電型の炭化珪素からなる第2のゲート層が順に積層されてなり、該第2のゲート層を、前記イオン注入法によって、前記導電層として形成する
請求項1〜7のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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