JP2004335285A

JP2004335285A - 電子放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2004335285A
Application number: JP2003129965A
Authority: JP
Inventors: Takao Yagi; 貴郎八木; Motohiro Toyoda; 基博豊田; Toshiki Shimamura; 敏規島村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-05-08
Filing date: 2003-05-08
Publication date: 2004-11-25
Also published as: WO2004100202A1; US20070111628A1

Abstract

【課題】保護膜を除去する際にエミッタ材料（カーボンナノチューブ等）が受けるダメージを低減する。
【解決手段】電子放出素子の製造工程として、繊維状のエミッタ材料となるカーボンナノチューブ１１を含むエミッタ層１０をカソード電極５上に形成する第１の工程と、エミッタ層１０上に保護膜２２を介して絶縁層６及びゲート電極７を形成する第２の工程と、エミッタ層１０上で絶縁層６及びゲート電極７にゲートホール８を形成する第３の工程と、ゲートホール８の形成によって露出した保護膜２２を弱酸のエッチング溶液で除去する第４の工程とを有する。
【選択図】図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子を放出する電子放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎ）と呼ばれ、これによって電子を放出するカソード（電子放出素子）は電界放出型カソード（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＣａｔｈｏｄｅ）と呼ばれている。近年では、ミクロンサイズの電界放出型カソードを、半導体加工技術を駆使して基板上に多数形成したフラットディスプレイ装置（平面型表示装置）としてＦＥＤ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）が注目されている。ＦＥＤは、電気的に選択（アドレッシング）されたエミッタから電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示するものである。
【０００３】
また最近では、電界放出型カソードの構成として、非常に鋭利な先端が無数に得られるカーボンナノチューブを用いたエミッタ構造が提案されている。一般にカーボンナノチューブは高いアスペクト比を有し、先端の曲率半径も非常に小さいため、高い発光効率を実現するエミッタ材料（電子放出源）として注目されている。
【０００４】
カーボンナノチューブは非常に細かい微粒子（粉末）であるため、カーボンナノチューブを用いてエミッタを形成する場合は、カーボンナノチューブを基板に固着する必要がある。一般に、カーボンナノチューブの固着には、銀ペーストやＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）溶液などのように導電性の高いバインダ材料が用いられる。具体的には、バインダ材料にカーボンナノチューブを混入してペースト状（又はスラリー状、あるいはインク状）とし、これを印刷法、スプレー法、ダイコーター法等の手法で基板の表面に塗布することにより、バインダ材料の接着性を利用して基板上にカーボンナノチューブを固着する。
【０００５】
ここで、カーボンナノチューブを含むペースト材料の塗布に関して、例えば下記特許文献１には、有機溶剤中に樹脂が溶解されているビヒクルとそのビヒクル中に分散された円筒状のグラファイトの層からなる複数のカーボンナノチューブとから導電性ペーストを構成すること、及び、この導電性ペーストを蛍光表示管の蛍光体層が形成されるアノード電極の形成に用いることが記載されている。
【０００６】
また、カーボンナノチューブを用いてエミッタを形成する手法に関して、例えば下記特許文献２には、絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、そのカソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を塗布してカーボン層を形成する工程と、乾燥したカーボン層に粘着テープを貼付した後、その粘着テープを剥離させてエミッタを形成する工程と、エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する工程とを有する電子放出源の製造方法が記載されている。
【０００７】
また、下記特許文献３には、支持体上にカソード電極を形成する工程と、支持体及びカソード電極上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に開口部を有するゲート電極を形成する工程と、ゲート電極に形成された開口部に連通する第２の開口部を絶縁層に形成する工程と、第２の開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に、金属薄膜又は有機金属化合物薄膜の形成によって炭素薄膜選択成長領域を形成する工程と、炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程とからなる冷陰極電界電子放出素子の製造方法が記載されている。
【０００８】
また、下記特許文献４には、支持体上にカソード電極を形成する工程と、カソード電極上を含む支持体上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、底部にカソード電極が露出した開口部を、少なくとも絶縁層に形成する工程と、導電性粒子及びバインダを含む導電性組成物からなる電子放出電極を、開口部の底部に露出したカソード電極上に形成する工程と、電子放出電極の表層部のバインダを除去することにより、電子放出電極の表面に導電性粒子を露出させる工程とを有する冷陰極電界電子放出素子の製造方法が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−６３７２６号公報（第２〜第３頁、第２図）
【特許文献２】
特開２００１−３５３６０号公報（第２頁、第４−５頁、第１−４図）
【特許文献３】
特開２００２−１９７９６５号公報（第２頁、第１８頁、第５図）
【特許文献４】
特開２００１−４３７９０号公報（第２頁、第７−１０頁、第１−９図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子放出素子の製造方法として、カソード電極上にカーボンナノチューブを用いてエミッタ層を形成し、このエミッタ層上に絶縁層及びゲート電極を形成してから、当該絶縁層及びゲート電極に孔開け加工してゲートホールを形成する場合は、絶縁層をエッチングで孔開け加工するときにエミッタ層が大きなダメージを受ける恐れがある。
【００１１】
この対策としては、絶縁層とエッチングの選択性をとりやすい材料を使ってエミッタ層の上に保護層（プロテクションレイヤー）を形成し、この保護膜の上に絶縁層を形成することで、孔開け加工によるエミッタ層のダメージを回避する方法も考えられる。
【００１２】
しかしながら、電子放出素子の製造工程においては、最終的にゲートホールの内部でエミッタ層の表面を露出させる必要があるため、保護層を除去することになる。この保護層の形成材料としては、絶縁層に多用されるＳｉＯ^２とのエッチング選択性を考慮してクロム（Ｃｒ）が使用される。そうした場合、ゲートホール内でエミッタ層上からクロムの保護層を除去するときに、例えば、硝酸セリウム第２アンモニウムや過塩素酸の混合酸などの強酸をエッチャントとして使用することが多い。そのため、保護層をエッチングで除去するときに、エミッタの表面が強酸の強い溶解作用によって浸食され、カーボンナノチューブが大きなダメージを受けやすいという不具合があった。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、保護膜を除去する際にエミッタ材料（カーボンナノチューブ等）が受けるダメージを低減することができる電子放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子放出素子の製造方法は、繊維状のエミッタ材料を含むエミッタ層をカソード電極上に形成する第１の工程と、エミッタ層上に保護膜を介して機能層を形成する第２の工程と、エミッタ層上で機能層に孔開け加工を施す第３の工程と、孔開け加工によって露出した保護膜を弱酸のエッチング溶液で除去する第４の工程とを有するものである。
【００１５】
この電子放出素子の製造方法においては、孔開け加工によって露出した保護膜をエッチングで除去する際に、強酸よりも溶解力が弱い弱酸のエッチング溶液を用いることで、エッチングによるエミッタ層の浸食を抑制しつつ、保護膜だけを確実に溶解除去できるようになる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明が適用される表示装置のパネル構造の一例を示す断面図であり、図２はその斜視図である。図１及び図２においては、カソードパネル（カソード基板）１とアノードパネル（アノード基板）２とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それらの基板１，２を枠体３によって一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００１８】
カソード基板１上には複数の電子放出素子が形成されている。これら複数の電子放出素子は、カソード基板１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出素子は、カソード基板１のベースとなる絶縁性の支持基板（例えば、ガラス基板）４と、この支持基板４上に積層状態で順に形成されたカソード電極５、絶縁層６及びゲート電極７と、ゲート電極７及び絶縁層６に形成されたゲートホール８と、このゲートホール８の底部に形成された電子放出部９とによって構成されている。
【００１９】
カソード電極５は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極７は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール８は、ゲート電極７に形成された第１の開口部８Ａと、この第１の開口部８Ａに連通する状態で絶縁層６に形成された第２の開口部８Ｂとから構成されている。電子放出部９は、主として繊維状のエミッタ材料とバインダ材料（マトリックス）とを含むエミッタ層１０によって形成されている。エミッタ層１０の表面には繊維状のエミッタ材料となる複数のカーボンナノチューブ１１が配置されている。各々のカーボンナノチューブ１１は、一端側がエミッタ層１０の表面から垂直に突出し、他端側はエミッタ層１０のバインダ材料中に埋め込まれた状態となっている。
【００２０】
カーボンナノチューブ１１は、グラフェンシートを丸めた１層又は多層の円筒状をなすもので、直径が０．７〜５０ｎｍ程度で、長さが数μｍの高いアスペクト比をもつ材料である。このカーボンナノチューブ１１は、非常に先鋭なエッジを有する材料であるから、これをエミッタ材料に用いることにより、電子放出特性に優れた電子放出素子を得ることができる。ただし、エミッタ材料として利用可能な微細な繊維状を有する物質であれば、カーボンナノチューブ１１以外のものをエミッタ材料に用いてもよい。
【００２１】
一方、アノード基板２は、ベースとなる透明基板１２と、この透明基板１２上に形成された蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４と、これら蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４を覆う状態で透明基板１２上に形成されたアノード電極１５とを備えて構成されている。蛍光体層１３は、赤色発光用の蛍光体層１３Ｒと、緑色発光用の蛍光体層１３Ｇと、青色発光用の蛍光体層１３Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス１４は、各色発光用の蛍光体層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの間に形成されている。アノード電極１５は、カソード基板１の電子放出素子と対向するように、アノード基板２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００２２】
これらのカソード基板１とアノード基板２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソード基板１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図１は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図１及び図２においては、各々の基板１，２間のギャップ部分に介装される耐圧用の支持体（スペーサ）の表示を省略している。
【００２３】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極５に相対的な負電圧がカソード電極制御回路１８から印加され、ゲート電極７には相対的な正電圧がゲート電極制御回路１９から印加され、アノード電極１５にはゲート電極７よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極５にカソード電極制御回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極５にカソード電極制御回路１８からビデオ信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９から走査信号を入力する。
【００２４】
これにより、カソード電極５とゲート電極７との間に電圧が印加され、これによって電子放出部９の先鋭部（カーボンナノチューブ１１の先端部）に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出部９から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極１５に引き付けられてアノード基板２側に移動し、透明基板１２上の蛍光体層１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層１３が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【００２５】
続いて、本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造方法の具体例について、図３〜図５を用いて説明する。
【００２６】
先ず、図３（Ａ）に示すように、カソード基板１のベースとなる支持基板４上にカソード電極形成用の導電材料を用いてカソード電極（導電層）５を形成する。このカソード電極５は、例えばスパッタリング法により形成される厚さ約０．２μｍのクロム層によって形成される。
【００２７】
次に、支持基板４の全面に例えばスパッタリング法によりＳｉＣＮ膜を成膜することにより、図３（Ｂ）に示すように、カソード電極５を覆う状態でＳｉＣＮ膜からなる厚さ約０．２μｍの抵抗層２１を形成する。この抵抗層２１は、エミッタへの放電電流が大きくなった場合に、抵抗による電圧降下の増大によってエミッタに作用する実効電圧を減少させ、逆にエミッタへの放電電流が小さくなった場合はエミッタに作用する実効電圧を増加させることにより、放電電流を安定化させる役目を果たすものである。抵抗層２１は必要に応じて形成される。
【００２８】
次に、抵抗層２１の上（抵抗層２１を形成しない場合はカソード電極５の上）に、エミッタ材料となるカーボンナノチューブ１１を配置するための処理を行う。具体的には、バインダ材料として熱分解性有機金属である有機スズ及び有機インジウムを用いるとともに、エミッタ材料としてカーボンナノチューブの粉末を用い、これらを以下の条件で揮発性溶液、例えば酢酸ブチル中に分散させた混合溶液を得る。その際、カーボンナノチューブの分散性を向上させるために超音波処理を行ってもよい。希釈剤は水系でも非水系でもかまわないが、どちらを使用するかによって分散剤も変わることを前提とする。また、他の添加剤を混ぜることも可能である。カーボンナノチューブは、例えば平均直径１ｎｍ、平均長さ１μｍといった非常に細長いチューブ構造（繊維状）を有するもので、例えばアーム放電法によって作成される。
【００２９】
（混合溶液の生成条件）
有機スズ及び有機インジウム：１０〜５０質量％
酢酸ブチル：３０〜８０質量％
分散剤（例えば、ドデチル硫酸ナトリウム）：０．１〜５質量％
カーボンナノチューブ：０．０１〜２０質量％
フィラー（シリカ）：１〜８０質量％
【００３０】
なお、エミッタ材料としては、カーボンナノチューブ以外にも、カーボンナノファイバを用いることが可能である。また、バインダ材料としては、上述した熱分解性有機金属以外にも、例えば塩化スズ、塩化インジウムなどの金属塩を用いることが可能である。
【００３１】
続いて、上記の混合溶液をスプレー法等により支持基板４上に塗布することにより、図３（Ｃ）に示すように、複数（多数）のカーボンナノチューブとバインダ材料とを含むエミッタ層１０を形成する。このとき、常温よりも高い温度、例えば５０℃の比較的な高温な雰囲気中でスプレーする、いわゆるドライスプレー法を採用することにより、支持基板４上でエミッタ層１０が瞬時に乾燥した状態となる。したがって、特に、乾燥ための処理（例えば、加熱処理、送風処理など）を行わなくても次工程に移行することができる。
【００３２】
なお、エミッタ層１０については印刷法を用いて形成することも可能である。印刷法を用いた場合は、エミッタ層１０の形成材料となるペーストが適度な粘性を有するため、上記ドライスプレー法を用いた場合と同様に、乾燥のための処理を行わなくても次工程に移行することができる。ただし、印刷法で低粘度の塗布材料を用いる場合やウェットスプレー法を用いる場合は、乾燥のための処理を行ったり、エミッタ層１０の表面が乾燥するのを待ってから次工程に移行することが望ましい。
【００３３】
続いて、図３（Ｄ）に示すように、エミッタ層１０の上に保護膜２２を形成する。この保護膜２２は、エミッタ層１０の上に形成される機能層にエッチングによって孔開け加工を施すときに、エッチングによる浸食からエミッタ層１０を保護する、いわゆるエッチングストップ層として設けられるものである。ここでは機能層として絶縁層６を形成することとする。保護膜２２の成膜方法としては、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法などを用いることができる。塗布法ではゾルゲル溶液を用いた塗布を採用することができる。
【００３４】
また、保護膜２２は、弱酸のエッチング溶液を用いて溶解、除去できる材料によって形成する。具体的には、例えば、チタン、マグネシウム、銅、亜鉛、モリブデン、ニッケル、コバルト、鉄、インジウム、スズ、又はこれらの合金、またはこれらの酸化膜、あるいはＩＴＯによって保護膜２２を形成する。特に、金属酸化膜（例えば、ＭｇＯ）で保護膜２２を形成した場合は、後述する弱酸のエッチング溶液を用いて保護膜２２を除去するときの加工性（解像度）が良好なものとなる。
【００３５】
その後、上記エミッタ層１０を以下の条件で焼成する。これにより、有機成分の蒸発によってバインダ材料の中にカーボンナノチューブが埋め込まれた状態の固体化したエミッタ層１０が得られる。なお、エミッタ層１０の上に塗布法によって保護膜２２を形成した場合は、エミッタ層１０と保護膜２２を同時に焼成する。
【００３６】
（焼成条件）
雰囲気：大気中
焼成温度：５００℃
焼成時間：３０分
【００３７】
次いで、周知のリソグラフィ技術やウェットエッチング、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）等のドライエッチングを適宜用いて、保護膜２２、エミッタ層１０、抵抗層２１及びカソード電極５をパターニングすることにより、図３（Ｅ）に示すように、支持基板４上で保護膜２２、エミッタ層１０、抵抗層２１及びカソード電極５をストライプ状に形成する。
【００３８】
次に、図３（Ｆ）に示すように、支持基板４上において、カソード電極５、抵抗層２１、エミッタ層１０及び保護膜２２の積層部を覆うように絶縁層６を形成する。具体的には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスとして使用するＣＶＤ法により、支持基板４の全面に例えばＳｉＯ_２からなる厚さ約１μｍの絶縁層６を形成する。
【００３９】
次いで、図４（Ａ）に示すように、支持基板４上において、絶縁層６の上にゲート電極形成用の導電材料を用いてゲート電極（導電層）７を形成する。具体的には、絶縁層６の上にクロム層からなるゲート電極７をスパッタリング法によって形成する。
【００４０】
次に、ゲート電極７の上に図示しないエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いてゲート電極７の所定部位をエッチングすることにより、図４（Ｂ）に示すように、絶縁層６上でゲート電極７をストライプ状に形成するとともに、このゲート電極７を貫通する第１の開口部８Ａを形成する。
【００４１】
次に、ゲート電極７の第１の開口部８Ａを通して絶縁層６を例えばＲＩＥ法でエッチング（孔開け加工）することにより、図４（Ｃ）に示すように、保護膜２２の表面が露出するように絶縁層６に第２の開口部８Ｂを形成する。エッチングによる孔開け加工では、エミッタ層１０の表面が保護層２２によって保護される。これにより、エミッタ層１０の上層に位置するゲート電極７及び絶縁層６には、第１の開口部８Ａ及び第２の開口部８Ｂからなるゲートホール８が形成される。このゲートホール８は、例えば直径２０μｍの円形に形成される。また、ゲートホール８は、１画素当たり複数個（例えば、数十個）形成される。
【００４２】
次に、ゲートホール８を通して保護膜２２をエッチングで除去することにより、図５（Ａ）に示すように、ゲートホール８の底部でエミッタ層１０の表面を露出させる。このとき、弱酸のエッチング溶液を用いて保護膜２２をエッチング（ウェットエッチング）することにより、エミッタ層１０の浸食を抑制することができる。すなわち、弱酸のエッチング溶液を用いた場合は、強酸のエッチング溶液を用いた場合よりも化学的な溶解作用が弱くなる。そのため、エミッタ層１０の浸食を有効に抑制しつつ、保護膜２２だけを確実に溶解除去することができる。よって、保護膜２２のエッチング除去に伴うカーボンナノチューブ１１のダメージを低減することができる。
【００４３】
上記エッチング溶液に用いられる弱酸は、硝酸、塩酸、硫酸及び酢酸のうちの１種又は複数種を含むものとする。このうち、弱酸に硝酸を用いた場合は、エッチング溶液中の硝酸の濃度を５０質量％以下とし、弱酸に塩酸を用いた場合は、エッチング溶液中の塩酸の濃度を４０質量％以下する。また、弱酸に硫酸を用いた場合は、エッチング溶液中の硫酸の濃度を４０質量％以下とし、弱酸に酢酸を用いた場合も、エッチング溶液中の酢酸の濃度を４０質量％以下とする。ちなみに、本発明者の実験では、ＭｇＯで成膜された保護膜２２を、硝酸濃度が１３質量％のエッチング溶液を用いて適切に除去できることが確認されている。
【００４４】
次いで、エミッタ層１０の上層部のバインダ材料（マトリックス）を除去することにより、図５（Ｂ）に示すように、ゲートホール８の底部でエミッタ層１０の表面にカーボンナノチューブ１１を露出させる。エミッタ層１０の上層部でバインダ材料を除去する際の手法としては、ウェットエッチングやドライエッチングなどのエッチング法（ハーフエッチング）を好ましく用いることができる。一例として、ウェットエッチングを適用する場合の条件を以下に示す。
【００４５】
（ウェットエッチング条件）
エッチング液：ＨＣｌ１０％
エッチング温度：１０〜６０℃
エッチング時間：５〜６０秒
【００４６】
その後、図５（Ｃ）に示すように、エミッタ層１０の表面で各々のカーボンナノチューブ１１が一様にほぼ垂直に起立するように、カーボンナノチューブ１１の配向処理を行う。具体的には、例えば支持基板４上で図示しない粘着テープをゲート電極７の上から貼り付けた後、粘着テープを引き剥がすことにより、支持基板４に対してカーボンナノチューブ１１をほぼ垂直に配向させる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、孔開け加工によって露出した保護膜を弱酸のエッチング溶液で除去することにより、エミッタ層に含まれるエミッタ材料のダメージを低減することができる。これにより、電子放出特性に優れた電子放出素子を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される表示装置のパネル構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明が適用される表示装置のパネル構造の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造方法の具体例を示す工程図（その１）である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造方法の具体例を示す工程図（その２）である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造方法の具体例を示す工程図（その３）である。
【符号の説明】
１…カソード基板、２…アノード基板、４…支持基板、５…カソード電極、６…絶縁層、７…ゲート電極、８…ゲートホール、９…電子放出部、１０…エミッタ層、１１…カーボンナノチューブ（エミッタ材料）、２２…保護膜

Claims

繊維状のエミッタ材料を含むエミッタ層をカソード電極上に形成する第１の工程と、
前記エミッタ層上に保護膜を介して機能層を形成する第２の工程と、
前記エミッタ層上で前記機能層に孔開け加工を施す第３の工程と、
前記孔開け加工によって露出した前記保護膜を弱酸のエッチング溶液で除去する第４の工程と
を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
前記弱酸は、硝酸、塩酸、硫酸及び酢酸のうちの１種又は複数種を含む
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
電子放出素子の製造工程として、
繊維状のエミッタ材料を含むエミッタ層をカソード電極上に形成する第１の工程と、
前記エミッタ層上に保護膜を介して機能層を形成する第２の工程と、
前記エミッタ層上で前記機能層に孔開け加工を施す第３の工程と、
前記孔開け加工によって露出した前記保護膜を弱酸のエッチング溶液で除去する第４の工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。