JP2004300517A - 低磁場の励磁特性に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】質量%で、C<0.005%、Si<1.5%、Al<1%、Mn<1%、P<0.2%、0.001%<S<0.006%、0.06%<Cu<0.5%、Ti<0.003%、さらに必要に応じてV<0.005%を含有し、残部Feおよび不可避的成分を含有することを特徴とする、歪取焼鈍後において低磁場の励磁特性B1 に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気産業分野での小型トランスのコアに使用される無方向性電磁鋼板に関する。特に、蛍光灯安定器などの小型トランスにとって重要な、低磁場での励磁特性を改善する無方向性電磁鋼板を提供する。
【0002】
【従来の技術】
無方向性電磁鋼板は、主に電動機コアに用いられるが、一部は蛍光灯の安定器などの小型トランスにも使用される。この安定器用小型トランスには、スイッチON時の電磁誘導作用で生じる高い電圧が求められるため、電磁鋼板には低磁場での高い透磁率が必要である。この透磁率の指標として、磁化力100A/mでの磁束密度B1 で代表されることが多い。低磁場透磁率は鋼板内部応力が悪影響することから、小型トランスの形状に打ち抜いた後に通常、歪取焼鈍が実施される。
【0003】
また、歪取焼鈍を高温熟熱にすれば鋼板の結晶粒が粗大化し、磁束密度B1 が改善されることは知られていたが、顧客のエネルギーコスト削減から歪取焼鈍の高温化は実施されず、むしろ例えば従来の750℃での2h均熱程度から700℃での2h均熱程度へと低温化される傾向である。この低温化に伴って磁束密度B1 が著しく劣化する問題が、特にCuを含有する成分系で存在することが分かったが、現在まで解決されなかった。なお、Cuは鉄リサイクルに伴って溶鋼中で増加する元素であるため、Cuを有効活用することは現代の課題である。
【0004】
従来のCu含有技術として、例えば特許文献1で、Cu+Snによる表面疵の問題をNi+Crの複合含有により解決した無方向性電磁鋼板が知られている。しかしながらこの公知技術では、Tiに関する知見が不充分で低磁場での満足すべき特性は得られなかった。
特許文献2でも、Cuを含有し、なおかつ高温での熱延板焼鈍により高磁場B50を改善しているが、これもCuの析出分散相に及ぼすTiの影響が不明確で、小型トランスで重要となる低磁場特性が不満であった。
【0005】
また特許文献3でも、Cuを含有し、表面性状に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法が開示されているが、これもCuの析出分散相に及ぼすTiの影響が不明確で、小型トランスで重要となる低磁場特性が不満であった。
またTi量を規制した、例えば特許文献4では、特にB量を制御することで優れた高磁場特性B100 を得ている。しかしながら、これもCuの析出分散相に及ぼすTiの効果が不明確で、低磁場特性が不満であった。
【0006】
低磁場磁気特性改善技術としては、特許文献5や特許文献6が知られている。
特許文献5では、低磁場特性は磁壁移動に支配され、この磁壁移動は磁壁厚みに相当する数十nmサイズの微細なCuSに妨げられるために、Cu量を0.015%以下とすることが必要であるとしている。
しかしながら、このような低濃度領域では、Cu濃度を低減することが効果的であると考えられる。なぜならば、CuSは析出開始温度が低下することにより、高濃度に比べて微細化しやすく、その結果、個数も増加して低磁場特性を低下させやすくなるため、析出量そのものを低減することが特性改善に効果的であるからである。
【0007】
また特許文献6は、S≦0.0009%、さらにC≦0.001%、N≦0.001%とすることによって微細な硫化物、炭化物(TiC)や窒化物の析出数を少なくする技術である。しかしながら後述するように、特に低Si系の溶鋼ではS量をシングルppm まで下げることは至難であるため、S量が0.001%超でも優れた低磁場特性を確保する技術が待たれていた。
【0008】
【特許文献1】
特開平7−268568号公報
【特許文献2】
特開2001−11588号公報
【特許文献3】
特開平11−093338号公報
【特許文献4】
特開2001−140046号公報
【特許文献5】
特開平9−195011号公報
【特許文献6】
特開2001−81536号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑み、Cuを含有し、高S量で硫化銅を積極的に活用し、なおかつ低温の歪取焼鈍でも優れた低磁場励磁特性を確保・改善する小型トランス用の無方向性電磁鋼板を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を要旨とする。
(1) 質量%で、
C <0.005%、 Si<1.5%、
Al<1%、 Mn<1%、
P <0.2%、 0.001%<S<0.006%、
0.06%<Cu<0.5%、 Ti<0.003%
であって、残部Feおよび不可避的成分を含有することを特徴とする歪取焼鈍後において低磁場の励磁特性B1 に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板。
(2) 質量%でさらに、V<0.005%を含有することを特徴とする前記 (1)記載の歪取焼鈍後において低磁場の励磁特性B1 に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板。
【0011】
本発明は、以下の二つのポイントとなる知見から構成される。
第一のポイントは、Cuを含有する鋼は、熱延などでCu2 Sまたは(Cu,Mn)1.8 Sが析出する[Cu2 Sまたは(Cu,Mn)1.8 Sを以下、硫化銅と略す]が、Cuが0.06%超含有される場合むしろ低磁場特性が改善する点である。その原因としては、硫化銅の析出温度が高くなることで、高温で析出するMnSとの複合析出によって、その析出サイズはサブμmにまで粗大化し、個数も減少することで、これまで言われている微細なCu硫化物によって結晶粒成長を阻害し難いことが考えられる。
【0012】
加えて、上記硫化銅の析出挙動は、Ti<0.003%の場合に顕著に見られることを見出した。つまり、TiS,Ti4 C2 S2 のような微細析出物個数が少なくなることにより、初めて硫化銅の析出サイズの粗大が起こり、低磁場での磁壁移動が改善されることを見出したことにある。すなわち、従来、硫化銅はMnSに比較して微細析出するため有害な析出物として嫌われていたが、むしろ積極的にCuを添加し、極低Tiとの相乗効果により硫化銅を粗大析出させることで、硫化銅のみならず、粒成長を阻害する他の微細析出物個数を低減する効果で、低磁場特性を向上する点である。
【0013】
二点目は、上記のCu>0.06%で、かつTi<0.003%を満たす成分系であっても、さらにVを0.005%未満に制御すれば、低磁場特性がさらに改善される。この理由は、硫化銅の析出サイズはV(CN)の数にも影響されるためであると考えられる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
C量は0.005%未満とする。この範囲に限定したのは、0.005%以上のC量では磁気時効に問題があるためである。
【0015】
Si量は1.5%未満とする。Siは鉄損改善に有効であるが、添加コストの問題もあるので1.5%未満とする。
【0016】
Al量を1%未満に制限する。Alも鉄損改善に有効であることが知られているが、添加コストの面もあるので1%未満とする。下限は特に規制しないが、あまりAl量が少ないと溶鋼での脱酸が不充分となって鋼中に酸化物系介在物が増加し、低磁場特性を劣化させる場合があるので、0.007%以上が好ましい。
【0017】
Mn量は1%未満とする。Mnも鉄損改善に有効であるが、添加コストの問題もあるので1%未満とする。
【0018】
P量は0.2%未満に制限する。Pは小型トランスコアへの打ち抜きに有効な元素で、特に打ち抜き鋼板のかえりを少なくする効果があるが、多すぎると添加コストの問題があるので、0.2%未満とする。
【0019】
S量は0.001%超、0.006%未満とする。S量は少ないほうが歪取焼鈍後のB1 特性が改善される。しかしながらSi<1.5%の低Si鋼では、例えばCaO+CaF2 を真空脱ガス処理時に添加しても、経験的にS量≦0.001%にすることは困難で、生産障害となる。このため、本発明は0.001%を超えるS量を前提とする。また0.006%以上では、歪取焼鈍後のB1 特性の劣化が大きく不満であるため、避けなければならない。
【0020】
Cu量は0.06%超〜0.5%未満の範囲に制限する。Cu量の下限を0.06%超としたのは、スクラップを積極活用して粗大析出させる本発明の目的のためには、0.06%を超えるCu量が必要である。また、0.5%以上ではスクラップ以外のCu原料を添加する必要があり、コストアップになるためである。なお、0.3%超のCu量では硫化銅が多量に析出し、低磁場特性B1 を劣化させる傾向があるため、好ましくは0.3%以下である。
【0021】
Ti量は0.003%未満に限定する。Tiは微量であってもCu含有鋼においては硫化銅の析出サイズに影響し、Tiが多いと硫化銅の析出サイズが小さくなって低磁場での磁化特性を劣化させる。このTi許容限界量が0.003%未満である。なお、従来の鉄鉱石を原料とする製銑製鋼法によって得られるCuが0.01%程度の鋼では、Ti量が0.0051%でも低磁場励磁特性の劣化が認められなかったことから、Ti規制が必要なのはCu含有鋼の特徴である(下記表1の実験 No.13を参照)。
【0022】
V量は0.005%未満に制限する。V量も硫化銅の析出サイズに影響し、低磁場での磁化特性を劣化させる。このV許容限界量が0.005%未満である。
【0023】
その他の元素として、一次再結晶集合組織を改善する元素として知られているSn,Sb,Bなどを含有しても問題はないが、コスト面からそれぞれ0.1%以下が好ましい。また、NやOついては、従来通り少ないほうが好ましい。
【0024】
熱延については、従来からの通常条件が採用される。スラブ加熱温度は析出分散相を固溶させないように、低温が好ましい。また、熱延の仕上温度は高温の方が高磁場特性は改善されるが、低磁場特性には影響が少ない。
【0025】
熱延板以降の工程については、従来の無方向性電磁鋼板製造工程を採用することができる。
熱延板焼鈍を実施すると、磁束密度B50を向上させることができるが、焼鈍コスト面から省略することが好ましい。次いで通常の冷延を施し、続いて焼鈍して絶縁皮膜を塗布・乾燥する。また、顧客で小型トランスコアに打ち抜きされた後、歪取焼鈍が施される。
【0026】
歪取焼鈍条件については通常、温度は750℃程度であるが、730℃未満の温度、例えば700℃程度まで低温化しても、本発明の低磁場の励磁特性向上の効果は十分に達成できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
【0027】
【実施例】
表1に示す各種成分を含有する鋼塊を真空溶解で作製し、加熱温度を1100℃として60分均熱してから、熱間圧延を行い、2.5mm厚の熱延板を得た。この熱延板を酸洗し、冷延して0.50mmとした。次いで連続焼鈍を800℃で5秒均熱、水素中で実施した。磁気特性は、50mm×50mmの単板試料に打ち抜き、次いで700℃で2h均熱をN2 中で実施してから、LとC方向との磁性を測定し平均化した。結果を表1に示す。
【0028】
【表1】
【0029】
表1において、実験 No.1〜4はTi量を変更したもので、本発明範囲内のTi量である No.1,2は比較例の No.3,4に比べて優れたB1 特性が得られた。
実験 No.5〜6はS量を増加したもので、本発明範囲外のS量でB1 特性が劣化した。実験 No.8〜12は、基本的にはV添加量を調整したもので、請求項2の範囲内のV量で特に優れたB1 特性が得られた。また実験 No.13は、従来のCu量0.01%を前提とした成分系に、本発明範囲を超える0.0051%Tiを含有させたものであるが、磁気特性B1 の劣化は認められなかった。
このため、上述のTiとVとのB1 特性への効果は、Cuを含む成分系に特有の現象であることがわかる。
なお、高磁場のB50特性については、低磁場B1 特性とは逆の傾向にあることも分かる。
【0030】
不可避的不純物の量を定量的にチェックする目的で、表1に示す以外の元素について、実験 No.1の供試材(冷延板)で測定した。
結果は、0.0013%N、0.05%Ni、0.09%Cr、0.05%Sn、0.001%Nb、0.001%Sb、0.005%Mo、0.0003%Ca、0.0007%Mg、0.003%O、0.0001%B、0.001%Zrであったが、これら不可避的不純物は原料およびるつぼなどからの混入である。
【0031】
【発明の効果】
以上の如く本発明によれば、Cuを含有し、なおかつ低温の歪取焼鈍でも優れた低磁場励磁特性を確保・改善する小型トランス用の無方向性電磁鋼板を提供することができる。
Claims (2)
- 質量%で、
C <0.005%、
Si<1.5%、
Al<1%、
Mn<1%、
P <0.2%、
0.001%<S<0.006%、
0.06%<Cu<0.5%、
Ti<0.003%
であって、残部Feおよび不可避的成分を含有することを特徴とする歪取焼鈍後において低磁場の励磁特性B1 に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板。 - 質量%でさらに、
V <0.005%
を含有することを特徴とする請求項1記載の歪取焼鈍後において低磁場の励磁特性B1 に優れた小型トランス用無方向性電磁鋼板。
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