JP2004289114A - 実装基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装基板及びその製造方法に関し、微細加工が可能で、電子デバイスの実装に適した低熱膨張のパッケージ基板等の実装基板を安価で提供する。
【解決手段】 炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に導電体回路パターン８を設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は実装基板及びその製造方法に関するものであり、特に、電子機器に使用する多層配線回路基板或いはパッケージ基板等の実装基板を低熱膨張係数で且つ安価に構成するための基板構成に特徴のある実装基板及びその製造方法に関するものである。

従来より、半導体集積回路装置等の半導体デバイスを電子機器等に組み込む際には、半導体デバイスを多層配線回路基板等に実装しているが、半導体デバイスを直接実装するパッケージ基板では、半導体デバイスの熱膨張率とパッケージ基板との熱膨張差を小さくすることで、半導体デバイスとパッケージ基板の間に生じる応力を小さくすることが必要である。

従来、両者の熱膨張率の差を小さくする手法として、パッケージ基板の絶縁材料にガラス繊維強化樹脂などの複合材料を用い、電気絶縁性を樹脂が、低熱膨張化をガラス繊維などの無機材料が担当することで実用化が行われてきたが、半導体デバイスの微細化に伴い、さらなる低熱膨張化が求められている。

また、特殊な仕様としては、低熱膨張のセラミック板表面に樹脂を絶縁層とする薄膜回路を形成するということも行われている。

さらに新しい素材として、炭素繊維強化樹脂が炭素繊維の低熱膨張特性を利用して実用化されている（例えば、特許文献１乃至特許文献５参照）。

また、炭素繊維強化樹脂層を、ガラスエポキシ樹脂からなるコア基板の両面に張りつけることも提案されている（例えば、特許文献６参照）。
なお、その際、繊維の織り方としては、二軸織物、三軸織物、或いは、四軸織物があるが、単層で擬似等方性を持たせるためには繊維の方向を６０°ずつずらした三軸織物が好適であることも知られている（例えば、前記特許文献６参照）。
特開２００１−１７７００３号公報 特開２００１−０４４３３２号公報 特開平０７−２６３５８６号公報 特開平１１−２９７８９５号公報 特開昭５８−０１５２８９号公報 特開２０００−３４０８９５号公報

しかし、半導体デバイスの微細化の進展に伴って、ガラス繊維強化樹脂ではガラス繊維の存在がドリル加工等の微細加工を阻害するために、樹脂単体で絶縁層を形成する手法が有利であるが、低熱膨張化のためにはセラミックなどの支持基板が必要となるため、パッケージ基板の低コスト化、軽量化が問題となっている。

一方、炭素繊維強化樹脂は軽量・高弾性で低熱膨張の材料として有望であるが、炭素繊維に導電性があるために、ガラス強化樹脂にそのまま代わる絶縁材料として使用することができず、微細加工が要求されるパッケージ基板への適用は困難であった。

即ち、複数の層間を電気的に接続するためのビアホールを形成するためには、予め炭素繊維強化樹脂板に機械的に貫通穴を形成後、樹脂等の絶縁材料によって穴を充填した後、改めてビアホール用の穴を充填した絶縁材料中に形成するという工程が必要であり、この絶縁材料によって穴を充填する工程においては熱ストレスも加わり、機械加工による穴の形成精度を低下させる大きな要因となると同時に、手番の増加によって製造コストが増加する原因となっていた。

また、絶縁材料によって穴を充填する穴は、絶縁を保証するためにビアホール径より４００μｍ大きな穴を形成する必要があり、ビアホールの高密度化に限界があった。

また、炭素繊維を縦糸及び横糸として編んだ布を強化繊維として使用した場合、樹脂と炭素繊維の弾性率があまりに大きく異なるため、樹脂の弾性率がさらに低下するガラス転移点以上の温度では、布として織られているため湾曲している炭素繊維の歪が基板の不規則な寸法挙動を発生させるという問題があり、特に薄い板ではその影響が顕著であった。

したがって、本発明は、微細加工が可能で、電子デバイスの実装に適した低熱膨張のパッケージ基板等の実装基板を安価で提供することを目的とする。

図１は本発明の原理的構成を示す炭素繊維樹脂板の概略的分解斜視図であり、また、図２は、実装基板の概略的断面図であり、この図１及び図２を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１及び図２参照
上記の課題を解決するために、本発明は、実装回路基板において、炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して成型された炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に導電体回路パターン８を設けたことを特徴とする。

この様に、炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１、即ち、一方向プリプレグを、炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して炭素繊維樹脂板４を成型することによって、低熱膨張率で、且つ、寸法挙動の少ない薄い実装基板を実現することができる。

なお、「プリプレグ」とは、「炭素繊維２、ガラス繊維の織物もしくは一方向に引き揃えた繊維に各種樹脂３を含浸した最終硬化前のシート」を意味するものであり、一方向プリプレグを積層させたシート自体は公知であるが、用途は航空・宇宙機器部品或いは建築土木材料であり（必要ならば、ｈｔｔｐ：ｗｗｗ．ｍ−ｋａｇａｋｕ．ｃｏ．ｊｐ／ｂｕｓｉｎｅｓｓ／ｌｉｂｒａｒｙ／ｐｒｉｐｒｅｇ．ｈｔｍ、或いは、特開平６−１５７１３９号公報参照）、５００μｍ以下の薄板にして電子機器用の実装基板、特に、スルービア基板として用いる例は不知である。
なお、本発明における「炭素繊維樹脂基板」とは、「炭素繊維強化樹脂基板」を指すものである。

この場合、炭素繊維２の方向が、炭素繊維樹脂板４の積層方向の中心を中心面として、対称になるように積層することが望ましく、それによって、面方向の熱膨張率及び機械的強度を等しくすることができるとともに、反りを低減することができる。

或いは、炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板４を、前記炭素繊維樹脂板４より厚い絶縁性繊維強化樹脂板の外側に重ねるとともに、前記炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に導電体回路パターンを設けるようにしても良い。
このように、炭素繊維樹脂板４／絶縁性繊維強化樹脂板／炭素繊維樹脂板４からなる３層構造にすることによって、低熱膨張板をより低コストで提供することができる。

この場合、炭素繊維樹脂板４の厚さを絶縁性繊維強化樹脂板の厚さの１／１０以下にしても、実装基板全体として半導体素子の熱膨張率に整合できるため、炭素繊維樹脂板４のみを切削加工することが容易となり、同時に板の外側に高弾性率層が形成されることで、板の剛性が向上する。

なお、絶縁性繊維強化樹脂板としては、ガラス繊維強化樹脂板が好適であり、特に、ガラス繊維を密に織り込むためには、扁平加工されたガラス繊維布を用いることが好適である。

また、上記の実装基板において、炭素繊維２の方向が最表面の方向を０°としたときに、０°／９０°／９０°／０°の積層構造になるように４層積層することによって、２００μｍ以下の最低限度の厚さで低熱膨張率の実装基板を実現することができる。

或いは、炭素繊維２の方向が６０°ずつ異なる３種類のプリプレグ１を順次少なくとも５層積層しても良く、それによって、熱膨張率、弾性率がより等方的な低熱膨張板を実現することができる。

また、炭素繊維樹脂板４の両方の表面に導電体回路パターン８を設け、それらをスルーホール５内に樹脂６を介して設けたスルービア７によって電気的に接続することによって、導電性を有する炭素繊維２に起因する短絡を防止することができる。

この様な実装基板は、多層配線回路基板として用いることができるが、パッケージ基板、即ち、スルービア基板が典型的なものである。
即ち、本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、パッケージ基板で必要となるスルーホールは、プリント配線板等に実装するためのピンピッチであることに着目し、薄くて寸法安定性が高い炭素繊維樹脂板４を用いれば、ドリル加工と、既存のプリント配線板製造プロセスを用いて、パッケージ基板用の低熱膨張ビア入り基板を製造することが可能になる。

また、この様な実装基板を製造する場合には、炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して硬化させて炭素繊維樹脂板４を成型し、次いで、炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に樹脂付き導電体箔をラミネートすれば良い。

特に、配線回路基板或いはパッケージ基板とする場合には、炭素繊維樹脂板４をドリル加工してスルーホール５を形成し、次いで、穴埋め用の樹脂６によってスルーホール５を埋めたのち、樹脂付き導電体箔を炭素繊維樹脂板４の両面にラミネートすれば良い。

或いは、炭素繊維樹脂板４にドリル加工してスルーホール５を形成し、次いで、穴埋め樹脂６によって前記スルーホール５を埋めたのち、炭素繊維樹脂板４の両面に導電体回路パターン８をメッキにより形成しても良い。

本発明によれば、一方向プリプレグを炭素繊維の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維強化樹脂板を実装基板のベース或いは表層として用いることによって、既存のプリント配線板製造プロセスを用いて、パッケージ基板に用いる低熱膨張ビア入り基板等を容易に製造することが可能となり、微細加工と低熱膨張率、軽量、低コストを同時に実現したパッケージ基板等の実装基板を提供することができる。

本発明は、炭素繊維強化樹脂で低熱膨張の実装基板を作製するにあたり、炭素繊維を一方向に配列させたプリプレグを用い、各プリプレグにおける炭素繊維の方向をずらすとともに、上下において対称構造になるように積層し、その両面あるいは片面に回路パターン形成するものである。

ここで、図３乃至図１０を参照して、本発明の実施例１の実装基板の製造工程を説明する。
図３参照
まず、直径が、例えば、７μｍの炭素繊維１１を一方向に揃えて配列させたのち、熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂１２を含浸させて厚さが、例えば、５０μｍの一方向プリプレグ１３を作製する。

この場合、炭素繊維１１としては、弾性率が、例えば、６０×１０³ ｋｇｆ／ｍｍ² の炭素繊維を用いるとともに、一方向プリプレグ１３における樹脂含有量が３０〜５０重量％、例えば、３５重量％になるようにする。
なお、樹脂含有量が３０重量％未満の場合には安定したプリプレグを構成することが困難になり、５０重量％を超えると低熱膨張率の実装基板を得ることが困難になる。

図４参照
ついで、この一方向プリプレグ１３を炭素繊維１１の配向方向が順次０°，９０°，９０°，０°となるように積層させたのち、例えば、２００℃において加圧加熱成型することによって厚さが、例えば、２００μｍの炭素繊維強化樹脂板１４を形成する。

このように、炭素繊維強化樹脂板１４の積層方向の中心面を中心にして炭素繊維１１の配向方向が対称になるように配置することによって、面方向の熱膨張率を均一に保ちつつ、反りや歪みをなくすことができる。

図５参照
ついで、直径φが、例えば、３００μｍのドリルを用いて、炭素繊維強化樹脂板１４に例えば、５００μｍピッチのスルーホール１５を開口する。
この場合、炭素繊維強化樹脂板１４の厚さが２００μｍと薄く、且つ、規則正しいピッチであるので、炭素繊維１１の存在がドリル加工の障害になることはなく、容易にスルーホール１５を開口することができる。

図６参照
次いで、エポキシ系の穴埋め樹脂１６をスルーホール１５に流し込み、熱硬化させ、バフ研磨によって平坦化する。
なお、この穴埋め工程自体は、プリント配線板製造プロセスで一般に行われているものである。

図７参照
ついで、スルーホール１５が穴埋め樹脂１６により埋め込まれた炭素繊維強化樹脂板１４の両面に銅箔１８に樹脂１９を粘着させた樹脂付き銅箔１７を積層して絶縁層と導体層を同時に形成する。
なお、この場合の樹脂付き銅箔１７における樹脂１９の厚さは、例えば、３０μｍであり、銅箔１８の厚さは、例えば、１２μｍである。

図８参照
次いで、直径φが、例えば、２００μｍのドリルを用いて、スルーホール１５を埋め込んだ穴埋め樹脂１６の中心部に改めてスルーホール２０を形成する。

図９参照
次いで、銅メッキを施すことによって、スルーホール２０の側面にスルービア２１を形成して両面の樹脂付き銅箔１７の銅箔１８と電気的に接続する。

図１０参照
最後に、通常の両面回路基板の製造プロセスと同様に、両面の樹脂付き銅箔１７の銅箔１８をそれぞれ半導体素子及びプリント配線板と接続するための配線パターン２２にエッチングプロセスで形成することによってスルービア基板の基本構成が得られる。

この様にして作製したスルービア基板の熱膨張率は基板の面方向で４ｐｐｍ／℃と、半導体素子材料であるＳｉとほぼ同等の値を示した。

次に、図１１を参照して、本発明の実施例２の実装基板の製造工程を説明する。
図１１参照
まず、直径が、例えば、７μｍの炭素繊維３１を一方向に揃えて配列させたのち、例えば、ガラス転移温度が２５０℃のエポキシ樹脂３２を含浸させて厚さが、例えば、４５μｍ程度の一方向プリプレグ３３を作製する。
この場合、炭素繊維３１としては、弾性率が、例えば、２５０ＧＰａの炭素繊維を用いるとともに、一方向プリプレグ３３における樹脂含有量が３０〜５０重量％、例えば、３０重量％になるようにする。

ついで、この一方向プリプレグ３３を炭素繊維３１の配向方向が順次６０°，１２０°，０°，０°，１２０°，６０°となるように積層させたのち、真空中で例えば、２００℃において加圧加熱成型することによって厚さが、例えば、２５０μｍの炭素繊維強化樹脂板３４を形成する。

このように、炭素繊維強化樹脂板３４の積層方向の中心面を中心にして炭素繊維３１の配向方向が回転対称になり、且つ、３方向で炭素繊維断面積総量が等しくなるように配置することによって、面方向の熱膨張率及び弾性率の等方性をより高めるとともに、反りや歪みをなくすことができる。

この炭素繊維強化樹脂板３４の最表層の炭素繊維３１の配向方向に対して０°，１５°，３０°，４５°，６０°，７５°，９０°という１５°刻みで２０℃〜２００℃の温度範囲における熱膨張率の異方性について測定した結果、全ての測定角度において熱膨張率が２ｐｐｍ／℃と等方性であることを確認した。

比較のために、一方向プリプレグ３３を９０°，０°，０°，９０°，９０°，０°，０°，９０°の方向に８枚積層して３５０μｍにした炭素繊維強化樹脂板を作製し、この炭素繊維強化樹脂板に対して同様の熱膨張率の異方性について測定したところ、０°と９０°で２．２ｐｐｍ／℃、１５°と７５°で２ｐｐｍ／℃、３０°と６０°で１．５ｐｐｍ／℃、４５°では０ｐｐｍ／℃と、明らかな異方性が見られた。

以降は図示を省略するものの、上記の実施例１と同様の工程で、スルーホール及びスルービア等を形成することによって、上記の実施例１と外観は同様であるが、実施例１より面内における熱膨張率及び弾性率の等方性に優れた実装基板を得ることができる。

次に、図１２乃至図１８を参照して、本発明の実施例３の実装基板の製造工程を説明する。
図１２参照
まず、直径が、例えば、７μｍの炭素繊維４１を一方向に揃えて配列させたのち、例えば、ガラス転移温度が２５０℃のエポキシ樹脂４２を含浸させて厚さが、例えば、５０μｍの一方向プリプレグ４３を作製する。
この場合、炭素繊維４１としては、弾性率が、例えば、６５０ＧＰａの炭素繊維を用いるとともに、一方向プリプレグ４３における樹脂含有量が３０〜５０重量％、例えば、３０重量％になるようにする。

図１３参照
ついで、厚さが、例えば、２ｍｍで表面に未硬化の樹脂が存在するガラス強化繊維樹脂基板４４の両面に、一方向プリプレグ４３を炭素繊維４１の配向方向が順次９０°，０°，０°，９０°の配向方向になるように重ね合わせたのち、真空中で例えば、２００℃において加圧加熱成型することによって厚さが、例えば、２００μｍの炭素繊維強化樹脂層４５を有する低熱膨張基板４６を形成する。

図１４参照
ついで、エンドミルを用いて、炭素繊維強化樹脂層４５のみに、例えば、直径が３５０μｍで５００μｍピッチの開口４７を形成する。
この場合も、炭素繊維強化樹脂層４５の厚さが２００μｍと薄く、且つ、規則正しいピッチであるので、炭素繊維４１の存在が開口形成の障害になることはなく、容易に開口４７を形成することができる。

図１５参照
ついで、厚さが、例えば、１００μｍのガラス繊維強化樹脂プリプレグ４８と厚さが、例えば、１８μｍの銅箔４９を低熱膨張基板４５の両面に真空加熱プレスにより貼り付ける。

図１６参照
次いで、開口４７に対応する５００μｍピッチで２００μｍの貫通したスルーホール５０をドリル加工によって形成する。

図１７参照
次いで、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを順次施すことによって、スルーホール５０の側面にスルービア５１を形成して両面の銅箔４９と電気的に接続する。

図１８参照
最後に、通常の両面回路基板の製造プロセスと同様に、低熱膨張基板４６の両面の銅箔４９をそれぞれ半導体素子及びプリント配線板と接続するための配線パターン５２になるようにエッチングプロセスで形成することによってスルービア基板の基本構成が得られる。

この成形したスルービア基板の熱膨張率を２０℃〜２００℃の温度範囲で測定した結果、２．２ｐｐｍ／℃であることを確認した。
この値は炭素繊維強化樹脂層４５の厚さ、炭素繊維４１の弾性率、あるいはガラス繊維強化樹脂板４４の厚さを変えることにより、両材料の熱膨張率の範囲である０ｐｐｍ／℃〜１５ｐｐｍ／℃の範囲で調節が可能である。

この実施例３においては、厚いベース層として安価なガラス繊維強化樹脂板４４を用い、且つ、半導体素子等との接続部においては低熱膨張係数の炭素繊維強化樹脂層４５を用いているので、低熱膨張基板をより低コストで製造することができる。

以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は実施例に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施例の説明においては、プリプレグを構成する樹脂としてエポキシ樹脂を用いているが、エポキシ樹脂に限られるものではなく、熱硬化性樹脂であれば良い。
なお、一般の所謂光硬化性樹脂も、加熱によって硬化するので本発明の熱硬化性樹脂の範疇に入るものである。

また、上記の各実施例においては、一方向性プリプレグを構成する炭素繊維として直径が７μｍの炭素繊維を用いているが、炭素繊維の直径は７μｍに限られるものではなく、必要とする一方向性プリプレグの厚さに応じて炭素繊維の直径を適宜決定すれば良い。

また、炭素繊維は一本の直径が７μｍの炭素繊維に限られるものではなく、炭素繊維束を用いても良いものであり、例えば、直径が４．７μｍの炭素繊維を９２本束ねて六角柱状の炭素繊維束として用いても良いものである。

また、上記の実施例１においては、薄い炭素繊維強化樹脂板を形成するために、４層のプリプレグを加圧加熱することによって形成しているが、４層に限られるものではなく、例えば、実施例２との比較のために作製した８層構造としても良いものであり、層数は任意である。

また、奇数層、例えば、５層で構成する場合には、最上層の一方向プリプレグにおける炭素繊維の配向方向を０°とした場合、０°／９０°／０°／９０°／０°と、積層方向の中心面に対して対称になるように積層すれば良い。

また、上記の実施例２においては、６層の一方向プリプレグを積層しているが、中間の０°層を一層省略して５層構造にしても良いものである。

また、炭素繊維の配向方向の組合せは直交方向或いは６０°ずつずらした３方向に限られるものではなく、例えば、８層で構成する場合には、０°／４５°／９０°／１３５°／１３５°／９０°／４５°／０°の順で積層しても良い。

また、上記各実施例においては、配線パターンを形成するために、樹脂付き銅箔等の銅箔を用いているが、銅箔に限られるものではなく、用途に応じて各種の導電体箔を樹脂に粘着させた樹脂付き導電体箔等の導電体箔を用いても良いものである。

また、上記各実施例においては、配線パターンを形成するために、樹脂付き銅箔等の銅箔をエッチングしているが、エッチングする代わりに銅メッキにより配線パターンを形成しても良いものである。

また、上記各実施例においては、ドリル加工を通常の機械的ドリルを用いて行っているが、このような機械ドリル加工に限られるものではなく、レーザ光を用いたレーザドリル加工を用いても良いものである。

また、上記各実施例においては、ドリル加工を容易にするために、スルーホールのピッチが一定のパッケージ基板として説明しているが、パッケージ基板に限られるものではなく、両面プリント配線基板にも適用されるものである。

また、上記各実施例においては、全てのスルービアを電気的接続手段としているが、スルーホールの内の幾つかを、樹脂で埋め込まず、スルーホールの側壁に設けるスルービアと側壁に露出する炭素繊維とを短絡させてサーマルビアとして用いても良いものであり、それによって、放熱特性を改善することができる。

また、上記各実施例においては、炭素繊維強化樹脂板の両面に配線パターンを設けているが、一方の面にのみ設けて片面プリント配線基板と同様の単純な実装基板として用いても良いものである。

また、上記実施例１，２においては、炭素繊維強化樹脂板を一枚で構成しているが、樹脂付き銅箔を貼り付ける際に、予め銅箔を所定配線パターンにパターニングしておき、これらの樹脂付き銅箔を片面に貼り付けた炭素繊維強化樹脂板を積層させて多層配線回路基板を構成しても良いものである。
なお、最下層と最上層は、樹脂付き銅箔を貼り付けたのち、パターニングして配線パターンを形成しても良いものである。

また、上記実施例３においては、ベース層としてガラス繊維強化樹脂板を用いているが、この場合、偏平加工されたガラス繊維布を用いたガラス繊維強化樹脂板を用いても良いものであり、それによって、ガラス繊維密度を高めることができる。

また、上記実施例３においては、ベース層としてのガラス繊維強化樹脂板と炭素繊維強化樹脂層の厚さの比は２００μｍ／２ｍｍ＝１／１０としているが、１／１０に限られるものではなく任意であるが、低コスト化のためには１／１０より小さくすることが望ましい。

ここで、再び、図１及び図２を参照して本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１及び図２参照
（付記１） 炭素繊維を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に導電体回路パターンを設けたことを特徴とする実装基板。
（付記２） 炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板４を、前記炭素繊維樹脂板４より厚い絶縁性繊維強化樹脂板の外側に重ねるとともに、前記炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に導電体回路パターンを設けたことを特徴とする実装基板。
（付記３） 上記炭素繊維樹脂板４の厚さが、上記絶縁性繊維強化樹脂板の厚さの１／１０以下であることを特徴とする付記２記載の実装基板。
（付記４） 上記絶縁性繊維強化樹脂板が、ガラス繊維強化樹脂板からなることを特徴とする付記２または３に記載の実装基板。
（付記５） 上記ガラス繊維強化樹脂板として、扁平加工されたガラス繊維布を用いたことを特徴とする付記４記載の実装基板。
（付記６） 上記炭素繊維２の方向が、最表面の方向を０°としたときに、０°／９０°／９０°／０°の積層構造になるように４層積層したことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の実装基板。
（付記７） 上記炭素繊維２の方向が６０°ずつ異なる３種類のプリプレグ１を順次少なくとも５層積層したことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の実装基板。
（付記８） 上記炭素繊維樹脂板４の両方の表面に導電体回路パターンを設け、それらをスルーホール５内に樹脂６を介して設けたスルービア７によって電気的に接続したことを特徴とする付記１乃至７のいずれか１に記載の実装基板。
（付記９） 炭素繊維２を一方向に揃えて配列させたプリプレグ１を、前記炭素繊維２の配向方向が異なるように積層して硬化させて炭素繊維樹脂板４を成型する工程、前記炭素繊維樹脂板４の少なくとも一方の表面に樹脂付き導電体箔をラミネートする工程とを有することを特徴とする実装基板の製造方法。
（付記１０） 上記炭素繊維樹脂板４をドリル加工してスルーホール５を形成し、次いで、穴埋め用の樹脂６によって前記スルーホール５を埋めたのち、上記樹脂付き導電体箔を前記炭素繊維樹脂板４の両面にラミネートすることを特徴とする付記９記載の実装基板の製造方法。

本発明の活用例としては、半導体素子等を直接実装するパッケージ基板が典型的なものであるが、プリント配線基板や多層配線回路基板等の通常の回路基板として用いても良いものである。

本発明の原理的構成を示す炭素繊維樹脂板の概略的分解斜視図である。 本発明の原理的構成を示す実装基板の概略的断面図である。 本発明の実施例１の実装基板の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図３以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図４以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図５以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図６以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図７以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図８以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例１の実装基板の図９以降の製造工程の説明図である。 本発明の実施例２の実装基板の製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１２以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１３以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１４以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１５以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１６以降の途中までの製造工程の説明図である。 本発明の実施例３の実装基板の図１７以降の製造工程の説明図である。

符号の説明

１ プリプレグ
２ 炭素繊維
３ 樹脂
４ 炭素繊維樹脂板
５ スルーホール
６ 樹脂
７ スルービア
８ 導電体回路パターン
１１ 炭素繊維
１２ エポキシ樹脂
１３ 一方向プリプレグ
１４ 炭素繊維強化樹脂板
１５ スルーホール
１６ 穴埋め樹脂
１７ 樹脂付き銅箔
１８ 銅箔
１９ 樹脂
２０ スルーホール
２１ スルービア
２２ 配線パターン
３１ 炭素繊維
３２ エポキシ樹脂
３３ 一方向プリプレグ
３４ 炭素繊維強化樹脂板
４１ 炭素繊維
４２ エポキシ樹脂
４３ 一方向プリプレグ
４４ ガラス繊維強化樹脂板
４５ 炭素繊維強化樹脂層
４６ 低熱膨張基板
４７ 開口
４８ ガラス繊維強化樹脂プリプレグ
４９ 銅箔
５０ スルーホール
５１ スルービア
５２ 配線パターン

Claims (5)

1. 炭素繊維を一方向に揃えて配列させたプリプレグを、前記炭素繊維の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板の少なくとも一方の表面に導電体回路パターンを設けたことを特徴とする実装基板。
2. 炭素繊維を一方向に揃えて配列させたプリプレグを、前記炭素繊維の配向方向が異なるように積層して成型した炭素繊維樹脂板を、前記炭素繊維樹脂板より厚い絶縁性繊維強化樹脂板の外側に重ねるとともに、前記炭素繊維樹脂板の少なくとも一方の表面に導電体回路パターンを設けたことを特徴とする実装基板。
3. 上記炭素繊維樹脂板の両方の表面に導電体回路パターンを設け、それらをスルーホール内に樹脂を介して設けたスルービアによって電気的に接続したことを特徴とする請求項１または２に記載の実装基板。
4. 炭素繊維を一方向に揃えて配列させたプリプレグを、前記炭素繊維の配向方向が異なるように積層して硬化させて炭素繊維樹脂板を成型する工程、前記炭素繊維樹脂板の少なくとも一方の表面に樹脂付き導電体箔をラミネートする工程とを有することを特徴とする実装基板の製造方法。
5. 上記炭素繊維樹脂板をドリル加工してスルーホールを形成し、次いで、穴埋め用の樹脂によって前記スルーホールを埋めたのち、上記樹脂付き導電体箔を前記炭素繊維樹脂板の両面にラミネートすることを特徴とする請求項４記載の実装基板の製造方法。
   

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