JP2004281606A - Light emitting device and its manufacturing method - Google Patents

Light emitting device and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2004281606A
JP2004281606A JP2003069290A JP2003069290A JP2004281606A JP 2004281606 A JP2004281606 A JP 2004281606A JP 2003069290 A JP2003069290 A JP 2003069290A JP 2003069290 A JP2003069290 A JP 2003069290A JP 2004281606 A JP2004281606 A JP 2004281606A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting element
optical system
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003069290A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4182784B2 (en
Inventor
Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Hideaki Kato
英昭 加藤
Mitsuhiro Inoue
光宏 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2003069290A priority Critical patent/JP4182784B2/en
Priority to US10/791,295 priority patent/US20040223315A1/en
Priority to EP04005022A priority patent/EP1455398A3/en
Publication of JP2004281606A publication Critical patent/JP2004281606A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4182784B2 publication Critical patent/JP4182784B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device that can effectively utilize the light radiated from a light emitting source without causing any light loss and can be increased in luminous intensity and, at the same time, can irradiate condensed light in a desired direction and a desired range; and to provide a method of manufacturing the device. <P>SOLUTION: Since this light emitting device is constituted to make side-face radiation based on total reflection or light condensation in accordance with the luminous intensity distribution of the light radiated from a light emitting element 4 by providing first and second optical sections 51 and 52 in an optical section 5, this device can control the light even when the radius of the optical section 5 is reduced. Particularly, this device can radiate such light that cannot utilize total reflection in the direction of the side face by condensing the light by means of the first optical section 51. Consequently, the luminous intensity of this light emitting device in about the horizontal direction can be increased by suppressing the occurrence of light losses. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下「ＬＥＤ」という。）から放射される光を光学系を介して所定の方向および範囲に放射する発光装置およびその製造方法に関し、特に、光度を大にできるとともに集光性に優れる発光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＥＤチップを光源として使用し、この光源から放射される光を光源に近接して設けられる光学系で反射して所定の方向に放射させるようにした発光装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図７は、特許文献１に記載される発光装置を示す。（ａ）は光源を中心とする縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ部における断面図である。
【０００４】
この発光装置は、図７（ａ）に示すように、光を放射する発光素子６０と、発光素子６０と一体的に設けられるドーム部６１およびベース部６１Ａを有する光源６２と、入射面６３、第１の反射領域６４、第１の反射面６４Ａ、直接伝導領域６５、第２の反射領域６６、照射面６７、縁６８および６９、ポスト７０および７１とからなるレンズ要素７２と、ピローレンズ７３Ａをアレイ状に形成した光学要素７３とを有し、レンズ要素７２の第２の反射領域６６には抽出面６６Ａとステップダウン部（ｓｔｅｐ ｄｏｗｎｓ）６６Ｂとの組が第１の反射領域６４の周囲３６０度に形成されている。
【０００５】
光源６２は、図７（ｂ）に示すように、ベース部６１Ａの窪み６２Ａおよび６２Ｂとレンズ要素７２のポスト７０および７１とを結合させることによってドーム部６１を第１の反射領域６４の中心に位置決め固定している。
【０００６】
このような構成において、光源６２から光を放射すると、入射面６３からレンズ要素７２に光が入射する。この光は、第１の反射面６４Ａで光源６２の中心軸方向と直交する方向に反射され、更に抽出面６６Ａで中心軸方向に反射されて照射面６７から放射される光Ａと、光源６２から直接伝導領域６５を透過して中心軸方向に放射される光Ｂとして光学要素７３に入射する。これにより、光学要素７３に照射範囲の拡大された光が入射する。
【０００７】
【特許文献１】
国際公開第９９／０９３４９号パンフレット（第４頁、第２図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の発光装置によると、光源６２からの放射光を中心軸上に集光させるドーム部６１を有するため、厚みが大きくなってしまうという問題がある。
また、レンズ要素７２の中心軸と光源６２の中心軸とを完全に一致させて組み立てることが困難なため、位置ずれを起こし易く全方向の明るさが不均一となり易いという問題がある。即ち、光源６２とレンズ要素７２とを別体で形成し、これらを位置決めしているので、レンズ要素７２の第１の反射領域６４に対する光源６２の中心軸の位置精度が低下すると、第１の反射領域６４によって全反射方向に反射される反射光の光量が不均一となってＬＥＤライトの表面に明暗（明るさの差）が生じる。特に、光源６２の出射光の殆どが上方に放射される集光度の高い光学系の場合、光源６２自体の配光ばらつきや、上述のレンズ要素７２と光源６２との中心軸に対し垂直な方向への位置ずれによる光学特性のばらつきによる明るさの差が顕著になる。
更に、ドーム部６１によって中心軸上に集光できない側方光は、光の利用効率が低下し、照射面積の増大ができないという問題もある。即ち、光源６２から水平面方向（Ｘ方向）に放出された光は第２の反射領域６６によって反射されず、また第１の反射領域６４及び第２の反射領域６６のどちらにも反射されない光はＺ方向に放射されないため、光効率が劣るという不都合がある。
しかも、図７（ａ）の発光装置では、光源６２とレンズ要素７２とが別体であるため、光源６２から放射された光が一旦空気層を通過した後にレンズ要素７２の入射面６３に入射するので、介在する空気層や界面で光のロスを生じたり、光源６２とレンズ要素７２との界面に汚れが溜まって透光性を阻害し、光のロスを助長することがあった。更に、物理的衝撃が生じた場合に位置ずれを起こし易く、発光素子と反射鏡とを近接させた光学系を成立できなかった。また、部品点数や組み立て工程数が増加したり、組み立て精度のばらつきが大きくなるという問題点もあった。
【０００９】
また、図８（ａ）に示すように、発光素子６０から放射される光をドーム部（集光光学系）６１で集光するとき、発光素子６０の発光面積が小さく、点光源とみなせるときには光Ｌが充分に集光される。一方、図８（ｂ）に示すように発光素子６０の発光面積が大であると充分な集光ができないことから、点光源とみなせない集光度の低下が生じる。
【００１０】
従って、本発明の目的は、発光源から放射される光の損失を生じることなく有効に活用することができ、光度を大にできるとともに所望の方向および範囲に集光された光を照射することのできる発光装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子に電力を供給する電源供給部と、前記発光素子を原点とし前記発光素子の中心軸に対し大きな角度をなす領域に配置される第１の光学系と、前記発光素子の発光面側に対向配置される反射面と、前記発光素子から放射されて前記反射面で反射された光を外部放射する放射面とを有する第２の光学系とを具備し、前記第１の光学系および前記第２の光学系は、前記発光素子が発した光を前記発光素子の中心軸に対し略垂直な方向に外部放射することを特徴とすることを特徴とする発光装置を提供する。
【００１２】
このような構成によれば、発光素子から放射される光の配光に応じて放射方向が適切に制御される。
【００１３】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電源供給部を形成する第１の工程と、前記電源供給部に発光素子を実装する第２の工程と、前記発光素子を覆って一体的に収容する素子収容部を設けられて光を集光して前記発光素子の中心軸に直交する方向に放射させる集光面を形成された第１の光学系と、前記光を全反射して前記方向に放射させる反射面を形成された第２の光学系とを有する光学部を前記電源供給部に対して位置決めする第３の工程と、前記素子収容部によって前記発光素子が包囲されるように前記光学部と前記電源供給部とを接着固定する第４の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
【００１４】
このような構成によれば、発光素子のサイズや配光特性に応じた光の放射方向がレンズとの結合に基づいて選択的に付与される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
以下の説明では、発光素子の中心軸をＺ軸とし、このＺ軸上の発光素子の上面位置を原点とし、原点でＺ軸にそれぞれ直交するＸ軸とＹ軸を設けた座標系を定義する。ただし、Ｚ軸は光軸Ｚとも称す。
【００１７】
また、集光とはＺ軸方向にスポット状に集光する集光の他に、Ｚ軸と直交する方向への集光や、Ｚ軸に対して所定の角度を有する方向への集光も含むものとする。
【００１８】
この発光装置１は、絶縁層６Ａと、アルミニウム等の良熱伝導体からなるベース材６Ｂと、絶縁層６Ａの表面に設けられる配線パターン３Ａおよび３Ｂとを有した基板６と、配線パターン３Ａにフェイスアップ接合される発光素子４と、発光素子４の電極部（図示せず）と配線パターン３Ａおよび３Ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤ７と、発光素子４およびボンディングワイヤ７を包囲するように基板６に外付け固定される光学部５とを有する。
【００１９】
配線パターン３Ａおよび３Ｂは、絶縁層６Ａを介してベース材６Ｂに接着された銅箔層をエッチング加工して所定の回路パターンを形成したものである。また、光学部５に設けられる凸部と凹凸嵌合させるための位置決め凹部をエッチング加工に基づいて形成されている。
【００２０】
発光素子４は、例えば、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体やＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）等で４５０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色系で発光するように形成されている。この発光素子４は、３００×３００μｍのチップサイズを有し、主として電極形成面および側面から光を出射するようになっている。なお、青色系ＬＥＤの素子構造については周知技術であるので、詳細な説明については省略する。
【００２１】
光学部５は、ポリカーボネート樹脂等の比較的屈折率の高い光透過性樹脂を射出成型することによって形成されており、発光素子４を包囲するように設けられて光をＺ軸と直交する略水平なＸ軸方向に集光させる第１光学部５１と、第１光学部５１と一体的に設けられて全反射に基づいて光をＺ軸と直交する略水平なＸ軸方向に放射させる第２光学部５２と、第１光学部５１の下部に窪み状に形成されて発光素子４およびボンディングワイヤ７を包囲する素子収容部５０とを有し、素子収容部５０は、発光素子４との間に形成される隙間５Ｂを可能な限り小にする形状およびサイズとなっている。
【００２２】
また、光学部５は、発光素子４を搭載した基板６に対して所定の位置に位置決め固定されるようになっている。この位置決めについては図示しないが、基板６に形成された凹部と、光学部５に形成される凸部との凹凸嵌合に基づいて行っている。なお、他の位置決め方法によって位置精度良く固定されるようにしても良い。
【００２３】
第１光学部５１は、発光素子４を包囲するように設けられて光を光軸Ｚに直交する方向に屈折させるようになっており、Ｚ軸に対して約５５度から９０度にかけての方向に放射される光を屈折させてＺ軸に直交する方向に放射させる凸型曲面を有する。即ち、Ｘ軸上に対称軸を持ち、原点から楕円中心までの距離がＤ１、Ｘ軸方向の径がｎ・Ｄ１、Ｚ軸方向の径が√（ｎ２−１）・Ｄ１の楕円をＺ軸周りに回転させた形状である。なお、ｎはレンズ材料の屈折率であり、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂の場合、ｎ≒１．５である。Ｄ１は相似比を決める任意の値である。
【００２４】
第２光学部５２は、発光素子４の上記した原点を焦点として、Ｘ軸を対称軸とする放物線の一部をＺ軸の周りに３６０度回転させた円状の反射形状を成し、Ｚ軸に対して５５度以内の角度範囲に形成された上面反射面５Ｄと、Ｚ軸を中心軸とした円柱形状の上面反射面５Ｄで全反射された光を側面方向に放射する側面放射面５Ｅとを有する。なお、用途に応じて、第２光学部５２の中央部にＺ軸方向へ光を取り出すための平坦面を設けても良い。
【００２５】
第１光学部５１と第２光学部５２との位置およびサイズ関係は、図１で示されるように、発光素子４から発し、Ｚ軸に対して９０度以内に放射される全ての光が第１光学部５１のレンズ面か第２光学部５２の上面反射面５Ｄのいずれかに至るもの、かつ、第２光学部５２の上面反射面５Ｄで反射された光が側面放射面５Ｅに至るもの（Ｚ軸方向高さにおいて、上面反射面５Ｄの底部が第１光学部５１のレンズ面上端部以上の高さ）としてある。このため、第２光学部５２の径は第１光学部５１の径より大になる。
【００２６】
このような発光装置１を製造するには、まず、銅箔層を表面に有する基板６をエッチング加工して配線パターン３Ａおよび３Ｂを形成する。次に、配線パターン３Ａの表面に発光素子４をフェイスアップ接合する。次に、発光素子４の電極部（図示せず）と配線パターン３Ａおよび３Ｂとをボンディングワイヤ７で電気的に接続する。
【００２７】
光学部５は別工程で形成される。まずレンズ形状に応じた割金型に光透過性樹脂を充填することにより図１に示すような形状で素子収容部５０を有した光学部５を射出成型する。また、樹脂成型時に位置決め用の凸部をあわせて成型する。
【００２８】
次に、光学部５の凸部と、配線パターン３Ａおよび３Ｂに設けられた凹部とが嵌合するように両者を位置決め固定する。このとき、素子収容部５０に透明なシリコン樹脂を注入する。次に、配線パターン３Ａおよび３Ｂに光学部５を被せて接着固定するとともに発光素子４をシリコン封止する。
【００２９】
以下に、第１の実施の形態の発光装置の動作を説明する。
【００３０】
図示しない駆動部は、配線パターン３Ａおよび３Ｂに駆動電圧を印加する。発光素子４は駆動電圧に基づいて発光して青色光を放射する。発光素子４から放射される青色光は、Ｚ軸から約６０度にかけての範囲の光が第２光学部５２の上面反射面５Ｄに至り全反射され、側面放射面５Ｅに垂直入射した後、Ｚ軸と直交する方向に外部放射される。また、Ｚ軸に対して約６０度から９０度にかけての範囲の光が第１光学部５１に至り、レンズにより集光され、Ｚ軸と直交する方向に放射される。このようにして発光素子４から放射される略全ての青色光を、全反射とレンズに基づいてＺ軸と直交する方向に外部放射させるようになっている。
【００３１】
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）光源（発光素子４と光学部５）の径に対する厚さを薄く形成することができる。
（２）光源とレンズ要素との軸ずれ、および発光素子４と光学部５との位置ずれに起因する光源の配光特性ずれ（集光レンズの集光度が高いほど顕著となる）によって、側面方向へ放射される光の配光特性が不安定となることを原理的に防ぎ、安定した配光特性を得ることができる。
（３）側面方向への放射効率を向上させることができる。即ち、ドーム部によって中心軸上に集光できない側方光は、光の利用効率が低下して照射面積の増大が困難であることや、光源とレンズ要素とを別体で形成することに基づく空気層の介在や界面での光のロス発生、光源とレンズ要素との界面における汚れの堆積による光のロス等が生じることなく、発光素子４が発する略全ての光を光学制御することができる。
（４）発光素子４から放射されて外部放射される際の発光素子４から第１光学部５１へ至る光の入射角と、発光素子４から上部反射面５Ｄで反射され、側面放射面５Ｅに至る光の入射角とを、ｎ＝１．５の材料で界面反射率が増さない３５度以下に設けることで（全反射を利用する上面反射面は除く）、界面反射ロスの少ないものとすることができる。また、基本光学系は、発光素子４が発する略全ての光を光学制御できるものなので、径を小さくしても放射効率が低下しないものか、あるいは、放射効率低下率の低いものとすることができる。
（５）側面放射を実現するための第１光学部５１および第２光学部５２を一体成型しているので、物理的衝撃等での発光素子４に対する光学系の位置ずれが生じない。また、部品点数や組立て工程が増加したり、組立て精度のばらつきが大になるといったことも生じない。
【００３２】
第１光学部は、やや界面反射の影響があるが、Ｚ軸に対しθ＝ｓｉｎ−１（１／ｎ）まで形成でき、ｎ＝１．５の場合に約４０度まで形成することができる。このため、発光素子が発する略全光束を光学制御するには、発光素子４からＺ軸に対し約４０度までを覆う反射面を形成する必要がある。一般に、Ｚ軸に対し約４０度の範囲は発光素子４からの放射強度が大きい領域である。
【００３３】
前述の領域を反射面で広くカバーすることは光の外部放射効率上有利である。即ち、第１光学部５１は光学制御できる角度範囲に制限があり、かつ、第１光学部５１を大にすると、端部（Ｚ軸方向の高い位置）では界面反射ロスが生じ易くなる。
【００３４】
なお、第１光学部５１は、Ｚ軸に直交する方向に平行な光を外部放射するものに限定されず、例えば、３０度範囲程度の拡がりをもって集光放射するものであっても良い。この場合には、界面反射が大にならない範囲として、第１光学部５１をＺ軸に対し最大で約３５度まで形成することができる。
【００３５】
また、界面反射の影響があるものであれば、Ｚ軸に対し約２０度まで形成することができる。この際に形成すべき範囲の反射面は、それぞれＺ軸に対し約３５度、約２０度である。ただし、光学面が不連続な箇所では成型上エッジが形成しにくいこと、ひけの発生等で成型精度が低下する恐れがあることから、発光素子４からの放射強度が大である範囲は反射面で広くカバーすることが望ましい。そのため、反射鏡はＺ軸に対し４０度以上の範囲まで形成されていることが望ましい。
【００３６】
また、第２光学部５２についても、第１光学部５１と同様に、ある程度の拡がりをもって集光放射するものであっても良い。
【００３７】
なお、上記した第１の実施の形態では、青色光を放射する発光素子４を用いた構成を説明したが、青色光以外の赤色光、緑色光、あるいは紫外光を放射する発光素子４を用いた構成であっても良い。また、発光素子４として、大出力型のラージチップ（例えば、１０００×１０００μｍ）を用いることもできる。発光素子４と上部反射面５Ｄとの距離は、光学部５の半径のおよそ１／２以上と比較的長いので、大きなサイズの発光素子４や発光素子４から放射される青色光によって励起されて黄色光を放射する黄色蛍光体を発光素子４の周囲に配置し、青色光と黄色光との混合によって白色光を得る場合のように、光源サイズが大きくなる場合でも上部反射面５Ｄでの全反射を利用することができる。
【００３８】
また、光学部５についても透明なものに限定されず、着色されたものでも良い。また、Ｚ軸に直交する方向へ略平行光として集光放射するものとして説明したが、所定の環状範囲へ有効に外部放射するものであれば効果を奏する。Ｚ軸に対し約４５度以上の略垂直な方向範囲へ、略平行光でなくとも広がりをもった光として外部放射するものであっても良い。
【００３９】
図２は、第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
この発光装置１は、発光素子４として１０００×１０００μｍのラージチップをバンプ４Ａを介してフリップチップ接合し、この発光素子４を光学部５の素子収容部５０で包囲した構成を有し、素子収容部５０は、内周面に発光素子４から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射するＣｅ：ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）からなる蛍光体層５Ａを薄く形成されている構成において第１の実施の形態と相違している。素子収容部５０は、発光素子４との間に形成される隙間を可能な限り小にする形状およびサイズで形成されている。
【００４０】
上記した第２の実施の形態によると、外付けの光学部５に素子収容部５０を設け、素子収容部５０の内周面に蛍光体層５Ａを薄く設けて発光素子４を一体的に包囲するようにしたので、白色光を得ることができる。また、第１の実施の好ましい効果に加えて、蛍光体層５Ａを均一に薄く形成することが可能になる。また、均一な薄さを有する蛍光体層５Ａを形成できることにより、光吸収による光度の低下を防ぐことができる。また、ラージサイズの発光素子４を用いても蛍光体層５Ａの層厚による光源のサイズ拡大を最小限に抑えることができるので、外部への放射効率を大にできるとともに良好な集光性を付与することができる。
【００４１】
図３は、第３の実施の形態に係る発光装置であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面である。
【００４２】
この発光装置１は、ラージサイズの発光素子４を搭載する電源供給部として銅合金等の導電材料からなるリード２Ａおよび２Ｂと、リード２Ａおよび２Ｂの素子搭載側に設けられて表面に配線パターン３Ａおよび３Ｂを有するサブマウント３と、配線パターン３Ａおよび３Ｂにバンプ４Ａを介してフリップチップ接合される発光素子４とを有する。
【００４３】
サブマウント３は、ＡｌＮ等の高熱伝導性材料によって形成されており、表面に形成される銅箔の配線パターン３Ａおよび３Ｂにバンプ４Ａを介して発光素子４をフリップチップ接合している。また、配線パターン３Ａはリード２Ａと、配線パターン３Ｂはリード２Ｂと図示しないビアホールを介して電気的に接続されている。
【００４４】
光学部５は、発光素子４を搭載したリード２Ａおよび２Ｂに対して所定の位置に凹凸嵌合に基づいて位置決め固定されるようになっている。また、素子収容部５０の内周面には薄い層状に形成された蛍光体層５Ａが設けられている。この素子収容部５０は、図３（ｂ）に示すように、発光素子４との間に形成される隙間５Ｂが可能な限り小となるサイズで形成されている。
【００４５】
このような発光装置１を製造するには、まず、金属材料の打ち抜き加工によってリード２Ａおよび２Ｂを形成する。また、リード２Ａおよび２Ｂの打ち抜き加工時に位置決め用の凸部を圧痕形成する。次に、リード２Ａおよび２Ｂの素子搭載側に高熱伝導性材料によってサブマウント３を形成する。次に、サブマウント３の表面に銅箔による所定の配線パターン３Ａおよび３Ｂを形成する。次に、配線パターン３Ａおよび３Ｂの所定の位置にバンプ４Ａを介して発光素子４をフリップチップ接合する。
【００４６】
光学部５は別工程で形成される。まずレンズ形状に応じた金型に光透過性樹脂を充填することにより第１光学部５１、第２光学部５２（図示せず）、および素子収容部５０を有した光学部５を射出成型する。また、樹脂成型時に位置決め用の凹部をあわせて成型する。次に、素子収容部５０に蛍光体を薄く塗布して蛍光体層５Ａを形成する。
【００４７】
次に、上記した光学部５に設けられた凹部と、リード２Ａおよび２Ｂに設けられた凸部とが嵌合するように両者を位置決め固定する。このとき、素子収容部５０に透明なシリコン樹脂を注入する。次に、リード２Ａおよび２Ｂに光学部５を被せて接着固定するとともに発光素子４をシリコン封止する。
【００４８】
上記した第３の実施の形態によると、ラージサイズの発光素子４をサブマウント３上の配線パターン３Ａおよび３Ｂに搭載したので、発光素子４の点灯に基づく発熱を速やかに効率良くリード２Ａおよび２Ｂに伝熱させることが可能になり、大出力化に余裕を持って対応でき、素子収容部５０内での熱収縮を抑えて安定した動作性を付与するとともに、信頼性を向上させることができる。なお、発光素子４が第１の実施の形態で説明した３００×３００μｍのチップサイズのものであっても良く、この場合には光源サイズの小型化によって集光性が向上することから、所望の照射範囲における光度を大にできる。
【００４９】
図４は、第４の実施の形態に係るレンズの素子収容部を示す。この光学部５は、発光素子４を包囲する素子収容部５０を発光素子４の外形とほぼ同じ矩形状に形成したものである。
【００５０】
上記した第４の実施の形態によると、発光素子４と蛍光体層５Ａとの間の隙間５Ｂをより小にできることから、光源サイズの拡大をより効果的に抑制でき、そのことによって放射される光の集光性をより高めることができる。
【００５１】
図５は、第５の実施の形態に係る発光装置であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面である。
【００５２】
この発光装置１は、サブマウント３上の配線パターン３Ａ、３Ｂ、および３Ｃに赤色発光素子４０および複数の青色発光素子４１をフリップチップ接合して構成されている。
【００５３】
青色発光素子４１は、図５（ｂ）に示すように、赤色発光素子４０の周囲に８個が配置されている。この赤色発光素子４０および青色発光素子４１は、それぞれ３００×３００μｍのチップサイズを有する。
【００５４】
蛍光体層５Ａは、青色発光素子４１から放射される青色光に基づいて励起されて黄色光を放射するＣｅ：ＹＡＧからなる。
【００５５】
上記した第５の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて青色発光素子４１から放射される青色光と、青色光によって励起された蛍光体層５Ａから放射される黄色光とが混合されることによって白色光が得られるとともに、赤色発光素子４０から放射される赤色光が加わることによって、演色性の高い白色光を得ることができる。
【００５６】
なお、複数の発光素子を設ける他の構成として、例えば、青色発光素子４１に代えて紫外線発光素子４１を赤色発光素子４０の周囲に配置し、赤色、青色、および緑色の蛍光体を混合した蛍光体層５Ａに紫外光を通過させることに基づいて白色光を得るようにしても良い。また、赤色発光素子４０を設ける代わりに９個の紫外線発光素子４１を設けても良い。
【００５７】
図６は、第６の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明した光学部５の第２光学部５２に階段形状部５Ｆを設けたものである。
【００５８】
上記した第６の実施の形態によると、光学部５の樹脂層の略均一化を図ることができるため、成形性が向上し、ひけ等による光学面形状の歪みを低く抑えることができ、さらに、肉厚部の冷却時間も除くことができるので量産性も向上する。また、必要樹脂量も減ずることができ、コストを下げることができる。なお、階段形状部５Ｆは図示した形状および段数に限定されない。また、配線パターン３Ａおよび３Ｂにフリップチップ接合される発光素子４を有する構成にも適用することができ、更に、ラージサイズの発光素子４を用いることで光度を大にすることができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の発光装置およびその製造方法によると、発光素子の中心軸に対して大きな角度をなす領域に配置される第１の光学系と、反射面と放射面とを有する第２の光学系とで発光素子が発した光を発光素子の中心軸に対して略垂直な方向に外部放射するようにしたため、発光源から放射される光の損失を生じることなく有効に活用することができ、光度を大にできるとともに所望の方向および範囲に集光された光を照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。
【図３】第３の実施の形態に係る発光装置の一部（第１光学部周辺）を示し、（ａ）は中心部分における縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ部における部分断面図である。
【図４】第４の実施の形態に係る発光装置の素子収容部の部分断面図である。
【図５】第５の実施の形態に係る発光装置の一部（第１光学部周辺）を示し、（ａ）は中心部分における縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ部における部分断面図である。
【図６】第６の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。
【図７】（ａ）は、従来の発光装置を示す縦断面図である。（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ部における部分断面図である。
【図８】（ａ）は、光源サイズが小である場合の集光性を示す図である。（ｂ）は、光源サイズが大である場合の集光性を示す図である。
【符号の説明】
１、発光装置 ２Ａ、リード ２Ｂ、リード ３、サブマウント
３Ａ、配線パターン ３Ｂ、配線パターン ４Ａ、バンプ
４、発光素子 ５、光学部 ５Ａ、蛍光体層 ５Ｂ、隙間
５Ｄ、上面反射面 ５Ｅ、側面放射面 ５Ｆ、階段形状部
６、基板 ６Ａ、絶縁層 ６Ｂ、ベース材 ７、ボンディングワイヤ
４０、赤色発光素子 ４１、青色発光素子
５０、素子収容部 ５１、第１光学部 ５２、第２光学部
６０、発光素子 ６１、ドーム部 ６１Ａ、ベース部 ６２、光源
６３、入射面 ６４、反射領域 ６４Ａ、反射面 ６５、直接伝導領域
６６、反射領域 ６６Ａ、抽出面 ６７、照射面 ６８、縁
７０、ポスト ７２、レンズ要素 ７３、光学要素 ７３Ａ、ピローレンズ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a light-emitting device that emits light emitted from a light-emitting diode (hereinafter, referred to as “LED”) in a predetermined direction and range through an optical system, and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a light emitting device which can be made large and has excellent light collecting properties, and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a light emitting device that uses an LED chip as a light source and reflects light emitted from the light source by an optical system provided close to the light source and emits the light in a predetermined direction. reference.).
[0003]
FIG. 7 shows a light emitting device described in Patent Document 1. (A) is a longitudinal cross-sectional view centering on the light source, and (b) is a cross-sectional view taken along the line CC of (a).
[0004]
As shown in FIG. 7A, the light emitting device includes a light emitting element 60 that emits light, a light source 62 having a dome portion 61 and a base portion 61A provided integrally with the light emitting element 60, an incident surface 63, A lens element 72 including a first reflection region 64, a first reflection surface 64A, a direct conduction region 65, a second reflection region 66, an irradiation surface 67, edges 68 and 69, posts 70 and 71, and a pillow lens 73A. Are formed in an array, and a pair of an extraction surface 66A and a step-down portion (step downs) 66B is provided around the first reflection region 64 in the second reflection region 66 of the lens element 72. It is formed at 360 degrees.
[0005]
As shown in FIG. 7 (b), the light source 62 couples the recesses 62 </ b> A and 62 </ b> B of the base 61 </ b> A with the posts 70 and 71 of the lens element 72 so that the dome 61 is positioned at the center of the first reflection area 64. Positioning is fixed.
[0006]
In such a configuration, when light is emitted from the light source 62, the light enters the lens element 72 from the incident surface 63. This light is reflected on the first reflection surface 64A in a direction orthogonal to the central axis direction of the light source 62, and further reflected on the extraction surface 66A in the central axis direction and emitted from the irradiation surface 67; From the optical element 73 as light B directly transmitted through the conduction region 65 and emitted in the central axis direction. Thereby, the light whose irradiation range is enlarged is incident on the optical element 73.
[0007]
[Patent Document 1]
WO 99/09349 pamphlet (Page 4, Figure 2)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the conventional light emitting device, there is a problem that the thickness is increased because the light emitting device has the dome portion 61 for condensing the light emitted from the light source 62 on the central axis.
In addition, since it is difficult to assemble the lens element 72 with the central axis of the lens element 72 completely aligned with the central axis of the light source 62, there is a problem that a positional shift is likely to occur and brightness in all directions is likely to be uneven. That is, since the light source 62 and the lens element 72 are formed separately and positioned, if the positional accuracy of the central axis of the light source 62 with respect to the first reflection area 64 of the lens element 72 decreases, the first The amount of reflected light reflected in the total reflection direction by the reflection area 64 becomes uneven, and light and darkness (difference in brightness) occurs on the surface of the LED light. In particular, in the case of an optical system in which most of the light emitted from the light source 62 is radiated upward and has a high degree of condensing, the light distribution variation of the light source 62 itself and the direction perpendicular to the central axis of the lens element 72 and the light source 62 described above. The difference in brightness due to the variation in the optical characteristics due to the positional shift to the position becomes remarkable.
Further, there is a problem that the side light that cannot be condensed on the central axis by the dome portion 61 has reduced light use efficiency and cannot increase the irradiation area. That is, light emitted from the light source 62 in the horizontal plane direction (X direction) is not reflected by the second reflection region 66, and light not reflected by either the first reflection region 64 or the second reflection region 66 is Since the light is not emitted in the Z direction, there is a disadvantage that the light efficiency is poor.
Moreover, in the light emitting device of FIG. 7A, since the light source 62 and the lens element 72 are separate bodies, the light radiated from the light source 62 once passes through the air layer and then enters the incident surface 63 of the lens element 72. As a result, light loss may occur at an intervening air layer or interface, or dirt may accumulate at the interface between the light source 62 and the lens element 72, impeding light transmission and promoting light loss. Further, when a physical impact occurs, the position is easily shifted, and an optical system in which the light emitting element and the reflecting mirror are brought close to each other cannot be established. In addition, there are problems that the number of parts and the number of assembling steps increase, and variations in assembling accuracy increase.
[0009]
Further, as shown in FIG. 8A, when light emitted from the light emitting element 60 is collected by the dome portion (light collecting optical system) 61, when the light emitting area of the light emitting element 60 is small and it can be regarded as a point light source, The light L is sufficiently collected. On the other hand, as shown in FIG. 8B, if the light emitting area of the light emitting element 60 is large, sufficient light cannot be condensed.
[0010]
Accordingly, it is an object of the present invention to effectively utilize the light emitted from the light emitting source without loss, to increase the luminous intensity, and to irradiate the light collected in a desired direction and range. And a method of manufacturing the same.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a light-emitting element, a power supply unit for supplying power to the light-emitting element, and a light-emitting element disposed in a region having a large angle with respect to a center axis of the light-emitting element with the origin as the origin. A first optical system, a reflecting surface facing the light emitting surface of the light emitting element, and a radiation surface for externally radiating light emitted from the light emitting element and reflected by the reflecting surface. Wherein the first optical system and the second optical system externally emit light emitted by the light emitting element in a direction substantially perpendicular to a central axis of the light emitting element. A light emitting device is provided.
[0012]
According to such a configuration, the emission direction is appropriately controlled according to the light distribution of the light emitted from the light emitting element.
[0013]
Further, in order to achieve the above object, the present invention provides a first step of forming a power supply unit, a second step of mounting a light emitting element on the power supply unit, and integrally covering the light emitting element. A first optical system provided with an element housing portion for housing and having a light collecting surface for collecting light and emitting the light in a direction perpendicular to the central axis of the light emitting element; and A third step of positioning an optical unit having a second optical system having a reflecting surface to radiate light in the direction with respect to the power supply unit, such that the light emitting element is surrounded by the element housing unit. And a fourth step of bonding and fixing the optical section and the power supply section to each other.
[0014]
According to such a configuration, the radiation direction of light according to the size and light distribution characteristics of the light emitting element is selectively given based on the coupling with the lens.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0016]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the light emitting device according to the first embodiment.
In the following description, a coordinate system is defined in which the central axis of the light emitting element is the Z axis, the upper surface position of the light emitting element on the Z axis is the origin, and the origin has an X axis and a Y axis orthogonal to the Z axis. . However, the Z axis is also referred to as the optical axis Z.
[0017]
In addition to the light condensing, a light condensing in a spot shape in the Z axis direction, a light condensing in a direction orthogonal to the Z axis, and a light condensing in a direction having a predetermined angle with respect to the Z axis are also included. Shall be included.
[0018]
The light emitting device 1 includes a substrate 6 having an insulating layer 6A, a base material 6B made of a good heat conductor such as aluminum, and wiring patterns 3A and 3B provided on the surface of the insulating layer 6A, and a wiring pattern 3A. The light emitting element 4 is face-up joined, a bonding wire 7 for electrically connecting an electrode portion (not shown) of the light emitting element 4 and the wiring patterns 3A and 3B, and the light emitting element 4 and the bonding wire 7 are surrounded. And an optical unit 5 externally fixed to the substrate 6.
[0019]
The wiring patterns 3A and 3B are formed by etching a copper foil layer adhered to the base material 6B via the insulating layer 6A to form a predetermined circuit pattern. In addition, a positioning concave portion for fitting the concave portion and the convex portion provided on the optical portion 5 is formed based on an etching process.
[0020]
The light emitting element 4 is formed of, for example, a gallium nitride-based compound semiconductor such as GaN, GaAlN, InGaN, and InGaAlN, or ZnSe (zinc selenide) or the like so as to emit light of a blue wavelength of 450 nm to 480 nm. The light emitting element 4 has a chip size of 300 × 300 μm, and emits light mainly from the electrode forming surface and the side surface. Since the element structure of the blue LED is a well-known technology, a detailed description thereof will be omitted.
[0021]
The optical section 5 is formed by injection molding a light transmissive resin having a relatively high refractive index such as a polycarbonate resin. The optical section 5 is provided so as to surround the light emitting element 4 and transmits light substantially horizontally to the Z axis. A first optical unit 51 for converging light in the X-axis direction, and a second optical unit 51 provided integrally with the first optical unit 51 and emitting light in a substantially horizontal X-axis direction orthogonal to the Z-axis based on total reflection. It has an optical part 52 and an element housing part 50 formed in a concave shape below the first optical part 51 and surrounding the light emitting element 4 and the bonding wire 7. The shape and size are such that the gap 5B formed at the bottom is made as small as possible.
[0022]
The optical section 5 is positioned and fixed at a predetermined position with respect to the substrate 6 on which the light emitting element 4 is mounted. Although not shown, this positioning is performed based on the concave and convex fit between the concave portion formed on the substrate 6 and the convex portion formed on the optical section 5. In addition, you may make it fix with a high positional accuracy by another positioning method.
[0023]
The first optical unit 51 is provided so as to surround the light emitting element 4 so as to refract light in a direction perpendicular to the optical axis Z, and a direction from about 55 degrees to 90 degrees with respect to the Z axis. Has a convex curved surface that refracts light radiated to the Z axis and radiates the light in a direction perpendicular to the Z axis. That is, it has a symmetry axis on the X axis, and the distance from the origin to the center of the ellipse is D 1 , The diameter in the X-axis direction is nD 1 , The diameter in the Z-axis direction is √ (n 2 -1) · D 1 Is rotated around the Z axis. Here, n is the refractive index of the lens material, and in the case of an epoxy resin or a polycarbonate resin, n ≒ 1.5. D 1 Is an arbitrary value that determines the similarity ratio.
[0024]
The second optical unit 52 forms a circular reflection shape in which a part of a parabola having the X-axis as a symmetric axis is rotated by 360 degrees around the Z-axis with the above-described origin of the light-emitting element 4 as a focal point. An upper surface reflecting surface 5D formed within an angle range of 55 degrees or less with respect to the axis, and a side emitting surface 5E for radiating light totally reflected by a cylindrical upper surface reflecting surface 5D centered on the Z axis in a side direction. And Note that a flat surface for extracting light in the Z-axis direction may be provided at the center of the second optical unit 52 depending on the application.
[0025]
As shown in FIG. 1, the position and size relationship between the first optical unit 51 and the second optical unit 52 is such that all light emitted from the light emitting element 4 and emitted within 90 degrees with respect to the Z axis One that reaches either the lens surface of the first optical unit 51 or the upper reflecting surface 5D of the second optical unit 52, and the light reflected by the upper reflecting surface 5D of the second optical unit 52 reaches the side emitting surface 5E. (In the height in the Z-axis direction, the bottom of the upper reflecting surface 5D is higher than the upper end of the lens surface of the first optical unit 51). For this reason, the diameter of the second optical unit 52 is larger than the diameter of the first optical unit 51.
[0026]
To manufacture such a light emitting device 1, first, the substrate 6 having a copper foil layer on the surface is etched to form the wiring patterns 3A and 3B. Next, the light emitting element 4 is face-up bonded to the surface of the wiring pattern 3A. Next, the electrode portions (not shown) of the light emitting element 4 and the wiring patterns 3A and 3B are electrically connected with the bonding wires 7.
[0027]
The optical part 5 is formed in another step. First, an optical part 5 having an element housing part 50 having a shape as shown in FIG. 1 is injection-molded by filling a light transmitting resin into a split mold corresponding to a lens shape. Also, the resin is molded together with the positioning projection.
[0028]
Next, the convex portion of the optical section 5 and the concave portions provided in the wiring patterns 3A and 3B are positioned and fixed so as to fit each other. At this time, a transparent silicon resin is injected into the element accommodating section 50. Next, the optical parts 5 are put on the wiring patterns 3A and 3B and fixed by adhesion, and the light emitting elements 4 are sealed with silicon.
[0029]
Hereinafter, the operation of the light emitting device according to the first embodiment will be described.
[0030]
A drive unit (not shown) applies a drive voltage to the wiring patterns 3A and 3B. The light emitting element 4 emits light based on the driving voltage and emits blue light. In the blue light emitted from the light emitting element 4, light in a range of about 60 degrees from the Z axis reaches the upper reflecting surface 5D of the second optical unit 52, is totally reflected, and vertically enters the side emitting surface 5E. It is radiated externally in a direction perpendicular to the axis. Light in a range from about 60 degrees to 90 degrees with respect to the Z axis reaches the first optical unit 51, is condensed by a lens, and is emitted in a direction orthogonal to the Z axis. In this manner, almost all the blue light emitted from the light emitting element 4 is externally emitted in a direction orthogonal to the Z axis based on the total reflection and the lens.
[0031]
According to the above-described first embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The thickness with respect to the diameter of the light source (the light emitting element 4 and the optical unit 5) can be formed thin.
(2) A side surface due to an axial deviation between the light source and the lens element and a light distribution characteristic deviation of the light source due to a positional deviation between the light emitting element 4 and the optical unit 5 (the higher the light condensing degree of the condenser lens, the more the side surface). In principle, the light distribution characteristics of the light emitted in the direction can be prevented from becoming unstable, and stable light distribution characteristics can be obtained.
(3) The radiation efficiency in the side direction can be improved. That is, the side light that cannot be condensed on the central axis by the dome portion is based on the fact that the light use efficiency is reduced and it is difficult to increase the irradiation area, or that the light source and the lens element are formed separately. It is possible to optically control almost all light emitted from the light emitting element 4 without causing light loss at the interface between the light source and the lens element due to the interposition of the air layer and the occurrence of light loss at the interface between the light source and the lens element. .
(4) The angle of incidence of light from the light emitting element 4 to the first optical unit 51 when the light is emitted from the light emitting element 4 and emitted outside, and the light is reflected by the upper reflecting surface 5D from the light emitting element 4 to the side emitting surface 5E. By setting the incident angle of the incident light to 35 degrees or less at which the interface reflectance does not increase with a material of n = 1.5 (excluding the top reflection surface using total reflection), it is possible to reduce the interface reflection loss. can do. In addition, since the basic optical system can optically control almost all light emitted from the light emitting element 4, it is necessary that the radiation efficiency does not decrease even if the diameter is reduced, or that the radiation efficiency decrease rate is low. it can.
(5) Since the first optical section 51 and the second optical section 52 for realizing side emission are integrally formed, no displacement of the optical system with respect to the light emitting element 4 due to a physical impact or the like occurs. In addition, the number of parts and the number of assembling steps are not increased, and variations in assembling accuracy do not increase.
[0032]
The first optical unit is slightly affected by interface reflection, but θ = sin with respect to the Z axis. -1 (1 / n), and can be formed up to about 40 degrees when n = 1.5. Therefore, in order to optically control substantially the entire luminous flux emitted by the light emitting element, it is necessary to form a reflection surface covering the light emitting element 4 up to about 40 degrees with respect to the Z axis. Generally, the range of about 40 degrees with respect to the Z axis is a region where the radiation intensity from the light emitting element 4 is large.
[0033]
It is advantageous in terms of external radiation efficiency of light to cover the above-mentioned area widely with the reflection surface. That is, the angle range in which the first optical unit 51 can be optically controlled is limited, and if the first optical unit 51 is made large, interface reflection loss is likely to occur at the end (a high position in the Z-axis direction).
[0034]
Note that the first optical unit 51 is not limited to the one that externally emits light parallel to the direction orthogonal to the Z axis, and may be, for example, one that collectively emits light with a spread of about 30 degrees. In this case, the first optical section 51 can be formed up to about 35 degrees with respect to the Z axis as long as the interface reflection is not large.
[0035]
Further, as long as there is an influence of interface reflection, it can be formed up to about 20 degrees with respect to the Z axis. At this time, the reflection surfaces in the range to be formed are about 35 degrees and about 20 degrees with respect to the Z axis, respectively. However, since it is difficult to form an edge on molding at a place where the optical surface is discontinuous, and there is a possibility that molding accuracy may decrease due to sink marks, etc., the range where the radiation intensity from the light emitting element 4 is large is a reflection surface. It is desirable to cover widely. Therefore, it is desirable that the reflecting mirror is formed up to a range of 40 degrees or more with respect to the Z axis.
[0036]
Also, the second optical unit 52 may be one that condenses and emits light with a certain degree of spread, similarly to the first optical unit 51.
[0037]
In the first embodiment described above, the configuration using the light emitting element 4 that emits blue light has been described, but the light emitting element 4 that emits red light, green light, or ultraviolet light other than blue light is used. Configuration may be used. In addition, a large-output large chip (for example, 1000 × 1000 μm) can be used as the light emitting element 4. Since the distance between the light emitting element 4 and the upper reflecting surface 5D is relatively long, that is, about 以上 or more of the radius of the optical section 5, the distance between the light emitting element 4 and the blue light emitted from the light emitting element 4 is large. A yellow phosphor that emits yellow light is arranged around the light emitting element 4, and even when the size of the light source is large, such as when white light is obtained by mixing blue light and yellow light, the entire surface of the upper reflecting surface 5D can be used. Reflection can be used.
[0038]
Further, the optical section 5 is not limited to a transparent one, but may be a colored one. In addition, although it has been described that the light is condensed and radiated as substantially parallel light in a direction orthogonal to the Z axis, an effect can be obtained as long as the light is radiated effectively to a predetermined annular range. The light may be externally radiated as light having a spread, instead of being substantially parallel light, in a direction range substantially perpendicular to the Z-axis of about 45 degrees or more.
[0039]
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the light emitting device according to the second embodiment.
The light-emitting device 1 has a configuration in which a large chip of 1000 × 1000 μm is flip-chip bonded as a light-emitting element 4 via a bump 4A, and the light-emitting element 4 is surrounded by an element housing portion 50 of an optical section 5. The portion 50 has a configuration in which a phosphor layer 5A made of Ce: YAG (yttrium aluminum garnet) that emits yellow light when excited by blue light emitted from the light emitting element 4 is formed thin on the inner peripheral surface. This is different from the first embodiment. The element accommodating portion 50 is formed in a shape and size that minimizes a gap formed between the element accommodating portion 50 and the light emitting element 4.
[0040]
According to the above-described second embodiment, the element housing section 50 is provided in the external optical section 5, and the phosphor layer 5A is thinly provided on the inner peripheral surface of the element housing section 50 to integrally surround the light emitting element 4. As a result, white light can be obtained. Further, in addition to the favorable effects of the first embodiment, it becomes possible to form the phosphor layer 5A uniformly and thinly. Further, since the phosphor layer 5A having a uniform thickness can be formed, a decrease in luminous intensity due to light absorption can be prevented. In addition, even if a large-sized light emitting element 4 is used, the increase in the size of the light source due to the thickness of the phosphor layer 5A can be minimized, so that the radiation efficiency to the outside can be increased and good light collecting properties can be obtained. Can be granted.
[0041]
3A and 3B show a light emitting device according to a third embodiment, in which FIG. 3A is a longitudinal sectional view, and FIG. 3B is a DD section of FIG.
[0042]
This light emitting device 1 has leads 2A and 2B made of a conductive material such as a copper alloy as a power supply for mounting a large-sized light emitting element 4, and wiring patterns 3A provided on the element mounting side of the leads 2A and 2B. And a light emitting element 4 that is flip-chip bonded to the wiring patterns 3A and 3B via bumps 4A.
[0043]
The submount 3 is formed of a high heat conductive material such as AlN, and the light emitting element 4 is flip-chip bonded to the copper foil wiring patterns 3A and 3B formed on the surface thereof via the bumps 4A. The wiring pattern 3A is electrically connected to the lead 2A, and the wiring pattern 3B is electrically connected to the lead 2B via a via hole (not shown).
[0044]
The optical section 5 is positioned and fixed to a predetermined position with respect to the leads 2A and 2B on which the light emitting element 4 is mounted, based on concave and convex fitting. A phosphor layer 5A formed in a thin layer is provided on the inner peripheral surface of the element accommodating portion 50. As shown in FIG. 3B, the element accommodating portion 50 is formed in such a size that the gap 5B formed between the element accommodating portion 50 and the light emitting element 4 is as small as possible.
[0045]
To manufacture such a light emitting device 1, first, leads 2A and 2B are formed by punching a metal material. In addition, when the leads 2A and 2B are punched, positioning protrusions are formed as indentations. Next, the submount 3 is formed on the element mounting side of the leads 2A and 2B using a high thermal conductive material. Next, predetermined wiring patterns 3A and 3B made of copper foil are formed on the surface of the submount 3. Next, the light emitting element 4 is flip-chip bonded to predetermined positions of the wiring patterns 3A and 3B via the bumps 4A.
[0046]
The optical part 5 is formed in another step. First, a mold corresponding to a lens shape is filled with a light-transmitting resin to injection-mold the first optical unit 51, the second optical unit 52 (not shown), and the optical unit 5 having the element housing unit 50. . In addition, the resin is molded together with the positioning recess when molding the resin. Next, a phosphor is thinly applied to the element accommodating portion 50 to form the phosphor layer 5A.
[0047]
Next, the concave portion provided on the optical section 5 and the convex portions provided on the leads 2A and 2B are positioned and fixed so that they fit together. At this time, a transparent silicon resin is injected into the element accommodating section 50. Next, the optical parts 5 are put on the leads 2A and 2B and fixed by adhesion, and the light emitting elements 4 are sealed with silicon.
[0048]
According to the third embodiment, since the large-sized light emitting element 4 is mounted on the wiring patterns 3A and 3B on the submount 3, the heat generated based on the lighting of the light emitting element 4 is quickly and efficiently generated by the leads 2A and 2B. Heat can be transferred to the device housing, and it is possible to cope with an increase in output with a margin, to suppress heat shrinkage in the element accommodating portion 50, to provide stable operability, and to improve reliability. . The light-emitting element 4 may have a chip size of 300 × 300 μm described in the first embodiment. In this case, the light-collecting property is improved by reducing the size of the light source. The luminous intensity in the irradiation range can be increased.
[0049]
FIG. 4 shows an element housing portion of the lens according to the fourth embodiment. The optical section 5 is configured such that an element accommodating section 50 surrounding the light emitting element 4 is formed in a substantially same rectangular shape as the outer shape of the light emitting element 4.
[0050]
According to the above-described fourth embodiment, since the gap 5B between the light emitting element 4 and the phosphor layer 5A can be made smaller, the enlargement of the light source size can be suppressed more effectively, and the radiation is thereby emitted. The light collecting property can be further improved.
[0051]
5A and 5B show a light emitting device according to a fifth embodiment, in which FIG. 5A is a longitudinal sectional view, and FIG. 5B is a sectional view taken along line EE of FIG.
[0052]
This light emitting device 1 is configured by flip-chip bonding a red light emitting element 40 and a plurality of blue light emitting elements 41 to wiring patterns 3A, 3B, and 3C on a submount 3.
[0053]
As shown in FIG. 5B, eight blue light emitting elements 41 are arranged around the red light emitting element 40. Each of the red light emitting element 40 and the blue light emitting element 41 has a chip size of 300 × 300 μm.
[0054]
The phosphor layer 5A is made of Ce: YAG that emits yellow light when excited based on blue light emitted from the blue light emitting element 41.
[0055]
According to the above-described fifth embodiment, in addition to the advantageous effects of the first embodiment, the blue light emitted from the blue light emitting element 41 and the yellow light emitted from the phosphor layer 5A excited by the blue light are added. White light is obtained by mixing with light, and white light with high color rendering properties can be obtained by adding red light emitted from the red light emitting element 40.
[0056]
As another configuration in which a plurality of light emitting elements are provided, for example, instead of the blue light emitting element 41, an ultraviolet light emitting element 41 is arranged around the red light emitting element 40, and a fluorescent material in which red, blue, and green phosphors are mixed is used. White light may be obtained based on passing ultraviolet light through the body layer 5A. Further, instead of providing the red light emitting element 40, nine ultraviolet light emitting elements 41 may be provided.
[0057]
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the light emitting device according to the sixth embodiment.
In this light emitting device 1, a stair-shaped portion 5F is provided in the second optical portion 52 of the optical portion 5 described in the first embodiment.
[0058]
According to the above-described sixth embodiment, the resin layer of the optical unit 5 can be made substantially uniform, so that the moldability is improved, and the distortion of the optical surface shape due to sink marks and the like can be suppressed low. Also, since the cooling time of the thick part can be eliminated, the mass productivity is also improved. Also, the required resin amount can be reduced, and the cost can be reduced. Note that the stair-shaped portion 5F is not limited to the illustrated shape and the number of steps. Further, the present invention can be applied to a configuration having the light emitting element 4 that is flip-chip bonded to the wiring patterns 3A and 3B, and further, the luminous intensity can be increased by using the large-sized light emitting element 4.
[0059]
【The invention's effect】
As described above, according to the light emitting device and the method of manufacturing the same of the present invention, the first optical system disposed in the region forming a large angle with respect to the central axis of the light emitting element, and the first optical system having the reflecting surface and the emitting surface The light emitted from the light emitting element is externally radiated in a direction substantially perpendicular to the central axis of the light emitting element with the second optical system, so that the light emitted from the light emitting source can be effectively used without loss. The luminous intensity can be increased, and the light focused in a desired direction and range can be irradiated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a central portion of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a central portion of a light emitting device according to a second embodiment.
3A and 3B show a part (around a first optical unit) of a light emitting device according to a third embodiment, wherein FIG. 3A is a longitudinal sectional view at a central portion, and FIG. 3B is a DD section of FIG. FIG.
FIG. 4 is a partial sectional view of an element accommodating portion of a light emitting device according to a fourth embodiment.
FIGS. 5A and 5B show a part (around a first optical unit) of a light emitting device according to a fifth embodiment, in which FIG. 5A is a longitudinal sectional view of a central part, and FIG. 5B is an EE section of FIG. FIG.
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a central portion of a light emitting device according to a sixth embodiment.
FIG. 7A is a longitudinal sectional view showing a conventional light emitting device. (B) is a partial cross-sectional view taken along the line CC of (a).
FIG. 8A is a diagram showing light-collecting properties when a light source size is small. (B) is a diagram showing light-collecting properties when the light source size is large.
[Explanation of symbols]
1, light emitting device 2A, lead 2B, lead 3, submount
3A, wiring pattern 3B, wiring pattern 4A, bump
4, light emitting element 5, optical part 5A, phosphor layer 5B, gap
5D, top reflection surface 5E, side emission surface 5F, staircase shape part
6, substrate 6A, insulating layer 6B, base material 7, bonding wire
40, red light emitting element 41, blue light emitting element
50, element housing section 51, first optical section 52, second optical section
60, light emitting element 61, dome part 61A, base part 62, light source
63, entrance surface 64, reflection region 64A, reflection surface 65, direct conduction region
66, reflection area 66A, extraction surface 67, irradiation surface 68, edge
70, post 72, lens element 73, optical element 73A, pillow lens

Claims (12)

発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する電源供給部と、
前記発光素子を原点とし前記発光素子の中心軸に対し大きな角度をなす領域に配置される第１の光学系と、
前記発光素子の発光面側に対向配置される反射面と、前記発光素子から放射されて前記反射面で反射された光を外部放射する放射面とを有する第２の光学系とを具備し、
前記第１の光学系および前記第２の光学系は、前記発光素子が発した光を前記発光素子の中心軸に対し略垂直な方向に外部放射することを特徴とする発光装置。A light emitting element;
A power supply unit for supplying power to the light emitting element,
A first optical system disposed in a region having a large angle with respect to a center axis of the light emitting element with the light emitting element as an origin;
A light-emitting element includes a reflecting surface facing the light-emitting surface side, and a second optical system having a radiation surface that externally emits light emitted from the light-emitting element and reflected by the reflection surface,
The light emitting device according to claim 1, wherein the first optical system and the second optical system externally emit light emitted from the light emitting element in a direction substantially perpendicular to a central axis of the light emitting element. 前記第１の光学系は、前記発光素子を原点とし前記発光素子の中心軸に対し４０度以上の範囲まで形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the first optical system is formed to have a range of 40 degrees or more with respect to a center axis of the light emitting element with the light emitting element as an origin. 前記第１の光学系および前記第２の光学系は、前記発光素子から放射される略全光量を光学制御して外部放射させることを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein the first optical system and the second optical system optically control substantially the entire amount of light emitted from the light emitting element to emit the light externally. 4. 前記第１の光学系および前記第２の光学系は、略１．５の屈折率材料で形成され、前記発光素子から前記第１光学系へ至る光の入射角と、前記発光素子から前記反射面で反射され、前記放射面に至る光の入射角とが３５度以内であることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の発光装置。The first optical system and the second optical system are formed of a material having a refractive index of about 1.5, and include an incident angle of light from the light emitting element to the first optical system and a reflection angle from the light emitting element. The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein an incident angle of light reflected by the surface and reaching the radiation surface is within 35 degrees. 前記第２の光学系は、前記発光素子の光出射面を原点として、前記発光素子の中心軸に直角な軸を対称軸とする放物線の一部を前記光軸の周りに３６０度回転させた円状の反射形状を成す上面反射面と、前記上面反射面で全反射された光を側面方向に放射する側面放射面とを有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。The second optical system rotates a part of a parabola having an axis perpendicular to the central axis of the light emitting element as a symmetric axis with the light emitting surface of the light emitting element as an origin, rotated 360 degrees around the optical axis. The light emitting device according to claim 1, further comprising: a top reflection surface having a circular reflection shape; and a side emission surface that emits light totally reflected by the top reflection surface in a side direction. 前記第２の光学系は、前記発光素子が発した光を前記発光素子の中心軸に対して直交する方向へ略平行光として外部放射することを特徴とする請求項１記載の発光装置。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the second optical system externally emits light emitted from the light emitting element as substantially parallel light in a direction orthogonal to a central axis of the light emitting element. 前記第１の光学系は、前記発光素子の外形に沿って近接して設けられる素子収容部を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。The light emitting device according to claim 1, wherein the first optical system has an element accommodating portion provided close to and along the outer shape of the light emitting element. 前記発光素子は、複数の発光素子を規則的に配列して形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is formed by regularly arranging a plurality of light emitting elements. 前記発光素子は、発光波長の異なる複数の発光素子を規則的に配列して形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is formed by regularly arranging a plurality of light emitting elements having different emission wavelengths. 電源供給部を形成する第１の工程と、
前記電源供給部に発光素子を実装する第２の工程と、
前記発光素子を覆って一体的に収容する素子収容部を設けられて光を集光して前記発光素子の中心軸に直交する方向に放射させる集光面を形成された第１の光学系と、前記光を全反射して前記方向に放射させる反射面を形成された第２の光学系とを有する光学部を前記電源供給部に対して位置決めする第３の工程と、
前記素子収容部によって前記発光素子が包囲されるように前記光学部と前記電源供給部とを接着固定する第４の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。A first step of forming a power supply,
A second step of mounting a light emitting element on the power supply unit;
A first optical system provided with an element housing portion for integrally housing the light emitting element and forming a light collecting surface for collecting light and emitting the light in a direction perpendicular to a central axis of the light emitting element; A third step of positioning an optical unit having a second optical system having a reflection surface that totally reflects the light and emits the light in the direction with respect to the power supply unit;
A fourth step of bonding and fixing the optical section and the power supply section so that the light emitting element is surrounded by the element accommodating section. 前記第４の工程は、前記素子収容部に蛍光体材料を内周面に吹き付けることによって薄く層状に蛍光体層を形成されている前記光学部を前記電源供給部と接着固定することを特徴とする請求項１０記載の発光装置の製造方法。The fourth step is characterized in that the optical section, in which a phosphor layer is formed in a thin layer, is adhesively fixed to the power supply section by spraying a phosphor material onto the inner peripheral surface of the element accommodating section. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 10. 前記第４の工程は、前記素子収容部に透明封止樹脂を注入して前記光学部と前記電源供給部とを接着固定することを特徴とする請求項１０記載の発光装置の製造方法。The method according to claim 10, wherein in the fourth step, a transparent encapsulating resin is injected into the element accommodating section to bond and fix the optical section and the power supply section.
JP2003069290A 2003-03-03 2003-03-14 Light emitting device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP4182784B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003069290A JP4182784B2 (en) 2003-03-14 2003-03-14 Light emitting device and manufacturing method thereof
US10/791,295 US20040223315A1 (en) 2003-03-03 2004-03-03 Light emitting apparatus and method of making same
EP04005022A EP1455398A3 (en) 2003-03-03 2004-03-03 Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003069290A JP4182784B2 (en) 2003-03-14 2003-03-14 Light emitting device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004281606A true JP2004281606A (en) 2004-10-07
JP4182784B2 JP4182784B2 (en) 2008-11-19

Family

ID=33286357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003069290A Expired - Fee Related JP4182784B2 (en) 2003-03-03 2003-03-14 Light emitting device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4182784B2 (en)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006113556A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Samsung Electro Mech Co Ltd Lens for led light source
JP2006173624A (en) * 2004-12-15 2006-06-29 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Led light source
KR100649640B1 (en) * 2005-02-03 2006-11-27 삼성전기주식회사 Side emission type led package
JP2007042938A (en) * 2005-08-04 2007-02-15 Nichia Chem Ind Ltd Optical device
JP2007048883A (en) * 2005-08-09 2007-02-22 Koha Co Ltd Optical element for changing direction of light, light source unit for radiating light, and planar light emitting device employing it
JP2008516463A (en) * 2004-10-12 2008-05-15 クリー インコーポレイテッド Side-coupled optical coupling device
JP2008147136A (en) * 2006-12-13 2008-06-26 Stanley Electric Co Ltd Vehicular lamp
JP2009245601A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Stanley Electric Co Ltd Lighting fixture
JP2010205605A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Stanley Electric Co Ltd Optical module, and lighting fixture for illumination
KR20110030417A (en) * 2008-05-29 2011-03-23 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Semiconductor arrangement
JP2011181550A (en) * 2010-02-26 2011-09-15 Konica Minolta Opto Inc Light emitting device, and method of manufacturing the same
JP2012505509A (en) * 2008-10-10 2012-03-01 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Thin side-emitting TIR lens for LED
EP2595207A1 (en) * 2011-11-16 2013-05-22 odelo GmbH Light emitting diode and lamp having at least one light emitting diode as light source
US8508689B2 (en) 2008-06-23 2013-08-13 Panasonic Corporation Light-emitting device, surface light-emitting apparatus, display system
JP2013183078A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Asahi Rubber Inc Led apparatus with lens and multidirectional illumination apparatus
JP2013539449A (en) * 2010-07-21 2013-10-24 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Aluminate luminescent material
WO2014069973A1 (en) * 2012-11-05 2014-05-08 주식회사 애니캐스팅 Side emitting led lens, and back light unit and display device having same
KR101398186B1 (en) * 2012-11-05 2014-05-23 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
KR101488382B1 (en) * 2012-11-05 2015-01-30 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
JP2015109257A (en) * 2013-10-24 2015-06-11 株式会社小糸製作所 Lighting appliance and its assembling method
KR101535850B1 (en) * 2013-01-04 2015-07-13 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
US9557033B2 (en) 2008-03-05 2017-01-31 Cree, Inc. Optical system for batwing distribution
CN107893974A (en) * 2016-10-04 2018-04-10 恩普乐股份有限公司 Flux control member, light-emitting device and lighting device
JP2018061024A (en) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社エンプラス Light beam control member, light-emitting device and illuminating device
KR20220058399A (en) * 2020-10-30 2022-05-09 다윈 프레시전스 코포레이션 Backlight module

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02191379A (en) * 1988-10-25 1990-07-27 Iwasaki Electric Co Ltd Light emitting diode
JPH0611365U (en) * 1992-07-10 1994-02-10 スタンレー電気株式会社 Light emitting diode
JPH10150222A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Iwasaki Electric Co Ltd Reflective-type light emitting diode and light emitting diode array
JP2000082849A (en) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and manufacture thereof
JP2001144331A (en) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2002057376A (en) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led lamp
JP2002216510A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Stanley Electric Co Ltd Vehicle signal lamp
JP2002252372A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting diode
JP2002289004A (en) * 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd Led fluorescent lamp
JP2002335019A (en) * 2001-03-05 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
JP2003008068A (en) * 2001-05-04 2003-01-10 Lumileds Lighting Us Llc Fluorescent diode lens

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02191379A (en) * 1988-10-25 1990-07-27 Iwasaki Electric Co Ltd Light emitting diode
JPH0611365U (en) * 1992-07-10 1994-02-10 スタンレー電気株式会社 Light emitting diode
JPH10150222A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Iwasaki Electric Co Ltd Reflective-type light emitting diode and light emitting diode array
JP2001144331A (en) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting device
JP2000082849A (en) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and manufacture thereof
JP2002057376A (en) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led lamp
JP2002216510A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Stanley Electric Co Ltd Vehicle signal lamp
JP2002252372A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting diode
JP2002335019A (en) * 2001-03-05 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
JP2002289004A (en) * 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd Led fluorescent lamp
JP2003008068A (en) * 2001-05-04 2003-01-10 Lumileds Lighting Us Llc Fluorescent diode lens

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8541795B2 (en) 2004-10-12 2013-09-24 Cree, Inc. Side-emitting optical coupling device
JP2008516463A (en) * 2004-10-12 2008-05-15 クリー インコーポレイテッド Side-coupled optical coupling device
US9287474B2 (en) 2004-10-12 2016-03-15 Cree, Inc. Side-emitting optical coupling device
KR101203311B1 (en) * 2004-10-12 2012-11-20 크리, 인코포레이티드 Side-emitting optical coupling device
JP2006113556A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Samsung Electro Mech Co Ltd Lens for led light source
JP2006173624A (en) * 2004-12-15 2006-06-29 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Led light source
KR100649640B1 (en) * 2005-02-03 2006-11-27 삼성전기주식회사 Side emission type led package
JP2007042938A (en) * 2005-08-04 2007-02-15 Nichia Chem Ind Ltd Optical device
JP2007048883A (en) * 2005-08-09 2007-02-22 Koha Co Ltd Optical element for changing direction of light, light source unit for radiating light, and planar light emitting device employing it
JP2008147136A (en) * 2006-12-13 2008-06-26 Stanley Electric Co Ltd Vehicular lamp
US9557033B2 (en) 2008-03-05 2017-01-31 Cree, Inc. Optical system for batwing distribution
JP2009245601A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Stanley Electric Co Ltd Lighting fixture
KR20110030417A (en) * 2008-05-29 2011-03-23 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Semiconductor arrangement
JP2011521480A (en) * 2008-05-29 2011-07-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Semiconductor device
KR101634406B1 (en) * 2008-05-29 2016-06-28 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Semiconductor arrangement
US8461616B2 (en) 2008-05-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor arrangement
US8508689B2 (en) 2008-06-23 2013-08-13 Panasonic Corporation Light-emitting device, surface light-emitting apparatus, display system
JP2012505509A (en) * 2008-10-10 2012-03-01 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Thin side-emitting TIR lens for LED
JP2010205605A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Stanley Electric Co Ltd Optical module, and lighting fixture for illumination
JP2011181550A (en) * 2010-02-26 2011-09-15 Konica Minolta Opto Inc Light emitting device, and method of manufacturing the same
JP2013539449A (en) * 2010-07-21 2013-10-24 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Aluminate luminescent material
EP2595207A1 (en) * 2011-11-16 2013-05-22 odelo GmbH Light emitting diode and lamp having at least one light emitting diode as light source
JP2013183078A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Asahi Rubber Inc Led apparatus with lens and multidirectional illumination apparatus
KR101488382B1 (en) * 2012-11-05 2015-01-30 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
KR101398186B1 (en) * 2012-11-05 2014-05-23 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
WO2014069973A1 (en) * 2012-11-05 2014-05-08 주식회사 애니캐스팅 Side emitting led lens, and back light unit and display device having same
KR101535850B1 (en) * 2013-01-04 2015-07-13 (주)애니캐스팅 Side emitting light emitting diode lens, back light unit and display device including the same
JP2015109257A (en) * 2013-10-24 2015-06-11 株式会社小糸製作所 Lighting appliance and its assembling method
CN107893974A (en) * 2016-10-04 2018-04-10 恩普乐股份有限公司 Flux control member, light-emitting device and lighting device
WO2018066418A1 (en) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社エンプラス Light bundle control member, light emitting device, and illuminating device
JP2018061024A (en) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社エンプラス Light beam control member, light-emitting device and illuminating device
US10520163B2 (en) 2016-10-04 2019-12-31 Enplas Corporation Light bundle control member, light emitting device, and illuminating device
KR20220058399A (en) * 2020-10-30 2022-05-09 다윈 프레시전스 코포레이션 Backlight module
KR102544867B1 (en) 2020-10-30 2023-06-20 다윈 프레시전스 코포레이션 Backlight module

Also Published As

Publication number Publication date
JP4182784B2 (en) 2008-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4182784B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4182783B2 (en) LED package
JP4254276B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100723247B1 (en) Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
US8030762B2 (en) Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
US7607801B2 (en) Light emitting apparatus
US7842960B2 (en) Light emitting packages and methods of making same
US8482016B2 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
US7875897B2 (en) Light emitting device
US20040223315A1 (en) Light emitting apparatus and method of making same
JP5526232B2 (en) Light emitting diode with molded reflective sidewall coating
US10636946B2 (en) Light emitting device package and light source unit
KR20140091857A (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
JP2006237264A (en) Light emitting device and lighting apparatus
JP2007116095A (en) Light-emitting apparatus
JP2011171504A (en) Light-emitting device
KR100780182B1 (en) Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
JP2004095969A (en) Wavelength conversion element
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
US20230420325A1 (en) Thermal pad structures for led packages with reduced sizes
KR102098848B1 (en) Light emitting device package
JP2020123712A (en) Light-emitting device and manufacturing method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050530

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080408

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080604

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080812

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080825

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees