JP2004268194A - Polishing device, polishing guide ring and abrasion determining method of polishing guide ring - Google Patents

Polishing device, polishing guide ring and abrasion determining method of polishing guide ring Download PDF

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JP2004268194A
JP2004268194A JP2003062064A JP2003062064A JP2004268194A JP 2004268194 A JP2004268194 A JP 2004268194A JP 2003062064 A JP2003062064 A JP 2003062064A JP 2003062064 A JP2003062064 A JP 2003062064A JP 2004268194 A JP2004268194 A JP 2004268194A
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guide ring
polishing
groove
wafer
depth
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Tadahiro Abe
忠浩 阿部
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To determine at a glance degree of abrasion of a groove arranged in a guide ring, supplying slurry, and discharging polishing chips in polishing of a semiconductor wafer. <P>SOLUTION: A stepped overhang part 22 is arranged in a position of the prescribed depth H1 in the groove 21 radially formed on a bottom surface of the guide ring 4a, supplying the slurry, and discharging the polishing chips. A front face of the overhang part 22 is processed in a circular arc shape along the groove 21. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨装置、研磨用ガイドリングおよび研磨用ガイドリングの磨耗判定方法に関し、特に、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）などに用いられる研磨用ガイドリングに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体装置では、配線層や絶縁層などの埋め込み後の表面を平坦化して、フォトリソグラフィー工程における焦点合わせを精度よく行うために、ＣＭＰが用いられている。
ここで、半導体ウェハのＣＭＰを行う場合、例えば、特許文献１に開示されているように、半導体ウェハを研磨テーブル上でホルディングさせるために、ガイドリング（リテーナリングとも言う。）が用いられている。
【０００３】
図８は、従来のガイドリングの構成を示す斜視図である。
図８において、ガイドリング７０の底面には溝７１が放射状に形成されている。そして、半導体ウェハのＣＭＰを行う場合、半導体ウェハの周囲をガイドリング７０でガイドしながら、半導体ウェハ表面を研磨テーブル上に押し付け、半導体ウェハ表面の平坦化を行う。
【０００４】
ここで、半導体ウェハ表面を研磨テーブル上に押し付ける場合、ガイドリング７０の底面も研磨テーブル上に押し付けられ、ガイドリング７０の底面も削り取られる。そして、研磨テーブル上に供給された研磨剤スラリや半導体ウェハの研磨屑などは、溝７１を介してガイドリング７０の内側に出し入れすることができる。
【０００５】
また、半導体ウェハの研磨を行うと、ガイドリング７０の底面も研磨されるため、溝７１の深さが徐々に浅くなる。そして、溝７１の深さが浅くなり過ぎると、研磨テーブル上に供給された研磨剤スラリや半導体ウェハの研磨屑の流れが滞り、研磨速度が劣化したり、研磨面が損傷したりする。このため、溝７１の深さを見てガイドリング７０の磨耗の度合を判定し、溝７１の深さが浅くなり過ぎた場合、ガイドリング７０の交換が行われる。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２００１−２５９６３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、溝７１の深さに基づいてガイドリング７０の磨耗の度合を判定する方法では、ノギスなどを用いて溝７１の深さを測定する必要があり、手間がかかるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ガイドリングの磨耗の度合を容易に判定することが可能な研磨装置、研磨用ガイドリングおよび研磨用ガイドリングの磨耗判定方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る研磨装置によれば、研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、前記研磨テーブル上にスラリを供給するスラリ供給手段と、前記研磨テーブル上でウェハの周囲をガイドするガイドリングと、前記ガイドリングの底面に放射状に形成された溝と、前記溝内に段差状に設けられたスリップサインと、前記研磨テーブル上で前記ウェハを前記ガイドリングとともに押さえるウェハ押え手段とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ガイドリングの底面が研磨された場合でも、溝内に設けられた段差の残存状況に基づいて、ガイドリングの磨耗の度合を判定することができ、ガイドリングの交換時期を一見して判定することが可能となる。
このため、ガイドリングの交換時期を判定するために、ノギスなどを用いて溝の深さを測定する必要がなくなり、ガイドリングの交換にかかる手間を軽減することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、底面に放射状に形成された溝と、前記溝内の所定の深さの位置に段差状に設けられた張り出し部とを備えることを特徴とする。
これにより、溝内の形状を変更するだけで、ガイドリングの磨耗の度合を判定するためのスリップサインを設けることが可能となり、磨耗マーカなどの異物をガイドリングに設けることなく、ガイドリングの交換時期を一見して判定することが可能となる。
【００１１】
このため、ノギスなどを用いて溝の深さを測定することなく、ガイドリングの交換時期を判定することが可能となるとともに、ガイドリングによる研磨時の汚染を防止することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、前記張り出し部の前面は、前記溝に沿ってアール加工されていることを特徴とする。
【００１２】
これにより、溝内に張り出し部を設けた場合においても、スラリや研磨屑が溝内をスムーズに流れるようにすることが可能となるとともに、スラリや研磨屑が溝内に詰まることを防止することができ、研磨速度の劣化や研磨面の損傷を抑制しつつ、ガイドリングの交換時期を容易に判定することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、底面に放射状に形成された溝と、前記溝の肩の少なくとも一部を所定の深さまで段差状に切り落とした肩落部とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、段差状のスリップサインを溝に設けた場合においても、溝の幅が狭くなることを防止することが可能となり、スラリや研磨屑の溝内での流れを妨げることなく、ガイドリングの交換時期を一見しただけで判定することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、前記肩落部の前面は、前記溝に沿ってアール加工されていることを特徴とする。
【００１４】
これにより、スラリや研磨屑が肩落部に詰まることを防止しつつ、スラリや研磨屑が溝をスムーズに流れるようにすることが可能となり、研磨速度の劣化や研磨面の損傷を抑制しつつ、ガイドリングの交換時期を容易に判定することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、底面に放射状に形成された溝と、前記溝の間の対向面側に設けられ、前記溝の底を越える深さまで掘り込まれた掘り込み部とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、掘り込み部の貫通状況に基づいてガイドリングの磨耗の度合を判定することが可能となり、ガイドリングの交換時期を一見して判定することが可能となることから、ガイドリングの交換にかかる手間を軽減することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングによれば、底面に放射状に形成された溝と、前記溝の内周面側および外周面側のエッジ部分の少なくとも一方に設けられたアール部とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、ガイドリングの底面を研磨クロスまたは研磨パッドに擦り付けながら、ウェハの研磨が行われる場合においても、溝のエッジ部分で研磨クロスまたは研磨パッドが傷付くことを抑制することが可能となり、研磨クロスまたは研磨パッドの寿命を増加させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る研磨用ガイドリングの磨耗判定方法によれば、ガイドリングでガイドされたウェハを研磨する工程と、前記ガイドリングの溝に設けられた段差の残存状況に基づいて、前記ガイドリングの磨耗状態を判定する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、ガイドリングの底面が研磨された場合でも、ガイドリングの磨耗の度合を一見して判定することができ、ガイドリングの交換時期を判定するために、ノギスなどを用いて溝の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリングの交換にかかる手間を軽減することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る研磨装置および研磨用ガイドリングについて図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図、図２は、図１の研磨装置の概略構成を示す断面図である。
【００１９】
図１、２において、研磨テーブル（プラテンとも言う。）１は回転軸３に結合され、回転軸３を中心として回転できるようにされるとともに、研磨テーブル１上には研磨クロス２が貼付されている。
また、研磨クロス２が貼付された研磨テーブル１上には、ウェハＷの周囲をガイドするガイドリング４が設けられるとともに、ウェハＷおよびガイドリング４を研磨クロス２上に押さえ付けるウェハキャリア５が設けられている。ここで、ガイドリング４の底面には、溝が放射状に形成されるとともに、溝内には、段差状に形成されたスリップサインが設けられている。なお、研磨対象となるウェハＷとしては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、多結晶シリコンなどの配線層、シリコン酸化膜やシリコン窒素膜などの絶縁層などが形成された半導体ウェハやガラスウェハなどを挙げることができる。また、ガイドリング４の材質としては、例えば、繊維強化テフロン（登録商標）などを挙げることができる
そして、ウェハキャリア５は、スピンドル６に結合され、ウェハＷおよびガイドリング４を研磨クロス２上に押さえ付けながら、スピンドル６の回りを回転できるように構成されている。
【００２０】
さらに、研磨テーブル１上には、研磨クロス２の表面状態を調整する研磨クロス調整ディスク７が設けられるとともに、研磨クロス調整ディスク７を研磨クロス２上に押さえ付ける研磨クロス調整ディスクキャリア８が設けられている。
そして、研磨クロス調整ディスクキャリア８は回転シャフト９に結合され、研磨クロス調整ディスク７を研磨クロス２上に押さえ付けながら、回転シャフト９の回りを回転できるようにされている。
【００２１】
また、研磨テーブル１上方には、研磨剤スラリ１１を研磨クロス２上に吐出させるノズル１０が設けられている。
そして、ウェハＷを研磨する場合、研磨テーブル１上に研磨クロス２を貼り付け、研磨クロス２上に研磨剤スラリ１１を吐出させる。そして、ウェハキャリア５により、ガイドリング４およびウェハＷを研磨クロス２上に押さえ付け、ウェハＷの周囲をガイドリング４でガイドしながら、研磨テーブル１およびウェハキャリア５を回転させる。
【００２２】
ここで、ウェハＷを研磨テーブル１上に押し付ける場合、ガイドリング４の底面も研磨テーブル１上に押し付けられ、ガイドリング４の底面も削り取られる。そして、研磨テーブル１上に供給された研磨剤スラリ１１やウェハＷの削り屑などは、ガイドリング４の底面に設けられた溝を介してガイドリング４の内側に出し入れすることができる。
【００２３】
また、ウェハＷの研磨を行うと、ガイドリング４の底面も研磨されるため、ガイドリング４の底面に設けられた溝の深さが徐々に浅くなり、溝内に段差状に形成されたスリップサインが消失する。
このため、スリップサインが消失状況に基づいて、ガイドリング４の磨耗の度合を一見して判定することができ、ガイドリング４の交換時期を判定するために、ノギスなどを用いて溝の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリング４の交換にかかる手間を軽減することが可能となる。
【００２４】
図３（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るガイドリングの構成を示す底面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ部分を拡大して示す斜視図である。
図３において、ガイドリング４ａの底面には、溝２１が放射状に形成されるとともに、溝２１内の所定の深さＨ１の位置には、段差状の張り出し部２２が設けられている。また、張り出し部２２の前面は、溝２１に沿ってアール状に加工されている。なお、張り出し部２２が設けられる深さＨ１は、ガイドリング４ａの底面の磨耗に伴って、張り出し部２２による段差が消失した時に、溝２１内を流れるスラリや研磨屑が滞らないような値に設定することができる。
【００２５】
そして、ウェハＷを研磨する場合、ウェハＷの周囲をガイドリング４ａでガイドしながら、ウェハＷおよびガイドリング４ａを研磨テーブ上で回転させる。そして、ウェハＷの研磨に伴って、ガイドリング４ａの底面も研磨され、ガイドリング４ａの底面に設けられた溝２１の深さが浅くなる。そして、溝２１の深さが浅くなった時に、張り出し部２２による段差が消失したかどうかで、ガイドリング４ａの交換時期を判定することが可能となる。
【００２６】
これにより、ガイドリング４ａの底面に設けられた溝２１内の形状を変更するだけで、ガイドリング４ａの交換時期を一見して判定することが可能となり、ガイドリング４ａの磨耗の度合を判定するために、ノギスなどを用いて溝２１の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリング４ａの交換にかかる手間を軽減することが可能となるとともに、カラーマーカなどの異物をガイドリング４ａに設ける必要がなくなり、研磨時の汚染を防止することが可能となる。
【００２７】
また、張り出し部２２の前面を溝２１に沿ってアール状に加工することにより、溝２１内に張り出し部２２を設けた場合においても、スラリや研磨屑が溝２１内をスムーズに流れるようにすることが可能となるとともに、スラリや研磨屑が溝２１内に詰まることを防止することができ、研磨速度の劣化や研磨面の損傷を抑制しつつ、ガイドリング４ａの交換時期を容易に判定することが可能となる。
【００２８】
なお、上述した第２実施形態では、ガイドリング４ａに設けられた全ての溝２１内に張り出し部２２を設ける方法について説明したが、ガイドリング４ａに設けられた溝２１のうちの少なくとも１本以上に張り出し部２２を設けるようにしてもよい。また、張り出し部２２を溝２１の片側に設ける方法について説明したが、張り出し部２２を溝２１の両側に設けるようにしてもよい。
【００２９】
図４（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るガイドリングの構成を示す底面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ部分を拡大して示す斜視図である。
図４において、ガイドリング４ｂの底面には、溝３１が放射状に形成されるとともに、溝３１の肩を所定の深さＨ２まで段差状に切り落とした肩落部３２が設けられている。また、肩落部３２の前面は、溝３１に沿ってアール状に加工されている。なお、溝３１の肩を切り落とす深さＨ２は、ガイドリング４ｂの底面の磨耗に伴って、肩落部３２による段差が消失した時に、溝３１内を流れるスラリや研磨屑が滞らないような値に設定することができる。
【００３０】
そして、ウェハＷを研磨する場合、ウェハＷの周囲をガイドリング４ｂでガイドしながら、ウェハＷおよびガイドリング４ｂを研磨テーブ上で回転させる。そして、ウェハＷの研磨に伴って、ガイドリング４ｂの底面も研磨され、ガイドリング４ｂの底面に設けられた溝３１の深さが浅くなる。そして、溝３１の深さが浅くなった時に、肩落部３２による段差が消失したかどうかで、ガイドリング４ｂの交換時期を判定することが可能となる。
【００３１】
これにより、ガイドリング４ｂの底面に設けられた溝３１の形状を変更するだけで、ガイドリング４ｂの交換時期を一見して判定することが可能となり、ガイドリング４ｂの磨耗の度合を判定するために、ノギスなどを用いて溝３１の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリング４ｂの交換にかかる手間を軽減することが可能となるとともに、カラーマーカなどの異物をガイドリング４ｂに設ける必要がなくなり、研磨時の汚染を防止することが可能となる。
【００３２】
また、溝３１の肩の部分を段差状に切り落とすことにより、溝３１の幅が狭くなることを防止することが可能となり、スラリや研磨屑の溝３１内での流れを妨げることなく、ガイドリングの交換時期を一見して判定できるようにすることが可能となる。
さらに、肩落部３２の前面を溝３１に沿ってアール状に加工することにより、溝３１内に肩落部３２を設けた場合においても、スラリや研磨屑が肩落部３２に詰まることを防止することができ、研磨速度の劣化や研磨面の損傷を抑制しつつ、ガイドリング４ｂの交換時期を容易に判定することが可能となる。
【００３３】
なお、上述した第３実施形態では、ガイドリング４ｂに設けられた全ての溝３１に肩落部３２を設ける方法について説明したが、ガイドリング４ｂに設けられた溝３１のうちの少なくとも１本以上に肩落部３２を設けるようにしてもよい。また、肩落部３２を溝３１の片側に設ける方法について説明したが、肩落部３２を溝３１の両側に設けるようにしてもよい。さらに、溝３１の片側の肩全体を切り落とす方法について説明したが、溝３１の肩の一部を切り落とすようにしてもよく、例えば、溝３１の肩の角の部分のみを切り落とすようにしてもよい。
【００３４】
図５（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るガイドリングの構成を示す底面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ部分を拡大して示す斜視図、図５（ｃ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線で切断した断面図である。
図５において、ガイドリング４ｃの底面には、溝４１が放射状に形成されるとともに、ガイドリング４ｃの表面には、溝４１の間に配置されるとともに、深さＨ３まで掘り込まれた掘り込み部４２が設けられている。なお、掘り込み部４２の深さＨ３は、ガイドリング４ｃの底面の磨耗に伴って、掘り込み部４２が底面側に貫通した時に、溝４１内を流れるスラリや研磨屑が滞らないような値に設定することができる。
【００３５】
そして、ウェハＷを研磨する場合、ウェハＷの周囲をガイドリング４ｃでガイドしながら、ウェハＷおよびガイドリング４ｃを研磨テーブ上で回転させる。そして、ウェハＷの研磨に伴って、ガイドリング４ｃの底面も研磨され、ガイドリング４ｃの底面に設けられた溝４１の深さが浅くなる。そして、溝４１の深さが浅くなった時に、掘り込み部４２が底面側に貫通したかどうかで、ガイドリング４ｃの交換時期を判定することが可能となる。
【００３６】
これにより、ガイドリング４ｃに掘り込み部４２を設けることで、ガイドリング４ｃの交換時期を一見して判定することが可能となり、ガイドリング４ｃの磨耗の度合を判定するために、ノギスなどを用いて溝４１の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリング４ｃの交換にかかる手間を軽減することが可能となるとともに、カラーマーカなどの異物をガイドリング４ｃに設ける必要がなくなり、研磨時の汚染を防止することが可能となる。
【００３７】
なお、上述した第４実施形態では、ガイドリング４ｃに設けられた溝４１の間の全ての領域に掘り込み部４２を設ける方法について説明したが、溝４１の間のの少なくとも１個以上の領域に掘り込み部４２を設けるようにしてもよい。
図６（ａ）は、本発明の第５実施形態に係るガイドリングの構成を示す底面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＥ部分を拡大して示す斜視図である。
【００３８】
図６において、ガイドリング４ｄの底面には、放射状に形成された溝４１が設けられ、溝５１の内周面側および外周側のエッジ部分には、アール加工されたアール部５２が設けられている。
そして、ウェハＷを研磨する場合、ウェハＷの周囲をガイドリング４ｄでガイドしながら、ウェハＷおよびガイドリング４ｄを研磨テーブ上で回転させる。ここで、ガイドリング４ｄの底面は、ウェハＷとともに研磨テーブル上に押し付けられ、研磨テーブル上に供給されたスラリや研磨屑などは、溝５１を介してガイドリング４ｄの内側に出し入れされる。そして、ウェハＷの研磨に伴って、ガイドリング４ｄの底面も研磨され、ガイドリング４ｄの溝５１のエッジ部分が研磨クロスまたは研磨パッドに擦り付けられる。
【００３９】
ここで、溝５１の内周面側および外周側のエッジ部分には、アール部５２が設けられているので、ガイドリング４ｄの底面が研磨クロスまたは研磨パッドに擦り付けられながら、ウェハＷの研磨が行われる場合においても、溝５１のエッジ部分で研磨クロスまたは研磨パッドが傷付くことを抑制することが可能となり、研磨クロスまたは研磨パッドの寿命を増加させることが可能となる。
【００４０】
なお、上述した第５実施形態では、溝５１のエッジ部分で研磨クロスまたは研磨パッドが傷付くことを抑制するために、溝５１の内周面側および外周側のエッジ部分をアール加工する方法について説明したが、溝５１の内周面側および外周側のエッジ部分を面取り加工するようにしてもよい。
図７（ａ）は、本発明の第６実施形態に係るガイドリングの構成を示す底面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＦ部分を拡大して示す斜視図である。
【００４１】
図７において、ガイドリング４ｅの底面には、溝６１が放射状に形成されるとともに、溝６１内の所定の深さＨ４の位置には、段差状の張り出し部６２が設けられている。また、溝６１の内周面側および外周側のエッジ部分には、アール加工されたアール部６３が設けられるとともに、張り出し部６２の前面は、溝６１に沿ってアール状に加工されている。なお、張り出し部６２が設けられる深さＨ４は、ガイドリング４ｅの底面の磨耗に伴って、張り出し部６２による段差が消失した時に、溝６１内を流れるスラリや研磨屑が滞らないような値に設定することができる。
【００４２】
そして、ウェハＷを研磨する場合、ウェハＷの周囲をガイドリング４ｅでガイドしながら、ウェハＷおよびガイドリング４ｅを研磨テーブ上で回転させる。ここで、ガイドリング４ｅの底面は、ウェハＷとともに研磨テーブル上に押し付けられ、研磨テーブル上に供給されたスラリや研磨屑などは、溝６１を介してガイドリング４ｅの内側に出し入れされる。そして、ウェハＷの研磨に伴って、ガイドリング４ｅの底面も研磨され、ガイドリング４ｅの溝６１のエッジ部分が研磨クロスまたは研磨パッドに擦り付けられるとともに、ガイドリング４ｅの底面に設けられた溝６１の深さが浅くなる。そして、溝６１の深さが浅くなった時に、張り出し部６２による段差が消失したかどうかで、ガイドリング４ｅの交換時期を判定することが可能となる。
【００４３】
これにより、ガイドリング４ｅの底面に設けられた溝６１内の形状を変更するだけで、ガイドリング４ｅの交換時期を一見して判定することが可能となり、ガイドリング４ｅの磨耗の度合を判定するために、ノギスなどを用いて溝６１の深さを測定する必要がなくなることから、ガイドリング４ｅの交換にかかる手間を軽減することが可能となるとともに、カラーマーカなどの異物をガイドリング４ｅに設ける必要がなくなり、研磨時の汚染を防止することが可能となる。
【００４４】
また、張り出し部６２の前面を溝６１に沿ってアール状に加工することにより、溝６１内に張り出し部６２を設けた場合においても、スラリや研磨屑が溝６１内をスムーズに流れるようにすることが可能となるとともに、スラリや研磨屑が溝６１内に詰まることを防止することができ、研磨速度の劣化や研磨面の損傷を抑制しつつ、ガイドリング４ｅの交換時期を容易に判定することが可能となる。
【００４５】
さらに、溝６１の内周面側および外周側のエッジ部分にアール部６３を設けることにより、ガイドリング４ｅの底面が研磨クロスまたは研磨パッドに擦り付けられながら、ウェハＷの研磨が行われる場合においても、溝６１のエッジ部分で研磨クロスまたは研磨パッドが傷付くことを抑制することが可能となり、ガイドリング４ｅの交換時期を一見して判定することを可能としつつ、研磨クロスまたは研磨パッドの寿命を増加させることが可能となる。
【００４６】
なお、上述した第６実施形態では、ガイドリング４ｅに設けられた全ての溝６１内に張り出し部６２を設ける方法について説明したが、ガイドリング４ｅに設けられた溝６１のうちの少なくとも１本以上に張り出し部６２を設けるようにしてもよい。また、張り出し部６２を溝６１の片側に設ける方法について説明したが、張り出し部６２を溝６１の両側に設けるようにしてもよい。また、上述した第６実施形態では、図３の構成と図６の構成とを組み合わせる方法について説明したが、図４または図５の構成と図６の構成とを組み合わせるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】図１の研磨装置の概略構成を示す断面図。
【図３】第２実施形態に係るガイドリングの構成を示す図。
【図４】第３実施形態に係るガイドリングの構成を示す図。
【図５】第４実施形態に係るガイドリングの構成を示す図。
【図６】第５実施形態に係るガイドリングの構成を示す図。
【図７】第６実施形態に係るガイドリングの構成を示す図。
【図８】従来のガイドリングの構成を示す斜視図。
【符号の説明】
１ 研磨テーブル、２ 研磨クロス、３ 回転軸、４、４ａ〜４ｅ ガイドリング、５ ウェハキャリア、６ スピンドル、７ 研磨クロス調整ディスク、８研磨クロス調整ディスクキャリア、９ 回転シャフト、１０ ノズル、１１ 研磨剤スラリ、Ｗ ウェハ、２１、３１、４１、５１、６１ 溝、２２、６２ 張り出し部、３２ 肩落部、４２ 堀り込み部、５２、６３ アール部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a polishing apparatus, a polishing guide ring, and a method for determining abrasion of a polishing guide ring, and more particularly to a polishing guide ring suitable for use in CMP (chemical mechanical polishing) or the like. It is.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent semiconductor devices, CMP is used in order to flatten a surface after embedding a wiring layer, an insulating layer, or the like, and accurately perform focusing in a photolithography process.
Here, when CMP of a semiconductor wafer is performed, for example, as disclosed in Patent Document 1, a guide ring (also referred to as a retainer ring) is used to hold the semiconductor wafer on a polishing table. I have.
[0003]
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a conventional guide ring.
8, a groove 71 is formed radially on the bottom surface of the guide ring 70. When the CMP of the semiconductor wafer is performed, the surface of the semiconductor wafer is pressed onto the polishing table while the periphery of the semiconductor wafer is guided by the guide ring 70, and the surface of the semiconductor wafer is flattened.
[0004]
Here, when the surface of the semiconductor wafer is pressed on the polishing table, the bottom surface of the guide ring 70 is also pressed on the polishing table, and the bottom surface of the guide ring 70 is also scraped off. Abrasive slurry and semiconductor wafer polishing debris supplied on the polishing table can be taken in and out of the guide ring 70 via the groove 71.
[0005]
When the semiconductor wafer is polished, the bottom surface of the guide ring 70 is also polished, so that the depth of the groove 71 gradually decreases. If the depth of the groove 71 becomes too shallow, the flow of the abrasive slurry and the polishing debris of the semiconductor wafer supplied on the polishing table will be delayed, and the polishing rate will be deteriorated and the polished surface will be damaged. For this reason, the degree of wear of the guide ring 70 is determined based on the depth of the groove 71, and when the depth of the groove 71 becomes too shallow, the guide ring 70 is replaced.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2001-25963 A
[Problems to be solved by the invention]
However, in the method of determining the degree of wear of the guide ring 70 based on the depth of the groove 71, it is necessary to measure the depth of the groove 71 using calipers or the like.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polishing apparatus, a polishing guide ring, and a method for determining the wear of a polishing guide ring, which can easily determine the degree of wear of the guide ring.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, according to a polishing apparatus according to one aspect of the present invention, a polishing table, a rotating unit that rotates the polishing table, a slurry supply unit that supplies a slurry on the polishing table, A guide ring for guiding the periphery of the wafer on the polishing table, a groove radially formed on the bottom surface of the guide ring, a slip sign provided in a step shape in the groove, and the wafer on the polishing table. And a wafer holding means for holding the guide ring together with the guide ring.
[0009]
Thereby, even when the bottom surface of the guide ring is polished, the degree of wear of the guide ring can be determined based on the remaining state of the step provided in the groove, and at a glance the replacement time of the guide ring. It is possible to make a determination.
For this reason, it is not necessary to measure the depth of the groove using calipers or the like in order to determine the replacement time of the guide ring, and it is possible to reduce the labor required for replacing the guide ring.
[0010]
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, the polishing ring includes a groove formed radially on the bottom surface, and an overhang provided in a step shape at a position of a predetermined depth in the groove. It is characterized by.
As a result, it is possible to provide a slip sign for determining the degree of wear of the guide ring only by changing the shape in the groove, and to replace the guide ring without providing foreign matter such as a wear marker on the guide ring. The timing can be determined at a glance.
[0011]
For this reason, it is possible to determine the replacement time of the guide ring without measuring the depth of the groove using calipers or the like, and it is possible to prevent contamination during polishing by the guide ring.
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, a front surface of the overhang portion is rounded along the groove.
[0012]
As a result, even when the overhang portion is provided in the groove, it is possible to allow the slurry and the polishing debris to flow smoothly in the groove and to prevent the slurry and the polishing debris from being clogged in the groove. Thus, it is possible to easily determine the timing of replacing the guide ring while suppressing deterioration of the polishing rate and damage to the polished surface.
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, a groove radially formed on the bottom surface, and a shoulder drop-off portion in which at least a part of the shoulder of the groove is cut off stepwise to a predetermined depth. It is characterized by having.
[0013]
As a result, even when a step-shaped slip sign is provided in the groove, it is possible to prevent the width of the groove from being reduced, and without obstructing the flow of the slurry or polishing debris in the groove, the guide ring can be prevented. The determination can be made only at a glance of the replacement time.
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, a front surface of the shoulder drop portion is rounded along the groove.
[0014]
This makes it possible to prevent the slurry and the polishing debris from flowing into the groove while preventing the slurry and the polishing debris from being clogged in the shoulder dropping portion, while suppressing the deterioration of the polishing speed and the damage of the polishing surface. In addition, it is possible to easily determine the replacement time of the guide ring.
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, the groove formed radially on the bottom surface and the opposing surface between the grooves are provided, and are dug to a depth exceeding the bottom of the groove. And a dug portion.
[0015]
As a result, it is possible to determine the degree of wear of the guide ring based on the state of penetration of the dug portion, and it is possible to determine at a glance the replacement time of the guide ring. Such trouble can be reduced.
Further, according to the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, the groove radially formed on the bottom surface and the round portion provided on at least one of the inner circumferential surface side and the outer circumferential surface side edge portion of the groove. And characterized in that:
[0016]
Thereby, even when the wafer is polished while rubbing the bottom surface of the guide ring against the polishing cloth or the polishing pad, it is possible to suppress the polishing cloth or the polishing pad from being damaged at the edge portion of the groove. It is possible to increase the life of the cloth or polishing pad.
Further, according to the method for determining abrasion of the polishing guide ring according to one aspect of the present invention, the step of polishing the wafer guided by the guide ring and the remaining state of the step provided in the groove of the guide ring are performed. Determining a wear state of the guide ring.
[0017]
Thereby, even if the bottom surface of the guide ring is polished, the degree of wear of the guide ring can be determined at a glance, and the depth of the groove can be determined using a caliper or the like to determine the timing of replacing the guide ring. Since it is not necessary to measure the length of the guide ring, it is possible to reduce the labor required for replacing the guide ring.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a polishing apparatus and a guide ring for polishing according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the polishing apparatus of FIG.
[0019]
1 and 2, a polishing table (also referred to as a platen) 1 is connected to a rotating shaft 3 so as to be rotatable about the rotating shaft 3, and a polishing cloth 2 is attached on the polishing table 1. I have.
A guide ring 4 for guiding the periphery of the wafer W is provided on the polishing table 1 to which the polishing cloth 2 is attached, and a wafer carrier 5 for holding the wafer W and the guide ring 4 on the polishing cloth 2 is provided. Has been. Here, a groove is formed radially on the bottom surface of the guide ring 4, and a slip sign formed in a step shape is provided in the groove. Examples of the wafer W to be polished include, for example, a semiconductor wafer or a glass wafer on which a wiring layer of Al, Cu, polycrystalline silicon or the like, an insulating layer such as a silicon oxide film or a silicon nitrogen film, or the like is formed. Can be. The material of the guide ring 4 may be, for example, fiber reinforced Teflon (registered trademark). The wafer carrier 5 is coupled to a spindle 6, and the wafer W and the guide ring 4 are placed on the polishing cloth 2. It is configured to be able to rotate around the spindle 6 while holding down.
[0020]
Further, on the polishing table 1, a polishing cloth adjusting disk 7 for adjusting the surface condition of the polishing cloth 2 is provided, and a polishing cloth adjusting disk carrier 8 for holding the polishing cloth adjusting disk 7 on the polishing cloth 2 is provided. ing.
The polishing cloth adjusting disc carrier 8 is coupled to the rotating shaft 9 so that the polishing cloth adjusting disc carrier 7 can rotate around the rotating shaft 9 while pressing the polishing cloth adjusting disc 7 on the polishing cloth 2.
[0021]
Above the polishing table 1, a nozzle 10 for discharging the abrasive slurry 11 onto the polishing cloth 2 is provided.
Then, when polishing the wafer W, the polishing cloth 2 is stuck on the polishing table 1 and the abrasive slurry 11 is discharged onto the polishing cloth 2. Then, the guide ring 4 and the wafer W are pressed onto the polishing cloth 2 by the wafer carrier 5, and the polishing table 1 and the wafer carrier 5 are rotated while the periphery of the wafer W is guided by the guide ring 4.
[0022]
Here, when the wafer W is pressed on the polishing table 1, the bottom surface of the guide ring 4 is also pressed on the polishing table 1, and the bottom surface of the guide ring 4 is also scraped off. Then, the abrasive slurry 11 and the shavings of the wafer W supplied on the polishing table 1 can be taken in and out of the guide ring 4 through a groove provided on the bottom surface of the guide ring 4.
[0023]
In addition, when the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4 is also polished, so that the depth of the groove provided on the bottom surface of the guide ring 4 gradually becomes shallow, and the slip formed in the groove in a step shape is formed. The sign disappears.
Therefore, the degree of wear of the guide ring 4 can be determined at a glance based on the disappearance of the slip sign, and the depth of the groove can be determined using a caliper or the like in order to determine the replacement time of the guide ring 4. It is no longer necessary to measure the length of the guide ring 4, so that it is possible to reduce the labor required for replacing the guide ring 4.
[0024]
FIG. 3A is a bottom view illustrating a configuration of a guide ring according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is an enlarged perspective view illustrating a portion A in FIG. 3A.
In FIG. 3, a groove 21 is formed radially on the bottom surface of the guide ring 4a, and a step-like projection 22 is provided at a predetermined depth H1 in the groove 21. The front surface of the overhang portion 22 is formed in a round shape along the groove 21. The depth H1 at which the overhanging portion 22 is provided is set to a value such that slurry or polishing debris flowing in the groove 21 does not stay when the step due to the overhanging portion 22 disappears due to wear of the bottom surface of the guide ring 4a. Can be set.
[0025]
When polishing the wafer W, the wafer W and the guide ring 4a are rotated on the polishing table while guiding the periphery of the wafer W with the guide ring 4a. Then, as the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4a is also polished, and the depth of the groove 21 provided on the bottom surface of the guide ring 4a is reduced. Then, when the depth of the groove 21 becomes shallow, it is possible to determine the replacement time of the guide ring 4a by checking whether or not the step due to the overhang portion 22 has disappeared.
[0026]
Thus, it is possible to determine at a glance the replacement time of the guide ring 4a simply by changing the shape of the groove 21 provided on the bottom surface of the guide ring 4a, and determine the degree of wear of the guide ring 4a. Therefore, it is not necessary to measure the depth of the groove 21 using a caliper or the like, so that it is possible to reduce the time and effort required for replacing the guide ring 4a and to remove foreign matter such as a color marker on the guide ring 4a. There is no need to provide such a member, and contamination during polishing can be prevented.
[0027]
In addition, by processing the front surface of the overhanging portion 22 into a round shape along the groove 21, even when the overhanging portion 22 is provided in the groove 21, the slurry and the polishing debris flow smoothly in the groove 21. It is possible to prevent the slurry and the polishing debris from being clogged in the groove 21 and easily determine the replacement time of the guide ring 4a while suppressing the deterioration of the polishing speed and the damage of the polishing surface. It becomes possible.
[0028]
In the above-described second embodiment, the method of providing the overhang portions 22 in all the grooves 21 provided in the guide ring 4a has been described, but at least one or more of the grooves 21 provided in the guide ring 4a are described. The overhanging portion 22 may be provided on the side. Also, the method of providing the overhang portion 22 on one side of the groove 21 has been described, but the overhang portion 22 may be provided on both sides of the groove 21.
[0029]
FIG. 4A is a bottom view showing the configuration of the guide ring according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an enlarged perspective view showing a portion B in FIG. 4A.
In FIG. 4, a groove 31 is formed radially on the bottom surface of the guide ring 4b, and a shoulder drop-off portion 32 is formed in which the shoulder of the groove 31 is cut off stepwise to a predetermined depth H2. The front surface of the shoulder drop portion 32 is formed in a round shape along the groove 31. The depth H2 at which the shoulder of the groove 31 is cut off is set to a value such that slurry or polishing debris flowing in the groove 31 does not stay when the step due to the shoulder drop portion 32 disappears due to wear of the bottom surface of the guide ring 4b. Can be set to
[0030]
When polishing the wafer W, the wafer W and the guide ring 4b are rotated on the polishing table while guiding the periphery of the wafer W with the guide ring 4b. Then, as the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4b is also polished, and the depth of the groove 31 provided on the bottom surface of the guide ring 4b decreases. Then, when the depth of the groove 31 becomes shallow, it is possible to determine the replacement time of the guide ring 4b based on whether or not the step due to the shoulder drop-off portion 32 has disappeared.
[0031]
Accordingly, it is possible to determine at a glance the replacement time of the guide ring 4b simply by changing the shape of the groove 31 provided on the bottom surface of the guide ring 4b, and to determine the degree of wear of the guide ring 4b. In addition, since it is not necessary to measure the depth of the groove 31 using a caliper or the like, it is possible to reduce the labor required for replacing the guide ring 4b, and to provide a foreign matter such as a color marker on the guide ring 4b. This eliminates the need and makes it possible to prevent contamination during polishing.
[0032]
In addition, by cutting off the shoulder portion of the groove 31 in a step-like manner, it is possible to prevent the width of the groove 31 from being reduced, and it is possible to prevent the flow of the slurry and the polishing dust in the groove 31 without interrupting the guide ring. Can be determined at a glance.
Further, by processing the front surface of the shoulder drop portion 32 into a round shape along the groove 31, even when the shoulder drop portion 32 is provided in the groove 31, it is possible to prevent slurry or polishing debris from clogging the shoulder drop portion 32. It is possible to easily determine the time to replace the guide ring 4b while suppressing the deterioration of the polishing rate and the damage to the polished surface.
[0033]
In the third embodiment described above, the method of providing the shoulder drop portions 32 in all the grooves 31 provided in the guide ring 4b has been described. However, at least one or more of the grooves 31 provided in the guide ring 4b is described. The shoulder drop portion 32 may be provided at the bottom. In addition, although the method of providing the shoulder drop portion 32 on one side of the groove 31 has been described, the shoulder drop portion 32 may be provided on both sides of the groove 31. Furthermore, although the method of cutting off the entire shoulder on one side of the groove 31 has been described, a part of the shoulder of the groove 31 may be cut off, for example, only the corner of the shoulder of the groove 31 may be cut off. .
[0034]
FIG. 5A is a bottom view showing a configuration of a guide ring according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an enlarged perspective view of a portion C in FIG. FIG. 5C is a sectional view taken along line DD in FIG. 5B.
In FIG. 5, grooves 41 are formed radially on the bottom surface of the guide ring 4c, and are formed between the grooves 41 on the surface of the guide ring 4c, and are dug to a depth H3. A part 42 is provided. The depth H3 of the dug portion 42 is set to a value such that slurry or polishing debris flowing in the groove 41 does not stay when the dug portion 42 penetrates to the bottom surface side due to wear of the bottom surface of the guide ring 4c. Can be set to
[0035]
When polishing the wafer W, the wafer W and the guide ring 4c are rotated on the polishing table while guiding the periphery of the wafer W with the guide ring 4c. Then, as the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4c is also polished, and the depth of the groove 41 provided on the bottom surface of the guide ring 4c decreases. Then, when the depth of the groove 41 becomes shallow, it is possible to determine the replacement time of the guide ring 4c by checking whether the dug portion 42 has penetrated to the bottom surface side.
[0036]
This makes it possible to determine the replacement time of the guide ring 4c at a glance by providing the dug portion 42 in the guide ring 4c, and to use a caliper or the like to determine the degree of wear of the guide ring 4c. This eliminates the need to measure the depth of the groove 41, thereby reducing the time required for replacing the guide ring 4c and eliminating the need to provide a foreign substance such as a color marker on the guide ring 4c. Contamination can be prevented.
[0037]
In the above-described fourth embodiment, the method of providing the dug portion 42 in all the regions between the grooves 41 provided in the guide ring 4c has been described, but at least one or more regions between the grooves 41 are provided. You may make it provide the dug part 42 in.
FIG. 6A is a bottom view illustrating a configuration of a guide ring according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a perspective view illustrating an enlarged portion E of FIG. 6A.
[0038]
In FIG. 6, a groove 41 formed radially is provided on the bottom surface of the guide ring 4d, and a rounded portion 52 is provided on the inner peripheral surface side and the outer peripheral side edge portion of the groove 51. I have.
When polishing the wafer W, the wafer W and the guide ring 4d are rotated on the polishing table while guiding the periphery of the wafer W with the guide ring 4d. Here, the bottom surface of the guide ring 4d is pressed against the polishing table together with the wafer W, and the slurry, polishing dust, and the like supplied on the polishing table are taken in and out of the guide ring 4d through the groove 51. Then, as the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4d is also polished, and the edge of the groove 51 of the guide ring 4d is rubbed against a polishing cloth or a polishing pad.
[0039]
Here, since the round portion 52 is provided at the inner peripheral surface side and the outer peripheral side edge portion of the groove 51, the polishing of the wafer W is performed while the bottom surface of the guide ring 4d is rubbed against a polishing cloth or a polishing pad. Even when the polishing is performed, it is possible to prevent the polishing cloth or the polishing pad from being damaged at the edge portion of the groove 51, and it is possible to increase the life of the polishing cloth or the polishing pad.
[0040]
In the fifth embodiment described above, in order to prevent the polishing cloth or the polishing pad from being damaged at the edge portion of the groove 51, a method of rounding the inner peripheral surface side and the outer peripheral side edge portion of the groove 51 is described. Although described, the edge portions on the inner peripheral surface side and the outer peripheral side of the groove 51 may be chamfered.
FIG. 7A is a bottom view showing the configuration of the guide ring according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 7B is an enlarged perspective view showing a portion F in FIG. 7A.
[0041]
In FIG. 7, a groove 61 is formed radially on the bottom surface of the guide ring 4e, and a step-like projection 62 is provided at a position of a predetermined depth H4 in the groove 61. A rounded round portion 63 is provided on the inner circumferential surface side and the outer circumferential side edge portion of the groove 61, and the front surface of the overhang portion 62 is rounded along the groove 61. The depth H4 at which the overhang portion 62 is provided is set to a value such that slurry or polishing debris flowing in the groove 61 does not stay when the step due to the overhang portion 62 disappears due to wear of the bottom surface of the guide ring 4e. Can be set.
[0042]
When polishing the wafer W, the wafer W and the guide ring 4e are rotated on the polishing table while guiding the periphery of the wafer W with the guide ring 4e. Here, the bottom surface of the guide ring 4e is pressed against the polishing table together with the wafer W, and the slurry and polishing dust supplied on the polishing table are put in and out of the guide ring 4e through the groove 61. Then, as the wafer W is polished, the bottom surface of the guide ring 4e is also polished, and the edge portion of the groove 61 of the guide ring 4e is rubbed against a polishing cloth or a polishing pad, and the groove 61 provided on the bottom surface of the guide ring 4e. Becomes shallower. Then, when the depth of the groove 61 becomes shallow, it is possible to determine the replacement time of the guide ring 4e by checking whether or not the step due to the overhang portion 62 has disappeared.
[0043]
Thus, it is possible to determine at a glance the replacement time of the guide ring 4e only by changing the shape of the groove 61 provided on the bottom surface of the guide ring 4e, and determine the degree of wear of the guide ring 4e. This eliminates the need to measure the depth of the groove 61 using calipers or the like, so that it is possible to reduce the time and effort required to replace the guide ring 4e and to remove foreign substances such as color markers on the guide ring 4e. There is no need to provide such a member, and contamination during polishing can be prevented.
[0044]
In addition, by processing the front surface of the overhang portion 62 into a round shape along the groove 61, even when the overhang portion 62 is provided in the groove 61, the slurry and the polishing debris flow smoothly in the groove 61. It is possible to prevent the slurry and the polishing debris from clogging in the groove 61, and to easily determine the replacement time of the guide ring 4e while suppressing the deterioration of the polishing speed and the damage of the polishing surface. It becomes possible.
[0045]
Further, by providing the round portion 63 at the inner circumferential surface side and the outer circumferential side edge portion of the groove 61, even when the wafer W is polished while the bottom surface of the guide ring 4e is rubbed against a polishing cloth or a polishing pad. The polishing cloth or the polishing pad can be prevented from being damaged at the edge portion of the groove 61, and the replacement time of the guide ring 4e can be determined at a glance, and the life of the polishing cloth or the polishing pad can be reduced. It is possible to increase.
[0046]
In the above-described sixth embodiment, a method has been described in which the overhang portions 62 are provided in all the grooves 61 provided in the guide ring 4e, but at least one or more of the grooves 61 provided in the guide ring 4e are described. The overhanging portion 62 may be provided on the side. Also, the method of providing the overhang 62 on one side of the groove 61 has been described, but the overhang 62 may be provided on both sides of the groove 61. Further, in the above-described sixth embodiment, the method of combining the configuration of FIG. 3 and the configuration of FIG. 6 has been described, but the configuration of FIG. 4 or FIG. 5 and the configuration of FIG. 6 may be combined.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a polishing apparatus according to a first embodiment.
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of the polishing apparatus of FIG. 1;
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a guide ring according to a second embodiment.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a guide ring according to a third embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a guide ring according to a fourth embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a guide ring according to a fifth embodiment.
FIG. 7 is a view showing a configuration of a guide ring according to a sixth embodiment.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a conventional guide ring.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 polishing table, 2 polishing cloth, 3 rotating shaft, 4, 4a-4e guide ring, 5 wafer carrier, 6 spindle, 7 polishing cloth adjusting disk, 8 polishing cloth adjusting disk carrier, 9 rotating shaft, 10 nozzle, 11 abrasive Slurry, W wafer, 21, 31, 41, 51, 61 groove, 22, 62 overhang, 32 shoulder drop, 42 dug, 52, 63 are

Claims (8)

研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、
前記研磨テーブル上にスラリを供給するスラリ供給手段と、
前記研磨テーブル上でウェハの周囲をガイドするガイドリングと、
前記ガイドリングの底面に放射状に形成された溝と、
前記溝内に段差状に設けられたスリップサインと、
前記研磨テーブル上で前記ウェハを前記ガイドリングとともに押さえるウェハ押え手段とを備えることを特徴とする研磨装置。A polishing table,
Rotating means for rotating the polishing table,
Slurry supply means for supplying a slurry on the polishing table,
A guide ring for guiding the periphery of the wafer on the polishing table;
A groove formed radially on the bottom surface of the guide ring,
A slip sign provided in a step shape in the groove,
A polishing apparatus, comprising: a wafer presser for pressing the wafer together with the guide ring on the polishing table. 底面に放射状に形成された溝と、
前記溝内の所定の深さの位置に段差状に設けられた張り出し部とを備えることを特徴とする研磨用ガイドリング。A groove formed radially on the bottom surface,
And a projecting portion provided in a stepped shape at a predetermined depth in the groove. 前記張り出し部の前面は、前記溝に沿ってアール加工されていることを特徴とする請求項２記載の研磨用ガイドリング。The polishing guide ring according to claim 2, wherein a front surface of the overhang portion is rounded along the groove. 底面に放射状に形成された溝と、
前記溝の肩の少なくとも一部を所定の深さまで段差状に切り落とした肩落部とを備えることを特徴とする研磨用ガイドリング。A groove formed radially on the bottom surface,
And a shoulder drop-off portion in which at least a part of the shoulder of the groove is cut off in a stepped shape to a predetermined depth. 前記肩落部の前面は、前記溝に沿ってアール加工されていることを特徴とする請求項４記載の研磨用ガイドリング。The polishing guide ring according to claim 4, wherein a front surface of the shoulder drop portion is rounded along the groove. 底面に放射状に形成された溝と、
前記溝の間の対向面側に設けられ、前記溝の底を越える深さまで掘り込まれた掘り込み部とを備えることを特徴とする研磨用ガイドリング。A groove formed radially on the bottom surface,
A digging portion provided on the side of the opposing surface between the grooves and dug to a depth exceeding the bottom of the grooves. 底面に放射状に形成された溝と、
前記溝の内周面側および外周面側のエッジ部分の少なくとも一方に設けられたアール部とを備えることを特徴とする研磨用ガイドリング。A groove formed radially on the bottom surface,
A polishing guide ring provided with at least one of an inner peripheral surface side and an outer peripheral surface side edge portion of the groove. ガイドリングでガイドされたウェハを研磨する工程と、
前記ガイドリングの溝に設けられた段差の残存状況に基づいて、前記ガイドリングの磨耗状態を判定する工程とを備えることを特徴とする研磨用ガイドリングの磨耗判定方法。Polishing the wafer guided by the guide ring,
Determining a wear state of the guide ring based on a remaining state of a step provided in the groove of the guide ring.
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