JP2004266272A - 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。
【選択図】 なし
Description
(1)ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
(2)ソース電極とドレイン電極間に設けたカーボンナノチューブが分散した有機高分子半導体層の導電性を、絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、カーボンナノチューブの重量分率が有機高分子半導体に対し0.1重量%以上1重量%以下であり、有機高分子半導体層の膜厚が10nm以上100nm以下である(1)記載の電界効果型トランジスタ。
(3)カーボンナノチューブの長さがソース電極とドレイン電極間の距離よりも小さいことを特徴とする(1)または(2)記載の電界効果型トランジスタ。
(4)有機高分子半導体がポリチオフェン系重合体を有する有機高分子半導体である(1)〜(3)のいずれか記載の電界効果型トランジスタ。
(5)一対の対向する基板上に複数のアドレス線と複数のデータ線とが対向してマトリックス状に設けられており、このマトリックス配線の交点に配置された電界効果型トランジスタと、この電界効果型トランジスタを介して前記データ線と接続された画素電極と、この画素電極に対向した対向電極とによって液晶層を挟持したアクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、電界効果型トランジスタが(1)〜(4)のいずれか記載の電界効果型トランジスタである液晶表示装置。
図1の模式断面図(A)に示すような本発明のFET素子を作製した。基板1に熱酸化膜(膜厚300nm)付きのアンチモンドープシリコンウエハー(抵抗率0.02Ωcm以下)を用いた。ここで、シリコンウエハーは基板1であると同時に、ゲート電極2であり、熱酸化膜は絶縁層3となる。
図3は実施例1と同様の構成を有するFET素子を用いた液晶表示素子を示す断面図である。ガラス基板1上に形成されたゲート電極2はアドレス配線7と接続されている。ゲート電極2上に絶縁層3を介して形成されたソース電極5およびドレイン電極6のうち、ソース電極5はデータ配線8に、ドレイン電極はITOからなる画素電極9にそれぞれ接続されている。ソース電極5およびドレイン電極6には半導体コンポジット薄膜からなる半導体層4が形成され、更にこの半導体層4にはFET素子全体と画素電極上にポリイミドからなる配向膜10が形成されている。対向するガラス基板14上にはITOからなる対向電極13および配向膜12が形成されている。通常の方法により対向電極12を含むガラス基板14と画素電極9、FET素子を含むガラス基板1とを対向させて液晶セルが形成され、両者の基板の間には液晶が封入されている。なお、ポリイミドからなる配向膜10、12は膜形成後ラビング処理が施されている。
実施例1の半導体性コンポジットを使用して膜厚10nmの半導体層を形成した以外は実施例1の方法と同様の操作を行い、FET素子を作製した。
実施例1の半導体性コンポジットを構成する有機高分子半導体としてポリ−3−ブチルチオフェン(アルドリッチ社製、レジオレギュラー)を使用して膜厚100nmの半導体層を形成した以外は実施例1の方法と同様の操作を行い、FET素子を作製した。
実施例1の半導体性コンポジットを使用して1μmの半導体層を形成した以外は実施例1の方法と同様の操作を行い、FET素子を作製した。
実施例1の半導体性コンポジットに代えて該コンポジットを作製する際に用いた同じポリ−3−ヘキシルチオフェンのみを使用する以外は実施例1の方法と同様の操作を行い、FET素子を作製した。半導体層のポリ−3−ヘキシルチオフェンの膜厚は実施例1と同じく40nmであった。
実施例1の半導体性コンポジットに含まれるCNTの処理方法を、酸中での超音波処理から、CNT分散液の濾過処理に変更した以外は実施例1と同様の操作を行い、FET素子を作製した。CNT分散液の濾過処理は次のようにして行った。SWCNT(CNI社製、純度95%)2mgと、直鎖状共役系重合体であるポリ−3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、レジオレギュラー)2mgと、クロロホルム20mLを50mLのガラス製サンプル管の中に入れて超音波破砕機(東京理化器械製VCX−500:出力250W、直接照射)を用いて30分間超音波照射し、CNTを均一分散した。この分散液5mLを分取して、公称10μm孔径のPTFE製オムニポアメンブレンフィルター(アドバンテック社製、直径25mm)を用いて吸引濾過した。フィルター上に微量の濾別物が存在したが、大半のCNTは濾液中に含まれており、この濾液を20倍に希釈し、CNT濃度が約0.5mg/100mLのCNT分散液を得た。ここにポリ−3−ヘキシルチオフェンさらに500mgを加え、超音波洗浄機(井内盛栄堂(株)製US−2、出力120W、2.6L)で超音波を30分間照射することによって、CNTの分散した半導体性コンポジットの塗液を得た。
CNT分散液を10μm孔径のフィルターによる濾過を行わなかった以外は実施例6と全く同様の操作をしてFET素子を作製した。ソース・ドレイン間の電流電圧特性を測定し、Vsdが−4Vで、Vgが0Vと20Vの時のIdを表1に示した。この結果からオンオフ比を求めたところ、Vsd=−4V、Vgの範囲0〜20Vの条件下で1.61×100であり、キャリア移動度は2.97×10-3cm2/V/secであった。
2 ゲート電極
3 絶縁層
4 半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 アドレス配線
8 データ配線
9 画素電極
10、12 配向膜
11 液晶分子
13 対向電極
Claims (8)
- ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
- ソース電極とドレイン電極間に設けたカーボンナノチューブが分散した有機高分子半導体層の導電性を、絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、カーボンナノチューブの重量分率が有機高分子半導体に対し0.1重量%以上1重量%以下であり、有機高分子半導体層の膜厚が10nm以上100nm以下である請求項1記載の電界効果型トランジスタ。
- カーボンナノチューブの長さがソース電極とドレイン電極間の距離よりも小さい請求項1または2記載の電界効果型トランジスタ。
- 有機高分子半導体がポリチオフェン系重合体を有する有機高分子半導体である請求項1〜3のいずれか記載の電界効果型トランジスタ。
- 一対の対向する基板上に複数のアドレス線と複数のデータ線とが対向してマトリックス状に設けられており、このマトリックス配線の交点に配置された電界効果型トランジスタと、この電界効果型トランジスタを介して前記データ線と接続された画素電極と、この画素電極に対向した対向電極とによって液晶層を挟持したアクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、電界効果型トランジスタが請求項1〜4のいずれか記載の電界効果型トランジスタである液晶表示装置。
- カーボンナノチューブを直鎖状共役系重合体と共に溶媒中に分散させ、得られたカーボンナノチューブ分散液を濾過することによって、ソース電極とドレイン電極間の距離よりも小さいカーボンナノチューブを得る請求項3記載の電界効果型トランジスタ。
- カーボンナノチューブ分散液の調製を超音波照射により行う請求項6記載の電界効果型トランジスタ。
- カーボンナノチューブ分散液の濾過に用いるフィルターが、孔径0.5〜10μmのメンブレンフィルターである請求項6記載の電界効果型トランジスタ。
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