JP2004260171A - 薄膜発光層を利用した発光素子からスペクトルシフトした光出力を生成する為の装置及びその製造方法 - Google Patents

薄膜発光層を利用した発光素子からスペクトルシフトした光出力を生成する為の装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004260171A
JP2004260171A JP2004042634A JP2004042634A JP2004260171A JP 2004260171 A JP2004260171 A JP 2004260171A JP 2004042634 A JP2004042634 A JP 2004042634A JP 2004042634 A JP2004042634 A JP 2004042634A JP 2004260171 A JP2004260171 A JP 2004260171A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
material layer
light
thin
luminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004042634A
Other languages
English (en)
Inventor
Bee Yin Janet Chua
ビー・イン・ジャネット・チュア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agilent Technologies Inc
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of JP2004260171A publication Critical patent/JP2004260171A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光ダイオードを用い、均一な白色を得ることのできる照明素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子(210)の表面に、発光材料を含む薄膜発光材料層(230)を所定の一定厚さにして形成する。一定の発光粒子密度とされる発光材料層は、発光素子がその使用に係る実装面(220)に実装された状態でコーティングして形成される。所定の材料を含む薄膜発光材料層は、複数の層を成すよう構成され得る。
【選択図】図2

Description

本発明は一般に発光ダイオード(LED)の分野に関するものであり、より具体的にはLEDからのスペクトルシフトした光出力に関する。
発光ダイオード(LED)は、例えばスルーホールパッケージ組立部品と共に使用する等、照明アプリケーションの光源として用いられる機会が増えてきた。発光ダイオードから白色光を生成する為に様々な方法が利用されている。
従来方法の1つにおいては、3つの異なる種類の発光ダイオード(LED)を使用することにより白色光が生成される。この方法は、赤色、緑色及び青色の基本色を生成することにより、白色光を作り出すものである。残念ながら、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)LEDからの放射光を混合して白色光を作る場合、幾つかの問題が生じてしまう。これらの問題の中には、異なるLEDの使用による出力色のばらつきや、異種LEDの各々に必要な駆動電圧が異なることによる複雑な駆動回路と共に、作動条件によって異なる劣化速度が含まれる。
他の方法においては、セリウム活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12:Ce3+)蛍光材料を照明する為に青色発光素子(LED)が用いられる。この方法においては、LEDが蛍光体を励起する青色光を放射する。蛍光体は青色光の少なくとも一部を吸収し、より長い波長(例えば広帯域黄色光)を放射することが出来る。人の目は、LEDから生成された青色光と蛍光体放射により生成された黄色光との組み合わせを白色光として認識するものである。図1は、当該産業において現在使用されているリフレクタカップ100等の既存の照明素子を示す図である。図1においては、リフレクタカップ実装パッケージ100は光源110(ここではリフレクタカップ120中に配置された単一のLED)を含んでいる。光源110は空洞130を通じて表面140へと均一な照明を提供している。
リフレクタカップ搭載パッケージ100からの光出力を変化させる為に、当該産業においては空洞130中に混合物150を配置することが一般的である。混合物150には、例えば光学的に透明なエポキシ等、光学的に透明な物質と混合した、例えば上述のセリウム活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット等の1つ以上の蛍光化合物が含まれる(特許文献1参照)。混合により蛍光化合物は光学的に透明な物質中で懸濁する。懸濁した蛍光化合物が光源110からの光を吸収した場合、蛍光化合物は吸収光と蛍光化合物との間の相互作用に基づいて発光する。
特開平10−242513号
上述した素子の工業利用は広まっているものの、この種の型の照明素子には複数の欠点がある。そのような欠点の1つは、蛍光化合物を光学的に透明な物質へと混合する処理から生じるものである。光学的に透明な物質中に蛍光化合物の均一な混合を得ること、及びこれを再現することが困難なのである。この問題の為に、照明素子からの発光の均一性が所望されているレベルよりも低いのである。よって、この問題及び他の欠点を解消する方法及び素子を提供することが望まれる。
本発明の一態様によれば、光源を提供する半導体発光素子を含む照明素子が提供される。照明素子は更に、半導体発光素子の表面を覆い、そして光源からの光に応答して発光する発光材料を含む第1の薄膜発光材料層を含んでいる。第1の薄膜発光材料層は、特定の一定した厚さと、そして特定の一定した発光粒子密度を持っている。第1の及び後述する追加の発光材料層は、半導体発光素子が(リードフレーム又は回路基板等の)所定の実装面上に実装された状態で実装面に略接して配置される。
本発明の他の態様によれば、照明装置の製造プロセスは、ソース光を提供し得るように作動する半導体発光素子を設けることを含む。プロセスは更に、第1の発光材料を設けるステップを含む。また更にこのプロセスは、半導体発光素子の表面を、特定の一定した厚さ及び特定の一定した発光粒子密度を持つ第1の発光材料の薄い層でコーティングするステップを含む。発光材料の層は、半導体発光素子が所定の実装を終えた後に、当該半導体発光素子上にコーティングされる。
本発明の更に他の態様によれば、本発明は、発光素子の表面を覆う第1の薄膜発光材料層を有する半導体発光素子を設けることにより、スペクトルシフトさせた光出力を提供する方法を含む。第1の薄膜発光材料層は、特定の一定した厚さ及び特定の一定した発光粒子密度を持っている。ソース光は半導体発光素子を用いて生成される。ソース光の少なくとも一部は、第1の薄膜発光材料層中において生成される。第1の放射光は、ソース光の吸収に伴い、第1の薄膜発光材料層から放射される。
本明細書及び請求項を通じて、「接続された」と言う場合、接続される物の間に何らの素子を介在させることなく、これらが直接的に電気接続されたことを意味する。「結合された」と言う場合、接続される物の間に直接的な電気又は光学接続が作られた、或いは1つ以上の受動又は能動介在素子を通じた間接接続が作られたことを意味する。「光」という語の定義は、赤外線及び紫外線を含むがこれらに限られないスペクトル全体を網羅するものである。
以下に添付図面を参照して、本発明の最良の実施形態となる照明素子、及びその製造の方法を詳細に示す。
〔照明素子の例〕
図2を参照すると、本発明の第1の実施例に基づくスペクトルシフトした光出力を作る照明素子の全体が符号200で示されている。照明素子200は半導体発光素子210、半導体発光素子が使用されるために実装される実装面220、及び薄膜発光材料層230を含んでいる。
一実施例においては、照明素子200は表面実装パッケージ中に設けられている。この実施例においては、実装面220は表面実装パッケージの表面である。他の実施例においては、照明素子200はリフレクタカップ実装パッケージ(図示せず)、又はスルーホールパッケージ(図示せず)中に実装されている。これらのような実施例においては、実装面220はそれぞれリフレクタカップ実装パッケージの表面又はスルーホールパッケージの表面である。
一実施例においては、半導体発光素子210は発光ダイオード(LED)として実現されている。一例においては、発光素子210は紫外線(UV)発光ダイオードとして実現されている。他の実施例においては、半導体発光素子210はレーザーダイオードとして実現されている。一例においては、半導体発光素子210は紫外線(UV)レーザーダイオードとして実現されている。好適なLEDやレーザーダイオードを提供する業者としては、例えばノースカロライナ州ダラム市のCREE INC.、台湾の新竹にあるEpistar Corp.、及び台湾の桃園県大渓鎮にあるArima Optoelectronics Corp.が挙げられる。
図2においては、薄膜発光材料層230は半導体発光素子210の表面コーティングとして実現されている。薄膜発光材料層230はその中に懸濁させた発光粒子235を含んでいる。
発光粒子235を含む発光材料は、半導体発光素子210の露出面上に設けられる。発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、薄膜発光材料層230は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
一例においては、2003年2月26日に出願された米国特許出願第10/375,321号に記載の流体化技術により特定の一定した厚さの発光材料が半導体発光素子210の露出面上に設けられることにより、薄膜発光材料層230が形成される。
他の例においては、2002年10月22日に出願された米国特許出願第10/277,285号に記載の電気泳動析出法により特定の一定した厚さの発光材料が半導体発光素子210の露出面上に設けられることにより、薄膜発光材料層230が形成される。
一実施例においては、特定の一定した厚さと発光粒子密度を持つ発光材料層が、製作された発光ダイオード又はレーザーダイオードの露出面上に設けられることにより、薄膜発光材料層230が形成される。他の実施例においては、特定の一定した厚さと発光粒子密度を持つ発光材料層が、処理中の発光ダイオード又はレーザーダイオードのウエハの露出面上に設けられることにより、薄膜発光材料層230が形成される。一例においては、特定の、一定した厚さと発光粒子密度を持つ発光材料層が、発光ダイオード又はレーザーダイオードが製作された後ではあるが、しかし個々の発光素子又はレーザーダイオードへと分割される以前に、ウエハの露出面上に設けられることにより薄膜発光材料層が形成される。
作動においては、半導体発光素子210から放射されたソース光が薄膜発光材料層230中の発光粒子235により吸収される。ソース光の吸収に伴い、発光粒子はフォトルミネセンスを生じ、発光材料放射光を放射する。
一実施例においては、ソース光は薄膜発光材料層230により完全に吸収され、発光材料放射光のみが照明素子200から放射される。他の実施例においては、薄膜発光材料層230はソース光を完全には吸収しない。この実施例においては、照明素子200は非吸収ソース光と発光材料放射光を含む複合光を放射する。
本発明においては、発光材料放射光、或いは複合光を供給する上で、LED及び発光材料の組み合わせをいくつ使用するものであっても良い。特定の一定した厚さ及び特定の一定した発光粒子密度を持つ薄膜発光材料層をLEDの表面に利用することにより、放射光に一定した色を得ることが出来る。一実施例においては、発光材料は蛍光材料として、或いは2つ以上の蛍光材料の混合物(例えば蛍光化合物)として実現される。
一例においては、白色光が望まれる場合、ピーク波長が450〜480nmの青色LEDを半導体発光素子210として使用することが出来る。薄膜発光材料層230中の発光粒子235は、セリウム活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12:Ce3+)蛍光体とすることが出来る。この例においては、約30μm厚の薄膜発光材料層230とした場合に、結果として見た目が「白色」の複合光が得られる。より薄くした(〜25μm)アプリケーションにおいては、見た目が「青色がかった白色」の複合光が得られ、一方でより厚くした(〜35μm)アプリケーションにおいては、見た目が「黄色みがかった白色」の複合光が得られる。
薄膜発光材料層230中の発光粒子235がセリウム活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12:Ce3+)蛍光体である場合の一例においては、厚さが約15μmの薄膜発光材料層230とした場合、見た目が「青色」の複合光が得られる。より薄い(〜10μm)アプリケーションにおいては、見た目が「濃い青色」の複合光が得られ、一方でより厚くした(〜20μm)アプリケーションにおいては、見た目が「青色がかった白色」の複合光が得られる。
薄膜発光材料層230中の発光粒子235がセリウム活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12:Ce3+)蛍光体である場合の他の例においては、厚さが約50〜55μmの薄膜発光材料層230とした場合、見た目「黄色」の複合光が得られる。より薄い(〜45μm)アプリケーションにおいては、見た目が「薄い黄色」の複合光が得られ、一方でより厚くした(〜60μm)アプリケーションにおいては、見た目が「濃い黄色」の複合光が得られる。
更に他の実施例においては、発光材料放射光が照明素子200からの放射が望まれる唯一の光である場合もある。この実施例においては、薄膜発光材料層230中の発光粒子235は全てのソース光を吸収するものである。この結果、照明素子200は薄膜発光材料層230中の発光粒子235が生成した光のみを放射することになる。一例においては、照明素子から紫外線の放射が望まれない場合、紫外線(UV)光を放射するLEDを組み込んだ照明素子にそのような発光材料層を用いることが出来る。この例においては、半導体発光素子210は紫外線(UV)発光ダイオード(LED)、紫外線(UV)レーザーダイオード、或いは他の同様の発光素子として実現される。
図3は、本発明の第2の実施例に基づく照明素子を描いた概略図である。照明素子300は半導体発光素子210と、実装面220と、第1の薄膜発光材料層330と、そして第2の薄膜発光材料層340とを含む。薄膜発光材料層330、340の各々は、発光粒子(図示せず)を含んでいる。図2と同様の要素には同様の符号を付けてあり、同様の機能を持つ。
一実施例においては、照明素子300は表面実装パッケージ上に設けられている。この実施例においては、実装面220は図3に示すように表面実装パッケージの表面である。他の実施例においては、照明素子300は実装パッケージ(図示せず)のリフレクタカップ中に、あるいはスルーホールパッケージ(図示せず)中に設けられている。これらのような実施例においては、それぞれに実装面220はリフレクタカップ実装パッケージの表面、もしくはスルーホールパッケージの表面である。
図3においては、第1の薄膜発光材料層330は半導体発光素子210の露出面上のコーティングとして実現されている。発光粒子を含む発光材料は半導体発光素子210の露出面上に設けられる。発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、第1の薄膜発光材料層330は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
本実施例においては、第2の薄膜発光材料層340は第1の薄膜発光材料層330上のコーティングとして実現される。発光粒子を含む発光材料は、第1の薄膜発光材料層330の露出面上に形成される。発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、第2の薄膜発光材料層340は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
作動においては、半導体発光素子210から放射されたソース光は、第1の薄膜発光材料層330中の発光粒子により、少なくとも部分的に吸収される。一実施例においては、ソース光は第1の薄膜発光材料層330により完全に吸収され、第1の発光材料放射光を含む放射光が、第1の薄膜発光材料層330から放射されたもののみとなるものである。
他の実施例においては、薄膜発光材料層330がソース光の全てを吸収するものではない。この実施例においては、非吸収ソース光と第1の発光材料放射光を含む複合光を含む放射光が放射される。
放射光は第2の薄膜発光材料層340を通過する。放射光は、少なくとも部分的に第2の薄膜発光材料層340により吸収される。そして第2の薄膜発光材料層340は第2の複合光を放射する。
本発明においては、第1の薄膜発光材料層330の発光材料がソース光の少なくとも一部を吸収し、第2の薄膜発光材料層340の発光材料が放射光及びソース光の一部を吸収するようになっている限りにおいては、使用出来るLED及び発光材料の組み合わせはいくつもある。LED210及び第1の発光材料層330からのソース光が第1の発光材料放射光又は複合光を生成し、そしてこれに呼応して第2の薄膜発光材料層340がフォトルミネセンスにより第2の複合光を生成する。
LED210の露出面上に形成した、特定の一定した厚さ及び特定の一定した発光粒子密度を持つ第1の薄膜発光材料層と、そして第1の薄膜発光材料層330の上に形成した特定の一定した厚さ及び特定の一定した発光粒子密度を持つ第2の薄膜発光材料層を使用することにより、照明素子は一定の色を生成するものである。
一実施例においては、各薄膜発光材料層中の発光材料は、1つの蛍光材料又は1つ以上の蛍光材料の混合物(例えば蛍光化合物)として実現されている。一実施例においては、図3を参照するが、白色光が望まれる場合、ピーク波長が450〜480nmの青色LEDを半導体発光素子210として使用することが出来る。
この例においては、第1の薄膜発光材料層330中の発光粒子は、例えばユーロピウム活性化された硫化カルシウム蛍光物質(CaS:Eu2+)又はユーロピウム活性化された硫化ストロンチウム蛍光物質(SrS:Eu2+)のような赤色蛍光物質とすることが出来る。第2の薄膜発光材料層340中の発光粒子は、例えば(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu2+;BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+といった緑色蛍光物質とすることが出来る。この例においては、第1の薄膜発光材料層330の厚さを5〜6.5μm、第2の薄膜発光材料層340の厚さを3.3〜5μmとすることにより、第2の複合光に「白色」の見た目を与えることが出来る。
他の例においては、第1の薄膜発光材料層330中の発光粒子は、例えば先の段落に述べた蛍光化合物の1つのような緑色蛍光物質とすることが出来る。第2の薄膜発光材料層340中の発光粒子は、例えば先の段落に述べた蛍光化合物の1つのような赤色蛍光物質とすることが出来る。この例においては、第1の薄膜発光材料層330の厚さを3.3〜5μm、第2の薄膜発光材料層340の厚さを5〜6.5μmとすることにより、複合光を見た目で「白色」とすることが出来る。
図4は、本発明の第3の実施例に基づく照明素子を描いた概略図である。照明素子400は、半導体発光素子210と、実装面220と、第1の薄膜発光材料層330と、第2の薄膜発光材料層340と、そして第3の薄膜発光材料層450とを含んでいる。各薄膜発光材料層330、340及び450は、発光粒子(図示せず)を含んでいる。図2及び図3と同様の要素には同様の符号を付けてあるが、これらは同様の機能を持つものである。
一実施例においては、照明素子400は表面実装パッケージ中に設けられている。この実施例においては、実装面220は図4に示したように表面実装パッケージの表面である。他の実施例においては、照明素子400はリフレクタカップ実装パッケージ(図示せず)中、或いはスルーホールパッケージ(図示せず)中に設けることが出来る。これらの実施例においては、実装面220はそれぞれリフレクタカップ実装パッケージの表面又はスルーホールパッケージの表面である。
図4において、第3の薄膜発光材料層450は第2の薄膜発光材料層340上のコーティングとして実現されている。発光粒子を含む発光材料が、第2の薄膜発光材料層340の露出面上に設けられる。発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、第3の薄膜発光材料層450は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
第3の薄膜発光材料層450は、特定の一定した厚さで、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、或いは流体化法により、第2の薄膜発光材料層340の露出面上に形成される。
作動においては、第2の薄膜発光材料層340から放射された第2の複合光の一部が第3の薄膜発光材料層450の発光粒子に吸収され、第3の薄膜発光材料層450が第3の複合光を放射する。第3の複合光は、光源から放射された光の全てを含み、最高で4つの成分を含む場合がある。第3の光源は、紫外線LED(UV−LED)とすることが出来る。紫外線は蛍光層(具体的には赤色、緑色及び青色層)を変換してこれらに白色光を放射させる為に使用される。赤色及び緑色蛍光物質は、先に述べた物質から構成することが出来、また、青色蛍光物質はBaMgAl1627:Euとすることが出来る。
〔製造プロセス例〕
図5は、本発明に基づくプロセス例を説明するフローチャートである。図5は、スペクトルシフトした出力を提供する照明素子の製造用プロセス500の一実施例の詳細である。プロセス500は、図2〜図4に示し、先に説明又は参照した素子の1つ以上を作成する為に用いることが出来る。
プロセス500はブロック510から開始される。ブロック520においては、光源が設けられる。一実施例においては、半導体発光素子が表面実装可能なパッケージ中に設けられる。他の実施例においては、半導体発光素子はリフレクタカップパッケージ又はスルーホールパッケージ中に設けられる。一例においては、図2〜図4に示した半導体発光素子210が設けられるものである。
ブロック530においては、発光材料が設けられる。一実施例においては、発光材料は1つの蛍光材料、或いは蛍光化合物のような2つ以上の蛍光材料の混合物である。一例においては、発光材料は好適な液体キャリヤ中の発光粒子として実現される。
ブロック540においては、発光材料が光源の露出面上に設けられ、薄膜発光材料層が形成されて配置される。一実施例においては、発光粒子を含む発光材料が半導体発光素子の露出面上に形成される。発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、薄膜発光材料層は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
一例においては、図2を参照するが、薄膜発光材料層230は半導体発光素子210の露出面上のコーティングとして実現される。この例においては、発光材料は発光素子210の露出面上に、例えばタイムプレッシャ供給システム、工業用スプレイ装置、或いはインクスプレイ式マーキング装置を使用したスプレイ法により形成される。
オプションブロック550においては、発光材料が薄膜発光材料層の露出面上に設けられることにより第2の薄膜発光材料層が形成される。一実施例においては、発光粒子を含む発光材料が、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、第2の薄膜発光材料層は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
一例においては、図3を参照するが、薄膜発光材料層330は半導体発光素子210の露出面上のコーティングとして実現され、そして第2の薄膜発光材料層340は薄膜発光材料層330上のコーティングとして実現される。
オプションブロック560においては、第2の薄膜発光材料層の露出面上に発光材料が設けられ、第3の薄膜発光材料層が形成される。一実施例においては、発光粒子を含む発光材料の形成は、例えばスプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、又は電気泳動析出法により実施される。これらのような形成方法により、第3の薄膜発光材料層は特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つに至る。
一例においては、図4を参照するが、薄膜発光材料層330は半導体発光素子210の露出面上のコーティングとして実現され、第2の薄膜発光材料層340は薄膜発光材料層330上のコーティングとして実現され、そして第3の薄膜発光材料層450は第2の薄膜発光材料層340上のコーティングとして実現される。
プロセス500はブロック570に進み、ここで終了する。
〔光生成法例〕
図6は、スペクトルシフトした光出力を生成する為の方法の一実施例600を示すフローチャートである。方法600は、上述した、或いは図2〜図4に示した素子の1つ以上を用いて実施することが出来る。方法600はブロック610から開始される。
ブロック620において、光源が設けられる。一実施例においては、光源は半導体発光素子として実現される。一例においては、図2を参照するが、光源は、例えば発光ダイオード(LED)のような半導体発光素子210として実現されている。他の例においては、半導体発光素子210はレーザーダイオードとして実現される。
ブロック630においては、光源を利用してソース光が生成される。一実施例においては、ソース光は半導体発光素子を用いて生成される。一例においては、図2〜図4を参照するが、ソース光は半導体発光素子210を用いて生成される。この例においては、半導体発光素子210はソース光を供給するものであり、これは表面実装可能なパッケージ中に設けられている。他の例においては、半導体発光素子210はソース光を供給するものであり、これがリフレクタカップ実装パッケージ(図示せず)又はスルーホールパッケージ(図示せず)中に設けられている。
ブロック640においては、ソース光は特定の一定した厚さと特定の一定した発光粒子密度を持つ発光材料の層中に吸収される。一実施例においては、ソース光は薄膜発光材料層中の発光粒子により吸収される。
発光材料層中の発光粒子は、1つの発光材料、或いは合成発光物質のような2つ以上の発光材料の混合物として実現される。
一例においては、上述した図2を参照するが、薄膜発光材料層230中の発光粒子235は発光素子210が放出した全てのソース光を吸収する。この例においては、全ソース光が吸収されると、薄膜発光材料層230は発光材料放射光を放射する。他の例においては、薄膜発光材料層230はソース光を完全には吸収するものではない。この例においては、吸収されなかったソース光と発光材料放射光を含む複合光が放射される。
ブロック650においては、吸収された光に少なくとも部分的に応答して発光材料層が光出力を放射する。一実施例においては、吸収されたソース光に応答して発光材料層がフォトルミネセンスを生じ、光出力が放出される。
一例においては、上述の図2を参照するが、半導体発光素子210が放射したソース光の全てが薄膜発光材料層230の発光材料により吸収された場合、光出力は発光材料放射光である。他の例においては、薄膜発光材料層230中の発光材料が、半導体発光素子210が放射したソース光を完全には吸収するものではない場合、放射光は複合光となる。
オプションブロック660においては、放射光が特定の一定した厚さと発光粒子密度を持つ発光材料層中に吸収される。一実施例においては、放射光は第2の薄膜発光材料層中の発光粒子により吸収されるものである。
発光材料層中の発光粒子は、1つの蛍光材料、或いは蛍光化合物のような2つ以上の蛍光材料の混合物として実現される。
一例においては、上述した図3を参照するが、第2の薄膜発光材料層240中の発光粒子(図示せず)は、第1の薄膜発光材料層330が放射した放射光の少なくとも一部を吸収する。
オプションブロック670においては、発光材料層が、吸収された光に少なくとも部分的に応答して光出力を放射する。一実施例においては、吸収された放射光に応答して、発光材料層はフォトルミネセンスを生じ、光出力を放射する。
オプションブロック680においては、その放射光が特定の一定した厚さと発光粒子密度を持つ発光材料層中に吸収される。一実施例においては、放射光は第3の薄膜発光材料層中の発光粒子により吸収されるものである。
発光材料層中の発光粒子は1つの蛍光材料、又は蛍光化合物のような2つ以上の蛍光材料の混合物として実現される。
一例においては、上述した図4を参照するが、第3の薄膜発光材料層450中の発光粒子(図示せず)は、第2の薄膜発光材料層340が放射した放射光を少なくとも部分的に吸収するものである。
オプションブロック690においては、発光材料層は、吸収光に少なくとも部分的に応答して光出力を放出する。一実施例においては、吸収した放射光に応答して、発光材料層がフォトルミネセンスを生じ、光出力が放射される。
その後方法600はブロック695に至り、ここで終了する。
上述した照明素子及び薄膜発光層を利用した半導体発光素子から出力されるスペクトルシフトされた光出力を生成する為の方法は、照明素子及び方法の一例である。これらの照明素子及び方法は、薄膜発光層を利用した半導体発光素子から出力されるスペクトルシフトされた光出力を生成する上で可能な一手法を説明するものである。実際の実用化においては、開示した照明素子及び方法とは異なる場合もある。更に、本発明に対する様々な他の改変及び変更は可能であり、これらの改変及び変更は、請求項に定める本発明の範囲に入るものである。
本発明は、その本質的な特性から離れることなく他の特定の形態で実現することが出来る。説明した実施例は、あらゆる意味において説明のためのものであり、限定的なものではない。
上述の実施形態に即して本発明を説明すると、本発明は、ソース光を提供する半導体発光素子(210)と、半導体発光素子の表面をコーティングする第1の薄膜発光材料層(230)とを具備した照明素子(200)であって、第1の薄膜発光材料層が、ソース光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、第1の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと特定の一定した発光粒子(235)密度を持つことを特徴とする照明素子(200)を提供する。
好ましくは、放射光が、発光材料が光源を完全に吸収した場合には第1の発光材料放射光を含み、そして発光材料が光源を完全には吸収しない場合は第1の複合光を含む。
好ましくは、照明素子は、第1の薄膜発光材料層の表面をコーティングする第2の薄膜発光材料層(340)を更に具備し、第2の薄膜発光材料層が、第1の薄膜発光材料層からの放射光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、第2の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つ。
好ましくは、照明素子は、第2の薄膜発光材料層の表面をコーティングする第3の薄膜発光材料層(450)を更に具備し、第3の薄膜発光材料層が、第2の薄膜発光材料層からの放射光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、第3の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つ。
好ましくは、薄膜発光材料層(230)は、スプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、及び電気泳動析出法から成るグループから選択された一手法により半導体発光素子の露出面上に形成される。
更に、本発明は、照明素子(200)を製作する為の方法であって、ソース光を提供し得るように作動する半導体発光素子(210)を設けるステップと、そして前記半導体発光素子の表面を第1の発光材料(230)の薄い層によりコーティングするステップとを有し、第1の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする方法を提供する。
好ましくは、前記第1の発光材料の薄い層の表面を第2の発光材料の薄い層(340)でコーティングするステップを更に有し、前記第2の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つ。
好ましくは、前記第2の発光材料の薄い層の表面を第3の発光材料の薄い層(450)でコーティングするステップを更に有し、前記第3の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つ。
従来の照明素子を描いた概略図である。 本発明の第1の実施例に基づく照明素子を示す概略図である。 本発明の第2の実施例に基づく照明素子を示す概略図である。 本発明の第3の実施例に基づく照明素子を示す概略図である。 本発明に基づくプロセス例を説明するフローチャートである。 本発明に基づく方法例を説明するフローチャートである。
符号の説明
200 照明素子
210 半導体発光素子
230 第1の薄膜発光材料層
235 発光粒子
340 第2の薄膜発光材料層
450 第3の薄膜発光材料層

Claims (8)

  1. ソース光を提供する半導体発光素子と、前記半導体発光素子の表面をコーティングする第1の薄膜発光材料層とを具備した照明素子であって、前記第1の薄膜発光材料層が、前記ソース光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、前記第1の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする照明素子。
  2. 前記放射光は、前記発光材料が前記光源を完全に吸収した場合には第1の発光材料放射光を含み、前記発光材料が前記光源を完全に吸収しない場合には第1の複合光を含むことを特徴とする請求項1に記載の照明素子。
  3. 前記第1の薄膜発光材料層の表面をコーティングする第2の薄膜発光材料層を更に具備し、前記第2の薄膜発光材料層が、前記第1の薄膜発光材料層からの前記放射光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、前記第2の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする請求項1に記載の照明素子。
  4. 前記第2の薄膜発光材料層の表面をコーティングする第3の薄膜発光材料層を更に具備し、前記第3の薄膜発光材料層が、前記第2の薄膜発光材料層からの前記放射光に呼応して放射光を放射する発光材料を含み、前記第3の薄膜発光材料層が特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする請求項3に記載の照明素子。
  5. 前記薄膜発光材料層が、スプレイ、ローラー、浸漬、プリント、流体化、及び電気泳動析出法から成るグループから選択された一手法により前記半導体発光素子の露出面上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の照明素子。
  6. 照明素子を製作する為の方法であって、ソース光を提供し得るように作動する半導体発光素子を設けるステップと、そして前記半導体発光素子の表面を第1の発光材料の薄い層によりコーティングするステップとを有し、前記第1の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする方法。
  7. 前記第1の発光材料の薄い層の表面を第2の発光材料の薄い層でコーティングするステップを更に有し、前記第2の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 前記第2の発光材料の薄い層の表面を第3の発光材料の薄い層でコーティングするステップを更に有し、前記第3の発光材料の薄い層が、特定の一定した厚さと、特定の一定した発光粒子密度を持つことを特徴とする請求項7に記載の方法。

JP2004042634A 2003-02-26 2004-02-19 薄膜発光層を利用した発光素子からスペクトルシフトした光出力を生成する為の装置及びその製造方法 Withdrawn JP2004260171A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/375,874 US7423296B2 (en) 2003-02-26 2003-02-26 Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004260171A true JP2004260171A (ja) 2004-09-16

Family

ID=32869057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004042634A Withdrawn JP2004260171A (ja) 2003-02-26 2004-02-19 薄膜発光層を利用した発光素子からスペクトルシフトした光出力を生成する為の装置及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7423296B2 (ja)
JP (1) JP2004260171A (ja)
DE (1) DE10358348A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
JP2007527118A (ja) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍光体変換ledを使用する効率的な光源
KR100853412B1 (ko) 2006-12-05 2008-08-21 (주) 아모센스 반도체 패키지
JP2008539566A (ja) * 2005-04-26 2008-11-13 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 発光変換led
WO2009088198A2 (ko) * 2008-01-07 2009-07-16 Snu R & Db Foundation 발광 다이오드 코팅 방법

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004060358A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
JP2006135002A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Koito Mfg Co Ltd 発光デバイス及び車両用灯具
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US20060192225A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Chua Janet B Y Light emitting device having a layer of photonic crystals with embedded photoluminescent material and method for fabricating the device
US7358543B2 (en) * 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US7934862B2 (en) * 2007-09-24 2011-05-03 Munisamy Anandan UV based color pixel backlight for liquid crystal display
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8459855B2 (en) * 2008-07-28 2013-06-11 Munisamy Anandan UV LED based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD
US8496367B2 (en) * 2008-07-28 2013-07-30 Munisamy Anandan Suppression of color mixing in UV LED based color pixel backlight for liquid crystal display
EP2311104B1 (de) * 2008-08-11 2018-03-28 OSRAM GmbH Konversions-led
WO2010039014A2 (ko) * 2008-10-01 2010-04-08 삼성엘이디 주식회사 액정고분자를 이용한 발광다이오드 패키지
US9062853B2 (en) * 2010-07-12 2015-06-23 National University Corporation Nagoya University Broadband infrared light emitting device
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR20140036670A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트
DE102012110552A1 (de) * 2012-11-05 2014-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterelement, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen Konverterelement und Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
US9206958B2 (en) 2013-09-16 2015-12-08 Osram Sylvania Inc. Thin film wavelength converters and methods for making the same
KR20170077679A (ko) 2015-12-28 2017-07-06 서울반도체 주식회사 광색역 발광소자

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3649328A (en) * 1970-06-22 1972-03-14 Motorola Inc Process for forming luminescent screens
CN1264228C (zh) * 1996-06-26 2006-07-12 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2000214804A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び露光装置並びに平面表示装置
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
TW497277B (en) * 2000-03-10 2002-08-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
DE60137995D1 (de) * 2000-08-09 2009-04-30 Avago Technologies General Ip Lichtemittierende Vorrichtungen
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
GB2389230A (en) * 2002-05-28 2003-12-03 Univ Nat Taiwan Nanoparticle light emitting device (LED)
US6841802B2 (en) * 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US7479662B2 (en) * 2002-08-30 2009-01-20 Lumination Llc Coated LED with improved efficiency

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527118A (ja) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍光体変換ledを使用する効率的な光源
JP2008539566A (ja) * 2005-04-26 2008-11-13 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 発光変換led
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
KR100853412B1 (ko) 2006-12-05 2008-08-21 (주) 아모센스 반도체 패키지
WO2009088198A2 (ko) * 2008-01-07 2009-07-16 Snu R & Db Foundation 발광 다이오드 코팅 방법
WO2009088198A3 (ko) * 2008-01-07 2009-09-24 서울대학교산학협력단 발광 다이오드 코팅 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE10358348A1 (de) 2004-09-16
US20040173806A1 (en) 2004-09-09
US7423296B2 (en) 2008-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004260171A (ja) 薄膜発光層を利用した発光素子からスペクトルシフトした光出力を生成する為の装置及びその製造方法
US7601550B2 (en) Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element
US8410714B2 (en) Illuminating device
JP3645422B2 (ja) 発光装置
KR100704492B1 (ko) 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP5627839B2 (ja) 改良された減光動作を有する光源
JP2002050797A (ja) 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6805600B2 (en) Method of manufacturing white light source
JP2006060238A (ja) 蛍光物質を用いて可視及び赤外線波長範囲に波長スペクトルを持つ出力光を生成するデバイス及びその方法。
US20050242360A1 (en) White light apparatus with adjustable color temperature and method of producing white light thereof
JP2003224306A (ja) 白色発光ダイオードの製造方法
JP2005019997A (ja) 白色発光デバイス
US20110127904A1 (en) Lighting module
JP5210109B2 (ja) Led発光装置
JP2004260169A (ja) 修正出力スペクトルを供給するため光源を被覆する装置及び方法
US20050264194A1 (en) Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
JP2004153261A (ja) 発光基層のスクリーン印刷方法
KR101227350B1 (ko) 코어-쉘 구조의 복합 형광체 및 이를 포함하는 발광소자
WO2013038649A1 (ja) 発光モジュール
JP2005079500A (ja) 白色光発光装置
CN100385690C (zh) 可调整色温的白光发光方法
KR100902988B1 (ko) 백색광 발광 다이오드의 제조 방법
KR100649704B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20040017926A (ko) 광-혼합 층 및 광-혼합 방법
JP2013222957A (ja) 光源モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060713

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070209

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070326

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070608