JP2004247425A

JP2004247425A - Method for manufacturing wiring board

Info

Publication number: JP2004247425A
Application number: JP2003034187A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Tanaka; 秀一田中
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2003-02-12
Filing date: 2003-02-12
Publication date: 2004-09-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a wiring board which can form a wiring pattern in a high density by improving the adhesive properties of an insulating film made of a liquid crystal polymer to a conductor layer and improving the peeling strength of the liquid crystal polymer from the insulating layer. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the wiring board 20 includes the steps of coating and forming a conductor layer on the front surface of the insulating layer 14 made of the liquid crystal polymer, and forming a predetermined wiring pattern 24 by etching the conductor layer, etc. In this method, after the conductor layer is formed on the front surface of the insulating layer 14, before the wiring pattern 24 is formed on the conductor layer, the conductor layer is heat treated at a temperature of the glass transition point or higher of the liquid crystal polymer. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子等を搭載する配線基板の製造方法に関し、より詳細には、液晶ポリマを電気的絶縁層の材料として使用した配線基板であって、電気的絶縁層と配線パターンとを形成する導体層との密着性を良好として、微細な配線パターンを形成することを可能とする配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ポリマを絶縁層に用いた配線基板の製造方法においては、液晶ポリマの表面が平滑であるため、絶縁層の表面に無電解銅めっき等により導体層を形成することが難しく、絶縁層の表面をブラスト処理等により粗面化して導体層を形成する方法が考えられている（特許文献１参照）。この方法では、液晶ポリマからなる樹脂フィルムの表面に導体層を形成する前処理として、ウェットブラスト処理あるいは液体ホーニング処理を施して、樹脂フィルムの表面を１〜１０μｍ程度に粗面化し、この粗面化した樹脂フィルムに無電解銅めっき、あるいは無電解銅めっきを施した後に電解銅めっきを施して導体層を形成する。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−２２３８０４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、絶縁層に被着された導体層をエッチングして配線パターンを形成する方法（サブトラクト法）による場合は、配線パターンを微細に形成することが制限されるという問題があり、配線パターンをより高密度に形成することができるセミアディティブ法といった製造方法によって配線基板を形成することが求められる。セミアディティブ法では、絶縁層の表面に無電解めっき層を薄く形成し、この無電解めっき層をめっきシード層として配線パターンを形成するから、配線パターンを微細に形成できるようにするには無電解めっき層と絶縁層との密着性が問題となる。配線パターンが細幅になると、配線パターンと絶縁層とが接触している面積が小さくなり、配線パターンと絶縁層との接着力が弱くなるからである。
【０００５】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、液晶ポリマからなる絶縁層と導体層との密着性を向上させ、液晶ポリマと絶縁層とのピール強度を向上させて、高密度に配線パターンを形成することができる配線基板の製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、次のような構成を有する。
すなわち、液晶ポリマからなる絶縁層の表面にめっきシード層を形成し、めっきシード層の表面にレジストパターンを形成し、前記めっきシード層を給電層としてめっきシード層の表面に配線パターンとなる導体層を形成した後、前記レジストパターン、およびめっきシード層の基板の表面に露出する部位を除去することにより所定の配線パターンを備えた配線基板を形成する配線基板の製造方法において、前記レジストパターンを形成する前に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法である。
これにより、セミアディティブ法において、配線基板の製造工程を従来の工程を変えることなく、液晶ポリマと導体層のピール強度を向上させることができ、非常に微細な配線パターンを形成することができる。
【０００７】
また他の発明は、液晶ポリマからなる絶縁層の表面にめっきシード層を形成し、めっきシード層の表面に前記めっきシード層を給電層として導体層を形成した後、めっきシード層及び導体層をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して配線基板を製造する配線基板の製造方法において、前記めっきシード層を形成した後に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法である。
これにより、サブトラクト法において、配線基板の製造工程を従来の工程を変えることなく、液晶ポリマと導体層のピール強度を向上させることができ、非常に微細な配線パターンを形成することができる。
【０００８】
また、めっきシード層を無電解めっきにより形成することが好ましい。
これによれば、めっきシード層の形成が容易に行うことができる。
【０００９】
さらに他の発明においては、液晶ポリマからなる絶縁層の表面に無電解めっき層を形成し、無電解めっき層をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して配線基板を製造する配線基板の製造方法において、前記無電解めっき層を形成した後に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法である。
これによれば、導体層の形成が無電解めっきのみで行うことができ、製造工程を単純にすることができる。また、液晶ポリマと導体層のピール強度を向上させることができるので、非常に微細な配線パターンを形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる配線パターンの形成方法についての実施の形態を、図面と共に説明する。
図１（ａ）から（ｆ）は配線基板の製造における各工程の説明断面図である。
図１（ａ）は銅板１０に接着剤１２により液晶ポリマからなる樹脂シート１４を接着した状態を示したものである。本実施の形態における樹脂シート１４の厚さは５０μｍである。銅板１０に樹脂シート１４を積層した後に、樹脂シート１４の表面をアルカリ液を用いて粗化処理をする。この粗化処理によって後工程で形成する無電解銅めっきによるめっき層の付着力を向上させると共に、樹脂シート１４のガラス転移点温度を下げる効果がある。
図１（ｂ）は、樹脂シート１４の表面にめっきシード層１６を形成した状態を示す。本実施の形態においては、めっきシード層１６は、無電解銅めっきにより形成している。めっきシード層１６は、本実施例においては、約０．５μｍ程度の厚さに形成すれば十分であるが、これに限るものではない。めっきシード層１６は、後工程の電解銅めっきのための給電層として作用する。
【００１１】
無電解銅めっきによりめっきシード層１６を形成した後、めっきシード層１６が安定するように加熱処理をする。エポキシ系フィルム等の絶縁材を使用する配線基板の従来の製造工程においては、めっきシード層１６を被着した後の加熱処理は、８０〜２００℃で１０分〜２時間程度加熱するものであるが、本実施の形態においては、樹脂シート１４のガラス転移点温度である２６０℃で１０分間程度加熱する。このように液晶ポリマのガラス転移点以上で加熱処理する方法は、後工程で形成する配線のピール強度の向上に有効となる。
また、加熱処理における雰囲気は、Ｎ_２、Ｏ_２、大気等を用いることができる。
【００１２】
図１（ｃ）はめっきシード層の表面にめっきレジストパターンを形成した状態を示す。めっきレジストパターン１８を形成するレジスト材料には、感光性レジストフィルムが用いられる。本実施の形態では、アクリル系樹脂からなる感光性ポジ型レジストを用いている。めっきレジストパターン１８はめっきシード層１６の表面に感光性レジストフィルムを被着した後、配線パターンとなる部位が感光するように形成されたフォトマスクを使用して露光し、次いで現像することにより形成される。
【００１３】
次に、基板２０をめっきシード層１６をめっき給電層として電解銅めっきする。これにより、めっきレジストパターン１８の開口部に銅めっき２２が析出する。図１（ｄ）は電解銅めっきを施した状態を示す。銅めっき２２は配線パターンの導体部となる部位であり、その厚さは約１０μｍ程度である。
【００１４】
続いて、基板１０からめっきレジストパターン１８を除去するために、基板２０をレジストの溶解液を用いて溶解して除去する。図１（ｅ）はめっきレジストパターン１８を除去した状態を示す。めっきレジストパターン１８を除去したことにより、基板２０上にめっきシード層１６と所定のパターンの銅めっき２２が形成された状態となる。
次に、基板２０上で露出している部分のめっきシード層１６を化学的エッチングにより溶解して除去する。図１（ｆ）は基板２０上に露出しているめっきシード層１６を除去した状態を示す説明図である。めっきシード層１６のエッチングには銅のエッチング液を使用するが、銅めっき２２の厚さに比べてめっきシード層１６の厚さは遥かに薄いから、このエッチング処理によってめっきシード層１６のみを溶解して除去することができる。図１（ｆ）はこうして、基板２０上にめっきシード層１６と銅めっき２２とからなる配線パターン２４が形成された状態を示す。
【００１５】
図２は、上述の実施の形態で製造された配線基板のピール強度試験の結果を表すグラフである。グラフ内の縦軸はピール強度を示し、横軸は、加熱工程の加熱温度を示している。また、Ａ線が無電解銅めっき後に加熱工程を経た配線基板のピール強度の変移を示し、Ｂ線が電解銅めっきを行った後に加熱工程を経た配線基板のピール強度の変移を示している。
【００１６】
図２においてＡ線とＢ線とを比較すると、加熱工程を行う時点が異なると、得られる結果に大きな違いが生じていることが分かる。液晶ポリマは一般に、高温下において金属との付着が良いという性質を有しているが、無電解銅めっきに引き続いて電解銅めっきを施して導電層を所定の厚さまで完全に形成した後に、液晶ポリマのガラス転移点温度まで加熱処理をしたとしても、ピール強度はさほど向上していないことがわかる。
一方、無電解銅めっきの後に加熱処理をする場合は、従来の加熱処理における加熱処理温度（約１５０℃）によって得られるピール強度は約０．１４ｋｇｆ／ｃｍであるのに対し、加熱処理温度を液晶ポリマのガラス転移点以上（約２６０℃）にした場合に得られるピール強度は０．９３８ｋｇｆ／ｃｍとなり、飛躍的にピール強度が増加している。
すなわち、本実施の形態において最も重要なポイントは、液晶ポリマに無電解銅めっきをした後、配線パターンを形成する工程の前に液晶ポリマのガラス転移点以上で加熱する加熱処理を施すことである。
【００１７】
なお、上記実施の形態においては、セミアディティブ法によって配線パターン２４を形成する方法について説明したが、本発明方法は、セミアディティブ法に限らず、サブトラクト法により配線パターンを形成する際にも利用することが可能である。例えば、無電解銅めっき層を３〜５μｍ程度の厚さに形成し、電解銅めっきを施さずにサブトラクト法により配線パターンを形成することももちろん可能である。
また、上記実施の形態では、配線パターン２４の導体部を形成するためのめっきシード層１６の形成に無電解銅めっきを施したが、無電解銅めっきに替えてスパッタリング、蒸着等の方法を用いてめっきシード層１６を形成することも可能である。いずれの形態においても、液晶ポリマにめっきシード層１６を形成した直後に、液晶ポリマのガラス転移点温度まで加熱処理することにより、本願発明による最大限の効果を得ることができる。また、本実施の形態においては、導体層を銅により形成しているが、これに限定されることはなく、他の導体により導体層を形成してもよいのはもちろんである。
なお、本発明は単層の基板に限らず、多層配線基板の製造にも利用することももちろん可能である。
【００１８】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板の製造方法を用いることにより、以下に述べる作用効果が得られる。
すなわち、セミアディティブ、サブトラクト法のいずれの配線基板の製造方法においても、配線基板の製造工程を従来の工程を変えることなく、液晶ポリマと導体層のピール強度を向上させることができ、非常に微細な配線パターンを形成することができる。
さらにまた、本発明における配線基板の製造方法は、従来の製造工程をそのまま継承することができるので、新規設備の導入等が不要になり、配線基板の配線密度を向上させながらも製造コストを抑えることができる等といった著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る配線基板の製造における各工程の説明断面図である。
【図２】加熱温度とピール強度の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０銅板
１２接着剤
１４樹脂シート
１６めっきシード層
１８レジストパターン
２０基板
２４配線パターン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board on which a semiconductor element or the like is mounted, and more particularly, to a wiring board using a liquid crystal polymer as a material of an electrical insulating layer, wherein the electrical insulating layer and the wiring pattern are formed. The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board, which is capable of forming a fine wiring pattern with good adhesion to a conductor layer.
[0002]
[Prior art]
In a method of manufacturing a wiring board using a liquid crystal polymer as an insulating layer, since the surface of the liquid crystal polymer is smooth, it is difficult to form a conductive layer on the surface of the insulating layer by electroless copper plating or the like, and the surface of the insulating layer is difficult to form. Has been proposed to form a conductor layer by roughening the surface by blasting or the like (see Patent Document 1). In this method, as a pre-treatment for forming a conductor layer on the surface of a resin film made of a liquid crystal polymer, a wet blast treatment or a liquid honing treatment is performed to roughen the surface of the resin film to about 1 to 10 μm. A conductive layer is formed by applying electroless copper plating or electroless copper plating to the converted resin film and then performing electrolytic copper plating.
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-223804
[Problems to be solved by the invention]
However, when the wiring pattern is formed by etching the conductor layer attached to the insulating layer (subtract method), there is a problem that formation of the wiring pattern finely is limited. It is required to form a wiring board by a manufacturing method such as a semi-additive method which can be formed at a high density. In the semi-additive method, a thin electroless plating layer is formed on the surface of the insulating layer, and this electroless plating layer is used as a plating seed layer to form a wiring pattern. The problem is the adhesion between the plating layer and the insulating layer. This is because, when the wiring pattern becomes narrow, the area where the wiring pattern and the insulating layer are in contact with each other becomes small, and the adhesive strength between the wiring pattern and the insulating layer becomes weak.
[0005]
Therefore, the present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to improve the adhesion between an insulating layer made of a liquid crystal polymer and a conductor layer, and to peel off the liquid crystal polymer and the insulating layer. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board capable of improving strength and forming a wiring pattern with high density.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration.
That is, a plating seed layer is formed on the surface of an insulating layer made of a liquid crystal polymer, a resist pattern is formed on the surface of the plating seed layer, and a conductor layer serving as a wiring pattern is formed on the surface of the plating seed layer using the plating seed layer as a power supply layer. Forming a wiring board having a predetermined wiring pattern by removing a portion of the resist pattern and a plating seed layer exposed on the surface of the substrate. A heat treatment at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the liquid crystal polymer.
Thereby, in the semi-additive method, the peel strength of the liquid crystal polymer and the conductor layer can be improved without changing the manufacturing process of the wiring substrate from the conventional process, and a very fine wiring pattern can be formed.
[0007]
In another aspect, a plating seed layer is formed on a surface of an insulating layer made of a liquid crystal polymer, and a conductor layer is formed on the surface of the plating seed layer using the plating seed layer as a power supply layer. In a method for manufacturing a wiring board, wherein a predetermined wiring pattern is formed by etching to manufacture a wiring board, after the plating seed layer is formed, a heat treatment is performed at a temperature equal to or higher than a glass transition point of the liquid crystal polymer. This is a method for manufacturing a wiring board.
Thereby, in the subtraction method, the peel strength of the liquid crystal polymer and the conductor layer can be improved without changing the manufacturing process of the wiring substrate from the conventional process, and a very fine wiring pattern can be formed.
[0008]
Further, it is preferable that the plating seed layer is formed by electroless plating.
According to this, the plating seed layer can be easily formed.
[0009]
According to still another aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a wiring board, wherein an electroless plating layer is formed on a surface of an insulating layer made of a liquid crystal polymer, and a predetermined wiring pattern is formed by etching the electroless plating layer to manufacture a wiring board. The method according to claim 1, further comprising, after forming the electroless plating layer, performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than a glass transition point of the liquid crystal polymer.
According to this, the conductive layer can be formed only by electroless plating, and the manufacturing process can be simplified. Further, since the peel strength between the liquid crystal polymer and the conductor layer can be improved, a very fine wiring pattern can be formed.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a method for forming a wiring pattern according to the present invention will be described with reference to the drawings.
1 (a) to 1 (f) are explanatory cross-sectional views of each step in manufacturing a wiring board.
FIG. 1A shows a state in which a resin sheet 14 made of a liquid crystal polymer is bonded to a copper plate 10 with an adhesive 12. The thickness of the resin sheet 14 in the present embodiment is 50 μm. After laminating the resin sheet 14 on the copper plate 10, the surface of the resin sheet 14 is subjected to a roughening treatment using an alkaline solution. This roughening treatment has the effects of improving the adhesion of the plating layer formed by electroless copper plating formed in a later step and lowering the glass transition temperature of the resin sheet 14.
FIG. 1B shows a state in which a plating seed layer 16 is formed on the surface of the resin sheet 14. In the present embodiment, the plating seed layer 16 is formed by electroless copper plating. In the present embodiment, it is sufficient that the plating seed layer 16 is formed to a thickness of about 0.5 μm, but the present invention is not limited to this. The plating seed layer 16 functions as a power supply layer for a subsequent step of electrolytic copper plating.
[0011]
After forming the plating seed layer 16 by electroless copper plating, heat treatment is performed so that the plating seed layer 16 is stabilized. In the conventional manufacturing process of a wiring board using an insulating material such as an epoxy-based film, the heat treatment after applying the plating seed layer 16 is heating at 80 to 200 ° C. for about 10 minutes to 2 hours. However, in the present embodiment, heating is performed at 260 ° C., which is the glass transition temperature of the resin sheet 14, for about 10 minutes. As described above, the method of performing the heat treatment at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the liquid crystal polymer is effective for improving the peel strength of the wiring formed in a later step.
Further, as an atmosphere in the heat treatment, N ₂ , O ₂ , air, or the like can be used.
[0012]
FIG. 1C shows a state where a plating resist pattern is formed on the surface of the plating seed layer. As a resist material for forming the plating resist pattern 18, a photosensitive resist film is used. In the present embodiment, a photosensitive positive resist made of an acrylic resin is used. The plating resist pattern 18 is formed by depositing a photosensitive resist film on the surface of the plating seed layer 16, exposing using a photomask formed such that a portion to be a wiring pattern is exposed, and then developing. Is done.
[0013]
Next, the substrate 20 is subjected to electrolytic copper plating using the plating seed layer 16 as a plating power supply layer. As a result, the copper plating 22 is deposited in the opening of the plating resist pattern 18. FIG. 1D shows a state in which electrolytic copper plating has been performed. The copper plating 22 is a portion to be a conductor of the wiring pattern, and has a thickness of about 10 μm.
[0014]
Subsequently, in order to remove the plating resist pattern 18 from the substrate 10, the substrate 20 is dissolved and removed using a resist solution. FIG. 1E shows a state in which the plating resist pattern 18 has been removed. By removing the plating resist pattern 18, the plating seed layer 16 and the copper plating 22 having a predetermined pattern are formed on the substrate 20.
Next, the exposed portion of the plating seed layer 16 on the substrate 20 is dissolved and removed by chemical etching. FIG. 1F is an explanatory view showing a state in which the plating seed layer 16 exposed on the substrate 20 has been removed. A copper etchant is used to etch the plating seed layer 16, but since the plating seed layer 16 is much thinner than the copper plating 22, the etching process dissolves only the plating seed layer 16. Can be removed. FIG. 1F shows a state where the wiring pattern 24 including the plating seed layer 16 and the copper plating 22 is formed on the substrate 20.
[0015]
FIG. 2 is a graph showing a result of a peel strength test of the wiring board manufactured in the above-described embodiment. The vertical axis in the graph indicates the peel strength, and the horizontal axis indicates the heating temperature in the heating step. Line A indicates the change in the peel strength of the wiring board that has undergone a heating step after electroless copper plating, and line B indicates the change in the peel strength of the wiring board that has undergone a heating step after performing electrolytic copper plating.
[0016]
Comparing the A line and the B line in FIG. 2, it can be seen that when the heating step is performed at different times, a large difference occurs in the obtained results. Liquid crystal polymers generally have the property of good adhesion to metals at high temperatures, but after electroless copper plating and electrolytic copper plating to complete the formation of a conductive layer to a predetermined thickness, the liquid crystal polymer It can be seen that even if the polymer was heated to the glass transition temperature of the polymer, the peel strength was not significantly improved.
On the other hand, when the heat treatment is performed after the electroless copper plating, the peel strength obtained by the heat treatment temperature (about 150 ° C.) in the conventional heat treatment is about 0.14 kgf / cm, The peel strength obtained when the temperature is equal to or higher than the glass transition point of the liquid crystal polymer (about 260 ° C.) is 0.938 kgf / cm, and the peel strength is dramatically increased.
That is, the most important point in the present embodiment is that after the electroless copper plating of the liquid crystal polymer, a heat treatment of heating at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the liquid crystal polymer is performed before the step of forming a wiring pattern. .
[0017]
In the above embodiment, the method of forming the wiring pattern 24 by the semi-additive method has been described. However, the method of the present invention is used not only for the semi-additive method but also for forming the wiring pattern by the subtractive method. It is possible. For example, it is of course possible to form an electroless copper plating layer to a thickness of about 3 to 5 μm and form a wiring pattern by a subtraction method without performing electrolytic copper plating.
Further, in the above embodiment, the electroless copper plating is applied to the formation of the plating seed layer 16 for forming the conductor portion of the wiring pattern 24, but a method such as sputtering or vapor deposition is used instead of the electroless copper plating. It is also possible to form the plating seed layer 16 by plating. In any case, the maximum effect of the present invention can be obtained by performing a heat treatment to the glass transition point temperature of the liquid crystal polymer immediately after the plating seed layer 16 is formed on the liquid crystal polymer. Further, in the present embodiment, the conductor layer is formed of copper. However, the present invention is not limited to this, and it is a matter of course that the conductor layer may be formed of another conductor.
Note that the present invention is not limited to a single-layer board, but can be used for manufacturing a multilayer wiring board.
[0018]
【The invention's effect】
By using the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the following effects can be obtained.
In other words, in any of the semi-additive and subtractive wiring board manufacturing methods, the peel strength of the liquid crystal polymer and the conductor layer can be improved without changing the manufacturing process of the wiring board from the conventional process. Wiring patterns can be formed.
Furthermore, since the method for manufacturing a wiring board according to the present invention can inherit the conventional manufacturing process as it is, there is no need to introduce new equipment or the like, and the manufacturing cost can be reduced while improving the wiring density of the wiring board. It has significant effects such as being able to do things.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory sectional view of each step in manufacturing a wiring board according to the present embodiment.
FIG. 2 is a graph showing a relationship between a heating temperature and a peel strength.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 10 copper plate 12 adhesive 14 resin sheet 16 plating seed layer 18 resist pattern 20 substrate 24 wiring pattern

Claims

液晶ポリマからなる絶縁層の表面にめっきシード層を形成し、めっきシード層の表面にレジストパターンを形成し、前記めっきシード層を給電層としてめっきシード層の表面に配線パターンとなる導体層を形成した後、前記レジストパターン、およびめっきシード層の基板の表面に露出する部位を除去することにより所定の配線パターンを備えた配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
前記レジストパターンを形成する前に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法。A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer made of a liquid crystal polymer, a resist pattern is formed on the surface of the plating seed layer, and a conductor layer serving as a wiring pattern is formed on the surface of the plating seed layer using the plating seed layer as a power supply layer. After the above, in the method of manufacturing a wiring board for forming a wiring board having a predetermined wiring pattern by removing a portion of the resist pattern and the plating seed layer exposed on the surface of the substrate,
A method of manufacturing a wiring board, comprising performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than a glass transition point of the liquid crystal polymer before forming the resist pattern.

液晶ポリマからなる絶縁層の表面にめっきシード層を形成し、めっきシード層の表面に前記めっきシード層を給電層として導体層を形成した後、めっきシード層及び導体層をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して配線基板を製造する配線基板の製造方法において、
前記めっきシード層を形成した後に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法。A plating seed layer is formed on the surface of an insulating layer made of a liquid crystal polymer, a conductor layer is formed on the surface of the plating seed layer using the plating seed layer as a power supply layer, and then the plating seed layer and the conductor layer are etched. In a method of manufacturing a wiring board for manufacturing a wiring board by forming a wiring pattern,
After forming the plating seed layer, a heating process is performed at a temperature equal to or higher than a glass transition point of the liquid crystal polymer.

めっきシード層を無電解めっきにより形成することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。The method according to claim 1, wherein the plating seed layer is formed by electroless plating.

液晶ポリマからなる絶縁層の表面に無電解めっき層を形成し、無電解めっき層をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して配線基板を製造する配線基板の製造方法において、
前記無電解めっき層を形成した後に、前記液晶ポリマのガラス転移点以上の温度で加熱処理することを特徴とする配線基板の製造方法。Forming an electroless plating layer on the surface of an insulating layer made of a liquid crystal polymer, and forming a predetermined wiring pattern by etching the electroless plating layer to produce a wiring board manufacturing method of a wiring board,
After the formation of the electroless plating layer, a heat treatment is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition point of the liquid crystal polymer.