JP2004214343A - 半導体受光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂層の上に電極を形成する半導体受光素子であって、電極の断線を防ぎながら、電極と受光部との間の寄生容量を低減させて、全静電容量を低減できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】基板と、この基板の上方に形成される光吸収層と、この光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、受光部表面に接続されるコンタクト電極と、受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有し、前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】基板と、この基板の上方に形成される光吸収層と、この光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、受光部表面に接続されるコンタクト電極と、受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有し、前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信などに用いられる半導体受光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信用の半導体受光素子は、受光感度の高いこと、応答速度の速いことなどが要求される。受光感度が高く、かつ、応答速度が速くなるように設計された半導体受光素子としては、特許文献1に示す上面入射型の構造のものがある。
【0003】
特許文献1に示す半導体受光素子は、図4に示すように、半導体基板11上に、半導体バッファ層12、半導体光吸収層13、半導体窓層14がエピタキシャル成長により順次積層される。半導体基板11の裏面全面にはn電極15が形成される。
【0004】
そして、半導体窓層14の一部にp型不純物であるZnを拡散させることにより、その一部が光吸収層13に到達してp型領域16とpn接合17とが形成される。
さらに、半導体窓層14の上には反射防止膜を兼ねるシリコン系絶縁膜からなるパッシベーション膜18が形成される。このパッシベーション膜18の一部にはp型領域16表面に電極を形成するための開口部が設けられている。
【0005】
パッシベーション膜18の上で、p型領域16(受光部)より外周にあたる部分に、ドライエッチングまたはリソグラフィにより部分的に樹脂からなる絶縁層19が形成される。なお、絶縁層19の端部の形状は上面と端面とが垂直に近い状態となっている。パッシベーション膜18の開口部から絶縁層19にかけてp電極20が形成される。
【0006】
このように絶縁層19を設けることにより、p電極20と半導体窓層14との間の寄生容量を低減させて、高速動作を可能にしている。
【0007】
【特許文献1】特開平7−142759号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
半導体受光素子においては、pn接合容量と上述の寄生容量との和である全静電容量を低減できればさらに高速信号の受信が可能となる。特許文献1に示されている半導体受光素子の構造では、全静電容量を減らすために絶縁層19の厚みを厚くすることが望ましい。
【0009】
また、絶縁層19上に形成されるp電極20はパッシベーション膜18に形成されている開口部まで延長されている構造としている。そのため、p電極20は、絶縁層19の上面端部からパッシベーション膜18まで延長形成されるときに、屈曲した部分が形成される。
【0010】
しかしながら、全静電容量を低減するために絶縁層19の厚みを厚くすると、p電極20の屈曲した部分が、実際に半導体受光素子を製造または使用している際に、絶縁層19端部の形状によっては(例えば垂直に近い角度の場合)、角部に当たって断線してしまう虞がある(図5の顕微鏡写真に示す状態。)。
【0011】
本発明は、絶縁層の上に電極を形成する半導体受光素子において、電極の断線を防ぎながら、電極と受光部との間の寄生容量を低減させて、全静電容量を低減できる半導体受光素子を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体受光素子は、基板と、この基板の上方に形成される光吸収層と、この光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、受光部表面に接続されるコンタクト電極と、受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有する。
【0013】
前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を形成する。この傾斜面は、半導体基板の平面に対して30〜55°の角度の範囲内で形成することが好ましい。
【0014】
以上の構成において、絶縁層の端部に傾斜面を形成しているので、図2の顕微鏡写真(傾斜面の角度が45°の場合を示す。)に示すように、絶縁層の上面から受光部分に向けて伸びる配線電極が、絶縁層の端部において断線されることがなくなる。
【0015】
さらに、絶縁層の傾斜面の角度を基板の平面に対して30〜55°の角度の範囲内としたのは、傾斜面の角度が55°を超えると、配線電極が絶縁層端で薄くなり断線する可能性があるからである。
【0016】
そして、傾斜面の角度が30°より小さくなると、絶縁層の上面端部と電極が形成される受光部との間の距離が大きくなり、電極の実装面積が大きくなる不具合が生ずる。
【0017】
また、電極をコンタクト電極と配線電極で構成する場合に、傾斜面の角度が30°より小さくなると、絶縁層の傾斜面下部がコンタクト電極と配線電極との間に入り込む虞がある。このようにコンタクト電極と配線電極との間に絶縁層が入り込むと絶縁抵抗が大きくなる。
【0018】
なお、上面入射型の半導体受光素子の場合、半導体基板上には、少なくとも光吸収層をエピタキシャル成長により形成するが、バッファ層、光吸収層、窓層を順次エピタキシャル成長により形成してもよい。
そして、光吸収層のみを有する場合は、この光吸収層にZnなどのp型不純物を選択的に拡散し、p型領域を形成する。また、窓層を有する場合は、窓層に、Znなどのp型不純物を選択的に拡散し、光吸収層に至るp型領域を形成する。
【0019】
このp型領域とn型領域との境界部分にpn接合が形成され、光吸収層のp型領域の下に形成されるpn接合が受光部となる。pn接合の表面露出部をSiNなどのパッシベーション膜で覆って保護する。
そして、光吸収層(窓層がある場合は窓層)およびパッシベーション膜上には反射防止コート膜が形成される。反射防止コート膜に開口部を設け、この開口部から窓層上にp電極を構成するコンタクト電極を形成する。
【0020】
さらに、反射防止コート膜上に樹脂を塗布し、プリベーク、露光によるパターン形成、現像、ベークの工程を経て(フォトリソグラフィ技術)、絶縁層を反射防止コート膜上に部分的に形成する。樹脂としてはポリイミド樹脂が好ましい。
【0021】
絶縁層に形成される傾斜面の角度は、絶縁層の成形時、露光、現像、ベークなどの条件設定により設定をすることができる。特に、現像工程時の現像時間によりさまざまな傾斜角度の傾斜面を形成することができる。また、露光・現像前のプリベークの温度条件を変えることによっても、傾斜面の角度を変えることができる。
【0022】
さらに、絶縁層の上面と傾斜面とで形成される屈曲部分は、湾曲した形状にすることが好ましい。このように屈曲部分を湾曲形状とすることにより、電極の断線をより確実に防止できる。
【0023】
そして、絶縁層の上面に配線電極を形成する。配線電極は、絶縁層上面から受光部上のコンタクト電極まで延長して形成する。
電極をコンタクト電極と配線電極とに分けたのは、配線電極がワイヤボンディングのパッドを兼ねるためである。なお、コンタクト電極と配線電極とを一体に形成してp電極を構成するようにしてもよい。
【0024】
コンタクト電極と配線電極とを一体に形成してp電極を構成する場合は、反射防止コート膜を形成した後に、反射防止コート膜上に絶縁層を形成し、反射防止コート膜に電極形成用の開口部を設けて、この開口部から絶縁層に至るp電極を形成する。
【0025】
そして、上面入射型受光素子の場合、基板裏面の全体にn電極を蒸着し、合金化処理を行う。
【0026】
なお、上記説明では、パッシベーション膜を反射防止コート膜で覆うように説明したが、パッシベーション膜を反射防止コート膜も兼ねるようにしてもよい。この場合は、パッシベーション膜を窓層の上面全体に形成し、コンタクト電極を取り付ける開口部を設ける。
【0027】
また、本発明は、基板上にバッファ層、光吸収層、窓層を順次形成したものに適用できるのはもちろんのこと、光吸収層のみの場合や、バッファ層が無い場合、窓層が無い場合にも適用できる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1に基づいて説明する。図1に示す半導体受光素子は、上面入射型の受光素子である。
【0029】
InP基板1上にバッファ層2、InGaAs光吸収層3、InP窓層4が順次形成されている。バッファ層2、InGaAs光吸収層3、InP窓層4は、順次エピタキシャル成長により形成する。
【0030】
InP窓層4の上面に、この上面を部分的に覆うようにSiNなどのパッシベーション膜5が形成される。パッシベーション膜5で覆われていない部分が受光窓部分となる。
【0031】
InP窓層4およびInGaAs光吸収層3の一部にZnなどのp型不純物を選択的に拡散させて、p型領域41が形成される。p型領域41とn型領域との境界にpn接合42が形成され、InGaAs光吸収層3のp型領域41の下に形成されるpn接合42が受光部43となる。さらに、pn接合42の表面露出部がパッシベーション膜5で覆われて保護される。
【0032】
InP窓層4およびパッシベーション膜5の上に反射防止コート膜6が形成される。この反射防止コート膜6のp型領域41上の一部を選択的に除去して、p電極7となるコンタクト電極71が形成される。
【0033】
さらに、コンタクト電極71および受光部43を除いた反射防止コート膜6上に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層8が形成される。
【0034】
絶縁層8は、まず、反射防止コート膜6上にポリイミド樹脂を塗布し、プリベーク、露光によるパターン形成、現像、ベークの工程(フォトリソグラフィ技術)を経て所定の位置に形成される。
【0035】
露光は、紫外線(h線)を500mJ/cm2以上、好ましくは1000mJ/cm2で照射する。プリベークは、100℃で行う。現像処理は、例えば現像液の温度を20℃とし、5分から9分の間で現像を行う。最終のベーク処理は、最高温度300℃以上で処理を行う。
【0036】
絶縁層8の端部には、傾斜面81が形成される。この傾斜面81は、フォトリソグラフィの現像処理の過程で形成される。
この傾斜面81は、少なくとも配線電極72が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となるように形成する。この傾斜面81は、基板1の平面に対して30〜55°の角度の範囲内で形成する。
【0037】
絶縁層8が形成されると、絶縁層8の上面に、コンタクト電極71に接続される配線電極72を形成する。配線電極72は、絶縁層8の傾斜面81に沿ってコンタクト電極71まで延長形成される。配線電極72はコンタクト電極71に接続され、この配線電極72とコンタクト電極71とによりp電極7が構成される。なお、配線電極72は、ワイヤボンディングのパッドを兼ねている。
【0038】
InP基板1の裏面には、裏面全面にn電極9が形成され、n電極9は、InP基板1の裏面に蒸着および合金化処理にて形成される。
【0039】
本実施形態では、絶縁層8に傾斜面81を形成しているので、絶縁層8の上面端部と傾斜面81で形成される屈曲部分が緩やかになる。その結果、図2の顕微鏡写真に示すように、全静電容量を軽減するために絶縁層8の厚みを大きくして、配線電極72を絶縁層8の上面に形成しても、配線電極72は絶縁層8の上面端部により断線することはなくなる。
【0040】
なお、本発明者は、フォトリソグラフィにおける現像工程において、現像時の現像液の温度を一定にし、現像時間を変えることにより、絶縁層8の傾斜面81の角度を自由に設定できることを見出した。
【0041】
(実施例)
例えば、現像時の現像液の温度20℃で一定にし、現像時間を表1に示すように変えることにより表1に示す傾斜面の角度の結果が得られた。
【0042】
【表1】
【0043】
これらの結果で得られた絶縁層8に配線電極72を設置した状態を図3の顕微鏡写真に示す。図3の(a)(b)(c)(d)の写真に示される傾斜面81の角度は、(a)が50°、(b)が49°、(c)が46°、(d)が39°の状態を示している。図3の写真によれば、傾斜面81の角度が39〜50°の間では、配線電極72が断線されなかったことが判る。なお、傾斜面81の角度が55°を超えると断線が生じた。
【0044】
【発明の効果】
受光側の電極を絶縁層上に形成する半導体受光素子において、絶縁層の端部に傾斜面を形成しているので、絶縁層の上面から受光部に向けて伸びる配線電極を、絶縁層により断線されることなく形成でき、加工歩留を上げる効果が得られる。しかも、本発明によれば、電極部分で生じる寄生容量を低減させられるので、素子全体の全静電容量を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体受光素子の部分断面図である。
【図2】本発明の半導体受光素子において、傾斜面を有する絶縁層上から受光部にかけて形成された電極を示し、電極が断線されていない状態を示す顕微鏡写真である。
【図3】本発明の半導体受光素子において、傾斜面を有する絶縁層上に形成された電極を示す顕微鏡写真であって、傾斜面の角度を変化させた状態を示す。
【図4】従来の半導体受光素子の部分断面図である。
【図5】従来の半導体受光素子において、絶縁層上に形成された電極の一部が断線された状態を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
1 基板
2 バッファ層
3 光吸収層
4 窓層
41 p型領域
42 pn接合
43 受光部
5 パッシベーション膜
6 反射防止コート膜
7 p電極
71 コンタクト電極
72 配線電極
8 絶縁層
81 傾斜面
9 n電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信などに用いられる半導体受光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信用の半導体受光素子は、受光感度の高いこと、応答速度の速いことなどが要求される。受光感度が高く、かつ、応答速度が速くなるように設計された半導体受光素子としては、特許文献1に示す上面入射型の構造のものがある。
【0003】
特許文献1に示す半導体受光素子は、図4に示すように、半導体基板11上に、半導体バッファ層12、半導体光吸収層13、半導体窓層14がエピタキシャル成長により順次積層される。半導体基板11の裏面全面にはn電極15が形成される。
【0004】
そして、半導体窓層14の一部にp型不純物であるZnを拡散させることにより、その一部が光吸収層13に到達してp型領域16とpn接合17とが形成される。
さらに、半導体窓層14の上には反射防止膜を兼ねるシリコン系絶縁膜からなるパッシベーション膜18が形成される。このパッシベーション膜18の一部にはp型領域16表面に電極を形成するための開口部が設けられている。
【0005】
パッシベーション膜18の上で、p型領域16(受光部)より外周にあたる部分に、ドライエッチングまたはリソグラフィにより部分的に樹脂からなる絶縁層19が形成される。なお、絶縁層19の端部の形状は上面と端面とが垂直に近い状態となっている。パッシベーション膜18の開口部から絶縁層19にかけてp電極20が形成される。
【0006】
このように絶縁層19を設けることにより、p電極20と半導体窓層14との間の寄生容量を低減させて、高速動作を可能にしている。
【0007】
【特許文献1】特開平7−142759号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
半導体受光素子においては、pn接合容量と上述の寄生容量との和である全静電容量を低減できればさらに高速信号の受信が可能となる。特許文献1に示されている半導体受光素子の構造では、全静電容量を減らすために絶縁層19の厚みを厚くすることが望ましい。
【0009】
また、絶縁層19上に形成されるp電極20はパッシベーション膜18に形成されている開口部まで延長されている構造としている。そのため、p電極20は、絶縁層19の上面端部からパッシベーション膜18まで延長形成されるときに、屈曲した部分が形成される。
【0010】
しかしながら、全静電容量を低減するために絶縁層19の厚みを厚くすると、p電極20の屈曲した部分が、実際に半導体受光素子を製造または使用している際に、絶縁層19端部の形状によっては(例えば垂直に近い角度の場合)、角部に当たって断線してしまう虞がある(図5の顕微鏡写真に示す状態。)。
【0011】
本発明は、絶縁層の上に電極を形成する半導体受光素子において、電極の断線を防ぎながら、電極と受光部との間の寄生容量を低減させて、全静電容量を低減できる半導体受光素子を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体受光素子は、基板と、この基板の上方に形成される光吸収層と、この光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、受光部表面に接続されるコンタクト電極と、受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有する。
【0013】
前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を形成する。この傾斜面は、半導体基板の平面に対して30〜55°の角度の範囲内で形成することが好ましい。
【0014】
以上の構成において、絶縁層の端部に傾斜面を形成しているので、図2の顕微鏡写真(傾斜面の角度が45°の場合を示す。)に示すように、絶縁層の上面から受光部分に向けて伸びる配線電極が、絶縁層の端部において断線されることがなくなる。
【0015】
さらに、絶縁層の傾斜面の角度を基板の平面に対して30〜55°の角度の範囲内としたのは、傾斜面の角度が55°を超えると、配線電極が絶縁層端で薄くなり断線する可能性があるからである。
【0016】
そして、傾斜面の角度が30°より小さくなると、絶縁層の上面端部と電極が形成される受光部との間の距離が大きくなり、電極の実装面積が大きくなる不具合が生ずる。
【0017】
また、電極をコンタクト電極と配線電極で構成する場合に、傾斜面の角度が30°より小さくなると、絶縁層の傾斜面下部がコンタクト電極と配線電極との間に入り込む虞がある。このようにコンタクト電極と配線電極との間に絶縁層が入り込むと絶縁抵抗が大きくなる。
【0018】
なお、上面入射型の半導体受光素子の場合、半導体基板上には、少なくとも光吸収層をエピタキシャル成長により形成するが、バッファ層、光吸収層、窓層を順次エピタキシャル成長により形成してもよい。
そして、光吸収層のみを有する場合は、この光吸収層にZnなどのp型不純物を選択的に拡散し、p型領域を形成する。また、窓層を有する場合は、窓層に、Znなどのp型不純物を選択的に拡散し、光吸収層に至るp型領域を形成する。
【0019】
このp型領域とn型領域との境界部分にpn接合が形成され、光吸収層のp型領域の下に形成されるpn接合が受光部となる。pn接合の表面露出部をSiNなどのパッシベーション膜で覆って保護する。
そして、光吸収層(窓層がある場合は窓層)およびパッシベーション膜上には反射防止コート膜が形成される。反射防止コート膜に開口部を設け、この開口部から窓層上にp電極を構成するコンタクト電極を形成する。
【0020】
さらに、反射防止コート膜上に樹脂を塗布し、プリベーク、露光によるパターン形成、現像、ベークの工程を経て(フォトリソグラフィ技術)、絶縁層を反射防止コート膜上に部分的に形成する。樹脂としてはポリイミド樹脂が好ましい。
【0021】
絶縁層に形成される傾斜面の角度は、絶縁層の成形時、露光、現像、ベークなどの条件設定により設定をすることができる。特に、現像工程時の現像時間によりさまざまな傾斜角度の傾斜面を形成することができる。また、露光・現像前のプリベークの温度条件を変えることによっても、傾斜面の角度を変えることができる。
【0022】
さらに、絶縁層の上面と傾斜面とで形成される屈曲部分は、湾曲した形状にすることが好ましい。このように屈曲部分を湾曲形状とすることにより、電極の断線をより確実に防止できる。
【0023】
そして、絶縁層の上面に配線電極を形成する。配線電極は、絶縁層上面から受光部上のコンタクト電極まで延長して形成する。
電極をコンタクト電極と配線電極とに分けたのは、配線電極がワイヤボンディングのパッドを兼ねるためである。なお、コンタクト電極と配線電極とを一体に形成してp電極を構成するようにしてもよい。
【0024】
コンタクト電極と配線電極とを一体に形成してp電極を構成する場合は、反射防止コート膜を形成した後に、反射防止コート膜上に絶縁層を形成し、反射防止コート膜に電極形成用の開口部を設けて、この開口部から絶縁層に至るp電極を形成する。
【0025】
そして、上面入射型受光素子の場合、基板裏面の全体にn電極を蒸着し、合金化処理を行う。
【0026】
なお、上記説明では、パッシベーション膜を反射防止コート膜で覆うように説明したが、パッシベーション膜を反射防止コート膜も兼ねるようにしてもよい。この場合は、パッシベーション膜を窓層の上面全体に形成し、コンタクト電極を取り付ける開口部を設ける。
【0027】
また、本発明は、基板上にバッファ層、光吸収層、窓層を順次形成したものに適用できるのはもちろんのこと、光吸収層のみの場合や、バッファ層が無い場合、窓層が無い場合にも適用できる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1に基づいて説明する。図1に示す半導体受光素子は、上面入射型の受光素子である。
【0029】
InP基板1上にバッファ層2、InGaAs光吸収層3、InP窓層4が順次形成されている。バッファ層2、InGaAs光吸収層3、InP窓層4は、順次エピタキシャル成長により形成する。
【0030】
InP窓層4の上面に、この上面を部分的に覆うようにSiNなどのパッシベーション膜5が形成される。パッシベーション膜5で覆われていない部分が受光窓部分となる。
【0031】
InP窓層4およびInGaAs光吸収層3の一部にZnなどのp型不純物を選択的に拡散させて、p型領域41が形成される。p型領域41とn型領域との境界にpn接合42が形成され、InGaAs光吸収層3のp型領域41の下に形成されるpn接合42が受光部43となる。さらに、pn接合42の表面露出部がパッシベーション膜5で覆われて保護される。
【0032】
InP窓層4およびパッシベーション膜5の上に反射防止コート膜6が形成される。この反射防止コート膜6のp型領域41上の一部を選択的に除去して、p電極7となるコンタクト電極71が形成される。
【0033】
さらに、コンタクト電極71および受光部43を除いた反射防止コート膜6上に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層8が形成される。
【0034】
絶縁層8は、まず、反射防止コート膜6上にポリイミド樹脂を塗布し、プリベーク、露光によるパターン形成、現像、ベークの工程(フォトリソグラフィ技術)を経て所定の位置に形成される。
【0035】
露光は、紫外線(h線)を500mJ/cm2以上、好ましくは1000mJ/cm2で照射する。プリベークは、100℃で行う。現像処理は、例えば現像液の温度を20℃とし、5分から9分の間で現像を行う。最終のベーク処理は、最高温度300℃以上で処理を行う。
【0036】
絶縁層8の端部には、傾斜面81が形成される。この傾斜面81は、フォトリソグラフィの現像処理の過程で形成される。
この傾斜面81は、少なくとも配線電極72が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となるように形成する。この傾斜面81は、基板1の平面に対して30〜55°の角度の範囲内で形成する。
【0037】
絶縁層8が形成されると、絶縁層8の上面に、コンタクト電極71に接続される配線電極72を形成する。配線電極72は、絶縁層8の傾斜面81に沿ってコンタクト電極71まで延長形成される。配線電極72はコンタクト電極71に接続され、この配線電極72とコンタクト電極71とによりp電極7が構成される。なお、配線電極72は、ワイヤボンディングのパッドを兼ねている。
【0038】
InP基板1の裏面には、裏面全面にn電極9が形成され、n電極9は、InP基板1の裏面に蒸着および合金化処理にて形成される。
【0039】
本実施形態では、絶縁層8に傾斜面81を形成しているので、絶縁層8の上面端部と傾斜面81で形成される屈曲部分が緩やかになる。その結果、図2の顕微鏡写真に示すように、全静電容量を軽減するために絶縁層8の厚みを大きくして、配線電極72を絶縁層8の上面に形成しても、配線電極72は絶縁層8の上面端部により断線することはなくなる。
【0040】
なお、本発明者は、フォトリソグラフィにおける現像工程において、現像時の現像液の温度を一定にし、現像時間を変えることにより、絶縁層8の傾斜面81の角度を自由に設定できることを見出した。
【0041】
(実施例)
例えば、現像時の現像液の温度20℃で一定にし、現像時間を表1に示すように変えることにより表1に示す傾斜面の角度の結果が得られた。
【0042】
【表1】
【0043】
これらの結果で得られた絶縁層8に配線電極72を設置した状態を図3の顕微鏡写真に示す。図3の(a)(b)(c)(d)の写真に示される傾斜面81の角度は、(a)が50°、(b)が49°、(c)が46°、(d)が39°の状態を示している。図3の写真によれば、傾斜面81の角度が39〜50°の間では、配線電極72が断線されなかったことが判る。なお、傾斜面81の角度が55°を超えると断線が生じた。
【0044】
【発明の効果】
受光側の電極を絶縁層上に形成する半導体受光素子において、絶縁層の端部に傾斜面を形成しているので、絶縁層の上面から受光部に向けて伸びる配線電極を、絶縁層により断線されることなく形成でき、加工歩留を上げる効果が得られる。しかも、本発明によれば、電極部分で生じる寄生容量を低減させられるので、素子全体の全静電容量を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体受光素子の部分断面図である。
【図2】本発明の半導体受光素子において、傾斜面を有する絶縁層上から受光部にかけて形成された電極を示し、電極が断線されていない状態を示す顕微鏡写真である。
【図3】本発明の半導体受光素子において、傾斜面を有する絶縁層上に形成された電極を示す顕微鏡写真であって、傾斜面の角度を変化させた状態を示す。
【図4】従来の半導体受光素子の部分断面図である。
【図5】従来の半導体受光素子において、絶縁層上に形成された電極の一部が断線された状態を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
1 基板
2 バッファ層
3 光吸収層
4 窓層
41 p型領域
42 pn接合
43 受光部
5 パッシベーション膜
6 反射防止コート膜
7 p電極
71 コンタクト電極
72 配線電極
8 絶縁層
81 傾斜面
9 n電極
Claims (2)
- 基板と、
この基板の上方に形成される光吸収層と、
光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、
受光部表面に接続されるコンタクト電極と、
受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、
コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有し、
前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を有することを特徴とする半導体受光素子。 - 絶縁層の傾斜面が基板の平面に対して30〜55°の角度の範囲内で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2002380635A JP2004214343A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 半導体受光素子 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214343A true JP2004214343A (ja) | 2004-07-29 |
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ID=32816799
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2002380635A Pending JP2004214343A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 半導体受光素子 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2004214343A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010140370A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Smk Corp | 静電容量式タッチパネル |
JP2010140369A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Smk Corp | 静電容量式タッチパネル |
-
2002
- 2002-12-27 JP JP2002380635A patent/JP2004214343A/ja active Pending
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JP2010140370A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Smk Corp | 静電容量式タッチパネル |
JP2010140369A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Smk Corp | 静電容量式タッチパネル |
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