JP2004200649A - 垂直空洞表面放射レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に積層形成された下部反射層と、前記下部反射層上に形成され、光を生成する活性層と、前記活性層上に形成され、電流の流れをガイドする開口を有するように形成される絶縁領域と、前記絶縁領域上に積層形成される上部反射層と、前記上部反射層、活性層、及び下部反射層の少なくとも一部分に引込形成され、前記絶縁領域を形成するための酸化可能層の酸化速度を調節するために所定個数のセグメントに分けたトレンチを有するように形成されるトレンチと、前記トレンチに形成される絶縁幕と、前記上部反射層上に形成される上部電極と、前記基板下部に形成される下部電極とを含んで構成されることを特徴とする垂直空洞表面放射レーザを提供する。
【選択図】 図4
Description
110 下部反射層
120 活性層
130 酸化可能層
140 上部反射層
150 絶縁領域
160 絶縁膜
170 上部電極
180 下部電極
190 保護膜
B トレンチ
C 酸化された部分
D 酸化口径
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に積層形成された下部反射層と、
前記下部反射層上に形成され、光を生成する活性層と、
前記活性層上に形成され、電流の流れをガイドする開口を有するように形成される絶縁領域と、
前記絶縁領域上に積層形成される上部反射層と、
その深さが前記上部反射層、活性層、及び下部反射層の少なくとも一部分まで拡張形成され、前記絶縁領域を形成するための酸化可能層の酸化速度を調節するために形成される所定個数のセグメントに分けたトレンチのトレンチと、
前記トレンチに形成される絶縁幕と、
前記上部反射層上に形成される上部電極と、
前記基板下部に形成される下部電極と、を含んで構成されることを特徴とする垂直空洞表面放射レーザ。 - 前記セグメントに分けたトレンチは、前記絶縁領域を形成するための酸化プロセス時、水蒸気と接触する前記酸化可能層の面積を最小化するように酸化速度が速い部分の酸化可能層周囲に形成される請求項1記載の垂直空洞表面放射レーザ。
- 前記セグメントに分けたトレンチのトレンチのサイズ及び個数により前記酸化可能層の酸化速度が決定される請求項1記載の垂直空洞表面放射レーザ。
- 前記セグメントに分けたトレンチは4セグメントに分けたトレンチからなる請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の垂直空洞表面放射レーザ。
- 前記電流流れをガイドする開口は十分な円形を有するように形成される請求項1記載の垂直空洞表面放射レーザ。
- 基板上に下部反射層、活性層、酸化可能層、上部反射層を積層形成する段階と、
前記上部反射層上にセグメントに分けたトレンチのマスクパターンを形成してから、これをエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスを進行して、その深さを下部の前記上部反射層、酸化可能層、活性層、及び前記上部反射層の少なくとも一部分まで拡張させたセグメントに分けたトレンチのトレンチを形成する段階と、
所定時間で酸化雰囲気に露出させて前記酸化可能層を選択的に酸化させて中央一部に開口を有する絶縁領域を形成する段階と、
前記トレンチ及び前記上部反射層の縁に絶縁膜を形成する際、該上部反射層の一部を露出させてウィンドウを形成する段階と、
前記絶縁膜上部に上部電極を形成する際、前記ウィンドウ周囲の上部反射層と接するように上部電極を形成する段階と、
前記基板下部に下部電極を形成する過程と、を含むことを特徴とする垂直空洞表面放射レーザの製造方法。 - 前記セグメントに分けたトレンチのトレンチを形成する前に前記上部反射層上に酸化防止保護膜を形成する段階をさらに含む請求項6記載の垂直空洞表面放射レーザの製造方法。
- 前記保護膜はSiO2膜である請求項7記載の垂直空洞表面放射レーザの製造方法。
- 前記トレンチのサイズ及び個数により酸化可能層の酸化速度が決定される請求項6記載の垂直空洞表面放射レーザの製造方法。
- 前記セグメントに分けたトレンチは4セグメントに分けたトレンチからなる請求項6または請求項7記載の垂直空洞表面放射レーザの製造方法。
- 前記電流流れをガイドする開口は十分な円形を有する請求項6記載の垂直空洞表面放射レーザの製造方法。
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