JP2004192850A - メタルマスクの洗浄方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】超臨界および/又は亜臨界流体を用いてメタルマスク洗浄を行う方法を見出すとともに、使用する超臨界および/又は亜臨界流体、それに添加されるモディファイア及び有機物である有機EL材料の回収が容易で且つ再使用が可能なことから、環境汚染物質を排出することなくメタルマスクの洗浄を効率よく行うことができることを見出した。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたディスプレイの製造工程であるメタルマスクを使用した蒸着工程において、余剰の有機EL材料が蒸着したメタルマスクの洗浄に関する洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】有機EL基板の製造に関しては、有機EL基板の裏面に磁石配置し、表面にメタルマスクを配備するとメタルマスクは磁石によって有機EL基板に吸着する。その状態で、複数の発光材料を個々の蒸気圧に合わせて真空蒸着する。そこで、所定の発光層が形成されるが、同時に当該メタルマスクに余剰の有機物である有機EL材料が多く付着する。このメタルマスクに蒸着した余剰の有機EL材料を除去する洗浄については人手により有機溶剤を用いてなされている。また、人手による洗浄の為、多量の有機溶剤を用い、その洗浄に用いた有機溶剤は有機EL材料と共に廃棄しているのが現状である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】Niおよびその合金やステンレスからなるメタルマスクは高精度加工された薄板形状であるため、人手による洗浄では、メタルマスクを損傷することが多発していた。また、メタルマスクの細孔部等に付着した有機EL材料を洗浄するのは困難であった。さらに、人手による有機溶剤洗浄の為洗浄剤としての有機溶剤を多量に使用され、その洗浄剤を処理するのが大変であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の損傷が多発していた人手による洗浄作業から、超臨界又は亜臨界流体を用いてメタルマスク洗浄を行う方法を見出すとともに、使用する超臨界又は亜臨界流体、それに添加されるモディファイア及び有機物である有機EL材料の回収が容易で且つ再使用が可能なことから、環境汚染物質を排出することなくメタルマスクの洗浄を効率よく行うことができることを見出した。
【0005】
有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、有機EL材料が溶解した超臨界又は亜臨界流体の温度及び/又は圧力を変動させることにより、溶解した有機EL材料を超臨界又は亜臨界流体から抽出した後、超臨界又は亜臨界流体を再度洗浄に使用する様に超臨界又は亜臨界流体循環方式とすることにより、環境汚染物質を排出することなくメタルマスクの洗浄を効率よく行い、且つ、有機EL材料を回収する。
【0006】
上記洗浄工程において、有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、超臨界又は亜臨界流体の超臨界又は亜臨界状態を解いた流体をタンクに回収し、該流体を循環して使用する。
【0007】
超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加することにより、超臨界又は亜臨界流体の溶解度を制御し、超臨界又は亜臨界流体の分離特性を上げ効率良くメタルマスクから有機EL材料を溶解させる。
【0008】
洗浄を行う高圧セル内において、モディファイアが有機EL材料蒸着面に接触するように高圧セルの超臨界又は亜臨界流体の入口と出口を配置する。
【0009】
高圧セルの入口と出口の位置については、モディファイアが超臨界又は亜臨界状態の溶媒よりも軽いものを使用した場合は入口を高圧セルの下側に、出口を高圧セルの上側に設けることが望ましい。逆に、モディファイアが超臨界又は亜臨界状態の溶媒より重い場合は、入口を高圧セルの上側に、出口を高圧セルの下側に設けることが望ましい。超臨界又は亜臨界状態の溶媒とモディファイアの密度がほぼ同じ時は、入口及び出口ともに上側あるいは、下側に設ける装置構成が望ましい。
【0010】
高圧セル内で超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加した流体のモディファイア相と超臨界又は亜臨界流体相とを分離させ、メタルマスクをモディファイア相で溶解洗浄させ、その後超臨界又は亜臨界相ですすぐことにより更に洗浄効果を上げることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態にかかる超臨界又は亜臨界流体によるメタルマスク1に蒸着された有機EL材料2を洗浄するためのメタルマスク1の洗浄装置を簡略的に示すものである。メタルマスク1を高圧セル5内に配置させ洗浄を行う。溶媒タンク3a内の溶媒を使用し、バルブ10a、バルブ10b、バルブ10c、バルブ10d、バルブ10e、ベントバルブ12a、ベントバルブ12b、ベントバルブ12cを操作し、溶媒を循環させ、装置内部に入っている空気を除去する。その後、下記の手順により、高圧セル5内を洗浄流体で満たす。
【0012】
まず、溶媒としての超臨界又は亜臨界流体からなる洗浄流体(以下溶媒と記載する。)は溶媒タンク3aよりバルブ10aを通り溶媒供給ポンプ4aにより供給される。そのとき溶媒の圧力は背圧弁13aにより調整され、溶媒は溶媒供給ポンプ4aによりバルブ10bに供給される。
【0013】
溶媒の溶解度を増大させる効果のあるモディファイアはモディファイアタンク3bからモディファイア供給ポンプ4bによって供給される。そのときモディファイアの圧力は背圧弁13bにより調整される。その後モディファイアはバルブ10cを通り、溶媒とモディファイアは合流し、スタティックミキサー6により混合され、高圧セル5内に入り、ヒータ7で加熱され超臨界または亜臨界状態となる。言うまでもないが、高圧セル5に入る前に加熱し、配管中で超臨界又は亜臨界状態の流体としてもよい。
【0014】
超臨界又は亜臨界状態の溶媒とモディファイアとの組み合わせにより、高圧セル5に配置する入口と出口の配置は溶媒とモディファイアの密度により入口を下側に設け出口を上側に設けるなど適宜構成される。図1はモディファイアが超臨界又は亜臨界状態の溶媒よりも密度が低いものを使用した場合で、超臨界又は亜臨界状態の溶媒に溶け込んだモディファイアがメタルマスク1に接触し、モディファイアが高圧セル5の上部に移動するという装置構成とした。モディファイアが超臨界又は亜臨界状態の溶媒より密度が高い場合は、高圧セル5への入口を上側に設け出口を下側に設ける構成が望ましい。超臨界又は亜臨界状態の溶媒とモディファイアの密度がほぼ同じ時は、入口及び出口ともに上側に設けるあるいは下側に設ける装置構成のどちらでもよい。また、ここでは記載していないが、撹拌スクリューにより高圧セル5内を撹拌してもよい。
【0015】
洗浄された有機EL材料2が上記溶媒とモディファイアからなる流体と共にバルブ10dを通り、トラップビーカ8に入る。ここで、減圧ポンプ14により超臨界又は亜臨界流体は減圧される。このときに溶媒もしくはモディファイアまたは両者とも、使用した物質により、洗浄された有機EL材料2と共に液化する場合がある。液化した溶媒およびモディファイアは常温、常圧において次第に気化する。気化した溶媒とモディファイアは減圧ポンプ14、流量計9を通り加圧ポンプ15により加圧され、溶媒とモディファイアは液化し混合液タンク3c内に入る。この溶媒とモディファイアの混合液は有機EL材料2を含まない混合液である。
【0016】
この混合液タンク3cに必要量の混合液が溜まったときにはバルブ10b、バルブ10cを閉じることにより、本装置は閉ループとなり、混合液タンク3c内の混合液は混合液供給ポンプ4cにより供給される。このときの圧力は背圧弁13cにより調整される。混合液はバルブ10eを通り、高圧セル5内に入り、再びメタルマスク1に蒸着された有機EL材料2を洗浄する。洗浄が完了次第、装置を止め、メタルマスク1を取り出す。これで洗浄が完了する。洗浄完了後、トラップビーカ8内に溜まった有機EL材料2を取り出す。
【0017】
また、図2のように溶媒にモディファイアを加えた状態で混合液タンク3につめ、上記と同様にして、閉ループで洗浄を行うこともできる。
【0018】
図3は高圧セル5の内部において、モディファイアと超臨界又は亜臨界流体である溶媒が、密度の違いにより分離することを利用して、洗浄を行う例を示す。有機EL材料2が蒸着したメタルマスク1を、高圧セル5内での分離したモディファイア相17に浸ける。モディファイア相17に有機EL材料2が溶解され、メタルマスク1が洗浄された後、高圧セル5内を減圧させ、有機EL材料2が溶解しているモディファイアを排出させる。その後メタルマスク1を超臨界又は亜臨界流体からなる溶媒相16ですすぐことにより、メタルマスク1に有機EL材料2の液滴が残すことなく洗浄することができる。
【0019】
これは密度の違いにより高圧セル5内で流体を分離させ、モディファイアにて溶解洗浄させることが目的である。言うまでもないがモディファイア相17と超臨界又は亜臨界流体である溶媒相16が密度の差により、上下逆になることもある。このときは高圧セル5内の入口出口の構成を前述の様に変更する必要がある。
【0020】
【実施例1】実施例1として、図1に示す超臨界流体を用いた洗浄装置において有機EL材料の洗浄を行った例を示す。溶媒に二酸化炭素、モディファイアにエタノールを使用し、洗浄実験を行った。高圧セル5内において、有機EL材料2の蒸着された面に超臨界流体が接触するように蒸着面を下にし、メタルマスク1を配置した。
【0021】
二酸化炭素が入っている溶媒タンク3a内の状態は常温、圧力6MPaである。またエタノールが入っているモディファイアタンク3b内の状態は常温、常圧である。二酸化炭素とエタノールの供給量はバルブ10d、溶媒供給ポンプ4a、背圧弁13a、モディファイアポンプ4b、背圧弁13bにより、二酸化炭素は3.6g/min、エタノールは0.2g/minに設定した。高圧セル5内はヒータ7により、温度60℃に設定した。セル内の圧力は、背圧弁13a、背圧弁13bにより25MPaに設定した。(二酸化炭素の流速の単位については、二酸化炭素は圧力25MPa温度60℃の状態と常温・常圧とでは体積が大幅に異なる為、本出願においては、g/minを用いた。)
この状態において、二酸化炭素とエタノールは配管中に合流し、スタティックミキサー6によって混合され、高圧セル5内で有機EL材料2は超臨界流体となった二酸化炭素とその二酸化炭素に溶解したエタノールによって洗浄した。その後、有機EL材料2が溶解したエタノールを含む超臨界流体はバルブ10dを通り、トラップビーカに送られ、その後減圧ポンプ14により常圧にした。このとき、二酸化炭素とエタノールは分離し、エタノールと洗浄された有機EL材料2はトラップビーカ8内でエタノール溶液となった。
【0022】
二酸化炭素を減圧ポンプ14,流量計9を通り、加圧ポンプ15により常温で8MPaに加圧し、液化して混合液タンク3cに貯蔵した。トラップビーカ8内のエタノール溶液は常温、常圧において次第にエタノールのみ気化し、減圧ポンプ14、流量計9を通り、加圧ポンプ15により常温、8MPaに加圧し、液化して後混合液タンク3cに送った。この混合液タンク3cに二酸化炭素とエタノールの混合液が必要量供給した後、バルブ10b、バルブ10dを閉じ、閉ループとした。30分経過し、洗浄が終了後高圧セル5内を降温、減圧し、メタルマスク1を取り出した。洗浄流体として使用した二酸化炭素とエタノールは混合液タンク3cに貯蔵され、廃液は出なかった。
【0023】
また、2度目からの洗浄は図2のように混合液タンク3c内の混合液を使用することにより、二酸化炭素とエタノールを補給することなく洗浄することができた。
【0024】
【実施例2】実施例2として、図1に示す亜臨界流体を用いた洗浄装置において有機EL材料の洗浄を行った例を示す。実施例2における高圧セル5の構成の詳細は図3の様になっている。溶媒に二酸化炭素、モディファイアとしてエタノールを使用し、洗浄を行った。高圧セル5内において、この溶媒とモディファイアの組み合わせは密度の違いにより分離する。高圧セル5内において、有機EL材料2が蒸着されたメタルマスク1をモディファイア相17となる装置上部に配置する。
【0025】
二酸化炭素が入っている溶媒タンク3a内の状態は常温で圧力6MPaである。またエタノールが入っているモディファイアタンク3b内の状態は常温且つ常圧である。バルブ10dを閉じた状態で、二酸化炭素とエタノールの供給を、溶媒供給ポンプ4a、背圧弁13a、モディファイアポンプ4b、背圧弁13bにより、高圧セル5内に二酸化炭素とエタノールを貯留する。高圧セル5内はヒータ7により、温度30℃に設定した。セル内の圧力を、背圧弁13a、背圧弁13bにより6.5MPaに設定した。
【0026】
高圧セル5内で二酸化炭素は亜臨界状態となり、エタノールと分離する。メタルマスク1に付着している有機EL材料2をエタノールにより溶解した。15分後にバルブ10dを開き、高圧セル5の上部に貯留したエタノールをトラップビーカ8に排出する。そのあと、溶媒相16の亜臨界状態である二酸化炭素ですすぐことにより、溶解した有機EL材料2がメタルマスク1上に残る液滴を防ぐことができた。
【0027】
高圧セル5内から排出されたエタノールと二酸化炭素は実施例1と同様に混合液タンク3cに貯溜され、次回の洗浄に使用する事が可能となった。メタルマスク1を取り出し、廃液無く洗浄処理が終了した。
【0028】
【発明の効果】超臨界又は亜臨界流体が高い溶解性を持つことを活用し、有機EL材料が付着したメタルマスクに、超臨界又は亜臨界流体を接触させることにより溶解して、メタルマスクの有機EL材料を抽出し回収することにより、メタルマスクの損傷を防ぐことができる。また、使用する超臨界又は亜臨界流体、モディファイア、有機EL材料の回収が容易で且つ再使用が可能なことから環境汚染物質を排出することなくメタルマスクの洗浄を効率よく行うことができる。
【0029】
超臨界又は亜臨界流体を用いてメタルマスクの有機EL材料を溶解することにより、80℃以下(望ましくは60℃以下)という比較的低温での処理が可能となり、メタルマスクそのものの熱変形を防止することができ、安定した状態で、精度の高いメタルマスクを再利用することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる超臨界又は亜臨界流体による洗浄装置を簡略的に示す図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる超臨界又は亜臨界流体を混合液タンクに封印した洗浄装置を簡略的に示す図である。
【図3】高圧セル内で超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加した流体のモディファイア相と超臨界又は亜臨界流体相とを分離させた状態を示す図である。
【符号の説明】
1 メタルマスク
2 有機EL材料
3a 溶媒タンク
3b モデファイアタンク
3c 混合液タンク
4a 溶媒供給ポンプ
4b モデファイアポンプ
4c 混合液供給ポンプ
5 高圧セル
6 スタティックミキサー
7 ヒータ
8 トラップビーカー
9 流量計
10a、10b、10c、10d、10e バルブ
12a、12b、12c ベントバルブ
13a、13b、13c 背圧弁
14 減圧ポンプ
15 加圧ポンプ
16 溶液相
17 モディファイア相
Claims (10)
- 有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、有機EL材料が溶解した超臨界又は亜臨界流体の温度及び/又は圧力を変動させることにより、溶解した有機EL材料を超臨界又は亜臨界流体から抽出した後、超臨界又は亜臨界流体を再度洗浄に使用することを特徴とするメタルマスクの洗浄方法。
- 有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、超臨界又は亜臨界流体の超臨界又は亜臨界状態を解いた流体をタンクに回収し、該流体を循環して使用することを特徴とする請求項1記載のメタルマスクの洗浄方法。
- 超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加することを特徴とする請求項1又は2に記載のメタルマスクの洗浄方法。
- 洗浄を行う高圧セル内において、モディファイアが有機EL材料蒸着面に接触するように高圧セルの超臨界又は亜臨界流体の入口と出口を配置することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のメタルマスク洗浄方法。
- 高圧セル内で超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加した流体のモディファイア相と超臨界又は亜臨界流体相とを分離させ、メタルマスクをモディファイア相で溶解洗浄させ、その後超臨界又は亜臨界流体相ですすぐことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の洗浄方法。
- 有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、有機EL材料が溶解した超臨界又は亜臨界流体の温度及び/又は圧力を変動させることにより、溶解した有機EL材料を超臨界又は亜臨界流体から抽出した後、超臨界又は亜臨界流体を再度洗浄に使用することを特徴とするメタルマスクの洗浄装置。
- 有機EL材料が蒸着されたメタルマスクを超臨界又は亜臨界流体を用いて洗浄した後、超臨界又は亜臨界流体の超臨界又は亜臨界状態を解いた流体をタンクに回収し、該流体を循環して使用することを特徴とする請求項6記載のメタルマスクの洗浄装置。
- 超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加することを特徴とする請求項6又は7に記載のメタルマスクの洗浄装置。
- 洗浄を行う高圧セル内において、モディファイアが有機EL材料蒸着面に接触するように高圧セルの超臨界又は亜臨界流体の入口と出口を配置することを特徴とする請求項6ないし8のいずれかに記載のメタルマスク洗浄装置。
- 高圧セル内で超臨界又は亜臨界流体にモディファイアを添加した流体のモディファイア相と超臨界又は亜臨界流体相とを分離させ、メタルマスクをモディファイア相で溶解洗浄させ、その後超臨界又は亜臨界流体相ですすぐことを特徴とする請求項6ないし9のいずれかに記載の洗浄装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006130386A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Showa Tansan Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理容器 |
KR101127583B1 (ko) | 2009-06-09 | 2012-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기물 세정 방법 및 세정 시스템 |
KR101141837B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2012-05-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 증착 마스크의 세정 장치 및 세정 방법 |
US8802200B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US9174250B2 (en) | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
CN111394739A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-10 | 北京七星华创集成电路装备有限公司 | 一种金属掩膜板清洗设备 |
JP2021038424A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 株式会社アルバック | 成膜材料回収装置及び成膜材料回収方法並びに成膜装置 |
JP2021068773A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 株式会社アルバック | 有機膜形成方法及び有機膜のエッチング方法 |
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2002
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4536485B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2010-09-01 | 昭和炭酸株式会社 | 高圧処理装置 |
JP2006130386A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Showa Tansan Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理容器 |
US8182610B2 (en) | 2008-10-29 | 2012-05-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Cleaning equipment and cleaning method of deposition mask |
KR101141837B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2012-05-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 증착 마스크의 세정 장치 및 세정 방법 |
US9174250B2 (en) | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US8802200B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
KR101127583B1 (ko) | 2009-06-09 | 2012-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기물 세정 방법 및 세정 시스템 |
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