JP2004185000A - 導波路を形成する方法及びそれから形成される導波路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)基体上に感光性組成物の層を形成し;(b)化学線で層の一部を露光し;(c)露光層を現像して導波路コア構造を形成し;(d)導波路コア構造が少なくとも部分的に断面が丸くなるようその構造をリフローするのに効果的な温度まで且つ時間の間、導波路コア構造を加熱することを含む。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明に基づく光学導波路の断面を図示する。
図2(a)〜(f)は、本発明の一態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
図3(a)〜(h)は、本発明の更なる態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
図4(a)〜(e)は、本発明の更なる態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
図5(a)〜(d)は、本発明の更なる態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
図6(a)〜(g)は、本発明の更なる態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
図7(a)〜(c)は、本発明の更なる態様に基づき光学導波路形成の種々の段階における光学導波路の断面を図示する。
50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、49重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(50:50)、0.99重量%のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。要求された導波路の輪郭を画定するアートワークは、直接組成物の上に置かれる。そのアートワークは、長さ2から14cmと幅5から15μmの間の直線、枝分かれ及び曲線形状の導波路のような種々の寸法及び形状の導波路を形成するパターンを含んでいる。800mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで30秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、その後150℃において10分間ホットプレート上で加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
33重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、66.09重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(50:50)及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上にスクリーンプリントされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。本プロセスに使用されるスクリーンは、長さ2から14cm及び幅5から15μmの間での線状、枝分かれ及び曲線形状の導波路のような種々の寸法及び形状の導波路を形成するためのパターンを含む導波路配置のための開口部を有するように予め画定される。
37重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、53重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(80:20)、5重量%のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート、4.99重量%のポリフェニルシロキサン及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。500mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで30秒間、21℃に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、150℃において10分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
37重量%の乳酸エチル、53重量%の縮合反応生成物(45重量%のフェニル−トリエトキシシラン、45重量メチル−トリエトキシシラン及び10重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%の縮合反応生成物(33重量%のフェニル−トリエトキシシラン、33重量%のメチル−トリエトキシシラン及び34重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、4.99重量%の2,4−ビス−(トリクロロメチル)−6−(4−エトキシエトキシ−1−ナフチル)−トリアジン及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチLCDガラス基体上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。800mJ/cm2の化学線がウェーハに適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで90秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.26N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、150℃において10分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
37重量%の乳酸エチル、53重量%の縮合反応生成物(55重量%のフェニル−トリエトキシシラン、35重量%のメチル−トリエトキシシラン及び10重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジエトキシシロキサン、4.99重量%のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるようなエポキシラミネートは、組成物で15μmの厚さにローラーコートされ、30分間、90℃において対流式オーブン内で空気中で乾燥される。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物上に置かれる。800mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて30分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光された構造物は、次いで60秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ラミネートは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。得られた導波路は180℃において30分間対流式オーブン内で加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
38.95重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、55重量%の縮合反応生成物(55重量%のフェニル−トリエトキシシラン、43重量%のメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジフェニルシロキサン、1.00重量%のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2500rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。800mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで60秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、ホットプレート上で10分間空気中において180℃に加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
66重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、21.7重量%のスチレン無水マレイン酸のイソブチルエステル、1.7重量%の2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、4.1重量%のペンタエリスリトールトリアクリレート及び6.1重量%のエトキシレートトリメチロールプロパントリアクリレートは、混ぜ合わされて配合される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるようなエポキシラミネートは、その組成物で15μmの厚さにローラーコートされ、30分間、90℃において対流式オーブンにおける空気中で乾燥される。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物上に置かれる。200mJ/cm2の化学線が構造物に適用される。露光された構造物は、次いで120秒間、35℃(95°F)に保持された0.4N炭酸ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ラミネートは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。生じた導波路は対流式オーブン中で150℃において30分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される
50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酸性条件下でメタクレゾール及びホルムアルデヒドの縮合から調製された40重量%のノボラック樹脂、並びに2.1−ジアゾナフチルキノン−5−スルホニルクロリドと2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンとの10重量%の反応生成物は、混ぜ合わされて配合される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるような銅クラッドエポキシラミネートは、その組成物で15μmの厚さにローラーコートされ、30分間、90℃において対流式オーブンにおける空気中で乾燥される。実施例1に記載されたものではあるが、逆のトーンを有する、即ち望まれる導波路がアートワーク上黒色であるアートワークは、直接組成物上に置かれる。500mJ/cm2の化学線が構造物に適用される。露光された構造物は、次いで100秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ラミネートは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。生じた導波路は、対流式オーブン中で180℃において30分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される
37重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、53重量%の縮合反応生成物(79重量%のフェニル−トリエトキシシラン、19重量%のトリフルオロメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジフェニルシロキサン、4.95重量%のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハに2500rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。800mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで60秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.26N水酸化テトラメチルアンモニウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、ホットプレート上で180℃において10分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
45重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、45重量%の縮合反応生成物(49重量%のフェニル−トリエトキシシラン、49重量%のメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジフェニルシロキサン、4.95重量%のベンゾイントシレート及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2500rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。2000mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで60秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.35N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、その後ホットプレート上で150℃において10分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
41重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、41重量%の縮合反応生成物(65重量%のフェニル−トリエトキシシラン、33重量%のメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、10重量%のヘキサメチロール−メタン−メラミン、4重量%のポリジエトキシシロキサン、3.95重量%のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中においてソフトベークされる。実施例1に記載されたアートワークは、直接組成物の上に置かれる。800mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。露光されたウェーハは、次いで30秒間、37.8℃(100°F)に保持された0.7N水酸化ナトリウム現像液溶液中に浸漬される。ウェーハは、次いで脱イオン水中ですすがれ、乾燥される。ウェーハは、ホットプレート上で150℃において10分間、加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、49、99重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(50:50)及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルは、混ぜ合わされて配合される。その組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に5000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間8μmの厚さにホットプレート上で空気中でソフトベークされる。ポジ型フォトレジストは2500rpmにおいてウェーハ上でスピンコートされる。要求された導波路を画定するアートワークは、直接組成物の上に置かれる。そのアートワークは、長さ2から14cmと幅5から15μmの間の直線、枝分かれ及び曲線形状の導波路のような種々の寸法及び形状の導波路を形成するパターンを含んでいる。400mJ/cm2の化学線が構造物に適用され、続いて2分間、90℃において空気中で露光後−ベークされる。フォトレジストは、導波路物質の一部を露出するために0.2N水酸化ナトリウム溶液中において現像される。露出された導波路物質の一部は反応性イオンエッチング(RIE)により除去され、フォトレジストは2N水酸化ナトリウム溶液で除去される。ウェーハは、脱イオン水中ですすがれ、乾燥され、その後150℃において10分間ホットプレート上で加熱される。円筒状光学導波路はそれにより形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、49.9重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(50:50)及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例1に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、33重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、66.09重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(33:67)及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例2に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、55重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(80:20)、4.99重量%のポリフェニルシロキサン及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例3に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、40重量%の乳酸エチル、54.99重量%の縮合反応生成物(45重量%のフェニル−トリエトキシシラン、45重量%のメチル−トリエトキシシランル及び10重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%の縮合反応生成物(33重量%のフェニル−トリエトキシシラン、33重量%のメチル−トリエトキシシラン及び34重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例4に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、40重量%の乳酸エチル、54.99重量%の縮合反応生成物(45重量%のフェニル−トリエトキシシラン、45重量%のメチル−トリエトキシシラン及び10重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジエトキシシロキサン及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるようなエポキシラミネートは、その組成物でローラコートされ、90℃において2分間、空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例5に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、39.95重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、55重量%の縮合反応生成物(49重量%のフェニル−トリエトキシシラン、49重量%メチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジフェニルシロキサン及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例6に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、66重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、12重量%のスチレン無水マレイン酸のイソブチルエステル、10重量%のペンタエリスリトールトリアクリレート及び12重量%のトリメチロールプロパントリアクリレートを混ぜ合わせて配合することにより形成される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるようなエポキシラミネートは、その組成物でローラコートされ、90℃において2分間、空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200mJ/cm2の化学線で露光され、150℃において60分間、空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例7に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酸性条件下でメタクレゾール及びホルムアルデヒドの縮合から調製された30重量%のノボラック樹脂及び2,1−ジアゾナフチルキノン−5−スルホニルクロリドと2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンとの20重量%の反応生成物を混ぜ合わせて配合することにより形成される。プリント配線基板製造に一般的に使用されるような銅クラッドエポキシラミネートは、その組成物で14μmの厚さにローラーコートされ、90℃において2分間、空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、1000mJ/cm2の化学線で露光され、次いで200℃において60分間、空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例8に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、54.95重量%の縮合反応生成物(79重量%のフェニル−トリエトキシシラン、19重量%のトリフルオロメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、5重量%のポリジフェニルシロキサン及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例9に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、47重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、48.95重量%の縮合反応生成物(49重量%のフェニル−トリエトキシシラン、49重量%メチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、4重量%のポリジフェニルシロキサン及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例10に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、43重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、42.95重量%の縮合反応生成物(65重量%のフェニル−トリエトキシシラン、33重量%のメチル−トリエトキシシラン及び2重量%のジメチル−ジエトキシシランの縮合反応生成物)、10重量%のヘキサメチロール−メタン−メラミン、4重量%のポリジエトキシシロキサン及び0.05重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に3000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例11に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用したパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
クラッド(1)層
第一クラッド層組成物は、50重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、49.99重量%のフェニル−メチルシルセスキオキサン(20:80)及び0.01重量%のダウシルウェットL−7604シリコーンベースオイルを混ぜ合わせて配合することにより形成される。組成物は、6インチ二酸化ケイ素コーテッドシリコンウェーハ上に2000rpmにおいてスピンコートされ、90℃において2分間、ホットプレート上で空気中において7μmの厚さにソフトベークされる。組成物は、次いで200℃において10分間、ホットプレート上で空気中においてハードベークされる。SOGエッチング停止層が層上にコートされ、そして硬化される。
第一クラッド層はコア層でコートされ、コア層は実施例12に記載の組成物及び手順を使用してパターン化され、リフローされる。
第二クラッド層組成物は、ソフトベーク後の第二クラッド層の厚さが10μmであることを除き第一クラッド層を形成するのに使用されるものと同一組成物及び手順を使用してパターン化されたコア及び第一クラッド層上に形成される。円筒状光学導波路は次いで形成されることが予想される。
2 単結晶シリコンウェーハ
4 第一クラッド層
5 エッチングマスク
6 フォトデファイナブル組成物の層
7 チャネル
8 フォトマスク
10 導波路コア構造
12 第二クラッド層
14 フォトレジスト
16 開口部
18 導波路コア物質
20 スクリーン
22 インクジェットプリンター
24 プリンターヘッド
26 導波路コア組成物
28 ダイ
Claims (11)
- (a)基体上にフォトデファイナブル組成物の層を形成し;
(b)該層の一部を化学線で露光し;
(c)露光された層を現像して導波路コア構造を形成し;さらに
(d)導波路コア構造が少なくとも部分的に断面が丸くなるよう、その構造をリフローするのに効果的な温度および時間で、導波路コア構造を加熱することを含む、光学導波路を形成する方法。 - (a)屈折率を有する物質のクラッド層を表面上に有する基体を提供し;
(b)該クラッド層の一部の上に導波路コア構造を形成し;さらに
(c)導波路コア構造が少なくとも部分的に断面が丸くなるよう、その構造をリフローするのに効果的な温度および時間で、導波路コア構造を加熱することを含む光学導波路を形成する方法であって、ここでリフローされた構造はクラッド層の屈折率より大きい屈折率を有する、前記光学導波路を形成する方法。 - 該導波路コア構造が、クラッド層上にフォトイメージャブル組成物の導波路コア層を堆積し、該導波路コア層を化学線で露光し、さらに該導波路コア層を現像することにより形成され、ここで、該導波路コア層の残部が導波路コア構造を形成する請求項2に記載の方法。
- 該フォトデファイナブル組成物が置換又は非置換ポリアミド、ポリイミド、ポリ(メタ)アクリレート、ポリウレタン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ノルボルネン、シリケート及びゾル−ゲルから選択される少なくとも一つの物質を含む請求項1又は3の方法。
- 該フォトデファイナブル組成物が式(RSiO1.5)の単位を含むポリマーを含み、ここで、Rは置換又は非置換の有機側鎖基である請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 該導波路コア構造がクラッド層上に導波路コア層を堆積し、導波路コア層の一部の上にエッチングマスクを形成し、さらに該導波路コア層の露光された部分をエッチングすることにより形成される請求項2、4及び5のいずれか1項に記載の方法。
- 該導波路コア構造が基体上の構造を直接プリント又はエンボスすることにより形成される請求項2、4及び5のいずれか1項に記載の方法。
- 更に該導波路コア構造及びその他のクラッド層上に第二クラッド層を形成することを含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 更に(b)の前に、クラッド層中にチャネルを形成することを含み、ここで、該チャネルは該コア構造の下部を画定する請求項2〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜9のいずれかの方法により形成される光学導波路。
- 請求項10に記載の光学導波路を1以上含む電子装置。
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