JP2004172934A - テレビジョンチューナの発振回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】動接続された第一及び第二の発振トランジスタ2、3と、第一及び第二の発振トランジスタ2、3に結合される共振回路4とを備え、第一の発振トランジスタ2のコレクタと第二の発振トランジスタ3のベースとをそれぞれ共通の接地点に高周波的に接地し、第一の発振トランジスタ2のベースと第二の発振トランジスタ3コレクタとをそれぞれ結合コンデンサ9、10を介して共振回路4の一端に結合し、共振回路4の他端を接地した。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はテレビジョンチューナの発振回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの発振回路を図3に示す。図3は、例えばVHFテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路41であり、集積回路40内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ42、43と、集積回路40外に設けられた共振回路44とによって構成される。第一の発振トランジスタ42と第二の発振トランジスタ43との各エミッタは互いに接続されて定電流源45に接続される。また、第一の発振トランジスタ42のコレクタは集積回路40の電源端子Bに接続され、第二の発振トランジスタ43のコレクタは給電抵抗46を介して電源端子Bに接続される。さらに、第二の発振トランジスタ43のベースは集積回路40内の接地コンデンサ47によって高周波的に接地される。
【0003】
よって、第一の発振トランジスタ42と第二の発振トランジスタ43とは差動接続され、第一の発振トランジスタ42のベースと第二の発振トランジスタ43のコレクタとは同相となる。
【0004】
集積回路40には第一及び第二の端子40a、40bが設けられ、第一の端子40aには第一の発振トランジスタ42のベースが接続され、第二の端子40bには第二の発振トランジスタ43のコレクタが接続される。共振回路44はインダクタンス素子44a、バラクタダイオード44b等を有し、その一端が二つの結合コンデンサ48、49を介してそれぞれ第一の端子40a、第二の端子40bに結合される。共振回路44の他端は接地される。
【0005】
よって、発振回路41は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード44bに印加される同調電圧Tuによって発振周波数が設定される(例えば、特許文献1参照。)。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−257954号公報(図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成では、第一の発振トランジスタ42のコレクタは電源に接続されることで高周波的に接地され、第二の発振トランジスタのベースは接地コンデンサ47によって集積回路内のグランドラインに接地される。このため、電源ラインやグランドラインに流れる電流によって電源端子Bとグランドラインとの間に高周波的な電位差が生じ、この電位差が第一の発振トランジスタ42のコレクタと第二の発振トランジスタ43のベースとの間に加わる。この結果、発振動作が不安定となって発振信号のC/Nが悪化し、さらには寄生発振が発生するという問題がある。
【0008】
本発明は、差動接続された二つの発振トランジスタを用いて構成した不平衡型の発振回路を安定化すると共に発振信号のC/Nを改善することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明では、差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の接地点に高周波的に接地し、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地した。
【0010】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記結合コンデンサとを集積回路内に構成し、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとを前記集積回路内の前記接地点に高周波的に接地し、前記集積回路には前記結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【0011】
また、差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の少抵抗値の抵抗を介して接地し、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地した。
【0012】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記結合コンデンサと、前記抵抗とを集積回路内に構成し、前記抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態を図1に示す。図1は、例えばVHFテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路1であり、集積回路20内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ2、3と、集積回路20外に設けられた共振回路4とによって構成される。第一の発振トランジスタ2と第二の発振トランジスタ3との各エミッタは互いに接続されて定電流源5に接続される。また、第一の発振トランジスタ2のコレクタは集積回路20の電源端子Bに接続され、第二の発振トランジスタ3のコレクタは給電抵抗6を介して電源端子Bに接続される。さらに、第一の発振トランジスタ2のコレクタと第二の発振トランジスタ3のベースとはそれぞれ集積回路20内に設けられた第一の直流カットコンデンサ7、第二の直流カットコンデンサ8によって集積回路20内の共通の接地点に高周波的に接地される。
【0014】
よって、第一の発振トランジスタ2と第二の発振トランジスタ3とは差動接続され、第一の発振トランジスタ2のベースと第二の発振トランジスタ3のコレクタとは同相となる。
【0015】
集積回路20には端子20aが設けられる。また、集積回路20内には第一の結合コンデンサ9と第二の結合コンデンサ10とが構成される。そして、端子20aには第一の発振トランジスタ2のベースが第一の結合コンデンサ9を介して接続され、第二の発振トランジスタ3のコレクタが第二の結合コンデンサ10を介して接続される。
【0016】
共振回路4はインダクタンス素子4a、バラクタダイオード4b等を有し、その一端が端子20aに接続され、他端は集積回路20外で接地される。
【0017】
よって、発振回路1は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード4bに印加される同調電圧Tuによって発振周波数が設定される
【0018】
以上の構成では、第一の発振トランジスタ2のコレクタと第二の発振トランジスタ3のベースとは共通の接地点に接地されるので、互いに高周波的に同一の接地電位となるので発振動作が安定となってC/Nが向上すると共に寄生発振も発生しない。また、第一の発振トランジスタ2のベースと第二の発振トランジスタ3のコレクタとをそれぞれ第一の結合コンデンサ9、第二の結合コンデンサ10によって端子20aに接続するので、共振回路4を接続するための端子が一つで済み、集積回路20を小型化できる。
【0019】
図2は第二の実施形態を示す。図2において、図1と同一構成部分に付いては説明を省略する。第一の発振トランジスタ2のコレクタは給電抵抗11を介して電源端子Bに接続される。この給電抵抗11は必ずしも必要ではない。また、第一の発振トランジスタ2のコレクタに接続された第一の直流カットコンデンサ7は少抵抗値の抵抗12の一端に接続され、第二の発振トランジスタ3のベースに接続された第二の直流カットコンデンサ8も少抵抗値の抵抗12の一端に接続される。そして、抵抗12の他端が接地される。抵抗12は集積回路20内に構成される。
【0020】
この構成では、第一の発振トランジスタ2のコレクタと第二の発振トランジスタ3のベースとが抵抗12によって同一の電位となるのでC/Nの向上に対して効果があると共に、抵抗12が共振回路4のQをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の接地点に高周波的に接地し、第一の発振トランジスタのベースと第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、共振回路の他端を接地したことで、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとが互いに高周波的に同一の接地電位となるので発振動作が安定となってC/Nが向上すると共に寄生発振も発生しない。
【0022】
また、第一及び第二の発振トランジスタと、結合コンデンサとを集積回路内に構成し、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとを集積回路内の接地点に高周波的に接地し、集積回路には結合コンデンサに接続される端子を設け、共振回路を前記集積回路の外部に設け、共振回路の一端を前記端子に接続したので、共振回路を接続するための端子が一つで済み、集積回路を小型化できる。
【0023】
また、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の少抵抗値の抵抗を介して接地し、第一の発振トランジスタのベースと第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、共振回路の他端を接地したことで、抵抗が共振回路のQをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【0024】
また、第一及び第二の発振トランジスタと、結合コンデンサと、抵抗とを集積回路内に構成し、抵抗を集積回路内で接地し、集積回路には結合コンデンサに接続される端子を設け、共振回路を集積回路の外部に設け、共振回路の一端を端子に接続したので、共振回路を接続するための端子が一つで済み、集積回路を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態の構成を示す回路図である。
【図2】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第二の実施形態の構成を示す回路図である。
【図3】従来のテレビジョンチューナの発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1 発振回路
2 第一の発振トランジスタ
3 第二の発振トランジスタ
4 共振回路
4a インダクタンス素子
4b バラクタダイオード
5 定電流源
6、11 給電抵抗
7 第一の直流カットコンデンサ
8 第二の直流カットコンデンサ
9 第一の結合コンデンサ
10 第二の結合コンデンサ
11 給電抵抗
12 抵抗
20 集積回路
Claims (4)
- 差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の接地点に高周波的に接地し、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地したことを特徴とするテレビジョンチューナの発振回路。
- 前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記結合コンデンサとを集積回路内に構成し、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとを前記集積回路内の前記接地点に高周波的に接地し、前記集積回路には前記結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続したことを特徴とする請求項1に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
- 差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ共通の少抵抗値の抵抗を介して接地し、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地したことを特徴とするテレビジョンチューナの発振回路。
- 前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記結合コンデンサと、前記抵抗とを集積回路内に構成し、前記抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続したことを特徴とする請求項3に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
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