JP2004146720A - 半導体レーザ・モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本半導体レーザ・モジュール10は、半導体レーザ素子12と、半導体レーザ素子12の上面(上部電極)及び下面(下部電極)にそれぞれ密着して設けられている上部ヒートスプレッダ14及び下部ヒートスプレッダ16と、上部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子上に、及び下部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子下に、それぞれ、設けられている上部ヒートシンク18及び下部ヒートシンク20とを備える。上部ヒートシンク及び下部ヒートシンクは、半導体レーザ素子及び上部及び下部ヒートスプレッダの積層体22を前端部に保持し、積層体に対して間隔24を空けて絶縁用ヒートシンク26を後端部に介在させている。絶縁用ヒートシンクは、電気絶縁性で、熱伝導性の良好なAlN又はSiC製で形成されており、電極板として機能する上部及び下部ヒートシンクを絶縁すると共にヒートシンクとしても機能する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ・モジュールに関し、更に詳細には、モジュールに組み込んだ半導体レーザ素子を良好な温度環境で動作させるようにした、冷却能力の高い、半導体レーザ・モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
印刷の光源や機械加工の光源として多用されている高出力型半導体レーザ素子は、高出力であるが故に多量の熱を発生する。例えば半導体レーザ素子から発生した熱を効果的に排熱しないと、熱が半導体レーザ素子内に蓄積して温度が上昇し、半導体レーザ素子の動作環境が悪化する。
そこで、発熱を伴う部品、例えば半導体レーザ素子から排熱するためには、一般に、Cu、CuW、ダイアモンド、AlN、SiC等の熱伝導性の良好な材料に形成したヒートスプレッダやヒートシンクに半導体レーザ素子を実装してモジュール化し、半導体レーザ素子で発生する熱をヒートスプレッダやヒートシンクに排熱している。
【0003】
上述のようにモジュール化しても、高出力半導体レーザ素子、特に高出力アレイ状半導体レーザ素子などでは、素子の単位重量当たりの発熱量が大きく、発生した熱を確実に排熱できないことも多い。
また、ヒートスプレッダやヒートシンクと半導体レーザ素子との間の熱膨張係数差により熱膨張差が生じて、半導体レーザ素子が損傷を受けることもある。例えば、GaAs系半導体レーザ素子の場合、基板、積層構造等に使用されるGaAsは、CuW製ヒートシンクやヒートスプレッダを除いて、一般に、ヒートスプレッダやヒートシンクの構成材料と熱膨張係数が大きく異なるために、半導体レーザ素子が発熱して温度が上昇すると、半導体レーザ素子とヒートスプレッダやヒートシンクとの間に熱膨張差が生じ、半導体レーザ素子が反ってしまったり、破壊してしまうこともある。
【0004】
ところで、半導体レーザの高出力化の一つとして、複数個の半導体レーザ素子を並列に配列した1次元アレイ状半導体レーザ素子が開発されている。更には、1次元アレイ状半導体レーザ素子を多段に積んだ構造の2次元アレイ状半導体レーザ・モジュールも開発されている。
多数個の半導体レーザ素子を集積して高出力化した2次元アレイ状半導体レーザ・モジュールは、更に大量の熱を発生させる。
【0005】
そこで、2次元アレイ状半導体レーザ・モジュールの排熱性を高めるために、例えば、特開平11−103132号公報は、図5に示すような2次元アレイ状半導体レーザ素子を開示している。
前掲公報に開示されている2次元半導体レーザ・モジュール60は、図5に示すように、冷却構造体として機能するマイクロチャネル62を介して3個のAlGaAs系の1次元アレイ状半導体レーザ素子64を3段に積み重ねた構造の半導体レーザ・モジュールである。
マイクロチャネル62には、冷媒通路66が設けてあって、冷媒通路66を流れる冷媒によって、1次元アレイ状半導体レーザ素子64から発生する熱を除去するようになっている。また、1次元アレイ状半導体レーザ素子64の周りには、絶縁材68が設けられている。
【0006】
【特許文献1】
特開平11−103132号公報(図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前掲公報に記載の2次元アレイ状半導体レーザ・モジュールでも、必ずしも排熱が完全であると評価することは難しい。特に、1次元アレイ状半導体レーザ素子が密閉状態にあるので、熱が蓄積し、半導体レーザ素子の温度が上昇し勝ちである。排熱が不完全であると、熱が半導体レーザ素子内に蓄積して素子温度が上昇し、半導体レーザ素子の動作に好ましくない影響を与える。
【0008】
そこで、本発明の目的は、冷却能力の高い半導体レーザ・モジュールを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、半導体レーザ・モジュールの冷却能力を向上させるために、半導体レーザ素子の上下から排熱できるようにすることは当然として、半導体レーザ素子とヒートシンクとの接触面積を拡大し、かつ半導体レーザ素子とヒートシンクとの熱膨張係数差を緩和するために、半導体レーザ素子とヒートシンクとの間にヒートスプレッダを介在させた種々のモジュール構造を創案し、それぞれについて試験を行い、本発明を発明するに到った。
【0010】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る半導体レーザ・モジュールは、半導体レーザ素子と、
それぞれ、半導体レーザ素子の上面及び下面より大きな面積の板状部材からなる上部ヒートスプレッダ及び下部ヒートスプレッダと、
それぞれ、上部ヒートスプレッダ及び下部ヒートスプレッダより大きな面積の板状部材からなる上部ヒートシンク及び下部ヒートシンクと、
絶縁用ヒートシンクと
を備え、
上部及び下部ヒートスプレッダの前端面並びに上部及び下部ヒートシンクの前端面を半導体レーザ素子の出射端面に揃えて、上部ヒートシンクが上部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子上に、及び下部ヒートシンクが下部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子下に、それぞれ、取り付けてあり、
絶縁用ヒートシンクが、半導体レーザ素子の後端面並びに上部及び下部ヒートスプレッダの後端面に対して間隙を維持して、上部ヒートシンク及び下部ヒートシンクの後端部の隙間に介在していることを特徴としている。
【0011】
従来、単段の半導体レーザ素子をモジュール化するときには、一般に、ヒートシンクは半導体レーザ素子の下側にのみ設けられている。そして、半導体レーザ素子で発生した熱を半導体レーザ素子の下側のヒートシンクに排熱しているが、本発明では、上述の構成により、半導体レーザ素子で発生した熱を、半導体レーザ素子の上下から上部及び下部ヒートスプレッダを介してそれぞれ上部及び下部ヒートシンクに排熱することができる。
【0012】
また、ヒートスプレッダとして、半導体レーザ素子よりも大きな板状部材を用いているので、半導体レーザ素子とヒートシンクとの間の伝熱面積が広くなり、半導体レーザ素子で発生した熱を効率良くヒートシンクに伝熱して排熱することができる。
また、本発明では、半導体レーザ素子と絶縁用ヒートシンクとの間に、間隙が設けてある。これにより、空気は、間隙内に流入し、流出する際、半導体レーザ素子で発生した熱を吸熱しながら流れるので、排熱効果が向上する。
【0013】
更には、上下同じ材料で形成された上部及び下部ヒートスプレッダ、並びにヒートシンクで半導体レーザ素子を挟持することにより、熱膨張係数の違いによるバイメタル効果が生じるようなことがなく、また、半導体レーザ素子自体に生じる反り、撓みを矯正することができる。
加えて、半導体レーザ素子に上下均等な力が作用して、均等な歪が生じるので、半導体レーザ素子の損傷が生じない。よって、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
【0014】
本発明の好適な実施態様では、上部及び下部ヒートスプレッダの主たる材料がSiC、AlN、CuW、及びダイヤモンドの少なくともいずれかであり、また、上部及び下部ヒートシンクの主たる材料がCu又はCuWである。
【0015】
本発明の更に好適な実施態様では、半導体レーザ素子並びに上部及び下部ヒートスプレッダと、絶縁用ヒートシンクとの間の間隙に冷却水又は冷媒を流入させ、流出させる手段が設けてある。
また、半導体レーザ素子の出射端面に平行に延びる複数の貫通孔が並列して絶縁用ヒートシンクに設けてある。
間隙又は貫通孔に冷却水又は冷媒を流して排熱効果を高めることにより、半導体レーザ・モジュール30の冷却能力を一層高めることができる。狭い間隙又は小さい貫通孔を流れ易くするために、望ましくは、冷媒には、粘性に低い冷媒を用いる。
【0016】
本発明の別の実施態様の半導体レーザ・モジュールは、冷却水又は冷媒を流通させる流路を備えた板状冷却ジャケットを介して上述の半導体レーザ・モジュールを多段に積層してなることを特徴としている。
冷却ジャケットを設けて半導体レーザ素子を冷却することにより、半導体レーザ素子を多段に集積した高出力型であって、かつ半導体レーザ素子の冷却能力の高い半導体レーザ・モジュールを実現することができる。
【0017】
本発明に係る半導体レーザ・モジュールでは、半導体レーザ素子として、チップ状の半導体レーザ素子でも良く、また、チップ状の半導体レーザ素子をアレイ状に配列してなるアレイ型半導体レーザ素子でも、更には、レーザバー状の複数個の半導体レーザ素子であっても良い。
本発明に係る半導体レーザ・モジュールは、半導体レーザ素子を構成する化合物半導体層の組成、膜厚、基板の種類に制約無く適用でき、特に高出力型の半導体レーザ・モジュールに好適に適用できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照して、実施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。
実施形態例1
本実施形態例は本発明に係る半導体レーザ・モジュールの実施形態の一例であって、図1は本実施形態例の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
本実施形態例の半導体レーザ・モジュール10は、図1に示すように、半導体レーザ素子12と、半導体レーザ素子12の上面(上部電極)及び下面(下部電極)にそれぞれ密着して設けられている上部ヒートスプレッダ14及び下部ヒートスプレッダ16と、上部ヒートスプレッダ14を介して半導体レーザ素子12上に、及び下部ヒートスプレッダ16を介して半導体レーザ素子12下に、それぞれ、設けられている上部ヒートシンク18及び下部ヒートシンク20とを備えている。
【0019】
上部ヒートスプレッダ14及び下部ヒートスプレッダ16は、それぞれ、SiCで形成されたヒートスプレッダ本体の表面にNi/Ti/Pt/Auの積層金属膜をコーティングした同じ大きさの導電性及び熱伝導性の良好な長方形板状部材であって、熱抵抗が250W/m・Kから300W/m・K、熱膨張係数が 3.5×10−6/degから4.0×10−6/degである。
上部及び下部ヒートスプレッダ14、16は、前端部の幅が半導体レーザ素子12の出射端面の幅と同じで、長さが半導体レーザ素子12の長さより長く、従って、半導体レーザ素子12と接触する面が半導体レーザ素子12の接触面より広く、半導体レーザ素子12の出射端面12aに前端面を揃えるようにして、AuSn半田で半導体レーザ素子12に接合されている。
【0020】
上部及び下部ヒートシンク18、20は、酸化しないように表面にAuメッキが施されているCu(銅)製の同じ大きさの長方形板状部材であって、それぞれ、正電極板及び負電極板として機能する。
上部及び下部ヒートシンク18、20は、それぞれ、前端部の幅が半導体レーザ素子12の出射端面の幅と同じで、長さが上部及び下部ヒートスプレッダ14、16より長く、従って上部及び下部ヒートスプレッダ14、16と接触する面が上部及び下部ヒートスプレッダ14、16の接触面より広い。
上部及び下部ヒートシンク18、20は、InAg半田により上部及び下部ヒートスプレッダ14、16の前端面、従って半導体レーザ素子12の出射端面12aに前端面を揃えるようにして上部ヒートスプレッダ14及び下部ヒートスプレッダ16に接合されている。
【0021】
また、上部ヒートシンク18及び下部ヒートシンク20は、半導体レーザ素子12及び上部及び下部ヒートスプレッダ14、16の積層体22を前端部に保持し、積層体22に対して間隙24を空けて絶縁用ヒートシンク26を後端部に介在させている。
絶縁用ヒートシンク26は、電気絶縁性で、熱伝導性の良好なAlN又はSiC製で形成されており、電極板として機能する上部及び下部ヒートシンク18、20を絶縁すると共にヒートシンクとしても機能する。
【0022】
上部及び下部ヒートシンク18、20の材料として、通常、Cuが用いられるが、半導体レーザ素子12がGaAs系のときには、GaAsと熱膨張率が近いCuWを用いても良い。また、上部及び下部ヒートスプレッダ14、16には、SiC以外に、AlN、CuW、ダイアモンド等を用いても良い。
【0023】
具体的な寸法としては、半導体レーザ素子12の幅を10〜12mm、長さを約10mm、厚さを0.1mmとすると、上部及び下部ヒートスプレッダ14、16は、幅が半導体レーザ素子12と同じであって、長さは半導体レーザ素子12より長く、約11mm、厚さが0.3mmである。
上部及び下部ヒートシンク18、20の長さは20〜22mm、幅は半導体レーザ素子12と同じ10〜12mm、厚さは約3mmである。
絶縁用ヒートシンク26は幅が半導体レーザ素子12と同じ10〜12mm、長さが約10mmで、厚さは、半導体レーザ素子12と上部及び下部ヒートスプレッダ14、16の厚さの総計に等しい。また、間隙24の大きさは、半導体レーザ素子12の後端面に対する距離が約2mmである。
【0024】
本実施形態例では、以上の構成により、半導体レーザ素子12で発生した熱を、半導体レーザ素子12の上下から上部及び下部ヒートスプレッダ14、16を介してヒートシンク18、20に効率的に排熱することができる。
上部及び下部ヒートスプレッダ14、16が、半導体レーザ素子12よりも大きな板状部材で形成されているので、半導体レーザ素子12で発生した熱をヒートシンク18、20に効率良く伝えることができる。
また、半導体レーザ素子14と絶縁用ヒートシンク26との間には、間隙24が設けてあるので、空気が半導体レーザ素子12で発生した熱を排熱しながら、間隙24を流通する。
更には、絶縁用ヒートシンク26がヒートシンクとして機能するので、ヒートシンク全体の熱容量が著しく大きい。
【0025】
実施形態例1の変形例
実施形態例1の半導体レーザ素子10の絶縁用ヒートシンク26を石英等の透明な材料で形成することにより、絶縁用ヒートシンク26の背後にフォトダイオード等の受光素子を設けて、半導体レーザ素子の光出力をモニターすることもできる。
【0026】
実施形態例2
本実施形態例は本発明に係る半導体レーザ・モジュールの実施形態の別の例であって、図2は本実施形態例の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
本実施形態例の半導体レーザ・モジュール30は、図2に示すように、間隙24に絶縁材で形成した流路(図示せず)を設け、流路の両端部に冷却水を流す冷却水入口32及び冷却水出口34を備えていることを除いて、実施形態例1と同じ構成を備えている。
【0027】
冷却水を冷却水入口32から間隙24に設けた流路に流入させ、冷却水が流路を流れる間に上部及び下部ヒートスプレッダ14、16、並びに上部及び下部ヒートシンク18、20を冷却して、排熱効果を高めることにより、半導体レーザ・モジュール30の冷却能力を一層高めることができる。
更に、冷却水による冷却効果を高めるために、望ましくは、半導体レーザ素子12、上部及び下部ヒートスプレッダ14、16、並びに絶縁用ヒートシンク26と流路との間の空間に電気絶縁性で熱伝導性の材料を充填して、半導体レーザ素子12、並びに上部及び下部ヒートスプレッダ14、16と流路との間の伝熱性を高めるようにする。
【0028】
実施形態例3
本実施形態例は本発明に係る半導体レーザ・モジュールの実施形態の更に別の例であって、図3は本実施形態例の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
本実施形態例の半導体レーザ・モジュール40は、図3に示すように、絶縁用ヒートシンク26の幅方向に貫通する複数本の貫通孔42を備えていることを除いて、実施形態例1と同じ構成を備えている。
貫通孔42を備えていることにより、空気の流通が貫通孔42に生じるので、絶縁用ヒートシンク26が冷却され、半導体レーザ・モジュール40の冷却能力を高めることができる。
更には、貫通孔42に冷却水を流して絶縁用ヒートシンク26を冷却し、排熱効果を高めることにより、半導体レーザ・モジュール40の冷却能力を一層高めることができる。
【0029】
実施形態例4
本実施形態例は本発明に係る半導体レーザ・モジュールの実施形態の更に別の例であって、図4(a)は本実施形態例の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図、及び図4(b)は冷却ジャケットの構成を示す斜視図である。
本実施形態例の半導体レーザ・モジュール50は、図4(a)に示すように、冷却ジャケット52を介して複数個の実施形態例1の半導体レーザ・モジュール10を多段(図4では3段)に積層したスタックレーザ構造のモジュールである。
冷却ジャケット52は、図4(b)に示すように、SiC又はAlN製の板状部材54に冷却水を流す貫通孔56を蛇管状に設けたものである。また、複数本の貫通孔を板状部材54の幅方向に並列に配列したものでも良い。
以上の構造により、冷却能力の高い3次元半導体レーザ・モジュールを実現することができる。
尚、実施形態例1の半導体レーザ・モジュール10に代えて、実施形態例2の半導体レーザ・モジュール30又は実施形態例3の半導体レーザ・モジュール40を用いても良い。
【0030】
実施形態例1から実施形態例4の半導体レーザ・モジュール10〜50では、半導体レーザ素子12として、チップ状の単体の半導体レーザ素子を例にしているが、これに限らず、半導体レーザ素子12を並列に配列したアレイ状半導体レーザ素子であっても良い。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体レーザ・モジュールにおいて、上部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子上に上部ヒートシンクを、及び下部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子下に下部ヒートシンクを、それぞれ、取り付け、かつ上部ヒートシンクと下部ヒートシンクとの間の隙間の後端部に、半導体レーザ素子並びに上部及び下部ヒートスプレッダに対する間隙を維持して絶縁用ヒートシンクを設けている。
【0032】
従来の半導体レーザ・モジュールでは、半導体レーザ素子で発生した熱は、半導体レーザ素子の下側だけに存在しているヒートシンクに排熱されていたが、本発明では、半導体レーザ素子で発生した熱を半導体レーザ素子の上下から上部及び下部ヒートスプレッダを介してそれぞれ上部及び下部ヒートシンクに排熱することができる。
また、ヒートスプレッダとして、半導体レーザ素子よりも大きな板状部材を用いているので、半導体レーザ素子とヒートシンクとの間を伝熱させる伝熱面積が広くなり、半導体レーザ素子で発生した熱を効率良くヒートシンクに伝熱することができる。
更には、半導体レーザ素子と絶縁用ヒートシンクとの間には、間隙が設けてある。これにより、空気が半導体レーザ素子で発生した熱を排熱しながら、間隙を流通するので、排熱効果が向上する。
本発明によれば、排熱効果の向上により、半導体レーザ素子の動作環境を所定の温度に維持することができるので、半導体レーザ素子を良好に動作させることができる。
【0033】
更には、半導体レーザ素子を上下から同じ材料で板状部材で挟持しているので、熱膨張係数の違いによるバイメタル効果が生じるようなことがなく、また、半導体レーザ素子自体に生じる反り、撓みを矯正することが出来きる。加えて、半導体レーザ素子に上下均等な力が作用して、均等な歪が生じるので、半導体レーザ素子の損傷が生じない。よって、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
【図2】実施形態例2の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
【図3】実施形態例3の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図である。
【図4】図4(a)は実施形態例4の半導体レーザ・モジュールの構成を示す斜視図、及び図4(b)は冷却ジャケットの構成を示す斜視図である。
【図5】従来の半導体レーザ・モジュールの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
10……実施形態例1の半導体レーザ・モジュール、12……半導体レーザ素子、14……上部ヒートスプレッダ、16……下部ヒートスプレッダ、18……上部ヒートシンク、20……下部ヒートシンク、22……積層体、24……間隙、26……絶縁用ヒートシンク、30……実施形態例2の半導体レーザ・モジュール、32……冷却水入口、34……冷却水出口、40……実施形態例3の半導体レーザ・モジュール、42……貫通孔、50……実施形態例4の半導体レーザ・モジュール、52……冷却ジャケット、54……板状部材、56……貫通孔、60……従来の2次元アレイ状半導体レーザ・モジュール、62……マイクロチャネル、64……AlGaAs系の1次元アレイ状半導体レーザ素子、66……冷媒通路、68……絶縁材。
Claims (7)
- 半導体レーザ素子と、
それぞれ、半導体レーザ素子の上面及び下面より大きな面積の板状部材からなる上部ヒートスプレッダ及び下部ヒートスプレッダと、
それぞれ、上部ヒートスプレッダ及び下部ヒートスプレッダより大きな面積の板状部材からなる上部ヒートシンク及び下部ヒートシンクと、
絶縁用ヒートシンクと
を備え、
上部及び下部ヒートスプレッダの前端面並びに上部及び下部ヒートシンクの前端面を半導体レーザ素子の出射端面に揃えて、上部ヒートシンクが上部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子上に、及び下部ヒートシンクが下部ヒートスプレッダを介して半導体レーザ素子下に、それぞれ、取り付けてあり、
絶縁用ヒートシンクが、半導体レーザ素子の後端面並びに上部及び下部ヒートスプレッダの後端面に対して間隙を維持して、上部ヒートシンク及び下部ヒートシンクの後端部の隙間に介在していることを特徴とする半導体レーザ・モジュール。 - 上部及び下部ヒートスプレッダが、主として、SiC、AlN、CuW、及びダイヤモンドの少なくともいずれかで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ・モジュール。
- 上部及び下部ヒートシンクが、主として、Cu又はCuWで形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ・モジュール。
- 半導体レーザ素子並びに上部及び下部ヒートスプレッダと、絶縁用ヒートシンクとの間の間隙に冷却水又は冷媒を流入させ、流出させる手段が設けてあることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザ・モジュール。
- 半導体レーザ素子の出射端面に平行に延びる複数の貫通孔が並列して絶縁用ヒートシンクに設けてあることを特徴とする請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の半導体レーザ・モジュール。
- 冷却水又は冷媒を流通させる流路を備えた板状冷却ジャケットを介して請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体レーザ・モジュールを多段に積層してなることを特徴とする半導体レーザ・モジュール。
- 半導体レーザ素子としてアレイ型半導体レーザ素子を備えていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザ・モジュール。
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Cited By (22)
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---|---|---|---|---|
JP2006294805A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2007073550A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザモジュール及び半導体レーザスタック |
JP2007073549A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザモジュール、半導体レーザスタック及び半導体レーザモジュールの製造方法 |
WO2008027133A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | High-power laser-diode package system |
DE102008026229A1 (de) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes |
DE102008027468A1 (de) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung mit einem Halbleiterbauelement sowie Anschlussvorrichtung für ihren Betrieb |
DE102008026801A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-24 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes und Verfahren zu seiner Montage |
US7656915B2 (en) | 2006-07-26 | 2010-02-02 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
EP1959528A3 (de) * | 2007-02-13 | 2010-11-03 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Diodenlaseranordnung sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung |
DE102009016953A1 (de) * | 2009-04-08 | 2010-11-11 | Dirk Dr. Lorenzen | Konversionseinheit mit mehreren Konversionsmodulen, Inbetriebnahmeverfahren der Konversionseinheit und eine solche Konversionseinheit aufweisende optische Anordnung |
US8345720B2 (en) | 2009-07-28 | 2013-01-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance |
WO2013128794A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2014135339A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung mit wäremeleitelementen |
US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
CN107221834A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-29 | 西安炬光科技股份有限公司 | 半导体激光器的封装结构及封装方法 |
KR101789175B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2017-10-23 | 인하대학교 산학협력단 | 방열성이 우수한 레이저 다이오드 바 모듈 |
DE102017217610A1 (de) | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Optisches Projektionssystem und Objektdetektionsvorrichtung |
JP2018517287A (ja) * | 2015-05-19 | 2018-06-28 | ツー−シックス レーザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 低熱抵抗の応力制御されたダイオードレーザアッセンブリ |
WO2019009172A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2019192915A (ja) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドSz Dji Technology Co.,Ltd | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-10-28 JP JP2002312332A patent/JP4238558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006294805A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2007073550A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザモジュール及び半導体レーザスタック |
JP2007073549A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザモジュール、半導体レーザスタック及び半導体レーザモジュールの製造方法 |
JP4659565B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザモジュール及び半導体レーザスタック |
JP4659564B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザモジュール、半導体レーザスタック及び半導体レーザモジュールの製造方法 |
US7957439B2 (en) | 2006-07-26 | 2011-06-07 | Northrop Grumman Space & Missions | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
US7656915B2 (en) | 2006-07-26 | 2010-02-02 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
WO2008027133A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | High-power laser-diode package system |
EP1959528A3 (de) * | 2007-02-13 | 2010-11-03 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Diodenlaseranordnung sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung |
DE102008026229A1 (de) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes |
WO2009143835A3 (de) * | 2008-05-29 | 2010-09-23 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen kühlung eines halbleiterbauelementes |
DE102008026229B4 (de) * | 2008-05-29 | 2012-12-27 | Jenoptik Laser Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes |
DE102008026801A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-24 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes und Verfahren zu seiner Montage |
US8649405B2 (en) | 2008-06-02 | 2014-02-11 | Jenoptik Laser Gmbh | Heat transfer device with at least one semiconductor element, particularly a laser or light-emitting diode element, and method for the assembly thereof |
US20110142087A1 (en) * | 2008-06-02 | 2011-06-16 | Jenoptik Laser Gmbh | Heat transfer device with at least one semiconductor element, particularly a laser or light-emitting diode element, and method for the assembly thereof |
DE102008026801B4 (de) * | 2008-06-02 | 2012-05-31 | Jenoptik Laser Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes und Verfahren zu seiner Montage |
DE102008027468A1 (de) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung mit einem Halbleiterbauelement sowie Anschlussvorrichtung für ihren Betrieb |
DE102008027468B4 (de) * | 2008-06-06 | 2012-10-18 | Jenoptik Laser Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung mit einem Halbleiterbauelement sowie Anschlussvorrichtung für ihren Betrieb |
DE102009016953B4 (de) * | 2009-04-08 | 2017-03-09 | Dirk Lorenzen | Konversionseinheit mit mehreren Konversionsmodulen, Inbetriebnahmeverfahren der Konversionseinheit und eine solche Konversionseinheit aufweisende optische Anordnung |
DE102009016953A1 (de) * | 2009-04-08 | 2010-11-11 | Dirk Dr. Lorenzen | Konversionseinheit mit mehreren Konversionsmodulen, Inbetriebnahmeverfahren der Konversionseinheit und eine solche Konversionseinheit aufweisende optische Anordnung |
US8345720B2 (en) | 2009-07-28 | 2013-01-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance |
US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
US9203213B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
WO2013128794A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
US9276375B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-03-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2014135339A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung mit wäremeleitelementen |
JP2018517287A (ja) * | 2015-05-19 | 2018-06-28 | ツー−シックス レーザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 低熱抵抗の応力制御されたダイオードレーザアッセンブリ |
KR101789175B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2017-10-23 | 인하대학교 산학협력단 | 방열성이 우수한 레이저 다이오드 바 모듈 |
DE102017217610A1 (de) | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Optisches Projektionssystem und Objektdetektionsvorrichtung |
US10551035B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-02-04 | Omron Automotive Electronics Co., Ltd. | Projection optical system and object detection device |
CN107221834A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-29 | 西安炬光科技股份有限公司 | 半导体激光器的封装结构及封装方法 |
WO2019009172A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JPWO2019009172A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2020-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP7022901B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-02-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2019192915A (ja) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドSz Dji Technology Co.,Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4238558B2 (ja) | 2009-03-18 |
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