JP2004134631A - Lamp heat treatment device - Google Patents

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wafer
support ring
heat treatment
cooling
silicon carbide
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Keita Uchiyama
内山　敬太
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lamp heat treatment device which eliminates the difference in the thickness between an oxide film on a first wafer and an oxide film on each of a second and the subsequent wafers, and at the same time prevents warpage or breakage of the first wafer in a continuous processing. <P>SOLUTION: The lamp heat treatment device is provided with a metal chamber which is provided therein with a lamp unit consisting such as a tungsten halogen lamp and the like for serving as a lamp light source, a quartz plate for defining the lamp unit, a support ring made of silicon carbide for horizontally supporting a wafer, a rotary cylinder for mounting the support ring, radiation thermometers disposed at the rear of the wafer, and a cooling gas line or a cooling ring made of silicon carbide for cooling the support ring alone in a short time. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハの酸化処理または熱処理に使用するランプ熱処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウェハに酸化を行なう際に、急速加熱および急速冷却が可能なランプ熱処理装置が用いられている。従来の熱処理装置は、金属製のチャンバ内に入れられた半導体ウェハをタングステンハロゲンランプ等の光照射により加熱する装置であって、チャンバには処理工程に応じて必要とする複数のプロセスガス源が接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような従来のランプ熱処理装置について図面を参照して説明する。図２は従来のランプ熱処理装置の概略図である。従来の装置は、図２に示すように金属製のチャンバ２０１を有し、チャンバ２０１内にはランプ光源となるタングステンハロゲンランプ等からなるランプユニット２０２と、ランプユニット２０２を仕切る石英板２０３と、ウェハ２０４を水平に支持するシリコンカーバイド製支持リング２０５と、シリコンカーバイド製支持リング２０５を載せ、回転させる回転シリンダー２０６と、ウェハ２０４の裏面側にある放射温度計２０７とを備えている。
【０００４】
また、チャンバ２０１はチャンバ２０１内にプロセスガスを供給するためのガス供給ライン２０８と、処理ガスを排出するためのガス排気ライン２０９が設けられている。回転シリンダー２０６は、駆動機構により回転し、ウェハ２０４をチャンバ２０１内で９０回転／分で回転させることができる。放射温度計２０７はウェハ２０４の裏面からの放射光を受けて、温度に換算して温度測定をしている。なお、ウェハ２０４の面内の温度を読むため、ウェハ２０４の中心から外周の裏面の位置に複数の放射温度計を置いている。
【０００５】
このような構造を有する従来のランプ熱処理装置を用いてウェハ２０４を熱処理する場合には、ウェハ２０４をチャンバ２０１内へ搬入し、シリコンカーバイド製支持リング２０５上に載せる。次いで、ガス供給ライン２０８から所望のプロセスガスを供給し、ランプユニット２０２を点灯してウェハ２０４を回転させながら熱処理を行なう。
【０００６】
連続処理を行なう場合には、１枚目と２枚目以降の酸化膜厚差を無くすためのウェハ２０４が無い状態でランプユニット２０２を５〜１０分点灯するプリヒート処理が行なわれる。その後、１枚目のウェハ２０４をチャンバ２０１内へ搬入し、１枚目のウェハ２０４の熱処理を行なう。１枚目のウェハ２０４の熱処理が終了し搬出後、２枚目のウェハ２０４をチャンバ２０１内へ搬入し熱処理が行なわれる。３枚目以降も前のウェハ２０４の処理が終了し搬出後、次のウェハ２０４をチャンバ２０１内へ搬入し熱処理が行なわれる。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１３３５５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のランプ熱処理装置では、連続処理において１枚目の前に５〜１０分のプリヒート処理を設けてチャンバ内を温めないと１枚目と２枚目以降の酸化膜厚に差が生じ、１枚目だけが薄くなる。
【０００９】
しかしながら、プリヒート処理を行なうとシリコンカーバイド製支持リングの温度が過度に上昇し、１枚目のウェハ投入時にウェハの中心と外周とに１００℃以上の温度差が生じるので、ウェハ跳ねやウェハ割れが生じる。
【００１０】
また、プリヒート処理後、シリコンカーバイド製支持リングの温度が十分に下がるように、長時間の自然冷却時間を設けるとウェハの中心と外周との温度差が１００℃以下になりウェハ跳ねやウェハ割れを防ぐことができるが、チャンバ内が冷えてしまうので、１枚目と２枚目以降の酸化膜厚に差が生じて１枚目だけが薄くなる。
【００１１】
つまり、従来のランプ熱処理装置では、連続処理において１枚目と２枚目以降との酸化膜厚差を無くすことと、１枚目のウェハ跳ねやウェハ割れ防止することはトレードオフの関係になり、双方満足することができない。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明のランプ熱処理装置は、チャンバ内の上部に設けた加熱用のランプユニットと、前記チャンバ内の下部に設けた放射温度計と、前記チャンバ内に設けたウェハを載せる支持リングと、前記支持リングを載せ、回転させる回転シリンダーとを備え、前記支持リングを冷却する冷却機構とを有することを特徴とする。
【００１３】
この構成により、連続処理においてプリヒート処理後の１枚目のウェハが投入される前にチャンバ内は冷まさず、支持リングのみを短時間に冷却することができる。したがって、１枚目のウェハ投入時に、ウェハの中心と外周との温度差が１００℃以下に抑えられ、ウェハ跳ねやウェハ割れを防止することができる。また、チャンバ内は温まったままなので、１枚目と２枚目以降の膜厚差も生じない。
【００１４】
上記のランプ熱処理装置において、前記冷却機構は、前記支持リングに冷却用ガスを吹き付けるガスラインであることが好ましい。
【００１５】
上記のランプ熱処理装置において、前記冷却用ガスにヘリウムガスを用いることが好ましい。
【００１６】
上記のランプ熱処理装置において、前記冷却機構は、前記支持リングを冷却する冷却用リングであることが好ましい。
【００１７】
上記のランプ熱処理装置において、前記冷却用リングは、上下運動して前記支持リングの裏面と接触することが好ましい。
【００１８】
上記のランプ熱処理装置において、前記支持リングは、シリコンカーバイド製であることが好ましい。
【００１９】
上記のランプ熱処理装置において、前記冷却用リングは、シリコンカーバイド製であることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態に係わるランプ熱処理装置の概略図である。
【００２１】
本発明のランプ熱処理装置は、図１に示すように、金属製のチャンバ１０１を有し、チャンバ１０１内にはランプ光源となるタングステンハロゲンランプ等からなるランプユニット１０２と、ランプユニット１０２を仕切る石英板１０３と、ウェハ１０４を水平に支持するシリコンカーバイド製支持リング１０５と、シリコンカーバイド製支持リング１０５を載せる回転シリンダー１０６と、ウェハ１０４の裏面側にある放射温度計１０７と、シリコンカーバイド製支持リング１０５のみを短時間に冷却するための冷却用ガスライン１１０もしくはシリコンカーバイド製冷却用リング１１１を備えている。
【００２２】
また、チャンバ１０１はチャンバ１０１内にプロセスガスを供給するためのガス供給ライン１０８と、処理ガスを排出するためのガス排気ライン１０９が設けられている。回転シリンダー１０６は、駆動機構により回転し、ウェハ１０４をチャンバ１０１内で９０回転／分で回転させることができる。放射温度計１０７はウェハ１０４の裏面からの放射光を受けて、温度に換算して温度測定をしている。なお、ウェハ１０４の面内の温度を読むため、ウェハ１０４の中心から外周の裏面の位置に複数の放射温度計を置いている。
【００２３】
冷却用ガスライン１１０は、シリコンカーバイド製支持リング１０５に向いており、冷却用ガスを直接吹き付けられる。また、冷却用ガスはヘリウムガスを用いている。また、シリコンカーバイド製冷却用リング１１１は、シリコンカーバイド製支持リング１０５の下に位置しており、上下運動を行なうことによってシリコンカーバイド製支持リング１０５の裏面に接触したり、離れたりすることができる。
【００２４】
このような冷却機構を有する本発明のランプ熱処理装置を用いて、ウェハ１０４を酸化処理する場合について、以下に説明する。
【００２５】
まず、ウェハ１０４をチャンバ１０１内へ搬入し、シリコンカーバイド製支持リング１０５上に載せる。次いで、ガス供給ライン１０８から所望のプロセスガス、例えば酸素ガスを供給し、ランプユニット１０２を点灯してウェハ１０４を回転させながら熱処理を行なう。
【００２６】
連続処理において１枚目と２枚目以降の酸化膜厚差を無くすため、ウェハ１０４が無い状態でランプユニット１０２を５〜１０分点灯するプリヒート処理を行なう。その後、シリコンカーバイド製支持リング１０５に向いている冷却用ガスライン１１０に流量１０リットル／分のヘリウムガスを１０秒間流し、シリコンカーバイド製支持リング１０５にヘリウムガスを直接吹き付けて短時間に冷却する。もしくは、シリコンカーバイド製冷却用リング１１１を上げて１０秒間シリコンカーバイド製支持リング１０５の裏面に接触させ、シリコンカーバイド製支持リング１０５を短時間に冷却した後、シリコンカーバイド製冷却用リング１１１を下げる。
【００２７】
次に、１枚目のウェハ１０４をチャンバ１０１内へ搬入し、１枚目のウェハ１０４の熱処理を行なう。１枚目のウェハ１０４の熱処理が終了し搬出後、２枚目のウェハ１０４をチャンバ１０１内へ搬入し熱処理が行なわれる。３枚目以降も前のウェハ１０４の処理が終了し搬出後、次のウェハ１０４をチャンバ１０１内へ搬入し熱処理が行なわれる。
【００２８】
以上のように、連続処理において１枚目と２枚目以降の酸化膜厚差を無くすためのプリヒート処理後の、１枚目のウェハが投入される前に、シリコンカーバイド製支持リング１０５にヘリウムガスを直接吹き付けることにより、シリコンカーバイド製支持リング１０５のみを短時間に冷却することができる。
【００２９】
もしくは、シリコンカーバイド製冷却用リング１１１をシリコンカーバイド製支持リング１０５の裏面に接触させて、シリコンカーバイド製支持リング１０５に蓄積する熱をシリコンカーバイド製冷却用リング１１１に直接逃がし、シリコンカーバイド製支持リング１０５のみを短時間に冷却することができる。
【００３０】
これらのことにより、１枚目のウェハ投入時に、ウェハの中心と外周との温度差を１００℃以下に抑え、ウェハ跳ねやウェハ割れを防止することができる。また、シリコンカーバイド製支持リング１０５のみを短時間に冷却するため、チャンバ内は温まったままなので、１枚目と２枚目以降の膜厚差も生じない。
【００３１】
なお、本実施形態においては、ウェハの酸化処理について説明したが、他の窒化処理や単なる熱処理に本発明を適用しても、同様の効果を得られることは言うまでもない。
【００３２】
また、シリコンカーバイド製支持リングの冷却機構には、冷却用ガスラインとシリコンカーバイド製冷却用リングとについて説明したが、何れか一方を備えていれば本発明の効果を得られることは言うまでもない。
【００３３】
また、シリコンカーバイド製支持リングおよびシリコンカーバイド製冷却用リングを用いたが、ウェハと熱伝導性がほぼ等しい他の材料で製作しても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のランプ熱処理装置は、連続処理においてプリヒート処理後の１枚目のウェハが投入される前にチャンバ内は冷まさず、支持リングのみを短時間に冷却することができる。したがって、１枚目のウェハ投入時に、ウェハの中心と外周との温度差が１００℃以下に抑えられ、ウェハ跳ねやウェハ割れを防止することができる。また、チャンバ内は温まったままなので、１枚目と２枚目以降の膜厚差も生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のランプ熱処理装置の概略図
【図２】従来のランプ熱処理装置の概略図
【符号の説明】
１０１　チャンバ
１０２　ランプユニット
１０３　石英板
１０４　ウェハ
１０５　シリコンカーバイド製支持リング
１０６　回転シリンダー
１０７　放射温度計
１０８　ガス供給ライン
１０９　ガス排気ライン
１１０　冷却用ガスライン
１１１　シリコンカーバイド製冷却用リング[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a lamp heat treatment apparatus used for oxidizing or heat treating a semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a lamp heat treatment apparatus capable of rapid heating and rapid cooling when oxidizing a semiconductor wafer has been used. A conventional heat treatment apparatus is an apparatus that heats a semiconductor wafer placed in a metal chamber by irradiating light such as a tungsten halogen lamp, and the chamber includes a plurality of process gas sources required according to a processing step. They are connected (for example, see Patent Document 1).
[0003]
Such a conventional lamp heat treatment apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic view of a conventional lamp heat treatment apparatus. The conventional apparatus has a metal chamber 201 as shown in FIG. 2, a lamp unit 202 including a tungsten halogen lamp or the like serving as a lamp light source, a quartz plate 203 partitioning the lamp unit 202, A silicon carbide support ring 205 for horizontally supporting the wafer 204, a rotating cylinder 206 for mounting and rotating the silicon carbide support ring 205, and a radiation thermometer 207 on the back side of the wafer 204 are provided.
[0004]
The chamber 201 is provided with a gas supply line 208 for supplying a process gas into the chamber 201 and a gas exhaust line 209 for discharging a processing gas. The rotation cylinder 206 is rotated by a driving mechanism, and can rotate the wafer 204 in the chamber 201 at 90 rotations / minute. The radiation thermometer 207 receives radiation from the back surface of the wafer 204, converts the temperature to a temperature, and measures the temperature. In order to read the in-plane temperature of the wafer 204, a plurality of radiation thermometers are placed at positions from the center of the wafer 204 to the back surface on the outer periphery.
[0005]
When the wafer 204 is heat-treated using a conventional lamp heat treatment apparatus having such a structure, the wafer 204 is carried into the chamber 201 and placed on the silicon carbide support ring 205. Next, a desired process gas is supplied from the gas supply line 208, and the heat treatment is performed while the lamp unit 202 is turned on and the wafer 204 is rotated.
[0006]
In the case of performing the continuous process, a preheat process of turning on the lamp unit 202 for 5 to 10 minutes without the wafer 204 for eliminating the difference in the oxide film thickness between the first and second sheets is performed. After that, the first wafer 204 is loaded into the chamber 201, and the first wafer 204 is subjected to a heat treatment. After the heat treatment of the first wafer 204 is completed and carried out, the second wafer 204 is carried into the chamber 201 and heat treated. After the third and subsequent wafers have been processed and unloaded, the next wafer 204 is loaded into the chamber 201 and heat-treated.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-5-13355
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional lamp heat treatment apparatus, if a preheating process is provided for 5 to 10 minutes before the first sheet in the continuous processing and the inside of the chamber is not heated, a difference occurs in the oxide film thickness between the first and second sheets. Only the first sheet becomes thinner.
[0009]
However, when the preheat treatment is performed, the temperature of the silicon carbide support ring excessively rises, and a temperature difference of 100 ° C. or more occurs between the center and the outer periphery of the wafer when the first wafer is loaded. Occurs.
[0010]
After the preheat treatment, if a long natural cooling time is provided so that the temperature of the silicon carbide support ring is sufficiently lowered, the temperature difference between the center and the outer periphery of the wafer becomes 100 ° C. or less, and the wafer jumps and cracks. However, since the inside of the chamber cools, a difference occurs between the oxide film thicknesses of the first and second films, and only the first film becomes thin.
[0011]
In other words, in the conventional lamp heat treatment apparatus, there is a trade-off between eliminating the difference in oxide film thickness between the first and second wafers in continuous processing and preventing the first wafer from jumping or cracking. , Both can not be satisfied.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a lamp heat treatment apparatus according to the present invention includes a heating lamp unit provided at an upper part in a chamber, a radiation thermometer provided at a lower part in the chamber, and a lamp thermometer provided in the chamber. It is characterized by comprising a support ring for mounting a wafer, a rotary cylinder for mounting and rotating the support ring, and a cooling mechanism for cooling the support ring.
[0013]
With this configuration, in the continuous process, the chamber is not cooled before the first wafer after the preheating process is loaded, and only the support ring can be cooled in a short time. Therefore, when the first wafer is loaded, the temperature difference between the center and the outer periphery of the wafer is suppressed to 100 ° C. or less, and it is possible to prevent the wafer from jumping or cracking. Further, since the inside of the chamber remains warm, there is no difference in film thickness between the first and second sheets.
[0014]
In the above lamp heat treatment apparatus, it is preferable that the cooling mechanism is a gas line that blows a cooling gas onto the support ring.
[0015]
In the above lamp heat treatment apparatus, it is preferable to use helium gas as the cooling gas.
[0016]
In the above lamp heat treatment apparatus, it is preferable that the cooling mechanism is a cooling ring for cooling the support ring.
[0017]
In the above lamp heat treatment apparatus, it is preferable that the cooling ring moves up and down to come into contact with the back surface of the support ring.
[0018]
In the above lamp heat treatment apparatus, the support ring is preferably made of silicon carbide.
[0019]
In the above lamp heat treatment apparatus, the cooling ring is preferably made of silicon carbide.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a lamp heat treatment apparatus according to the present embodiment.
[0021]
As shown in FIG. 1, the lamp heat treatment apparatus of the present invention has a metal chamber 101, in which a lamp unit 102 such as a tungsten halogen lamp or the like serving as a lamp light source and quartz for partitioning the lamp unit 102 are provided. A plate 103, a silicon carbide support ring 105 for horizontally supporting the wafer 104, a rotating cylinder 106 for mounting the silicon carbide support ring 105, a radiation thermometer 107 on the back side of the wafer 104, and a silicon carbide support ring A cooling gas line 110 for cooling only 105 in a short time or a cooling ring 111 made of silicon carbide is provided.
[0022]
Further, the chamber 101 is provided with a gas supply line 108 for supplying a process gas into the chamber 101 and a gas exhaust line 109 for discharging a processing gas. The rotation cylinder 106 is rotated by a driving mechanism, and can rotate the wafer 104 in the chamber 101 at 90 rotations / minute. The radiation thermometer 107 receives radiation light from the back surface of the wafer 104, converts the temperature to a temperature, and measures the temperature. In order to read the temperature in the plane of the wafer 104, a plurality of radiation thermometers are placed at positions from the center of the wafer 104 to the back surface on the outer periphery.
[0023]
The cooling gas line 110 faces the silicon carbide support ring 105, and is directly blown with the cooling gas. Helium gas is used as a cooling gas. In addition, the silicon carbide cooling ring 111 is located below the silicon carbide support ring 105, and can contact and separate from the back surface of the silicon carbide support ring 105 by performing up and down movement. .
[0024]
The case where the wafer 104 is oxidized using the lamp heat treatment apparatus of the present invention having such a cooling mechanism will be described below.
[0025]
First, the wafer 104 is loaded into the chamber 101 and placed on the support ring 105 made of silicon carbide. Next, a desired process gas, for example, oxygen gas is supplied from the gas supply line 108, and the heat treatment is performed while the lamp unit 102 is turned on and the wafer 104 is rotated.
[0026]
In order to eliminate the difference in the oxide film thickness between the first and second substrates in the continuous process, a preheat process of lighting the lamp unit 102 for 5 to 10 minutes without the wafer 104 is performed. Thereafter, helium gas is flowed through the cooling gas line 110 facing the silicon carbide support ring 105 for 10 seconds at a flow rate of 10 liters / minute, and helium gas is directly blown onto the silicon carbide support ring 105 to be cooled in a short time. Alternatively, the silicon carbide cooling ring 111 is raised and brought into contact with the back surface of the silicon carbide support ring 105 for 10 seconds, the silicon carbide support ring 105 is cooled in a short time, and then the silicon carbide cooling ring 111 is lowered.
[0027]
Next, the first wafer 104 is carried into the chamber 101, and the first wafer 104 is subjected to a heat treatment. After the heat treatment of the first wafer 104 is completed and carried out, the second wafer 104 is carried into the chamber 101 and heat treated. After the third wafer and subsequent wafers have been processed and unloaded, the next wafer 104 is loaded into the chamber 101 and heat-treated.
[0028]
As described above, before the first wafer is put into the silicon carbide support ring 105 after the pre-heat treatment for eliminating the difference in the oxide film thickness between the first and second sheets in the continuous processing, the helium is placed on the silicon carbide support ring 105. By directly blowing the gas, only the support ring 105 made of silicon carbide can be cooled in a short time.
[0029]
Alternatively, the silicon carbide cooling ring 111 is brought into contact with the back surface of the silicon carbide support ring 105, and the heat accumulated in the silicon carbide support ring 105 is directly released to the silicon carbide cooling ring 111, and the silicon carbide support ring Only 105 can be cooled in a short time.
[0030]
Thus, when the first wafer is loaded, the temperature difference between the center and the outer periphery of the wafer can be suppressed to 100 ° C. or less, and the wafer can be prevented from jumping or cracking. Further, since only the silicon carbide support ring 105 is cooled in a short time, the inside of the chamber is kept warm, so that there is no difference in film thickness between the first and second sheets.
[0031]
In the present embodiment, the wafer oxidation process has been described, but it goes without saying that the same effect can be obtained by applying the present invention to other nitriding processes or simple heat treatments.
[0032]
Also, the cooling mechanism of the silicon carbide support ring has been described with respect to the cooling gas line and the silicon carbide cooling ring, but it goes without saying that the effects of the present invention can be obtained if either one is provided.
[0033]
Further, although the support ring made of silicon carbide and the cooling ring made of silicon carbide are used, they may be made of other materials having substantially the same thermal conductivity as the wafer.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, the lamp heat treatment apparatus of the present invention can cool only the support ring in a short time without cooling the inside of the chamber before the first wafer after the preheat treatment is loaded in the continuous processing. it can. Therefore, when the first wafer is loaded, the temperature difference between the center and the outer periphery of the wafer is suppressed to 100 ° C. or less, and it is possible to prevent the wafer from jumping or cracking. Further, since the inside of the chamber remains warm, there is no difference in film thickness between the first and second sheets.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a lamp heat treatment apparatus of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of a conventional lamp heat treatment apparatus.
101 Chamber 102 Lamp unit 103 Quartz plate 104 Wafer 105 Silicon carbide support ring 106 Rotating cylinder 107 Radiation thermometer 108 Gas supply line 109 Gas exhaust line 110 Cooling gas line 111 Silicon carbide cooling ring

Claims (7)

チャンバ内の上部に設けた加熱用のランプユニットと、
前記チャンバ内の下部に設けた放射温度計と、
前記チャンバ内に設けたウェハを載せる支持リングと、
前記支持リングを載せ、回転させる回転シリンダーとを備え、
前記支持リングを冷却する冷却機構とを有することを特徴とするランプ熱処理装置。A heating lamp unit provided at an upper part in the chamber;
A radiation thermometer provided at a lower portion in the chamber,
A support ring for mounting a wafer provided in the chamber;
A rotating cylinder for mounting and rotating the support ring,
A lamp heat treatment apparatus, comprising: a cooling mechanism for cooling the support ring. 前記冷却機構は、前記支持リングに冷却用ガスを吹き付けるガスラインであることを特徴とする請求項１に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the cooling mechanism is a gas line that blows a cooling gas to the support ring. 前記冷却用ガスにヘリウムガスを用いることを特徴とする請求項２に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to claim 2, wherein helium gas is used as the cooling gas. 前記冷却機構は、前記支持リングを冷却する冷却用リングであることを特徴とする請求項１に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the cooling mechanism is a cooling ring that cools the support ring. 前記冷却用リングは、上下運動して前記支持リングの裏面と接触することを特徴とする請求項４に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to claim 4, wherein the cooling ring moves up and down to contact a back surface of the support ring. 前記支持リングは、シリコンカーバイド製であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the support ring is made of silicon carbide. 前記冷却用リングは、シリコンカーバイド製であることを特徴とする請求項４または５に記載のランプ熱処理装置。The lamp heat treatment apparatus according to claim 4 or 5, wherein the cooling ring is made of silicon carbide.
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