JP2004119452A - 薄膜測定方法とその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供すること。
【解決手段】薄膜22、23の膜厚の測定に際して、薄膜22、23の反射光から分光反射強度の分布を測定し、この分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出、この分光振幅反射率から特性行列を算出して膜厚を算出する。
【選択図】 図2
【解決手段】薄膜22、23の膜厚の測定に際して、薄膜22、23の反射光から分光反射強度の分布を測定し、この分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出、この分光振幅反射率から特性行列を算出して膜厚を算出する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程やエッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチング加工を施していく際に、薄膜の厚さをリアルタイムで測定する膜厚測定方法とその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、試料であるウエハの表面上に形成された薄膜の膜厚測定は、分光反射率データから算出しており、主にカーブフィッティングによる方法が用いられている。このカーブフィッティングによる方法では、理論的な強度分光反射率分布を決定する各種パラメータ、主に膜厚、また、必要とあれば形状を変えながら全波長域で分光反射率の計算を行い、その都度測定された分光反射率分布とその形状の比較を行い、最も測定波形と算出波形の整合性が良好なパラメータを以って膜厚とする計算を行う方法が取られている。
【0003】
つまり、膜厚測定の原理は図8に示すように、分光器で検出した分光スペクトル信号波形f(干渉光強度d0、波長λ)と、予めデータベースに収納されている理論波形f(d0 ′、λ)とのカーブを比較するカーブフィッティングを行い、双方のカーブの差が最小となるような理論波形カーブを選定して、それにより膜厚を求めている。
【0004】
また、従来から複数の膜構造のそれぞれから求められる理論的分光反射率と測定反射率との類似度を求め、類似度により特定された膜構造を測定結果として用いる技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−160028号公報 段落番号1乃至41 図1乃至図6
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようなカーブフィッティングを用いて薄膜の厚さを求める場合は、対象となる薄膜の厚さの精度や形状にもよるが、一般的にパラメータの組み合わせ数が膨大となることが多い。その膨大な組み合わせ数だけ理論的分光反射率の測定分布を生成する必要がある。
【0007】
したがって、膨大な組み合わせ数だけ理論的分光反射率の測定分布を生成のためには、計算量が多くなり処理時間がかかる。そのため、リアルタイム性と相反する結果となるという問題がある。
【0008】
また、それを解決するために最適化手法を導入する方法もあるが、必ずしも最適解に収束するという保証はない。
【0009】
また、特許文献1(特開平11−160028号公報)に開示されている技術でも、同様に膨大な理論的分光反射率の測定分布を生成する必要がある。
【0010】
本発明はこれらの事情にもとづいてなされたもので、半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による手段によれば、基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光して前記薄膜の膜厚をリアルタイムで測定する薄膜測定方法において、
前記薄膜の膜厚の測定に際しては、前記薄膜の反射光から分光反射強度の分布を測定し、この分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出し、この分光反射率に基づいて前記薄膜の測定をすることを特徴とする薄膜測定方法。
【0012】
また請求項2の発明による手段によれば、前記分光振幅反射率は、前記分光反射強度の分布の極小値に基づいて求めていることを特徴とする薄膜測定方法である。
【0013】
また請求項3の発明による手段によれば、前記薄膜の膜厚の測定に際しては、予め、既に堆積されている薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程と、
この測定工程により測定された分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出工程と、
この算出工程で算出された分光振幅反射率から特性行列を求める第1行列算出工程と、
新たに加工された薄膜についても同様のステップで前記新たに加工された薄膜の反射光から特性行列を求める第2行列算出工程と、
前記2つの特性行列から前記新たに加工された薄膜に依存する特性行列を算出する第3特性行列算出工程
とを有することを特徴とする薄膜測定方法である。
【0014】
また請求項4の発明による手段によれば、薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程では、光源および受光光学系および受光センサの分光特性を基準値により補正していることを特徴とする薄膜測定方法である。
【0015】
また請求項5の発明による手段によれば、基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光する受光部と、この受光部で受光した分光の分光反射率強度の分布を測定する測定手段を具えた薄膜測定装置において、
前記測定手段には、測定された分光反射率強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出手段と、この算出手段には行列特性を算出する行列算出手段を具えた演算部が接続されていることを特徴とする薄膜測定装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0017】
図1は本発明に係る膜厚測定装置の構成を示す模式構成図である。
【0018】
膜厚測定装置は、ステージ1上に載置された試料2ヘの照明光を出射するランプ3、ランプ3からの照明光を試料2ヘと導く照明光学系4、試料2からの反射光を受光部5に導く結像光学系6、試料2からの分光された反射光を受光する受光部5、受光部5からのアナログ信号である受光信号5sをデジタル信号の受光信号7sに変換するA/D変換部7、および受光信号7sに基づいて膜厚を算出する演算部8を有している。
【0019】
ランプ3は白色光を照明光学系4に向けて出射する光源であり、この膜厚測定装置ではハロゲンランプが用いられている。
【0020】
照明光学系4は、レンズ8、視野絞り9、レンズ11、ハーフミラー12および対物レンズ13を有しており、ランプ3からの照明光はレンズ8、視野絞り9およびレンズ11を順に介してハーフミラー12にて反射し、対物レンズ13を介して試料2上に集光されて照射される。したがって、ランプ3および照明光学系4がこの膜厚測定装置における照明の手段となっている。
【0021】
ステージ1は任意方向に移動可能とされており、ステージ1上の試料2の位置を調整することにより所望の位置を照明することができるようにされている。
【0022】
結像光学系6は、対物レンズ13、ハーフミラー12、レンズ14、ピンホール板15および凹面回折格子16を有しており、ハーフミラー12および対物レンズ13は照明光学系4と共有されている。試料2からの反射光は対物レンズ13を経由してハーフミラー12を透過し、レンズ14を介してピンホール板15に形成されているピンホールの位置に集光される。そして、ピンホール板15のピンホールを透過した反射光は凹面回折格子16にて分光されるとともに波長ことに受光部5の受光面上の異なった位置に集光される。
【0023】
受光部5は複数の受光素子を1列に配列して有しており、これらの受光素子は凹面回折格子16にて分光された反射光を波長ごとに受光するようになっている。また、各受光素子の受光量はアナログ信号の受光信号5sとなって受光部5から出力される。
【0024】
A/D変換部7はアナログ信号の受光信号5sをデジタル化するものであり、演算部8にて演算処理できるデジタル化された受光信号7sを出力する。
【0025】
演算部8は、受光部5で受光された反射光の分光反射率強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出手段と、この算出手段には行列特性を算出する行列算出手段を具えている。
【0026】
以上のような構成により、この膜厚測定装置では膜厚測定に際して、まずランプ3からの白色光である照明光を試料2に照射し、試料2からの反射光を凹面回折格子16にて分光し、分光された反射光を受光して波長ごとの光量すなわち分光強度を示す受光信号5sを生成する。
【0027】
次に、反射光の分光強度を示すデジタル信号である受光信号7sを演算部で演算処理することにより、試料2の表面上に形成された薄膜の膜厚を算出している。なお、演算部8はコンピュータ・システムを利用してソフトウェア的に構築されていてもよく、また専用の電気的回路として構成されていてもよい。
【0028】
図2は、演算部での動作を示すフローチャートである。
【0029】
試料2の薄膜の厚さの測定にあたっては、試料2は図3(a)に示すように、基板21の表面上に既に薄膜22が形成された最初の状態(堆積あるいは、エッチングの加工前)で、半導体製造装置(不図示)のチャンバ内のステージ1上に載置されている。その状態で、試料2に、ランプ3からの光を照明光学系4にて所定の光束に整えて照射する。試料2からの反射光はハーフミラー12により入射光と反射光の分離を行った後、凹面回折格子16により分光されて受光部5に入射する。それにより、試料2の初期状態の分光強度反射率I(λ)を測定する。なお、図3(b)に示すように、分光強度反射率分布は薄膜22の材質、厚さに応じて周期的な強弱を繰り返すような形状となるのが普通である。(測定工程:S1)
次に、求められた分光強度反射率I(λ)の分布から、極小波長での分光振幅反射率R(λ)を求める。(算出工程:S2)
なお、分光振幅反射率R(λ)には振幅比による反射率、薄膜厚や屈折率に応じた位相情報が含まれているが、受光部5のセンサによって測定された分光強度反射率I(λ)は、下記に(式1)で示すように、分光振幅反射率R(λ)の複素共役との積になっているため、膜厚の解析に必要な情報を含む位相情報が完全に欠落してしまっている。
【0030】
I(λ)=R(λ)・R*(λ) *は複素共役 (式1)
しかし、分光強度反射率I(λ)が極小を取る時は
分光振幅反射率R(λ)の虚部Im(R(λ))=0、実部Re(R(λ))<0
となることが分かっているため、分光強度反射率I(λ)が極小を取る場合の値を正とすると、このときの振幅反射率Rは、
R=−√I
となる。また振幅反射率Rには条件から虚部の成分が0であることが分かっているので、位相φも0である。つまり、初期状態の特性行列Mlは以下のように定義される。なお、特性行列は、薄膜の透過特性(入力に対する透過)を示す指標になるものである。
【数1】
(第1行列算出工程;S3)
また、特性行列からは以下のような式3で振幅反射率Rが得られる。
【数2】
このように特性行列にはA、B、CおよびDの4つの未知数があるが、上記の式2において、極小点のデータを4つ以上用意することで、解析的あるいは数値的にA、B、CおよびDを求めることができる。
【0031】
次に特性行列M2が不明の薄膜22を堆積あるいはエッチングした状態で同様に分光強度反射率I(λ)の分布を測定し(第2行列算出工程;S4)、この分光強度反射率分布から、極小波長での分光振幅反射率R(λ)を求める。(第2行列算出工程;S5)
さらに、全く同じ方法で特性行列Mを求める。(第2行列算出工程;S6)
上述のように、薄膜が堆積あるいはエッチングされた場合の総合的な特性行列の扱いは、特性行列の積で表されるから、例えば、図4(a)に模式図を示すように、特性行列Mmで表される薄膜22の表面にMnで表される薄膜23が堆積した場合の総合的な特性行列Mは、下記に式3で示すように積で表される。また、図4(b)に示すように、分光強度反射率分布は薄膜23の材質、厚さに応じて周期的な強弱を繰り返す
M=MnMm (式4)
これにより、初期の薄膜22の表面に更に薄膜23が堆積した場合の総合的特性行列Mは同様にして以下のように記述されることになる。
【0032】
M=M2M1 (式5)
前述のとおり、初期状態の特性行列Mlは既知であるので、これの逆行列M1 −1が得られるならば、後に堆積した薄膜23の特性行列M2は以下のように解析的に求めることが可能である。つまり、加工前の特性行列の逆行列を、加工後の特性行列の右側から掛け合わせれば、変化した膜厚分に依存する特性行列を求めることができる。
【0033】
M2=MM1 −1(=M2MM1 −1) (式6)
(第3行列算出工程;S7)
M2の要素が判明すれば堆積した薄膜23の厚さdを得ることが可能で、これで薄膜の膜厚測定の目的を達成したことになる。(第3行列算出工程;S8)
また以後、更に薄膜を堆積していく場合はこれを繰り返すことによってその都度、薄膜の厚さを算出することができる。
【0034】
なお、基板2上の複数層の薄膜を積層した場合、エッチングの際に、最上部の膜厚の測定に際して、最上部の薄膜とその下の薄膜との屈折率が異なる場合は、最上部の膜厚の測定については上述の方法をそのまま適用すればよいが、最上部の膜厚が除去されて、次の層の薄膜のエッチングに入った際の膜厚の算出は、次の層の薄膜の屈折率を勘案した式により算出する必要がある。
【0035】
また、試料2の分光反射率強度の測定に際しては、通常、光源(ランプ)の分光強度分布が図5に示すように、各波長(λ)に対して一様で分光器(凹面回折格子)もそれに対応していれば問題はないが、実際には、光源は図6(a)に示すような特性があるとし、また、受光部は図6(b)に示すような特性があるとすれば、測定結果は、図6(c)に示すようになる場合が想定される。これらの場合、光源や受光部の装置固有の特性が影響するため、全体の出力(Output(λ))は以下の式7のようになる。
【0036】
Output(λ)=I1(λ)×I2(λ)×I3(λ) (式7)
このような状態に対して、測定装置固有の特性を補正して、波長ごとの光学系の影響を排除する必要がある。図7は、装置固有の特性についての補正おこなう際の模式説明図である。
【0037】
この補正に際しては、まず、予め分光特性が分かっている例えば、ベアSi(Bare Si)を用いて、ランプ3で照射した反射光をハーフミラー12を介して分光器25で受光し、その受光結果によって測定装置の基準値を求め、試料2の薄膜を測定した際には、測定結果を基準値を用いて補正して測定装置の固有の特性を除去している。
【0038】
すなわち、予め、分光特性の分かっているBare Siに対して光源で照射して、分光器25で受光した基準値(Ref(λ))は、式7より、
Ref(λ)=I1(λ)×I2(λ)×Bare Si(λ)
(式8)
また、試料2(SampleA)を測定した値(Sample(λ))は、同様に式7より、
Sample(λ)=I1(λ)×I2(λ)×SampleA(λ)
(式9)
(式8)と(式9)から、
(Sample(λ)/Ref(λ))=(SampleA(λ)/×Bare Si(λ))
となり、
Sample(λ)=Ref(λ)×(SampleA(λ)/×Bare Si(λ))
なお、Bare Si(λ)は、複屈折率が既知で、それより理論的な分光反射率を求めることができるので、Sample(λ)を算出することができる。
【0039】
以上に説明したように、本発明によれば、従来用いられていたカーブフィッティングによる演算よりも少ない計算量で薄膜の特性をあらわす行列を求めることが可能である。
【0040】
また、最適化手法のような膜厚の推定値に頼る必要もなくなるため、精度のより測定をおこなうことができる。
【0041】
したがって、膜厚の測定のリアルタイム性が向上して、より高速に高精度な測定結果を得ることが可能となる。
【0042】
また、測定装置の固有の特性を補正して、波長ごとの光学系の影響を排除することができるので、精度のよい膜厚の測定をおこなうことができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る膜厚測定装置の構成を示す模式構成図。
【図2】本発明に係る膜厚測定装置の演算部での動作を示すフローチャート。
【図3】(a)は試料の説明図、(b)は試料の分光強度反射率分布のグラフ。
【図4】(a)は試料の説明図、(b)は試料の分光強度反射率分布のグラフ。
【図5】望ましいランプの分光強度分布のグラフ。
【図6】(a)はランプの分光強度分布の特性を示すグラフ、(b)は受光部の分光強度分布の特性を示すグラフ、(c)は測定結果の分光強度分布の特性を示すグラフ。
【図7】装置固有の特性についての補正おこなう際の模式説明図。
【図8】カーブフィッティング法による膜厚測定の原理の説明図。
【符号の説明】
1…ステージ、2…試料、3…ランプ、4…照明光学系、5…受光部、6…結像光学系、16…凹面回折格子、21…基板、22…薄膜、23…薄膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程やエッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチング加工を施していく際に、薄膜の厚さをリアルタイムで測定する膜厚測定方法とその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、試料であるウエハの表面上に形成された薄膜の膜厚測定は、分光反射率データから算出しており、主にカーブフィッティングによる方法が用いられている。このカーブフィッティングによる方法では、理論的な強度分光反射率分布を決定する各種パラメータ、主に膜厚、また、必要とあれば形状を変えながら全波長域で分光反射率の計算を行い、その都度測定された分光反射率分布とその形状の比較を行い、最も測定波形と算出波形の整合性が良好なパラメータを以って膜厚とする計算を行う方法が取られている。
【0003】
つまり、膜厚測定の原理は図8に示すように、分光器で検出した分光スペクトル信号波形f(干渉光強度d0、波長λ)と、予めデータベースに収納されている理論波形f(d0 ′、λ)とのカーブを比較するカーブフィッティングを行い、双方のカーブの差が最小となるような理論波形カーブを選定して、それにより膜厚を求めている。
【0004】
また、従来から複数の膜構造のそれぞれから求められる理論的分光反射率と測定反射率との類似度を求め、類似度により特定された膜構造を測定結果として用いる技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−160028号公報 段落番号1乃至41 図1乃至図6
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようなカーブフィッティングを用いて薄膜の厚さを求める場合は、対象となる薄膜の厚さの精度や形状にもよるが、一般的にパラメータの組み合わせ数が膨大となることが多い。その膨大な組み合わせ数だけ理論的分光反射率の測定分布を生成する必要がある。
【0007】
したがって、膨大な組み合わせ数だけ理論的分光反射率の測定分布を生成のためには、計算量が多くなり処理時間がかかる。そのため、リアルタイム性と相反する結果となるという問題がある。
【0008】
また、それを解決するために最適化手法を導入する方法もあるが、必ずしも最適解に収束するという保証はない。
【0009】
また、特許文献1(特開平11−160028号公報)に開示されている技術でも、同様に膨大な理論的分光反射率の測定分布を生成する必要がある。
【0010】
本発明はこれらの事情にもとづいてなされたもので、半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による手段によれば、基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光して前記薄膜の膜厚をリアルタイムで測定する薄膜測定方法において、
前記薄膜の膜厚の測定に際しては、前記薄膜の反射光から分光反射強度の分布を測定し、この分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出し、この分光反射率に基づいて前記薄膜の測定をすることを特徴とする薄膜測定方法。
【0012】
また請求項2の発明による手段によれば、前記分光振幅反射率は、前記分光反射強度の分布の極小値に基づいて求めていることを特徴とする薄膜測定方法である。
【0013】
また請求項3の発明による手段によれば、前記薄膜の膜厚の測定に際しては、予め、既に堆積されている薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程と、
この測定工程により測定された分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出工程と、
この算出工程で算出された分光振幅反射率から特性行列を求める第1行列算出工程と、
新たに加工された薄膜についても同様のステップで前記新たに加工された薄膜の反射光から特性行列を求める第2行列算出工程と、
前記2つの特性行列から前記新たに加工された薄膜に依存する特性行列を算出する第3特性行列算出工程
とを有することを特徴とする薄膜測定方法である。
【0014】
また請求項4の発明による手段によれば、薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程では、光源および受光光学系および受光センサの分光特性を基準値により補正していることを特徴とする薄膜測定方法である。
【0015】
また請求項5の発明による手段によれば、基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光する受光部と、この受光部で受光した分光の分光反射率強度の分布を測定する測定手段を具えた薄膜測定装置において、
前記測定手段には、測定された分光反射率強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出手段と、この算出手段には行列特性を算出する行列算出手段を具えた演算部が接続されていることを特徴とする薄膜測定装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0017】
図1は本発明に係る膜厚測定装置の構成を示す模式構成図である。
【0018】
膜厚測定装置は、ステージ1上に載置された試料2ヘの照明光を出射するランプ3、ランプ3からの照明光を試料2ヘと導く照明光学系4、試料2からの反射光を受光部5に導く結像光学系6、試料2からの分光された反射光を受光する受光部5、受光部5からのアナログ信号である受光信号5sをデジタル信号の受光信号7sに変換するA/D変換部7、および受光信号7sに基づいて膜厚を算出する演算部8を有している。
【0019】
ランプ3は白色光を照明光学系4に向けて出射する光源であり、この膜厚測定装置ではハロゲンランプが用いられている。
【0020】
照明光学系4は、レンズ8、視野絞り9、レンズ11、ハーフミラー12および対物レンズ13を有しており、ランプ3からの照明光はレンズ8、視野絞り9およびレンズ11を順に介してハーフミラー12にて反射し、対物レンズ13を介して試料2上に集光されて照射される。したがって、ランプ3および照明光学系4がこの膜厚測定装置における照明の手段となっている。
【0021】
ステージ1は任意方向に移動可能とされており、ステージ1上の試料2の位置を調整することにより所望の位置を照明することができるようにされている。
【0022】
結像光学系6は、対物レンズ13、ハーフミラー12、レンズ14、ピンホール板15および凹面回折格子16を有しており、ハーフミラー12および対物レンズ13は照明光学系4と共有されている。試料2からの反射光は対物レンズ13を経由してハーフミラー12を透過し、レンズ14を介してピンホール板15に形成されているピンホールの位置に集光される。そして、ピンホール板15のピンホールを透過した反射光は凹面回折格子16にて分光されるとともに波長ことに受光部5の受光面上の異なった位置に集光される。
【0023】
受光部5は複数の受光素子を1列に配列して有しており、これらの受光素子は凹面回折格子16にて分光された反射光を波長ごとに受光するようになっている。また、各受光素子の受光量はアナログ信号の受光信号5sとなって受光部5から出力される。
【0024】
A/D変換部7はアナログ信号の受光信号5sをデジタル化するものであり、演算部8にて演算処理できるデジタル化された受光信号7sを出力する。
【0025】
演算部8は、受光部5で受光された反射光の分光反射率強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出手段と、この算出手段には行列特性を算出する行列算出手段を具えている。
【0026】
以上のような構成により、この膜厚測定装置では膜厚測定に際して、まずランプ3からの白色光である照明光を試料2に照射し、試料2からの反射光を凹面回折格子16にて分光し、分光された反射光を受光して波長ごとの光量すなわち分光強度を示す受光信号5sを生成する。
【0027】
次に、反射光の分光強度を示すデジタル信号である受光信号7sを演算部で演算処理することにより、試料2の表面上に形成された薄膜の膜厚を算出している。なお、演算部8はコンピュータ・システムを利用してソフトウェア的に構築されていてもよく、また専用の電気的回路として構成されていてもよい。
【0028】
図2は、演算部での動作を示すフローチャートである。
【0029】
試料2の薄膜の厚さの測定にあたっては、試料2は図3(a)に示すように、基板21の表面上に既に薄膜22が形成された最初の状態(堆積あるいは、エッチングの加工前)で、半導体製造装置(不図示)のチャンバ内のステージ1上に載置されている。その状態で、試料2に、ランプ3からの光を照明光学系4にて所定の光束に整えて照射する。試料2からの反射光はハーフミラー12により入射光と反射光の分離を行った後、凹面回折格子16により分光されて受光部5に入射する。それにより、試料2の初期状態の分光強度反射率I(λ)を測定する。なお、図3(b)に示すように、分光強度反射率分布は薄膜22の材質、厚さに応じて周期的な強弱を繰り返すような形状となるのが普通である。(測定工程:S1)
次に、求められた分光強度反射率I(λ)の分布から、極小波長での分光振幅反射率R(λ)を求める。(算出工程:S2)
なお、分光振幅反射率R(λ)には振幅比による反射率、薄膜厚や屈折率に応じた位相情報が含まれているが、受光部5のセンサによって測定された分光強度反射率I(λ)は、下記に(式1)で示すように、分光振幅反射率R(λ)の複素共役との積になっているため、膜厚の解析に必要な情報を含む位相情報が完全に欠落してしまっている。
【0030】
I(λ)=R(λ)・R*(λ) *は複素共役 (式1)
しかし、分光強度反射率I(λ)が極小を取る時は
分光振幅反射率R(λ)の虚部Im(R(λ))=0、実部Re(R(λ))<0
となることが分かっているため、分光強度反射率I(λ)が極小を取る場合の値を正とすると、このときの振幅反射率Rは、
R=−√I
となる。また振幅反射率Rには条件から虚部の成分が0であることが分かっているので、位相φも0である。つまり、初期状態の特性行列Mlは以下のように定義される。なお、特性行列は、薄膜の透過特性(入力に対する透過)を示す指標になるものである。
【数1】
(第1行列算出工程;S3)
また、特性行列からは以下のような式3で振幅反射率Rが得られる。
【数2】
このように特性行列にはA、B、CおよびDの4つの未知数があるが、上記の式2において、極小点のデータを4つ以上用意することで、解析的あるいは数値的にA、B、CおよびDを求めることができる。
【0031】
次に特性行列M2が不明の薄膜22を堆積あるいはエッチングした状態で同様に分光強度反射率I(λ)の分布を測定し(第2行列算出工程;S4)、この分光強度反射率分布から、極小波長での分光振幅反射率R(λ)を求める。(第2行列算出工程;S5)
さらに、全く同じ方法で特性行列Mを求める。(第2行列算出工程;S6)
上述のように、薄膜が堆積あるいはエッチングされた場合の総合的な特性行列の扱いは、特性行列の積で表されるから、例えば、図4(a)に模式図を示すように、特性行列Mmで表される薄膜22の表面にMnで表される薄膜23が堆積した場合の総合的な特性行列Mは、下記に式3で示すように積で表される。また、図4(b)に示すように、分光強度反射率分布は薄膜23の材質、厚さに応じて周期的な強弱を繰り返す
M=MnMm (式4)
これにより、初期の薄膜22の表面に更に薄膜23が堆積した場合の総合的特性行列Mは同様にして以下のように記述されることになる。
【0032】
M=M2M1 (式5)
前述のとおり、初期状態の特性行列Mlは既知であるので、これの逆行列M1 −1が得られるならば、後に堆積した薄膜23の特性行列M2は以下のように解析的に求めることが可能である。つまり、加工前の特性行列の逆行列を、加工後の特性行列の右側から掛け合わせれば、変化した膜厚分に依存する特性行列を求めることができる。
【0033】
M2=MM1 −1(=M2MM1 −1) (式6)
(第3行列算出工程;S7)
M2の要素が判明すれば堆積した薄膜23の厚さdを得ることが可能で、これで薄膜の膜厚測定の目的を達成したことになる。(第3行列算出工程;S8)
また以後、更に薄膜を堆積していく場合はこれを繰り返すことによってその都度、薄膜の厚さを算出することができる。
【0034】
なお、基板2上の複数層の薄膜を積層した場合、エッチングの際に、最上部の膜厚の測定に際して、最上部の薄膜とその下の薄膜との屈折率が異なる場合は、最上部の膜厚の測定については上述の方法をそのまま適用すればよいが、最上部の膜厚が除去されて、次の層の薄膜のエッチングに入った際の膜厚の算出は、次の層の薄膜の屈折率を勘案した式により算出する必要がある。
【0035】
また、試料2の分光反射率強度の測定に際しては、通常、光源(ランプ)の分光強度分布が図5に示すように、各波長(λ)に対して一様で分光器(凹面回折格子)もそれに対応していれば問題はないが、実際には、光源は図6(a)に示すような特性があるとし、また、受光部は図6(b)に示すような特性があるとすれば、測定結果は、図6(c)に示すようになる場合が想定される。これらの場合、光源や受光部の装置固有の特性が影響するため、全体の出力(Output(λ))は以下の式7のようになる。
【0036】
Output(λ)=I1(λ)×I2(λ)×I3(λ) (式7)
このような状態に対して、測定装置固有の特性を補正して、波長ごとの光学系の影響を排除する必要がある。図7は、装置固有の特性についての補正おこなう際の模式説明図である。
【0037】
この補正に際しては、まず、予め分光特性が分かっている例えば、ベアSi(Bare Si)を用いて、ランプ3で照射した反射光をハーフミラー12を介して分光器25で受光し、その受光結果によって測定装置の基準値を求め、試料2の薄膜を測定した際には、測定結果を基準値を用いて補正して測定装置の固有の特性を除去している。
【0038】
すなわち、予め、分光特性の分かっているBare Siに対して光源で照射して、分光器25で受光した基準値(Ref(λ))は、式7より、
Ref(λ)=I1(λ)×I2(λ)×Bare Si(λ)
(式8)
また、試料2(SampleA)を測定した値(Sample(λ))は、同様に式7より、
Sample(λ)=I1(λ)×I2(λ)×SampleA(λ)
(式9)
(式8)と(式9)から、
(Sample(λ)/Ref(λ))=(SampleA(λ)/×Bare Si(λ))
となり、
Sample(λ)=Ref(λ)×(SampleA(λ)/×Bare Si(λ))
なお、Bare Si(λ)は、複屈折率が既知で、それより理論的な分光反射率を求めることができるので、Sample(λ)を算出することができる。
【0039】
以上に説明したように、本発明によれば、従来用いられていたカーブフィッティングによる演算よりも少ない計算量で薄膜の特性をあらわす行列を求めることが可能である。
【0040】
また、最適化手法のような膜厚の推定値に頼る必要もなくなるため、精度のより測定をおこなうことができる。
【0041】
したがって、膜厚の測定のリアルタイム性が向上して、より高速に高精度な測定結果を得ることが可能となる。
【0042】
また、測定装置の固有の特性を補正して、波長ごとの光学系の影響を排除することができるので、精度のよい膜厚の測定をおこなうことができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る膜厚測定装置の構成を示す模式構成図。
【図2】本発明に係る膜厚測定装置の演算部での動作を示すフローチャート。
【図3】(a)は試料の説明図、(b)は試料の分光強度反射率分布のグラフ。
【図4】(a)は試料の説明図、(b)は試料の分光強度反射率分布のグラフ。
【図5】望ましいランプの分光強度分布のグラフ。
【図6】(a)はランプの分光強度分布の特性を示すグラフ、(b)は受光部の分光強度分布の特性を示すグラフ、(c)は測定結果の分光強度分布の特性を示すグラフ。
【図7】装置固有の特性についての補正おこなう際の模式説明図。
【図8】カーブフィッティング法による膜厚測定の原理の説明図。
【符号の説明】
1…ステージ、2…試料、3…ランプ、4…照明光学系、5…受光部、6…結像光学系、16…凹面回折格子、21…基板、22…薄膜、23…薄膜
Claims (5)
- 基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光して前記薄膜の膜厚をリアルタイムで測定する薄膜測定方法において、
前記薄膜の膜厚の測定に際しては、前記薄膜の反射光から分光反射強度の分布を測定し、この分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出し、この分光反射率に基づいて前記薄膜の測定をすることを特徴とする薄膜測定方法。 - 前記分光振幅反射率は、前記分光反射強度の分布の極小値に基づいて求めていることを特徴とする請求項1記載の薄膜測定方法。
- 前記薄膜の膜厚の測定に際しては、予め、既に堆積されている薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程と、
この測定工程により測定された分光反射強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出工程と、
この算出工程で算出された分光振幅反射率から特性行列を求める第1行列算出工程と、
新たに加工された薄膜についても同様のステップで前記新たに加工された薄膜の反射光から特性行列を求める第2行列算出工程と、
前記2つの特性行列から前記新たに加工された薄膜に依存する特性行列を算出する第3特性行列算出工程
とを有することを特徴とする薄膜測定方法。 - 薄膜の反射光から分光反射率の分布を測定する測定工程では、光源および受光光学系および受光センサの分光特性を基準値により補正していることを特徴とする請求項3記載の薄膜測定方法。
- 基板上に形成されている薄膜に対して、エッチング又は堆積による加工処理を施す際に、前記加工処理中に前記薄膜の反射光の分光を受光する受光部と、この受光部で受光した分光の分光反射率強度の分布を測定する測定手段を具えた薄膜測定装置において、
前記測定手段には、測定された分光反射率強度の分布から分光振幅反射率を算出する算出手段と、この算出手段には行列特性を算出する行列算出手段を具えた演算部が接続されていることを特徴とする薄膜測定装置。
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---|---|---|---|---|
JP2010002327A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Otsuka Denshi Co Ltd | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
WO2015112335A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Applied Materials, Inc. | Measurement of film thickness on an arbitrary substrate |
US9593940B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical measuring methods and apparatus |
JP2019500628A (ja) * | 2015-12-12 | 2019-01-10 | ザ セクレタリー,デパートメント オブ エレクトロニクス アンド インフォメーション テクノロジー(ディーイーアイティーワイ) | 薄膜における表面プロファイル及び/または厚さ測定値をモニターするためのシステム、装置、及び方法 |
KR20200105475A (ko) * | 2018-01-09 | 2020-09-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 막 두께 계측 장치, 막 두께 계측 방법, 막 두께 계측 프로그램, 및 막 두께 계측 프로그램을 기록하는 기록 매체 |
CN114383516A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-04-22 | 武汉颐光科技有限公司 | 一种薄膜厚度提取方法及*** |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010002327A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Otsuka Denshi Co Ltd | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
WO2015112335A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Applied Materials, Inc. | Measurement of film thickness on an arbitrary substrate |
US9593940B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical measuring methods and apparatus |
JP2019500628A (ja) * | 2015-12-12 | 2019-01-10 | ザ セクレタリー,デパートメント オブ エレクトロニクス アンド インフォメーション テクノロジー(ディーイーアイティーワイ) | 薄膜における表面プロファイル及び/または厚さ測定値をモニターするためのシステム、装置、及び方法 |
KR20200105475A (ko) * | 2018-01-09 | 2020-09-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 막 두께 계측 장치, 막 두께 계측 방법, 막 두께 계측 프로그램, 및 막 두께 계측 프로그램을 기록하는 기록 매체 |
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