JP2004115861A - Film-forming method, multilayered-film-forming method, film-forming apparatus and euv exposure device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film-forming method for easily realizing a highly precise film formation by using an inexpensive thickness-distribution control plate having a simple structure. <P>SOLUTION: The thickness-distribution control plate 11 is composed of overlapped unit control plates 21 and 23, and a composite opening 12 is formed by adjusting the overlapping angle so as to make a desired opening ratio on a circumference. The film-forming method includes sputtering a target material 2 while relatively rotating a substrate 1 and the thickness-distribution control plate 11, to form the film on the face 1a to be film-formed of the substrate 1. Meanwhile, a target-holding means 18 changes the target material 2 alternately to Mo and Si, to form a Mo/Si multilayer film on the face 1a to be film-formed of the substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法、多層膜成膜方法、成膜装置及びＥＵＶ露光装置に関する。特には、安価でかつ簡易な構成の膜厚分布制御板により、高精度の膜厚分布の制御が可能な成膜方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路素子の微細化のいっそうの進展に伴い、紫外線に代わって、波長１１〜１４ｎｍ程度の軟Ｘ線を使用する投影リソグラフィの開発が進められている（非特許文献１参照。）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、極紫外線）リソグラフィとも呼ばれている。このＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を有するリソグラフィ技術として期待されている。
【０００３】
この軟Ｘ線の波長帯では、物質の屈折率が１に非常に近いので、屈折を利用した従来の光学素子は使用できない。それに代わって、全反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光の位相を合わせることによりその反射光を多数重畳させて全体としては高い反射率を得る多層膜反射鏡などが使用される。
【０００４】
このような多層膜反射鏡においては、入射光の波長帯により、高い反射率を得るのに適した材質が異なる。例えば、１３．４ｎｍ付近の波長帯では、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いると、直入射で６７．５％の反射率を得ることができる。また、１１．３ｎｍ付近の波長帯では、Ｍｏ層とＢｅ（ベリリウム）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いると、直入射で７０．２％の反射率を得ることができる（非特許文献２参照。）。
【０００５】
ところで、反射鏡の表面におけるＥＵＶ光の入射角は、反射面内の位置によって異なる。したがって、多層膜の周期長（以下、膜厚とも書く。）は、反射面内の各部で異なり、ある傾向の分布をなす必要がある。膜厚分布を付ける方法としては、例えば、イオンビームスパッタリングにより多層膜の成膜を行う際に、成膜する基板の近傍に膜厚分布制御板を配置する方法がある。
【０００６】
以下に従来の多層膜成膜装置について説明する。
図７は、従来の多層膜成膜装置を模式的に示す図である。図７に示す真空容器５内には、反射鏡の母体である基板１と、ターゲット材２とが、互いに対面するように配置されている。この基板１とターゲット材２との間の基板１の表面（図における下面）の近傍には、膜厚分布制御板３が配置されている。
【０００７】
基板１は、軸ＡＸを中心として回転可能である。ターゲット材２は、図示せぬターゲット材保持手段によって保持されている。このターゲット保持手段においては、ターゲット材２は、Ｍｏターゲット又はＳｉターゲットに切り換え可能となっている。
膜厚分布制御板３は、点ＣＰを中心とする円形であり、開口４を有する（図８参照。後述。）。ここで、中心ＣＰは上記回転軸ＡＸ上にある。
【０００８】
ここで、膜厚分布制御板３について説明する。
図８は、従来の膜厚分布制御板の平面図である。図８に示す膜厚分布制御板３の開口４は、中心ＣＰを通る直線状のエッジ３ａ及び曲線状のエッジ３ｂと、点ＣＰを中心とする円弧であるエッジ３ｃとに囲まれている。ここで、曲線エッジ３ｂは、開口４の側に張り出すように（開口４の周上開口率を小さくするように）湾曲している。
【０００９】
なお、以下の説明において、周上開口率とは、膜厚制御板３上の点ＣＰを中心とする任意の円において、その円周のうち開口４に含まれる部分の割合を百分率で表したものである。例えば図８の半径ｒの円周上における周上開口率は、開口部４に含まれている円弧Ａ、Ａ’の全円周に対する割合であるので、以下のように表される。
（周上開口率）＝（Ａ＋Ａ’）÷（Ａ＋Ａ’＋Ｂ＋Ｂ’）×１００　（％）
ここで、Ａ＋Ａ’＋Ｂ＋Ｂ’＝２πｒである。なお、Ｂ及びＢ’は、膜厚分布制御板３の点ＣＰを中心とする半径ｒの円周上における遮蔽板の存在している部分の円弧の長さである。
【００１０】
次に、従来の成膜装置の作用について、再び図７を参照しつつ説明する。
図７の真空容器５には、動作ガス（スパッタリングガス）としてＡｒ（アルゴン）が導入されている。このＡｒガスは、励起され、Ａｒの陽イオンとなる。このＡｒ陽イオンはイオンビーム（図７中の矢印）としてターゲット材２に照射される。
すると、ターゲット材２がスパッタ（飛散）され、スパッタされた材料（飛散物質）は、図７の上方に向い、膜厚分布制御板３の開口４を通って基板１の表面に堆積する。基板１は、回転軸ＡＸを中心として回転しながら、成膜される。このとき、基板１上に成膜された膜の膜厚分布は、回転軸ＡＸを中心とする円の円周方向に均一になる。一方、径方向には、膜厚制御板３の周上開口率の分布に応じた膜厚分布が生じる。
【００１１】
【非特許文献１】
ダニエル・エイ・ティチノール（Ｄａｎｉｅｌ　Ａ．　Ｔｉｃｈｅｎｏｒ）、外２１名、「極紫外線実験装置の開発における最新状況（Ｒｅｃｅｎｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ａｎ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ＥＵＶＬ　ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｔｏｏｌ）」、「国際光工学会会報（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ）」、（米国）、国際光工学会（ＳＰＩＥ，　Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、１９９５年５月、第２４３７巻、ｐ．２９２
【非特許文献２】
クラウド・モンカー（Ｃｌａｕｄｅ　Ｍｏｎｔｃａｌｍ）、外５名、「極紫外線リソグラフィに用いる多層反射膜コーティング（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ｅｘｔｒｅｍｅ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」、「国際光工学会会報（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ）」、（米国）、国際光工学会（ＳＰＩＥ，　Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒＯｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、１９９８年６月、第３３３１巻、ｐ．４２
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の膜厚分布制御では、上記曲線エッジ３ｂの形状などを調整して、膜厚分布制御板の周上開口率を調整することで、半径方向の膜厚分布を制御している。
ところが、中心ＣＰに近づくほど同じ開口角に対応する円周の長さが短くなる。このため、膜厚分布制御板３の整形を行う際には、中心ＣＰの近傍において高い形状精度が要求される。
【００１３】
例えば、中心ＣＰから３ｍｍの位置では、角度１°（円周の約０．３％）に対する弧の長さは５２μｍである。そして、角度０．３°（円周の約０．１％）に対する弧の長さは１７μｍである。したがって、膜厚分布を０．１％よりも高精度で制御する場合には、直線エッジ３ａ及び曲線エッジ３ｂのプロフィルの形状精度を少なくとも１７μｍよりも高くする必要がある。しかしながら、実際に、エッジ３ａ、３ｂをこのような高精度で加工することは容易ではない。
【００１４】
上記の点に鑑み、本発明は、安価でかつ簡易な構成の膜厚分布制御板により、容易にかつ高精度な成膜を実現することのできる成膜方法、多層膜成膜方法、成膜装置を提供することを目的とする。
さらに、高精度の多層膜反射鏡を有するＥＵＶ露光装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の成膜方法は、膜を構成する物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する際に、前記基板表面の近傍に、飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板を配置し、前記基板と前記膜厚分布制御板とを回転中心周りに相対的に回転させながら、前記開口を通った前記飛散物質を前記基板表面に堆積させて、該表面上に回転対称形の膜厚分布を有する膜を成膜する方法であって、それぞれの開口プロフィルを有する複数枚の単位制御板を重ねて前記膜厚分布制御板を構成し、該単位制御板の重なり姿勢を変えることにより、それぞれの開口プロフィルの重なり合った合成開口プロフィルを得、該合成開口プロフィルの周上開口率の半径方向分布を変え、もって前記膜の膜厚分布を制御することを特徴とする。
【００１６】
この成膜方法によれば、膜厚分布制御板の単位制御板の重なり姿勢を変えて、合成開口プロフィルの前記回転中心周りの周上開口率を調整することにより、膜の半径方向の膜厚分布を容易に制御することができる。そのため、膜厚分布制御板を加工しなおしたり、新たに作成する手間を省くことができる。そして、成膜後あるいは成膜中の膜厚分布の実測結果などに応じて、単位制御板の重なり姿勢を調整することにより、膜厚分布の制御を容易に行うことができる。
【００１７】
本発明の成膜方法においては、前記基板表面上に成膜した膜の膜厚分布の実測結果に基づいて、前記合成開口プロフィルの周上開口率の半径方向分布を変え、もって次に行う成膜における膜厚分布を制御することができる。
【００１８】
この場合、成膜後の膜厚分布の実測結果に応じて単位制御板の重なり姿勢を調整し、次に行う成膜における膜厚分布を制御する。これにより、所望の膜厚分布を簡易に実現することが可能になる。
【００１９】
本発明の成膜方法においては、前記複数枚の単位制御板の前記回転中心に対する重ね合わせ角度を変えて該単位制御板の重なり姿勢を変えることができる。
【００２０】
この場合、単位制御板を相対回転させることで、単位制御板の重なり姿勢を調整する。そのため、膜厚分布の制御がより簡易である。なお、後述するように、この方法によれば、単位制御板の開口の加工精度が比較的低い場合でも、各単位制御板の開口を重ね合わせることにより形成される合成開口プロフィルを高精度に調整できる。
【００２１】
本発明の多層膜成膜方法は、基板表面上に、屈折率の異なる２種類以上の物質を一定の周期長で積層してなる多層膜を成膜する方法であって、前記基板表面上に堆積させる前記飛散物質を切り換えながら、該基板表面上に多層膜を成膜するようにしてもよい。
【００２２】
この多層膜成膜方法によれば、容易に所望の膜厚分布とした高精度な膜を基板表面上に積層して多層膜を成膜することができ、例えば、ＥＵＶリソグラフィに最適なＭｏ／Ｓｉ多層膜やＭｏ／Ｂｅ多層膜を高精度に成膜した反射鏡を容易かつ安価に作製することができる。
【００２３】
本発明の成膜装置は、ターゲット材の物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する成膜装置であって、前記ターゲット物質からなるターゲット材を保持するターゲット保持手段と、前記ターゲット材からの飛散物質が前記基板表面に堆積するような位置において該基板を保持する基板保持手段と、前記基板表面に堆積させる前記飛散物質の膜厚分布を制御する膜厚分布制御手段と、を備え、該膜厚分布制御手段が、前記ターゲット材と前記基板表面との間に介在して前記飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板と、該膜厚分布制御板と前記基板とを回転中心周りに相対的に回転させる回転手段と、を有し、前記膜厚分布制御板が、それぞれ開口プロフィルを有する複数枚の単位制御板を重ね合わせたものであり、前記単位制御板の重なり姿勢を変えることにより、該単位制御板のそれぞれの開口プロフィルの重なり合った合成開口プロフィルの前記回転中心周りの周上開口率の半径方向分布を調整可能となっていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の露光装置は、感応性樹脂を塗布した基板上にＥＵＶ光を選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、上記の成膜方法により成膜された反射膜を有する多層膜反射鏡を備えることを特徴とする。
【００２５】
この露光装置によれば、例えば、ＥＵＶリソグラフィに適したＭｏ／Ｓｉ多層膜やＭｏ／Ｂｅ多層膜を具備する反射鏡を光学系に備えることができるので、高精度な露光を実現することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明に係る成膜装置について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記の図７とほぼ共通する構成要素には、同一符号を用い、重複する説明を一部省略する。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
図２に示す成膜装置１０においては、真空容器５内に、反射鏡となる基板１と、成膜材料のターゲット材２とが、互いに対面するように配置されており、これら基板１とターゲット材２との間に膜厚分布制御板１１が配置されている。この膜厚分布制御板１１は、基板１の成膜面１ａの近傍に配置されている。
【００２８】
基板１は、反射面となる成膜面１ａを鉛直下方に向くように、基板保持手段１９により保持されている。基板保持手段１９は、基板１をつかむチャックや回転機構などを有している。ここで、膜厚分布制御板１１の中心ＣＰは、基板１の回転軸ＡＸ上に位置している。
【００２９】
なお、膜厚分布制御板１１については後述する。また、以下の説明で、膜厚分布制御板１１及び単位制御板２１、２３の中心はすべて回転軸ＡＸ上に配されるため、中心をＣＰとして統一する。
【００３０】
ターゲット材２は、基板１の真下に位置するように、ターゲット保持手段１８により保持されている。このターゲット保持手段は、ターゲット材料が基板１側に向かって飛散するようにターゲット材２を保持している。同ターゲット保持手段は、真空容器５内を真空引きしたまま、ターゲット材２のＭｏターゲットとＳｉターゲットとを連続してスパッタリングできるように切り換える機構を有する。
【００３１】
ここで、成膜装置１０の膜厚分布制御板１１について、図３〜図５を参照して説明する。膜厚分布制御板１１は、図３（ａ）に示す単位制御板２１と、図３（ｂ）に示す単位制御板２３とから構成されている。
図３は、膜厚分布制御板１１を構成する単位制御板２１、２３を示す平面図である。各単位制御板２１、２３は、０．１ｍｍ厚の円盤状のステンレス板にエッチング加工を施すことによって作成されたもので、互いの径は等しい（一例で直径５０ｍｍ。）。
【００３２】
図３（ａ）に示す単位制御板２１は、開口２２を有している。この開口２２は、中心ＣＰから外周付近まで延びる直線状のエッジ２１ａと２１ｂとに囲まれた扇形をしている。したがって、開口２２のプロフィルは、前記直線状のエッジ２１ａ、２１ｂと、前記両エッジの端点を結ぶ、扇形の弧のエッジ２１ｃとからなっている。
【００３３】
この扇形の開口２２の中心角θ１は、２７０°に設定されている。したがって、遮蔽部の中心角は９０°になるので、該単位制御板２１の周上遮蔽率及び周上開口率（定義は既述。）は、それぞれ次の式から求めることができる。
（周上遮蔽率）＝９０°÷３６０°×１００＝２５％
（周上開口率）＝（３６０°−９０°）÷３６０°×１００＝７５％
【００３４】
一方、図３（ｂ）に示す単位制御板２３は、開口２４を有している。この開口２４の開口プロフィルは、中心ＣＰから外周付近まで延びる直線エッジ２３ａ、及び、開口２４側に湾曲して張り出している曲線エッジ２３ｂ、前記両エッジの端点を結ぶ、単位制御板２３の中心ＣＰを中心とする円弧のエッジ２３ｃからなっている。
【００３５】
この直線エッジ２３ａと曲線エッジ２３ｂ（の接線）とのなす角θ２は、中心ＣＰ付近では２４０°、外周付近では２７０°、中心ＣＰと円弧エッジ２１ｃの間の中央部では２５０°のように設定されており、２４０°≦θ２≦２７０°の範囲で滑らかに変化している。
【００３６】
これらの単位制御板２１、２３は、互いに重ね合わせられた状態で、ホルダ（図示されていない。）内に設置されている。このホルダは、単位制御板２１、２３の外径と等しい内径を有する円筒体である。単位制御板２１、２３は、それぞれの中心が一致するように、ホルダの内部に嵌め込まれている。
【００３７】
各単位制御板２１、２３は、互いの相対的な重ね合わせ角度（以下、重ね合わせ角度と書く。）が所定の値になるように調整されて、ホルダの内部に保持される。単位制御板２１、２３の重ね合わせ角度は、単位制御板２３の外周縁に刻まれた角度目盛２５（図３（ｂ）参照。）を、単位制御板２１の対応する部位に形成された窓２６（図３（ａ）参照。）から確認しつつ、基準線２７を合わせることにより容易に調整することができる。
【００３８】
なお、ここで用いるホルダは、内筒と外筒を組み合わされた二重の円筒状になっていてもよい。この場合、単位制御板２１、２３は、それぞれ内筒と外筒の開口部に固定される。これにより、内筒と外筒とを相対的に同軸回転させるだけで単位制御板２１、２３の重ね合わせ角度を調整することが可能になる。
【００３９】
次に、上記２枚の単位制御板２１、２３を組み合わせた膜厚分布制御板１１の構成について説明する。
図４は、膜厚分布制御板を調整した状態の例を示す平面図である。図４に示すように、膜厚分布制御板１１の開口１２は、上記の単位制御板２１、２３の各開口２２、２４を重ね合わせられて形成されている。合成開口１２のプロフィルは、ホルダ内で単位制御板２１、２３を回転させて、相互に重なり合う部分を変化させることによって調整することができる。
【００４０】
図４（ａ）は、２枚の単位制御板２１、２３の各直線エッジ２１ａと２３ａとを一致させた場合をしめす。この場合、合成開口１２の角度（以下、開口角）Θは、曲線エッジ２３ｂを有する単位制御板２３の開口角θ２と等しくなる（２４０°≦Θ＝θ２≦２７０°）。
【００４１】
次に、図４（ｂ）は、図４（ａ）の状態から、曲線エッジ２３ｂを有する単位制御板２３を反時計回りに６０°回転させた状態を示している。このとき、両単位制御板の直線エッジ２１ａと２３ａとのなす角φ（遮蔽部の増加分）は、６０°である。したがって、膜厚分布制御板１１の合成開口１２の開口角Θ’は、１８０°から２１０°の範囲の値をとる（１８０°≦Θ’≦２１０°）。
【００４２】
図４（ｃ）は、図４（ｂ）の状態から、曲線エッジ２３ｂを有する単位制御板２３を反時計回りにさらに３０°（図４（ａ）の状態から９０°）回転させた状態を示している。このとき、直線エッジ２１ｂと２３ａとが一致している。したがって、膜厚分布制御板１１の合成開口１２の開口角Θ”は、１５０°から１８０°の範囲の値をとる（１５０°≦Θ”≦１８０°）。
【００４３】
次に、図４の膜厚分布制御板１１の周上開口率（定義は既述。）について説明する。
図５は、膜厚分布制御板の周上開口率の半径方向分布を示す図である。図５の横軸は、膜厚分布制御板１１の中心ＣＰからの距離（ｒ）であり、縦軸は、中心ＣＰから６ｍｍの位置の周上開口率を”１”としたときの相対的な周上開口率である。図５には、０（ｍｍ）≦ｒ≦１０（ｍｍ）の範囲について図示されている。
図５においては、図４に示す直線エッジ２１ａと直線エッジ２３ｂの、中心ＣＰにおける接線とのなす角（以下、中心開口角と書く。）が、９０°、１２０°、１５０°（図４（ｃ）に相当。）、１８０°（図４（ｂ））、２４０°（図４（ａ））と設定された場合の周上開口率が図示されている。
【００４４】
図５によると、膜厚分布制御板１１によって生じる周上開口率の分布は、中心ＣＰからカーブを描いて滑らかに上昇している。そして、中心開口角を狭くするほど、周上開口率の変化（カーブの傾き）が大きくなっている。
これは、膜厚分布制御板１１の中心開口角を変化させると、曲線エッジ２３ｂの湾曲によって生じている開口角の分布量が全開口角に対して占める割合が変化するためである。
【００４５】
この割合を実際に計算してみる。
前述したように、単位制御板２３の開口角θ２は、中心ＣＰ付近では、θ２（ＣＰ）＝２４０°、中心ＣＰと円弧エッジ２１ｃの間の中央部では、θ２（真中）＝２５０°である。ゆえに、この２つの点の間における開口角の角度差は、θ２（真中）−θ２（ＣＰ）＝１０°となる。
したがって、中心開口角が１５０°（図４（ｃ））、１８０°（図４（ｂ））と２４０°（図４（ａ））の３つ場合において、曲線エッジ２３ｂの湾曲によって生じている部分の開口角が全開口角に対して占める割合の値（百分率）を計算すると、次のようになる。
１０°÷１５０°×１００≒６．７（％）
１０°÷１８０°×１００≒５．６（％）
１０°÷２４０°×１００≒４（％）
【００４６】
ところで、前述のように、従来の成膜装置においては、膜厚分布制御板の成形の際に、特に中心ＣＰの近傍で高い形状精度が必要であった。これに対して、本実施形態においては、２枚の単位制御板２１、２３を同軸回転させることによって合成開口１２の周上開口率を調整している。
【００４７】
上記の計算によると、重ね合わせ角度を３０°乃至６０°変化させたときの曲線エッジ２３ｂの湾曲によって生じている部分の開口角が全開口角に対して占める割合の変化は、１％程度である。翻っていえば、合成開口１２の周上開口率を１％変化させるためには、重ね合わせ角度を３０°乃至６０°変化させればよい。
そして、重ね合わせ角度を３°の精度で制御できれば、周上開口率を０．１〜０．０５％の精度で変化させることができる。
ここで、例えば、膜厚分布制御板１１（すなわち、各単位制御板２１、２３）の直径を５０ｍｍとすると、角度３°（円周の約０．８％）に対する弧長は、約１．３ｍｍであり、単位制御板２１、２３の重なり具合を１．３ｍｍ程度の精度で行うことは容易である。
したがって、本実施形態によれば、膜厚分布制御板の周上開口率を高精度で調整することが容易にできる。
【００４８】
ここで、再び図２を参照しながら、成膜装置１０の構成について説明する。
図２に示す真空容器５には、動作ガス（スパッタリングガス）としてＡｒ（アルゴン）が導入されており、減圧され一定のガス圧に維持されている。このＡｒガスは、Ａｒ陽イオンに励起される。Ａｒ陽イオンは、イオンビーム（図２中の矢印）としてターゲット材２の表面に照射される。
【００４９】
すると、ターゲット材２がスパッタされ、膜厚分布制御板１１の合成開口１２を通って、基板１の成膜面１ａに堆積する。成膜装置１０においては、基板１と膜厚分布制御板１１とが、回転軸ＡＸを中心として相対的に回転しながら成膜される。このとき、基板１上に成膜された膜の膜厚分布は、回転軸ＡＸを中心とする円の円周方向に均一になる。一方、径方向には、膜厚制御板１１の周上開口率の分布に応じた膜厚分布が生じる。
【００５０】
本実施形態によれば、各単位制御板２１、２３を相互に回転させて、合成開口１２の形状を変化させることにより、膜厚分布制御板１１における周上開口率の半径方向分布を容易に調節することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、２枚の単位制御板２１、２３により膜厚分布制御板１１を構成するが、枚数はこれに限るものではなく、３枚以上の単位制御板を組み合わせて膜厚分布制御板を構成してもよい。また、単位制御板の開口プロフィルを画成するエッジの形状もこれに限るものではない。
【００５２】
以下に、ＥＵＶ露光装置１００で用いる反射鏡１１５（図１参照、後述。）の反射面に多層膜を成膜する例について、図２を参照しながら説明する。
この例では、基板１の成膜面１ａ上に、直径１６ｍｍの円形凹面のＭｏ／Ｓｉ多層膜をイオンビームスパッタにより成膜する。この際、真空容器５内の真空環境を維持したまま、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを切り換えながら、スパッタリングを行う。ここで、ＥＵＶ露光装置１００の反射鏡１１５では、基板１の有効径（内径７ｍｍ、外径１５ｍｍ）の領域において膜厚分布を高精度に制御する必要がある。
【００５３】
本実施形態によれば、基板１の成膜面１ａに、高精度な膜厚分布を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜が成膜される。また、本実施形態によれば、成膜面１ａが凸面の場合にも、高精度な成膜を施すことが可能である。
【００５４】
次に、本発明の一実施形態に係る多層膜成膜方法について説明する。
成膜装置１０において、基板１の成膜面１ａにターゲット材２のターゲット材料を堆積させる効率（スパッタ率）は、膜厚分布制御板１１の合成開口１２のプロフィル（の広狭）によって大きく異なる。このため、基板１の成膜面１ａに成膜する膜厚分布に応じた周上開口率を設定すると共に、スパッタリング時間を設定することになる。
【００５５】
以下に、本実施形態に係る成膜方法を手順に沿ってまとめる。なお、以下の説明では、適宜図２〜図４を参照しつつ説明する。
まず、単位制御板２１、２３を重ねて膜厚分布制御板１１を構成し、それらの重ね合わせ角度を調整して、所望の周上開口率を有する合成開口１２を形成する。ここで、基板１の成膜面１ａの外周部と内周部とで大きな差をつける膜厚分布にする場合には、膜厚分布制御板１１の開口１２の中心開口角を小さく設定する。また、基板１の成膜面１ａの外周部と内周部とで大きな差のない膜厚分布にする場合には、膜厚分布制御板１１の開口１２の中心開口角を大きく設定する。
このとき、所望の膜厚が得られるように上記スパッタ率を考慮して、スパッタリング時間を設定する。
【００５６】
そして、基板１と膜厚分布制御板１１とを相対回転させつつ、ターゲット材２をスパッタし、基板１の成膜面１ａ上に成膜を行う。
【００５７】
この後に、基板１の成膜面１ａに成膜された膜厚分布を実測し、その実測結果に基づいて単位制御板２１、２３の相対的な重ね合わせ角度を微調整する。
例えば、上記実測の結果、所望の膜厚分布より外周部の膜厚が薄くなった場合には、中心開口角を小さくして、外周部分の開口角の割合を大きくする。これにより、所望の膜厚分布を得られるように調整することができる。
【００５８】
図６は、本発明の一実施形態に係る多層膜成膜方法による膜厚分布制御結果を説明する図である。図６の横軸は、基板１の成膜面１ａの中心ＣＰからの距離（ｒ）であり、縦軸は、成膜面１ａ上の周期長（膜厚）分布である。
ここでは、まず、図６中に示す目的領域Ａの膜厚分布を得るため、膜厚分布制御板１１の開口１２の中心開口角を１８０°に設定したとする。
このときの実測結果が図６に示す曲線Ｂである。図６からわかるように、曲線Ｂは、成膜面１ａの外周部ほど薄くなっており、目的領域Ａの図中下側にはみ出してしまっている。
【００５９】
このため、単位制御板２１、２３の相対的な重ね合わせ角度を３０°変更して膜厚分布制御板１１の開口１２の中心開口角を１５０°に設定し直すとともに、スパッタリング時間を１．２倍にして、２回目の成膜を行った。
この場合、曲線Ｂのときと比べて、外周部ほど曲線エッジ２３ｂの湾曲によって生じている部分の開口角が全開口角に対して占める割合が大きくなっている。また、合成開口１２が狭くなった分、所望の膜厚を得るために、スパッタリング時間を長く設定する。
このときの実測結果が図６に示す曲線Ｃである。図６からわかるように、曲線Ｃは、目的領域Ａに収まっている。
【００６０】
そして、ターゲット保持手段１８によりターゲット材２を切り換えて、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを交互にスパッタして、基板１の成膜面１ａ上に成膜を行う。これにより、基板１の成膜面１ａに高精度な膜厚分布を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜を成膜することができる。
【００６１】
ここで、成膜装置１０が、成膜中に、基板１の成膜面１ａにおける膜厚分布を実測可能であれば、その成膜中に単位制御板２１、２３の相対的な重ね合わせ角度を調整できるようにしてもよい。また、ＭｏとＳｉとのそれぞれの成膜において、膜厚分布が異なるようにしてもよい。
【００６２】
このように本実施形態よれば、単位制御板２１、２３の相対的な重ね合わせ角度を変更して、開口１２の周上周上開口率を高精度に調整することができるので、基板１の成膜面１ａに成膜する膜厚分布を高精度に制御することができる。また、従来例のように、膜厚分布の実測結果に応じて膜厚分布制御板を作り直す必要がないし、開口部について高い形状精度を必要としない。したがって、成膜に係るコストを著しく低下させることができる。
【００６３】
以下に、本発明の一実施形態に係るＥＵＶ露光装置について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶ露光装置を示すブロック図である。なお、以下の説明において、上流側とは光路の上流側（光源に近い方）をいい、下流側とは光路の下流側（ウェハに近い方）をいう。
【００６４】
図１に示すＥＵＶ露光装置１００は、上流側にＸ線発生装置（レーザプラズマＸ線源）１０１を備えている。このＸ線発生装置１０１は、球状の真空容器１０２を備えており、この真空容器１０２の内部は、図示せぬ真空ポンプで排気されている。真空容器１０２内の図１の上側には、多層膜放物面ミラー１０４が設置されている。このミラー１０４の反射面１０４ａには、既述の成膜方法、装置により成膜したＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。
【００６５】
真空容器１０２の図中右方には、レンズ１０６が配置されている。このレンズ１０６は、レーザ光源（図示されず）から放出されたパルスレーザ光１０５を、多層膜放物面ミラー１０４の焦点位置に集光する。集光されたパルスレーザ光１０５が標的材料（Ｘｅ（キセノン）等）１０３に照射されることで、プラズマ１０７が生成され、このプラズマ１０７から１３ｎｍ付近の波長帯の軟Ｘ線（ＥＵＶ光）１０８が輻射される。
【００６６】
真空容器１０２の図中下部には、可視光をカットするＸ線フィルター１０９が設けられている。前記ＥＵＶ光１０８は、多層膜放物面ミラー１０４によって、図１の下方に反射されて、Ｘ線フィルター１０９を通過し、後段の露光チャンバー１１０に導かれる。このとき、ＥＵＶ光１０８の可視光帯域のスペクトルがカットされる。
【００６７】
なお、このＸ線発生装置１０１はレーザプラズマＸ線源を用いているが、放電プラズマＸ線源を採用することもできる。放電プラズマＸ線源においては、パルス高電圧の放電により標的材料をプラズマ化し、このプラズマからＸ線を輻射させる。
【００６８】
Ｘ線発生装置１０１の図１中下方には、露光チャンバー１１０が設置されている。露光チャンバー１１０の内部には、照明光学系１１３が配置されている。照明光学系１１３は、コンデンサ系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており（図１中では詳細は省略されている。）、Ｘ線発生装置１０１から入射したＥＵＶ光１０８を円弧状に整形し、図１中左方に向けて照射する。
【００６９】
照明光学系１１３の図１中左方には、反射鏡１１５が配置されている。この反射鏡１１５は、円形の凹面鏡であり、反射面１１５ａが図１中右側のなるように、図示せぬ保持部材により垂直に保持されている。反射鏡１１５の図１中右方には、光路折り曲げ反射鏡１１６が配置されている。この光路折り曲げ反射鏡１１６の図１中上方には、反射型マスク１１１が、反射面が下になるように水平に配置されている。照明光学系１１３から放出されたＥＵＶ光は、反射鏡１１５により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡１１６を介して、反射型マスク１１１の反射面に達する。
【００７０】
反射鏡１１５、１１６は、反射面が高精度に加工された、熱変形の少ない低熱膨張ガラス製の基板からなる。反射鏡１１５の反射面１１５ａには、Ｘ線発生装置１０１の多層膜放物面ミラー１０４の反射面と同様に、本発明に係る成膜方法・装置（詳細後述。）により成膜したＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質と、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ_４Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを組み合わせた多層膜でもよい。
【００７１】
反射型マスク１１１の反射面にも多層膜からなる反射膜が形成されている。反射型マスク１１１の反射膜には、ウェハ１１２に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。反射型マスク１１１は、図１中上方に図示されたマスクステージ１１７に取り付けられている。マスクステージ１１７は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡１１６で反射されたＥＵＶ光は、反射型マスク１１１上で順次走査される。
【００７２】
反射型マスク１１１の下方には、順に投影光学系１１４、ウェハ（感応性樹脂を塗布した基板）１１２が配置されている。投影光学系１１４は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク１１１によって反射されたＥＵＶ光を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小してウェハ１１２上に結像する。ウェハ１１２は、露光面が上方を向くように、ＸＹＺ方向に移動可能なウェハステージ１１８上に固定されている。
【００７３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、膜厚分布制御板の単位制御板の重なり姿勢を変えて合成開口プロフィルの周上開口率の半径方向分布を調整するので、膜厚分布を所望の半径方向分布とする高精度な成膜を容易に行うことができる。したがって、従来技術のように膜厚分布制御板を高精度に加工する必要がなく、また、作り直す必要もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＵＶ露光装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。
【図３】膜厚分布制御板を構成する単位制御板を示す平面図である。
【図４】膜厚分布制御板を調整した状態の例を示す平面図である。
【図５】膜厚分布制御板の周上開口率の半径方向分布を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る多層膜成膜方法による膜厚分布制御結果を説明するグラフである。
【図７】従来の多層膜成膜装置を模式的に示す図である。
【図８】従来の膜厚分布制御板の平面図である。
【符号の説明】
１　基板
１ａ　基板１の成膜面
２　ターゲット材
１０　成膜装置
１１　膜厚分布制御板
１８　ターゲット保持手段
１９　基板保持手段
２１、２３　単位制御板
１００　露光装置
１０１　Ｘ線発生装置
１１０　露光チャンバー
１１１　反射型マスク
１１２　ウェハ
１１５　多層膜反射鏡
１１５ａ　多層膜反射鏡１１５の反射面[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a film forming method, a multilayer film forming method, a film forming apparatus, and an EUV exposure apparatus. In particular, the present invention relates to a film forming method capable of controlling a film thickness distribution with high accuracy using a film thickness distribution control plate having an inexpensive and simple configuration.
[0002]
[Prior art]
With further progress in miniaturization of semiconductor integrated circuit elements, development of projection lithography using soft X-rays having a wavelength of about 11 to 14 nm instead of ultraviolet rays has been advanced (see Non-Patent Document 1). This technique has recently been called EUV (Extreme Ultraviolet) lithography. This EUV lithography is expected as a lithography technique having a resolving power of 70 nm or less, which cannot be realized by conventional optical lithography (wavelength of about 190 nm or more).
[0003]
In this soft X-ray wavelength band, the refractive index of the substance is very close to 1, so that a conventional optical element utilizing refraction cannot be used. Instead, oblique incidence mirrors that use total reflection, and multilayer reflectors that obtain high reflectivity as a whole by superimposing a large number of reflected light by adjusting the phase of weak reflected light at the interface are used. Is done.
[0004]
In such a multilayer reflector, materials suitable for obtaining a high reflectance differ depending on the wavelength band of the incident light. For example, in a wavelength band around 13.4 nm, when a Mo / Si multilayer film in which Mo (molybdenum) layers and Si (silicon) layers are alternately stacked is used, a reflectance of 67.5% can be obtained at direct incidence. it can. In the wavelength band around 11.3 nm, when a Mo / Be multilayer film in which Mo layers and Be (beryllium) layers are alternately laminated is used, a reflectance of 70.2% can be obtained at direct incidence (non-reflection). See Patent Document 2.).
[0005]
Incidentally, the incident angle of EUV light on the surface of the reflecting mirror differs depending on the position in the reflecting surface. Therefore, the cycle length (hereinafter also referred to as a film thickness) of the multilayer film is different at each portion in the reflection surface, and it is necessary to form a distribution having a certain tendency. As a method of providing a film thickness distribution, for example, there is a method of disposing a film thickness distribution control plate near a substrate on which a film is to be formed when forming a multilayer film by ion beam sputtering.
[0006]
Hereinafter, a conventional multilayer film forming apparatus will be described.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a conventional multilayer film forming apparatus. In a vacuum vessel 5 shown in FIG. 7, a substrate 1 which is a base of a reflecting mirror and a target material 2 are arranged so as to face each other. In the vicinity of the surface (lower surface in the figure) of the substrate 1 between the substrate 1 and the target material 2, a film thickness distribution control plate 3 is arranged.
[0007]
The substrate 1 is rotatable about an axis AX. The target material 2 is held by target material holding means (not shown). In this target holding means, the target material 2 can be switched to a Mo target or a Si target.
The film thickness distribution control plate 3 has a circular shape centered on the point CP and has an opening 4 (see FIG. 8; described later). Here, the center CP is on the rotation axis AX.
[0008]
Here, the film thickness distribution control plate 3 will be described.
FIG. 8 is a plan view of a conventional film thickness distribution control plate. The opening 4 of the film thickness distribution control plate 3 shown in FIG. 8 is surrounded by a straight edge 3a and a curved edge 3b passing through the center CP, and an edge 3c which is an arc centered on the point CP. Here, the curved edge 3b is curved so as to protrude toward the opening 4 (to reduce the aperture ratio on the periphery of the opening 4).
[0009]
In the following description, the on-peripheral aperture ratio is a percentage of a portion of the circumference included in the opening 4 in an arbitrary circle centered on the point CP on the film thickness control plate 3. Things. For example, the on-peripheral aperture ratio on the circumference of the radius r in FIG. 8 is a ratio to the entire circumference of the arcs A and A ′ included in the opening 4 and is expressed as follows.
(Aperture aperture ratio) = (A + A ′) ÷ (A + A ′ + B + B ′) × 100 (%)
Here, A + A ′ + B + B ′ = 2πr. Note that B and B ′ are the lengths of the arcs of the portion where the shielding plate exists on the circumference of the radius r around the point CP of the film thickness distribution control plate 3.
[0010]
Next, the operation of the conventional film forming apparatus will be described with reference to FIG. 7 again.
Ar (argon) is introduced as a working gas (sputtering gas) into the vacuum vessel 5 of FIG. The Ar gas is excited to become Ar cations. This Ar cation is irradiated to the target material 2 as an ion beam (arrow in FIG. 7).
Then, the target material 2 is sputtered (scattered), and the sputtered material (scattered substance) is directed upward in FIG. 7 and passes through the opening 4 of the film thickness distribution control plate 3 and deposits on the surface of the substrate 1. The substrate 1 is formed while rotating about the rotation axis AX. At this time, the film thickness distribution of the film formed on the substrate 1 becomes uniform in the circumferential direction of the circle around the rotation axis AX. On the other hand, in the radial direction, a film thickness distribution occurs according to the distribution of the aperture ratio on the periphery of the film thickness control plate 3.
[0011]
[Non-patent document 1]
Daniel A. Tichenor, 21 others, "Recent results in the development of an integrated EUVL laboratory tool", "Information on International Optical Engineering Society" SPIE) ", (USA), International Institute of Optical Engineering (SPIE, The International Society for Optical Engineering), May 1995, Vol. 2437, p. 292
[Non-patent document 2]
Cloud Monker, 5 others, "Multilayer reflective coatings for extreme-ultraviolette lithography", "Proceedings of International Society of Optical Engineering (ProceedingEs)," , International Institute of Optical Engineering (SPIE, The International Society for Optical Engineering), June 1998, Volume 3331, p. 42
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
In such conventional film thickness distribution control, the film thickness distribution in the radial direction is controlled by adjusting the shape of the curved edge 3b and the like and adjusting the aperture ratio on the periphery of the film thickness distribution control plate. .
However, the closer to the center CP, the shorter the circumference corresponding to the same opening angle. Therefore, when shaping the film thickness distribution control plate 3, high shape accuracy is required near the center CP.
[0013]
For example, at a position 3 mm from the center CP, the arc length for an angle of 1 ° (about 0.3% of the circumference) is 52 μm. The arc length for an angle of 0.3 ° (about 0.1% of the circumference) is 17 μm. Therefore, when controlling the film thickness distribution with a precision higher than 0.1%, the profile precision of the straight edge 3a and the curved edge 3b needs to be higher than at least 17 μm. However, it is not easy to actually process the edges 3a and 3b with such high precision.
[0014]
In view of the above points, the present invention provides a film forming method, a multilayer film forming method, and a film forming method capable of easily and accurately forming a film with a film thickness distribution control plate having an inexpensive and simple configuration. It is intended to provide a device.
It is another object of the present invention to provide an EUV exposure apparatus having a high-precision multilayer mirror.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a film forming method according to the present invention is characterized in that, when a material constituting a film is scattered and the material is deposited on a substrate surface to form a film, a scattered material is provided near the substrate surface. Arrange a film thickness distribution control plate having an opening through only a part of the, while rotating the substrate and the film thickness distribution control plate relatively around the center of rotation, the scattered substance passing through the opening A method of depositing a film having a rotationally symmetric film thickness distribution on a surface of a substrate by depositing a plurality of unit control plates having respective opening profiles on said surface. By forming a plate and changing the overlapping posture of the unit control plate, a synthetic aperture profile in which the respective aperture profiles overlap is obtained, and the radial distribution of the perimeter aperture ratio of the synthetic aperture profile is changed, whereby the film of the film is formed. Control the film thickness distribution It is characterized in.
[0016]
According to this film forming method, the film thickness in the radial direction of the film is adjusted by changing the overlapping posture of the unit control plate of the film thickness distribution control plate and adjusting the aperture ratio on the circumference around the rotation center of the synthetic aperture profile. The distribution can be easily controlled. Therefore, it is not necessary to rework the film thickness distribution control plate or to newly create the film thickness distribution control plate. Then, the film thickness distribution can be easily controlled by adjusting the overlapping posture of the unit control plates according to the actual measurement result of the film thickness distribution after or during the film formation.
[0017]
In the film forming method of the present invention, the radial distribution of the on-peripheral aperture ratio of the synthetic aperture profile is changed based on the actual measurement result of the film thickness distribution of the film formed on the substrate surface. The thickness distribution of the film can be controlled.
[0018]
In this case, the overlapping attitude of the unit control plates is adjusted according to the actual measurement result of the film thickness distribution after film formation, and the film thickness distribution in the next film formation is controlled. This makes it possible to easily achieve a desired film thickness distribution.
[0019]
In the film forming method of the present invention, the overlapping attitude of the unit control plates can be changed by changing the overlapping angle of the plurality of unit control plates with respect to the rotation center.
[0020]
In this case, the overlapping attitude of the unit control plates is adjusted by relatively rotating the unit control plates. Therefore, control of the film thickness distribution is easier. As will be described later, according to this method, even when the processing accuracy of the openings of the unit control plates is relatively low, the synthetic aperture profile formed by overlapping the openings of the unit control plates is adjusted with high accuracy. it can.
[0021]
The multilayer film forming method of the present invention is a method of forming a multilayer film formed by laminating two or more types of substances having different refractive indices on a substrate surface at a constant cycle length. A multilayer film may be formed on the substrate surface while switching the scattered substance to be deposited.
[0022]
According to this multilayer film forming method, a multilayer film can be formed by easily laminating a high-precision film having a desired film thickness distribution on a substrate surface. A reflector in which a Si multilayer film or a Mo / Be multilayer film is formed with high precision can be easily and inexpensively manufactured.
[0023]
The film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus that scatters a substance of a target material, deposits the substance on a substrate surface to form a film, and a target holding unit that holds a target material made of the target material. Substrate holding means for holding the substrate at a position where scattered substances from the target material are deposited on the substrate surface, and film thickness distribution control means for controlling the film thickness distribution of the scattered substance deposited on the substrate surface Wherein the film thickness distribution control means has an opening interposed between the target material and the substrate surface and through which only a part of the scattered substance passes, and the film thickness distribution control means. A rotation means for relatively rotating the control plate and the substrate around a rotation center, wherein the film thickness distribution control plate is obtained by superposing a plurality of unit control plates each having an opening profile. By changing the overlapping posture of the unit control plate, it is possible to adjust the radial distribution of the on-peripheral aperture ratio around the rotation center of the overlapping synthetic opening profile of the respective opening profiles of the unit control plate. Features.
[0024]
The exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that selectively irradiates EUV light onto a substrate coated with a photosensitive resin to form a pattern, and has a multilayer film having a reflective film formed by the above film forming method. It is characterized by having a reflecting mirror.
[0025]
According to this exposure apparatus, for example, a reflective mirror including a Mo / Si multilayer film or a Mo / Be multilayer film suitable for EUV lithography can be provided in the optical system, so that highly accurate exposure can be realized. .
[0026]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
The film forming apparatus according to the present invention will be described. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are used for components that are substantially the same as those in FIG. 7, and overlapping descriptions are partially omitted.
[0027]
FIG. 2 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to one embodiment of the present invention.
In a film forming apparatus 10 shown in FIG. 2, a substrate 1 serving as a reflecting mirror and a target material 2 of a film forming material are arranged in a vacuum vessel 5 so as to face each other. A film thickness distribution control plate 11 is arranged between the material 2 and the material 2. This film thickness distribution control plate 11 is arranged near the film forming surface 1 a of the substrate 1.
[0028]
The substrate 1 is held by the substrate holding means 19 so that the film forming surface 1a serving as a reflection surface faces vertically downward. The substrate holding means 19 has a chuck for holding the substrate 1 and a rotation mechanism. Here, the center CP of the film thickness distribution control plate 11 is located on the rotation axis AX of the substrate 1.
[0029]
The thickness distribution control plate 11 will be described later. In the following description, since the centers of the film thickness distribution control plate 11 and the unit control plates 21 and 23 are all arranged on the rotation axis AX, the centers are unified as CP.
[0030]
The target material 2 is held by the target holding means 18 so as to be located directly below the substrate 1. The target holding means holds the target material 2 so that the target material scatters toward the substrate 1 side. The target holding means has a mechanism for switching so that the Mo target and the Si target of the target material 2 can be continuously sputtered while the inside of the vacuum vessel 5 is evacuated.
[0031]
Here, the film thickness distribution control plate 11 of the film forming apparatus 10 will be described with reference to FIGS. The film thickness distribution control plate 11 includes a unit control plate 21 shown in FIG. 3A and a unit control plate 23 shown in FIG.
FIG. 3 is a plan view showing the unit control plates 21 and 23 constituting the film thickness distribution control plate 11. Each of the unit control plates 21 and 23 is formed by etching a disk-shaped stainless steel plate having a thickness of 0.1 mm, and has the same diameter (in an example, a diameter of 50 mm).
[0032]
The unit control plate 21 shown in FIG. The opening 22 has a fan shape surrounded by linear edges 21a and 21b extending from the center CP to the vicinity of the outer periphery. Therefore, the profile of the opening 22 is composed of the straight edges 21a and 21b and a fan-shaped arc edge 21c connecting the end points of the two edges.
[0033]
The central angle θ1 of the fan-shaped opening 22 is set to 270 °. Therefore, since the central angle of the shielding portion is 90 °, the on-peripheral shielding ratio and the on-peripheral opening ratio (the definition has been described above) of the unit control plate 21 can be obtained from the following equations.
(On-perimeter shielding ratio) = 90 ° 360 ° x 100 = 25%
(Aperture ratio) = (360 ° −90 °) ÷ 360 ° × 100 = 75%
[0034]
On the other hand, the unit control plate 23 shown in FIG. The opening profile of the opening 24 includes a straight edge 23a extending from the center CP to the vicinity of the outer periphery, a curved edge 23b curved and projecting toward the opening 24, and a center CP of the unit control plate 23 connecting the end points of the two edges. Is formed of an arc edge 23c centered at the center.
[0035]
The angle θ2 between the straight edge 23a and the curved edge 23b (tangent to) is set to 240 ° near the center CP, 270 ° near the outer periphery, and 250 ° at the center between the center CP and the arc edge 21c. And changes smoothly within the range of 240 ° ≦ θ2 ≦ 270 °.
[0036]
These unit control plates 21 and 23 are installed in a holder (not shown) in a state of being superimposed on each other. This holder is a cylindrical body having an inner diameter equal to the outer diameter of the unit control plates 21 and 23. The unit control plates 21 and 23 are fitted into the inside of the holder such that their centers match each other.
[0037]
Each of the unit control plates 21 and 23 is adjusted so that a relative overlapping angle (hereinafter, referred to as an overlapping angle) becomes a predetermined value, and is held inside the holder. The overlapping angle of the unit control plates 21 and 23 is determined by changing the angle scale 25 (see FIG. 3B) engraved on the outer peripheral edge of the unit control plate 23 by using a window formed in a corresponding portion of the unit control plate 21. 26 (see FIG. 3A), it is possible to easily adjust by adjusting the reference line 27.
[0038]
It should be noted that the holder used here may be a double cylinder in which the inner cylinder and the outer cylinder are combined. In this case, the unit control plates 21 and 23 are fixed to the openings of the inner cylinder and the outer cylinder, respectively. This makes it possible to adjust the superposition angle of the unit control plates 21 and 23 only by relatively rotating the inner cylinder and the outer cylinder coaxially.
[0039]
Next, the configuration of the film thickness distribution control plate 11 obtained by combining the two unit control plates 21 and 23 will be described.
FIG. 4 is a plan view showing an example of a state where the film thickness distribution control plate is adjusted. As shown in FIG. 4, the opening 12 of the film thickness distribution control plate 11 is formed by overlapping the openings 22 and 24 of the unit control plates 21 and 23 described above. The profile of the synthetic aperture 12 can be adjusted by rotating the unit control plates 21, 23 in the holder to change the overlapping portions.
[0040]
FIG. 4A shows a case where the straight edges 21a and 23a of the two unit control plates 21 and 23 are matched. In this case, the angle (hereinafter, opening angle) 合成 of the synthetic opening 12 is equal to the opening angle θ2 of the unit control plate 23 having the curved edge 23b (240 ° ≦ Θ = θ2 ≦ 270 °).
[0041]
Next, FIG. 4B shows a state in which the unit control plate 23 having the curved edge 23b is rotated counterclockwise by 60 ° from the state of FIG. 4A. At this time, the angle φ between the straight edges 21a and 23a of both unit control plates (the increase in the shielding portion) is 60 °. Therefore, the opening angle Θ ′ of the synthetic aperture 12 of the film thickness distribution control plate 11 has a value in the range of 180 ° to 210 ° (180 ° ≦ Θ ′ ≦ 210 °).
[0042]
FIG. 4C shows a state where the unit control plate 23 having the curved edge 23b is further rotated counterclockwise by 30 ° (90 ° from the state of FIG. 4A) from the state of FIG. 4B. Is shown. At this time, the straight edges 21b and 23a match. Therefore, the opening angle Θ ″ of the synthetic aperture 12 of the film thickness distribution control plate 11 takes a value in the range of 150 ° to 180 ° (150 ° ≦ Θ ″ ≦ 180 °).
[0043]
Next, the aperture ratio on the periphery of the film thickness distribution control plate 11 in FIG. 4 (the definition has been described above) will be described.
FIG. 5 is a diagram showing the radial distribution of the aperture ratio on the periphery of the film thickness distribution control plate. The horizontal axis in FIG. 5 is the distance (r) from the center CP of the film thickness distribution control plate 11, and the vertical axis is the relative aperture ratio when the peripheral aperture ratio at a position 6 mm from the center CP is “1”. High aperture ratio. FIG. 5 illustrates a range of 0 (mm) ≦ r ≦ 10 (mm).
In FIG. 5, angles formed by the straight edge 21a and the straight edge 23b shown in FIG. 4 with a tangent at the center CP (hereinafter, referred to as center opening angles) are 90 °, 120 °, and 150 ° (see FIG. c)), 180 ° (FIG. 4 (b)), and 240 ° (FIG. 4 (a)).
[0044]
According to FIG. 5, the distribution of the aperture ratio on the periphery generated by the film thickness distribution control plate 11 smoothly rises along a curve from the center CP. And, the narrower the central opening angle is, the larger the change of the aperture ratio on the periphery (the slope of the curve) is.
This is because, when the central opening angle of the film thickness distribution control plate 11 is changed, the ratio of the distribution amount of the opening angle caused by the curvature of the curved edge 23b to the total opening angle changes.
[0045]
Let's actually calculate this ratio.
As described above, the opening angle θ2 of the unit control plate 23 is θ2 (CP) = 240 ° near the center CP, and θ2 (middle) = 250 ° at the center between the center CP and the arc edge 21c. . Therefore, the angle difference of the opening angle between these two points is θ2 (middle) −θ2 (CP) = 10 °.
Therefore, in three cases where the central opening angle is 150 ° (FIG. 4 (c)), 180 ° (FIG. 4 (b)) and 240 ° (FIG. 4 (a)), it is caused by the curvature of the curved edge 23b. When the value (percentage) of the ratio of the opening angle of the portion to the total opening angle is calculated, it is as follows.
10 ° ÷ 150 ° × 100 ≒ 6.7 (%)
10 ° ÷ 180 ° × 100 ≒ 5.6 (%)
10 ° ÷ 240 ° × 100 ≒ 4 (%)
[0046]
By the way, as described above, in the conventional film forming apparatus, when the film thickness distribution control plate is formed, a high shape precision is required particularly in the vicinity of the center CP. On the other hand, in the present embodiment, the on-peripheral aperture ratio of the synthetic aperture 12 is adjusted by rotating the two unit control plates 21 and 23 coaxially.
[0047]
According to the above calculation, when the overlapping angle is changed by 30 ° to 60 °, the change in the ratio of the opening angle of the portion caused by the curvature of the curved edge 23b to the total opening angle is about 1%. . In other words, in order to change the on-peripheral aperture ratio of the synthetic aperture 12 by 1%, the overlapping angle may be changed by 30 ° to 60 °.
If the superposition angle can be controlled with an accuracy of 3 °, the aperture ratio on the periphery can be changed with an accuracy of 0.1 to 0.05%.
Here, for example, assuming that the diameter of the film thickness distribution control plate 11 (that is, each unit control plate 21, 23) is 50 mm, the arc length for an angle of 3 ° (about 0.8% of the circumference) is about 1. 3 mm, and it is easy to make the unit control plates 21 and 23 overlap with an accuracy of about 1.3 mm.
Therefore, according to the present embodiment, the aperture ratio on the periphery of the film thickness distribution control plate can be easily adjusted with high accuracy.
[0048]
Here, the configuration of the film forming apparatus 10 will be described with reference to FIG. 2 again.
Ar (argon) is introduced into the vacuum vessel 5 shown in FIG. 2 as an operating gas (sputtering gas), and is reduced in pressure and maintained at a constant gas pressure. This Ar gas is excited by Ar cations. Ar cations are irradiated on the surface of the target material 2 as an ion beam (arrow in FIG. 2).
[0049]
Then, the target material 2 is sputtered, passes through the synthetic opening 12 of the film thickness distribution control plate 11, and is deposited on the film forming surface 1a of the substrate 1. In the film forming apparatus 10, the substrate 1 and the film thickness distribution control plate 11 are formed while relatively rotating about the rotation axis AX. At this time, the film thickness distribution of the film formed on the substrate 1 becomes uniform in the circumferential direction of the circle around the rotation axis AX. On the other hand, in the radial direction, a film thickness distribution occurs according to the distribution of the aperture ratio on the periphery of the film thickness control plate 11.
[0050]
According to the present embodiment, the unit control plates 21 and 23 are rotated with respect to each other to change the shape of the synthetic aperture 12, so that the radial distribution of the on-peripheral aperture ratio in the film thickness distribution control plate 11 can be easily set. Can be adjusted.
[0051]
In the present embodiment, the film thickness distribution control plate 11 is constituted by the two unit control plates 21 and 23, but the number is not limited thereto, and the film thickness distribution control is performed by combining three or more unit control plates. A control plate may be configured. Further, the shape of the edge defining the opening profile of the unit control plate is not limited to this.
[0052]
Hereinafter, an example in which a multilayer film is formed on the reflecting surface of the reflecting mirror 115 (see FIG. 1 and described later) used in the EUV exposure apparatus 100 will be described with reference to FIG.
In this example, a Mo / Si multilayer film having a circular concave surface with a diameter of 16 mm is formed on the film forming surface 1a of the substrate 1 by ion beam sputtering. At this time, the sputtering is performed while switching the Mo target and the Si target while maintaining the vacuum environment in the vacuum vessel 5. Here, in the reflecting mirror 115 of the EUV exposure apparatus 100, it is necessary to control the film thickness distribution with high accuracy in the area of the effective diameter of the substrate 1 (inner diameter 7 mm, outer diameter 15 mm).
[0053]
According to the present embodiment, a Mo / Si multilayer film having a highly accurate film thickness distribution is formed on the film formation surface 1a of the substrate 1. Further, according to the present embodiment, even when the film formation surface 1a is a convex surface, it is possible to form a film with high accuracy.
[0054]
Next, a multilayer film forming method according to an embodiment of the present invention will be described.
In the film forming apparatus 10, the efficiency (sputtering rate) of depositing the target material of the target material 2 on the film forming surface 1a of the substrate 1 greatly differs depending on the profile (wide and narrow) of the synthetic opening 12 of the film thickness distribution control plate 11. Therefore, the aperture ratio on the periphery corresponding to the film thickness distribution to be formed on the film forming surface 1a of the substrate 1 and the sputtering time are set.
[0055]
Hereinafter, the film forming method according to the present embodiment will be summarized according to the procedure. In the following description, a description will be given with reference to FIGS.
First, the film thickness distribution control plate 11 is formed by superposing the unit control plates 21 and 23, and the overlapping angle thereof is adjusted to form the synthetic aperture 12 having a desired on-peripheral aperture ratio. Here, in the case where the film thickness distribution has a large difference between the outer peripheral portion and the inner peripheral portion of the film forming surface 1a of the substrate 1, the central opening angle of the opening 12 of the film thickness distribution control plate 11 is set small. Further, in the case where the film thickness distribution is not largely different between the outer peripheral portion and the inner peripheral portion of the film forming surface 1a of the substrate 1, the central opening angle of the opening 12 of the film thickness distribution control plate 11 is set large.
At this time, the sputtering time is set in consideration of the sputtering rate so that a desired film thickness is obtained.
[0056]
Then, the target material 2 is sputtered while the substrate 1 and the film thickness distribution control plate 11 are relatively rotated, and a film is formed on the film forming surface 1 a of the substrate 1.
[0057]
Thereafter, the distribution of the film thickness formed on the film forming surface 1a of the substrate 1 is actually measured, and the relative superposition angle of the unit control plates 21 and 23 is finely adjusted based on the measured result.
For example, as a result of the actual measurement, when the film thickness at the outer peripheral portion is smaller than the desired film thickness distribution, the central opening angle is reduced and the ratio of the opening angle at the outer peripheral portion is increased. Thereby, it can be adjusted so as to obtain a desired film thickness distribution.
[0058]
FIG. 6 is a diagram illustrating a result of controlling the film thickness distribution by the multilayer film forming method according to the embodiment of the present invention. The horizontal axis in FIG. 6 is the distance (r) from the center CP of the film forming surface 1a of the substrate 1, and the vertical axis is the cycle length (film thickness) distribution on the film forming surface 1a.
Here, first, it is assumed that the central opening angle of the opening 12 of the film thickness distribution control plate 11 is set to 180 ° in order to obtain the film thickness distribution of the target area A shown in FIG.
The measurement result at this time is a curve B shown in FIG. As can be seen from FIG. 6, the curve B becomes thinner toward the outer peripheral portion of the film forming surface 1 a and protrudes below the target area A in the figure.
[0059]
For this reason, the relative superposition angle of the unit control plates 21 and 23 is changed by 30 °, the center opening angle of the opening 12 of the film thickness distribution control plate 11 is reset to 150 °, and the sputtering time is reduced by 1.2. A second film formation was performed.
In this case, as compared with the case of the curve B, the ratio of the opening angle of the portion caused by the curvature of the curved edge 23b to the entire opening angle becomes larger toward the outer peripheral portion. In addition, the sputtering time is set to be long in order to obtain a desired film thickness as the synthetic opening 12 becomes narrow.
The measurement result at this time is a curve C shown in FIG. As can be seen from FIG. 6, the curve C falls within the target area A.
[0060]
Then, the target material 2 is switched by the target holding means 18, and the Mo target and the Si target are alternately sputtered to form a film on the film formation surface 1 a of the substrate 1. As a result, a Mo / Si multilayer film having a highly accurate film thickness distribution can be formed on the film formation surface 1a of the substrate 1.
[0061]
Here, if the film forming apparatus 10 can actually measure the film thickness distribution on the film forming surface 1a of the substrate 1 during the film forming, the relative superposition angle of the unit control plates 21 and 23 during the film forming. May be adjusted. In addition, the film thickness distribution may be different in each of the film formation of Mo and Si.
[0062]
As described above, according to the present embodiment, the relative superposition angle of the unit control plates 21 and 23 can be changed to adjust the aperture ratio on the upper periphery of the opening 12 with high accuracy. The distribution of the film thickness formed on the film forming surface 1a can be controlled with high accuracy. Further, unlike the conventional example, there is no need to rebuild the film thickness distribution control plate in accordance with the result of actual measurement of the film thickness distribution, and it is not necessary to have high shape accuracy for the opening. Therefore, the cost for film formation can be significantly reduced.
[0063]
Hereinafter, an EUV exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a block diagram showing an EUV exposure apparatus according to one embodiment of the present invention. In the following description, the upstream side refers to the upstream side of the optical path (closer to the light source), and the downstream side refers to the downstream side of the optical path (closer to the wafer).
[0064]
The EUV exposure apparatus 100 shown in FIG. 1 includes an X-ray generator (laser plasma X-ray source) 101 on the upstream side. The X-ray generator 101 includes a spherical vacuum vessel 102, and the inside of the vacuum vessel 102 is evacuated by a vacuum pump (not shown). On the upper side of FIG. 1 in the vacuum vessel 102, a multilayer parabolic mirror 104 is provided. On the reflection surface 104a of the mirror 104, a Mo / Si multilayer film formed by the above-described film forming method and apparatus is formed.
[0065]
A lens 106 is disposed on the right side of the vacuum container 102 in the drawing. The lens 106 focuses the pulsed laser light 105 emitted from a laser light source (not shown) at the focal position of the multilayer parabolic mirror 104. By irradiating the target material (Xe (xenon) or the like) 103 with the focused pulsed laser beam 105, a plasma 107 is generated. Is radiated.
[0066]
An X-ray filter 109 for cutting visible light is provided below the vacuum vessel 102 in the figure. The EUV light 108 is reflected downward in FIG. 1 by the multilayer parabolic mirror 104, passes through the X-ray filter 109, and is guided to the subsequent exposure chamber 110. At this time, the spectrum of the visible light band of the EUV light 108 is cut.
[0067]
Although the X-ray generator 101 uses a laser plasma X-ray source, a discharge plasma X-ray source can be used. In a discharge plasma X-ray source, a target material is turned into plasma by a pulsed high-voltage discharge, and X-rays are radiated from the plasma.
[0068]
An exposure chamber 110 is provided below the X-ray generator 101 in FIG. An illumination optical system 113 is disposed inside the exposure chamber 110. The illumination optical system 113 is configured by a condenser mirror, a fly-eye optical mirror, etc. (details are omitted in FIG. 1), and the EUV light 108 incident from the X-ray generator 101 is used. Is shaped into an arc shape and is irradiated leftward in FIG.
[0069]
A reflection mirror 115 is arranged on the left side of the illumination optical system 113 in FIG. The reflecting mirror 115 is a circular concave mirror, and is vertically held by a holding member (not shown) so that the reflecting surface 115a is on the right side in FIG. An optical path bending reflecting mirror 116 is disposed on the right side of the reflecting mirror 115 in FIG. A reflection type mask 111 is disposed horizontally above the optical path bending reflection mirror 116 in FIG. 1 so that the reflection surface faces downward. The EUV light emitted from the illumination optical system 113 is reflected and condensed by the reflecting mirror 115, and then reaches the reflecting surface of the reflective mask 111 via the optical path bending reflecting mirror 116.
[0070]
The reflecting mirrors 115 and 116 are made of a substrate made of a low thermal expansion glass with a small thermal deformation and a reflective surface processed with high precision. On the reflecting surface 115 a of the reflecting mirror 115, similarly to the reflecting surface of the multilayer parabolic mirror 104 of the X-ray generator 101, Mo / Mo formed by the film forming method and apparatus according to the present invention (details will be described later). A multilayer film of Si is formed. When X-rays having a wavelength of 10 to 15 nm are used, substances such as Mo (molybdenum), Ru (ruthenium), Rh (rhodium), Si, Be (beryllium), ₄ It may be a multilayer film in combination with a substance such as C (carbon tetraboride).
[0071]
A reflective film made of a multilayer film is also formed on the reflective surface of the reflective mask 111. On the reflective film of the reflective mask 111, a mask pattern corresponding to the pattern to be transferred to the wafer 112 is formed. The reflection type mask 111 is attached to a mask stage 117 shown in the upper part of FIG. The mask stage 117 is movable in at least the Y direction, and the EUV light reflected by the optical path bending reflecting mirror 116 is sequentially scanned on the reflective mask 111.
[0072]
Below the reflective mask 111, a projection optical system 114 and a wafer (substrate coated with a sensitive resin) 112 are arranged in this order. The projection optical system 114 includes a plurality of reflecting mirrors and the like, and forms an image on the wafer 112 by reducing the EUV light reflected by the reflective mask 111 to a predetermined reduction magnification (for example, １ ／). The wafer 112 is fixed on a wafer stage 118 movable in the XYZ directions so that the exposure surface faces upward.
[0073]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, the radial distribution of the aperture ratio on the circumference of the synthetic aperture profile is adjusted by changing the overlapping posture of the unit control plates of the film thickness distribution control plate. Can be easily formed with a desired distribution in the radial direction. Therefore, unlike the prior art, it is not necessary to process the film thickness distribution control plate with high accuracy, and it is not necessary to rework the plate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an EUV exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a unit control plate constituting the film thickness distribution control plate.
FIG. 4 is a plan view showing an example of a state in which a film thickness distribution control plate is adjusted.
FIG. 5 is a diagram showing a radial distribution of an aperture ratio on a periphery of a film thickness distribution control plate.
FIG. 6 is a graph illustrating a result of controlling a film thickness distribution by a multilayer film forming method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a conventional multilayer film forming apparatus.
FIG. 8 is a plan view of a conventional film thickness distribution control plate.
[Explanation of symbols]
1 substrate
1a Deposition surface of substrate 1
2 Target materials
10 Film forming equipment
11 Thickness distribution control plate
18 Target holding means
19 Substrate holding means
21, 23 Unit control board
100 Exposure equipment
101 X-ray generator
110 Exposure chamber
111 reflective mask
112 wafer
115 Multilayer reflector
115a Reflection surface of multilayer film reflection mirror 115

Claims (6)

膜を構成する物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する際に、
前記基板表面の近傍に、飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板を配置し、
前記基板と前記膜厚分布制御板とを回転中心周りに相対的に回転させながら、前記開口を通った前記飛散物質を前記基板表面に堆積させて、該表面上に回転対称形の膜厚分布を有する膜を成膜する方法であって、
それぞれの開口プロフィルを有する複数枚の単位制御板を重ねて前記膜厚分布制御板を構成し、
該単位制御板の重なり姿勢を変えることにより、それぞれの開口プロフィルの重なり合った合成開口プロフィルを得、
該合成開口プロフィルの周上開口率の半径方向分布を変え、もって前記膜の膜厚分布を制御することを特徴とする成膜方法。When the material constituting the film is scattered and the material is deposited on the substrate surface to form a film,
In the vicinity of the substrate surface, a film thickness distribution control plate having an opening through which only a part of the scattered substance passes is arranged,
While relatively rotating the substrate and the film thickness distribution control plate around the center of rotation, the scattered substance passing through the opening is deposited on the substrate surface, and a rotationally symmetric film thickness distribution is deposited on the surface. A method of forming a film having
The film thickness distribution control plate is configured by stacking a plurality of unit control plates having respective opening profiles,
By changing the overlapping posture of the unit control plate, a synthetic aperture profile in which the respective aperture profiles overlap is obtained,
A film forming method, characterized in that the radial distribution of the aperture ratio on the periphery of the synthetic aperture profile is changed to control the film thickness distribution of the film. 前記基板表面上に成膜した膜の膜厚分布の実測結果に基づいて、前記合成開口プロフィルの前記回転中心周りの周上開口率の半径方向分布を変え、もって次に行う成膜における膜厚分布を制御することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。Based on the actual measurement result of the film thickness distribution of the film formed on the substrate surface, the radial distribution of the aperture ratio around the rotation center of the synthetic aperture profile is changed, and the film thickness in the next film formation is performed. The method according to claim 1, wherein the distribution is controlled. 前記複数枚の単位制御板の前記回転中心に対する重ね合わせ角度を変えて該単位制御板の重なり姿勢を変えることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜方法。3. The film forming method according to claim 1, wherein an overlapping angle of the unit control plates is changed by changing an overlapping angle of the plurality of unit control plates with respect to the rotation center. 基板表面上に、屈折率の異なる２種類以上の物質を一定の周期長で積層してなる多層膜を成膜する方法であって、
前記基板表面上に堆積させる前記飛散物質を切り換えながら、請求項１から３のいずれかに記載の成膜方法により、該基板表面上に多層膜を成膜することを特徴とする多層膜成膜方法。A method of forming, on a substrate surface, a multilayer film formed by laminating two or more types of substances having different refractive indexes with a constant cycle length,
4. A multilayer film is formed on the substrate surface by switching the scattered substance deposited on the substrate surface by the film forming method according to claim 1. 5. Method. ターゲット材の物質を飛散させ、基板表面上に該物質を堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記ターゲット物質からなるターゲット材を保持するターゲット保持手段と、
前記ターゲット材からの飛散物質が前記基板表面に堆積するような位置において該基板を保持する基板保持手段と、
前記基板表面に堆積させる前記飛散物質の膜厚分布を制御する膜厚分布制御手段と、を備え、
該膜厚分布制御手段が、
前記ターゲット材と前記基板表面との間に介在して前記飛散物質の一部のみを通す開口を有する膜厚分布制御板と、
該膜厚分布制御板と前記基板とを回転中心周りに相対的に回転させる回転手段と、を有し、
前記膜厚分布制御板が、それぞれ開口プロフィルを有する複数枚の単位制御板を重ね合わせたものであり、
前記単位制御板の重なり姿勢を変えることにより、該単位制御板のそれぞれの開口プロフィルの重なり合った合成開口プロフィルの前記回転中心周りの周上開口率の半径方向分布を調整可能としたことを特徴とする成膜装置。A film forming apparatus that scatters a substance of a target material and deposits the substance on a substrate surface to form a film,
Target holding means for holding a target material made of the target material,
Substrate holding means for holding the substrate at such a position that scattered substances from the target material accumulate on the substrate surface,
Film thickness distribution control means for controlling the film thickness distribution of the scattered substance deposited on the substrate surface,
The film thickness distribution control means,
A film thickness distribution control plate having an opening interposed between the target material and the substrate surface and passing only a part of the scattered substance,
Rotating means for relatively rotating the film thickness distribution control plate and the substrate around a rotation center,
The film thickness distribution control plate is a stack of a plurality of unit control plates each having an opening profile,
By changing the overlapping posture of the unit control plate, it is possible to adjust the radial distribution of the on-peripheral aperture ratio around the rotation center of the overlapping synthetic opening profile of the respective opening profiles of the unit control plate. Film forming equipment. 感応基板上にＥＵＶ光を選択的に照射してパターン形成する露光装置であって、
請求項４に記載の方法により成膜された反射膜を有する多層膜反射鏡を備えることを特徴とする露光装置。An exposure apparatus for selectively irradiating EUV light onto a sensitive substrate to form a pattern,
An exposure apparatus comprising a multilayer mirror having a reflective film formed by the method according to claim 4.

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