JP2006194764A - Multilayer reflection mirror and exposure system - Google Patents

Multilayer reflection mirror and exposure system Download PDF

Info

Publication number
JP2006194764A
JP2006194764A JP2005007542A JP2005007542A JP2006194764A JP 2006194764 A JP2006194764 A JP 2006194764A JP 2005007542 A JP2005007542 A JP 2005007542A JP 2005007542 A JP2005007542 A JP 2005007542A JP 2006194764 A JP2006194764 A JP 2006194764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
roughness
range
light
multilayer
spatial period
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005007542A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriaki Kamitaka
典明 神高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2005007542A priority Critical patent/JP2006194764A/en
Publication of JP2006194764A publication Critical patent/JP2006194764A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer reflection mirror and exposure system capable of suppressing light quantity loss of reflection light even with simplification of fabrication os the surface (formation surface of the multilayer film) of a base plate. <P>SOLUTION: In a multilayer reflection mirror, a multilayer film reflecting light in soft X-ray region is formed on the surface of the base plate. RMS value of coarseness of the surface should be that the first coarseness component derived from the structure of spacial period 10 nm to 100 nm (coarseness component of a range B of which the spatial frequency (f) is larger than about 0.01/nm) is larger than the second coarseness component (coarseness component of a range A of which the spatial frequency (f) is smaller than about 0.01/nm) derived from the structure of spatial period 100 mn to 1,000 nm. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、軟Ｘ線領域で用いられる多層膜反射鏡および露光装置に関する。   The present invention relates to a multilayer mirror and an exposure apparatus used in a soft X-ray region.

半導体集積回路の微細化に伴い、リソグラフィ工程における解像力向上のために、紫外線領域より波長の短い軟Ｘ線領域（波長11nm〜14nm程度）の光を使用することが提案されている（例えば非特許文献１を参照）。軟Ｘ線領域の光はＥＵＶ光とも呼ばれる(Extreme Ultraviolet；極紫外線)。ＥＵＶ光を使用したリソグラフィ（ＥＵＶＬ）は、波長190nm程度以上の光を使用したリソグラフィでは不可能な“解像力50nm以下”を実現できる将来の技術として期待されている。   With the miniaturization of semiconductor integrated circuits, it has been proposed to use light in the soft X-ray region (wavelength 11 nm to 14 nm) having a wavelength shorter than the ultraviolet region in order to improve resolution in the lithography process (for example, non-patent) Reference 1). Light in the soft X-ray region is also called EUV light (Extreme Ultraviolet). Lithography using EUV light (EUVL) is expected as a future technology capable of realizing “resolution of 50 nm or less” that cannot be achieved by lithography using light having a wavelength of about 190 nm or more.

ところで、軟Ｘ線領域における物質の屈折率は１に非常に近いため、ＥＵＶＬの光学系には、屈折型ではなく反射型の光学素子が用いられる。ＥＵＶＬ用の反射型の光学素子として提案されている多層膜反射鏡は、基板の表面に多層膜を形成したものである（例えば特許文献１を参照）。そして、多層膜の界面での微弱な反射光の位相を合わせて多数重畳させることにより、全体として高い反射率を得ている。   By the way, since the refractive index of the substance in the soft X-ray region is very close to 1, an EUVL optical system uses a reflective optical element instead of a refractive type. A multilayer mirror that has been proposed as a reflective optical element for EUVL has a multilayer film formed on the surface of a substrate (see, for example, Patent Document 1). Then, a high reflectivity is obtained as a whole by superimposing a large number of weak reflected lights at the interface of the multilayer film.

また、ＥＵＶＬ用の多層膜反射鏡では、散乱光の発生による光量損失を抑えるため、基板の表面の粗さ（空間周期1000nm以下の微細な構造）が出来るだけ残らないように、多層膜を形成する表面に対して非常に高い精度で加工することが求められる。粗さを持つ表面では、光の波長が短くなると散乱光の強度が急激に（例えば波長の４乗に反比例して）増大するからである。   In addition, in the multilayer mirror for EUVL, in order to suppress the loss of light quantity due to the generation of scattered light, the multilayer film is formed so that the surface roughness of the substrate (fine structure with a spatial period of 1000 nm or less) does not remain as much as possible. It is required to process the surface to be processed with very high accuracy. This is because, on a surface having roughness, the intensity of scattered light increases abruptly (for example, in inverse proportion to the fourth power of the wavelength) as the wavelength of light becomes shorter.

ちなみに、散乱光は反射光の方向から大きく外れて結像領域に到達しないため、多層膜反射鏡の結像性能を低下させることはない。しかし、散乱光が発生した分だけ結像に寄与する光量（つまり反射光の光量）が少なくなる。このため、ＥＵＶＬでは、レジスト層を感光させるために長時間の露光が必要となり、スループットが低下する。散乱光の発生による光量損失を抑えるためには、表面の粗さを少なくとも0.2nmRMS以下まで低減する必要があると言われている。   Incidentally, the scattered light does not greatly deviate from the direction of the reflected light and does not reach the imaging region, so that the imaging performance of the multilayer reflector is not deteriorated. However, the amount of light that contributes to image formation (that is, the amount of reflected light) is reduced by the amount of scattered light generated. For this reason, EUVL requires long-time exposure to expose the resist layer, resulting in a decrease in throughput. It is said that the roughness of the surface needs to be reduced to at least 0.2 nm RMS or less in order to suppress the light amount loss due to the generation of scattered light.

さらに、ＥＵＶＬ用の多層膜反射鏡では、基板の表面（多層膜の形成面）に対して加工する際、ただ単に粗さを低減すればよい訳ではなく、基板の表面のうねり（空間周期1000nm〜1mmの構造）や、形状誤差（空間周期1mm以上の構造）も小さく抑える必要がある。
形状誤差が生じると、反射光の方向が理想的な方向から極僅かにずれ、多層膜反射鏡の結像性能が悪化して正確なパターンの結像が困難になる。うねりが生じると、形状誤差の場合よりも反射光の方向のずれが大きくなり、結像領域内に光が重なってフレアの原因となる。フレアが生じると、バックグラウンド光の強度が上昇し、像のコントラストが低下するため、レジスト層に良好なパターンを転写することが困難となる。 Further, in the multilayer reflector for EUVL, when processing the surface of the substrate (the surface on which the multilayer film is formed), it is not necessary to simply reduce the roughness, but the substrate surface waviness (spatial period 1000 nm). ~ 1mm structure) and shape errors (structures with a spatial period of 1mm or more) must be kept small.
When the shape error occurs, the direction of the reflected light is slightly deviated from the ideal direction, and the imaging performance of the multilayer reflector is deteriorated, so that it is difficult to form an accurate pattern. When waviness occurs, the deviation of the direction of the reflected light becomes larger than in the case of the shape error, and the light overlaps in the imaging region, causing flare. When flare occurs, the intensity of the background light increases and the contrast of the image decreases, making it difficult to transfer a good pattern to the resist layer.

このように、ＥＵＶＬ用の多層膜反射鏡では、基板の表面（多層膜の形成面）における形状誤差（空間周期1mm以上の構造）、うねり（空間周期1000nm〜1mmの構造）、粗さ（空間周期1000nm以下の構造）を全て低減できるように、その加工が行われる。形状誤差の低減によって結像性能が向上し、うねりの低減によってコントラストが向上し、粗さの低減によって反射光の光量損失を抑えることができる。加工した後の基板の理想的な表面は、フラクタル構造を持つと考えられる。   Thus, in the multilayer mirror for EUVL, the shape error (structure with a spatial period of 1 mm or more), undulation (structure with a spatial period of 1000 nm to 1 mm), roughness (space) on the surface of the substrate (formation surface of the multilayer film) The processing is performed so that all of the structures having a period of 1000 nm or less can be reduced. The imaging performance is improved by reducing the shape error, the contrast is improved by reducing the waviness, and the light loss of reflected light can be suppressed by reducing the roughness. The ideal surface of the substrate after processing is considered to have a fractal structure.

一般に、基板の加工は表面がフラクタル面となるように行われており、ＥＵＶ領域で使用されるシュバルツシルト光学系用の基板が、そのように加工されていることが報告されている（例えば非特許文献２を参照）。
特開２００４−９３４８３号公報 D.Tichenor,et al.,SPIE,Vol.2437(1995)p.292 E.M.Gullikson,et al.,SPIE,Vol.3676(1999)p.717 In general, the substrate is processed so that the surface becomes a fractal surface, and it is reported that the substrate for the Schwarzschild optical system used in the EUV region is processed in such a manner (for example, non-processing) (See Patent Document 2).
JP 2004-93483 A D. Tichenor, et al., SPIE, Vol. 2437 (1995) p.292 EMGullikson, et al., SPIE, Vol. 3676 (1999) p.717

しかしながら、基板の表面（多層膜の形成面）における形状誤差とうねりと粗さを全て低減することは困難であり、基板の加工に膨大な時間が必要となってしまう。中でも表面の粗さを低減することが特に難しく、基板の加工を短時間で行うために、その加工を単に簡略化すると、粗さの低減のみが不十分となって反射光の光量損失が大きくなり、好ましくない。   However, it is difficult to reduce all of the shape error, waviness and roughness on the surface of the substrate (the surface on which the multilayer film is formed), and enormous time is required for processing the substrate. In particular, it is particularly difficult to reduce the roughness of the surface. To simplify the processing of the substrate in a short time, if the processing is simply simplified, only the reduction of the roughness is insufficient, resulting in a large loss of reflected light. It is not preferable.

本発明の目的は、基板の表面（多層膜の形成面）の加工を簡略化しても、反射光の光量損失を抑えることができる多層膜反射鏡および露光装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multilayer film reflecting mirror and an exposure apparatus that can suppress the light loss of reflected light even if the processing of the surface of the substrate (the surface on which the multilayer film is formed) is simplified.

請求項１に記載の多層膜反射鏡は、軟Ｘ線領域の光を反射する多層膜が基板の表面に形成され、前記表面の粗さのRMS値は、空間周期10nm〜100nmの構造に由来する第１の粗さ成分が、空間周期100nm〜1000nmの構造に由来する第２の粗さ成分より大きいものである。
請求項２に記載の発明、請求項１に記載の多層膜反射鏡において、前記表面の粗さのRMS値は、前記第１の粗さ成分が、前記第２の粗さ成分の1.5倍以上である。 In the multilayer mirror according to claim 1, the multilayer film that reflects light in the soft X-ray region is formed on the surface of the substrate, and the RMS value of the roughness of the surface is derived from a structure having a spatial period of 10 nm to 100 nm. The first roughness component is larger than the second roughness component derived from the structure having a spatial period of 100 nm to 1000 nm.
2. The multilayer mirror according to claim 1, wherein the RMS value of the roughness of the surface is such that the first roughness component is 1.5 times or more of the second roughness component. It is.

請求項３に記載の露光装置は、軟Ｘ線領域の光を発生する光源と、前記光源からの光をマスクに導く第１光学系と、前記マスクからの光を感光性基板に導く第２光学系とを備え、前記第１光学系および/または前記第２光学系の少なくとも一部の光学素子は、請求項１または請求項２に記載の多層膜反射鏡である。   The exposure apparatus according to claim 3, a light source that generates light in a soft X-ray region, a first optical system that guides light from the light source to a mask, and a second that guides light from the mask to a photosensitive substrate. The multilayer optical reflector according to claim 1, wherein at least a part of the optical elements of the first optical system and / or the second optical system is an optical system.

本発明によれば、基板の表面（多層膜の形成面）の加工を簡略化しても、反射光の光量損失を抑えることができる。   According to the present invention, even if the processing of the surface of the substrate (the surface on which the multilayer film is formed) is simplified, it is possible to suppress the light amount loss of the reflected light.

以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１実施形態）
第１実施形態の多層膜反射鏡１０は、図１に示す通り、ＥＵＶ光を反射する多層膜１１が基板１２の表面に形成されたものである。多層膜反射鏡１０は、直入射近傍（入射角＜２０度）で使用される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the multilayer film reflecting mirror 10 of the first embodiment has a multilayer film 11 that reflects EUV light formed on the surface of a substrate 12. The multilayer mirror 10 is used in the vicinity of normal incidence (incident angle <20 degrees).

ＥＵＶ光の波長が13.5nm付近の場合、多層膜１１には、モリブデン(Ｍｏ)層とシリコン(Ｓｉ)層とを交互に積層したＭｏ/Ｓｉ多層膜を用いることが好ましい。この場合、直入射で６７.５％の反射率を得ることができる。また、ＥＵＶ光の波長が11.3nm付近の場合、多層膜１１には、Ｍｏ層とベリリウム(Ｂｅ)層とを交互に積層したＭｏ/Ｂｅ多層膜を用いることが好ましい。この場合、直入射で７０.２％の反射率を得ることができる。このような膜構成は、例えば、C.Montcalm,Proc.SPIE,Vol.3331(1998)p.42に記載されている。多層膜１１の形成には、例えばスパッタリング法が用いられる。   When the wavelength of EUV light is around 13.5 nm, the multilayer film 11 is preferably a Mo / Si multilayer film in which molybdenum (Mo) layers and silicon (Si) layers are alternately stacked. In this case, a reflectance of 67.5% can be obtained at normal incidence. When the wavelength of EUV light is around 11.3 nm, it is preferable to use a Mo / Be multilayer film in which Mo layers and beryllium (Be) layers are alternately stacked as the multilayer film 11. In this case, a reflectivity of 70.2% can be obtained at normal incidence. Such a film configuration is described in, for example, C. Montcalm, Proc. SPIE, Vol. 3331 (1998) p.42. For example, a sputtering method is used to form the multilayer film 11.

多層膜１１では、目的とする波長λ(nm)のＥＵＶ光に対して、図２の周期長ｄ（界面の間隔）を調整することにより、各界面での微弱な反射光の位相を合わせて多数重畳させ、全体として高い反射率を得ている。高い反射率を得るために必要な条件は、ＥＵＶ光の入射角θと、周期長ｄに物質の屈折率を掛けた光学的厚さｄ*とを用い、次の式(１)で表される。式(１)の左辺は各界面での反射光どうしの位相差(nm)である。 In the multilayer film 11, the phase of weak reflected light at each interface is adjusted by adjusting the period length d (interval spacing) in FIG. 2 with respect to EUV light having a target wavelength λ (nm). A large number of images are superimposed to obtain a high reflectivity as a whole. The conditions necessary to obtain a high reflectance are expressed by the following equation (1) using the incident angle θ of EUV light and the optical thickness d * obtained by multiplying the period length d by the refractive index of the substance. The The left side of Equation (1) is the phase difference (nm) between the reflected lights at each interface.

２×(ｄ*×cos(θ))＝λ …(１)
基板１２の材料には、石英ガラスや低熱膨張ガラスなどを用いることができる。また、低熱膨張ガラスには、酸化チタン(TiO2)を含むもの（例えばコーニング社製ULEなど）や、微結晶粒を含むもの（例えばショット社製Zerodurなど）がある。
そして、基板１２の表面（多層膜１１の形成面）に対する加工では、その表面における形状誤差(空間周期1mm以上の構造)、うねり(空間周期1000nm〜1mmの構造)、粗さ(空間周期1000nm以下の構造)を全て低減するのではなく、粗さの中でも空間周期100nm以下の特に微細な構造の低減を緩和して、それ以外の構造（つまり空間周期100nm以上の構造）を低減するようにしている。 2 × (d * × cos (θ)) = λ (1)
As the material of the substrate 12, quartz glass, low thermal expansion glass, or the like can be used. The low thermal expansion glass includes one containing titanium oxide (TiO 2 ) (for example, ULE made by Corning) and one containing fine crystal grains (for example, Zerodur made by Schott).
In the processing on the surface of the substrate 12 (formation surface of the multilayer film 11), the shape error (structure with a spatial period of 1 mm or more), undulation (structure with a spatial period of 1000 nm to 1 mm), roughness (spatial period of 1000 nm or less) on the surface In the roughness, the reduction of particularly fine structures with a spatial period of 100 nm or less is alleviated, and other structures (that is, structures with a spatial period of 100 nm or more) are reduced. Yes.

この場合、基板１２の表面の構造は、ＰＳＤ（Power Spectral Density）によって表すと、図３のようになっている。図３の横軸は空間周波数ｆ(/nm)であり、空間周期Ｌ(nm)の逆数に相当する。図３の縦軸はＰＳＤ(nm4)である。ＰＳＤは、基板１２の表面の構造を、空間周波数ｆ（つまり空間周期Ｌ）ごとの成分に分解して、各成分の密度を示したものである。 In this case, the structure of the surface of the substrate 12 is represented by PSD (Power Spectral Density) as shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 3 represents the spatial frequency f (/ nm), which corresponds to the reciprocal of the spatial period L (nm). The vertical axis in FIG. 3 is PSD (nm 4 ). The PSD indicates the density of each component by decomposing the structure of the surface of the substrate 12 into components for each spatial frequency f (that is, the spatial period L).

図３から分かるように、空間周波数ｆが0.01/nm付近より小さい範囲Ａ（つまり空間周期Ｌが100nm付近より大きい範囲）では、空間周波数ｆに対してＰＳＤが単調に減少する（つまり空間周期Ｌに対してＰＳＤが単調に増加する）ような変化を示し、各成分の密度が次式(２)のフラクタル係数で表される。この場合（空間周波数ｆ（つまり空間周期Ｌ）が上記の範囲Ａのとき）、基板１２の表面の構造は、フラクタル構造であるといえる。   As can be seen from FIG. 3, in the range A where the spatial frequency f is smaller than about 0.01 / nm (that is, the range where the spatial period L is larger than about 100 nm), the PSD monotonously decreases with respect to the spatial frequency f (that is, the spatial period L The density of each component is expressed by the fractal coefficient of the following equation (2). In this case (when the spatial frequency f (that is, the spatial period L) is in the above range A), it can be said that the structure of the surface of the substrate 12 is a fractal structure.

ＰＳＤ(ｆ)＝0.0003×ｆ-2 …(２)
これに対し、図３の空間周波数ｆが0.01/nm付近より大きい範囲Ｂ（つまり空間周期Ｌが100nm付近より小さい範囲）では、空間周波数ｆ（つまり空間周期Ｌ）に対してＰＳＤがほとんど変化せず、ほぼ一定値を示す。また、範囲Ｂの各成分の密度は、上記式(２)のフラクタル係数より大きい。フラクタル係数と一致する場合の各成分を範囲Ｂに点線で示した。空間周波数ｆ（つまり空間周期Ｌ）が範囲Ｂのとき、基板１２の表面の構造は、フラクタル構造ではない。 PSD (f) = 0.0003 × f −2 (2)
On the other hand, in the range B in which the spatial frequency f in FIG. 3 is larger than about 0.01 / nm (that is, the range in which the spatial period L is smaller than about 100 nm), the PSD changes almost with respect to the spatial frequency f (that is, the spatial period L). It shows almost constant value. Further, the density of each component in the range B is larger than the fractal coefficient of the above formula (2). Each component in the case where it coincides with the fractal coefficient is indicated by a dotted line in a range B. When the spatial frequency f (that is, the spatial period L) is in the range B, the structure of the surface of the substrate 12 is not a fractal structure.

このように、基板１２の表面に対する加工では、図３の範囲Ｂに含まれる特に微細な構造の低減を緩和して、各成分の密度が上記式(２)のフラクタル係数より大きくなるようにした。そして、それ以外の構造（範囲Ａに含まれる構造など）を低減して、各成分の密度が式(２)のフラクタル係数と一致するようにした。
表面の加工によって低減された構造は、形状誤差(空間周期1mm以上の構造)と、うねり(空間周期1000nm〜1mmの構造)と、粗さ(空間周期1000nm以下の構造)の中でも大きい方の範囲Ａの粗さ(空間周期100nm〜1000nmの構造)である。また、低減が緩和されて表面に残留している構造は、粗さ(空間周期1000nm以下の構造)の中でも特に微細な範囲Ｂの粗さ(空間周期10nm〜100nmの構造)である。 As described above, in the processing on the surface of the substrate 12, the reduction of the particularly fine structure included in the range B in FIG. 3 is alleviated so that the density of each component is larger than the fractal coefficient of the above formula (2). . Then, other structures (such as structures included in the range A) were reduced so that the density of each component coincided with the fractal coefficient of Equation (2).
The structure reduced by surface processing is the larger of shape error (structure with a spatial period of 1 mm or more), waviness (structure with a spatial period of 1000 nm to 1 mm), and roughness (structure with a spatial period of 1000 nm or less). This is the roughness of A (structure with a spatial period of 100 nm to 1000 nm). Further, the structure that is reduced and remains on the surface is the roughness in the fine range B (structure with a spatial period of 10 nm to 100 nm) among the roughness (structure with a spatial period of 1000 nm or less).

ここで、基板１２の表面の粗さ(空間周期1000nm以下の構造)をRMS値で表す。RMS値とは、二乗平均の平方根（root-mean-square value）であり、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって測定可能な量である。また、粗さのRMS値（以下「粗さσ(RMS)」という）は、次式(３)によりＰＳＤと関連づけられるため、ＰＳＤから計算によって求めることもできる。
σ2＝２π∫ＰＳＤ(ｆ)・ｆ・ｄｆ …(３)
基板１２の表面の粗さ(空間周期1000nm以下の構造)のＰＳＤが図３のような変化を示す場合、上記式(３)を用いて、範囲Ａ(空間周期100nm〜1000nm)における粗さσ(RMS)を計算すると「σ＝0.071nmRMS」となる。同様に、範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)における粗さσ(RMS)を計算すると「σ＝0.21nmRMS」となる。 Here, the roughness of the surface of the substrate 12 (structure having a spatial period of 1000 nm or less) is expressed by an RMS value. The RMS value is a root-mean-square value and is a quantity that can be measured by an atomic force microscope (AFM). Further, the RMS value of roughness (hereinafter referred to as “roughness σ (RMS)”) is related to the PSD by the following equation (3), and therefore can be calculated from the PSD.
σ 2 = 2π∫ PSD (f) · f · df (3)
When the PSD of the surface roughness (structure with a spatial period of 1000 nm or less) of the substrate 12 shows a change as shown in FIG. 3, the roughness σ in the range A (spatial period 100 nm to 1000 nm) is calculated using the above equation (3). When (RMS) is calculated, “σ = 0.071 nm RMS” is obtained. Similarly, when the roughness σ (RMS) in the range B (spatial period 10 nm to 100 nm) is calculated, “σ = 0.21 nm RMS” is obtained.

これら２つの計算結果を比較すると分かるように、基板１２の表面の粗さσ(RMS)は、範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)の構造に由来する第１の粗さ成分（0.21nmRMS）が、範囲Ａ(空間周期100nm〜1000nm)の構造に由来する第２の粗さ成分（0.071nmRMS）より大きくなっている。具体的には、第１の粗さ成分（0.21nmRMS）が、第２の粗さ成分（0.071nmRMS）の約３倍である。   As can be seen by comparing these two calculation results, the surface roughness σ (RMS) of the surface of the substrate 12 is the first roughness component (0.21 nm RMS) derived from the structure in the range B (spatial period 10 nm to 100 nm). , Larger than the second roughness component (0.071 nm RMS) derived from the structure in the range A (spatial period 100 nm to 1000 nm). Specifically, the first roughness component (0.21 nm RMS) is about three times the second roughness component (0.071 nm RMS).

このようなRMS値の差は、基板１２の表面における２つの粗さ成分を比較したときに、第１の粗さ成分（0.21nmRMS）の方が第２の粗さ成分（0.071nmRMS）より多く残留していることを示す。これは、表面を加工する際に、第２の粗さ成分（範囲Ａの粗さ）が低減され、第１の粗さ成分（範囲Ｂの粗さ）の低減が緩和された結果である。粗さ成分の残留の程度は、粗さσ(RMS)を指標として把握することができる。   When the two roughness components on the surface of the substrate 12 are compared, the first RMS component (0.21 nm RMS) is larger than the second roughness component (0.071 nm RMS). Indicates that it remains. This is a result of reducing the second roughness component (roughness of range A) and mitigating reduction of the first roughness component (roughness of range B) when processing the surface. The degree of residual roughness component can be grasped using roughness σ (RMS) as an index.

比較のために、表面の粗さ(空間周期1000nm以下の構造)のＰＳＤが全ての空間周期Ｌ（つまり空間周波数ｆ）において上記式(２)を満足する場合を説明する。このような表面は全成分の密度（ＰＳＤ）が式(２)のフラクタル係数と一致し、従来、加工した後の理想的な表面（目標加工面）と考えられていたものである。この場合、上記式(３)を用いて、範囲Ａ(空間周期100nm〜1000nm)における粗さσ(RMS)を計算すると「σ＝0.071nmRMS」となる。同様に、範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)における粗さσ(RMS)を計算すると「σ＝0.071nmRMS」となる。   For comparison, a case will be described in which the PSD of the surface roughness (structure having a spatial period of 1000 nm or less) satisfies the above formula (2) in all the spatial periods L (that is, the spatial frequency f). Such a surface has a density of all components (PSD) that matches the fractal coefficient of the formula (2), and has been conventionally considered as an ideal surface (target processed surface) after processing. In this case, when the roughness σ (RMS) in the range A (spatial period 100 nm to 1000 nm) is calculated using the above equation (3), “σ = 0.071 nm RMS” is obtained. Similarly, when the roughness σ (RMS) in the range B (spatial period 10 nm to 100 nm) is calculated, “σ = 0.071 nm RMS” is obtained.

これらの結果を比較すると分かるように、従来の目標加工面の粗さσ(RMS)は、範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)の構造に由来する第１の粗さ成分（0.071nmRMS）が、範囲Ａ(空間周期100nm〜1000nm)の構造に由来する第２の粗さ成分（0.071nmRMS）と等しくなっている。これは、表面を加工する際に、全ての粗さ成分が等しく低減された結果である。ちなみに、全ての粗さの空間周期(10nm〜1000nm)での粗さσ(RMS)は「0.12nmRMS」である。   As can be seen by comparing these results, the roughness σ (RMS) of the conventional target machining surface is the first roughness component (0.071 nm RMS) derived from the structure in the range B (spatial period 10 nm to 100 nm), This is equal to the second roughness component (0.071 nm RMS) derived from the structure in the range A (spatial period 100 nm to 1000 nm). This is a result of all the roughness components being equally reduced when processing the surface. Incidentally, the roughness σ (RMS) in the spatial period (10 nm to 1000 nm) of all roughnesses is “0.12 nm RMS”.

第１実施形態の多層膜反射鏡１０では、上記した従来の目標加工面とは異なり、図３の範囲Ｂの粗さ(空間周期10nm〜100nmの構造)の低減が緩和された結果、その表面に範囲Ｂの粗さ（第１の粗さ成分）が残留することになる。ただし、それ以外の構造（範囲Ａの粗さ(空間周期100nm〜1000nmの構造)など）は低減され、その表面に範囲Ａの粗さ（第２の粗さ成分）などが残留することはない。   In the multilayer-film reflective mirror 10 of the first embodiment, unlike the above-described conventional target processed surface, the surface roughness is reduced as a result of the reduction of the roughness (structure having a spatial period of 10 nm to 100 nm) in the range B in FIG. Thus, the roughness of the range B (first roughness component) remains. However, other structures (roughness of the range A (structure with a spatial period of 100 nm to 1000 nm)) are reduced, and the roughness of the range A (second roughness component) does not remain on the surface. .

このように、第１実施形態の多層膜反射鏡１０では、表面の形状誤差(空間周期1mm以上の構造)が従来の目標加工面と同じであるため、高い結像性能が得られる。うねり(空間周期1000nm〜1mmの構造)も同様であるため高いコントラストが得られる。また、範囲Ａの粗さ(空間周期100nm〜1000nmの構造)も低減されるため反射光の光量損失を抑えることができる。   Thus, in the multilayer-film reflective mirror 10 of the first embodiment, the surface shape error (structure with a spatial period of 1 mm or more) is the same as that of the conventional target processing surface, so that high imaging performance can be obtained. Since the undulation (structure with a spatial period of 1000 nm to 1 mm) is the same, high contrast can be obtained. In addition, since the roughness of the range A (structure with a spatial period of 100 nm to 1000 nm) is also reduced, it is possible to suppress the light amount loss of the reflected light.

さらに、第１実施形態の多層膜反射鏡１０では、範囲Ｂの粗さ(空間周期10nm〜100nmの構造)の低減を緩和したことにより、基板１２の表面の加工を簡略化することができる。そして、範囲Ｂの粗さの低減を緩和したことにより、基板１２の表面に範囲Ｂの粗さ（第１の粗さ成分）が残留した場合でも、反射光の光量損失が大きくなる（つまり散乱光の光量が大きくなる）ことはない。   Furthermore, in the multilayer-film reflective mirror 10 of the first embodiment, the processing of the surface of the substrate 12 can be simplified by reducing the reduction of the roughness in the range B (structure with a spatial period of 10 nm to 100 nm). Further, by reducing the reduction in the roughness of the range B, even when the roughness of the range B (first roughness component) remains on the surface of the substrate 12, the light amount loss of the reflected light increases (that is, scattering). The amount of light does not increase).

これは、基板１２の表面や多層膜１１の各界面における範囲Ｂの粗さによって発生した散乱光の位相が揃わずに、互いに弱め合うからである。この点について次に説明する。
図４に示す通り、各界面における散乱光の方向は、各界面における反射光の方向とは異なっている。さらに、多層膜１１の周期長ｄは、各界面で発生した反射光が強め合うように（上記式(１)を満たすように）調整されている。このため、各界面での散乱光については、次の式(４)から分かるように位相が揃わずに弱め合い、光量が低下する。 This is because the phases of the scattered light generated by the roughness of the range B at the surface of the substrate 12 and at each interface of the multilayer film 11 are not aligned and weaken each other. This point will be described next.
As shown in FIG. 4, the direction of scattered light at each interface is different from the direction of reflected light at each interface. Furthermore, the periodic length d of the multilayer film 11 is adjusted so that the reflected light generated at each interface is intensified (so that the above formula (1) is satisfied). For this reason, the scattered light at each interface is weakened because the phases are not aligned as can be seen from the following equation (4), and the amount of light is reduced.

(ｄ*×cos(θ))＋(ｄ*×cos(θ＋α))≠λ …(４)
また、散乱光の方向が反射光の方向から離れる（つまり散乱角度α(deg)が大きくなる）ほど、各界面での散乱光どうしの位相差（式(４)の左辺）が小さくなり、波長λとの差が増大し、その分だけ光量の低下も大きくなる。散乱角度αの基準(α＝０)は、反射光の方向である。 (d * × cos (θ)) + (d * × cos (θ + α)) ≠ λ (4)
In addition, as the direction of the scattered light is further away from the direction of the reflected light (that is, the scattering angle α (deg) becomes larger), the phase difference between the scattered lights at each interface (the left side of Equation (4)) becomes smaller, and the wavelength The difference from λ increases, and the decrease in the amount of light increases accordingly. The reference (α = 0) of the scattering angle α is the direction of the reflected light.

ここで、散乱角度α(deg)は、散乱光の発生に関わる各界面での構造の空間周期Ｌごとに決まっており、次の式(５)とＥＵＶ光の波長λとを用いて見積もることができる（ただしＬ≧λ）。式(５)から分かるように、傾向としては、空間周期Ｌが大きいほど散乱角度αが小さく、空間周期Ｌが小さいほど散乱角度αが大きくなる。
sin(α)＝λ/Ｌ …(５)
そして、ＥＵＶ光の波長λが13.5nmの場合に、範囲Ｂの粗さの空間周期Ｌ(＝10nm〜100nm)に対応する散乱角度αを見積もると、約１０度以上となる。この場合、第１実施形態の多層膜反射鏡１０では、基板１２の表面や多層膜１１の各界面に範囲Ｂの粗さが残留しても、範囲Ｂの粗さによって発生した散乱光の位相が揃わずに互いに弱め合うため、散乱角度αが約１０度以上の範囲で、散乱光の光量が大きくなることはない。 Here, the scattering angle α (deg) is determined for each spatial period L of the structure at each interface related to the generation of scattered light, and is estimated using the following equation (5) and the wavelength λ of EUV light. (Where L ≧ λ). As can be seen from equation (5), the tendency is that the larger the spatial period L, the smaller the scattering angle α, and the smaller the spatial period L, the larger the scattering angle α.
sin (α) = λ / L (5)
When the wavelength λ of EUV light is 13.5 nm, the scattering angle α corresponding to the spatial period L (= 10 nm to 100 nm) of the roughness in the range B is estimated to be about 10 degrees or more. In this case, in the multilayer mirror 10 of the first embodiment, the phase of the scattered light generated by the roughness of the range B even if the roughness of the range B remains on the surface of the substrate 12 or each interface of the multilayer film 11. Therefore, the amount of scattered light does not increase when the scattering angle α is in the range of about 10 degrees or more.

このような散乱光の光量（以下「散乱光強度Ｉ」）の角度分布は、ＥＵＶ光が入射角θ＝５度で多層膜１１に入射した場合、図５のように予想される。図５の横軸は散乱角度α(deg)を表し、縦軸は散乱光強度Ｉを表す。図５から分かるように、散乱光強度Ｉは、散乱角度αが大きいほど減少し、特に散乱角度αが１０度以上の範囲Ｃで急激に減少している。つまり、基板１２の表面や多層膜１１の各界面に図３の範囲Ｂの粗さが残留しても、範囲Ｃの散乱光強度Ｉが目立って大きくなることはないことを示している。   Such an angular distribution of the amount of scattered light (hereinafter “scattered light intensity I”) is predicted as shown in FIG. 5 when EUV light is incident on the multilayer film 11 at an incident angle θ = 5 degrees. The horizontal axis in FIG. 5 represents the scattering angle α (deg), and the vertical axis represents the scattered light intensity I. As can be seen from FIG. 5, the scattered light intensity I decreases as the scattering angle α increases, and particularly decreases rapidly in the range C where the scattering angle α is 10 degrees or more. That is, even if the roughness of the range B in FIG. 3 remains on the surface of the substrate 12 and each interface of the multilayer film 11, the scattered light intensity I in the range C does not increase significantly.

ちなみに、散乱角度αが約１０度以下の範囲は、空間周期Ｌが100nm以上の構造（範囲Ａの粗さなど）によって散乱光が発生する範囲である。本実施形態の多層膜反射鏡１０では、空間周期Ｌが100nm以上の構造（範囲Ａの粗さなど）は表面の加工により低減されているため、散乱角度αが約１０度以下の範囲で散乱光の光量が大きくなることはない。
ここで比較のために、１つの界面から発生する散乱光強度Ｉの角度分布を考える。直入射の場合、単位立体角あたりの散乱光強度Ｉの角度分布は、入射光強度Ｉ0と反射率Ｒとを用いて、次の式(６)で近似される。この式(６)から分かるように、１つの界面から発生する散乱光強度Ｉの角度分布は、その界面の構造（つまりＰＳＤ(ｆ)）に比例する。 Incidentally, the range in which the scattering angle α is about 10 degrees or less is a range in which scattered light is generated by a structure having a spatial period L of 100 nm or more (roughness in the range A, etc.). In the multilayer-film reflective mirror 10 of the present embodiment, since the structure having a spatial period L of 100 nm or more (roughness in the range A, etc.) is reduced by surface processing, the scattering angle α is scattered within a range of about 10 degrees or less. The amount of light does not increase.
Here, for comparison, consider the angular distribution of scattered light intensity I generated from one interface. In the case of normal incidence, the angular distribution of the scattered light intensity I per unit solid angle is approximated by the following equation (6) using the incident light intensity I 0 and the reflectance R. As can be seen from this equation (6), the angular distribution of the scattered light intensity I generated from one interface is proportional to the structure of the interface (that is, PSD (f)).

(Ｉ/Ｉ0)・(ｄＩ/ｄΩ)＝(１６π2/λ4)・Ｒ・ＰＳＤ(ｆ) …(６)
このため、界面の構造（つまりＰＳＤ(ｆ)）が図３のような変化を示す場合、その界面から発生する散乱光強度Ｉの角度分布は、図６に示すようになる。図３の空間周波数ｆが0.01/nm付近より小さい範囲Ａ（つまり空間周期Ｌが100nm付近より大きい範囲）は、図６の散乱角度αが１０度以下の範囲Ｄに対応する。また、図３の空間周波数ｆが0.01/nm付近より大きい範囲Ｂ（つまり空間周期Ｌが100nm付近より小さい範囲）は、図６の散乱角度αが１０度以上の範囲Ｅに対応する。 (I / I 0 ) · (dI / dΩ) = (16π 2 / λ 4 ) · R · PSD (f) (6)
Therefore, when the interface structure (that is, PSD (f)) changes as shown in FIG. 3, the angular distribution of the scattered light intensity I generated from the interface is as shown in FIG. A range A in which the spatial frequency f in FIG. 3 is smaller than about 0.01 / nm (that is, a range in which the spatial period L is larger than about 100 nm) corresponds to a range D in which the scattering angle α is 10 degrees or less in FIG. Further, a range B in which the spatial frequency f in FIG. 3 is larger than about 0.01 / nm (that is, a range in which the spatial period L is smaller than about 100 nm) corresponds to a range E in which the scattering angle α in FIG.

図６から分かるように、１つの界面から発生する散乱光強度Ｉの角度分布は、散乱角度αが１０度以下の範囲Ｄにおいて、散乱光強度Ｉが散乱角度αに対して単調に減少するような変化を示す。また、散乱角度αが１０度以上の範囲Ｅでは、散乱光強度Ｉが散乱角度αに対してほとんど変化せず、ほぼ一定値を示す。つまり、１つの界面から発生する散乱光強度Ｉは、範囲Ｂの粗さが残留していると、その分だけ増大することになる。図６には、範囲ＢのＰＳＤが上記式(２)を満足する場合の散乱光強度Ｉを範囲Ｅに点線で示した。   As can be seen from FIG. 6, the angular distribution of the scattered light intensity I generated from one interface is such that the scattered light intensity I decreases monotonously with respect to the scattering angle α in the range D where the scattering angle α is 10 degrees or less. Changes. In the range E where the scattering angle α is 10 degrees or more, the scattered light intensity I hardly changes with respect to the scattering angle α, and shows a substantially constant value. That is, if the roughness of the range B remains, the scattered light intensity I generated from one interface increases accordingly. In FIG. 6, the scattered light intensity I when the PSD in the range B satisfies the above formula (2) is indicated by a dotted line in the range E.

そして図６のような比較例とは異なり、本実施形態の多層膜反射鏡１０では、その散乱光強度Ｉの角度分布（図５）から分かるように、範囲Ｂの粗さが残留しても、範囲Ｂの粗さによって発生した散乱光の位相が揃わずに互いに弱め合うため、散乱角度αが１０度以上の範囲Ｃで、散乱光強度Ｉが大きくなることはない。図６の範囲Ｅの散乱光強度Ｉに対して図５の範囲Ｃの散乱光強度Ｉが減少した分は、多層膜１１の界面散乱における重ね合わせ効果による。   Unlike the comparative example shown in FIG. 6, in the multilayer mirror 10 of this embodiment, as can be seen from the angular distribution of the scattered light intensity I (FIG. 5), the roughness of the range B remains. Since the scattered light generated by the roughness of the range B does not have the same phase and weaken each other, the scattered light intensity I does not increase in the range C where the scattering angle α is 10 degrees or more. The amount of decrease in the scattered light intensity I in the range C in FIG. 5 with respect to the scattered light intensity I in the range E in FIG.

多層膜１１の界面散乱における重ね合わせ効果は、図５と図６の比較から分かるように、散乱角度αが１０度以上で顕著に現れ、１０度以下では殆ど現れない。このような重ね合わせ効果の現れ方の違いについて、多層膜１１の反射率の角度依存性（図７）から検討する。図７の横軸は反射角度θを表し、縦軸は反射率(％)を表す。図７では、多層膜１１をＭｏ/Ｓｉ多層膜とし、ＥＵＶ光を波長λ=13.5nmの無偏光として計算を行った。図７(ａ)〜(ｅ)は、各々、周期長ｄ=6.9nm，7.0nm，7.1nm，7.2nm，7.4nmにおける計算結果に対応する。   As can be seen from the comparison between FIG. 5 and FIG. 6, the superposition effect in the interfacial scattering of the multilayer film 11 appears remarkably when the scattering angle α is 10 degrees or more, and hardly appears when the scattering angle α is 10 degrees or less. The difference in the appearance of the overlay effect will be examined from the angle dependency of the reflectance of the multilayer film 11 (FIG. 7). The horizontal axis in FIG. 7 represents the reflection angle θ, and the vertical axis represents the reflectance (%). In FIG. 7, the calculation was performed assuming that the multilayer film 11 is a Mo / Si multilayer film and EUV light is non-polarized with a wavelength λ = 13.5 nm. FIGS. 7A to 7E correspond to calculation results at period lengths d = 6.9 nm, 7.0 nm, 7.1 nm, 7.2 nm, and 7.4 nm, respectively.

１つの計算結果（例えば図７(ｄ)）に注目すると、上記の式(１)を満たす反射角度θｐでは各界面での反射光どうしの位相が揃うため反射率がピークとなり、反射角度θｐからずれた反射角度θでは各界面での反射光どうしの位相が揃わないため反射率は低下する。そして、反射角度θｐからのずれ量が大きいほど、反射光どうしの位相差(nm)が大きくなり、反射率も低下する。   Focusing on one calculation result (for example, FIG. 7 (d)), the reflection angle peaks at the reflection angle θp satisfying the above equation (1) because the phases of the reflected light at each interface are uniform. At a shifted reflection angle θ, the reflectivity decreases because the phases of the reflected light at each interface are not aligned. As the amount of deviation from the reflection angle θp increases, the phase difference (nm) between the reflected lights increases and the reflectance also decreases.

反射角度θｐからのずれ量を反射光どうしの位相差(nm)に変換すると、図７は、図８のようになる。図８の横軸は位相差(nm)、縦軸は相対反射率を表す。位相差(nm)＝０は上記式(１)を満たす反射角度θｐに対応している。図８では、図７(ａ)〜(ｅ)に対応する各々の計算結果がほぼ重なっている。
図８から分かるように、各界面での反射光どうしの位相差が０.４nmの場合、相対反射率は１/３程度に低下し、位相差が０.６nmになると相対反射率は１/１０程度になる。また、このような傾向は各界面での散乱光にも当てはめて考えることができ、各界面での散乱光どうしの位相差が０.４nmの場合、その強度は１/３程度に低下し、位相差が０.６nmになると強度は１/１０程度になる。 When the amount of deviation from the reflection angle θp is converted into the phase difference (nm) between the reflected lights, FIG. 7 becomes as shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 8 represents the phase difference (nm), and the vertical axis represents the relative reflectance. The phase difference (nm) = 0 corresponds to the reflection angle θp that satisfies the above formula (1). In FIG. 8, the respective calculation results corresponding to FIGS. 7 (a) to 7 (e) almost overlap.
As can be seen from FIG. 8, when the phase difference between the reflected light at each interface is 0.4 nm, the relative reflectance is reduced to about 1/3, and when the phase difference is 0.6 nm, the relative reflectance is 1 / 10 or so. Such a tendency can also be applied to scattered light at each interface. When the phase difference between scattered lights at each interface is 0.4 nm, the intensity decreases to about 1/3, When the phase difference is 0.6 nm, the intensity is about 1/10.

このため、ＥＵＶ光が入射角θ＝５度で多層膜１１に入射した場合、各界面での散乱光に０.４nmの位相差を生じさせるためには、散乱角度αとして９度が必要である。つまり、散乱角度αが数度のときには多層膜１１における重ね合わせ効果が顕著に現れることはないが、散乱角度αが１０度近くなると多層膜１１における重ね合わせ効果によって散乱光強度Ｉが大きく低下する（図５）。   For this reason, when EUV light is incident on the multilayer film 11 at an incident angle θ = 5 degrees, 9 degrees is required as the scattering angle α in order to produce a phase difference of 0.4 nm in the scattered light at each interface. is there. That is, when the scattering angle α is several degrees, the superposition effect in the multilayer film 11 does not appear remarkably, but when the scattering angle α is close to 10 degrees, the scattered light intensity I greatly decreases due to the superposition effect in the multilayer film 11. (FIG. 5).

基板１２の表面や多層膜１１の各界面の粗さに由来する図５の散乱光強度Ｉ（つまり反射光の光量損失）を、図３の範囲Ａ(空間周期Ｌ100nm〜1000nm)と範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)でそれぞれ計算すると、範囲Ａに対応する散乱角度αが１０度以下の範囲では0.25％、範囲Ｂに対応する散乱角度αが１０度以上の範囲では0.20％となる。ただし、粗さが全く無い場合の多層膜１１の反射率を67％とした。   5 derived from the roughness of the surface of the substrate 12 and each interface of the multilayer film 11 (that is, the light loss of reflected light) is represented by the range A (spatial period L100 nm to 1000 nm) and range B (FIG. 3). When calculated with a spatial period of 10 nm to 100 nm, the scattering angle α corresponding to the range A is 0.25% when the scattering angle α is 10 degrees or less, and 0.20% when the scattering angle α corresponding to the range B is 10 degrees or more. However, the reflectance of the multilayer film 11 when there was no roughness was 67%.

この計算から分かるように、範囲Ｂの粗さ(空間周期10nm〜100nmの構造)によって生じる散乱光強度Ｉ（つまり反射光の光量損失）は、範囲Ａの粗さ(空間周期Ｌ100nm〜1000nmの構造)によって生じる散乱光強度Ｉ（つまり反射光の光量損失）と比較して、多層膜反射鏡１０の反射率低下への寄与が相対的に小さい。
したがって、本実施形態の多層膜反射鏡１０では、基板１２の表面を加工する際に、範囲Ｂの粗さ(空間周期10nm〜100nmの構造)の低減を緩和しても反射光の光量損失が大きくならないため、範囲Ｂの粗さの低減を緩和することにより、基板１２の表面の加工を簡略化することができる。 As can be seen from this calculation, the scattered light intensity I (that is, the light loss of reflected light) caused by the roughness of the range B (structure with a spatial period of 10 nm to 100 nm) is the roughness of the range A (structure with a spatial period of L100 nm to 1000 nm). ) Due to the scattered light intensity I (that is, the loss of light quantity of the reflected light), the contribution of the multilayer reflector 10 to lowering the reflectance is relatively small.
Therefore, in the multilayer mirror 10 of the present embodiment, when the surface of the substrate 12 is processed, the amount of reflected light is lost even if the reduction of the roughness of the range B (structure with a spatial period of 10 nm to 100 nm) is alleviated. Since it does not increase, the processing of the surface of the substrate 12 can be simplified by mitigating the reduction in the roughness of the range B.

上記のように、本実施形態の多層膜反射鏡１０では、表面の粗さを空間周期Ｌの異なる２つの成分（図３の範囲Ａの成分と範囲Ｂの成分）に分けて、空間周期Ｌが小さい方（範囲Ｂの成分）の低減を緩和し、そのRMS値を空間周期Ｌが大きい方（範囲Ａの成分）よりも大きくするため、基板１２の表面（多層膜１１の形成面）の加工を簡略化しても、反射光の光量損失を抑えることができる。   As described above, in the multilayer-film reflective mirror 10 of the present embodiment, the surface roughness is divided into two components having different spatial periods L (components in the range A and components in the range B in FIG. 3), and the spatial period L Of the surface of the substrate 12 (the surface on which the multilayer film 11 is formed) in order to mitigate the reduction of the smaller one (component of the range B) and make the RMS value larger than the one having the larger spatial period L (component of the range A). Even if the processing is simplified, it is possible to suppress the loss of reflected light.

基板１２の表面の加工を簡略化するため、基板１２の加工が容易になり、成膜前の基板１２の製造に関わる期間を短縮することができる。しかも、加工の際に低減が緩和された範囲Ｂの粗さ成分による反射光の光量損失は、従来の理想的な表面（つまり範囲Ａと範囲ＢのRMS値が等しい表面）における範囲Ｂの粗さ成分による光量損失と比較して、顕著に増大することはない。このため、優れた光学性能を有する多層膜反射鏡１０を短期間で製造することが可能となる。   Since the processing of the surface of the substrate 12 is simplified, the processing of the substrate 12 becomes easy, and the period related to the manufacture of the substrate 12 before film formation can be shortened. Moreover, the light loss of the reflected light due to the roughness component in the range B whose reduction has been mitigated during processing is the roughness in the range B on the conventional ideal surface (that is, the surface having the same RMS value in the range A and the range B). Compared with the light quantity loss due to the thickness component, there is no significant increase. For this reason, the multilayer-film reflective mirror 10 having excellent optical performance can be manufactured in a short period of time.

また、本実施形態の多層膜反射鏡１０において、基板１２の表面の粗さσ(RMS)は、範囲Ｂ(空間周期10nm〜100nm)の構造に由来する第１の粗さ成分（0.21nmRMS）が、範囲Ａ(空間周期100nm〜1000nm)の構造に由来する第２の粗さ成分（0.071nmRMS）の約３倍である。上記した具体例に限らず、第１の粗さ成分のRMS値を第２の粗さ成分のRMS値の１.５倍以上とする場合に、同様の効果を得ることができる。   In the multilayer-film reflective mirror 10 of the present embodiment, the surface roughness σ (RMS) of the substrate 12 is a first roughness component (0.21 nm RMS) derived from the structure in the range B (spatial period 10 nm to 100 nm). Is about three times the second roughness component (0.071 nm RMS) derived from the structure in the range A (spatial period 100 nm to 1000 nm). The same effect can be obtained when the RMS value of the first roughness component is not less than 1.5 times the RMS value of the second roughness component.

例えば図９に示すように、空間周波数ｆが0.01/nm付近より小さい範囲ＡではＰＳＤが式(２)で表され、空間周波数ｆが0.01/nm付近より大きい範囲ＢではＰＳＤが次式(７)で表される場合、範囲Ｂの構造に由来する第１の粗さ成分のRMS値は0.11nmRMSであり、範囲Ａの構造に由来する第２の粗さ成分のRMS値（0.071nmRMS）の１.５倍程度となるが、散乱損失光量は0.01％しか増大しない。このため、基板１２の表面の加工を簡略化でき、範囲Ｂの粗さ成分による反射光の光量損失を抑えることもできる。   For example, as shown in FIG. 9, in the range A where the spatial frequency f is smaller than about 0.01 / nm, the PSD is expressed by the equation (2), and in the range B where the spatial frequency f is larger than about 0.01 / nm, the PSD is expressed by the following equation (7 ), The RMS value of the first roughness component derived from the structure of range B is 0.11 nm RMS, and the RMS value of the second roughness component derived from the structure of range A (0.071 nm RMS) Although it is about 1.5 times, the amount of scattering loss increases only by 0.01%. For this reason, the processing of the surface of the substrate 12 can be simplified, and the light loss of reflected light due to the roughness component in the range B can be suppressed.

ＰＳＤ(ｆ)＝0.015×ｆ-2 …(７)
（第２実施形態）
ここでは、図１０を参照し、第１実施形態の多層膜反射鏡１０を用いた露光装置１００について説明する。露光装置１００は、波長５〜２０nm程度のＥＵＶ光を使用したリソグラフィ（ＥＵＶＬ）のシステムに組み込まれた縮小投影露光装置であり、投影光学系１０１を介して反射型マスク１０２のパターンの縮小像をウエハ１０３上に転写し、露光する。縮小投影露光装置は、半導体集積回路の製造工程において、高い処理速度を得ることができる。 PSD (f) = 0.015 × f −2 (7)
(Second Embodiment)
Here, with reference to FIG. 10, an exposure apparatus 100 using the multilayer-film reflective mirror 10 of the first embodiment will be described. The exposure apparatus 100 is a reduction projection exposure apparatus incorporated in a lithography (EUVL) system using EUV light having a wavelength of about 5 to 20 nm. A reduced image of the pattern of the reflective mask 102 is obtained via the projection optical system 101. The image is transferred onto the wafer 103 and exposed. The reduction projection exposure apparatus can obtain a high processing speed in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.

第２実施形態の露光装置１００には、ＥＵＶ光を発生する光源（レーザ源１０８,キセノンガス供給装置１０９）と、この光源(１０８,１０９)からの光を反射型マスク１０２に導く第１光学系（放物面ミラー１１３,集光ミラー１１４）と、反射型マスク１０２からの光を感光性基板（ウエハ１０３）に導く第２光学系（投影光学系１０１）とが設けられる。ＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光路は真空ポンプ１０７で真空に保たれた真空チャンバ１０６に囲まれている。   The exposure apparatus 100 of the second embodiment includes a light source (laser source 108, xenon gas supply device 109) that generates EUV light, and a first optical that guides light from the light source (108, 109) to the reflective mask 102. A system (parabolic mirror 113, condenser mirror 114) and a second optical system (projection optical system 101) for guiding light from the reflective mask 102 to the photosensitive substrate (wafer 103) are provided. Since EUV light has low permeability to the atmosphere, the optical path through which EUV light passes is surrounded by a vacuum chamber 106 that is kept in a vacuum by a vacuum pump 107.

ＥＵＶ光は、レーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなるレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源は、真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は、真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。窓１１１に代えて、レーザプラズマＸ線源が妨害を受けずに通過できる開口としても構わない。なお、キセノンガスを放出するノズル１１２によりゴミが生成される傾向があるので、真空チャンバ１１０は真空チャンバ１０６から分離されていることが好ましい。   EUV light is generated by a laser plasma X-ray source including a laser source 108 (acting as an excitation light source) and a xenon gas supply device 109. The laser plasma X-ray source is surrounded by a vacuum chamber 110. EUV light generated by the laser plasma X-ray source passes through the window 111 of the vacuum chamber 110. Instead of the window 111, an opening through which the laser plasma X-ray source can pass without being disturbed may be used. Note that the vacuum chamber 110 is preferably separated from the vacuum chamber 106 because dust tends to be generated by the nozzle 112 that discharges xenon gas.

レーザ源１０８は、例えば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどであり、紫外線より長い波長を持つパルスレーザ光を発生させる。レーザ源１０８からのレーザ光は集光されて、ノズル１１２から放出されるキセノンガスの流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射すると、レーザ光がキセノンガスを十分に加熱し、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの多価イオンが低いエネルギ状態に落ちる時、ＥＵＶ光の光子が放出される。   The laser source 108 is, for example, a YAG laser or an excimer laser, and generates pulsed laser light having a wavelength longer than that of ultraviolet rays. The laser light from the laser source 108 is condensed and applied to the flow of xenon gas emitted from the nozzle 112. When the flow of xenon gas is irradiated with laser light, the laser light sufficiently heats the xenon gas and generates plasma. When multivalent ions of xenon gas excited by a laser fall into a low energy state, photons of EUV light are emitted.

放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４は、表面にＥＵＶ光を反射する多層膜をそれぞれ備え、反射型マスク１０２に対する照明手段として機能する。放物面ミラー１１３はキセノンガス放出部の近傍に配置され、プラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する集光光学系を構成する。ＥＵＶ光は多層膜で反射されて、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。そして、集光ミラー１１４は反射型マスク１０２へとＥＵＶ光を集光、反射させて、反射型マスク１０２の所定の部分を照明する。   The parabolic mirror 113 and the condensing mirror 114 each include a multilayer film that reflects EUV light on the surface, and functions as an illumination unit for the reflective mask 102. The parabolic mirror 113 is disposed in the vicinity of the xenon gas emitting part, and constitutes a condensing optical system that condenses EUV light generated by the plasma. The EUV light is reflected by the multilayer film and reaches the condenser mirror 114 through the window 111 of the vacuum chamber 110. The condensing mirror 114 condenses and reflects the EUV light to the reflective mask 102 to illuminate a predetermined portion of the reflective mask 102.

反射型マスク１０２は、可動のマスクステージ１０４によって少なくともＸ−Ｙ平面内で下向きに支持されている。ＥＵＶ光は、反射型マスク１０２で反射され、反射型マスク１０２上のパターンが、次に説明する投影光学系１０１により、ウエハ１０３上に結像される。
投影光学系１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーから成る。これらの各ミラー１１５ａ〜１１５ｄは、第１実施形態の多層膜反射鏡１０と同様の構成であり、それぞれの光軸が互いに一致するように配置されている。 The reflective mask 102 is supported downwardly at least in the XY plane by a movable mask stage 104. The EUV light is reflected by the reflective mask 102, and a pattern on the reflective mask 102 is imaged on the wafer 103 by the projection optical system 101 described below.
The projection optical system 101 includes four reflecting mirrors: a concave first mirror 115a, a convex second mirror 115b, a convex third mirror 115c, and a concave fourth mirror 115d. Each of these mirrors 115a to 115d has the same configuration as that of the multilayer-film reflective mirror 10 of the first embodiment, and is arranged so that their optical axes coincide with each other.

投影光学系１０１を反射鏡で構成する場合、光軸が何度も折り返されることになり、折り返された光束と反射鏡とが空間的に干渉しないようにしなければならない。このため、光学系の開口数ＮＡに制約が生じる。図１０に示した４枚の反射鏡からなる投影光学系１０１の他、十分な解像力を得るためには、より大きな開口数ＮＡを得ることができる６枚の構成が有力である。   When the projection optical system 101 is constituted by a reflecting mirror, the optical axis is folded many times, and the folded light flux and the reflecting mirror must be prevented from spatially interfering with each other. For this reason, the numerical aperture NA of the optical system is restricted. In addition to the projection optical system 101 composed of the four reflecting mirrors shown in FIG. 10, in order to obtain a sufficient resolving power, six configurations capable of obtaining a larger numerical aperture NA are effective.

また、投影光学系１０１では、各ミラー１１５ａ〜１１５ｄによって決定される光路が妨げられるのを防ぐために、第１ミラー１１５ａ、第２ミラー１１５ｂ、第４ミラー１１５ｄに適当な切り欠きが設けられている（図１０において、ミラーの破線部分はそれぞれの切り欠き部分を示している）。
反射型マスク１０２により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、マスクパターンの縮小された像を形成する。この場合、ウエハ１０３の露光域内で所定の縮小率β（例えば１／４,１／５,１／６）で像が形成される。投影光学系１０１は、像側（ウエハ１０３の側）でテレセントリックになるように設定されている。 In the projection optical system 101, appropriate cutouts are provided in the first mirror 115a, the second mirror 115b, and the fourth mirror 115d in order to prevent the optical paths determined by the mirrors 115a to 115d from being obstructed. (In FIG. 10, the broken line portions of the mirrors show the respective cutout portions).
The EUV light reflected by the reflective mask 102 is sequentially reflected from the first mirror 115a to the fourth mirror 115d to form an image with a reduced mask pattern. In this case, an image is formed at a predetermined reduction ratio β (for example, 1/4, 1/5, 1/6) within the exposure area of the wafer 103. The projection optical system 101 is set to be telecentric on the image side (wafer 103 side).

ウエハ１０３は、好ましくはＸ,Ｙ,Ｚ方向に可動のウエハステージ１０５によって支持されている。ウエハ上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システム(１１３,１１４)により反射型マスク１０２の所定の領域に照射される。反射型マスク１０２とウエハ１０３は、投影光学系１０１に対して投影光学系１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、マスクパターンはウエハ１０３上の所定の露光範囲に露光される。   The wafer 103 is preferably supported by a wafer stage 105 movable in the X, Y, and Z directions. When exposing the die on the wafer, EUV light is irradiated onto a predetermined area of the reflective mask 102 by the illumination system (113, 114). The reflective mask 102 and the wafer 103 move with respect to the projection optical system 101 at a predetermined speed according to the reduction ratio of the projection optical system 101. In this way, the mask pattern is exposed to a predetermined exposure range on the wafer 103.

つまり、露光装置１００による露光は、典型的にはステップ・スキャンによりなされる。マスクパターンは連続的な部分（露光領域）に投影され、露光の間、マスクステージ１０４とウエハステージ１０５はそれぞれ相対的に位相を合わせて移動する。反射型マスク１０２とウエハ１０３とのスキャンは、投影光学系１０１に対して１自由度方向に行なわれる。反射型マスク１０２の全ての領域をウエハのそれぞれの領域に露光すると、ウエハ１０３のダイ上へのパターンの露光は完了する。次に、露光はウエハ１０３の次のダイへとステップして進む。   That is, exposure by the exposure apparatus 100 is typically performed by step scanning. The mask pattern is projected onto a continuous portion (exposure area), and the mask stage 104 and the wafer stage 105 move in phase with each other during exposure. Scanning of the reflective mask 102 and the wafer 103 is performed in the direction of one degree of freedom with respect to the projection optical system 101. When all areas of the reflective mask 102 are exposed to the respective areas of the wafer, pattern exposure onto the die of the wafer 103 is complete. Next, the exposure proceeds stepwise to the next die on the wafer 103.

なお、露光の際には、ＥＵＶ光の照射によりウエハ１０３上のレジストから生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハ１０３はパーティション１１６の後ろに配置されることが好ましい。パーティション１１６には開口１１６ａが形成され、開口１１６ａを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハ１０３へと照射される。また、パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。これは、上記のレジストから生じるガス状のゴミに起因する投影光学系１０１の光学性能の悪化を防止するためである。   During the exposure, the wafer 103 may be disposed behind the partition 116 so that gaseous dust generated from the resist on the wafer 103 by irradiation with EUV light does not affect the mirrors 115a to 115d. preferable. An opening 116a is formed in the partition 116, and EUV light is irradiated from the mirror 115d to the wafer 103 through the opening 116a. The space in the partition 116 is evacuated by a vacuum pump 117. This is to prevent deterioration of the optical performance of the projection optical system 101 due to gaseous dust generated from the resist.

第２実施形態の露光装置１００では、投影光学系１０１の各ミラー１１５ａ〜１１５ｄ（光学素子）を、第１実施形態の多層膜反射鏡１０により構成するため、次の効果を奏する。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄの基板１２の表面加工を簡略化することにより、各ミラー１１５ａ〜１１５ｄを短時間で製造できるため、露光装置１００の製造に関わる時間が短縮できる。その際、各ミラー１１５ａ〜１１５ｄにおいて表面の粗さによる反射光の光量損失が増大することはない。   In the exposure apparatus 100 according to the second embodiment, the mirrors 115a to 115d (optical elements) of the projection optical system 101 are configured by the multilayer film reflecting mirror 10 according to the first embodiment, so that the following effects are obtained. By simplifying the surface processing of the substrate 12 of each of the mirrors 115a to 115d, each of the mirrors 115a to 115d can be manufactured in a short time, so that the time involved in manufacturing the exposure apparatus 100 can be shortened. At that time, the light loss of reflected light due to the roughness of the surface of each of the mirrors 115a to 115d does not increase.

なお、上記した実施形態では、各ミラー１１５ａ〜１１５ｄを第１実施形態の多層膜反射鏡１０により構成したが、本発明はこれに限定されない。第１光学系（放物面ミラー１１３,集光ミラー１１４）および/または第２光学系（投影光学系１０１）の少なくとも一部の光学素子を、第１実施形態の多層膜反射鏡１０により構成する場合にも、本発明を適用できる。   In the above-described embodiment, each of the mirrors 115a to 115d is configured by the multilayer reflector 10 of the first embodiment, but the present invention is not limited to this. At least a part of the optical elements of the first optical system (parabolic mirror 113, condensing mirror 114) and / or the second optical system (projection optical system 101) is constituted by the multilayer film reflecting mirror 10 of the first embodiment. In this case, the present invention can be applied.

第１実施形態の多層膜反射鏡１０の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the multilayer film reflective mirror 10 of 1st Embodiment. 多層膜１１における反射光の光路を説明する図である。It is a figure explaining the optical path of the reflected light in the multilayer film. 基板１２のＰＳＤを示す図である。It is a figure which shows PSD of the board | substrate 12. FIG. 多層膜１１における散乱光の光路を説明する図である。It is a figure explaining the optical path of the scattered light in the multilayer film. 多層膜反射鏡１０で予想される散乱光強度Ｉの角度分布を示す図である。It is a figure which shows angle distribution of the scattered light intensity | strength I anticipated by the multilayer film reflective mirror 10. FIG. １つの界面から発生する散乱光強度Ｉの角度分布（比較例）を示す図である。It is a figure which shows angle distribution (comparative example) of the scattered light intensity | strength I which generate | occur | produces from one interface. 多層膜の反射率の角度依存性を示す図である。It is a figure which shows the angle dependence of the reflectance of a multilayer film. 多層膜の反射率の位相差依存性を示す図である。It is a figure which shows the phase difference dependence of the reflectance of a multilayer film. 基板１２のＰＳＤの別の例を示す図である。It is a figure which shows another example of PSD of the board | substrate 12. FIG. 第２実施形態の露光装置１００の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the exposure apparatus 100 of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 多層膜反射鏡
１１ 多層膜
１２ 基板
１００ 露光装置
１０１ 投影光学系
１０２ 反射型マスク
１０３ ウエハ
１０４ マスクステージ
１０５ ウエハステージ
１０６，１１０ 真空チャンバ
１０７，１１７ 真空ポンプ
１０８ レーザ源
１０９ キセノンガス供給装置
１１１ 窓
１１２ ノズル
１１３ 放物面ミラー
１１４ 集光ミラー
１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄ 反射ミラー
１１６ パーティション
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Multilayer film mirror 11 Multilayer film 12 Substrate 100 Exposure apparatus 101 Projection optical system 102 Reflective mask 103 Wafer 104 Mask stage 105 Wafer stage 106,110 Vacuum chamber 107,117 Vacuum pump 108 Laser source 109 Xenon gas supply apparatus 111 Window 112 Nozzle 113 Parabolic mirror 114 Condensing mirror 115a, 115b, 115c, 115d Reflecting mirror 116 Partition

Claims (3)

軟Ｘ線領域の光を反射する多層膜が基板の表面に形成され、
前記表面の粗さのRMS値は、空間周期10nm〜100nmの構造に由来する第１の粗さ成分が、空間周期100nm〜1000nmの構造に由来する第２の粗さ成分より大きい
ことを特徴とする多層膜反射鏡。 A multilayer film that reflects light in the soft X-ray region is formed on the surface of the substrate,
The RMS value of the surface roughness is characterized in that the first roughness component derived from the structure having a spatial period of 10 nm to 100 nm is larger than the second roughness component derived from the structure having a spatial period of 100 nm to 1000 nm. Multi-layer reflector. 請求項１に記載の多層膜反射鏡において、
前記表面の粗さのRMS値は、前記第１の粗さ成分が、前記第２の粗さ成分の1.5倍以上である
ことを特徴とする多層膜反射鏡。 The multilayer-film reflective mirror according to claim 1,
The multilayer mirror according to claim 1, wherein the RMS value of the surface roughness is such that the first roughness component is 1.5 times or more the second roughness component. 軟Ｘ線領域の光を発生する光源と、
前記光源からの光をマスクに導く第１光学系と、
前記マスクからの光を感光性基板に導く第２光学系とを備え、
前記第１光学系および/または前記第２光学系の少なくとも一部の光学素子は、請求項１または請求項２に記載の多層膜反射鏡である
ことを特徴とする露光装置。
A light source that generates light in the soft X-ray region;
A first optical system for guiding light from the light source to a mask;
A second optical system for guiding light from the mask to a photosensitive substrate,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the optical elements of the first optical system and / or the second optical system is the multilayer-film reflective mirror according to claim 1 or 2.
JP2005007542A 2005-01-14 2005-01-14 Multilayer reflection mirror and exposure system Pending JP2006194764A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005007542A JP2006194764A (en) 2005-01-14 2005-01-14 Multilayer reflection mirror and exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005007542A JP2006194764A (en) 2005-01-14 2005-01-14 Multilayer reflection mirror and exposure system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006194764A true JP2006194764A (en) 2006-07-27

Family

ID=36800961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005007542A Pending JP2006194764A (en) 2005-01-14 2005-01-14 Multilayer reflection mirror and exposure system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006194764A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008062655A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Konica Minolta Opto, Inc. Mold fabrication method and projection optical system reflection mirror
CN104317168A (en) * 2014-10-28 2015-01-28 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Method for analyzing mirror finishing error related with stray light in extreme ultra-violet lithography system
US8951652B2 (en) 2011-11-30 2015-02-10 Showa Denko K.K. Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium, and method of inspecting surface
JP2015148807A (en) * 2012-12-28 2015-08-20 Hoya株式会社 Substrate for mask blank, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method for manufacturing substrate for mask blank, method for manufacturing substrate with multilayer reflective film, and method for manufacturing semiconductor device
JP2019518232A (en) * 2016-06-03 2019-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Patterning device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008062655A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Konica Minolta Opto, Inc. Mold fabrication method and projection optical system reflection mirror
JPWO2008062655A1 (en) * 2006-11-21 2010-03-04 コニカミノルタオプト株式会社 Manufacturing method of mold and reflection mirror for projection optical system
US8333637B2 (en) 2006-11-21 2012-12-18 Konica Minolta Opto, Inc. Manufacturing method of metal mold and relection mirror for projection optical system
US8951652B2 (en) 2011-11-30 2015-02-10 Showa Denko K.K. Substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium, and method of inspecting surface
JP2015148807A (en) * 2012-12-28 2015-08-20 Hoya株式会社 Substrate for mask blank, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method for manufacturing substrate for mask blank, method for manufacturing substrate with multilayer reflective film, and method for manufacturing semiconductor device
CN104317168A (en) * 2014-10-28 2015-01-28 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Method for analyzing mirror finishing error related with stray light in extreme ultra-violet lithography system
JP2019518232A (en) * 2016-06-03 2019-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Patterning device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5406602B2 (en) Multilayer mirror and lithographic apparatus
JP5087076B2 (en) Anti-reflective coating for EUV mask
JP6420864B2 (en) Spectral purity filters, radiation systems, and collectors
US7203275B2 (en) Multilayer film reflector and X-ray exposure system
EP2283388B1 (en) Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for a radiation system and method of forming a spectral purity filter
JP4382037B2 (en) Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP5568098B2 (en) Multilayer mirror and lithographic apparatus
JP2008270739A (en) Optical device, multilayer film reflecting mirror, aligner, and method of manufacturing device
JP5752786B2 (en) Multilayer mirror and method for improving its robustness
TWI510821B (en) Spectral purity filter
KR101625934B1 (en) Multilayer mirror and lithographic apparatus
JP2006194764A (en) Multilayer reflection mirror and exposure system
JP2012222349A (en) Multilayer mirror and lithographic apparatus
JP2006258650A (en) Multilayer film reflecting mirror and exposure apparatus
JP2010016371A (en) Optical element, lithographic apparatus including such optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR20030089765A (en) Multilayer film reflection mirror and exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090908

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100105