JP2004114081A - フラックス這い上がり防止剤組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、耐熱性に優れたフラックス這い上がり防止剤組成物を提供する。
【解決手段】含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことを特徴とするフラックス這い上がり防止剤組成物組成物である。含フッ素樹脂は、含フッ素環構造を有することにより、優れた耐熱性を備えるようになり、２６０℃〜２９０℃という鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても分解しない。また、含フッ素環構造を有することにより非晶性となるので、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。このため、電子部品にフラックス這い上がり防止剤組成物組成物を塗布、乾燥するなどして、電子部品上にフラックス這い上がり防止剤の被膜を容易に形成できる。
【選択図】 なし
【解決手段】含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことを特徴とするフラックス這い上がり防止剤組成物組成物である。含フッ素樹脂は、含フッ素環構造を有することにより、優れた耐熱性を備えるようになり、２６０℃〜２９０℃という鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても分解しない。また、含フッ素環構造を有することにより非晶性となるので、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。このため、電子部品にフラックス這い上がり防止剤組成物組成物を塗布、乾燥するなどして、電子部品上にフラックス這い上がり防止剤の被膜を容易に形成できる。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性を向上させた、フラックス這い上がり防止剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電子部品などをプリント配線基板に半田付け実装する際には、予めフラックス処理をして半田の接着性を向上させることが行われている。このフラックスには酸性成分が含まれているため、腐食性がある。このため、半田付けされない部分については、フラックスが付着するのを防ぐためにフラックス這い上がり防止剤が予め塗布されている。
【０００３】
従来このフラックス這い上がり防止剤としては、表面張力が低く撥油性を備えることから、ポリフルオロアルキル基を持つフッ素系化合物が使用されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
近年、電子部品の小型化、低コスト化の要求から、プリント配線基板へ電子部品を実装する場合、表面実装と呼ばれる手法が主流となっている。この表面実装においては、プリント配線基板上に形成された所定の電極パッドと電子部品との電気的な接続は、いわゆるリフロー半田付け処理により行われている。
【０００５】
このリフロー半田付け処理は、プリント配線基板上に形成された電極パッド部にクリーム半田を印刷する半田印刷工程と、印刷された半田上に電極ピン又はバンプが位置するように電子部品をマウントするマウント工程と、印刷された半田を溶融、固着させて電子部品とプリント配線とを電気的接続させるリフロー工程とからなる。
【０００６】
このリフロー工程においては、表面実装回路基板は約１５０℃で予備加熱された後、リフロー温度２２０℃〜２９０℃で加熱される。すると、半田が溶融し、部品とプリント配線とが接続される。その後、表面実装回路基板は冷却されて、溶融した半田が固化して部品とプリント配線とが固定され、かつ電気的に接続される。
【０００７】
近年、環境汚染に対する関心の高まりから、鉛を含まない、鉛フリー半田が用いられる様になった。この鉛フリー半田を用いた場合、リフロー温度は２６０℃〜２９０℃と、比較的高温に設定される。
【０００８】
【特許文献１】
特公昭６３−６２３１５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のフラックス這い上がり防止剤は、鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度である２６０℃〜２９０℃で分解、液状化してしまうため、電子部品上に形成されたフラックス這い上がり防止剤の被膜が機能しなくなってしまうことがあった。この結果、フラックスが電子部品に這い上がるのを防止できない場合があるという問題点があった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、耐熱性に優れたフラックス這い上がり防止剤組成物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、フラックス這い上がり防止剤組成物において、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことを特徴とする。
【００１１】
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂は、理由は明らかではないが、優れた耐熱性を有しており、２６０℃〜２９０℃という鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても分解しない。このため、従来のフラックス這い上がり防止剤と異なり、フラックス這い上がり防止剤の被膜が分解、液状化することがない。このように、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことにより、リフロー工程においてフラックスが這い上がって電子部品を腐食することを防止可能なフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００１２】
含フッ素樹脂は、含フッ素環構造を有することにより非晶性となるので、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。このため、含フッ素樹脂をフッ素系溶剤に溶解させ、この溶液を電子部品に塗布、乾燥するなどして、電子部品上にフラックス這い上がり防止剤の被膜を容易に形成できる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記含フッ素樹脂が、繰り返し単位（ａ）−ＣＦ２ＣＦ２−と、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ｂ）とを含むことを特徴とする。
【００１４】
【化２】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に−Ｆ又は−ＣＦ３であり、Ｙは−Ｆ、−ＯＲｆであり、Ｒｆは炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基である。）
【００１５】
繰り返し単位（ａ）は、優れた耐熱性、耐薬品性を備えるポリテトラフルオロエチレンの繰り返し単位と同じものである。また、繰り返し単位（ｂ）は含フッ素５員環構造を有している。このため、繰り返し単位（ｂ）を含む含フッ素樹脂は非晶性となり、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。したがって、含フッ素樹脂が、繰り返し単位（ａ）と繰り返し単位（ｂ）とを含むことにより、優れた耐熱性、耐薬品性を持ち、かつフッ素系溶剤に可溶なフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記フラックス這い上がり防止剤組成物が前記含フッ素樹脂と、フッ素系溶剤とを含み、かつ前記含フッ素樹脂の割合が、前記フラックス這い上がり防止剤組成物に対して０．００２重量％以上４重量％以下であることを特徴とする。
【００１７】
含フッ素樹脂組成物に対する含フッ素樹脂の割合が０．００２重量％未満であると、樹脂成分が少なすぎるために被膜が十分に形成されない。このため、フラックスの這い上がりを十分に防止することができない。４重量％を超えると、電子部品上に形成された被膜が厚くなりすぎるため、半田が付きにくくなる。したがって、フラックス這い上がり防止剤組成物に対する含フッ素樹脂の割合は、０．００２重量％以上４重量％以下が好ましい。特に、０．１重量％以上０．５重量％以下が好ましい。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記含フッ素樹脂と、前記フッ素系溶剤と、極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物とを含むことを特徴とする。
【００１９】
極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を用いることにより、電子部品上に形成した被膜に、極性を有する官能基を良好に分散させることができるから、電子部品と被膜との密着性を向上させることができる。この結果、鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても、被膜が電子部品から剥離したり流出したりすることを防止することができる。
【００２０】
請求項５の発明は、請求項４に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、含フッ素化合物が炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含む化合物であることを特徴とする。
【００２１】
含フッ素化合物は、炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むことにより、ポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むフッ素系溶剤との溶解性が向上する。ポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むフッ素系溶剤は従来からフラックス這い上がり防止剤に用いられてきたものである。したがって、請求項５の発明によれば、従来から用いられてきたのと同じフッ素系溶剤を使用することができるので、電子部品とフラックス這い上がり防止剤組成物との密着性を向上させながら、コストの高騰を防止することができる。
【００２２】
請求項６の発明は、請求項４または請求項５に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、官能基が水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基からなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする。
【００２３】
水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基は強い極性を有しているので、これらからなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むことにより、電子部品とフラックス這い上がり防止剤との密着性を効果的に向上させることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂としては、繰り返し単位（ａ）−ＣＦ２ＣＦ２−と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位（ｂ）とを含むものを用いることができる。
【００２５】
【化３】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に−Ｆ又は−ＣＦ３であり、Ｙは−Ｆ、−ＯＲｆであり、Ｒｆは炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基である。）
【００２６】
上記一般式（２）で表される繰り返し単位のうち、下記式（３）、（４）で表されるものが好ましい。
【００２７】
【化４】
【００２８】
【化５】
【００２９】
本発明に用いられる含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の分子量は、５，０００以上１，０００，０００以下が好ましい。５，０００未満であると、被膜形成能力が劣るため、均一な被膜が得られないから好ましくない。１，０００，０００を超えると、フッ素系溶剤への溶解性が低下し、薄膜コーティングが困難となるから好ましくない。
【００３０】
本発明に用いられる含フッ素樹脂は、対応する単量体を、有機溶媒中もしくは水中の懸濁重合法、又は水性乳化重合法にて、適当なラジカル重合開始剤の存在下、公知の方法に従って製造することができる。
【００３１】
単量体としては、繰り返し単位（ａ）に対応するテトラフルオロエチレン、及び繰り返し単位（ｂ）に対応する一般式（５）で表される化合物を用いることができる。
【００３２】
【化６】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に−Ｆ又は−ＣＦ３であり、Ｙは−Ｆ、−ＯＲｆであり、Ｒｆは炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基である。）
【００３３】
有機溶媒としては、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ３Ｆ、ＣＣｌ２ＦＣＣｌＦ２、ＣＣｌＦ２ＣＣｌＦ２などのクロロフルオロカーボンや、フルオロポリエーテルなどを用いることができる。
ラジカル重合開始剤としては、ビストリクロロアセチル過酸化物、ビスジクロロフルオロアセチル過酸化物、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどを用いることができる。
【００３４】
本発明に用いられるフッ素系溶剤としては、パーフルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナンなどのパーフルオロカーボン類、一般式ＣＦ３［（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｐ（ＯＣＦ２）ｑ］ＯＣＦ３（但し、０≦ｐ≦１４、０≦ｑ≦１４）で表されるパーフルオロポリエーテル類、一般式ＨＣＦ２［ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｒ（ＯＣＦ２）ｓ］ＯＣＦ２Ｈ（但し、０≦ｒ≦１４、０≦ｓ≦１４）で表されるハイドロフルオロポリエーテル類、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテルなどのハイドロフルオロエーテル類、２，３−ジハイドロパーフルオロペンタンなどのハイドロフルオロカーボン類、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパンなどのハイドロクロロフルオロカーボン類などを用いることができる。上記フッ素系溶剤は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
本発明において、極性を有する官能基を備え、かつフッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物としては、炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含む化合物を用いることができる。また、極性を有する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基などを用いることができる。
【００３６】
上記含フッ素化合物としては、一般式ＣｎＦ２ｎ＋１ＲＸ３（但し、４≦ｎ≦２１、Ｒはアルキル基、Ｘ３は極性を有する官能基を示す。）で表される化合物が挙げられる。このうち、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ９Ｆ１９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１１Ｆ２３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１３Ｆ２７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１４Ｆ２９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１５Ｆ３１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１６Ｆ３３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１７Ｆ３５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１８Ｆ３７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１９Ｆ３９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ２０Ｆ４１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ２１Ｆ４３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨなどのパーフルオロアルキルエチルカルボン酸類、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ９Ｆ１９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１１Ｆ２３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１３Ｆ２７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１４Ｆ２９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１５Ｆ３１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１６Ｆ３３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１７Ｆ３５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１８Ｆ３７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１９Ｆ３９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ２０Ｆ４１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ２１Ｆ４３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３などのパーフルオロアルキルエチルトリメトキシシラン類が好ましい。
【００３７】
また、上記含フッ素化合物としては、炭素数４〜２１のポリフルオリアルキル基又はポリフルオロエーテル基を有する不飽和化合物と、極性を有する官能基を備えた不飽和化合物との共重合物を用いることもできる。共重合比は、極性を有する官能基を備えた不飽和化合物が、共重合物全体に対して５０重量％以下であることが好ましい。５０重量％を超えると、フッ素系溶剤に対する共重合物の溶解性が低下するので好ましくない。特に、１０重量％以下が好ましい。
【００３８】
上記共重合物としては、一般式ＣｍＦ２ｍ＋１ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２（但し、４≦ｍ≦２１）と、ＨＯＣ４Ｈ８ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２との共重合物を挙げることができる。また、（ＣＦ３）２Ｃ６Ｆ１２Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２と、（ＯＨ）３ＳｉＣ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２との共重合物も挙げることができる。
【００３９】
本発明に用いられる共重合物は、対応する単量体を適当な有機溶媒に溶解させ、重合開始剤（使用する有機溶媒に可溶な過酸化物、アゾ化合物など）、又は電離性放射線の作用などにより、溶液重合することによって得ることができる。溶液重合に好適な溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン、テトラクロロジフルオロエタン、メチルクロロホルムなどを用いることができる。
【００４０】
上記した、極性を有する官能基を備え、かつフッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００４１】
本発明に係るフラックス這い上がり防止剤組成物は、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を、フッ素系溶剤に溶解させることにより得ることができる。
また、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂と、極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物とをフッ素系溶剤に溶解させてもよい。含フッ素樹脂と、含フッ素化合物とをそれぞれ異なったフッ素系溶剤に溶解させて、含フッ素樹脂溶液及び含フッ素化合物溶液を調製した後、両者を混合してもよい。
【００４２】
本発明に係るフラックス這い上がり防止剤組成物に、電子部品を浸漬した後、これを乾燥することにより、フラックス這い上がり防止剤の被膜を電子部品上に形成させることができる。また、刷毛で塗布したり、スプレーで散布するなどして、部分的に被膜を形成することもできる。
【００４３】
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例により何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂として、繰り返し単位−ＣＦ２ＣＦ２−と、下式（６）に示す繰り返し単位とを含む、アウジモント株式会社製 ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、アウジモント株式会社製 ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。
【００４４】
【化７】
【００４５】
このようにして作製したフラックス這い上がり防止剤組成物に、チップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４６】
＜実施例２ないし５、及び比較例１、２＞
ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名）と、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）とを、表１に示した割合で混合した以外は、実施例１と同様にして、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４７】
＜比較例３＞
Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２の単独重合体０．５ｇを、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン９９．５ｇに溶解させた。この溶液にチップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４８】
＜評価＞
上記のチップ抵抗をサーフェスマウンタにてプリント配線基板にマウントした後、リフロー温度２４０℃〜２８０℃でリフロー半田付けを行い、フラックスがチップ抵抗上に這い上がったか否かを観察した。結果を表１にまとめて示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】
＜結果＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が０．１重量％から０．５重量％である実施例１ないし５では、フラックス這い上がりが見られず、また、半田付け不良も見られなかった。これに対し、主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が０．００１重量％である比較例１では、フラックスの這い上がりが発生した。また、主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が４．１重量％である比較例２では、フラックスの這い上がりは見られなかったが、半田付け不良が発生した。
【００５１】
含フッ素環構造を有しない含フッ素樹脂を用いた比較例３では、フラックスの這い上がりが見られた。これは、２６０℃から２９０℃という温度でリフロー半田付けが行われたことにより、チップ抵抗に形成された被膜が分解、液状化したためと考えられる。
【００５２】
＜実施例６＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂として、ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、含フッ素樹脂溶液を調製した。
【００５３】
Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３０．５ｇを、上記の含フッ素樹脂溶液に加えることにより、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。
【００５４】
このようにして作製したフラックス這い上がり防止剤組成物に、チップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００５５】
＜実施例７＞
ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、含フッ素樹脂溶液を調製した。
【００５６】
Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２９８ｇと、ＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２２ｇと共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。この含フッ素化合物０．５ｇを、スリーエム社製 ノベック ＨＦＥ−７１００（商品名） ９９．５ｇに溶解させ、含フッ素化合物溶液を調製した。
【００５７】
上記のように調製した、含フッ素樹脂溶液５０重量部と、含フッ素化合物溶液５０重量部とを混合し、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。このフラックス這い上がり防止剤組成物を用いて、実施例６と同様にして、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００５８】
＜実施例８＞
Ｃ１０Ｆ２１ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２９０ｇと、ＨＯＣ４Ｈ８ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２１０ｇとを共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。実施例７における、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２とＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２との共重合物に代えて、この含フッ素化合物を用いた以外は、実施例７と同様にして含フッ素樹脂組成物の薄膜を得た。
【００５９】
＜実施例９＞
（ＣＦ３）２Ｃ６Ｆ１２Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２９０ｇと、（ＯＨ）３ＳｉＣ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２１０ｇとを共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。実施例７における、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２とＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２との共重合物に代えて、この含フッ素化合物を用いた以外は、実施例７と同様にして含フッ素樹脂組成物の薄膜を得た。
【００６０】
＜評価＞
上記のチップ抵抗をサーフェスマウンタにてプリント配線基板にマウントした後、リフロー温度２４０℃〜２８０℃でリフロー半田付けを行い、フラックスがチップ抵抗上に這い上がったか否かを観察した。結果を表２にまとめて示す。
【００６１】
【表２】
【００６２】
【発明の効果】
本発明のフラックス這い上がり防止剤組成物によれば、耐熱性に優れたフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００６３】
このような本発明のフラックス這い上がり防止剤組成物は耐熱性に優れるので、Ｐｂフリー半田を用いた場合のリフロー半田付けなど高温での半田付けを行う際に好適に用いることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性を向上させた、フラックス這い上がり防止剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電子部品などをプリント配線基板に半田付け実装する際には、予めフラックス処理をして半田の接着性を向上させることが行われている。このフラックスには酸性成分が含まれているため、腐食性がある。このため、半田付けされない部分については、フラックスが付着するのを防ぐためにフラックス這い上がり防止剤が予め塗布されている。
【０００３】
従来このフラックス這い上がり防止剤としては、表面張力が低く撥油性を備えることから、ポリフルオロアルキル基を持つフッ素系化合物が使用されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
近年、電子部品の小型化、低コスト化の要求から、プリント配線基板へ電子部品を実装する場合、表面実装と呼ばれる手法が主流となっている。この表面実装においては、プリント配線基板上に形成された所定の電極パッドと電子部品との電気的な接続は、いわゆるリフロー半田付け処理により行われている。
【０００５】
このリフロー半田付け処理は、プリント配線基板上に形成された電極パッド部にクリーム半田を印刷する半田印刷工程と、印刷された半田上に電極ピン又はバンプが位置するように電子部品をマウントするマウント工程と、印刷された半田を溶融、固着させて電子部品とプリント配線とを電気的接続させるリフロー工程とからなる。
【０００６】
このリフロー工程においては、表面実装回路基板は約１５０℃で予備加熱された後、リフロー温度２２０℃〜２９０℃で加熱される。すると、半田が溶融し、部品とプリント配線とが接続される。その後、表面実装回路基板は冷却されて、溶融した半田が固化して部品とプリント配線とが固定され、かつ電気的に接続される。
【０００７】
近年、環境汚染に対する関心の高まりから、鉛を含まない、鉛フリー半田が用いられる様になった。この鉛フリー半田を用いた場合、リフロー温度は２６０℃〜２９０℃と、比較的高温に設定される。
【０００８】
【特許文献１】
特公昭６３−６２３１５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のフラックス這い上がり防止剤は、鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度である２６０℃〜２９０℃で分解、液状化してしまうため、電子部品上に形成されたフラックス這い上がり防止剤の被膜が機能しなくなってしまうことがあった。この結果、フラックスが電子部品に這い上がるのを防止できない場合があるという問題点があった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、耐熱性に優れたフラックス這い上がり防止剤組成物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、フラックス這い上がり防止剤組成物において、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことを特徴とする。
【００１１】
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂は、理由は明らかではないが、優れた耐熱性を有しており、２６０℃〜２９０℃という鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても分解しない。このため、従来のフラックス這い上がり防止剤と異なり、フラックス這い上がり防止剤の被膜が分解、液状化することがない。このように、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことにより、リフロー工程においてフラックスが這い上がって電子部品を腐食することを防止可能なフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００１２】
含フッ素樹脂は、含フッ素環構造を有することにより非晶性となるので、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。このため、含フッ素樹脂をフッ素系溶剤に溶解させ、この溶液を電子部品に塗布、乾燥するなどして、電子部品上にフラックス這い上がり防止剤の被膜を容易に形成できる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記含フッ素樹脂が、繰り返し単位（ａ）−ＣＦ２ＣＦ２−と、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ｂ）とを含むことを特徴とする。
【００１４】
【化２】
【００１５】
繰り返し単位（ａ）は、優れた耐熱性、耐薬品性を備えるポリテトラフルオロエチレンの繰り返し単位と同じものである。また、繰り返し単位（ｂ）は含フッ素５員環構造を有している。このため、繰り返し単位（ｂ）を含む含フッ素樹脂は非晶性となり、透明性に優れ、フッ素系溶剤に可溶となる。したがって、含フッ素樹脂が、繰り返し単位（ａ）と繰り返し単位（ｂ）とを含むことにより、優れた耐熱性、耐薬品性を持ち、かつフッ素系溶剤に可溶なフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記フラックス這い上がり防止剤組成物が前記含フッ素樹脂と、フッ素系溶剤とを含み、かつ前記含フッ素樹脂の割合が、前記フラックス這い上がり防止剤組成物に対して０．００２重量％以上４重量％以下であることを特徴とする。
【００１７】
含フッ素樹脂組成物に対する含フッ素樹脂の割合が０．００２重量％未満であると、樹脂成分が少なすぎるために被膜が十分に形成されない。このため、フラックスの這い上がりを十分に防止することができない。４重量％を超えると、電子部品上に形成された被膜が厚くなりすぎるため、半田が付きにくくなる。したがって、フラックス這い上がり防止剤組成物に対する含フッ素樹脂の割合は、０．００２重量％以上４重量％以下が好ましい。特に、０．１重量％以上０．５重量％以下が好ましい。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記含フッ素樹脂と、前記フッ素系溶剤と、極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物とを含むことを特徴とする。
【００１９】
極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を用いることにより、電子部品上に形成した被膜に、極性を有する官能基を良好に分散させることができるから、電子部品と被膜との密着性を向上させることができる。この結果、鉛フリー半田を用いた場合のリフロー温度域においても、被膜が電子部品から剥離したり流出したりすることを防止することができる。
【００２０】
請求項５の発明は、請求項４に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、含フッ素化合物が炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含む化合物であることを特徴とする。
【００２１】
含フッ素化合物は、炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むことにより、ポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むフッ素系溶剤との溶解性が向上する。ポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含むフッ素系溶剤は従来からフラックス這い上がり防止剤に用いられてきたものである。したがって、請求項５の発明によれば、従来から用いられてきたのと同じフッ素系溶剤を使用することができるので、電子部品とフラックス這い上がり防止剤組成物との密着性を向上させながら、コストの高騰を防止することができる。
【００２２】
請求項６の発明は、請求項４または請求項５に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、官能基が水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基からなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする。
【００２３】
水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基は強い極性を有しているので、これらからなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むことにより、電子部品とフラックス這い上がり防止剤との密着性を効果的に向上させることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂としては、繰り返し単位（ａ）−ＣＦ２ＣＦ２−と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位（ｂ）とを含むものを用いることができる。
【００２５】
【化３】
【００２６】
上記一般式（２）で表される繰り返し単位のうち、下記式（３）、（４）で表されるものが好ましい。
【００２７】
【化４】
【化５】
本発明に用いられる含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の分子量は、５，０００以上１，０００，０００以下が好ましい。５，０００未満であると、被膜形成能力が劣るため、均一な被膜が得られないから好ましくない。１，０００，０００を超えると、フッ素系溶剤への溶解性が低下し、薄膜コーティングが困難となるから好ましくない。
【００３０】
本発明に用いられる含フッ素樹脂は、対応する単量体を、有機溶媒中もしくは水中の懸濁重合法、又は水性乳化重合法にて、適当なラジカル重合開始剤の存在下、公知の方法に従って製造することができる。
【００３１】
単量体としては、繰り返し単位（ａ）に対応するテトラフルオロエチレン、及び繰り返し単位（ｂ）に対応する一般式（５）で表される化合物を用いることができる。
【００３２】
【化６】
【００３３】
有機溶媒としては、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ３Ｆ、ＣＣｌ２ＦＣＣｌＦ２、ＣＣｌＦ２ＣＣｌＦ２などのクロロフルオロカーボンや、フルオロポリエーテルなどを用いることができる。
ラジカル重合開始剤としては、ビストリクロロアセチル過酸化物、ビスジクロロフルオロアセチル過酸化物、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどを用いることができる。
【００３４】
本発明に用いられるフッ素系溶剤としては、パーフルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナンなどのパーフルオロカーボン類、一般式ＣＦ３［（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｐ（ＯＣＦ２）ｑ］ＯＣＦ３（但し、０≦ｐ≦１４、０≦ｑ≦１４）で表されるパーフルオロポリエーテル類、一般式ＨＣＦ２［ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｒ（ＯＣＦ２）ｓ］ＯＣＦ２Ｈ（但し、０≦ｒ≦１４、０≦ｓ≦１４）で表されるハイドロフルオロポリエーテル類、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテルなどのハイドロフルオロエーテル類、２，３−ジハイドロパーフルオロペンタンなどのハイドロフルオロカーボン類、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパンなどのハイドロクロロフルオロカーボン類などを用いることができる。上記フッ素系溶剤は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
本発明において、極性を有する官能基を備え、かつフッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物としては、炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含む化合物を用いることができる。また、極性を有する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基などを用いることができる。
【００３６】
上記含フッ素化合物としては、一般式ＣｎＦ２ｎ＋１ＲＸ３（但し、４≦ｎ≦２１、Ｒはアルキル基、Ｘ３は極性を有する官能基を示す。）で表される化合物が挙げられる。このうち、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ９Ｆ１９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１１Ｆ２３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１３Ｆ２７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１４Ｆ２９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１５Ｆ３１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１６Ｆ３３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１７Ｆ３５Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１８Ｆ３７Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ１９Ｆ３９Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ２０Ｆ４１Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨ、Ｃ２１Ｆ４３Ｃ２Ｈ４ＣＯＯＨなどのパーフルオロアルキルエチルカルボン酸類、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ９Ｆ１９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１１Ｆ２３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１３Ｆ２７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１４Ｆ２９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１５Ｆ３１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１６Ｆ３３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１７Ｆ３５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１８Ｆ３７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１９Ｆ３９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ２０Ｆ４１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ２１Ｆ４３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３などのパーフルオロアルキルエチルトリメトキシシラン類が好ましい。
【００３７】
また、上記含フッ素化合物としては、炭素数４〜２１のポリフルオリアルキル基又はポリフルオロエーテル基を有する不飽和化合物と、極性を有する官能基を備えた不飽和化合物との共重合物を用いることもできる。共重合比は、極性を有する官能基を備えた不飽和化合物が、共重合物全体に対して５０重量％以下であることが好ましい。５０重量％を超えると、フッ素系溶剤に対する共重合物の溶解性が低下するので好ましくない。特に、１０重量％以下が好ましい。
【００３８】
上記共重合物としては、一般式ＣｍＦ２ｍ＋１ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２（但し、４≦ｍ≦２１）と、ＨＯＣ４Ｈ８ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２との共重合物を挙げることができる。また、（ＣＦ３）２Ｃ６Ｆ１２Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２と、（ＯＨ）３ＳｉＣ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２との共重合物も挙げることができる。
【００３９】
本発明に用いられる共重合物は、対応する単量体を適当な有機溶媒に溶解させ、重合開始剤（使用する有機溶媒に可溶な過酸化物、アゾ化合物など）、又は電離性放射線の作用などにより、溶液重合することによって得ることができる。溶液重合に好適な溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン、テトラクロロジフルオロエタン、メチルクロロホルムなどを用いることができる。
【００４０】
上記した、極性を有する官能基を備え、かつフッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００４１】
本発明に係るフラックス這い上がり防止剤組成物は、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を、フッ素系溶剤に溶解させることにより得ることができる。
また、含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂と、極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物とをフッ素系溶剤に溶解させてもよい。含フッ素樹脂と、含フッ素化合物とをそれぞれ異なったフッ素系溶剤に溶解させて、含フッ素樹脂溶液及び含フッ素化合物溶液を調製した後、両者を混合してもよい。
【００４２】
本発明に係るフラックス這い上がり防止剤組成物に、電子部品を浸漬した後、これを乾燥することにより、フラックス這い上がり防止剤の被膜を電子部品上に形成させることができる。また、刷毛で塗布したり、スプレーで散布するなどして、部分的に被膜を形成することもできる。
【００４３】
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例により何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂として、繰り返し単位−ＣＦ２ＣＦ２−と、下式（６）に示す繰り返し単位とを含む、アウジモント株式会社製 ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、アウジモント株式会社製 ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。
【００４４】
【化７】
このようにして作製したフラックス這い上がり防止剤組成物に、チップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４６】
＜実施例２ないし５、及び比較例１、２＞
ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名）と、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）とを、表１に示した割合で混合した以外は、実施例１と同様にして、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４７】
＜比較例３＞
Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２の単独重合体０．５ｇを、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン９９．５ｇに溶解させた。この溶液にチップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００４８】
＜評価＞
上記のチップ抵抗をサーフェスマウンタにてプリント配線基板にマウントした後、リフロー温度２４０℃〜２８０℃でリフロー半田付けを行い、フラックスがチップ抵抗上に這い上がったか否かを観察した。結果を表１にまとめて示す。
【００４９】
【表１】
＜結果＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が０．１重量％から０．５重量％である実施例１ないし５では、フラックス這い上がりが見られず、また、半田付け不良も見られなかった。これに対し、主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が０．００１重量％である比較例１では、フラックスの這い上がりが発生した。また、主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が４．１重量％である比較例２では、フラックスの這い上がりは見られなかったが、半田付け不良が発生した。
【００５１】
含フッ素環構造を有しない含フッ素樹脂を用いた比較例３では、フラックスの這い上がりが見られた。これは、２６０℃から２９０℃という温度でリフロー半田付けが行われたことにより、チップ抵抗に形成された被膜が分解、液状化したためと考えられる。
【００５２】
＜実施例６＞
含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂として、ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、含フッ素樹脂溶液を調製した。
【００５３】
Ｃ１２Ｆ２５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３０．５ｇを、上記の含フッ素樹脂溶液に加えることにより、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。
【００５４】
このようにして作製したフラックス這い上がり防止剤組成物に、チップ抵抗を浸漬した後、これを乾燥させて、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００５５】
＜実施例７＞
ＡＬＧＯＦＬＯＮ ＡＤ６０（商品名） ０．５ｇを、ＧＡＬＤＥＮ ＳＶ−９０（商品名）（沸点９０℃）９９．５ｇに溶解させ、含フッ素樹脂溶液を調製した。
【００５６】
Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２９８ｇと、ＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２２ｇと共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。この含フッ素化合物０．５ｇを、スリーエム社製 ノベック ＨＦＥ−７１００（商品名） ９９．５ｇに溶解させ、含フッ素化合物溶液を調製した。
【００５７】
上記のように調製した、含フッ素樹脂溶液５０重量部と、含フッ素化合物溶液５０重量部とを混合し、フラックス這い上がり防止剤組成物を調製した。このフラックス這い上がり防止剤組成物を用いて、実施例６と同様にして、チップ抵抗表面に被膜を形成した。
【００５８】
＜実施例８＞
Ｃ１０Ｆ２１ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２９０ｇと、ＨＯＣ４Ｈ８ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２１０ｇとを共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。実施例７における、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２とＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２との共重合物に代えて、この含フッ素化合物を用いた以外は、実施例７と同様にして含フッ素樹脂組成物の薄膜を得た。
【００５９】
＜実施例９＞
（ＣＦ３）２Ｃ６Ｆ１２Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２９０ｇと、（ＯＨ）３ＳｉＣ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２１０ｇとを共重合させることにより、極性を有する官能基を備え、フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物を得た。実施例７における、Ｃ１０Ｆ２１Ｃ２Ｈ４ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２とＨＯＯＣＣＨ＝ＣＨ２との共重合物に代えて、この含フッ素化合物を用いた以外は、実施例７と同様にして含フッ素樹脂組成物の薄膜を得た。
【００６０】
＜評価＞
上記のチップ抵抗をサーフェスマウンタにてプリント配線基板にマウントした後、リフロー温度２４０℃〜２８０℃でリフロー半田付けを行い、フラックスがチップ抵抗上に這い上がったか否かを観察した。結果を表２にまとめて示す。
【００６１】
【表２】
【発明の効果】
本発明のフラックス這い上がり防止剤組成物によれば、耐熱性に優れたフラックス這い上がり防止剤組成物を得ることができる。
【００６３】
このような本発明のフラックス這い上がり防止剤組成物は耐熱性に優れるので、Ｐｂフリー半田を用いた場合のリフロー半田付けなど高温での半田付けを行う際に好適に用いることができる。
Claims (6)
- 含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を含むことを特徴とするフラックス這い上がり防止剤組成物。
- 前記含フッ素樹脂が、繰り返し単位（ａ）−ＣＦ２ＣＦ２−と、下記一般式で表される繰り返し単位（ｂ）とを含むことを特徴とする請求項１記載のフラックス這い上がり防止剤組成物。
- 請求項１又は請求項２に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記フラックス這い上がり防止剤組成物が前記含フッ素樹脂と、フッ素系溶剤とを含み、
かつ前記含フッ素樹脂の割合が、前記フラックス這い上がり防止剤組成物に対して０．００２重量％以上４重量％以下であることを特徴とするフラックス這い上がり防止剤組成物。 - 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のフラックス這い上がり防止剤組成物において、前記含フッ素樹脂と、前記フッ素系溶剤と、極性を有する官能基を備え、かつ前記フッ素系溶剤に可溶な含フッ素化合物とを含むことを特徴とするフラックス這い上がり防止剤組成物。
- 前記含フッ素化合物が炭素数４〜２１のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基を含む化合物であることを特徴とする請求項４に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物。
- 前記官能基が水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シラノール基、リン酸基、アルコキシシリル基からなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のフラックス這い上がり防止剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002279411A JP2004114081A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | フラックス這い上がり防止剤組成物 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002279411A JP2004114081A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | フラックス這い上がり防止剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004114081A true JP2004114081A (ja) | 2004-04-15 |
Family
ID=32274427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002279411A Pending JP2004114081A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | フラックス這い上がり防止剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2004114081A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090228176A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Caterpillar Inc. | Data acquisition system indexed by cycle segmentation |
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-
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| CN107039344B (zh) * | 2016-02-04 | 2021-09-24 | 松下知识产权经营株式会社 | 元件芯片的制造方法及电子部件安装构造体的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040716 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060216 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060629 |