JP2004106009A - ウェーハプローバ - Google Patents
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Abstract
【課題】プロービング工程の後のダイシング工程を省略することのできるウェーハプローバを提供すること。
【解決手段】ウェーハWのプローブテストを行うウェーハプローバ10に、ウェーハWの表面からレーザー光Lを入射させ、ウェーハW内部に改質領域Pを形成するレーザー加工部20を設け、ウェーハプローバ10自身にウェーハWを個々のチップに分割する機能を持つように構成した。
【選択図】 図1
【解決手段】ウェーハWのプローブテストを行うウェーハプローバ10に、ウェーハWの表面からレーザー光Lを入射させ、ウェーハW内部に改質領域Pを形成するレーザー加工部20を設け、ウェーハプローバ10自身にウェーハWを個々のチップに分割する機能を持つように構成した。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に半導体チップが多数形成されたウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程は、ウェーハ上に多数の半導体装置を形成するウェーハ処理工程である前工程と、組立工程である後工程とに分かれている。この前工程の最後に、ウェーハ上に形成された半導体チップの電極にプローブニードルと称する触針を接触させ、テスタからの測定電圧を印加して電気テスト(通常プローブテストと言われている)を行うウェーハプローバがある。
【0003】
プローブテストを行うプロービング工程の後は、後工程の組立工程が始まる。この後工程は、プローブテストされたウェーハを個々のチップ(ダイとも言う)に分割するダイシング工程があり、ダイシング工程の後には分割された個々のチップを1個づつ基台にボンディングするダイボンディング工程がある。基台にボンディングされた半導体チップは、パッケージング工程で樹脂モールドされ、最終検査工程を経て完成品となる。
【0004】
プローブテストされたウェーハから個々のチップに分割するダイシング工程には、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。ダイシングブレードは、細かなダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
【0005】
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハに切込み、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)していた。ハーフカットはウェーハに厚さの半分程度切り込む方法で、セミフルカットは10μm程度の肉厚を残して研削溝を形成する場合のことである。
【0006】
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。また、このダイシング装置では研削水や洗浄水等大量の水を使用するため、前工程と同じクリーンルームに設置することができず、前工程と後工程とでは完全に建て屋が分かれていた。更に、廃水浄化費用も含めランニングコストが増大する要因になっていた。
【0007】
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザダイシング装置が提案されている(例えば、特許文献1〜6参照。)。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−192367号公報
【0009】
【特許文献2】
特開2002−192368号公報
【0010】
【特許文献3】
特開2002−192369号公報
【0011】
【特許文献4】
特開2002−192370号公報
【0012】
【特許文献5】
特開2002−192371号公報
【0013】
【特許文献6】
特開2002−205180号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献で提案されているレーザダイシング装置は、レーザー光を用いた割断技術によるもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成することによってこの改質領域を起点として前記ウェーハが割断されるものである。
【0015】
しかし、上記の特許文献で提案されているレーザダイシング装置は、ダイシングブレードを用いたダイシング装置と比べてダイシングのメカニズムが異なるだけで、ダイシング装置であることには変わりがなく、ウェーハプローバによるプロービング工程の後には相変わらずダイシング装置によるダイシング工程が必要であった。
【0016】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プロービング工程の後の、ダイシング装置によるダイシング工程を省略することのできるウェーハプローバを提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、表面に半導体チップが多数形成されたウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバにおいて、前記ウェーハプローバには、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成するレーザー加工部が設けられ、該レーザー加工部で前記ウェーハを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0018】
請求項1の発明によれば、ウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバにレーザー加工部が設けられているので、ウェーハプローバ自身にウェーハを個々のチップに分割する機能が備わり、ダイボンディング工程の前のダイシング工程を省略することができる。このため、前工程と後工程とを同一フロア内で接続し、ウェーハプローバとダイボンダとを接続することが可能になり、製品汚染が低減される。また半導体製造工程全体が単純化され、フロアスペースの削減と、使用電力の削減が図れる。
【0019】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1の発明において、前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストの後に行われることを特徴としている。
【0020】
請求項2の発明によれば、チップの分割が、ウェーハのプローブテストの後に行われるので、プローブテストの結果に基いてチップの分割を行うことができる。
【0021】
請求項3に記載の発明は、請求項1の発明において、前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストに先立って行われることを特徴としている。
【0022】
請求項3の発明によれば、分割がウェーハのプローブテストに先立って行われるので、分割によるチップへの影響も含めてプローブテストを行うことができる。また、ウェーハのアライメント位置とレーザー加工位置とが近接している場合には、ウエーハの無駄な移動が削減され、効率的にウェーハを移動させることができる。
【0023】
請求項4に記載の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の良品チップのみを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0024】
請求項4の発明によれば、良品のチップのみに対してレーザー光を入射させるので効率的である。ウェーハ上の良品のチップが少ない時には、無駄なレーザー光照射をしないので特に効率がアップする。
【0025】
請求項5に記載の発明は、請求項1、2、又は3のうちいずれか1項の発明において、前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の全チップを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0026】
請求項5の発明によれば、ウェーハ上の全数のダイに対してレーザー光を入射させるのでウェーハのレーザー光に対する相対的移動制御が単純になる。
【0027】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のうちいずれか1項の発明において、前記レーザー加工部によって、前記チップの表面に品種マーキングを施すことを特徴としている。
【0028】
請求項6の発明によれば、チップ分割用のレーザー加工部を用いてチップの表面に品種マーキングを施すので、マーキング専用の装置を用いた品種マーキング工程を省略することができる。また良品のチップのみにマーキングを施せばより効率的に品種マーキングを行うことができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハプローバの好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【0030】
図1は、本発明に係るウェーハプローバの概略構成図である。ウェーハプローバ10は、図1に示すように、ウェーハ移動部11、レーザー加工部20、観察光学部30、プロービング部40、制御部50、ウェーハ搬送部60等から構成されている。
【0031】
ウェーハ移動部11は、ウェーハのレーザー加工時及びプロービング時にウェーハを高精度で移動させる。レーザー加工部20はウェーハを個々のチップに分割するための加工を行う。観察光学部30はウェーハ表面の画像を撮像する。プロービング部40はウェーハ上の各チップのプローブテストを行う。ウェーハ搬送部60はウェーハプローバの各部にウェーハを搬送する。制御部50は、入出力回路部、演算処理部(CPU)、記憶部等を有し、外部のテスタとの信号のやり取りを行うと共に、ウェーハプローバ10の各部を制御する。
【0032】
図2は、ウェーハプローバ10の各部の配置を表わす概念図である。図2に示すように、ウェーハ移動部11は、ウェーハプローバ10の本体ベース16に設けられたXYZθテーブル12、XYZθテーブル12に載置され、ダイシングテープTを介してウェーハWを吸着保持する吸着ステージ13、ウェーハWがマウントされているフレームFを保持するフレームホルダ14等からなっている。このウェーハ移動部11によって、ウェーハWが図のXYZθ方向に精密に移動される。
【0033】
レーザー加工部20は、図2に示すように、レーザーヘッド21、コリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等で構成されている。また、観察光学部30は、観察用光源31、コリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ34、観察手段としてのCCDカメラ35、テレビモニタ36等で構成されている。
【0034】
プロービング部40では、チップの電極に接触する多数のプローブニードル41、41、…を備えたプローブカード42がテストヘッド43に設けられている。このテストヘッド43は、外部のテスタに接続されており、テスト信号はテスタで解析されて各チップの良否が判定される。また、テスト結果は制御部50に送られて、良品チップのデータマップが作成される。
【0035】
レーザー加工部20では、レーザーヘッド21から発振されたレーザー光はコリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。集光点のZ方向位置は、XYZθテーブル12のZ方向微動によって調整される。
【0036】
観察光学部30では、観察用光源31から出射された照明光がコリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの表面を照射する。ウエーハWの表面からの反射光はコンデンスレンズ24、ハーフミラー23及び33、コンデンスレンズ34を経由して観察手段としてのCCDカメラ35に入射し、ウエーハWの表面画像が撮像される。この撮像データは制御部50を経てテレビモニタ36に写し出される。
【0037】
次に、本発明のウェーハプローバ10の作用について説明する。最初に、ウェーハプローバ10に投入されるウエーハWは、図3に示すように、片方の面に粘着剤を有するダイシングテープTを介してリング状のフレームFにマウントされ、ウェーハプローバ10に搬送されてくる。
【0038】
ウェーハWはこの状態で吸着ステージ13に吸着保持されている。ウェーハWは最初にCCDカメラ35で表面に形成された回路パターンが撮像され、図示しない画像処理手段とアライメント手段によってθ方向のアライメントとXY方向の位置決めがなされる。
【0039】
アライメントが終了すると、XYZθテーブル12がプロービング部40へ移動して、XYZθテーブル12のXY方向インデックス送りとZ方向の往復送りが繰り返され、チップの電極とプローブニードルとのコンタクトによりプローブテストが行われる。テストの結果は外部のテスタで良否が判定され、制御部50では良品チップのマップを作成する。
【0040】
プローブテストが終了すると、XYZθテーブル12がレーザー加工部20の下に移動し、XY方向インデックス送りがなされてウエーハWのダイシングストリートに沿ってレーザー光Lが入射される。この時、制御部50で作成された良品チップマップに基いて、良品のチップのみのダイシングストリートにレーザー光Lを入射させてもよく、あるいは全数のチップに対して入射させてもよい。
【0041】
ウエーハWの表面から入射したレーザー光の集光点がウエーハWの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光Lは、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハWの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域が形成される。これによりウエーハは分子間力のバランスが崩れ、改質領域を起点として自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。
【0042】
図4は、ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図4(a)は、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光Lが集光点に改質領域Pを形成した状態を示し、図4(b)は断続するパルス状のレーザー光Lの下でウェーハWが水平方向に移動され、不連続な改質領域P、P、…が並んで形成された状態を表わしている。この状態でウェーハWは改質領域Pを起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。この場合、ウェーハWは表面や裏面にはチッピングが発生せずに容易にチップに分割される。
【0043】
厚さの厚いウェーハWの場合は、改質領域Pの層が1層では割断できないので、図5に示すように、ウェーハWの厚さ方向にレーザー光Lの集光点を移動し、改質領域Pを多層に形成させて割断する。
【0044】
なお、図4(b)及び図5では断続するパルス状のレーザー光Lで不連続な改質領域P、P、…を形成した状態を示したが、レーザー光Lの連続波の下で連続的な改質領域Pを形成してもよい。
【0045】
また、必要に応じ、レーザー光Lの集光点を良品チップの上面に合わせ、チップの上面に品種マークを印字させる。
【0046】
なお、上記実施の形態では、レーザー加工をウェーハのプローブテストの後に行ったが、本発明はこれに限らず、ウェーハWのプローブテストに先立ってレーザー加工を行ってもよい。この場合は、チップに形成された半導体回路にレーザー加工による影響が及ぼしていないかどうかも含めてプローブテストを行うことができ、より信頼性の高いプローブテストが期待できる。なおこの場合は、良品チップのマップ情報が作成されていないので、全てのチップに対してレーザー加工を行うことになる。
【0047】
また、プロービング部40のテストヘッド43及びプローブカード42を取外し、ここにレーザー加工部20を取付けることにより、ウェーハプローバ10を容易にレーザーダイシング専用機にセット換えすることが出来る。このようにしてウェーハプローバ10と、ウェーハプローバ10と同形のレーザーダイシング専用機とを適宜の台数づつ組み合わせ、これらを郡管理することにより効率のよいプロービング/ダイシング工程を構築することができる。この場合、ウェーハプローバ10とレーザーダイシング専用機とは同形、同サイズであるため、ラインのセット替えが容易でスペースファクターも高い。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のウェーハプローバには、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成するレーザー加工部が設けられているので、ウェーハプローバ自身にウェーハを個々のチップに分割する機能が備わり、プロービング工程の後に続くダイシング装置によるダイシング工程を省略することができる。このため、製造工程全体が単純化され、フロアスペースの削減と、使用電力の削減が図れるとともに、製造工程全体の処理能力を著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るウェーハプローバの概略構成を表わすブロック図
【図2】本発明の実施の形態に係るウェーハプローバの各部の配置を表わす概念図
【図3】フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図
【図4】ウェーハ内部に形成された改質領域を説明する概念図
【図5】ウェーハ内部に複数層形成された改質領域を説明する概念図
【符号の説明】
10…ウェーハプローバ、11…ウェーハ移動部、12…XYZθテーブル、13…吸着ステージ、20…レーザー加工部、21…レーザーヘッド、22、32…コリメートレンズ、23、33…ハーフミラー、24、34…コンデンスレンズ、30…観察光学部、31…観察用光源、35…CCDカメラ、36…テレビモニタ、40…プロービング部、41…プローブニードル、42…プローブカード、43…テストヘッド、50…制御部、F…フレーム、L…レーザー光、P…改質領域、T…ダイシングテープ、W…ウェーハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に半導体チップが多数形成されたウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程は、ウェーハ上に多数の半導体装置を形成するウェーハ処理工程である前工程と、組立工程である後工程とに分かれている。この前工程の最後に、ウェーハ上に形成された半導体チップの電極にプローブニードルと称する触針を接触させ、テスタからの測定電圧を印加して電気テスト(通常プローブテストと言われている)を行うウェーハプローバがある。
【0003】
プローブテストを行うプロービング工程の後は、後工程の組立工程が始まる。この後工程は、プローブテストされたウェーハを個々のチップ(ダイとも言う)に分割するダイシング工程があり、ダイシング工程の後には分割された個々のチップを1個づつ基台にボンディングするダイボンディング工程がある。基台にボンディングされた半導体チップは、パッケージング工程で樹脂モールドされ、最終検査工程を経て完成品となる。
【0004】
プローブテストされたウェーハから個々のチップに分割するダイシング工程には、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。ダイシングブレードは、細かなダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
【0005】
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハに切込み、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)していた。ハーフカットはウェーハに厚さの半分程度切り込む方法で、セミフルカットは10μm程度の肉厚を残して研削溝を形成する場合のことである。
【0006】
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。また、このダイシング装置では研削水や洗浄水等大量の水を使用するため、前工程と同じクリーンルームに設置することができず、前工程と後工程とでは完全に建て屋が分かれていた。更に、廃水浄化費用も含めランニングコストが増大する要因になっていた。
【0007】
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザダイシング装置が提案されている(例えば、特許文献1〜6参照。)。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−192367号公報
【0009】
【特許文献2】
特開2002−192368号公報
【0010】
【特許文献3】
特開2002−192369号公報
【0011】
【特許文献4】
特開2002−192370号公報
【0012】
【特許文献5】
特開2002−192371号公報
【0013】
【特許文献6】
特開2002−205180号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献で提案されているレーザダイシング装置は、レーザー光を用いた割断技術によるもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成することによってこの改質領域を起点として前記ウェーハが割断されるものである。
【0015】
しかし、上記の特許文献で提案されているレーザダイシング装置は、ダイシングブレードを用いたダイシング装置と比べてダイシングのメカニズムが異なるだけで、ダイシング装置であることには変わりがなく、ウェーハプローバによるプロービング工程の後には相変わらずダイシング装置によるダイシング工程が必要であった。
【0016】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プロービング工程の後の、ダイシング装置によるダイシング工程を省略することのできるウェーハプローバを提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、表面に半導体チップが多数形成されたウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバにおいて、前記ウェーハプローバには、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成するレーザー加工部が設けられ、該レーザー加工部で前記ウェーハを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0018】
請求項1の発明によれば、ウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバにレーザー加工部が設けられているので、ウェーハプローバ自身にウェーハを個々のチップに分割する機能が備わり、ダイボンディング工程の前のダイシング工程を省略することができる。このため、前工程と後工程とを同一フロア内で接続し、ウェーハプローバとダイボンダとを接続することが可能になり、製品汚染が低減される。また半導体製造工程全体が単純化され、フロアスペースの削減と、使用電力の削減が図れる。
【0019】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1の発明において、前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストの後に行われることを特徴としている。
【0020】
請求項2の発明によれば、チップの分割が、ウェーハのプローブテストの後に行われるので、プローブテストの結果に基いてチップの分割を行うことができる。
【0021】
請求項3に記載の発明は、請求項1の発明において、前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストに先立って行われることを特徴としている。
【0022】
請求項3の発明によれば、分割がウェーハのプローブテストに先立って行われるので、分割によるチップへの影響も含めてプローブテストを行うことができる。また、ウェーハのアライメント位置とレーザー加工位置とが近接している場合には、ウエーハの無駄な移動が削減され、効率的にウェーハを移動させることができる。
【0023】
請求項4に記載の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の良品チップのみを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0024】
請求項4の発明によれば、良品のチップのみに対してレーザー光を入射させるので効率的である。ウェーハ上の良品のチップが少ない時には、無駄なレーザー光照射をしないので特に効率がアップする。
【0025】
請求項5に記載の発明は、請求項1、2、又は3のうちいずれか1項の発明において、前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の全チップを個々のチップに分割することを特徴としている。
【0026】
請求項5の発明によれば、ウェーハ上の全数のダイに対してレーザー光を入射させるのでウェーハのレーザー光に対する相対的移動制御が単純になる。
【0027】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のうちいずれか1項の発明において、前記レーザー加工部によって、前記チップの表面に品種マーキングを施すことを特徴としている。
【0028】
請求項6の発明によれば、チップ分割用のレーザー加工部を用いてチップの表面に品種マーキングを施すので、マーキング専用の装置を用いた品種マーキング工程を省略することができる。また良品のチップのみにマーキングを施せばより効率的に品種マーキングを行うことができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハプローバの好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【0030】
図1は、本発明に係るウェーハプローバの概略構成図である。ウェーハプローバ10は、図1に示すように、ウェーハ移動部11、レーザー加工部20、観察光学部30、プロービング部40、制御部50、ウェーハ搬送部60等から構成されている。
【0031】
ウェーハ移動部11は、ウェーハのレーザー加工時及びプロービング時にウェーハを高精度で移動させる。レーザー加工部20はウェーハを個々のチップに分割するための加工を行う。観察光学部30はウェーハ表面の画像を撮像する。プロービング部40はウェーハ上の各チップのプローブテストを行う。ウェーハ搬送部60はウェーハプローバの各部にウェーハを搬送する。制御部50は、入出力回路部、演算処理部(CPU)、記憶部等を有し、外部のテスタとの信号のやり取りを行うと共に、ウェーハプローバ10の各部を制御する。
【0032】
図2は、ウェーハプローバ10の各部の配置を表わす概念図である。図2に示すように、ウェーハ移動部11は、ウェーハプローバ10の本体ベース16に設けられたXYZθテーブル12、XYZθテーブル12に載置され、ダイシングテープTを介してウェーハWを吸着保持する吸着ステージ13、ウェーハWがマウントされているフレームFを保持するフレームホルダ14等からなっている。このウェーハ移動部11によって、ウェーハWが図のXYZθ方向に精密に移動される。
【0033】
レーザー加工部20は、図2に示すように、レーザーヘッド21、コリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等で構成されている。また、観察光学部30は、観察用光源31、コリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ34、観察手段としてのCCDカメラ35、テレビモニタ36等で構成されている。
【0034】
プロービング部40では、チップの電極に接触する多数のプローブニードル41、41、…を備えたプローブカード42がテストヘッド43に設けられている。このテストヘッド43は、外部のテスタに接続されており、テスト信号はテスタで解析されて各チップの良否が判定される。また、テスト結果は制御部50に送られて、良品チップのデータマップが作成される。
【0035】
レーザー加工部20では、レーザーヘッド21から発振されたレーザー光はコリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。集光点のZ方向位置は、XYZθテーブル12のZ方向微動によって調整される。
【0036】
観察光学部30では、観察用光源31から出射された照明光がコリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの表面を照射する。ウエーハWの表面からの反射光はコンデンスレンズ24、ハーフミラー23及び33、コンデンスレンズ34を経由して観察手段としてのCCDカメラ35に入射し、ウエーハWの表面画像が撮像される。この撮像データは制御部50を経てテレビモニタ36に写し出される。
【0037】
次に、本発明のウェーハプローバ10の作用について説明する。最初に、ウェーハプローバ10に投入されるウエーハWは、図3に示すように、片方の面に粘着剤を有するダイシングテープTを介してリング状のフレームFにマウントされ、ウェーハプローバ10に搬送されてくる。
【0038】
ウェーハWはこの状態で吸着ステージ13に吸着保持されている。ウェーハWは最初にCCDカメラ35で表面に形成された回路パターンが撮像され、図示しない画像処理手段とアライメント手段によってθ方向のアライメントとXY方向の位置決めがなされる。
【0039】
アライメントが終了すると、XYZθテーブル12がプロービング部40へ移動して、XYZθテーブル12のXY方向インデックス送りとZ方向の往復送りが繰り返され、チップの電極とプローブニードルとのコンタクトによりプローブテストが行われる。テストの結果は外部のテスタで良否が判定され、制御部50では良品チップのマップを作成する。
【0040】
プローブテストが終了すると、XYZθテーブル12がレーザー加工部20の下に移動し、XY方向インデックス送りがなされてウエーハWのダイシングストリートに沿ってレーザー光Lが入射される。この時、制御部50で作成された良品チップマップに基いて、良品のチップのみのダイシングストリートにレーザー光Lを入射させてもよく、あるいは全数のチップに対して入射させてもよい。
【0041】
ウエーハWの表面から入射したレーザー光の集光点がウエーハWの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光Lは、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハWの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域が形成される。これによりウエーハは分子間力のバランスが崩れ、改質領域を起点として自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。
【0042】
図4は、ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図4(a)は、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光Lが集光点に改質領域Pを形成した状態を示し、図4(b)は断続するパルス状のレーザー光Lの下でウェーハWが水平方向に移動され、不連続な改質領域P、P、…が並んで形成された状態を表わしている。この状態でウェーハWは改質領域Pを起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。この場合、ウェーハWは表面や裏面にはチッピングが発生せずに容易にチップに分割される。
【0043】
厚さの厚いウェーハWの場合は、改質領域Pの層が1層では割断できないので、図5に示すように、ウェーハWの厚さ方向にレーザー光Lの集光点を移動し、改質領域Pを多層に形成させて割断する。
【0044】
なお、図4(b)及び図5では断続するパルス状のレーザー光Lで不連続な改質領域P、P、…を形成した状態を示したが、レーザー光Lの連続波の下で連続的な改質領域Pを形成してもよい。
【0045】
また、必要に応じ、レーザー光Lの集光点を良品チップの上面に合わせ、チップの上面に品種マークを印字させる。
【0046】
なお、上記実施の形態では、レーザー加工をウェーハのプローブテストの後に行ったが、本発明はこれに限らず、ウェーハWのプローブテストに先立ってレーザー加工を行ってもよい。この場合は、チップに形成された半導体回路にレーザー加工による影響が及ぼしていないかどうかも含めてプローブテストを行うことができ、より信頼性の高いプローブテストが期待できる。なおこの場合は、良品チップのマップ情報が作成されていないので、全てのチップに対してレーザー加工を行うことになる。
【0047】
また、プロービング部40のテストヘッド43及びプローブカード42を取外し、ここにレーザー加工部20を取付けることにより、ウェーハプローバ10を容易にレーザーダイシング専用機にセット換えすることが出来る。このようにしてウェーハプローバ10と、ウェーハプローバ10と同形のレーザーダイシング専用機とを適宜の台数づつ組み合わせ、これらを郡管理することにより効率のよいプロービング/ダイシング工程を構築することができる。この場合、ウェーハプローバ10とレーザーダイシング専用機とは同形、同サイズであるため、ラインのセット替えが容易でスペースファクターも高い。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のウェーハプローバには、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成するレーザー加工部が設けられているので、ウェーハプローバ自身にウェーハを個々のチップに分割する機能が備わり、プロービング工程の後に続くダイシング装置によるダイシング工程を省略することができる。このため、製造工程全体が単純化され、フロアスペースの削減と、使用電力の削減が図れるとともに、製造工程全体の処理能力を著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るウェーハプローバの概略構成を表わすブロック図
【図2】本発明の実施の形態に係るウェーハプローバの各部の配置を表わす概念図
【図3】フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図
【図4】ウェーハ内部に形成された改質領域を説明する概念図
【図5】ウェーハ内部に複数層形成された改質領域を説明する概念図
【符号の説明】
10…ウェーハプローバ、11…ウェーハ移動部、12…XYZθテーブル、13…吸着ステージ、20…レーザー加工部、21…レーザーヘッド、22、32…コリメートレンズ、23、33…ハーフミラー、24、34…コンデンスレンズ、30…観察光学部、31…観察用光源、35…CCDカメラ、36…テレビモニタ、40…プロービング部、41…プローブニードル、42…プローブカード、43…テストヘッド、50…制御部、F…フレーム、L…レーザー光、P…改質領域、T…ダイシングテープ、W…ウェーハ
Claims (6)
- 表面に半導体チップが多数形成されたウェーハのプローブテストを行うウェーハプローバにおいて、
前記ウェーハプローバには、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成するレーザー加工部が設けられ、
該レーザー加工部で前記ウェーハを個々のチップに分割することを特徴とするウェーハプローバ。 - 前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストの後に行われることを特徴とする請求項1に記載のウェーハプローバ。
- 前記チップの分割が、前記ウェーハのプローブテストに先立って行われることを特徴とする請求項1に記載のウェーハプローバ。
- 前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の良品チップのみを個々のチップに分割することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハプローバ。
- 前記レーザー加工部によって、前記ウェーハ上の全チップを個々のチップに分割することを特徴とする請求項1、2、又は3のうちいずれか1項に記載のウェーハプローバ。
- 前記レーザー加工部によって、前記チップの表面に品種マーキングを施すことを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項に記載のウェーハプローバ。
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