JP2004111428A - チップ製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成するレーザーダイシング装置を用い、厚いウェーハに対し、ウェーハ内部に形成される改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを割断することのできる効率的なチップ製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザーダイシング装置10を用いた任意形状のチップを製造するチップ製造方法は、ウェーハWの表面からレーザー光Lをチップの形状に合わせて入射させ、ウェーハ内部に改質領域Pを形成する工程に、ウェーハWの裏面を研削する工程、又はウェーハWを振動させる工程、あるいはウェーハWからチップを押し出す工程を付加した。
【選択図】 図1
【解決手段】レーザーダイシング装置10を用いた任意形状のチップを製造するチップ製造方法は、ウェーハWの表面からレーザー光Lをチップの形状に合わせて入射させ、ウェーハ内部に改質領域Pを形成する工程に、ウェーハWの裏面を研削する工程、又はウェーハWを振動させる工程、あるいはウェーハWからチップを押し出す工程を付加した。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や電子部品その他のウェーハを個々のチップに分割するチップ製造方法に関するもので、特にレーザー光を応用したチップ製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するには、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。ダイシングブレードは、細かなダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
【0003】
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハに切込み、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)していた。ハーフカットはウェーハに厚さの半分程度切り込む方法で、セミフルカットは10μm程度の肉厚を残して研削溝を形成する場合のことである。
【0004】
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。特に裏面に生じたチッピングは、クラックが徐々に内部に進行するためやっかいな問題であった。また、このダイシングブレードによる研削加工の場合、直線加工は可能であるが曲線加工等、任意形状の加工は不可能であった。
【0005】
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザ加工方法に関する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜6参照。)。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−192367号公報
【0007】
【特許文献2】
特開2002−192368号公報
【0008】
【特許文献3】
特開2002−192369号公報
【0009】
【特許文献4】
特開2002−192370号公報
【0010】
【特許文献5】
特開2002−192371号公報
【0011】
【特許文献6】
特開2002−205180号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献で提案されている技術は、レーザー光を用いた割断技術によるもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成することによってこの改質領域を起点として前記ウェーハが割断されるものである。
【0013】
このため、ウェーハの厚さが厚い場合はうまく割断することができず、厚いウェーハの場合はこの改質領域をウェーハの厚さ方向に何層も形成して割断していた。従って、改質領域の形成層の数に比例してダイシング時間が掛かり、装置の処理能力を低下させていた。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成するレーザーダイシング装置を用い、厚いウェーハに対し、ウェーハ内部に形成される改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを割断することのできる効率的なチップ製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハの裏面を研削して所定の厚さにする工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに分割することを特徴としている。
【0016】
請求項1の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、ウェーハの裏面を研削して所定の厚さにする工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハであっても容易に任意形状のチップに割断することができる。
【0017】
また、請求項2に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハを振動させる工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴としている。
【0018】
請求項2の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、ウェーハを振動させる工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0019】
請求項3に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハの表面又は裏面から前記チップを押し出す工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴としている。
【0020】
請求項3の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、チップを押し出す工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0021】
請求項4に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから平面が任意形状で台形断面を有するチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの平面形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部の前記台形断面の斜面に沿って多層の改質領域層を形成する工程と、前記台形断面を有するチップの上底側より下底側に向けて押し出す工程と、によって前記ウェーハを平面が任意形状で台形断面を有するチップに割断することを特徴としている。
【0022】
請求項4の発明によれば、平面が任意形状で台形断面を有するチップを製造するチップ製造方法で、ウェーハ内部の台形断面の斜面に沿って多層の改質領域層を形成する工程に、台形断面を有するチップの上底側より下底側に向けて押し出す工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、隣同士のチップが干渉し合うこともなく良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るチップ製造方法の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【0024】
図1は、本発明に係るチップ製造方法に用いるレーザーダイシング装置の概略構成図である。レーザーダイシング装置10は、図1に示すように、ウェーハ移動部11、レーザー光学部20、観察光学部30、制御部50等から構成されている。
【0025】
ウェーハ移動部11は、レーザーダイシング装置10の本体ベース16に設けられたXYZθテーブル12、XYZθテーブル12に載置されダイシングテープTを介してウェーハWを吸着保持する吸着ステージ13、XYZθテーブル12に保持されたフレームホルダ14等からなっている。このウェーハ移動部11によって、ウェーハWが図のXYZθ方向に精密に移動される。
【0026】
レーザー光学部20は、レーザーヘッド21、コリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等で構成されている。また、観察光学部30は、観察用光源31、コリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ34、観察手段としてのCCDカメラ35、テレビモニタ36等で構成されている。
【0027】
レーザー光学部20では、レーザーヘッド21から発振されたレーザー光はコリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。集光点のZ方向位置は、XYZθテーブル12のZ方向微動によって調整される。
【0028】
観察光学部30では、観察用光源31から出射された照明光がコリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの表面を照射する。ウエーハWの表面からの反射光はコンデンスレンズ24、ハーフミラー23及び33、コンデンスレンズ34を経由して観察手段としてのCCDカメラ35に入射し、ウエーハWの表面画像が撮像される。この撮像データは制御部50を経てテレビモニタ36に写し出される。
【0029】
制御部50は、CPU、メモリ、入出力回路部等からなり、レーザーダイシング装置10の各部の動作を制御する。
【0030】
次に、レーザーダイシング装置10を用いた本発明のチップ製造方法によるウェーハWのダイシングについて説明する。ウェーハWがダイシングされるときは、図2に示すように、片方の面に粘着剤を有するダイシングテープTを介してリング状のダイシング用のフレームFにマウントされ、ダイシング工程中はこの状態で搬送される。ウェーハWはこのように、裏面にダイシングテープTが貼られているので、個々のチップに分割されても1個1個バラバラになることがない。
【0031】
ウェーハWはこの状態で吸着ステージ13に吸着保持されている。ウェーハWは最初にCCDカメラ35で表面に形成された回路パターンが撮像され、図示しない画像処理手段とアライメント手段によってθ方向のアライメントとXY方向の位置決めがなされる。
【0032】
アライメントが終了すると、XYZθテーブル12がXYに移動してウエーハWのチップ形状に沿ってレーザー光Lが入射される。ウエーハWの表面から入射したレーザー光の集光点がウエーハWの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光Lは、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハWの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域が形成される。
【0033】
これによりウエーハWは分子間力のバランスが崩れ、薄いウェーハWであれば改質領域を起点として自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。
【0034】
図3は、ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図3(a)は、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光Lが集光点に改質領域Pを形成した状態を示し、図3(b)は断続するパルス状のレーザー光Lの下でウェーハWが水平方向に移動され、不連続な改質領域P、P、…が並んで形成された状態を表わしている。この状態で薄いウェーハWであれば改質領域Pを起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。この場合、ウェーハWは表面や裏面にはチッピングが発生せずに容易にチップに分割される。
【0035】
厚さの厚いウェーハWの場合は、改質領域Pの層が1層では割断できないので、ウェーハWの厚さ方向にレーザー光Lの集光点を移動し、改質領域Pを多層に形成させる。改質領域Pを形成するだけの場合は、改質領域層の数を多くしないと良好に割断することができず、処理能力に問題がある。
【0036】
図4は、本発明のチップ製造方法を説明する実施の形態の概念図である。本発明では厚いウェーハWの場合、図4(a)に示すように、レーザー光Lの集光点をウェーハWの下面(表面)に近い部分に設定し、表面近傍に改質領域Pを形成させる。次に図4(b)に示すように、ウェーハWの裏面を研削砥石81で研削し、所定の厚さに加工する。次いで図示しない研磨布でウェーハWの裏面を研磨し、研削時に生じた加工変質層を除去する。これにより、ウェーハWは薄くなって割断されやすくなると共に、研削砥石81及び研磨布の加工圧力で容易に割断され、個々のチップに分割される。
【0037】
図5は、チップ製造方法の別の発明の実施形態を説明するためのもので、ウェーハWに改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWに振動を付与する工程に用いられる加振装置60を示している。
【0038】
加振装置60は、ベース61上に固定されたフレーム台62があり、ウェーハWを吸着保持する吸着台63が圧縮バネ65、65に支持されフレーム台62に押付けられている。吸着台63の下部には適宜の間隔を持った電磁石64が配置され、電磁石64の通電により吸着台63を下方に引き寄せるようになっている。
【0039】
ウェーハWに振動を付与する時は、ダイシングテープTを介してウェーハWがマウントされたフレームFをフレーム台62に載置すると共に、ウェーハWをダイシングテープTを介して吸着台63に載置し、真空吸着する。この状態で電磁石64のON/OFFを高速で繰り返す。これにより吸着台63は上下方向に微小振動を繰返し、ウェーハWは内部に形成された改質領域層を起点として容易にチップに割断される。
【0040】
このように、改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWに振動を付与する工程を付加することにより、ウェーハWの厚さが厚くても、少ない改質領域層の数で容易に割断できるので、処理能力が一段と向上する。
【0041】
図6は、更に別の発明のチップ製造方法の実施形態を説明するためのもので、ウェーハWに改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWからチップを押し出す工程を概念的に表わしている。図6の例では台形断面のチップを製造する場合を示し、ウェーハWには改質領域層を形成する工程で、チップの台形斜面に沿って多層の改質領域層が形成されている。
【0042】
この改質領域層形成工程の次に、ウェーハWがマウントされたフレームFを図示しないテーブルに固定し、台形断面チップの上底側(図6の下側)から下底側(図6の上側)に向けて、図示しないエアーシリンダ等の駆動手段に取付けられたプッシャー71でチップを押し上げ、ウェーハWから抜き出す。
【0043】
図7は、このようにして製造した台形断面を有するチップを表わす斜視図である。図7(a)は、角錐台形のチップを表わし、図7(b)は、円錐台形のチップを表わしている。
【0044】
このように、改質領域層を形成する工程に続いて、チップを押し出す工程を付加することにより、ウェーハWの厚さが厚くても、少ない改質領域層の数で容易に割断できるので、処理能力が一段と向上する。また、台形断面を有するチップの場合も、上底側から下底側に向けてチップを抜き出すので、チップの周縁に割れ欠けを生じさせない。
【0045】
なお、上記実施の形態を説明する図では、レーザー光Lの断続波を用いて不連続の改質領域Pを有する層を形成する概念図であったが、レーザー光Lの連続波を用いて連続した改質領域Pを形成するようにしてもよい。不連続の改質領域Pを形成した場合は、連続した改質領域Pを形成した場合に比べて割断され難いので、ウェーハWの厚さや搬送中の安全等の状況によって、レーザー光Lの連続波を用いるか、断続波を用いるかが適宜選択される。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように、レーザーダイシング装置を用いた本発明の任意形状のチップを製造するチップ製造方法は、ウェーハの表面からレーザー光をチップの形状に合わせて入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成する工程と共に、ウェーハの裏面を研削する工程、又はウェーハを振動させる工程、あるいはウェーハからチップを押し出す工程を付加している。そのため任意形状のチップを有する厚いウェーハであっても、改質領域を形成する工程のみに比べて改質領域の形成層の数が少なくても、ウェーハは良好に割断され、任意形状のチップを容易に得られるので、レーザーダイシング装置の稼働率が向上し、チップ製造工程全体の処理能力も格段と向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態係るチップ製造方法に用いられるレーザーダイシング装置の概略構成図
【図2】フレームにマウントされたウェーハを示す斜視図
【図3】ウェーハ内部に形成された改質領域を説明する概念図
【図4】本発明の実施の形態を説明する概念図
【図5】本別発明の実施形態を説明する機構図
【図6】本別発明の実施形態を説明する概念図
【図7】台形断面を有するチップを表わす斜視図
【符号の説明】
10…レーザーダイシング装置、11…ウェーハ移動部、12…XYZθテーブル、13…吸着ステージ、20…レーザー光学部、21…レーザーヘッド、22、32…コリメートレンズ、23、33…ハーフミラー、24、34…コンデンスレンズ、30…観察光学部、31…観察用光源、35…CCDカメラ、36…テレビモニタ、50…制御部、60…加振装置、71…プッシャー、81…研削砥石、F…フレーム、L…レーザー光、P…改質領域、T…ダイシングテープ、W…ウェーハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や電子部品その他のウェーハを個々のチップに分割するチップ製造方法に関するもので、特にレーザー光を応用したチップ製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するには、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。ダイシングブレードは、細かなダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
【0003】
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハに切込み、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)していた。ハーフカットはウェーハに厚さの半分程度切り込む方法で、セミフルカットは10μm程度の肉厚を残して研削溝を形成する場合のことである。
【0004】
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。特に裏面に生じたチッピングは、クラックが徐々に内部に進行するためやっかいな問題であった。また、このダイシングブレードによる研削加工の場合、直線加工は可能であるが曲線加工等、任意形状の加工は不可能であった。
【0005】
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザ加工方法に関する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜6参照。)。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−192367号公報
【0007】
【特許文献2】
特開2002−192368号公報
【0008】
【特許文献3】
特開2002−192369号公報
【0009】
【特許文献4】
特開2002−192370号公報
【0010】
【特許文献5】
特開2002−192371号公報
【0011】
【特許文献6】
特開2002−205180号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献で提案されている技術は、レーザー光を用いた割断技術によるもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成することによってこの改質領域を起点として前記ウェーハが割断されるものである。
【0013】
このため、ウェーハの厚さが厚い場合はうまく割断することができず、厚いウェーハの場合はこの改質領域をウェーハの厚さ方向に何層も形成して割断していた。従って、改質領域の形成層の数に比例してダイシング時間が掛かり、装置の処理能力を低下させていた。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成するレーザーダイシング装置を用い、厚いウェーハに対し、ウェーハ内部に形成される改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを割断することのできる効率的なチップ製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハの裏面を研削して所定の厚さにする工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに分割することを特徴としている。
【0016】
請求項1の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、ウェーハの裏面を研削して所定の厚さにする工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハであっても容易に任意形状のチップに割断することができる。
【0017】
また、請求項2に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハを振動させる工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴としている。
【0018】
請求項2の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、ウェーハを振動させる工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0019】
請求項3に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、前記ウェーハの表面又は裏面から前記チップを押し出す工程と、によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴としている。
【0020】
請求項3の発明によれば、ウェーハ内部に改質領域層を形成する工程に、チップを押し出す工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0021】
請求項4に記載の発明は、ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから平面が任意形状で台形断面を有するチップを製造するチップ製造方法において、前記チップの平面形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部の前記台形断面の斜面に沿って多層の改質領域層を形成する工程と、前記台形断面を有するチップの上底側より下底側に向けて押し出す工程と、によって前記ウェーハを平面が任意形状で台形断面を有するチップに割断することを特徴としている。
【0022】
請求項4の発明によれば、平面が任意形状で台形断面を有するチップを製造するチップ製造方法で、ウェーハ内部の台形断面の斜面に沿って多層の改質領域層を形成する工程に、台形断面を有するチップの上底側より下底側に向けて押し出す工程を付加しているので、厚さの厚いウェーハで改質領域の層の数が少なくても、隣同士のチップが干渉し合うこともなく良好にウェーハを任意形状のチップに割断することができ、処理能力を向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るチップ製造方法の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【0024】
図1は、本発明に係るチップ製造方法に用いるレーザーダイシング装置の概略構成図である。レーザーダイシング装置10は、図1に示すように、ウェーハ移動部11、レーザー光学部20、観察光学部30、制御部50等から構成されている。
【0025】
ウェーハ移動部11は、レーザーダイシング装置10の本体ベース16に設けられたXYZθテーブル12、XYZθテーブル12に載置されダイシングテープTを介してウェーハWを吸着保持する吸着ステージ13、XYZθテーブル12に保持されたフレームホルダ14等からなっている。このウェーハ移動部11によって、ウェーハWが図のXYZθ方向に精密に移動される。
【0026】
レーザー光学部20は、レーザーヘッド21、コリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等で構成されている。また、観察光学部30は、観察用光源31、コリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ34、観察手段としてのCCDカメラ35、テレビモニタ36等で構成されている。
【0027】
レーザー光学部20では、レーザーヘッド21から発振されたレーザー光はコリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。集光点のZ方向位置は、XYZθテーブル12のZ方向微動によって調整される。
【0028】
観察光学部30では、観察用光源31から出射された照明光がコリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウエーハWの表面を照射する。ウエーハWの表面からの反射光はコンデンスレンズ24、ハーフミラー23及び33、コンデンスレンズ34を経由して観察手段としてのCCDカメラ35に入射し、ウエーハWの表面画像が撮像される。この撮像データは制御部50を経てテレビモニタ36に写し出される。
【0029】
制御部50は、CPU、メモリ、入出力回路部等からなり、レーザーダイシング装置10の各部の動作を制御する。
【0030】
次に、レーザーダイシング装置10を用いた本発明のチップ製造方法によるウェーハWのダイシングについて説明する。ウェーハWがダイシングされるときは、図2に示すように、片方の面に粘着剤を有するダイシングテープTを介してリング状のダイシング用のフレームFにマウントされ、ダイシング工程中はこの状態で搬送される。ウェーハWはこのように、裏面にダイシングテープTが貼られているので、個々のチップに分割されても1個1個バラバラになることがない。
【0031】
ウェーハWはこの状態で吸着ステージ13に吸着保持されている。ウェーハWは最初にCCDカメラ35で表面に形成された回路パターンが撮像され、図示しない画像処理手段とアライメント手段によってθ方向のアライメントとXY方向の位置決めがなされる。
【0032】
アライメントが終了すると、XYZθテーブル12がXYに移動してウエーハWのチップ形状に沿ってレーザー光Lが入射される。ウエーハWの表面から入射したレーザー光の集光点がウエーハWの厚さ方向の内部に設定されているので、ウエーハの表面を透過したレーザー光Lは、ウエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウエーハWの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域が形成される。
【0033】
これによりウエーハWは分子間力のバランスが崩れ、薄いウェーハWであれば改質領域を起点として自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。
【0034】
図3は、ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図3(a)は、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光Lが集光点に改質領域Pを形成した状態を示し、図3(b)は断続するパルス状のレーザー光Lの下でウェーハWが水平方向に移動され、不連続な改質領域P、P、…が並んで形成された状態を表わしている。この状態で薄いウェーハWであれば改質領域Pを起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。この場合、ウェーハWは表面や裏面にはチッピングが発生せずに容易にチップに分割される。
【0035】
厚さの厚いウェーハWの場合は、改質領域Pの層が1層では割断できないので、ウェーハWの厚さ方向にレーザー光Lの集光点を移動し、改質領域Pを多層に形成させる。改質領域Pを形成するだけの場合は、改質領域層の数を多くしないと良好に割断することができず、処理能力に問題がある。
【0036】
図4は、本発明のチップ製造方法を説明する実施の形態の概念図である。本発明では厚いウェーハWの場合、図4(a)に示すように、レーザー光Lの集光点をウェーハWの下面(表面)に近い部分に設定し、表面近傍に改質領域Pを形成させる。次に図4(b)に示すように、ウェーハWの裏面を研削砥石81で研削し、所定の厚さに加工する。次いで図示しない研磨布でウェーハWの裏面を研磨し、研削時に生じた加工変質層を除去する。これにより、ウェーハWは薄くなって割断されやすくなると共に、研削砥石81及び研磨布の加工圧力で容易に割断され、個々のチップに分割される。
【0037】
図5は、チップ製造方法の別の発明の実施形態を説明するためのもので、ウェーハWに改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWに振動を付与する工程に用いられる加振装置60を示している。
【0038】
加振装置60は、ベース61上に固定されたフレーム台62があり、ウェーハWを吸着保持する吸着台63が圧縮バネ65、65に支持されフレーム台62に押付けられている。吸着台63の下部には適宜の間隔を持った電磁石64が配置され、電磁石64の通電により吸着台63を下方に引き寄せるようになっている。
【0039】
ウェーハWに振動を付与する時は、ダイシングテープTを介してウェーハWがマウントされたフレームFをフレーム台62に載置すると共に、ウェーハWをダイシングテープTを介して吸着台63に載置し、真空吸着する。この状態で電磁石64のON/OFFを高速で繰り返す。これにより吸着台63は上下方向に微小振動を繰返し、ウェーハWは内部に形成された改質領域層を起点として容易にチップに割断される。
【0040】
このように、改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWに振動を付与する工程を付加することにより、ウェーハWの厚さが厚くても、少ない改質領域層の数で容易に割断できるので、処理能力が一段と向上する。
【0041】
図6は、更に別の発明のチップ製造方法の実施形態を説明するためのもので、ウェーハWに改質領域層を形成する工程に続いて、ウェーハWからチップを押し出す工程を概念的に表わしている。図6の例では台形断面のチップを製造する場合を示し、ウェーハWには改質領域層を形成する工程で、チップの台形斜面に沿って多層の改質領域層が形成されている。
【0042】
この改質領域層形成工程の次に、ウェーハWがマウントされたフレームFを図示しないテーブルに固定し、台形断面チップの上底側(図6の下側)から下底側(図6の上側)に向けて、図示しないエアーシリンダ等の駆動手段に取付けられたプッシャー71でチップを押し上げ、ウェーハWから抜き出す。
【0043】
図7は、このようにして製造した台形断面を有するチップを表わす斜視図である。図7(a)は、角錐台形のチップを表わし、図7(b)は、円錐台形のチップを表わしている。
【0044】
このように、改質領域層を形成する工程に続いて、チップを押し出す工程を付加することにより、ウェーハWの厚さが厚くても、少ない改質領域層の数で容易に割断できるので、処理能力が一段と向上する。また、台形断面を有するチップの場合も、上底側から下底側に向けてチップを抜き出すので、チップの周縁に割れ欠けを生じさせない。
【0045】
なお、上記実施の形態を説明する図では、レーザー光Lの断続波を用いて不連続の改質領域Pを有する層を形成する概念図であったが、レーザー光Lの連続波を用いて連続した改質領域Pを形成するようにしてもよい。不連続の改質領域Pを形成した場合は、連続した改質領域Pを形成した場合に比べて割断され難いので、ウェーハWの厚さや搬送中の安全等の状況によって、レーザー光Lの連続波を用いるか、断続波を用いるかが適宜選択される。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように、レーザーダイシング装置を用いた本発明の任意形状のチップを製造するチップ製造方法は、ウェーハの表面からレーザー光をチップの形状に合わせて入射させ、ウェーハ内部に改質領域を形成する工程と共に、ウェーハの裏面を研削する工程、又はウェーハを振動させる工程、あるいはウェーハからチップを押し出す工程を付加している。そのため任意形状のチップを有する厚いウェーハであっても、改質領域を形成する工程のみに比べて改質領域の形成層の数が少なくても、ウェーハは良好に割断され、任意形状のチップを容易に得られるので、レーザーダイシング装置の稼働率が向上し、チップ製造工程全体の処理能力も格段と向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態係るチップ製造方法に用いられるレーザーダイシング装置の概略構成図
【図2】フレームにマウントされたウェーハを示す斜視図
【図3】ウェーハ内部に形成された改質領域を説明する概念図
【図4】本発明の実施の形態を説明する概念図
【図5】本別発明の実施形態を説明する機構図
【図6】本別発明の実施形態を説明する概念図
【図7】台形断面を有するチップを表わす斜視図
【符号の説明】
10…レーザーダイシング装置、11…ウェーハ移動部、12…XYZθテーブル、13…吸着ステージ、20…レーザー光学部、21…レーザーヘッド、22、32…コリメートレンズ、23、33…ハーフミラー、24、34…コンデンスレンズ、30…観察光学部、31…観察用光源、35…CCDカメラ、36…テレビモニタ、50…制御部、60…加振装置、71…プッシャー、81…研削砥石、F…フレーム、L…レーザー光、P…改質領域、T…ダイシングテープ、W…ウェーハ
Claims (7)
- ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、
前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、
前記ウェーハの裏面を研削して所定の厚さにする工程と、
によって前記ウェーハを任意形状のチップに分割することを特徴とするチップ製造方法。 - ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、
前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、
前記ウェーハを振動させる工程と、
によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴とするチップ製造方法。 - ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから任意形状のチップを製造するチップ製造方法において、
前記チップの形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部に前記チップの形状に合わせて改質領域層を形成する工程と、
前記ウェーハの表面又は裏面から前記チップを押し出す工程と、
によって前記ウェーハを任意形状のチップに割断することを特徴とするチップ製造方法。 - ウェーハの表面からレーザー光を入射させ、前記ウェーハの内部に改質領域を形成することによって前記ウェーハをダイシングするレーザーダイシング装置を用い、前記ウェーハから平面が任意形状で台形断面を有するチップを製造するチップ製造方法において、
前記チップの平面形状に合わせて前記レーザー光で前記ウェーハ表面を走査し、前記ウェーハ内部の前記台形断面の斜面に沿って多層の改質領域層を形成する工程と、
前記台形断面を有するチップの上底側より下底側に向けて押し出す工程と、
によって前記ウェーハを平面が任意形状で台形断面を有するチップに割断することを特徴とするチップ製造方法。 - 前記改質領域層を形成する工程が、レーザー光の連続波を用いて連続した改質領域を有する層を形成する工程であることを特徴とする、請求項1、2、3、又は4のうちいずれか1項に記載のチップ製造方法。
- 前記改質領域層を形成する工程が、レーザー光の断続波を用いて断続した改質領域を有する層を形成する工程であることを特徴とする、請求項1、2、3、又は4のうちいずれか1項に記載のチップ製造方法。
- 前記任意形状が、円又は楕円あるいは多角形のいずれかであることを特徴とする、請求項1、2、3、4、5又は6のうちいずれか1項に記載のチップ製造方法。
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