JP2004104449A

JP2004104449A - Filter, filter unit and manufacturing method therefor

Info

Publication number: JP2004104449A
Application number: JP2002263405A
Authority: JP
Inventors: Rei Kimachi; 木町　礼; Tokihiro Nishihara; 西原　時弘; Takeshi Sakashita; 坂下　武; Takeshi Yokoyama; 横山　剛; Tsutomu Miyashita; 宮下　勉
Original assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date: 2002-09-09
Filing date: 2002-09-09
Publication date: 2004-04-02
Anticipated expiration: 2022-09-09
Also published as: JP3986400B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a filter in which insertion loss in the pass band of the filter is reduced and to provide a filter unit and method of manufacturing the device. <P>SOLUTION: In a ladder-type band pass filter 1 having a plurality of piezoelectric thin film resonators, the width of a wiring part 11 connecting two series resonators 110 arranged in a serial arm is designed to be wider than that of the series resonator 110. Thus, the resistance of connection parts is reduced. Further, the resistance of the connection parts is reduced by shortening the connection parts 11, 12 and 13 with an arrangement where the resonators (110, 120 and 130) are brought closer as much as possible. Consequently, insertion loss in the pass band is reduced. The film thickness of the wiring part 11 may be made thicker than that of an electrode part by stacking or growth. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電薄膜共振器を用いたフィルタ、フィルタ装置及びその製造方法に関し、特に圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタ、フィルタ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話器等に用いられる小型で軽量なバンドパスフィルタにおいて、その構成要素に圧電薄膜共振器を用いたものの開発が著しく進められている。
【０００３】
ここで、図１に従来技術による複数の圧電薄膜共振器を有して構成されたラダー（梯子）型のバンドパスフィルタ１０の上面図を示す。また、図２に図１に示すバンドパスフィルタ１０のＡ−Ａ’断面図を示す。
【０００４】
図１及び図２に示すように、従来技術によるバンドパスフィルタ１０は、空隙１０２を有する基板（例としてシリコン（Ｓｉ）基板１００）と、圧電体膜１０１と、当該圧電体膜１０１を上下から挟む１対の電極層（下部電極膜１４１，上部電極膜１３２）とを有して構成される積層共振体である。
【０００５】
このような圧電薄膜共振器を複数備えたバンドパスフィルタ１０において、現在、挿入損失をより低減させることが望まれている。挿入損失を低減する方法の１つとしては、圧電薄膜共振器を構成する電極（下部電極膜１４１，上部電極膜１３２）の抵抗を下げる方法が挙げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電極に適用できる材料や形状には種々の制約が存在し、効率よく且つ安価にこれを実現することが困難であるという問題が存在する。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、フィルタの通過帯域における挿入損失が低減されたフィルタ、フィルタ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部の幅が、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広い構成を有する。これにより、既存の配線の幅を広く形成するだけで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。
【０００９】
また、上記のフィルタは、例えば請求項２記載のように、前記配線が前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層で形成されてもよい。これにより、配線と第１又は第２の電極とが単一の層となるため、上記のフィルタを簡易な構成で実現することができる。
【００１０】
また、本発明は、請求項３記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部が、前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層とは異なる材料を含む第２の導電層との積層構造を有する。これにより、既存の配線の厚みを第２の導電層の厚み分、厚くすることで圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。
【００１１】
また、上記のフィルタは、例えば請求項４記載のように、前記第２の導電層が前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しないように形成されてもよい。これにより、パターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分にも第２の導電層が付加されてしまうという問題を回避することができ、歩留りを向上できるフィルタが提供される。
【００１２】
また、上記のフィルタは、例えば請求項５記載のように、前記第２の導電層が、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜であるか、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜であるように構成することもできる。これにより、比較的抵抗率の低い材料を用いて第２の導電層が形成されるため、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減させることができる。
【００１３】
また、本発明は、請求項６記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部に、バンプ下地層と同一の材料及び膜厚である導電層を含む構成を有する。これにより、既存の配線の厚みを導電層の厚み分、厚くすることで圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。更に、従来より圧電薄膜共振器に構成されているバンプ下地層と同様の構成で導電層を形成できるため、製造工程数を増加させること無く製造できるフィルタが提供される。
【００１４】
また、上記のフィルタは、例えば請求項７記載のように、前記導電層が前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しないように形成されてもよい。パターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分にも導電層が付加されてしまうという問題を回避することができ、歩留りを向上できるフィルタが提供される。
【００１５】
また、上記のフィルタは、例えば請求項８記載のように、前記導電層が、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜であるか、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜であるように構成することもできる。これにより、比較的抵抗率の低い材料を用いて導電層が形成されるため、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減させることができる。
【００１６】
また、本発明は、請求項９記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線が前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層として形成され、前記配線の少なくとも一部の膜厚が前記第１電極膜又は前記第２電極膜の膜厚よりも厚い構成を有する。これにより、圧電薄膜共振器間を接続する配線部分を第１又は第２電極膜よりも厚く形成することで、この接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。
【００１７】
また、上記のフィルタは、例えば請求項１０記載のように、前記配線における前記第１の電極膜又は前記第２の電極膜の膜厚よりも厚い膜厚を有する部分が、前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しない構成とすることもできる。パターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分にも導電層が付加されてしまうという問題を回避することができ、歩留りを向上できるフィルタが提供される。
【００１８】
また、上記した何れかのフィルタは、例えば請求項１１記載のように、前記配線の少なくとも一部の幅が、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広い構成とすることもできる。これにより、既存の配線の幅を広く形成することで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減することができる。
【００１９】
また、上記した何れかのフィルタは、例えば請求項１２記載のように、前記配線の少なくとも前記一部が、前記圧電薄膜共振器の幅の等倍より広く、２倍より狭い幅である構成とすることもできる。これにより、チップ面積の過度な増加や、コストの増加や浮遊容量（浮遊インピーダンス）を防止しつつ、既存の配線の幅を広く形成することで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減することができる。
【００２０】
また、上記した何れかのフィルタは、例えば請求項１３記載のように、前記圧電薄膜共振器間の最短距離が、前記圧電薄膜共振器の幅の１．０３倍から０．２６倍の長さであるように構成することもできる。これにより、圧電薄膜共振器間を接続する配線の長さが十分短く設定されるため、この接続部分の抵抗をより低減することが可能となる。
【００２１】
また、本発明は、請求項１４記載のように、上記した何れかのフィルタを、パッケージに収容した構成を有する。これにより、上記のような効果を得られるフィルタをパッケージングして提供することが可能となる。
【００２２】
また、本発明は、請求項１５記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部の幅を、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広くパターニングする第１のステップを有する。これにより、既存の配線の幅を広く形成するだけで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗が低減され、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失が低減されたフィルタを製造することができる。
【００２３】
また、本発明は、請求項１６記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線を形成する第１のステップと、前記配線の少なくとも一部に導電層を積層する第２のステップとを有する。これにより、既存の配線の厚みを第２の導電層の厚み分、厚くすることで圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗が低減され、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失が低減されたフィルタを製造することができる。
【００２４】
また、上記の製造方法において、例えば請求項１７記載のように、前記第２のステップが、バンプ下地層と同一の材料及び膜厚の前記導電層を形成してもよい。これにより、従来より圧電薄膜共振器に構成されているバンプ下地層と同様の構成で導電層を形成できるため、製造工程数を増加させること無くフィルタを製造することができる。
【００２５】
また、上記の製造方法において、例えば請求項１８記載のように、前記第２のステップが、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜として、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜として、前記導電層を形成してもよい。これにより、比較的抵抗率の低い材料を用いて第２の導電層が形成されるため、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減させることができる。
【００２６】
また、本発明は、請求項１９記載のように、空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線を形成する第１のステップと、前記配線における少なくとも前記圧電薄膜共振器上の領域を所定の厚みまでエッチングする第２のステップとを有する。これにより、圧電薄膜共振器間を接続する配線部分が第１又は第２電極膜よりも厚く形成することで、この接続部分の抵抗が低減され、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失が低減されたフィルタを製造することができる。
【００２７】
また、上記の製造方法において、例えば請求項２０記載のように、前記第１のステップが、前記配線の少なくとも一部の幅を、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広くパターニングしてもよい。これにより、既存の配線の幅を広く形成することで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗をより低減することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施形態〕
まず、本発明の第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本実施形態は、複数の圧電薄膜共振器を有して構成されたラダー（梯子）型のフィルタにおいて、少なくとも２つの圧電薄膜共振器間を接続する配線部分の少なくとも一部の幅を圧電薄膜共振器の幅よりも広げることにより、接続部分の抵抗を低減する。更に本実施形態は、各共振器をできるだけ接近させた配置により接続部分の長さを短くすることでも、接続部分の抵抗を低減する。
【００２９】
このように構成することで、既存の配線の幅を広く形成するだけで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。以下、本実施形態について図面を用いて詳細に説明する。但し、本実施形態では、圧電薄膜共振器を用いてバンドパスフィルタ１を形成した場合について例を挙げる。
【００３０】
図３は、本実施形態による圧電薄膜共振器を用いたバンドパスフィルタ１の構成を示す上面図である。また、図４は、図３に示すバンドパスフィルタ１のＡ−Ａ’断面図である。
【００３１】
図３及び図４を参照すると、バンドパスフィルタ１は、シリコン（Ｓｉ）で形成された基板（Ｓｉ基板ともいう）１００上に、導電性薄膜で形成された第１の電極膜（下部電極膜１４１の一部）と、圧電性の材料で形成された圧電体膜１０１と、導電性薄膜で形成された第２の電極膜で（上部電極膜３２の一部）とが積層された積層体から成る共振部分（直列共振器１１０及び並列共振器１２０，１３０）を有している。このように、バンドパスフィルタ１は圧電体膜１０１による電気信号とバルク弾性波との変換作用を利用した圧電薄膜共振器（直列共振器１１０及び並列共振器１２０，１３０）を複数組み合わせた構成を有することで、選択的な通過特性を実現している。
【００３２】
尚、この構成において、導電性薄膜で形成された下部電極膜１４１には、直列共振器１１０に含まれる第１の電極膜の他に、直列共振器１１０間を接続するための配線部分１２を形成する領域が含まれる。また、同様に、導電性薄膜で形成された上部電極膜３２には、直列共振器１１０に含まれる第２の電極膜の他に、直列共振器１１０間及びこれらと並列共振器１３０とを接続するための配線部分１１を形成する領域が含まれる。換言すれば、配線部分１１は第２の電極膜と同一の層（上部電極膜３２）により形成されており、また、配線部分１２は第１の電極膜と同一の層（下部電極層１４１）により形成されている。即ち、本実施形態では、配線部分１１，１２が第１の電極膜又は第２の電極膜と同一の材料及び膜厚で形成されている。
【００３３】
また、本実施形態では、図３を参照すると明らかなように、２つの直列共振器１１０及び並列共振器１３０を相互に接続する配線部分１１の幅及び異なる配線部分１１で接続された直列共振器１１０を相互に接続する配線部分１２の幅（これらは共に幅Ｌ１）が、直列共振器１１０又は並列共振器１３０よりも広く形成されている。具体的には、配線部分１１又は１２における直列腕（２つの直列共振器１１０を接続する部分）の幅Ｌ１が直列共振器１１０の幅の略１．５倍（直列共振器の幅を７７．５μｍとすると略１１５μｍ）となっており、配線部分１１における並列腕の（直列腕から垂直に並列共振器１３０へ延在する部分）の幅Ｌ２が並列共振器１３０の幅の略１．５倍（並列共振器１３０の幅を７３．５μｍとすると略１１０μｍ）となっている。尚、並列共振器１２０と直列共振器１１０とを接続する配線部分１３も配線部分１１と同様な構成により実現できる。
【００３４】
このように、配線部分１１，１２及び１３の幅を各々共振器（１１０，１２０，１３０）の幅よりも広く構成することで、本実施形態では、共振器（１１０，１２０，１３０）間の配線抵抗を低減できる。従って、この構成により、通過帯域外の抑圧を劣化させることなく、通過帯域における挿入損失を低減できる。尚、この幅広の構成は、接続部分１１，１２及び１３の全ての領域において適用されていても、配線部分１１，１２及び１３の一部の領域においてのみ適用されていてもよく、共振器（１１０，１２０，１３０）間の配線抵抗を低減できれば如何様にも変形して実施してよい。
【００３５】
また、本実施形態によるバンドパスフィルタ１の等価回路を図５に示す。上記説明を図５に示す等価回路に照らし合わせると、本実施形態が、上述のように、直列共振器１１０間及び直列共振器１１０と並列共振器１３０と間を接続する配線部分１１と、直列共振器１１０間を接続する配線部分１２と、直列共振器１１０と並列共振器１２０とを接続する配線部分１３との少なくとも１つ以上の抵抗値を低減させるためのものであることが容易に理解できる。尚、各共振器（１１０，１２０，１３０）に直列に接続されているインダクタンスは、バンドパスフィルタ１のバンプ形成用導電膜１４０を介して接続されたパッケージの配線により付加されたインダクタンスである。換言すれば、本実施形態によるバンドパスフィルタ１をパッケージに収納した場合、バンプ形成用導電膜１４０を介して接続されたマイクロストリップライン又はワイヤのインダクタンスが、各共振器（１１０，１２０，１３０）に対して直列に接続される。
【００３６】
次に、図６及び図７の（ａ）〜（ｇ）及び図４を用いて、バンドパスフィルタ１の製造方法を詳細に説明する。尚、以下の説明では、図３のＡ−Ａ’方向の断面図を用いる。
【００３７】
まず（ａ）のように、本実施形態による製造方法では、３００μｍ厚のＳｉ基板１００上に、例えば１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）と５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）との積層構造を有する下部電極膜１４１をスパッタリング法により成膜する。
【００３８】
次に（ｂ）のように、フォトリソとウェットエッチング又はドライエッチングとにより、下部電極膜１４１を図３に示すような所定の形状にパターニングする。これにより、共振器（１１０，１２０，１３０）における第１の電極膜と配線部分１２とを同一の工程で製造することができる。更に（ｃ）のように、ＡｌＮ（アルミニウム・窒素）より成る圧電体膜１０１と、１００ｎｍのＭｏより成る上部電極膜３２とをスパッタリング法により成膜する。
【００３９】
このように上部電極膜３２を形成すると、次に（ｄ）のように、周波数調整用の膜として、例えばＡｌ（５０ｎｍ）のパターン（以下、周波数調整用パターン１３１という）を並列共振器１３０が形成される領域上にリフトオフ法により形成する。
【００４０】
更に（ｅ）のように、フォトリソとウェットエッチング又はドライエッチングとにより上部電極膜３２を所定の形状にパターニングし、且つ（ｆ）のように、圧電体膜１０１を所定の形状にパターニングする。これにより、共振器（１１０，１２０，１３０）における第２の電極膜と配線部分１１とを同一の工程で製造することができる。
【００４１】
次に（ｇ）のように、フリップチップボンディング時に必要なバンプ下地層であるＡｕ（金：３００ｎｍ）／Ｔｉ（チタン：１００ｎｍ）の積層構造を有するパターン（バンプ形成用導電膜１４０）をリフトオフ法により形成し、更に、Ｓｉ基板１００の裏面にフォトリソによりレジストパターンを生成してドライエッチング又はウェットエッチングを行うことによって、図４のように、並列共振器１３０が形成される領域直下に空隙１０２を設ける。
【００４２】
以上の工程を経ることで、本実施形態によるバンドパスフィルタ１が製造される。尚、バンプ形成用導電膜１４０は、フリップチップ搭載用のバンプ形成のために必要となる層（バンプ下地層）であるため、少なくともバンプを形成する部分に形成されていなければならない。
【００４３】
また、図８に本実施形態によるバンドパスフィルタ１の通過特性と従来技術によるバンドパスフィルタ１０（図１及び図２参照）の通過特性とを示す。尚、図８における本実施形態の通過特性は、直列共振器１１０の幅（円形であるため直径）を７７．５μｍとし、並列共振器１２０の幅（円形であるため直径）を５２μｍとし、並列共振器１３０の幅（円形であるため直径）を７３．５μｍとして、更に配線部分１１における直列腕の幅Ｌ１を１１５μｍとし、配線部分１１における並列腕の幅Ｌ２を１１０μｍとし、配線部分１１における直列腕及び並列腕の長さＬ３を５０μｍとした場合の結果である。また、図８における従来技術の通過特性は、直列共振器１１０の幅（円形であるため直径）を７７．５μｍとし、並列共振器１２０の幅（円形であるため直径）を５２μｍとし、並列共振器１３０の幅（円形であるため直径）を７３．５μｍとして、更に配線部分１１における直列腕の幅Ｌ１を７７．５μｍとし、配線部分１１における並列腕の幅Ｌ２を７３．５μｍとし、配線部分１１における直列腕及び並列腕の長さＬ３を５０μｍとした場合の結果である。
【００４４】
図８を参照すると明らかなように、本実施形態の構成を有することで、配線抵抗を低減することができるため、通過帯域外の抑圧を劣化させることなく、通過帯域における挿入損失を低減できる。また、このような効果が得られるバンドパスフィルタ１を、製造工程を増やさずに製造することができる。ここで、配線部分１１，１２及び１３の幅は、配線の抵抗を下げるという観点からできるだけ広いことが望ましいが、広げすぎるとチップ面積が増加し、コストの増加や浮遊容量（浮遊インピーダンス）を発生させる要因となるため、本実施形態では直列共振器１１０又は並列共振器１２０，１３０の幅より広く、且つその２倍程度以内とすることが好ましい。
【００４５】
また、下部電極膜１４１，上部電極膜３２の材料としては、抵抗が低く音響インピーダンスの高い材料が好ましい。これを満足する材料としては、例えばクロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），白金（Ｐｔ），ロジウム（Ｒｈ），ルテニウム（Ｒｔ），タングステン（Ｗ），レニウム（Ｒｅ），イリジウム（Ｉｒ），モリブデン（Ｍｏ）等が挙げられる。また、その層構造としては、単一材料又は複数材料の単層構造であっても積層構造であっても良い。
【００４６】
更に、圧電体膜１０１の材料としては、上記のＡｌＮに限らず、高い圧電性を示す材料、例えばＺｎＯまたはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）またはＰｂＴｉＯ_３（チタン酸鉛）としてもよい。
【００４７】
また、本実施形態では、直列共振器１１０及び並列共振器１２０，１３０の形状を円形（図３参照）で示したが、この他にも例えば正方形，長方形，楕円等、いかなる形状であってもよい。また、本実施形態では各並列共振器１２０，１３０のグランドに繋がっている側のパッドが、導体パターン１４０で共通化されているが、各々独立していても構わない。
【００４８】
また、各共振器（１１０，１２０，１３０）間の最短距離Ｌ３は、共振部分を破壊しない範囲内でできるだけ短いほうが、配線抵抗を抑える観点から望ましい。図９に、共振器間の距離を変えた場合のバンドフィルタ１の通過特性を示す。尚、図９では、直列共振器１１０の幅を７７．５μｍとし、最短距離Ｌ３を８０μｍ（Ｌ１の１．０３倍の長さ）、５０μｍ（Ｌ１の０．６５倍の長さ）、２０μｍ（Ｌ１の０．２６倍の長さ）の３種類とした場合について、各々の最小挿入損失［ｄＢ］を示す。
【００４９】
図９を参照すると明らかなように、共振器間の最短距離Ｌ３を短くすることにより、挿入損失を低減することができる。これは、Ｌ３が短いほど、共振器間の抵抗が小さくなるためである。
【００５０】
また、本実施形態によるバンドパスフィルタ１は、図１０に示すように、パッケージ１Ａにパッケージングして提供することも可能である。
【００５１】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本実施形態は、第１の実施形態と同様な構成において、上部電極膜３２における配線部分１１を、圧電薄膜共振器を構成する第２の電極膜と同一の層（第１の導電層）と、他の導電性材料によって形成された導電層（第２の導電層）との積層構造とし、更に、積層部分の膜厚を圧電薄膜共振器の第２電極膜よりも厚い構成とした場合の例である。以下、本実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００５２】
図１１及び図１２は、本実施形態によるバンドパスフィルタ２の構成を示す図である。尚、図１１はバンドパスフィルタ２の上面図であり、図１２はバンドパスフィルタ２のＡ−Ａ’断面図である。
【００５３】
本実施形態によるバンドパスフィルタ２は、上部電極膜３２における周波数調整用パターン１３１が形成されていない領域（配線部分１１’）上に、Ａｕ（３００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）の積層構造を有する導電層３３が付加された構成を有する。本実施形態では、このような構成を有することで、配線部分１１’の抵抗を低減する。
【００５４】
また、本実施形態では配線部分１１’，１２’の幅が共振器（直列共振器１１０及び並列共振器１２０，１３０）の直径の２倍である場合を例に挙げるが、本実施形態ではこれに限定されず、第１の実施形態と同様に、配線抵抗低減の観点からはできるだけ広いほうが望ましい。但し、広げすぎるとチップ面積が増加し、コストの増加や浮遊容量（浮遊インピーダンス）を発生させるため、第１の実施形態と同様に、直列共振器及び並列共振器１２０，１３０の幅より広く、且つ２倍程度以内とすることが好ましい。
【００５５】
また、導電層３３は、第１の実施形態におけるバンプ形成用導電膜１４０と同一の材料及び膜厚、即ち、Ａｕ（３００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）の積層構造を有する層として形成することができる。但し、これに限られず、第１の導電層である下部電極膜３２との密着性や抵抗の観点を満足すれば他の材料や層厚を用いた構成とすることができる。これは、例えば比較的抵抗値の低い材料、例えば、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）又はタンタル（Ｔａ）の何れか１つ以上を主成分とする単層導電膜か、又は、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｃｒ又はＴａの何れか１つ以上を主成分とする導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜とした構成である。
【００５６】
また、本実施形態において、配線部分１１’に付加する導電層３３を、例えば図１３に示すように、直列共振器１１０及び並列共振器１３０から所定の距離ｘだけ隔てて設けることで、導電層３３がフォトリソによるパターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分にも付加されてしまうという問題を回避することができる。換言すれば、配線部分１１’における導電層３３を、直列共振器１１０及び並列共振器１３０の領域上に接しないように設計して製造することで、バンドパスフィルタ２の歩留りを向上させることが可能となる。但し、図１３では直列共振器１１０間の接続のみに着目しており、（ａ）はその上面図を示し、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図を示している。
【００５７】
尚、他の構成は第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、その製造方法は、例えば導電層３３とバンプ形成用導電膜１４０とを同一の材料及び膜厚で構成する場合、第１の実施形態における製造方法において、バンプ下地層であるＡｕ（金：３００ｎｍ）／Ｔｉ（チタン：１００ｎｍ）の積層構造を有するパターン（バンプ形成用導電膜１４０）をリフトオフ法により形成する際（図７（ｇ）参照）に、導電層３３も形成するように構成することで容易に実現することが可能である。即ち、本実施形態によるバンドパスフィルタ２は、バンプ下地層であるバンプ形成用導電膜１４０を形成する工程において、同時に導電層を形成することが可能であるため、製造工程を増やすことなく容易且つ安価に配線抵抗を低減することができる。
【００５８】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。上記の第２の実施形態では、配線部分１１’上部に第２の導電層である導電層３３を設けることで、直列共振器１１０間の配線抵抗を低減していた。これに対し、本実施形態では、導電層３３を省き、これに対応する領域の上部電極膜３２を他の領域よりも膜厚とした構成を有する。以下、本実施形態によるバンドパスフィルタ３の構成を図面を用いて詳細に説明する。
【００５９】
図１４及び図１５は、本実施形態によるバンドパスフィルタ３の構成を示す図である。尚、図１４はバンドパスフィルタ３の上面図であり、図１５はバンドパスフィルタ３のＡ−Ａ’断面図である。
【００６０】
本実施形態によるバンドパスフィルタ３は、図１４及び図１５に示すように、上部電極膜３２’における周波数調整用パターン１３１が形成されていない領域（配線部分１１’’）が、周波数調整用パターン１３１が形成されている領域よりも膜厚に形成されている。これにより、直列共振器１１０間、及び直列共振器１１０及び並列共振器１３０間を接続する配線の抵抗値を低減することができる。
【００６１】
尚、本実施形態において、上部電極膜３２’における厚膜化された領域（配線部分１１’）が直列共振器１１０及び並列共振器１３０に接しないように、例えば所定の距離ｘ（図１３参照）だけ隔てるように構成することで、第２の実施形態と同様に、パターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分に位置する上部電極膜３２’が厚膜化されるという問題を回避することができる。
【００６２】
また、本実施形態によるバンドパスフィルタ３は、図６及び図７で示した製造方法において、第１の実施形態よりも膜厚に上部電極膜３２’を形成し、この上部電極膜３２’における周波数調整用パターン１３１が形成される領域をフォトリソとウェットエッチング又はドライエッチングとにより所定の膜厚（上部電極膜３２と同程度の膜厚）までエッチングする工程を設けることで、製造することができる。また、他の構成は上記した第１及び第２の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６３】
〔他の実施形態〕
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、既存の配線の幅を広く形成するだけで、圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、通過帯域における挿入損失が低減されたフィルタが提供される。更に、このフィルタの製造方法も提供される。
【００６５】
また、本発明によれば、既存の配線の厚みを厚くすることで圧電薄膜共振器間の接続部分の抵抗を低減することができるため、圧電薄膜共振器自体の構成を変えることなく、フィルタの通過帯域における挿入損失を低減することができる。更に、従来より圧電薄膜共振器に構成されているバンプ下地層と同様の構成で導電層を形成できるため、製造工程数を増加させること無く製造できるフィルタが提供される。更に、このフィルタの製造方法も提供される。
【００６６】
また、本発明によれば、パターニング時の位置ずれにより共振器の共振部分にも導電層が付加されてしまうという問題を回避することができ、フィルタの歩留りを向上させることができる。
【００６７】
また、本発明によれば、圧電薄膜共振器間を接続する配線の長さを十分短く設定されるため、この接続部分の抵抗をより低減することが可能となる。
【００６８】
更に、本発明によれば、上記のような効果を得られるフィルタをパッケージングして提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による圧電薄膜共振器を用いたバンドパスフィルタ１０の構成を示す上面図である。
【図２】図１のバンドパスフィルタ１０のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による圧電薄膜共振器を用いたバンドパスフィルタ１の構成を示す上面図である。
【図４】図３のバンドパスフィルタ１のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】図３に示すバンドパスフィルタ１の等価回路を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態によるバンドパスフィルタ１の製造方法を示す断面図である（ａ）〜（ｄ）。
【図７】本発明の第１の実施形態によるバンドパスフィルタ１の製造方法を示す断面図である（ｅ）〜（ｇ）。
【図８】本発明の第１の実施形態によるバンドパスフィルタ１と従来技術によるバンドパスフィルタ１０との通過特性を示すグラフである。
【図９】本発明の第１の実施形態における共振器（１１０，１２０，１３０）間の距離と最小挿入損失との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の第１の実施形態によるバンドパスフィルタ１のパッケージ１Ａの概略を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態によるバンドパスフィルタ２の構成を示す上面図である。
【図１２】図１１のバンドパスフィルタ２のＡ−Ａ’断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態による導電層３３の他の構成例を示す図であり、（ａ）は直列共振器１１０間に着目した上面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態によるバンドパスフィルタ３の構成を示す上面図である。
【図１５】図１４に示すバンドパスフィルタ３のＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
１、２　バンドパスフィルタ
１Ａ　パッケージ
１１、１１’、１２、１２’、１３、１３’　配線部分
３２、３２’　上部電極膜
３３　導電層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a filter using a piezoelectric thin film resonator, a filter device, and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a filter in which the piezoelectric thin film resonators are connected in a ladder type, a filter device, and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, the development of a small and lightweight bandpass filter used for a cellular phone or the like using a piezoelectric thin film resonator as a component has been remarkably progressed.
[0003]
Here, FIG. 1 shows a top view of a ladder (ladder) type bandpass filter 10 having a plurality of piezoelectric thin film resonators according to the prior art. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 10 shown in FIG.
[0004]
As shown in FIGS. 1 and 2, the bandpass filter 10 according to the related art includes a substrate having an air gap 102 (for example, a silicon (Si) substrate 100), a piezoelectric film 101, and a piezoelectric film 101 from above and below. This is a laminated resonator including a pair of electrode layers (lower electrode film 141 and upper electrode film 132) sandwiched therebetween.
[0005]
At present, it is desired to further reduce the insertion loss in the bandpass filter 10 including a plurality of such piezoelectric thin film resonators. One method of reducing the insertion loss is to lower the resistance of the electrodes (the lower electrode film 141 and the upper electrode film 132) constituting the piezoelectric thin-film resonator.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, there are various restrictions on the material and shape applicable to the electrode, and there is a problem that it is difficult to realize this efficiently and at low cost.
[0007]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a filter, a filter device, and a method of manufacturing the filter, in which insertion loss in a pass band of the filter is reduced.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the object, the present invention provides a substrate having a gap, a first electrode film formed on the substrate, and a piezoelectric film formed on the first electrode film. In a filter in which a piezoelectric thin film resonator having a body film and a second electrode film formed on the piezoelectric film is connected in a ladder type, at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators Is wider than the width of the piezoelectric thin-film resonator. As a result, the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin film resonators can be reduced only by forming the width of the existing wiring to be wide, so that the structure in the piezoelectric thin film resonator itself is not changed and the pass band of the filter is reduced. Insertion loss can be reduced.
[0009]
In the above-mentioned filter, the wiring may be formed in the same layer as the first electrode film or the second electrode film. Accordingly, since the wiring and the first or second electrode are formed in a single layer, the above filter can be realized with a simple configuration.
[0010]
Further, according to the present invention, there is provided a substrate having a gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a piezoelectric film formed on the first electrode film. A ladder-type piezoelectric thin film resonator having a second electrode film formed on a body film, wherein at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators is the first electrode. It has a laminated structure of a first conductive layer formed of the same layer as a film or the second electrode film, and a second conductive layer containing a material different from that of the first conductive layer. This makes it possible to reduce the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin film resonators by increasing the thickness of the existing wiring by the thickness of the second conductive layer, thereby changing the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself. In addition, the insertion loss in the pass band of the filter can be reduced.
[0011]
The filter may be formed so that the second conductive layer does not contact the region where the piezoelectric thin-film resonator is formed, for example. Thus, it is possible to avoid a problem that the second conductive layer is added to the resonance portion of the resonator due to a displacement during patterning, and to provide a filter capable of improving the yield.
[0012]
In the above filter, the second conductive layer may be made of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), or tantalum. (Ta), or a single-layer conductive film containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta). It is also possible to adopt a structure in which a conductive film including at least one is a stacked conductive film in which at least two layers are stacked. Thus, the second conductive layer is formed using a material having a relatively low resistivity, so that the resistance at the connection between the piezoelectric thin-film resonators can be further reduced.
[0013]
Further, according to the present invention, there is provided a substrate having a void, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a piezoelectric film formed on the first electrode film. A ladder-type filter connecting the piezoelectric thin-film resonators having a second electrode film formed on a body film, wherein at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin-film resonators includes a bump base layer and It has a configuration including conductive layers of the same material and thickness. By increasing the thickness of the existing wiring by the thickness of the conductive layer, it is possible to reduce the resistance of the connection between the piezoelectric thin film resonators. Can be reduced in the pass band. Furthermore, since the conductive layer can be formed with the same configuration as the bump underlayer conventionally formed in the piezoelectric thin film resonator, a filter that can be manufactured without increasing the number of manufacturing steps is provided.
[0014]
Further, the filter may be formed so that the conductive layer does not contact the region where the piezoelectric thin-film resonator is formed, for example. It is possible to avoid a problem that a conductive layer is added to a resonance portion of a resonator due to a displacement during patterning, and to provide a filter capable of improving a yield.
[0015]
In the above filter, the conductive layer may be made of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), or tantalum (Ta). Or at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta). It is also possible to adopt a configuration in which a conductive film including at least two layers is a laminated conductive film. Thus, since the conductive layer is formed using a material having a relatively low resistivity, it is possible to further reduce the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin film resonators.
[0016]
Further, according to the present invention, there is provided a substrate having a gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, A ladder-type piezoelectric thin-film resonator having a second electrode film formed on a body film, wherein a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin-film resonators is the first electrode film or the second electrode film. It is formed as the same layer as the electrode film, and has a configuration in which at least a part of the thickness of the wiring is thicker than the thickness of the first electrode film or the second electrode film. Accordingly, by forming a wiring portion for connecting the piezoelectric thin film resonators thicker than the first or second electrode film, the resistance of the connection portion can be reduced, and the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself is reduced. Without changing, the insertion loss in the pass band of the filter can be reduced.
[0017]
In the above-mentioned filter, a portion of the wiring having a thickness greater than the thickness of the first electrode film or the thickness of the second electrode film may be the piezoelectric thin-film resonator. May be configured so as not to contact the region where is formed. It is possible to avoid a problem that a conductive layer is added to a resonance portion of a resonator due to a displacement during patterning, and to provide a filter capable of improving a yield.
[0018]
Further, any one of the above-described filters may have a configuration in which at least a part of the width of the wiring is wider than the width of the piezoelectric thin-film resonator. Thereby, the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin film resonators can be further reduced by forming the width of the existing wiring to be wide.
[0019]
In any one of the above-described filters, for example, at least a part of the wiring has a width that is wider than an equal width of the piezoelectric thin-film resonator and narrower than twice the width of the piezoelectric thin-film resonator. You can also. This prevents the chip area from excessively increasing, increasing the cost and stray capacitance (stray impedance), and increasing the resistance of the connection between the piezoelectric thin film resonators by forming the width of the existing wiring wider. Can be reduced.
[0020]
In any one of the above-described filters, for example, the shortest distance between the piezoelectric thin-film resonators is 1.03 to 0.26 times the width of the piezoelectric thin-film resonators. Can also be configured. As a result, the length of the wiring connecting between the piezoelectric thin-film resonators is set to be sufficiently short, so that the resistance at the connection portion can be further reduced.
[0021]
Further, the present invention has a configuration in which any one of the above filters is housed in a package. This makes it possible to package and provide a filter that can obtain the above-described effects.
[0022]
Further, according to the present invention, a substrate having a gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, In a method of manufacturing a filter, in which a piezoelectric thin film resonator having a second electrode film formed on a body film is connected in a ladder shape, at least a width of a wiring connecting at least two piezoelectric thin film resonators is reduced. And a first step of patterning the piezoelectric thin film resonator so as to be wider than the width of the piezoelectric thin film resonator. As a result, the resistance of the connection between the piezoelectric thin film resonators is reduced by simply forming the existing wiring to be wider, and the insertion loss in the pass band of the filter is reduced without changing the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself. The manufactured filter can be manufactured.
[0023]
Further, according to the present invention, a substrate having a void, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, In a method of manufacturing a filter in which a piezoelectric thin film resonator having a second electrode film formed on a body film is connected in a ladder shape, a first step of forming a wiring connecting at least two piezoelectric thin film resonators And a second step of laminating a conductive layer on at least a part of the wiring. As a result, the resistance of the connection between the piezoelectric thin film resonators is reduced by increasing the thickness of the existing wiring by the thickness of the second conductive layer, without changing the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself. A filter having reduced insertion loss in the pass band can be manufactured.
[0024]
In the above-described manufacturing method, the second step may form the conductive layer having the same material and the same thickness as the bump underlayer in the second step. As a result, since the conductive layer can be formed with the same configuration as the bump underlayer conventionally formed in the piezoelectric thin film resonator, the filter can be manufactured without increasing the number of manufacturing steps.
[0025]
Further, in the above-mentioned manufacturing method, for example, the second step may include: gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum. A single-layer conductive film containing at least one of (Ta), or at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) The conductive layer may be formed as a laminated conductive film in which at least two conductive films containing Thus, the second conductive layer is formed using a material having a relatively low resistivity, so that the resistance at the connection between the piezoelectric thin-film resonators can be further reduced.
[0026]
Further, according to the present invention, a substrate having a gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, In a method of manufacturing a filter in which a piezoelectric thin film resonator having a second electrode film formed on a body film is connected in a ladder shape, a first step of forming a wiring connecting at least two piezoelectric thin film resonators And a second step of etching at least a region of the wiring on the piezoelectric thin-film resonator to a predetermined thickness. Thus, the wiring portion connecting the piezoelectric thin-film resonators is formed thicker than the first or second electrode film, so that the resistance of this connection portion is reduced, and the configuration of the piezoelectric thin-film resonator itself is not changed. A filter with reduced insertion loss in the pass band of the filter can be manufactured.
[0027]
Further, in the above-described manufacturing method, for example, in the first step, the width of at least a part of the wiring may be patterned to be wider than the width of the piezoelectric thin-film resonator. Thereby, the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin film resonators can be further reduced by forming the width of the existing wiring to be wide.
[0028]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[First Embodiment]
First, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. According to the present embodiment, in a ladder (ladder) filter including a plurality of piezoelectric thin film resonators, at least a part of a width of a wiring portion connecting between at least two piezoelectric thin film resonators is set to a value corresponding to the piezoelectric thin film resonator. By making it wider than the width of the container, the resistance of the connection part is reduced. Further, in the present embodiment, the resistance of the connection portion is reduced by shortening the length of the connection portion by disposing the resonators as close as possible.
[0029]
With this configuration, the resistance of the connecting portion between the piezoelectric thin film resonators can be reduced only by forming the width of the existing wiring to be wide, so that the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself is not changed. The insertion loss in the pass band of the filter can be reduced. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. However, in the present embodiment, an example will be described in which the band-pass filter 1 is formed using a piezoelectric thin-film resonator.
[0030]
FIG. 3 is a top view showing the configuration of the bandpass filter 1 using the piezoelectric thin film resonator according to the present embodiment. FIG. 4 is a sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 1 shown in FIG.
[0031]
Referring to FIGS. 3 and 4, the bandpass filter 1 includes a first electrode film (lower electrode film) formed of a conductive thin film on a substrate (also referred to as a Si substrate) 100 formed of silicon (Si). 141), a piezoelectric film 101 formed of a piezoelectric material, and a second electrode film formed of a conductive thin film (part of the upper electrode film 32). (A series resonator 110 and parallel resonators 120 and 130). As described above, the band-pass filter 1 has a configuration in which a plurality of piezoelectric thin-film resonators (series resonators 110 and parallel resonators 120 and 130) that combine the conversion of an electric signal and a bulk acoustic wave by the piezoelectric film 101 are used. With this, selective pass characteristics are realized.
[0032]
In this configuration, in addition to the first electrode film included in the series resonator 110, the lower electrode film 141 formed of a conductive thin film has the wiring portion 12 for connecting the series resonators 110 together. A region to be formed is included. Similarly, in addition to the second electrode film included in the series resonator 110, the upper electrode film 32 formed of a conductive thin film connects between the series resonators 110 and these and the parallel resonators 130. To form a wiring portion 11 for forming the wiring. In other words, the wiring portion 11 is formed of the same layer (upper electrode film 32) as the second electrode film, and the wiring portion 12 is formed of the same layer (lower electrode layer 141) as the first electrode film. Is formed. That is, in the present embodiment, the wiring portions 11 and 12 are formed of the same material and film thickness as the first electrode film or the second electrode film.
[0033]
Further, in the present embodiment, as apparent from FIG. 3, the width of the wiring portion 11 interconnecting the two series resonators 110 and the parallel resonators 130 and the series resonators connected by different wiring portions 11 The width (the width L1 of both) of the wiring portions 12 connecting the 110s to each other is formed wider than the series resonator 110 or the parallel resonator 130. Specifically, the width L1 of the series arm (the part connecting the two series resonators 110) in the wiring portion 11 or 12 is approximately 1.5 times the width of the series resonator 110 (the width of the series resonator is 77.times.). The width L2 of the parallel arm (the portion extending from the serial arm to the parallel resonator 130 vertically) of the wiring portion 11 is approximately 1.5 times the width of the parallel resonator 130. (Approximately 110 μm when the width of the parallel resonator 130 is 73.5 μm). Note that the wiring portion 13 connecting the parallel resonator 120 and the series resonator 110 can be realized by the same configuration as the wiring portion 11.
[0034]
As described above, by configuring the widths of the wiring portions 11, 12, and 13 to be wider than the widths of the resonators (110, 120, and 130), in the present embodiment, the distance between the resonators (110, 120, and 130) is increased. Wiring resistance can be reduced. Therefore, with this configuration, the insertion loss in the pass band can be reduced without deteriorating the suppression outside the pass band. The wide configuration may be applied to all the regions of the connection portions 11, 12, and 13, or may be applied only to a part of the wiring portions 11, 12, and 13. Any modifications can be made as long as the wiring resistance between (110, 120, 130) can be reduced.
[0035]
FIG. 5 shows an equivalent circuit of the bandpass filter 1 according to the present embodiment. In light of the above description with reference to the equivalent circuit shown in FIG. 5, the present embodiment, as described above, shows that the wiring portion 11 connecting between the series resonators 110 and between the series resonator 110 and the parallel resonator 130 has It is easy to understand that at least one or more resistance values of the wiring portion 12 connecting the resonators 110 and the wiring portion 13 connecting the series resonator 110 and the parallel resonator 120 are reduced. it can. The inductance connected in series to each of the resonators (110, 120, 130) is the inductance added by the wiring of the package connected via the bump-forming conductive film 140 of the bandpass filter 1. In other words, when the bandpass filter 1 according to the present embodiment is housed in a package, the inductance of the microstrip line or wire connected via the bump-forming conductive film 140 is reduced by the respective resonators (110, 120, 130). Are connected in series.
[0036]
Next, a method of manufacturing the bandpass filter 1 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7A to 7G and FIG. In the following description, a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3 will be used.
[0037]
First, as shown in (a), in the manufacturing method according to the present embodiment, the lower electrode film 141 having a laminated structure of, for example, 100 nm of molybdenum (Mo) and 50 nm of aluminum (Al) is formed on a 300 μm thick Si substrate 100. The film is formed by a sputtering method.
[0038]
Next, as shown in FIG. 3B, the lower electrode film 141 is patterned into a predetermined shape as shown in FIG. 3 by photolithography and wet etching or dry etching. Thereby, the first electrode film and the wiring portion 12 in the resonator (110, 120, 130) can be manufactured in the same process. Further, as shown in (c), a piezoelectric film 101 of AlN (aluminum / nitrogen) and an upper electrode film 32 of 100 nm of Mo are formed by a sputtering method.
[0039]
When the upper electrode film 32 is formed in this manner, as shown in (d), the parallel resonator 130 is formed of, for example, an Al (50 nm) pattern (hereinafter, referred to as a frequency adjustment pattern 131) as a frequency adjustment film. It is formed over a region to be formed by a lift-off method.
[0040]
Further, the upper electrode film 32 is patterned into a predetermined shape by photolithography and wet etching or dry etching as shown in (e), and the piezoelectric film 101 is patterned into a predetermined shape as shown in (f). Thereby, the second electrode film and the wiring portion 11 in the resonator (110, 120, 130) can be manufactured in the same process.
[0041]
Next, as shown in (g), a pattern (a conductive film 140 for bump formation) having a laminated structure of Au (gold: 300 nm) / Ti (titanium: 100 nm), which is a bump underlayer necessary for flip chip bonding, is lifted off. Further, by forming a resist pattern by photolithography on the back surface of the Si substrate 100 and performing dry etching or wet etching, the gap 102 is formed immediately below the region where the parallel resonator 130 is formed as shown in FIG. Provide.
[0042]
Through the above steps, the bandpass filter 1 according to the present embodiment is manufactured. Since the bump-forming conductive film 140 is a layer (bump underlayer) necessary for forming a flip-chip mounting bump, it must be formed at least in a portion where a bump is to be formed.
[0043]
FIG. 8 shows the pass characteristics of the band pass filter 1 according to the present embodiment and the pass characteristics of the band pass filter 10 (see FIGS. 1 and 2) according to the related art. The pass characteristic of the present embodiment in FIG. 8 is such that the width (diameter) of the series resonator 110 is 77.5 μm, the width of the parallel resonator 120 (diameter) is 52 μm, The width (diameter) of the resonator 130 is 73.5 μm, the width L1 of the serial arm in the wiring portion 11 is 115 μm, the width L2 of the parallel arm in the wiring portion 11 is 110 μm, and the series This is a result when the length L3 of the arm and the parallel arm is set to 50 μm. The pass characteristics of the prior art in FIG. 8 are as follows. The width (diameter) of the series resonator 110 is 77.5 μm, the width (diameter) of the parallel resonator 120 is 52 μm, and the parallel resonance The width (diameter) of the container 130 is 73.5 μm, the width L1 of the series arm in the wiring part 11 is 77.5 μm, the width L2 of the parallel arm in the wiring part 11 is 73.5 μm, This is a result when the length L3 of the serial arm and the parallel arm in No. 11 is 50 μm.
[0044]
As apparent from FIG. 8, the configuration of the present embodiment can reduce the wiring resistance, so that the insertion loss in the pass band can be reduced without deteriorating the suppression outside the pass band. Further, the bandpass filter 1 having such an effect can be manufactured without increasing the number of manufacturing steps. Here, it is desirable that the width of the wiring portions 11, 12, and 13 is as wide as possible from the viewpoint of reducing the resistance of the wiring. However, if the width is too wide, the chip area increases, and the cost increases and stray capacitance (stray impedance) occurs. In this embodiment, it is preferable that the width is wider than the width of the series resonator 110 or the parallel resonators 120 and 130 and within about twice the width.
[0045]
Further, as a material of the lower electrode film 141 and the upper electrode film 32, a material having low resistance and high acoustic impedance is preferable. Materials satisfying this are, for example, chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), rhodium (Rh), ruthenium (Rt), tungsten (W), rhenium (Re), iridium (Ir), molybdenum. (Mo) and the like. The layer structure may be a single material, a single layer structure of a plurality of materials, or a laminated structure.
[0046]
Further, the material of the piezoelectric film 101 is not limited to the above-described AlN, but a material exhibiting high piezoelectricity, such as ZnO or PZT (lead zirconate titanate) or PbTiO. ₃ (Lead titanate).
[0047]
Further, in the present embodiment, the shapes of the series resonator 110 and the parallel resonators 120 and 130 are shown as circles (see FIG. 3), but other shapes such as a square, a rectangle, and an ellipse may be used. Good. In this embodiment, the pads of the parallel resonators 120 and 130 connected to the ground are shared by the conductor pattern 140, but may be independent of each other.
[0048]
The shortest distance L3 between the resonators (110, 120, 130) is desirably as short as possible within a range that does not destroy the resonance part, from the viewpoint of suppressing the wiring resistance. FIG. 9 shows the pass characteristics of the band filter 1 when the distance between the resonators is changed. In FIG. 9, the width of the series resonator 110 is 77.5 μm, and the shortest distance L3 is 80 μm (1.03 times the length of L1), 50 μm (0.65 times the length of L1), 20 μm ( The minimum insertion loss [dB] is shown for each of three types (length 0.26 times L1).
[0049]
As is clear from FIG. 9, the insertion loss can be reduced by shortening the shortest distance L3 between the resonators. This is because the shorter the L3, the smaller the resistance between the resonators.
[0050]
Further, as shown in FIG. 10, the bandpass filter 1 according to the present embodiment can be provided by being packaged in a package 1A.
[0051]
[Second embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the present embodiment, in the same configuration as the first embodiment, the wiring portion 11 in the upper electrode film 32 is formed of the same layer (first conductive layer) as the second electrode film constituting the piezoelectric thin film resonator. And a layered structure with a conductive layer (second conductive layer) formed of another conductive material, and the layered portion is thicker than the second electrode film of the piezoelectric thin film resonator. It is an example. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
[0052]
FIG. 11 and FIG. 12 are diagrams illustrating the configuration of the bandpass filter 2 according to the present embodiment. FIG. 11 is a top view of the band-pass filter 2, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the band-pass filter 2 taken along the line AA '.
[0053]
The band-pass filter 2 according to the present embodiment has a conductive structure having a laminated structure of Au (300 nm) / Ti (100 nm) on a region (wiring portion 11 ′) of the upper electrode film 32 where the frequency adjustment pattern 131 is not formed. It has a configuration in which a layer 33 is added. In the present embodiment, with such a configuration, the resistance of the wiring portion 11 'is reduced.
[0054]
Further, in the present embodiment, the case where the width of the wiring portions 11 ′ and 12 ′ is twice the diameter of the resonator (the series resonator 110 and the parallel resonators 120 and 130) is taken as an example. However, as in the first embodiment, it is desirable that the width be as large as possible from the viewpoint of reducing the wiring resistance. However, if the width is too large, the chip area increases, the cost increases, and stray capacitance (stray impedance) is generated. Therefore, as in the first embodiment, the width is wider than the width of the series resonator and the parallel resonators 120 and 130. And it is preferable to be within about twice.
[0055]
Further, the conductive layer 33 can be formed as a layer having the same material and thickness as the bump forming conductive film 140 in the first embodiment, that is, a layer having a stacked structure of Au (300 nm) / Ti (100 nm). . However, the present invention is not limited to this, and a structure using another material or layer thickness can be used as long as the viewpoint of adhesion and resistance to the lower electrode film 32 as the first conductive layer is satisfied. This means that a material having a relatively low resistance, for example, one or more of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) is used. A single-layer conductive film containing a main component or a stacked conductive film in which at least two conductive films containing at least one of Au, Al, Cu, Ti, Cr, and Ta are stacked. is there.
[0056]
In the present embodiment, the conductive layer 33 added to the wiring portion 11 'is provided at a predetermined distance x from the series resonator 110 and the parallel resonator 130 as shown in FIG. It is possible to avoid the problem that 33 is also added to the resonance part of the resonator due to the displacement during patterning by photolithography. In other words, the yield of the bandpass filter 2 can be improved by designing and manufacturing the conductive layer 33 in the wiring portion 11 ′ so as not to be in contact with the region of the series resonator 110 and the parallel resonator 130. It becomes possible. However, FIG. 13 focuses on only the connection between the series resonators 110, (a) shows a top view thereof, and (b) shows a BB ′ sectional view thereof.
[0057]
Note that the other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted here. When the conductive layer 33 and the bump-forming conductive film 140 are made of the same material and have the same thickness, for example, the manufacturing method of the first embodiment differs from the manufacturing method of the first embodiment in that Au (gold: When a pattern (a conductive film 140 for bump formation) having a laminated structure of 300 nm) / Ti (titanium: 100 nm) is formed by a lift-off method (see FIG. 7G), the conductive layer 33 is also formed. This can be easily realized. That is, in the band-pass filter 2 according to the present embodiment, since the conductive layer can be formed at the same time as the step of forming the bump forming conductive film 140 as the bump underlayer, the manufacturing process can be performed easily without increasing the number of manufacturing steps. Wiring resistance can be reduced at low cost.
[0058]
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the second embodiment, the wiring resistance between the series resonators 110 is reduced by providing the conductive layer 33 as the second conductive layer above the wiring portion 11 '. In contrast, the present embodiment has a configuration in which the conductive layer 33 is omitted, and the upper electrode film 32 in a region corresponding to the conductive layer 33 is thicker than other regions. Hereinafter, the configuration of the bandpass filter 3 according to the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
[0059]
FIGS. 14 and 15 are diagrams showing the configuration of the bandpass filter 3 according to the present embodiment. 14 is a top view of the band-pass filter 3, and FIG. 15 is a cross-sectional view of the band-pass filter 3 taken along the line AA '.
[0060]
As shown in FIGS. 14 and 15, the band-pass filter 3 according to the present embodiment has a region (wiring portion 11 ″) where the frequency adjustment pattern 131 is not formed in the upper electrode film 32 ′. It is formed to be thicker than the region where 131 is formed. Thereby, the resistance value of the wiring connecting between the series resonators 110 and between the series resonator 110 and the parallel resonators 130 can be reduced.
[0061]
In this embodiment, for example, a predetermined distance x (see FIG. 13) so that the thickened region (wiring portion 11 ′) in the upper electrode film 32 ′ does not contact the series resonator 110 and the parallel resonator 130. ) To avoid the problem that the upper electrode film 32 ′ located at the resonance part of the resonator is thickened due to the displacement during patterning, as in the second embodiment. Can be.
[0062]
Further, in the bandpass filter 3 according to the present embodiment, in the manufacturing method shown in FIGS. It can be manufactured by providing a step of etching a region where the frequency adjustment pattern 131 is formed to a predetermined thickness (a thickness similar to that of the upper electrode film 32) by photolithography and wet etching or dry etching. . Other configurations are the same as those of the above-described first and second embodiments, and thus description thereof is omitted here.
[0063]
[Other embodiments]
The embodiment described above is merely a preferred embodiment of the present invention, and the present invention can be implemented with various modifications without departing from the spirit thereof.
[0064]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the resistance of the connecting portion between the piezoelectric thin film resonators can be reduced only by forming the width of the existing wiring to be wide, so that the configuration of the piezoelectric thin film resonator itself is reduced. Without change, a filter with reduced insertion loss in the passband is provided. Further, a method for manufacturing the filter is provided.
[0065]
Further, according to the present invention, by increasing the thickness of the existing wiring, the resistance of the connection portion between the piezoelectric thin-film resonators can be reduced. The insertion loss in the pass band can be reduced. Furthermore, since the conductive layer can be formed with the same configuration as the bump underlayer conventionally formed in the piezoelectric thin film resonator, a filter that can be manufactured without increasing the number of manufacturing steps is provided. Further, a method for manufacturing the filter is provided.
[0066]
Further, according to the present invention, it is possible to avoid the problem that the conductive layer is added to the resonance portion of the resonator due to the displacement during patterning, and it is possible to improve the yield of the filter.
[0067]
Further, according to the present invention, since the length of the wiring connecting between the piezoelectric thin film resonators is set to be sufficiently short, it is possible to further reduce the resistance of this connection portion.
[0068]
Further, according to the present invention, it is possible to package and provide a filter that can obtain the above-described effects.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a top view showing a configuration of a bandpass filter 10 using a piezoelectric thin-film resonator according to a conventional technique.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 10 of FIG.
FIG. 3 is a top view showing the configuration of the bandpass filter 1 using the piezoelectric thin-film resonator according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 1 of FIG.
FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of the bandpass filter 1 shown in FIG.
6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the bandpass filter 1 according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the bandpass filter 1 according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a graph showing pass characteristics of the bandpass filter 1 according to the first embodiment of the present invention and the bandpass filter 10 according to the related art.
FIG. 9 is a graph showing a relationship between a distance between resonators (110, 120, and 130) and a minimum insertion loss according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram schematically showing a package 1A of the bandpass filter 1 according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a top view illustrating a configuration of a bandpass filter 2 according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 2 of FIG.
13A and 13B are diagrams illustrating another configuration example of the conductive layer 33 according to the second embodiment of the present invention, wherein FIG. 13A is a top view focusing on the series resonators 110, and FIG. FIG. 14 is a sectional view taken along the line B-B ′.
FIG. 14 is a top view illustrating a configuration of a bandpass filter 3 according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a sectional view taken along line AA ′ of the bandpass filter 3 shown in FIG.
[Explanation of symbols]
1, 2 bandpass filter
1A package
11, 11 ', 12, 12', 13, 13 'Wiring part
32, 32 'upper electrode film
33 conductive layer

Claims

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部の幅が、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広いことを特徴とするフィルタ。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. A piezoelectric thin film resonator having a ladder-type filter,
A filter, wherein a width of at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators is wider than a width of the piezoelectric thin film resonator.

前記配線は前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層で形成されていることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。The filter according to claim 1, wherein the wiring is formed in the same layer as the first electrode film or the second electrode film.

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部が、前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層とは異なる材料を含む第２の導電層との積層構造を有することを特徴とするフィルタ。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. A piezoelectric thin film resonator having a ladder-type filter,
A first conductive layer in which at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators is formed of the same layer as the first electrode film or the second electrode film; Has a laminated structure with a second conductive layer containing a different material.

前記第２の導電層は前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しないように形成されていることを特徴とする請求項３記載のフィルタ。The filter according to claim 3, wherein the second conductive layer is formed so as not to be in contact with a region where the piezoelectric thin film resonator is formed.

前記第２の導電層は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜であるか、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜であることを特徴とする請求項３又は４記載のフィルタ。The second conductive layer is a single-layer conductive film containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta). Or, a laminated conductive film in which at least two conductive films containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are stacked. 5. The filter according to claim 3, wherein:

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部に、バンプ下地層と同一の材料及び膜厚である導電層を含むことを特徴とするフィルタ。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. A piezoelectric thin film resonator having a ladder-type filter,
A filter comprising a conductive layer having the same material and thickness as a bump underlayer in at least a part of a wiring connecting at least two piezoelectric thin film resonators.

前記導電層は前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しないように形成されていることを特徴とする請求項６記載のフィルタ。The filter according to claim 6, wherein the conductive layer is formed so as not to be in contact with a region where the piezoelectric thin-film resonator is formed.

前記導電層は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜であるか、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜であることを特徴とする請求項６又は７記載のフィルタ。The conductive layer is a single-layer conductive film containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta); A laminated conductive film in which at least two conductive films containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are stacked. The filter according to claim 6 or 7, wherein:

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタにおいて、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線が前記第１電極膜又は前記第２電極膜と同一層として形成され、前記配線の少なくとも一部の膜厚が前記第１電極膜又は前記第２電極膜の膜厚よりも厚いことを特徴とするフィルタ。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. A piezoelectric thin film resonator having a ladder-type filter,
A wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators is formed as the same layer as the first electrode film or the second electrode film, and at least a part of the wiring has a thickness of the first electrode film or the second electrode film. A filter characterized by being thicker than the electrode film.

前記配線における前記第１の電極膜又は前記第２の電極膜の膜厚よりも厚い膜厚を有する部分が、前記圧電薄膜共振器が形成された領域上に接しないことを特徴とする請求項９記載のフィルタ。2. The device according to claim 1, wherein a portion of the wiring having a thickness greater than a thickness of the first electrode film or the second electrode film does not contact a region where the piezoelectric thin film resonator is formed. 9. The filter according to 9.

前記配線の少なくとも一部の幅は、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広いことを特徴とする請求項３から１０の何れか１項に記載のフィルタ。The filter according to claim 3, wherein a width of at least a part of the wiring is wider than a width of the piezoelectric thin-film resonator.

前記配線の少なくとも前記一部は、前記圧電薄膜共振器の幅の等倍より広く、２倍より狭い幅であることを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載のフィルタ。The filter according to any one of claims 1 to 11, wherein at least the part of the wiring has a width wider than an equal width of the piezoelectric thin-film resonator and narrower than a width twice as large.

前記圧電薄膜共振器間の最短距離が、前記圧電薄膜共振器の幅の１．０３倍から０．２６倍の長さであることを特徴とする請求項１から１２の何れか１項に記載のフィルタ。The shortest distance between the piezoelectric thin-film resonators is 1.03 to 0.26 times the width of the piezoelectric thin-film resonators. Filter.

請求項１から１３の何れか１項に記載の前記フィルタと、
該フィルタを収容するパッケージとを有することを特徴とするフィルタ装置。The filter according to any one of claims 1 to 13,
And a package accommodating the filter.

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線の少なくとも一部の幅を、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広くパターニングする第１のステップを有することを特徴とするフィルタの製造方法。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. In a method of manufacturing a filter in which a piezoelectric thin-film resonator having a ladder-type connection is provided,
A method for manufacturing a filter, comprising: a first step of patterning a width of at least a part of a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators to be wider than a width of the piezoelectric thin film resonator.

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線を形成する第１のステップと、
前記配線の少なくとも一部に導電層を積層する第２のステップと
を有することを特徴とするフィルタの製造方法。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. In a method of manufacturing a filter in which a piezoelectric thin-film resonator having a ladder-type connection is provided,
A first step of forming a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators;
A second step of laminating a conductive layer on at least a part of the wiring.

前記第２のステップは、バンプ下地層と同一の材料及び膜厚の前記導電層を形成することを特徴とする請求項１６記載のフィルタの製造方法。17. The method according to claim 16, wherein in the second step, the conductive layer having the same material and the same thickness as the bump underlayer is formed.

前記第２のステップは、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜として、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜として、前記導電層を形成することを特徴とする請求項１６又は１７記載のフィルタの製造方法。The second step is a single-layer conductive film containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta), or As a laminated conductive film, at least two conductive films containing at least one of gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are stacked. The method for manufacturing a filter according to claim 16, wherein a conductive layer is formed.

空隙を有する基板と、該基板上に形成された第１電極膜と、該第１電極膜上に形成された圧電体膜と、該圧電体膜上に形成された第２電極膜と、を有する圧電薄膜共振器をラダー型に接続したフィルタの製造方法において、
少なくとも２つの前記圧電薄膜共振器を接続する配線を形成する第１のステップと、
前記配線における少なくとも前記圧電薄膜共振器上の領域を所定の厚みまでエッチングする第２のステップと
を有することを特徴とするフィルタの製造方法。A substrate having an air gap, a first electrode film formed on the substrate, a piezoelectric film formed on the first electrode film, and a second electrode film formed on the piezoelectric film. In a method of manufacturing a filter in which a piezoelectric thin-film resonator having a ladder-type connection is provided,
A first step of forming a wiring connecting at least two of the piezoelectric thin film resonators;
A second step of etching at least a region of the wiring on the piezoelectric thin-film resonator to a predetermined thickness.

前記第１のステップは、前記配線の少なくとも一部の幅を、前記圧電薄膜共振器の幅よりも広くパターニングすることを特徴とする請求項１６から１９の何れか１項に記載のフィルタの製造方法。20. The filter according to claim 16, wherein in the first step, the width of at least a part of the wiring is patterned to be wider than the width of the piezoelectric thin-film resonator. Method.