JP2004095714A

JP2004095714A - 化合物半導体装置

Info

Publication number: JP2004095714A
Application number: JP2002252586A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Sugiura; 杉浦　政幸
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-08-30
Filing date: 2002-08-30
Publication date: 2004-03-25

Abstract

【課題】バンプによるフリップチップ実装でありながら、熱抵抗を低減することができ、かつ、機械的強度も向上させた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板上に複数の単位トランジスタ２０からなる高周波電力増幅トランジスタが形成された隣接する複数の単位トランジスタ２０を１ユニットとして複数ユニットに区分し、各ユニットの接地用パッド開孔部１０ａ上に共通のバンプ１２を設け、隣接するユニットのバンプ１２周縁部が互いに接するように設ける。各ユニットは行、列のマトリックス状に区分されている。各ユニットのバンプ１２は、フリップチップ実装の押圧により、変形して隣接するユニットのバンプ１２ａはバンプ周縁部と互いに結合して一体化する。
【選択図】　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体装置に関し、特に高周波電力増幅器をヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（以下、単にトランジスタと称する）で構成した化合物半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話を代表として携帯端末装置に、この種の化合物半導体装置が用いられているが、携帯端末装置の小型化に伴い、この化合物半導体装置も小型化が進められている。そのため、化合物半導体装置をモジュール基板などの回路基板に実装する際には、従来の金ワイヤを用いた方法から、金ワイヤの代わりにバンプを使用したフリップチップ実装が用いられるようになってきている。
【０００３】
このようなフリップチップ実装によれば、回路基板は金ワイヤをボンディングするために必要なボンディング領域が不用になり、化合物半導体装置とほぼ同じ面積があればよく小型化が可能となる。
【０００４】
しかし、このようなフリップチップ実装においては、熱抵抗の増大という問題がある。すなわち化合物半導体装置は、小型化が進む一方で同じ性能を維持する必要があるため、トランジスタの電力密度は増加の一途をたどっている。その結果として、トランジスタの電力消費に伴って発生した熱を効率よく放熱すること、すなわち熱抵抗を低減することが重要な課題となっている。
【０００５】
この様な問題を解決するための化合物半導体装置の一例が、特開２０００−１０６３８６号公報に開示されている。この化合物半導体装置は、発熱源である個々のトランジスタの各エミッタ電極直上にバンプを形成し、このバンプを回路基板に接合することにより、トランジスタの熱抵抗の低減を図り、安定動作を実現するようにしたものである。しかし、以下のような問題がある。
【０００６】
その第一の問題は、個々のトランジスタの熱抵抗の不均一性があげられる。
【０００７】
つまり個々のトランジスタの各エミッタ直上に設けられたバンプは、放熱の面では有効であるが、多数のバンプが個々に存在しているために、化合物半導体装置が実装される回路基板の実装表面の平坦性が極めて良くなければ化合物半導体装置と回路基板との接合状態にばらつきが発生する。しかし、回路基板の平坦性は、その製造技術によって左右され、実際には数μｍから１０μｍ程度の凹凸の存在は避けられない。
【０００８】
また、多数のバンプを一様な高さに形成することは極めて困難で、バンプの高さはばらついている。従って、フリップチップ実装時の押圧によりバンプが変形し、バンプの高さのばらつき、および回路基板の実装表面の多少の凹凸は吸収できるものの、化合物半導体装置のバンプと回路基板との接合状態にばらつきは避けられず、この結果、個々のトランジスタの熱抵抗にばらつきが生じ、最も熱抵抗の高いトランジスタの動作が回路性能を律捉してしまうという問題が生じる。
【０００９】
第二の問題は、バンプと回路基板の接合部の機械的強度の不均一性があげられる。
【００１０】
つまり、上記第一の問題で述べたように、化合物半導体装置におけるバンプ高さのばらつき、および回路基板の実装表面の凹凸によりバンプ回路基板との接合強度にはばらつきが生じてしまうことは避けられない。また、はんだ実装持の加熱や個々のトランジスタの発熱により、化合物半導体装置と回路基板は熱膨張と熱収縮を繰り返しており、化合物半導体装置の材料であるＧａＡｓ熱膨張係数は５．０×１０^−６／℃で、回路基板の材料であるアルミナの熱膨張係数は７．０×１０^−６／℃と異なっている。そのためバンプにはせん断応力が絶えず加わっている。
【００１１】
この結果、化合物半導体装置のバンプと回路基板との接合部の機械的強度にばらつきがあれば、最も弱い接合部から破壊が進むことは容易に想像される。また、破壊にまで至らなくとも、接合部が弱くなれば熱的な接合も弱まり、さらに上記第一の問題である熱的不均一性を増長することとなる。これは、熱抵抗の不均一性を増長し、さらにせん断応力が大きくなるという悪循環を起こし、最終的には破壊に至るものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の化合物半導体装置では、回路基板との実装において化合物半導体装置のバンプと回路基板との接合の不均一性が生ずる。そのため、個々のトランジスタの熱抵抗の不均一性による化合物半導体装置の回路動作不具合と、機械的な接合強度の不均一性による化合物半導体装置の破壊の問題がある。
【００１３】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、個々のトランジスタの熱抵抗を均一に低減でき、かつ、化合物半導体装置のバンプと回路基板との接合部の機械的強度を向上することができる化合物半導体装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の化合物半導体装置は、半絶縁性基板上に複数の単位トランジスタからなる高周波電力増幅トランジスタが形成された化合物半導体装置において、前記隣接する複数の単位トランジスタを１ユニットとして複数ユニットに区分し、各ユニットにおける複数の単位トランジスタのエミッタ直上に共通のバンプを、隣接するユニットのバンプ周縁部が互いに接するように設けてなることを特徴としている。
【００１５】
本発明によれば、前記隣接する複数の単位トランジスタの熱抵抗を均一に低減することができ、且つ前記化合物半導体装置のバンプと回路基板との接合部の機械的強度を向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の化合物半導体装置に係る第１の実施の形態を図１乃至図５を参照して説明する。ここで、第１の実施の形態の化合物半導体装置としては、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＰエミッタからなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにより、出力１ワット級の高周波電力増幅器を形成した例である。また、この高周波電力増幅器は、二段の増幅器で構成されており、前段増幅器は６個のトランジスタ、後段増幅器は４８個のトランジスタで構成されている。
【００１８】
図１はその化合物半導体装置におけるパッド配置図である。
【００１９】
図１に示すように、半絶縁性基板１上の周辺部には、給電用パッド２、入力パッド３、制御信号用パッド４、ダミーパッド５、出力パッド６、整合回路用パッド７などが配置されている。
【００２０】
また、半絶縁性基板１上の一辺側で周辺部より一段内側には、６個の単位トランジスタ２０より構成される前段トランジスタ８が配置されて、対向辺の一段内側には、４個の単位トランジスタ２０を１ユニットとし、且つ１２ユニットより構成される後段トランジスタ９が２行６列のマトリックス状に配置され、前段トランジスタ８および後段トランジスタ９の各ユニット上に接地用パッド１０ｂが配置されている。
【００２１】
そして、給電用パッド２は前段トランジスタ８のコレクタ電極に接続され、入力パッド３は前段トランジスタ８のベース電極に接続され、出力パッド６は後段トランジスタ９のコレクタ電極に接続されている。また、制御信号用パッド４はバイアス供給回路を介して前段トランジスタ８と後段トランジスタ９のベース電極に接続され、整合回路用パッド７はキャパシタを介して前段トランジスタ８のコレクタ電極と、同じくキャパシタを介して後段トランジスタ９と接続されている。
【００２２】
また、接地用パッド１０ｂは前段トランジスタ８および後段トランジスタ９のエミッタ電極１１と電気的に接続されている。なお、各パッドの寸法は約１００μｍ角の形状を有し、各パッド上にはバンプ１２が形成されている。
【００２３】
図２は図１における後段トランジスタ９のうちＡ−ａに沿った行方向の２ユニットの一部を示す概略断面図である。
【００２４】
各ユニットの単位トランジスタ２０は、図２に示すように、半絶縁性基板１上にｎ型コレクタ層１３ａ、ｐ型ベース層１４ａ、ｎ型エミッタ層１１ａが順次形成されている。
【００２５】
このｎ型コレクタ層１３ａの両側にはコレクタ電極１３が、ｐ型ベース層１４ａの両側にはベース電極１４がそれぞれ形成され、ｎ型エミッタ層１１ａ直上にはエミッタ電極１１が形成されている。
【００２６】
そして、ここでは、２行２列の４個の単位トランジスタ２０からなる各ユニットは素子分離１５により電気的に絶縁されている。
【００２７】
さらに、半絶縁性基板１の表面にはポリイミド等を材料とする第一の表面保護層１６ａが形成されている。この第一の表面保護層１６ａには、エミッタ電極１１とのコンタクトのためのコンタクトホール１７が形成されている。
【００２８】
そして、この第一の表面保護層１６ａ上には単位トランジスタ２０の４個を１ユニットとした各ユニットを覆うように金等を材料とする接地用パッド１０ｂが選択的に形成されている。この接地用パッド１０ｂはコンタクトホール１７によりエミッタ電極１１と電気的に接続されている。接地用パッド１０ｂの上面にはコンタクトホール１７の形状にならい凹部１８が形成される。接地用パッド１０ｂの上には、パッドとその他の配線を保護するためのポリイミド等を材料とする第二の表面保護層１６ｂが形成され、接地用パッド１０ｂ上に接地用パッド開孔部（約８０ｕｍ）１０ａが設けられる。
【００２９】
さらに、接地用パッド開孔部１０ａ上には化合物半導体装置を回路基板（図示せず）に接合するためのバンプ１２が形成されている。
【００３０】
なお、給電用パッド２、入力パッド３、制御信号用パッド４、ダミーパッド５、出力パッド６、整合回路用パッド７も同様に金等の材料からなり、第一の表面保護層１６ａ上に選択的に形成されて第一の表面保護層１６ａの内部の配線と接続され、各パッド上にはバンプ１２が形成されている。
【００３１】
図３（ａ）はフリップチップ実装前の後段トランジスタ９部分の平面図である。図３（ｂ）はフリップチップ実装後の後段トランジスタ９部分の平面図である。図４は図３（ａ）のＢ−ｂに沿った概略断面図である。図５は図３（ｂ）のＣ−ｃに沿った概略断面図である。
【００３２】
図３（ａ）および図４に示すように、後段トランジスタの各ユニットの各接地用パッド開孔部１０ａ上には、バンプ１２が形成されている。
【００３３】
このバンプ１２は直径約８５μｍの金ワイヤの先端をボール状に加工し、各パッドにそのボール状の金ボールを接合後、金ワイヤと切り離すことで形成される。この金ボールは接合時の圧着により変形し、圧着後の形状は直径約１００μｍ、高さ約２０μｍの円盤状となり、これがバンプ１２となる。
【００３４】
また、後段トランジスタ９の接地用パッド開孔部１０ａは約１００μｍ間隔で形成されており、この接地用パッド開孔部１０ａ上に形成されたバンプ１２は、図３（ａ）および図４に示すように、互いに隣接するバンプ１２の周辺部が接した状態になっている。
【００３５】
また、前段トランジスタ８にも同様に接地用パッド開孔部１０ａ上にバンプ１２を設けているが、前段トランジスタ８では通常は大きな発熱は見られないことから、従来と同様に前段トランジスタ８の位置とは別に半絶縁性基板１上に接地用パッド開孔部１０ａを設けておいても構わない。
【００３６】
このような化合物半導体装置１を回路基板にフリップチップ実装した場合、実装時の押圧により互いに隣接するバンプ１２の周辺部が接した円盤状の各バンプ１２は、さらに上下に潰され横方向、すなわち半絶縁性基板１平面と水平方向に押し広げられる。その結果、図３（ｂ）および図５に示すように、周辺部が接した状態だけの各バンプ１２は、４個のバンプ１２ａに囲まれた中央領域に隙間１９を残して互いに結合し、略一体化した一枚の板状となる。
【００３７】
上記第１の実施の形態の化合物半導体装置によれば、後段トランジスタ９を構成する複数の単位トランジスタ２０のうち４個を１ユニットとして１２ユニットに区分し、各ユニットに共通の接地用パッド開孔部１０ａを介して１個のバンプ１２を形成している。そのため、単位トランジスタ２０の各々に接地用パッドを形成する場合に比較してバンプ数が少なくなりバンプ高さの均一性の向上が図れ、回路基板の平坦性の影響も受けにくくなる。そのため、バンプ１２と回路基板との接合部の均一性が向上している。
【００３８】
しかも、化合物半導体装置と回路基板をフリップチップ実装する前にバンプ１２の周辺部が互いに接するように形成しているため、実装後は略一体化した板状バンプ１２ａになる。
【００３９】
そのため、隣接するバンプ１２の周辺部の結合部分も放熱に対して有効に作用するため、後段トランジスタ９の個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗は低減している。
【００４０】
また、後段トランジスタ９は、略一体化した一枚の板状バンプ１２ａで全体が覆われた構造であるため、回路基板側の凹凸によりバンプ１２ａと回路基板との接合が不均一となったとしても、バンプ１２ａの半導体チップ１に水平方向の熱抵抗も低減していることから、後段トランジスタ９の個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗の均一性が図られる。
【００４１】
さらに，バンプ１２ａと回路基板との接合部の機械的強度についても、バンプ１２ａが一体化した一枚の板状の大きな面でバンプ１２ａと回路基板が接合された状態となっているため、一部のバンプが破損することは極めて少ない。
【００４２】
また、半絶縁性基板１内の周辺部より一段内側に後段トランジスタ９を設け、且つバンプ１２を多量に設けているので、フリップチップ実装時に半絶縁性基板１を押圧する際の安定度が増し、半絶縁性基板１自体の機械的強度も向上し、押圧時に半絶縁性基板１が破壊する恐れも少なくなる。
【００４３】
さらには、図３（ｂ）に示したように、隣接する４個のバンプ１２ａの隙間１９は、放熱面においては、一見すると不利なように思われるが、本発明者による熱抵抗モデルを用いた計算では、隙間のない板状構造との差は殆ど見られないことがわかった。
【００４４】
しかも、マイクロ波のような高周波では金属中を流れる電流に表皮効果が現れるため、かえってバンプ１２ａの隙間１９により表面積が増し、電流を流す経路として有効に働き、高周波で発生する寄生抵抗を低減することができる。
【００４５】
また、隙間１９を持った板状構造を金メッキなどの方法を用いて形成することは可能であろうが、厚さ２０μｍもの金メッキを形成し、かつ、隙間１９を精度良く形成するには高度な技術を必要とし、容易に実現することはできないが、本発明によればワイヤ先端部にボールを形成し、これをパッド上に接合させた後、ワイヤから切り離すことにより円盤状で隙間１９を持ったバンプ構造を安価でしかも簡単に形成できる。
【００４６】
さらには、接地用パッド開孔部１０ａ上にエミッタ電極１１のコンタクトホール１７にならって生じた凹部１８をそのまま残しているため、この凹部１８にバンプ１２ａが食い込むことにより接地用パッド１０ｂとバンプ１２ａの接合部の機会的強度が向上し、せん断応力に抗する十分な強度を有する。従って、化合物半導体装置を回路基板にフリップチップ実装する際の押圧時に、後段トランジスタ９の接地用パッド１０ｂ上のバンプ１２同士が互いに押し合うことにより、バンプ１２に大きなせん断応力が加わっても、バンプ１２が一体化する前に半絶縁性基板からとれてしまう恐れはない。
【００４７】
しかも、この凹部１８は接地用パッド１０ｂとバンプ１２ａの接続面積を増大させることにもつながるため、熱的な結合が増大し放熱効果が向上する。
【００４８】
なお、上記第１の実施の形態において、接地用パッド開孔部１０ａ表面に周知の光リソグラフィ法により微細な凹凸を意識的に形成してもよい。
【００４９】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の化合物半導体装置に係る第２の実施の形態を図６を参照して説明する。この第２の実施の形態が、第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態と同じく高周波用電力増幅器であるが、出力が４ワット級と大きな出力電力を出力できる設計となっていることである。
【００５０】
図６はその高周波電力増幅器における半絶縁性基板１上のパッド配置図である。この第２の実施の形態の各部について、図１の第１の実施の形態に係るパッド配置図の各部と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００５１】
図６に示すように、第１の実施の形態と同じく前段トランジスタ８ａと後段トランジスタ９ａを有した二段増幅器であるが、大電力を出力するため前段トランジスタ８ａは８個の単位トランジスタからなり、後段トランジスタ９ａは９６個の単位トランジスタからなり、単位トランジスタ２０の数が第１の実施の形態より増加している。
【００５２】
そして、後段トランジスタ９ａは、単位トランジスタ２０の６個を１ユニットとして共通の接地用パット開孔部１０ａ上にバンプ１２を配置しているが、後段トランジスタ９ａは単位トランジスタが９６個あるため、各ユニットが２行８列のマトリックス状の配置となり列の端部におけるトランジスタユニットおよび放熱を兼ねたバンプ１２の一部が半絶縁性基板１上の周辺部に位置することになる。
【００５３】
そのため、後段トランジスタ９ａの各ユニットの接地用パッド開孔部１０ａ上にはバンプ１２が配置されているが、多数のバンプ１２のうち、半絶縁性基板１の一段内側に設けられているバンプ１２は、バンプ１２を回路基板にフリップチップ実装する際の安定性や半絶縁性基板１の機械的強度の向上に有効であるが、半絶縁性基板１の周辺部に位置するバンプ１２は、バンプ１２を回路基板にフリップチップ実装する際の押圧時に不均一に押圧されるため半絶縁性基板１が傾いてしまうということが考えられる。
【００５４】
この場合、半絶縁性基板１の周辺部の傾いた方のバンプ１２が過度に潰れてしまい、回路基板の隣接する配線パターン（図示せず）と短絡不良を起こすか、あるいは最悪の場合、半絶縁性基板１が破断するなどの問題が起こる。
【００５５】
この問題に対応するため、半絶縁性基板１の四隅には、例えば図６で示すように、紙面上で左上に給電用パッド２、左下に制御信号用パッド４、右上にダミーパッド５、右下にダミーパッド５と必ず孤立したバンプ１２を形成し、さらに、半絶縁性基板１の対向する少なくとも二辺上の片側には後段トランジスタ９ａを配置しないようにしてある。
【００５６】
さらに、バンプ１２は半絶縁性基板１の出力パッド６の配置された辺の中心軸に対して少なくとも一軸対称性を有するように配置してある。
【００５７】
このようにバンプ１２を配置することにより、少なくとも高密度に配置されたバンプ１２の殆どは実装冶具の下に入ることになる上、バンプ１２の一軸対称性、四隅の孤立したバンプ１２により、フリップチップ実装時に半絶縁性基板１が傾くという問題は回避できる。
【００５８】
上述した第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、大電力を出力するために、後段トランジスタ９ａの単位トランジスタ２０が多数形成され、半絶縁性基板１上の周辺部まで形成されていても、隣接するバンプ１２の周辺部の接合部分も放熱に対して有効に作用するため、後段トランジスタ９ａの個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗は低減させることができる。
【００５９】
また、後段トランジスタ９ａは、略一体化した一枚の板状のバンプで全体が覆われた構造であるため、回路基板側の凹凸によりバンプ１２と回路基板との接合が不均一となったとしても、バンプ１２の水平方向の熱抵抗も低減していることから、前記後段トランジスタ９ａの個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗の均一性が図れる。
【００６０】
さらに，バンプ１２ａと回路基板との接合部の機械的強度についても、バンプ１２ａが一体化した一枚の板状の大きな面でバンプ１２ａと回路基板が接合された状態となっているため、一部のバンプが破損する恐れは極めて少ない。
【００６１】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の化合物半導体装置に係る第３の実施の形態を図７を参照して説明する。図７はその半絶縁性基板１上のパッド配置図である。この第３の実施の形態の各部について、図６の第２の実施の形態に係るパッド配置図の各部と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００６２】
図７に示すように、この第３の実施の形態が、第２の実施の形態と異なる点は、大きな出力電力を出力するための後段トランジスタ９ｂの単位トランジスタ２０が６個で構成される各ユニットを２行８列のマトリックス状に配置にするのではなく、半絶縁性基板１上の中央部に後段トランジスタ９ｂの各ユニットを４行４列のマトリックス状の配置すなわち略正方形状に形成したことである。
【００６３】
このように、後段トランジスタ９ｂを半絶縁性基板１の中央部に略正方形状に配置することにより、バンプ１２と回路基板をフリップチップ実装する際に、後段トランジスタ９ｂにおけるバンプ１２は均一に押圧される。その結果、実装する際の半絶縁性基板の安定性やバンプ１２と回路基板の接合部の機械的強度がさらに向上する。
【００６４】
上述した第３の実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に、大電力を出力するために、後段トランジスタ９ｂの単位トランジスタ２０が多数形成されていても、隣接するバンプ１２が放熱に対して有効に作用するため、後段トランジスタ９ａの個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗は低減させることができる。
【００６５】
また、後段トランジスタ９ｂは、略一体化した一枚の板状のバンプで全体が覆われた構造であるため、回路基板側の凹凸によりバンプ１２と回路基板との接合が不均一となったとしても、バンプ１２の水平方向の熱抵抗も低減していることから、前記後段トランジスタ９ａの個々の単位トランジスタ２０の熱抵抗の均一性が図れる。
【００６６】
さらに，バンプ１２ａと回路基板との接合部の機械的強度についても、バンプ１２ａが一体化した一枚の板状の大きな面でバンプ１２ａと回路基板が接合された状態となっているため、一部のバンプが破損する恐れは極めて少ない。
【００６７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、個々の単位トランジスタの熱抵抗を均一に低減することができ、且つ、バンプと回路基板との接合部の機械的強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の化合物半導体装置に係る第１の実施の形態のパッド配置図。
【図２】図１における後段トランジスタ９のうちＡ−ａに沿った行方向の２ユニットの一部を示す概略断面図。
【図３】フリップチップ実装前の後段トランジスタ９部分の平面図およびフリップチップ実装後の後段トランジスタ９部分の平面図。
【図４】図３（ａ）のＢ−ｂに沿った概略断面図。
【図５】図３（ｂ）のＣ−ｃに沿った概略断面図。
【図６】本発明の化合物半導体装置に係る第２の実施の形態のパッド配置図。
【図７】本発明の化合物半導体装置に係る第３の実施の形態のパッド配置図。
【符号の説明】
１　半絶縁性基板
２　給電用パッド
３　入力パッド
４　制御信号用パッド
５　ダミー用パッド
６　出力パッド
７　整合回路用パッド
８、８ａ　前段トランジスタ
９、９ａ、９ｂ　後段トランジスタ
１０ａ　接地用パッド開孔部
１０ｂ　接地用パッド
１１　エミッタ電極
１１ａ　ｎ型エミッタ層
１２　バンプ（フリップチップ実装前）
１２ａ　バンプ（フリップチップ実装後）
１３　コレクタ電極
１３ａ　ｎ型コレクタ層
１４　ベース電極
１４ａ　ｐ型ベース層
１５　素子分離
１６ａ　第一の表面保護層
１６ｂ　第二の表面保護層
１７　コンタクトホール
１８　凹部
１９　隙間
２０　単位トランジスタ

Claims

半絶縁性基板上に複数の単位トランジスタからなる高周波電力増幅トランジスタが形成された化合物半導体装置において、
前記隣接する複数の単位トランジスタを１ユニットとして複数ユニットに区分し、各ユニットにおける複数の単位トランジスタのエミッタ直上に共通のバンプを、隣接するユニットのバンプ周縁部が互いに接するように設けてなることを特徴とする化合物半導体装置。
前記複数の単位トランジスタは、行、列のマトリックス状に形成され、且つ前記ユニットも行、列のマトリックス状に区分されてなることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体装置。
前記各ユニットのバンプは、各ユニットにおける複数の単位トランジスタのエミッタ直上に共通に設けられたパッドを介して設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の化合物半導体装置。
前記パッドは、前記バンプとの接触面に凹部を有することを特徴とする請求項３記載の化合物半導体装置。
前記各ユニットのバンプは、フリップチップ実装の押圧により、変形して隣接するユニットのバンプ周縁部と互いに結合して一体化してなることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項に記載の化合物半導体装置。
前記バンプは、スタッドバンプであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の化合物半導体装置。
前記隣接する各ユニットのバンプは、基板最外周にはなく、かつ、少なくとも一つの基板の中心軸に対し、対称性を有して配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の化合物半導体装置。