JP2004087973A - 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents

表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004087973A
JP2004087973A JP2002249550A JP2002249550A JP2004087973A JP 2004087973 A JP2004087973 A JP 2004087973A JP 2002249550 A JP2002249550 A JP 2002249550A JP 2002249550 A JP2002249550 A JP 2002249550A JP 2004087973 A JP2004087973 A JP 2004087973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting diode
light emitting
resin
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002249550A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4177049B2 (ja
Inventor
Shoichi Kamoshita
鴨下 昌一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002249550A priority Critical patent/JP4177049B2/ja
Publication of JP2004087973A publication Critical patent/JP2004087973A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4177049B2 publication Critical patent/JP4177049B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】周囲への光の放散が防止され、輝度が向上された表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子25は、表面22aに一対の電極23a,23bを有する基板24に、基板24の一方の電極23aに導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ基板24の他方の電極23bに金属細線42によって電気的に接続されて、実装される。発光ダイオード素子25の発光領域41は、基板24に対して略垂直な方向に臨む。封止部材28は、このように基板24に実装された発光ダイオード素子25を封止する。この封止部材28は、発光ダイオード素子25の側方に光出射面26が形成され、かつ発光ダイオード素子25の周囲に前記光出射面26に向かって光を反射する光反射面27が形成される。
【選択図】   図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯情報端末などの液晶ディスプレイのバックライトおよび各種インジケータなどに用いられる表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法に関する。
本発明において、「略垂直」は垂直を含み、「略平行」は平行を含む。
【0002】
【従来の技術】
図47は、従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード1を示す斜視図である。この従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード1は、基板2、発光ダイオード素子3および封止部材4を備える。
【0003】
基板2は、ガラスエポキシプリント回路基板であって、一対の端子電極部5a,5bと、一方の端子電極部5aに金属配線された金属パッド部6aと、他方の端子電極部5bに金属配線された金属パッド部6bとを有する。発光ダイオード素子3は、一方の金属パッド部6aに導電性接着剤によって電気的に接続され、他方の金属パッド部6bに金ワイヤ7によって電気的に接続される。封止部材4は、発光ダイオード素子3および金ワイヤ7を基板2上で封止する。この封止部材4は、透光性樹脂から成り、略直方体形状に形成される。
【0004】
発光ダイオード素子3は、発光ダイオード素子3の天面8が回路基板9に対して垂直となるように、回路基板9に実装されることによって側面発光型として使用されている。
【0005】
図48は、他の従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード11を示す斜視図である。この従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード11は、前記従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード1と類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。
【0006】
表面実装型側面発光ダイオード11の封止部材4は、発光ダイオード素子3に臨んで外方に湾曲した光反射面12を有する。この封止部材4の光反射面12は、被覆部材13によって被覆される。被覆部材13は、遮光性および光反射性を有する遮光性樹脂から成る。この表面実装型側面発光ダイオード11は、発光ダイオード素子3の側方に光出射面14を有し、基板2に対して略平行な方向に光を出射する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図47に示される表面実装型側面発光ダイオード1は、基板2によって遮られる方向以外の全ての方向へ光を出射するので、指向性が低く、所望の方向への発光量が少ない。この表面実装型側面発光ダイオード1では、指向性が低いことが高輝度化の妨げとなっている。
【0008】
図48に示される表面実装型側面発光ダイオード11は、被覆部材13によって封止部材4の光反射面12が被覆されるので、指向性が向上され、これによって高輝度化されているが、さらなる高輝度化が望まれている。またこの表面実装型側面発光ダイオード11は、被覆部材13の厚みが小さいので、光漏れが発生している。
【0009】
図48に示される表面実装型側面発光ダイオード11は、樹脂印刷成形方法によって封止部材4が形成される。樹脂印刷成形方法では、透光性樹脂の粘度およびチクソ性のばらつき、さらには印刷時の温度条件などのばらつきを考慮して、余分な肉厚を設ける必要があり、封止部材4の寸法が大きくなる。封止部材4の寸法を小さくするには、材料の管理および生産条件の管理を厳しくする必要があり、したがって生産が非常に困難となる。このように封止部材4を樹脂印刷成形方法によって形成という製造方法では、小形化および薄形化が困難であるという問題がある。
【0010】
特開平5−315651号公報では、基板用素材板に複数の半導体発光素子をマウントし、カバー体用基材の前記半導体発光素子に対応する位置に凹所を形成し、このカバー体用基材の凹所に透明合成樹脂を充填し、基板用素材板とカバー体用基材とを重ね合わせて接合する。こうしてカバー体用基材の凹所に充填された透明合成樹脂が、各半導体発光素子を封止する封止部材となる。この従来の技術でも、小形化および薄形化が困難であるという問題を解決することはできない。
【0011】
特開平7−326797号公報には、基板用素材板に複数の半導体発光素子をマウントし、各半導体発光素子を封止する封止部材をトランスファモールド成形する。この従来の技術では、前述のような小形化および薄形化が困難であるという問題を解決することが可能であるが、高輝度化が考慮されていない。
【0012】
本発明の目的は、周囲への光の放散が防止され、輝度が向上された表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に一対の電極を有する基板と、
基板の一方の電極に導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ基板の他方の電極に金属細線によって電気的に接続されて前記基板に実装され、基板に対して略垂直な方向に臨む発光領域を有する発光ダイオード素子と、
発光ダイオード素子を前記基板上で封止する透光性樹脂を充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面が形成され、かつ発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面が形成される封止部材とを含むことを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードである。
【0014】
本発明に従えば、発光ダイオード素子が基板に実装され、この発光ダイオード素子が封止部材によって基板上で封止される。封止部材は、透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材には光出射面および光反射面が形成され、発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【0015】
発光ダイオード素子の発光領域は、基板に対して略垂直な方向に臨むので、発光ダイオード素子からの光は、基板に対して略垂直な方向に放射される。光出射面は、発光ダイオード素子の側方に形成され、したがって基板に対して略平行な方向に臨む。光反射面は発光ダイオード素子の周囲に形成される。したがって発光ダイオード素子からの光、すなわち基板に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面によって反射して、光出射面が臨む方向、すなわち基板に対して略平行な方向に出射される。
【0016】
携帯情報端末などの表示部には、ほとんどの場合、液晶表示素子が用いられている。この液晶表示素子による表示をより見やすくするためには、液晶表示素子の裏面側からの、発光ダイオードまたは蛍光管などの光源によるバックライト照明が必要となる。近年の薄形化した表示部では、液晶表示素子の裏面が臨む領域に光源が配置されるのではなく、前記液晶表示素子の裏面が臨む領域に導光体が配置され、この導光体の側方に光源が配置される。この導光体の側方に配置される光源は、導光体に対して平行に設けられる実装用基板に実装される。このような構造の表示部に対して、基板に対して略平行な方向に光を出射する本発明の表面実装型側面発光ダイオードを好適に実施することができる。この表面実装型側面発光ダイオードは、導光体に光を与えるために、基板を前記実装用基板に対して平行にして、実装用基板に実装される。
【0017】
したがって基板に対して略垂直な方向に光を出射し、基板を前記実装用基板に対して垂直にして実装される発光ダイオードに比べて、本発明の表面実装型側面発光ダイオードは、前記実装用基板上に搭載して、前記一対の電極と実装用基板の配線パターンとを直接接続して、実装用基板に実装し、導光体に側方から光を与えることができ、実装上の利便性が向上される。
【0018】
前記光反射面は光出射面に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子から放射された光が光出射面から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【0019】
また本発明は、前記封止部材の光反射面を被覆する被覆部材をさらに含むことを特徴とする。
【0020】
本発明に従えば、被覆部材によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。
【0021】
また本発明は、前記被覆部材は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光樹脂層であることを特徴とする。
【0022】
本発明に従えば、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂層によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また遮光性樹脂層は光を遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを抑制することができる。
【0023】
また本発明は、前記被覆部材は、光反射性を有する金属から成る金属層であることを特徴とする。
【0024】
本発明に従えば、光反射性を有する金属層によって封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。金属層は樹脂層に比べて光反射性が高く、したがって光反射面が樹脂層によって被覆されるのに比べて、光反射面における光反射率は高くなる。
【0025】
このように光反射面における光反射率が向上されるので、発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができ、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0026】
また本発明は、前記被覆部材は、樹脂から成る樹脂層と、光反射性を有する金属から成る金属層とを含み、
前記樹脂層は、前記封止部材の光反射面を被覆し、
前記金属層は、樹脂層を被覆することを特徴とする。
【0027】
本発明に従えば、樹脂層によって封止部材の光反射面が被覆され、金属層によって樹脂層が被覆されるので、封止部材に形成される光反射面に加えて、樹脂層と金属層との間に光反射面が形成される。封止部材に形成される光反射面を透過した光は、樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射する。
【0028】
したがって発光ダイオード素子からの光を、封止部材に形成される光反射面および樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0029】
また本発明は、前記封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含むことを特徴とする。
【0030】
本発明に従えば、封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含む。発光ダイオード素子からの光は、蛍光材料によって波長が変換され、したがって波長が変換された光が光出射面から出射される。
【0031】
このように蛍光材料によって波長が変換されるので、発光ダイオード素子の種類を変えることなく、所望の波長の光を出射する表面実装型側面発光ダイオードを実現することができる。また複数の種類の蛍光材料を組み合わせることによって、1種類の発光ダイオード素子で、様々な波長の光の出射を実現することができる。
【0032】
また本発明は、表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を実装し、
前記基板上の発光ダイオード素子の周囲に透光性樹脂を、金型内で充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面と、発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面とを形成して、基板上の発光ダイオード素子を封止することを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードの製造方法である。
【0033】
本発明に従えば、表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を、基板の一方の電極にたとえば導電性接着剤によって電気的に接続し、かつ基板の他方の電極にたとえば金属細線によって電気的に接続して、実装する。実装後の発光ダイオード素子は、前記基板に対して略垂直な方向に発光領域が臨む。
【0034】
こうして基板上に実装された発光ダイオード素子は、透光性樹脂によって基板上で封止される。透光性樹脂は、金型を用いた成形方法によって充填および硬化し、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオードを容易に実現することができる。
【0035】
また前記金型を用いて発光ダイオード素子が封止されるので、光出射面と光反射面とが形成される。発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から出射される。こうして光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また本発明では、前述のように発光ダイオード素子を封止する樹脂の形状安定性が向上されるので、前記光出射面および光反射面の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【0036】
また本発明は、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面を被覆部材によって被覆することを特徴とする。
【0037】
本発明に従えば、被覆部材によって前記封止のための透光性樹脂層が被覆されるので、封止のための透光性樹脂層の光反射面における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
【0038】
また本発明は、前記被覆部材は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂シートを前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に載置し、
この遮光性樹脂シートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、前記遮光性樹脂シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする。
【0039】
本発明に従えば、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂シートを前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に載置する。その後、この遮光性樹脂シートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして遮光性樹脂シートを変形および硬化することによって被覆部材が形成される。したがって被覆部材を、封止のための透光性樹脂層の光反射面に密着した状態で設けることができる。
【0040】
また本発明は、前記被覆部材は、樹脂から成る第1樹脂シートと、光反射性を有する金属から成る金属シートと、樹脂から成る第2樹脂シートとを、前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面上に順次載置し、
これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする。
【0041】
本発明に従えば、第1樹脂シート、金属シートおよび第2樹脂シートを、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に順次載置する。その後、これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして各シートを変形および硬化することによって、被覆部材が形成される。
【0042】
このように金属シートが第1および第2樹脂シートの間に設けられるので、金属シートを確実に光反射面に接合させ、発光ダイオード素子からの光の漏洩を防ぎ、光出射面から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【0043】
また本発明は、前記被覆部材は、光反射性を有する金属を前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面に蒸着することによって形成されることを特徴とする。
【0044】
本発明に従えば、光反射性を有する金属を光反射面に蒸着することによって被覆部材が形成されるので、容易に均一な膜厚の被覆部材を形成することができ、生産性が向上される。
【0045】
また金属層が封止部材の光反射面に直接形成されるので、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面と金属層との間に、光を閉じ込める不所望な層が形成されない。したがって発光ダイオード素子からの光が光出射面に効率よく導かれ、光の取り出し効率が向上される。
【0046】
また本発明は、前記被覆部材は、樹脂印刷成形方法によって、樹脂を充填および硬化することによって形成されることを特徴とする。
【0047】
本発明に従えば、樹脂印刷成形方法によって樹脂を充填および硬化することによって、被覆部材が形成される。この被覆部材の形成では、樹脂印刷する際のマスクの開口形状は単純であり、したがって容易に被覆部材を形成することができる。また樹脂印刷成形方法では、1回印刷時の処理能力が大きく、生産性が向上される。
【0048】
また本発明は、前記封止のための透光性樹脂層は、低圧金型成形方法によって形成されることを特徴とする。
【0049】
本発明に従えば、低圧金型成形方法によって、前記封止するための透光性樹脂層が形成されるので、高圧プレスのための特殊な設備および金型が不要であり、したがって設備および金型のコストを低減することができる。
【0050】
また本発明は、前記発光ダイオード素子を共通な基板に複数設けて、透光性樹脂を充填および硬化して前記基板上の発光ダイオード素子を封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層を被覆部材によって被覆した後、1または複数の発光ダイオード素子毎に分割することを特徴とする。
【0051】
本発明に従えば、発光ダイオード素子を共通な基板に複数設けて透光性樹脂を充填および硬化させることによって封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層の光反射面を前記樹脂シートまたは金属シートによって被覆した後、1または複数の発光ダイオード素子毎に分割して、個片化されるので、各発光ダイオード素子毎に個別に形成する場合に比べて、生産性が向上される。
【0052】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の一形態の表面実装型側面発光ダイオード21の斜視図であり、図2は表面実装型側面発光ダイオード21の正面図であり、図3は表面実装型側面発光ダイオード21の平面図であり、図4は表面実装型側面発光ダイオード21の底面図であり、図5は図2の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード21の側面図である。
【0053】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード21は、たとえば携帯情報端末の液晶ディスプレイのバックライトおよび各種インジケータなどに用いられる。
【0054】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード21は、表面22aに一対の電極23a,23bを有する基板24と、この基板24に実装される発光ダイオード素子25と、光出射面26および光反射面27が形成される封止部材28とを含んで構成される。
【0055】
基板24は、電気絶縁性を有する基材31と、その基材31の表面上に形成される電極23a,23bとを含む。基材31は、図2の上方から見た平面形状が略長方形である。基材31は、たとえばガラスエポキシ基材である。電極23a,23bは、一対の端子電極部32a,32bと、一対の金属パッド部33a,33bとを含む。各端子電極部32a,32bは、基材31の図2における左右方向両端部の表面上にそれぞれ形成される。一方の金属パッド部33aは、一方の端子電極部32aに金属配線され、他方の端子電極部32bに近接する方向に向かって延びる。他方の金属パッド部33bは、他方の端子電極部32bに金属配線され、一方の端子電極部32aに近接する方向に向かって延びる。
【0056】
基材31の図4における左右方向両端部には、凹所36a,36bが形成される。この凹所36a,36bは、基材31の図4における左右方向両端部の一部が相互に近接する方向に窪むことによって形成される。前記各端子電極部32a,32bは、基材31の表面から、基材31の凹所36a,36bを通って基材31の裏面に延設される。端子電極部32a,32bの基材31の裏面に延設される部分は、表面実装型側面発光ダイオード21がたとえば回路基板などに表面実装されるときに、ハンダ付け用の電極として用いられる。
【0057】
発光ダイオード素子25は、n型半導体層とp型半導体層とが接合された構造を有する。この発光ダイオード素子25には、前記n型半導体層およびp型半導体層を挟むように一対の電極が形成される。発光ダイオード素子25は、前記n型半導体層とp型半導体層との界面で光を発する。この発光ダイオード素子25は、前記n型半導体層とp型半導体層との界面に垂直な発光領域41を有する。
【0058】
この発光ダイオード素子25は、前記基板24に実装される。基板24に実装された発光ダイオード素子25の発光領域41は、基板24に対して略垂直な方向に臨む。発光ダイオード素子25は、導電性接着剤を介して、前記他方の金属パッド部33bに固定され、これによって前記基板24に固定される。発光ダイオード素子25は、前記他方の金属パッド部33bに前記導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ前記一方の金属パッド部33aに金属細線42によって電気的に接続される。
【0059】
封止部材28は、発光ダイオード素子25および金属細線42を基板24上で封止する。この封止部材28は、透光性樹脂から成り、この透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材28は、発光ダイオード素子25および金属細線42を保護する。封止部材28は、発光ダイオード素子25の側方に光出射面26を有し、かつ発光ダイオード素子25の周囲に前記光出射面26に向かって光を反射する光反射面27を有する。
【0060】
前記封止部材28の光反射面27は、被覆部材である遮光性樹脂層43に被覆される。遮光性樹脂層43は、遮光性および光反射性を有する遮光性樹脂から成る。
【0061】
このように発光ダイオード素子25が基板24に実装され、この発光ダイオード素子25が封止部材28によって基板24上で封止される。封止部材28は、透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材28には光出射面26および光反射面27が形成され、発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27によって反射し、光出射面26から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【0062】
発光ダイオード素子25の発光領域41は、基板24に対して略垂直な方向に臨むので、発光ダイオード素子25からの光は、基板24に対して略垂直な方向に放射される。光出射面26は、発光ダイオード素子25の側方に形成され、したがって基板24に対して略平行な方向に臨む。光反射面27は発光ダイオード素子25の周囲に形成される。したがって発光ダイオード素子25からの光、すなわち基板24に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面27によって反射して、光出射面26が臨む方向、すなわち基板24に対して略平行な方向に出射される。
【0063】
前記光反射面27は光出射面26に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子25から放射された光が光出射面26から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材28内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【0064】
また被覆部材である遮光性樹脂層43によって、封止部材28の光反射面27が被覆されるので、光反射面27における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子25からの光を光反射面27によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また遮光性樹脂層43は光を遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを抑制することができる。
【0065】
図6は、図2の切断面線S6−S6から見た表面実装型側面発光ダイオード21の断面図であり、図7は図2の切断面線S7−S7から見た表面実装型側面発光ダイオード21の断面図である。
【0066】
基板24に実装された発光ダイオード素子25は、封止部材28によって封止される。封止部材28は、前述のように透光性樹脂から成り、後述の図9(b)〜図9(d)に示されるようにトランスファモールド成形によって形成される。封止部材28は、略半円柱状部分46と、この略半円柱状部分46の図6における左右方向両端部に連なる一対の延在部分47a,47bとを有する。封止部材28は、図6に示される平面視において、軸線59aに関して左右対称に構成される。
【0067】
略半円柱状部分46は、略半円筒状の外周面48と、基板24の表面22aに対して平行な略半円状の上面部分49と、上面部分49に垂直な光出射面部分50とを有する。各延在部分47a,47bは、前記外周面48の周方向両端部に屈曲して連なり、前記光出射面部分50に平行に延びる背面51a,51bと、前記上面部分49と共通な一平面を成す上面部分52a,52bと、前記光出射面部分50に図6における左右方向に連なって共通な一平面を成す光出射面部分53a,53bとを有する。前記略半円柱状部分46の光出射面部分50と各延在部分47a,47bの光出射面部分53a,53bとによって光出射面26が構成される。
【0068】
このような封止部材28の前記略半円柱状部分46の図6に示される平面視において中央に、発光ダイオード素子25が配置される。
【0069】
発光ダイオード素子25は、図6に示される平面視において、前記軸線59a上で、かつ背面51a,51bを含む仮想線59bよりも上方に配置される。この発光ダイオード素子25を光出射面26から離れた位置(図6において上方寄り)に配置することによって、正面光度を高めることができ、発光ダイオード素子25を光出射面26に近接した位置(図6において下方寄り)に配置することによって、光出射面26から出射される光の指向性を広げることができる。
【0070】
封止部材28の前記外周面48および各背面51a,51bが臨む基板24上の領域には、遮光性樹脂層43が形成され、この遮光性樹脂層43の前記外周面48に対向する内周面54と、前記外周面48とが密着して、第1光反射面55を構成する。封止部材28の前記上面部分49;52a,52bが臨む基板24上の領域にも、遮光性樹脂層43が形成され、この遮光性樹脂層43の前記上面部分49;52a,52bに対向する下面56と、前記上面部分49;52a,52bとが密着して、第2光反射面57を構成する。この第1光反射面55および第2光反射面57とが光反射面27を構成する。
【0071】
発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27によって反射して光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。また発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27に反射することなく、直接光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。このように光出射面26から出射される光は、光反射面27によって反射して光出射面26に導かれた光と、光反射面27に反射することなく、直接光出射面26に導かれた光とを含む。
【0072】
本実施の形態では、略半円柱状部分46の外周面48の形状を略半円筒状としたが、略半円柱状部分46の外周面48の形状は略放物柱面状であってもよい。前記外周面48が略放物柱面状であれば、発光ダイオード素子25が外周面48の焦点およびその近傍に配置されることによって、光出射面26から平行光が出射される。
【0073】
図8は、基板前駆体61の平面図であり、図8(a)は発光ダイオード素子25が実装される前の基板前駆体61を示し、図8(b)は発光ダイオード素子25が載置された基板前駆体61を示し、図8(c)は発光ダイオード素子25が実装された基板前駆体61を示す。この図8を参照して、基板前駆体61に発光ダイオード素子25を実装する手順を説明する。
【0074】
基板前駆体61は、図8(a)に示されるような金属配線パターン60を有する。この基板前駆体61は、後述の図12に示されるように後の工程で切断され、複数(本実施の形態では32)の基板24に分割される。金属配線パターン60の各部分は、各基板24の端子電極部32a,32bおよび金属パッド部33a,33bのいずれかに対応する。基板前駆体61の金属配線パターンは、図8(a)に示される金属配線パターン60に限定されることはなく、後の工程に支障がないように自由に設計してもよい。
【0075】
まず、図8(b)に示されるように、基板前駆体61に複数(本実施の形態では32)の発光ダイオード素子25を載置して固定する。このとき前述の基板24の他方の金属パッド部33bに対応する部分62bに、発光ダイオード素子25を、それぞれ固定する。また発光ダイオード素子25の発光領域41が基板前駆体61に対して略垂直な方向に臨むように、発光ダイオード素子25を固定する。
【0076】
発光ダイオード素子25は、導電性接着剤によって、前述の基板24の他方の金属パッド部33bに対応する部分62bに固定され、したがって基板前駆体61に固定される。また発光ダイオード素子25は、導電性接着剤によって、前述の基板24の他方の金属パッド部33bに対応する部分62bに、電気的に接続される。
【0077】
次に、図8(c)に示されるように、金属細線42によって、基板前駆体61に固定された発光ダイオード素子25と、前述の基板24の一方の金属パッド部33aに対応する部分62aとを電気的に接続する。金属細線42は、たとえば金ワイヤである。
【0078】
このようにして複数の発光ダイオード素子25を基板前駆体61に実装する。以下、複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された生成物を、第1生成物68aと呼称する。
【0079】
図9は、封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順を説明するための図であり、図9(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図9(b)は封止部材用金型66を閉じる前の状態を示し、図9(c)は封止部材用金型66を閉じた状態を示し、図9(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図9(e)は被覆部材用金型76を閉じる前の状態を示し、図9(f)は被覆部材用金型76を閉じた状態を示し、図9(g)は第2生成物68bに遮光性樹脂層43が形成された第3生成物68cを示し、図10は封止部材用金型66の上金型66aの一部を示す斜視図である。
【0080】
まず、図9(a)に示されるような、基板前駆体61に複数の発光ダイオード素子25が実装された第1生成物68aを準備する。第1生成物68aは、図8に関連して説明した手順に従って生成される。
【0081】
次に、図9(b)に示されるように、発光ダイオード素子25を上方にして、第1生成物68aを、封止部材用金型66の下金型66bに設置する。封止部材用金型66は、第1生成物68aを水平に保持する。封止部材用金型66の下金型66bには、基板前駆体61の厚みと等しい深さの凹所69が形成されている。この凹所69に第1生成物68aの基板前駆体61が嵌り込み、これによって第1生成物68aが下金型66bと相対的に変位することが防がれる。
【0082】
次に、封止部材用金型66を閉じ、上金型66aと下金型66bとによって、第1生成物68aを挟み込んで固定する。このとき、樹脂漏れ、基板破壊などが発生しないような条件で、上金型66aと下金型66bとによって第1生成物68aを挟み込む。
【0083】
封止部材用金型66の上金型66aの表面部には、図10に示されるような複数列の成形空間70a,70bが形成されている。図10において、陰影部分が成形空間70a,70bである。封止部材用金型66の上金型66aの表面部には、複数の円柱状の第1凹所72aが一直線上に等間隔をあけて複数列形成されるとともに、前記一直線と共通な一直線上で各第1凹所72aに連なる第2凹所72bが形成される。各列毎の複数の第1凹所72aと第2凹所72bとによって、複数列の成形空間70a,70bが構成される。
【0084】
第1凹所72aは前記略半円柱状部分46を形成し、第2凹所72bは前記各延在部分47a,47bを形成する。封止部材用金型66を閉じたとき、各第1凹所72aに発光ダイオード素子25が2つずつ配置される。第1および第2凹所72a,72bの深さは、基板24の表面22aから封止部材28の上面部分49までの距離L2(図7参照)に相当する。
【0085】
次に、封止部材用金型66の中に透光性樹脂を注入し、充填する。すなわち前記各成形空間70a,70bに透光性樹脂を注入する。この後、封止部材用金型66内に充填された透光性樹脂に圧力をかけて、封止部材用金型66内の透光性樹脂を硬化させる。こうして図9(c)に示されるように封止部材前駆体71が形成される。このようにトランスファモールド成形によって、第1生成物68aに封止部材前駆体71を形成する。
【0086】
この封止部材前駆体71によって、基板前駆体61上で各発光ダイオード素子25が封止される。封止部材前駆体71は、封止のための透光性樹脂層である。
【0087】
次に、封止部材用金型66を開き、図9(d)に示されるように第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを、封止部材用金型66から取り出す。
【0088】
次に、封止部材前駆体71を上方にして、第2生成物68bを、被覆部材用金型76の下金型76bに設置する。被覆部材用金型76の下金型76bは、第2生成物68bを水平に保持する。被覆部材用金型76の下金型76bには、基板前駆体61の厚みと等しい深さの凹所77が形成されている。この凹所77に第2生成物68bの基板前駆体61が嵌り込み、これによって第2生成物68bが下金型76bと相対的に変位することが防がれる。
【0089】
次に、図9(e)に示されるように、第2生成物68b上に、封止部材前駆体71を覆うように、遮光性樹脂シート78を載置する。遮光性樹脂シート78は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。遮光性樹脂シート78は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるBステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。遮光性樹脂シート78の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード21の厚み、1つの基板前駆体61あたりの表面実装型側面発光ダイオード21の取り数、および複数の第2生成物68bにまとめて遮光性樹脂層43を形成する際の第2生成物68bの個数に応じて適切に調整される。
【0090】
次に、被覆部材用金型76を閉じて、第2生成物68bおよび遮光性樹脂シート78を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。このとき第2生成物68bの封止部材前駆体71が溶融しない温度で、第2生成物68bおよび遮光性樹脂シート78を加熱する。この温度は、100℃以上200℃以下程度である。この温度は、樹脂特性および硬化時間などに応じて適切に調整される。
【0091】
被覆部材用金型76の上金型76aの表面部には、被覆部材である遮光性樹脂層43を形成する直方体状の凹所79が形成される。この凹所79の深さは、基板24の表面22aから被覆部材である遮光性樹脂層43の上面58までの距離L3(図5参照)に相当する。
【0092】
こうして遮光性樹脂シート78を変形および硬化することによって、図9(f)に示されるように、遮光性樹脂層43を形成する。このように熱プレスすることによって、第2生成物68bに遮光性樹脂層43を形成する。
【0093】
次に、被覆部材用金型76を開き、図9(g)に示されるように第2生成物68bに遮光性樹脂層43が形成された第3生成物68cを取り出す。
【0094】
図11は、図9(g)の上方から見た第3生成物68cの平面図であり、図12は第3生成物68cを切断する様子を示す斜視図である。なお、図11において、図解を容易にするため、封止部材前駆体71に封止される部分は実線で示す。さらに封止部材前駆体71に封止される金属配線パターン60は、斜線をして示す。
【0095】
前述のようにして第3生成物68cを生成した後、この第3生成物68cを、ダイシングブレード80によって、図11および図12において仮想線で示される第1および第2切断線81a,81bに沿って切断し、個片化する。こうして複数の表面実装型側面発光ダイオード21を得る。
【0096】
第1切断線81aは、図11における上下方向である長手方向83に延びる複数の直線であり、図11における左右方向である幅方向84に等間隔に並ぶ。第1切断線81aは、第1凹所72aによって形成された部分85aの前記幅方向84中央部を通る直線と、前記幅方向84に相互に隣接する第1凹所72aによって形成された部分85a間の中央部を通る直線を含む。前記第1凹所72aによって形成された部分85aの前記幅方向84中央部を通る直線に沿って切断すると、この切断と同時に表面実装型側面発光ダイオード21の光出射面26が形成される。
【0097】
第2切断線81bは、各第1直線81aに直交する複数の直線であり、前記長手方向83に等間隔に並ぶ。第2切断線81bは、相互に隣接する第1凹所72aによって形成された部分85a間の前記第2凹所72bによって形成された部分85bの前記長手方向83中央部を通る。
【0098】
図13は、表面実装型側面発光ダイオード21の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図13および前述の図8〜図12を参照して、表面実装型側面発光ダイオード21の製造手順を説明する。
【0099】
まず、ステップa1で製造が開始され、ステップa2に移り、図8(a)〜図8(c)に示されるように、基板前駆体61に複数の発光ダイオード素子25を実装して、第1生成物68aを生成する。
【0100】
次に、ステップa3で、図9(a)〜図9(b)に示されるように、トランスファモールド成形によって、第1生成物68aに封止部材前駆体71を形成して、第2生成物68bを生成する。
【0101】
次に、ステップa4で、図9(e)に示されるように、第2生成物68bを被覆部材用金型76の下金型77に設置し、第2生成物68b上に遮光性樹脂シート78を載置する。
【0102】
次に、ステップa5で、図9(f)に示されるように、被覆部材用金型76を閉じ、第2生成物68bおよび遮光性樹脂シート78を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして遮光性樹脂シート78を変形および硬化することによって、遮光性樹脂層43を形成する。このようにして図9(g)に示されるような第3生成物68cを生成する。
【0103】
次に、ステップa6で、図12に示されるように、第3生成物68cを切断して、表面実装型側面発光ダイオード21を得る。こうしてステップa7で製造を終了する。
【0104】
このように基板前駆体61上に実装された発光ダイオード素子25は、透光性樹脂によって基板前駆体61上で封止される。透光性樹脂は、封止部材用金型66を用いた成形方法であるトランスファモールド成形によって充填および硬化され、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオード21を容易に実現することができる。
【0105】
またトランスファモールド成形によって発光ダイオード素子25が封止されるので、光出射面26と光反射面27とが形成される。発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27によって反射され、光出射面26から出射される。こうして光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また前述のように発光ダイオード素子25を封止する樹脂、すなわち封止部材28の形状安定性が向上されるので、前記光出射面26および光反射面27の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【0106】
さらに遮光性樹脂層43によって前記封止のための透光性樹脂層、すなわち封止部材28が被覆されるので、封止部材28の光反射面27における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
【0107】
この遮光性樹脂層43は、遮光性樹脂シート78を封止部材前駆体71の光反射面27上に載置した後、この遮光性樹脂シート78と、封止部材前駆体71および基板前駆体61を含む第2生成物68bとを加熱した状態で相互に近接する方向に押し付けて、遮光性樹脂シート78を変形および硬化することによって形成される。したがって被覆部材である遮光性樹脂層43を、封止部材前駆体71の光反射面27に密着した状態で設けることができる。
【0108】
また発光ダイオード素子25を共通な基板である封止部材前駆体61に複数設けて透光性樹脂を充填および硬化させることによって封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層の光反射面27、すなわち封止部材前駆体71の光反射面27を遮光性樹脂シート78によって被覆する。この後、各発光ダイオード素子25毎に分割して個片化されるので、各発光ダイオード素子25毎に個別に形成する場合に比べて、生産性が向上される。
【0109】
図14は、本発明の実施の他の形態の表面実装型側面発光ダイオード91の斜視図であり、図15は表面実装型側面発光ダイオード91の正面図であり、図16は表面実装型側面発光ダイオード91の平面図であり、図17は表面実装型側面発光ダイオード91の底面図であり、図18は図15の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード91の側面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード91は、前述の図1〜図7に示される表面実装型側面発光ダイオード21と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【0110】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード91は、遮光性樹脂層43の代わりに、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94を有する。第1樹脂層92は封止部材28の光反射面27を被覆し、金属層93は第1樹脂層93を被覆し、第2樹脂層94は金属層93を被覆する。
【0111】
本実施の形態では、第1および第2樹脂層92,94は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る。第2樹脂層94は、前記第1樹脂層92と同一の樹脂から成っていてもよいし、前記第1樹脂層92とは異なる樹脂から成っていてもよい。金属層93は、たとえばAg、Ni、PdおよびAlのいずれかから成る。なお金属層93の材質は、Ag、Ni、PdおよびAlのいずれかに限定されるものではない。
【0112】
このように第1樹脂層92によって封止部材28の光反射面27が被覆され、金属層93によって第1樹脂層92が被覆されるので、封止部材28に形成される光反射面27に加えて、第1樹脂層92と金属層93との間に光反射面95が形成される。封止部材28に形成される光反射面27を透過した光は、第1樹脂層92と金属層93との間に形成される光反射面95によって反射する。
【0113】
したがって本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード91は、発光ダイオード素子25からの光を、封止部材28に形成される光反射面27および第1樹脂層92と金属層93との間に形成される光反射面95によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層93は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0114】
前記第1樹脂層92は、基板24と金属層93との間にも介在する。この第1樹脂層92は、基板24の各電極23a,23bと金属層93とが電気的に接続されることを防ぎ、これによって基板24の各電極23a,23bが金属層93を介して電気的に接続されることを防ぐ。このように第1樹脂層92は、電気的なショートを防ぐ電気絶縁層の役目を果たす。
【0115】
図19は、図15の切断面線S19−S19から見た表面実装型側面発光ダイオード91の断面図であり、図20は図15の切断面線S20−S20から見た表面実装型側面発光ダイオード91の断面図である。
【0116】
封止部材28の前記外周面48および各背面51a,51bが臨む基板24上の領域には、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94が形成される。第1樹脂層92の前記外周面48に対向する内周面96と、前記外周面48とが密着して、第1光反射面55を構成する。封止部材28の前記上面部分49;52a,52bが臨む基板24上の領域にも、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94が形成される。第1樹脂層92の前記上面部分49;52a,52bに対向する下面98と、前記上面部分49;52a,52bとが密着して、第2光反射面57を構成する。この第1光反射面55および第2光反射面57とが光反射面27を構成する。本実施の形態では、さらに第1樹脂層92と金属層93とが密着して、この第1樹脂層92と金属層93との界面が光反射面95となる。
【0117】
発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27,95によって反射して光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。また発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27,95に反射することなく、直接光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。このように光出射面26から出射される光は、光反射面27,95によって反射して光出射面26に導かれた光と、光反射面27,95に反射することなく、直接光出射面26に導かれた光とを含む。
【0118】
図21は、封止部材前駆体71、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94を形成する手順を説明するための図であり、図21(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図21(b)は封止部材用金型66を閉じる前の状態を示し、図21(c)は封止部材用金型66を閉じた状態を示し、図21(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図21(e)は被覆部材用金型76を閉じる前の状態を示し、図21(f)は被覆部材用金型76を閉じた状態を示し、図21(g)は第2生成物68bに第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94が形成された第3生成物101を示し、図22は表面実装型側面発光ダイオード91の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図21および図22を参照して、表面実装型側面発光ダイオード91の製造手順を説明する。
【0119】
表面実装型側面発光ダイオード91の製造手順は、前述の表面実装型側面発光ダイオード21の製造手順と類似しており、同様の部分は説明を省略する。図22のステップb1〜ステップb3は、前述の図13のステップa1〜ステップa3と同一である。図21(a)〜図21(d)は、前述の図9(a)〜図9(d)にそれぞれ対応する。
【0120】
第2生成物68bを生成した後、ステップb4で、図21(e)に示されるように、発光ダイオード素子25を上方にして、第2生成物68bを被覆部材用金型76の下金型77に設置し、第2生成物68b上に第1樹脂シート102、金属シート103および第2樹脂シート104を順次載置する。
【0121】
第1樹脂シート102は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。第1樹脂シート102は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるBステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。金属シート103は、Ag、Ni、PdおよびAlなどのうちのいずれかから成る金属シートである。第2樹脂シート104は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。第2樹脂シート104は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるBステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。
【0122】
第1樹脂シート102の厚みは、約50μmまたはそれ未満に選ばれる。金属シート103の厚みは、約50μmまたはそれ未満に選ばれる。第2樹脂シート104の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード91の厚み、1つの基板前駆体61あたりの表面実装型側面発光ダイオード91の取り数、および複数の第2生成物68bにまとめて第2樹脂層94を形成する際の第2生成物68bの個数に応じて適切に調整される。
【0123】
次に、ステップb5で、被覆部材用金型76を閉じて、第2生成物68bおよび前記シート102,103,104を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして前記シート102,103,104を変形および硬化することによって、図21(f)に示されるように、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94を形成する。このように熱プレスすることによって、第2生成物68bに第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94を形成する。次に、被覆部材用金型76を開き、図21(g)に示されるように第2生成物68bに第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94が形成された第3生成物101を取り出す。
【0124】
次に、ステップb6で、第3生成物101を切断して、表面実装型側面発光ダイオード91を得る。こうしてステップb7で製造を終了する。
【0125】
このように第1樹脂シート102、金属シート103および第2樹脂シート104を、封止のための透光性樹脂層である封止部材前駆体71の光反射面27上に順次載置する。その後、これらのシート102,103,104と、基板前駆体61および封止部材前駆体71を含む第2生成物68bを加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして各シート102,103,104を変形および硬化することによって、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94が形成される。
【0126】
このように金属シート103が第1樹脂シート102と第2樹脂シート104との間に設けられるので、金属シート103を確実に光反射面27に接合させ、発光ダイオード素子25からの光の漏洩を防ぎ、光出射面26から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【0127】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード91では、第1樹脂層92が遮光性および光反射性を有する樹脂によって実現されたが、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオードは、前記第1樹脂層92の代わりに、透光性樹脂から成る第1樹脂層111を有する。
【0128】
図23は、封止部材前駆体71、第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94を形成する手順を説明するための図であり、図23(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図23(b)は封止部材用金型66を閉じる前の状態を示し、図23(c)は封止部材用金型66を閉じた状態を示し、図23(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図23(e)は被覆部材用金型76を閉じる前の状態を示し、図23(f)は被覆部材用金型76を閉じた状態を示し、図23(g)は第2生成物68bに第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94が形成された第3生成物112を示す。
【0129】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードの製造手順は、前述の実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード91の製造手順と類似しており、同様の部分は説明を省略する。図23(a)〜図23(g)は、前述の図21(a)〜図21(g)にそれぞれ対応する。
【0130】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードの製造手順では、第2生成物68bを生成した後、図23(e)に示されるように、発光ダイオード素子25を上方にして、第2生成物68bを被覆部材用金型76の下金型77に設置し、第2生成物68b上に第1樹脂シート113、金属シート103および第2樹脂シート104を順次載置する。
【0131】
第1樹脂シート113は、透光性樹脂を途中まで硬化させたBステージタイプの樹脂をシート状に加工した樹脂シートである。この第1樹脂シート113の厚みは、約30μmまたはそれ未満に選ばれる。
【0132】
第1樹脂シート113の厚みが大きいければ、第1樹脂層111の厚みは大きくなる。第1樹脂層111の厚みが大きければ、基板24と第1樹脂層111との界面からの光漏れは大きくなる。したがって図23においては、便宜上、第1樹脂層111の厚みを大きく描いているが、第1樹脂シート113の厚みは約30μmまたはそれ未満が望ましい。
【0133】
次に、被覆部材用金型76を閉じて、第2生成物68bおよび前記シート113,103,104を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして前記シート113,103,104を変形および硬化することによって、図23(f)に示されるように、第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94を形成する。このように熱プレスすることによって、第2生成物68bに第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94を形成する。次に、被覆部材用金型76を開き、図21(g)に示されるように第2生成物68bに第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94が形成された第3生成物112を取り出す。
【0134】
次に、ダイシングブレードによって第3生成物112を切断して、本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードを得る。こうして製造を終了する。
【0135】
図24は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード115の斜視図であり、図25は表面実装型側面発光ダイオード115の正面図であり、図26は表面実装型側面発光ダイオード115の平面図であり、図27は表面実装型側面発光ダイオード115の底面図であり、図28は図25の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード115の側面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード115は、前述の図1〜図7に示される表面実装型側面発光ダイオード21と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【0136】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード115は、遮光性樹脂層43の代わりに、金属層116を有する。金属層116は、封止部材28の光反射面27を被覆する。金属層116は、たとえばAg、Ni、PdおよびAlのいずれかから成る。
【0137】
本実施の形態では、封止部材28は、略半円柱状部分46および延在部分47a,47bに加えて、薄膜部分117を有する。薄膜部分117は、基板24の表面22aのうち、略半円柱状部分46および延在部分47a,47bが形成されていない領域を覆う。
【0138】
この薄膜部分117は、基板24と金属層116との間に介在する。この薄膜部分117は、基板24の各電極23a,23bと金属層116とが電気的に接続されることを防ぎ、これによって基板24の各電極23a,23bが金属層116を介して電気的に接続されることを防ぐ。このように薄膜部分117は、電気的なショートを防ぐ電気絶縁層の役目を果たす。
【0139】
本実施の形態では、さらに金属層116が樹脂層118に覆われる。樹脂層118は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る。
【0140】
本実施の形態では、光反射性を有する金属層116によって封止部材28の光反射面27が被覆されるので、光反射面27における光反射率が向上される。金属層116は樹脂層に比べて光反射性が高く、したがって光反射面27が樹脂層によって被覆されるのに比べて、光反射面27における光反射率は高くなる。
【0141】
このように光反射面27における光反射率が向上されるので、発光ダイオード素子25からの光を光反射面27によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層116は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0142】
図29は、図25の切断面線S29−S29から見た表面実装型側面発光ダイオード115の断面図であり、図30は図25の切断面線S30−S30から見た表面実装型側面発光ダイオード115の断面図である。
【0143】
封止部材28の前記外周面48および各背面51a,51bが臨む基板24上の領域には、金属層116および樹脂層118が形成される。金属層116の前記外周面48に対向する内周面119と、前記外周面48とが密着して、第1光反射面55を構成する。封止部材28の前記上面部分49;52a,52bが臨む基板24上の領域にも、金属層116および樹脂層118が形成される。金属層116の前記上面部分49;52a,52bに対向する下面120と、前記上面部分49;52a,52bとが密着して、第2光反射面57を構成する。この第1光反射面55および第2光反射面57とが光反射面27を構成する。
【0144】
発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27によって反射して光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。また発光ダイオード素子25からの光は、光反射面27に反射することなく、直接光出射面26に導かれ、光出射面26から出射される。このように光出射面26から出射される光は、光反射面27によって反射して光出射面26に導かれた光と、光反射面27に反射することなく、直接光出射面26に導かれた光とを含む。
【0145】
図31は、封止部材前駆体71、金属層116および樹脂層118を形成する手順を説明するための図であり、図31(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図31(b)は封止部材用金型66を閉じる前の状態を示し、図31(c)は封止部材用金型66を閉じた状態を示し、図31(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図31(e)は第2生成物68aに金属層116が形成された第3生成物121を示し、図31(f)は被覆部材用金型76を閉じる前の状態を示し、図31(g)は被覆部材用金型76を閉じた状態を示し、図31(h)は第3生成物121に樹脂層118が形成された第4生成物122を示し、図32は表面実装型側面発光ダイオード115の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図31および図32を参照して、表面実装型側面発光ダイオード115の製造手順を説明する。
【0146】
表面実装型側面発光ダイオード115の製造手順は、前述の表面実装型側面発光ダイオード21の製造手順と類似する。図32のステップc1〜ステップc3は、前述の図13のステップa1〜ステップa3と対応し、図31(a)〜図31(d)は、前述の図9(a)〜図9(d)にそれぞれ対応する。
【0147】
この実施の形態では、図31(b)に示されるように、発光ダイオード素子25を上方にして、第1生成物68aを、封止部材用金型66の下金型66bに設置する。封止部材用金型66の下金型66bは、第1生成物68aを水平に保持する。封止部材用金型66の下金型66bには、凹所124が形成されている。この凹所124の深さは基板前駆体61の厚みよりも大きく、この凹所124の深さと基板前駆体61の厚みとの差は、30μm以上100μm以下に選ばれる。これによって基板前駆体61上に薄膜部分117が形成される。
【0148】
第2生成物68bを生成した後、ステップc4で、たとえば金属蒸着装置によって、第2生成物68bに金属を蒸着して、これによって第2生成物68bに金属層116を形成して、図31(e)に示されるような第3生成物121を生成する。
【0149】
次に、ステップc5で、図31(f)に示されるように、第3生成物121を被覆部材用金型76の下金型76bに設置し、第3生成物121上に樹脂シート123を載置する。第1樹脂シート123は、遮光性および光反射性を有する樹脂を途中まで硬化させたBステージタイプの樹脂をシート状に加工した樹脂シートである。この樹脂シート123の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード115の厚み、1つの基板前駆体61あたりの表面実装型側面発光ダイオード115の取り数、複数の第3生成物121にまとめて樹脂層118を形成する際の第3生成物121の個数に応じて適切に調整される。
【0150】
次に、ステップc6で、被覆部材用金型76を閉じて、第3生成物121および樹脂シート123を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして樹脂シート123を変形および硬化することによって、図31(g)に示されるように、樹脂層118を形成する。このように熱プレスすることによって、第3生成物121に樹脂層118を形成する。次に、被覆部材用金型76を開き、搬送装置が図31(h)に示されるように第3生成物121に樹脂層118が形成された第4生成物122を取り出す。
【0151】
ステップc7で、ダイシングブレードによって第4生成物122を切断して、表面実装型側面発光ダイオード115を得る。こうしてステップc8で製造を終了する。
【0152】
このように光反射性を有する金属を光反射面27に蒸着することによって被覆部材である金属層116が形成されるので、容易に均一な膜厚の金属層116を形成することができ、生産性が向上される。
【0153】
また金属層116が封止部材前駆体71の光反射面27に直接形成されるので、前記封止のための透光性樹脂層である封止部材前駆体71の光反射面27と金属層116との間に、光を閉じ込める不所望な層が形成されない。したがって発光ダイオード素子25からの光が光出射面26に効率よく導かれ、光の取り出し効率が向上される。
【0154】
本実施の形態では、蒸着によって金属層116を形成したが、本発明の実施のさらに他の形態では、金属シートを貼り付けることによって金属層116を形成してもよい。
【0155】
図33は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード131の正面図であり、図34は図33の切断面線S34−S34から見た表面実装型側面発光ダイオード131の断面図であり、図35は図34の切断面線S35a−S35b−S35c−S35dから見た表面実装型側面発光ダイオード131の断面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード131は、前述の図24〜図30に示される表面実装型側面発光ダイオード115と類似しており、対応する部分には同一の参照符を付し、さらに同一の数字に添え字a,bを付して示す。
【0156】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード131は、複数(本実施の形態では3)の発光ダイオード素子25a,25b,25cを有する。各発光ダイオード素子25a,25b,25cの発光波長は、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。表面実装型側面発光ダイオード131では、発光波長がそれぞれ異なる発光ダイオード素子25a,25b,25cを組み合わせることによって、白色を含め、様々な発光色を表現することができる。
【0157】
図36は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード136の正面図であり、図37は表面実装型側面発光ダイオード136の平面図であり、図38は表面実装型側面発光ダイオード136の底面図であり、図39は図36の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード136の側面図であり、図40は図36の切断面線S40−S40から見た表面実装型側面発光ダイオード136の断面図であり、図41は図36の切断面線S41−S41から見た表面実装型側面発光ダイオード136の断面図である。
【0158】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード136は、前述の図24〜図30に示される表面実装型側面発光ダイオード115と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【0159】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード136では、封止部材137が透光性樹脂に加えて、蛍光材料を含む。この封止部材137の形状は、前述の図24〜図30に示される表面実装型側面発光ダイオード115の封止部材28と同じである。封止部材137中の蛍光材料は、発光ダイオード素子25からの光を、この光の波長とは異なる波長の光に変換する。すなわち蛍光材料は発光色を変換する。
【0160】
ここで、発光ダイオード素子25と蛍光材料の組み合わせは、白色光を考えた場合、発光ダイオード素子25の発光波長が450nm〜480nmの場合では、570nm〜590nmの発光波長が得られるような蛍光材料を選択する。このような蛍光材料としては、たとえばイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光材料が選ばれる。また発光ダイオード素子25の発光波長が410nm以下の紫外から近紫外の発光波長の場合では、430nm〜480nm、510nm〜550nm、610nm〜660nmの発光波長が得られるような蛍光材料を選択する。このような蛍光材料としては、たとえば上記順番に、BaMgAl1017:Eu、SrAl:Eu、0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mnが選ばれる。さらにこれらの蛍光材料の配合比を変えることによって、白色以外のさまざまな発光色が得られる。
【0161】
図42は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード141の正面図であり、図43は図42の切断面線S43−S43から見た表面実装型側面発光ダイオード141の断面図であり、図44は図42の切断面線S44−S44から見た表面実装型側面発光ダイオード141の断面図である。
【0162】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード141は、前述の図24〜図30に示される表面実装型側面発光ダイオード115と類似しており、対応する部分は同一の参照符を付す。
【0163】
注目すべきはこの実施の形態では、封止部材28が、回転楕円体の軸線に垂直な仮想一平面で切断したときの切断面が略半円状を成し、かつ前記軸線を含む仮想一平面で切断したときの切断面が半楕円形状を成す、いわば1/4回転楕円体を成す。前記軸線を含む仮想一平面で切断したときの切断面は、光出射面26である。このように封止部材28が形成されることによって、光反射面27が楕円球面の一部を成し、したがって発光ダイオード素子25からの光を効率よく光出射面26に導くことができ、光の取り出し効率を向上することができる。
【0164】
また本発明の実施のさらに他の形態では、封止部材28の光反射面27が、回転放物面の一部を成す。このように封止部材28の光反射面が形成されることによって、発光ダイオード素子25からの光を効率よく光出射面26に導くことができ、光の取り出し効率を向上することができる。さらに、このような光反射面27の焦点およびその近傍に発光ダイオード素子25が配置されることによって、光出射面26から平行光が出射される。
【0165】
前述の実施の各形態では、トランスファモールド成形によって封止部材前駆体71を形成するとしたが、本発明の実施のさらに他の形態では、低圧金型成形方法によって封止部材前駆体71を形成してもよい。
【0166】
図45は、封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順の他の例を説明するための図であり、図45(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図45(b)は封止部材用金型151を閉じる前の状態を示し、図45(c)は封止部材用金型66を閉じて樹脂を注入している状態を示し、図45(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図45(e)は被覆部材用金型76を閉じる前の状態を示し、図45(f)は被覆部材用金型76を閉じた状態を示し、図45(g)は第2生成物68bに遮光性樹脂層43が形成された第3生成物68cを示す。図45(d)〜図45(g)は、前述の図9(d)〜図9(g)にそれぞれ対応する。
【0167】
まず、図45(a)に示されるような、基板前駆体61に複数の発光ダイオード素子25が実装された第1生成物68aを準備する。
【0168】
次に、図9(b)に示されるように、発光ダイオード素子25を上方にして、第1生成物68aを、封止部材用金型151の下金型151bに設置する。
【0169】
次に、封止部材用金型151を閉じ、上金型151aと下金型151bとによって、第1生成物68aを挟み込んで固定する。
【0170】
封止部材用金型151の上金型151aの表面部には、前述の図10に示される封止部材用金型66の上金型66aの表面部に形成される成形空間70a、70bと同様の成形空間150が形成されている。
【0171】
注目すべきはこの実施の形態では、液状の樹脂152を、たとえば注射器153によって樹脂注入口から封止部材用金型151の中に注入し、前記液状の樹脂152が封止部材用金型151内部の全体に行き渡った状態で、オーブン、ホットプレートまたはプレス機などによって、液状の樹脂152を樹脂硬化温度、たとえば150℃程度に加熱する。このように本実施の形態では、トランスファモールド成形ではなく、低圧金型成形方法によって封止部材前駆体71を形成する。
【0172】
このように本実施の形態では、封止部材前駆体71を形成する際に、タブレット状のBステージタイプの樹脂ではなく、液状の樹脂152を使用するので、高圧プレスの必要がなく、低圧プレスまたはオーブンによる樹脂硬化が可能である。このように本実施の形態では、高圧プレスのための特殊な設備および金型が不要であり、したがって設備および金型のコストを低減することができる。
【0173】
さらに、蛍光材料などを混合した樹脂のBステージ化は非常に困難であるが、本実施の形態のように液状の樹脂152を使用するのであれば、蛍光材料などを混合した樹脂を容易に開発でき、したがって特徴ある製品の開発が可能となる。さらに、各製品に最適な樹脂を採用することができるので、製品の品質を向上させることができる。
【0174】
前述の実施の各形態では、熱プレスによって被覆部材の樹脂層を形成するとしたが、本発明の実施のさらに他の形態では、樹脂印刷成形方法によって被覆部材の樹脂層を形成してもよい。
【0175】
図46は、封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順のさらに他の例を説明するための図であり、図46(a)は複数の発光ダイオード素子25が基板前駆体61に実装された第1生成物68aを示し、図46(b)は封止部材用金型151を閉じる前の状態を示し、図46(c)は封止部材用金型66を閉じた状態を示し、図46(d)は第1生成物68aに封止部材前駆体71が形成された第2生成物68bを示し、図46(e)は樹脂印刷の前の状態を示し、図46(f)は樹脂印刷の後の状態を示し、図46(g)は第2生成物68bに遮光性樹脂層43が形成された第3生成物68cを示す。図46(a)〜図46(d)は、前述の図9(a)〜図9(d)にそれぞれ対応する。
【0176】
第2生成物68bを生成した後、図46(e)に示されるように、第2生成物68bを平滑度のあるステージ156に載置する。このステージ156には、吸引源157が接続され、ステージ156の上面に載置された第2生成物68bの下面を真空吸着して保持する。第2生成物68bおよびステージ156の上には、樹脂封止する部分を開口部としたメタルマスク158を設置する。
【0177】
次に、スキージ159を矢符Aの方向に移動させ、第2生成物68b上に樹脂160をスクリーン印刷する。このスクリーン印刷は、気泡の巻き込みや発生を抑制するために、真空の状態において行われることが好ましい。このスクリーン印刷は、メタルマスク158の開口部サイズおよび樹脂特性に応じて、1Pa以上100Pa以下の範囲内で2または3段階程度に状態を変化させて行われることが好ましい。
【0178】
第2生成物68bに樹脂160をスクリーン印刷した後、メタルマスク158を外し、樹脂160がスクリーン印刷された第2生成物68cを取り出す。次に、第2生成物68c上にスクリーン印刷された樹脂160をオーブンによって硬化することによって、図46(g)に示されるように第2生成物68bに遮光性樹脂層43が形成された第3生成物68cを得る。
【0179】
ここで、使用される樹脂160は、スクリーン印刷中に流れ出して形状が崩れないように、チクソ性を有する樹脂を選択する必要がある。また、オーブンによって樹脂硬化を行うときでも形状を保持する必要があるので、ゲル化の早い樹脂を選択する必要がある。
【0180】
このように樹脂印刷成形方法によって樹脂を充填および硬化することによって、被覆部材である遮光性樹脂層43が形成される。この被覆部材の形成では、樹脂印刷する際のメタルマスク158の開口形状は単純であり、したがって容易に被覆部材である遮光性樹脂層43を形成することができる。また樹脂印刷成形方法では、1回印刷時の処理能力が大きく、生産性が向上される。
【0181】
さらに本発明の実施のさらに他の形態では、発光ダイオード素子25の側面と、封止部材28の発光ダイオード素子25の側面に臨む面とが光反射面を構成するようにしてもよい。こうして光反射面を構成することによって、発光ダイオード素子25に光が吸収されることが防がれ、これによってもまた光の取り出し効率が向上される。
【0182】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、封止部材には光出射面および光反射面が形成され、発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【0183】
また発光ダイオード素子からの光、すなわち基板に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面によって反射して、光出射面が臨む方向、すなわち基板に対して略平行な方向に出射される。
【0184】
前記光反射面は光出射面に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子から放射された光が光出射面から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【0185】
また本発明によれば、被覆部材によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。
【0186】
また本発明によれば、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂層によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また遮光性樹脂層は光を遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを抑制することができる。
【0187】
また本発明によれば、光反射性を有する金属層によって封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上されるので、発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができ、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0188】
また本発明によれば、樹脂層によって封止部材の光反射面が被覆され、金属層によって樹脂層が被覆されるので、封止部材に形成される光反射面に加えて、樹脂層と金属層との間に光反射面が形成される。封止部材に形成される光反射面を透過した光は、樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射する。したがって発光ダイオード素子からの光を、封止部材に形成される光反射面および樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【0189】
また本発明によれば、封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含み、発光ダイオード素子からの光は、蛍光材料によって波長が変換され、したがって波長が変換された光が光出射面から出射される。このように蛍光材料によって波長が変換されるので、発光ダイオード素子の種類を変えることなく、所望の波長の光を出射する表面実装型側面発光ダイオードを実現することができる。また複数の種類の蛍光材料を組み合わせることによって、1種類の発光ダイオード素子で、様々な波長の光の出射を実現することができる。
【0190】
また本発明によれば、基板上に実装された発光ダイオード素子は、透光性樹脂によって基板上で封止される。透光性樹脂は、金型を用いた成形方法によって充填および硬化し、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオードを容易に実現することができる。また光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また前記光出射面および光反射面の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【0191】
また本発明によれば、被覆部材によって前記封止のための透光性樹脂層が被覆されるので、封止のための透光性樹脂層の光反射面における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
【0192】
また本発明によれば、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂シートを前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に載置した後、この遮光性樹脂シートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、遮光性樹脂シートを変形および硬化することによって被覆部材が形成される。したがって被覆部材を、封止のための透光性樹脂層の光反射面に密着した状態で設けることができる。
【0193】
また本発明によれば、第1樹脂シート、金属シートおよび第2樹脂シートを、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に順次載置した後、これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって、被覆部材が形成される。このように金属シートが第1および第2樹脂シートの間に設けられるので、金属シートを確実に光反射面に接合させ、発光ダイオード素子からの光の漏洩を防ぎ、光出射面から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【0194】
また本発明によれば、光反射性を有する金属を光反射面に蒸着することによって被覆部材が形成されるので、容易に均一な膜厚の被覆部材を形成することができ、生産性が向上される。また金属層が封止部材の光反射面に直接形成されるので、発光ダイオード素子からの光が光出射面に効率よく導かれ、光の取り出し効率が向上される。
【0195】
また本発明によれば、樹脂印刷成形方法によって被覆部材が形成される。この被覆部材の形成では、樹脂印刷する際のマスクの開口形状は単純であり、したがって容易に被覆部材を形成することができる。また樹脂印刷成形方法では、1回印刷時の処理能力が大きく、生産性が向上される。
【0196】
また本発明によれば、低圧金型成形方法によって、前記封止するための透光性樹脂層が形成されるので、高圧プレスのための特殊な設備および金型が不要であり、したがって設備および金型のコストを低減することができる。
【0197】
また本発明によれば、発光ダイオード素子を共通な基板に複数設けて透光性樹脂によって封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層の光反射面を前記樹脂シートまたは金属シートによって被覆した後、1または複数の発光ダイオード素子毎に分割して、個片化されるので、各発光ダイオード素子毎に個別に形成する場合に比べて、生産性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態の表面実装型側面発光ダイオード21の斜視図である。
【図2】表面実装型側面発光ダイオード21の正面図である。
【図3】表面実装型側面発光ダイオード21の平面図である。
【図4】表面実装型側面発光ダイオード21の底面図である。
【図5】図2の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード21の側面図である。
【図6】図2の切断面線S6−S6から見た表面実装型側面発光ダイオード21の断面図である。
【図7】図2の切断面線S7−S7から見た表面実装型側面発光ダイオード21の断面図である。
【図8】基板前駆体61の平面図である。
【図9】封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順を説明するための図である。
【図10】封止部材用金型66の上金型66aの一部を示す斜視図である。
【図11】図9(g)の上方から見た第3生成物68cの平面図である。
【図12】第3生成物68cを切断する様子を示す斜視図である。
【図13】表面実装型側面発光ダイオード21の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図14】本発明の実施の他の形態の表面実装型側面発光ダイオード91の斜視図である。
【図15】表面実装型側面発光ダイオード91の正面図である。
【図16】表面実装型側面発光ダイオード91の平面図である。
【図17】表面実装型側面発光ダイオード91の底面図である。
【図18】図15の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード91の側面図である。
【図19】図15の切断面線S19−S19から見た表面実装型側面発光ダイオード91の断面図である。
【図20】図15の切断面線S20−S20から見た表面実装型側面発光ダイオード91の断面図である。
【図21】封止部材前駆体71、第1樹脂層92、金属層93および第2樹脂層94を形成する手順を説明するための図である。
【図22】表面実装型側面発光ダイオード91の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図23】封止部材前駆体71、第1樹脂層111、金属層93および第2樹脂層94を形成する手順を説明するための図である。
【図24】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード115の斜視図である。
【図25】表面実装型側面発光ダイオード115の正面図である。
【図26】表面実装型側面発光ダイオード115の平面図である。
【図27】表面実装型側面発光ダイオード115の底面図である。
【図28】図25の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード115の側面図である。
【図29】図25の切断面線S29−S29から見た表面実装型側面発光ダイオード115の断面図である。
【図30】図25の切断面線S30−S30から見た表面実装型側面発光ダイオード115の断面図である。
【図31】封止部材前駆体71、金属層116および樹脂層118を形成する手順を説明するための図である。
【図32】表面実装型側面発光ダイオード115の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図33】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード131の正面図である。
【図34】図33の切断面線S34−S34から見た表面実装型側面発光ダイオード131の断面図である。
【図35】図34の切断面線S35a−S35b−S35c−S35dから見た表面実装型側面発光ダイオード131の断面図である。
【図36】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード136の正面図である。
【図37】表面実装型側面発光ダイオード136の平面図である。
【図38】表面実装型側面発光ダイオード136の底面図である。
【図39】図36の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード136の側面図である。
【図40】図36の切断面線S40−S40から見た表面実装型側面発光ダイオード136の断面図である。
【図41】図36の切断面線S41−S41から見た表面実装型側面発光ダイオード136の断面図である。
【図42】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード141の正面図である。
【図43】図42の切断面線S43−S43から見た表面実装型側面発光ダイオード141の断面図である。
【図44】図42の切断面線S44−S44から見た表面実装型側面発光ダイオード141の断面図である。
【図45】封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順の他の例を説明するための図である。
【図46】封止部材前駆体71および遮光性樹脂層43を形成する手順のさらに他の例を説明するための図である。
【図47】従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード1を示す斜視図である。
【図48】他の従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード11を示す斜視図である。
【符号の説明】21,91,115,131,136,141 表面実装型側面発光ダイオード
22a 表面
23a,23b 電極
24 基板
25 発光ダイオード素子
26 光出射面
27 光反射面
28,137 封止部材
41 発光領域
42 金属細線
43 遮光性樹脂層
66,151 封止部材用金型
71 封止部材前駆体
76 被覆部材用金型
78 遮光性樹脂シート
92,111 第1樹脂層
93,116 金属層
94 第2樹脂層
102,113 第1樹脂シート
103 金属シート
104 第2樹脂シート
118 樹脂層
123 樹脂シート

Claims (14)

  1. 表面に一対の電極を有する基板と、
    基板の一方の電極に導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ基板の他方の電極に金属細線によって電気的に接続されて前記基板に実装され、基板に対して略垂直な方向に臨む発光領域を有する発光ダイオード素子と、
    発光ダイオード素子を前記基板上で封止する透光性樹脂を充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面が形成され、かつ発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面が形成される封止部材とを含むことを特徴とする表面実装型側面発光ダイオード。
  2. 前記封止部材の光反射面を被覆する被覆部材をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の表面実装型側面発光ダイオード。
  3. 前記被覆部材は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光樹脂層であることを特徴とする請求項2記載の表面実装型側面発光ダイオード。
  4. 前記被覆部材は、光反射性を有する金属から成る金属層であることを特徴とする請求項2記載の表面実装型側面発光ダイオード。
  5. 前記被覆部材は、樹脂から成る樹脂層と、光反射性を有する金属から成る金属層とを含み、
    前記樹脂層は、前記封止部材の光反射面を被覆し、
    前記金属層は、樹脂層を被覆することを特徴とする請求項2記載の表面実装型側面発光ダイオード。
  6. 前記封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含むことを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか1つに記載の表面実装型側面発光ダイオード。
  7. 表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を実装し、
    前記基板上の発光ダイオード素子の周囲に透光性樹脂を、金型内で充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面と、発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面とを形成して、基板上の発光ダイオード素子を封止することを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  8. 前記封止のための透光性樹脂層の光反射面を被覆部材によって被覆することを特徴とする請求項7記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  9. 前記被覆部材は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る遮光性樹脂シートを前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に載置し、
    この遮光性樹脂シートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、前記遮光性樹脂シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする請求項8記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  10. 前記被覆部材は、樹脂から成る第1樹脂シートと、光反射性を有する金属から成る金属シートと、樹脂から成る第2樹脂シートとを、前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面上に順次載置し、
    これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする請求項8記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  11. 前記被覆部材は、光反射性を有する金属を前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面に蒸着することによって形成されることを特徴とする請求項8記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  12. 前記被覆部材は、樹脂印刷成形方法によって、樹脂を充填および硬化することによって形成されることを特徴とする請求項8記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  13. 前記封止のための透光性樹脂層は、低圧金型成形方法によって形成されることを特徴とする請求項7〜12のうちのいずれか1つに記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
  14. 前記発光ダイオード素子を共通な基板に複数設けて、透光性樹脂を充填および硬化して前記基板上の発光ダイオード素子を封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層を被覆部材によって被覆した後、1または複数の発光ダイオード素子毎に分割することを特徴とする請求項8〜13のうちのいずれか1つに記載の表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。
JP2002249550A 2002-08-28 2002-08-28 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法 Expired - Lifetime JP4177049B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002249550A JP4177049B2 (ja) 2002-08-28 2002-08-28 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002249550A JP4177049B2 (ja) 2002-08-28 2002-08-28 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004087973A true JP2004087973A (ja) 2004-03-18
JP4177049B2 JP4177049B2 (ja) 2008-11-05

Family

ID=32056633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002249550A Expired - Lifetime JP4177049B2 (ja) 2002-08-28 2002-08-28 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4177049B2 (ja)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165326A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2008053545A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008060428A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008270820A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2008311506A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Harvatek Corp 高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造
JP2009506530A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
JP2009246353A (ja) * 2008-03-10 2009-10-22 Opt Link Co Ltd Led低背光源装置及びled低背光源装置の製造方法
CN101846251A (zh) * 2009-03-23 2010-09-29 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及其制作方法、液晶显示装置用背光灯
JP2010225755A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR20110033091A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
JP2012009504A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2012134531A (ja) * 2006-02-14 2012-07-12 Lg Innotek Co Ltd 発光装置
CN102760816A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8469575B2 (en) 2007-05-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Backlight and display system using same
US8523419B2 (en) 2007-05-20 2013-09-03 3M Innovative Properties Company Thin hollow backlights with beneficial design characteristics
US8608363B2 (en) 2007-05-20 2013-12-17 3M Innovative Properties Company Recycling backlights with semi-specular components
US8757858B2 (en) 2008-06-04 2014-06-24 3M Innovative Properties Company Hollow backlight with tilted light source
JP2014120619A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US8848132B2 (en) 2008-02-07 2014-09-30 3M Innovative Properties Company Hollow backlight with structured films
US9028108B2 (en) 2007-05-20 2015-05-12 3M Innovative Properties Company Collimating light injectors for edge-lit backlights
JP2015097235A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015103632A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
JP2015207615A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US9448356B2 (en) 2013-12-03 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting diode (LED) package including multiple LEDs per housing and display device having the same as light source
US9541698B2 (en) 2008-02-22 2017-01-10 3M Innovative Properties Company Backlights having selected output light flux distributions and display systems using same
JP2017098398A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 発光装置および照明装置
ITUB20161150A1 (it) * 2016-02-29 2017-08-29 Osram Gmbh Procedimento per realizzare dispositivi di illuminazione e corrispondente dispositivo
KR20190053926A (ko) * 2016-10-27 2019-05-20 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 Cob 디스플레이 모듈 및 그 제조방법, led 디바이스 및 그 제조방법
TWI671923B (zh) * 2017-05-31 2019-09-11 榮創能源科技股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製作方法、平面光源模組

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315651A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Rohm Co Ltd 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
JPH10107325A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いた表示装置
JPH10125959A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Sharp Corp サイド発光型チップled
JP2000315825A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光素子
JP2001094157A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp チップ部品型発光ダイオードおよびその製造方法
JP2001196640A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Sharp Corp サイド発光型led装置及びその製造方法
JP2001257381A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
JP2002170998A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315651A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Rohm Co Ltd 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
JP2948412B2 (ja) * 1992-05-08 1999-09-13 ローム株式会社 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
JPH10107325A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いた表示装置
JPH10125959A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Sharp Corp サイド発光型チップled
JP2000315825A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光素子
JP2001094157A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp チップ部品型発光ダイオードおよびその製造方法
JP2001196640A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Sharp Corp サイド発光型led装置及びその製造方法
JP2001257381A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
JP2002170998A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4615981B2 (ja) * 2004-12-08 2011-01-19 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006165326A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009506530A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
JP4878053B2 (ja) * 2005-08-26 2012-02-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードの製造方法
US8053259B2 (en) 2005-08-26 2011-11-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode
US9455385B2 (en) 2006-02-14 2016-09-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2012134531A (ja) * 2006-02-14 2012-07-12 Lg Innotek Co Ltd 発光装置
JP2008053545A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008060428A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4650378B2 (ja) * 2006-08-31 2011-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US8735935B2 (en) 2007-04-23 2014-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd Small size light emitting device and manufacturing method of the same
JP2008270820A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US8469575B2 (en) 2007-05-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Backlight and display system using same
US9028108B2 (en) 2007-05-20 2015-05-12 3M Innovative Properties Company Collimating light injectors for edge-lit backlights
US9091408B2 (en) 2007-05-20 2015-07-28 3M Innovative Properties Company Recycling backlights with semi-specular components
US8926159B2 (en) 2007-05-20 2015-01-06 3M Innovative Properties Company Thin hollow backlights with beneficial design characteristics
US8523419B2 (en) 2007-05-20 2013-09-03 3M Innovative Properties Company Thin hollow backlights with beneficial design characteristics
US8608363B2 (en) 2007-05-20 2013-12-17 3M Innovative Properties Company Recycling backlights with semi-specular components
US8740442B2 (en) 2007-05-20 2014-06-03 3M Innovative Properties Company Backlight and display system using same
JP2008311506A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Harvatek Corp 高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造
US8848132B2 (en) 2008-02-07 2014-09-30 3M Innovative Properties Company Hollow backlight with structured films
US9541698B2 (en) 2008-02-22 2017-01-10 3M Innovative Properties Company Backlights having selected output light flux distributions and display systems using same
JP2009246353A (ja) * 2008-03-10 2009-10-22 Opt Link Co Ltd Led低背光源装置及びled低背光源装置の製造方法
US8757858B2 (en) 2008-06-04 2014-06-24 3M Innovative Properties Company Hollow backlight with tilted light source
JP2010225754A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010225755A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN101846251A (zh) * 2009-03-23 2010-09-29 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及其制作方法、液晶显示装置用背光灯
TWI514634B (zh) * 2009-09-24 2015-12-21 Stanley Electric Co Ltd 半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置
KR101714615B1 (ko) * 2009-09-24 2017-03-09 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
JP2011071221A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
KR20110033091A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
JP2012009504A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
CN102760816A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2014120619A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2015097235A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015103632A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
US9448356B2 (en) 2013-12-03 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting diode (LED) package including multiple LEDs per housing and display device having the same as light source
EP2881783B1 (en) * 2013-12-03 2020-01-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a light-emitting diode (LED) package as light source
JP2015207615A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2017098398A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 発光装置および照明装置
ITUB20161150A1 (it) * 2016-02-29 2017-08-29 Osram Gmbh Procedimento per realizzare dispositivi di illuminazione e corrispondente dispositivo
KR20190053926A (ko) * 2016-10-27 2019-05-20 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 Cob 디스플레이 모듈 및 그 제조방법, led 디바이스 및 그 제조방법
US10804250B2 (en) 2016-10-27 2020-10-13 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd Chip-on-board display module, manufacturing method thereof, light-emitting diode device and manufacturing method thereof
KR102184250B1 (ko) * 2016-10-27 2020-12-01 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 Cob 디스플레이 모듈 및 그 제조방법, led 디바이스 및 그 제조방법
TWI671923B (zh) * 2017-05-31 2019-09-11 榮創能源科技股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製作方法、平面光源模組

Also Published As

Publication number Publication date
JP4177049B2 (ja) 2008-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004087973A (ja) 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
CN100587560C (zh) 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
TWI418054B (zh) 發光裝置封裝與製造此封裝之方法
JP5038931B2 (ja) Ledパッケージ
JP3976063B2 (ja) 発光装置
JP5169263B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
KR100586944B1 (ko) 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US6345903B1 (en) Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
JP4744178B2 (ja) 発光ダイオード
TWI514634B (zh) 半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置
CN102865471B (zh) 发光器件阵列和背光单元
US20070114555A1 (en) Light emitting element, production method thereof, backlight unit having the light emitting element, and production method thereof
JP3863174B2 (ja) 発光装置
TW200847480A (en) Semiconductor light-emitting device
JP2000347601A (ja) 発光装置
CN106415864A (zh) 填充有密封剂的用于磷光体转换led的浅反射器杯
JP5543386B2 (ja) 発光装置、その製造方法及び照明装置
JP2009094199A (ja) 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
TW201044651A (en) Semiconductor light emitting device
JP5286122B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP5350947B2 (ja) 発光ダイオード
KR100866879B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2005191192A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP3863169B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050525

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080321

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080819

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080821

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4177049

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

EXPY Cancellation because of completion of term