JP2004079582A - 金属配線のエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスク36の形成後、混酸を用いてウェットエッチングをして、アルミニウム合金層35の一部を除去し、下地バリアメタル層32の一部の表面を露出させ、フッ素系ガスを含む混合ガスを用いて、0.2〜2.0W/cm2の低電力プラズマでプラズマエッチングをして、下地バリアメタル層32の露出面に付着したSiのパーティクルを除去し、塩素系ガスを含む混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをして、下地バリアメタル層32の露出部分の一部を除去し、マスク36を除去する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の金属配線を作製する際の金属配線のエッチング方法に関し、特に下地バリアメタル層の上に、3μm以上の厚さのアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層が積層された積層配線層を、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより所望のパターンに成形するためのエッチング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3および図4は、下地バリアメタル層11の上に、3μm以上の厚さのアルミニウム合金層12が積層された積層配線層をドライエッチングによって加工する際の従来のプロセスを示す図である。なお、図3および図4では、製造途中の半導体装置の積層配線層部分のみが模式的に示されている(図1および図5においても同じ)。
【0003】
図3に示すように、まず、下地バリアメタル層11およびアルミニウム合金層12からなる積層配線層の表面上にフォトレジストを塗布し、それをパターニングしてレジストマスク13を形成する(同図(a))。そして、レジストマスク13が耐えられる時間だけ異方性のドライエッチングをおこなう(図3(b))。
【0004】
その後、一旦、レジストマスク13を灰化し、再度フォトレジストの塗布およびパターニングをおこなって、新たなレジストマスク14を形成する(図3(c))。そして、レジストマスク14が耐えられる時間だけ異方性のドライエッチングをおこない(図3(d))、レジストマスク14を灰化する。このようにレジストマスクの形成、ドライエッチングおよびレジスト灰化の一連の処理を、アルミニウム合金層12の開口部分が完全に除去されて、下地バリアメタル層11が露出するまで、繰り返しおこなう。図3に示すプロセスでは、2回繰り返している。
【0005】
アルミニウム合金層12のエッチング終了後、新たにレジストマスク15を形成し(図4(a))、ドライエッチングをおこなって、下地バリアメタル層11の開口部分を除去する(図4(b))。そして、レジストマスク15を灰化することによって、所望のパターンの金属配線が半導体装置の表面に形成される(図4(c))。
【0006】
図5は、下地バリアメタル層11の上に、3μm以上の厚さのアルミニウム合金層12が積層された積層配線層を、ウェットエッチング、アニール処理、プラズマエッチングおよびドライエッチングの組み合わせによって加工する際の従来のプロセスを示す図である。図5に示すように、まず、下地バリアメタル層11およびアルミニウム合金層12からなる積層配線層の表面上にフォトレジストを塗布し、それをパターニングしてレジストマスク23を形成する(同図(a))。
【0007】
そして、ウェットエッチングをおこない、アルミニウム合金層12の開口部分を完全に除去し、下地バリアメタル層11を露出させる。その際、ウェットエッチングは等方性エッチングであるため、アルミニウム合金層12の、レジストマスク23の下の部分も、サイドエッチングされて除去される。それによって、レジストマスク23の端部の下に空洞ができ、レジストマスク23の端部は庇状に浮いた状態となる。また、下地バリアメタル層11の露出面には、Siのパーティクル24が付着することがある(図5(b))。
【0008】
ついで、アニール処理をおこなう。これによって、庇状のレジストマスク23の端部が垂れ下がり、後に続くドライエッチングのマスクとして、アルミニウム合金層12の側壁を覆う(図5(c))。これによって、アルミニウム合金層12が、垂れ下がったレジストマスク23により保護された状態となる。この状態で、プラズマエッチングをおこない、Siのパーティクル24を除去する(図5(d))。続いて、ドライエッチングをおこなって、下地バリアメタル層11の開口部分を除去する(図5(e))。そして、レジストマスク23を灰化することによって、所望のパターンの金属配線が半導体装置の表面に形成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したドライエッチングのみによって加工する方法では、レジストのパターニングにより開口させた寸法(以下、レジスト寸法とする)と、実際にエッチングにより除去された部分の寸法(以下、エッチング寸法とする)とがほぼ同じ値になるという利点があるが、レジストマスクのパターンニングとエッチング処理を繰り返しおこなうため、処理工数が多いという問題点がある。工数を減らすためには、レジスト膜厚を厚くすればよいが、そうすると、パターンニング精度が下がるため、微細加工が困難になってしまう。
【0010】
一方、上述したウェットエッチング、アニール処理、プラズマエッチングおよびドライエッチングの組み合わせによって加工する方法では、レジスト膜厚を厚くしなくても工数を減らすことができる。しかし、ウェットエッチング時のアルミニウム合金層のサイドエッチング量や、ウェットエッチング後に残るレジスト厚さなどの制御性が低いため、アルミニウム合金層の側壁に垂れ下がったレジストマスクによる開口幅にばらつきが生じやすく、下地バリアメタル層のエッチング寸法が大きくばらつくという問題点がある。
【0011】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、3μm以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたって、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを1回で済ませ、かつ下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすることができる金属配線のエッチング方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる金属配線のエッチング方法は、基板上に形成された下地バリアメタル層の上に、厚さが3μm以上のアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層が積層された構成の積層配線層を所望のパターンに成形するにあたって、まず、前記積層配線層の上に所望のパターンのマスクを形成する。ついで、硝酸と酢酸、またはそれにりん酸を加えた混酸を用いてウェットエッチングをおこない、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層の一部を除去して、前記下地バリアメタル層の一部の表面を露出させる。
【0013】
続いて、CF4ガスとO2ガスを含む混合ガスを用いて、0.2〜2.0W/cm2の低電力プラズマでプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出面に付着したSiのパーティクルを除去する。続いて、BCl3ガスとCl2ガスとN2ガスを含む混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出部分の一部を除去する。最後に、前記マスクを除去する。
【0014】
この発明によれば、マスクを1回形成した後、このマスクを用いて、ウェットエッチング、プラズマエッチングおよびドライプラズマエッチングを連続しておこなうため、少ない工程で所望のパターンの金属配線が得られる。また、下地バリアメタル層はドライプラズマエッチングにより加工されるので、下地バリアメタル層のエッチング寸法はレジスト寸法とほぼ同じになる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本発明にかかる金属配線のエッチング方法のプロセスを示す図である。図1に示すように、下地バリアメタル層32は、チタン(Ti)層33の上にチタンナイトライド(TiN)層34が積層された構成となっている。積層配線層31は、下地バリアメタル層32の上に、3μm以上の厚さのアルミニウム合金層35が積層された構成となっている。
【0016】
まず、アルミニウム合金層35の表面上に、フォトレジストを塗布する。そして、図示しないマスクを用いて、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジストのパターニングをおこない、所望のパターンのレジストマスク36を形成する(図1(a))。ついで、硝酸、酢酸およびりん酸からなる混酸を用いてウェットエッチングをおこない、アルミニウム合金層35の開口部分を完全に除去し、チタンナイトライド層34を露出させる。
【0017】
このとき、アルミニウム合金層35がサイドエッチングされるので、レジストマスク36の端部は庇状に浮いた状態となる。また、チタンナイトライド層34の露出面には、Siのパーティクル37が付着することがある(図1(b))。硝酸と酢酸とりん酸の混合割合は、体積比で、硝酸:酢酸:りん酸=1〜10:1〜20:10〜40である。また、エッチング液の温度は40〜80℃である。
【0018】
ついで、フッ素系ガスを含んだ混合ガスを用いてプラズマエッチングをおこない、Siのパーティクル37を除去する(図1(c))。このときのエッチング条件の一例を示す。CF4ガスの流量は100〜500sccmであり、O2ガスの流量は5〜50sccmである。チャンバー内の圧力は66.661Pa〜199.983Paである。プラズマ電力は0.2〜2.0W/cm2である。ウェハを載置するステージの温度は30〜90℃である。
【0019】
ここで、プラズマ電力が上記範囲である理由について説明する。プラズマ電力と表面異常発生率との関係を図2に示す。この図2より明らかなように、プラズマ電力が0.2〜2.0W/cm2の範囲であれば、エッチングされた表面における異常発生率が低い(10%以下)からである。なお、プラズマ電力の適切な範囲は、この表面異常発生率との兼ね合いにより決まる。たとえば、表面異常発生率が20%以下でよければ、プラズマ電力の上限は2.8W/cm2まで拡大される。
【0020】
図1に戻り、低電力のプラズマエッチングによってSiのパーティクル37を除去した後、塩素系ガスを含んだ混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをおこない、チタンナイトライド層34およびチタン層33の開口部分を除去する(図1(d))。その際、レジストマスク36の端部は庇状のままである。したがって、チタンナイトライド層34およびチタン層33は、庇状のレジストマスク36の開口形状に合わせて除去される。
【0021】
このときのエッチング条件の一例を示す。BCl3ガスの流量は30〜80sccmであり、Cl2ガスの流量は30〜80sccmであり、N2ガスの流量は0〜30sccmである。チャンバー内の圧力は19.9983Pa〜39.9966Paである。プラズマ電力は400〜1000Wである。カソード電極の温度は50〜100℃であり、ウォール電極の温度は50〜100℃である。そして、レジストマスク36を灰化することによって、所望のパターンの金属配線が半導体装置の表面に形成される(図1(e))。
【0022】
上述した実施の形態1によれば、レジストマスク36を1回形成した後、このマスク36を用いて、ウェットエッチング、プラズマエッチングおよびドライプラズマエッチングを連続しておこなうため、少ない工程で所望のパターンの金属配線を得ることができる。また、下地バリアメタル層32はドライプラズマエッチングにより加工されるので、下地バリアメタル層32のエッチング寸法はレジスト寸法とほぼ同じになる。したがって、エッチングマスクとなるレジストのパターニングが1回で済み、かつ下地バリアメタル層32のエッチング寸法のばらつきを小さくすることができる。また、下地バリアメタル層32の表面に付着したSiのパーティクル37を低電量プラズマにより除去することにより、下地バリアメタル層32の表面に異常が発生するのを抑制することができる。
【0023】
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。たとえばエッチングガスの種類や流量、チャンバー内の圧力、プラズマ電力およびステージや電極の温度などは、上述した値に限らない。また、下地バリアメタル層32の上に、アルミニウム合金層の代わりに、アルミニウム層を積層してもよい。また、本発明は、アルミニウム合金層の厚さが3μm未満の場合にも適用可能である。
【0024】
【発明の効果】
本発明によれば、マスクを1回形成した後、このマスクを用いて、ウェットエッチング、プラズマエッチングおよびドライプラズマエッチングを連続しておこなうため、少ない工程で所望のパターンの金属配線が得られる。また、下地バリアメタル層はドライプラズマエッチングにより加工されるので、下地バリアメタル層のエッチング寸法はレジスト寸法とほぼ同じになる。したがって、エッチングマスクとなるレジストのパターニングが1回で済み、かつ下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるエッチング・プロセスを示す工程図である。
【図2】プラズマ電力と表面異常発生率との関係を示す特性図である。
【図3】従来のエッチング・プロセスの一部を示す工程図である。
【図4】図3の続のプロセスを示す工程図である。
【図5】従来のエッチング・プロセスを示す工程図である。
【符号の説明】
31 積層配線層
32 下地バリアメタル層
35 アルミニウム合金層
36 レジストマスク
Claims (6)
- 基板上に形成された下地バリアメタル層の上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層が積層された構成の積層配線層を所望のパターンに成形するにあたって、
前記積層配線層の上に所望のパターンのマスクを形成する工程と、
混酸を用いてウェットエッチングをおこない、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層の一部を除去して、前記下地バリアメタル層の一部の表面を露出させる工程と、
フッ素系ガスを含む混合ガスを用いて、低電力プラズマでプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出面に付着したSiのパーティクルを除去する工程と、
塩素系ガスを含む混合ガスを用いてドライプラズマエッチングをおこない、前記下地バリアメタル層の露出部分の一部を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を含むことを特徴とする金属配線のエッチング方法。 - 前記アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる層の厚さは3μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の金属配線のエッチング方法。
- Siのパーティクルを除去する際のプラズマ電力は、0.2〜2.0W/cm2であることを特徴とする請求項1または2に記載の金属配線のエッチング方法。
- 前記混酸は、硝酸と酢酸の混合液、または硝酸と酢酸とりん酸の混合液であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の金属配線のエッチング方法。
- 前記フッ素系ガスを含む混合ガスは、CF4ガスとO2ガスを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の金属配線のエッチング方法。
- 前記塩素系ガスを含む混合ガスは、BCl3ガスとCl2ガスとN2ガスを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の金属配線のエッチング方法。
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