JP2004059844A - 含フッ素高分子化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線や真空紫外線を使用して半導体素子等の表面に微細なパターンを形成する化学増幅型レジストに好適な特定の分子量分布を有した含フッ素高分子化合物に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている。微細化が急速に進歩した背景には投影レンズの高NA化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。レジストの高解像度化及び高感度化に関しては、光照射によって発生する酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料は優れた性能を有するものであり、遠紫外線リソグラフィーにおいて特に主流なレジスト材料になった(特公平2−27660号、特開昭63−27829号公報等に開示)。
【0003】
また、i線(365nm)からKrF(248nm)への短波長化は大きな変革をもたらし、KrFエキシマレーザー用レジスト材料は0.30μmプロセスに始まり、0.25μmルールを経て、現在0.18μmルールの量産化への適用へと展開している。更には、0.10μmルール以下の検討も始まっており、微細化の勢いはますます加速されている。
【0004】
ArF(193nm)では、デザインルールの微細化を0.13μm以下にすることが期待されているが、ノボラック樹脂やポリビニルフェノール系等の従来用いられていた樹脂が193nm付近に非常に強い吸収を持つため、レジスト用のベース樹脂として用いることができない。そこで透明性と必要なドライエッチング耐性の確保のため、アクリル樹脂やシクロオレフィン系の脂環族系の樹脂が検討されている(特開平9−73173号、特開平10−10739号、特開平9−230595号公報、WO97/33198に開示)。
【0005】
F2(157nm)に関しては0.10μm以下の微細化が期待されているが、透明性の確保がますます困難になり、ArF用ベースポリマーであるアクリル樹脂では全く光を透過せず、シクロオレフィン系においてもカルボニル結合を有するものは強い吸収を持つことがわかった。また、KrF用ベースポリマーのポリビニルフェノールについては、160nm付近に吸収のウィンドウがあり、若干透過率が向上するものの、実用的なレベルにはほど遠いことが判明した。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来、紫外線及び真空紫外線波長域の高分子化合物の製造としては、ラジカル重合やビニル付加重合が多く報告されているが、このような方法で得られた広い分子量分布を有する高分子を用いたレジストの場合、ウエハー製造工程中の真空工程においてポリマーの低分子量成分がガス化するため、真空度の低下、プロセス雰囲気の汚染の誘発、さらには分子量分布の不均質によるポリマーの溶解速度の遅速などの問題があった。その結果、パターニングの再現性が得られにくく、不均一なパターンが形成されるという問題を有するものであった。
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、紫外線、特に、KrF光(248nm)又はF2エキシマレーザー光(157nm)に対する透明性が高く、かつ高感度であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するため、紫外線、特に、KrF光またはF2エキシマレーザー光に感応し、優れた性質を有するレジスト、特にポジ型レジストに適した含フッ素高分子化合物を開発するため、鋭意研究を重ねた結果、十分なフッ素含有量を有した芳香族高分子を通常のラジカル重合またはカチオン重合する方法ではなく、リビングアニオン重合を用いることで、分子量分布(Mw/Mn)が1〜1.20程度の狭い範囲に制御した特定の含フッ素高分子化合物が重合できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0009】
即ち、本発明は、下記の含フッ素高分子化合物である。
下記一般式(1)
【0010】
【化3】
【0011】
(式中R1、R2はそれぞれ酸不安定基、R3は水素原子又はメチル基)で示されるモノマーをリビングアニオン重合して得られる分子量分布が1〜1.20である含フッ素高分子化合物。
また、下記一般式(2)
【0012】
【化4】
【0013】
(式中R1、R2はそれぞれ酸不安定基、R3は水素原子又はメチル基)で示されるモノマーを用いた上記記載の含フッ素高分子化合物。
【0014】
以下本発明を詳しく説明する。
本発明の含フッ素高分子化合物は、一般式(1)、好ましくは一般式(2)で示されるモノマーをリビングアニオン重合することで得られる。
本発明によるとR1、R2は同種でも、また異種の基でも良く、特にその組み合わせは制限なく使用することができるが、リビングアニオン重合性に影響せず、かつ重合後にその一部または全部を脱離させる目的に適した酸不安定基であることが好ましい。
【0015】
本発明によるR1、R2に好適な酸不安定基としては、一般式(3)〜(5)で表される基が使用できる。
【0016】
【化5】
【0017】
一般式(3)において、R4は炭素数4〜20、好ましくは4〜15の三級アルキル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(5)で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、tert−ブチル基、tert−アミル基、1,1−ジエチルプロピル基、1−エチルシクロペンチル基、1−ブチルシクロペンチル基、1−エチルシクロヘキシル基、1−ブチルシクロヘキシル基、1−エチル−2−シクロペンテニル基、1−エチル−2−シクロヘキセニル基、2−メチル−2−アダマンチル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3−オキソシクロヘキシル基、4−メチル−2−オキソオキサン−4−イル基、5−メチル−5−オキソオキソラン−4−イル基等が挙げられる。gは0〜6の整数である。
【0018】
一般式(3)の酸不安定基としては、具体的にはtert−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル基、tert−アミロキシカルボニル基、tert−アミロキシカルボニルメチル基、1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1−エチル−2−シクロペンテニルオキシカルボニル基、1−エチル−2−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1−エトキシエトキシカルボニルメチル基、2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【0019】
一般式(4)において、R5及びR6は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等を例示できる。R7は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【0020】
【化6】
【0021】
R5とR6、R5とR7、R6とR7とは互いに結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはR5、R6及びR7はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【0022】
一般式(4)で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。
【0023】
【化7】
【0024】
一般式(4)で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン−2−イル基、2−メチルテトラヒドロフラン−2−イル基、テトラヒドロピラン−2−イル基、2−メチルテトラヒドロピラン−2−イル基等が例示できる。式(4)としては、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシプロピル基が好ましい。
【0025】
次に、一般式(5)においてR8、R9及びR10は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R8とR9、R8とR10、R9とR10とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
【0026】
一般式(5)に示される三級アルキル基としては、tert−ブチル基、トリエチルカルビル基、1−エチルノルボルニル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロペンチル基、2−(2−メチル)アダマンチル基、2−(2−エチル)アダマンチル基、tert−アミル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メチル−イソプロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−シクロヘキシル−イソプロピル基等を挙げることができ、具体的には下記に示す基を挙げることができる。
【0027】
【化8】
【0028】
ここで、R11は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。R12は炭素数2〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。R13及びR14は水素原子、炭素数1〜6のヘテロ原子を含んでもよい1価炭化水素基、又は炭素数1〜6のヘテロ原子を介してもよい1価炭化水素基を示し、これらは直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。この場合ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子を挙げることができ、−OH、−OR15、−O−、−S−、−S(=O)−、−NH2、−NHR15、−N(R15)2、−NH−、−NR15−として含有又は介在することができる。R15は炭素数1〜5のアルキル基を示す。R13及びR14としては、具体的には、メチル基、ヒドロキシメチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、プロピル基イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、メトキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシ基、tert−ブトキシ基等を例示できる。
【0029】
酸不安定基として、炭素数がそれぞれ1〜6であるトリアルキルシリル基を用いることもできる。そのようなトリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−tert−ブチルシリル基等が挙げられる。
【0030】
本発明では、一般式(1)、(2)のモノマーを主成分に用いていれば、他のスチレン系モノマーを共重合することも可能である。
上記のモノマーをリビング重合させるためには、重合開始剤を用いるが、重合開始剤としては有機金属化合物が好ましく用いられる。この有機金属化合物を具体的に例示するならば、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレン、アントラセンナトリウム、α−メチルスチレンテトラマージナトリウム、クミルカリウム、クミルセシウム、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、n−ブチルマグネシウムブロミド、n−ブチルマグネシウムクロリド等の有機アルカリ金属などが挙げられる。
【0031】
上記モノマーのリビング重合は、一般に有機溶媒中で行われる。この有機溶媒としては、環状エーテル等の芳香族炭化水素、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジメトキシエタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素などが挙げられる。これら有機溶媒はその1種を単独で使用しても2種以上を組み合わせて使用してもよい。
【0032】
上記一般式(1)で示されたモノマーをリビング重合する場合、モノマーの官能基の選択によりリビング重合開始剤やモノマーの有機溶液濃度などの反応条件の最適条件が変化するので、予め最適条件を設定するための予備実験を行うことが好ましいが、一般に重合に供するモノマーの有機溶媒溶液濃度は1〜50%(重量%、以下同様)、特に5〜30%が好適である。
【0033】
一般式(1)または(2)のモノマーの重合は、反応系を真空吸引した後にそのまま又はアルゴン,窒素等の不活性ガス置換雰囲気下で、モノマーの有機溶媒溶液を撹拌しながら行うことができる。反応温度は−100℃から沸点温度まで適宜選択し得るが、例えば溶媒としてテトラヒドロフランを使用する場合の反応温度は−100℃、ベンゼンを使用する場合の反応温度は室温とすることが好ましい。重合初期段階で、重合末端のアニオンの安定性が低く、重合が進行しない場合は、アニオン安定性を高めることが出来る重合性化合物、例えば、少量のスチレンあるいはt−ブトキシスチレンを触媒と同時に添加し、その後、一般式(1)又は(2)のモノマーを添加して重合を行うこともできる。この場合、ポリマーの片末端はスチレンあるいはt−ブトキシスチレンの繰り返し単位になる。誘導体重合の終了は、例えばメタノール、水、メチルブロマイド等の停止剤を反応液に添加することにより反応を終わらせることができる。さらに必要に応じて、例えば、メタノールを用いて含フッ素高分子化合物中の反応混合物を沈殿させて洗浄し、乾燥することにより精製、単離することができる。反応液には、通常、未反応物、副反応物等が不純物として含有しており、そのまま当該含フッ素高分子を原料とし、超LSI等を製造する際のレジストとして用いた場合、この不純物がウエハー製造工程に悪影響を及ぼすことがあるので、低分子量体などを精製する処理は充分に施すことが好ましい。
【0034】
このようにして得られる含フッ素高分子化合物は、分子量分布に関しては単分散(Mw/Mn=1〜1.20)となり、目的とする狭分子量分布とすることができる。この場合、分子量分布が1.20より大きいとリビング重合の効果が薄れ、パターニングの際の低分子量成分による不安定状態が生じるので好ましくない。
【0035】
なお、重合収率は、反応に供したモノマーに基づいてほぼ100%であり、この重合体の分子量は使用したモノマーの重量と重合開始剤のモル数(分子量)から容易に計算することができる。更に、数平均分子量(Mn)は膜浸透圧計による測定から求めることができ、分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりキャラクタリゼーションを行って、得られた含フッ素高分子化合物が目的とする分子量分布を有しているか否かを評価することができる。
【0036】
本発明の含フッ素高分子化合物は、化学増幅フォトレジスト用のベースポリマーとして使用でき、その配合は特に限定されない。レジスト配合の一例を例示するならば、上記含フッ素高分子を主成分とし、オニウム塩カチオン性光開始剤、不活性有機溶媒、クエンチャー等を配合することができる。このオニウム塩カチオン性光開始剤は光照射により強酸を発生させるもので、ウエハーステッパーなどでレジスト膜中のオニウム塩が分解して発生した強酸が本発明の含フッ素高分子の酸不安定基を開裂させ、アルカリ可溶化するために働くものである。上記のオニウム塩カチオン性光開始剤の配合量は、レジスト材全体の0.01〜20%、特に1〜10%とすることが好ましい。
【0037】
このレジスト材は通常その数倍量の有機溶媒で溶解してレジスト液として使用するが、この有機溶媒としては本発明のリビングポリマーを主成分とするレジスト成分を充分に溶解することができ、かつレジスト膜が均一に広がるようなものが選択される。具体的にはシクロヘキサノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類などが挙げられる。溶媒は、樹脂100部に対して200〜5000部程度が好ましい。
【0038】
また、好ましいクエンチャーとしては、アンモニア、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等を用いることができる。クエンチャーは、樹脂量100部に対して0.01〜2部、特に、0.01部〜1部が好適である。配合量が0.01部より少ないと配合効果がなく、2部を超えるとレジストとしての感度が低下する。
【0039】
上記レジスト材の使用方法、光照射方法等は公知のリソグリフィー技術を採用して行うことができ、フォトマスクを介して、ステッパー、スキャナーなどを用いた半導体やディスプレーなどの幅広い分野で微細パターンを作製することが可能である。この場合、通常のポジ型現像液は特に制限なく使用することができる。
【0040】
以上のように使用される本発明の含フッ素高分子は、157nm〜254nmの紫外線を用いたレジスト材料のベースポリマーとして好適であり、特に先端半導体分野における微細パターニングに適した高分子化合物である。また電子線やX線などのリソグラフィーにも対応可能である。
【0041】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【0042】
[実施例1]
原料の3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンは予めCaH2で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、1リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン600ml、重合開始剤としてsec−ブチルリチウム3.5×10−3モルを仕込んだ。この混合液に−78℃のテトラヒドロフラン100mlで希釈した上記精製処理済の3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレン36gを添加し、1時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して36gの白色ポリマーを得た。
【0043】
GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.1×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.17であった。これをポリマー1とする。
【0044】
[実施例2]
原料の3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−αメチルスチレンは予めCaH2で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、1リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン600ml、重合開始剤としてsec−ブチルリチウム3.5×10−3モルを仕込んだ。この混合液に−78℃のテトラヒドロフラン100mlで希釈した上記精製処理済の3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−αメチルスチレン37gを添加し、1時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して37gの白色ポリマーを得た。
【0045】
GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.13×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.07であった。これをポリマー2とする。
【0046】
[実施例3]
原料の3,5−ジ[2−エトキシエトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンと3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンは、それぞれ予めCaH2で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、1リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン600ml、重合開始剤としてsec−ブチルリチウム3.5×10−3モルを仕込んだ。この混合液に−78℃のテトラヒドロフラン100mlで希釈した上記精製処理済の3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレン18g、3,5−ジ[2−エトキシエトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレン19gを添加し、1時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して36gの白色ポリマーを得た。
【0047】
GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.2×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.15であった。これをポリマー3とする。
【0048】
[実施例4]
ポリマー1の30gをアセトン1000mlに溶解し、20℃で少量の濃塩酸を加えて7時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、23gのポリマーが得られた。また、GPCと、1H−NMRによる分析でt−ブトキシ基に由来するピークが観測されないこと、数平均分子量(Mn)8800、分子量分布(Mw/Mn)1.17のポリ−3,5−ジ[2−ヒドロキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンであることが確認された。
【0049】
上記ポリマー20gをピリジン200mlに溶解させ、45℃で撹拌しながら二炭酸ジ−tert−ブチル13.0gを添加した。1時間反応させた後、水3Lに反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリマーを得た。1H−NMRによる分析で、3,5−ジ[2−ヒドロキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンのヒドロキシ基の水素原子の48%がtブトキシカルボニル基で置換されており、GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.2×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.17であることが確認された。これをポリマー4とする。
【0050】
[実施例5]
ポリマー2の30gをアセトン1000mlに溶解し、20℃で少量の濃塩酸を加えて7時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、24gのポリマーが得られた。また、GPCと、1H−NMRによる分析でt−ブトキシ基に由来するピークが観測されないこと、Mw8800、Mw/Mn1.17のポリ−3,5−ジ[2−ヒドロキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−αメチルスチレンであることが確認された。
【0051】
上記ポリマー20gをピリジン200mlに溶解させ、45℃で撹拌しながら二炭酸ジ−tert−ブチル13.0gを添加した。1時間反応させた後、水3Lに反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリマーを得た。1H−NMRによる分析で、3,5−ジ[2−ヒドロキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−αメチルスチレンのヒドロキシ基の水素原子の40%がtブトキシカルボニル基で置換されており、GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.23×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.07であることが確認された。これをポリマー5とする。
【0052】
[実施例6]
ポリマー3の30gをアセトン1000mlに溶解し、40℃で5gのシュウ酸と10gの水を加えて20時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、26gのポリマーが得られた。 また、GPCと1H−NMRによる分析でエトキシエトキシ基に由来するピークが観測されないこと、GPCによりポリスチレン換算で数平均分子量(Mn)を測定した結果は1.03×104/モルであり、分子量分布(Mw/Mn)は1.15のポリ−3,5−ジ[2−tブトキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレン−co−3,5−ジ[2−ヒドロキシ−2,2−ビストリフルオロメチル]メチル−スチレンで、0.52:0.48の比率であることが確認された。これをポリマー6とする。
【0053】
[応用例]
実施例4、5、6で得られたポリマー3gをトリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォネート(酸発生剤)0.12g、トリブチルアミン(塩基クエンチャー)0.006gと共にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート25mlに溶解させた溶液を0.2μmサイズのフィルターでろ過してレジスト溶液を調整した。シリコンウェハーにDUV−30(ブリューワーサイエンス社製)を55nmの膜厚で製膜した基盤上にレジスト液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて120℃で90秒間ベークし、レジストの厚みを300nmにした。
【0054】
これをエキシマレーザーステッパー(ニコン社、NSR−S203B,NA−0.68、σ:0.75、2/3輪帯照明)を用いて露光し、露光後直ちに110℃で90秒間ベークし、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行って、解像力0.13μmラインアンドスペース1:1のポジ型のパターンを得た。
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