JP2004023054A - 素子の気密封止体の作製方法及びリフロー炉 - Google Patents
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Abstract
【課題】作業能率の高い素子の気密封止体の作製方法を提供する。
【解決手段】本方法は、下部壁を有する底板上に素子を配置し、上部壁が下部壁に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せた、気密封止体の組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、真空引きした後、リフロー炉のチャンバ内に封入ガスを導入し、所定圧力にする工程(S1 〜S4 )と、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止する工程(S5 )と、ヘリウム(He)を含む不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程(S6 〜S8 )と、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程(S9 &S10)とを有する。
【選択図】 図2
【解決手段】本方法は、下部壁を有する底板上に素子を配置し、上部壁が下部壁に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せた、気密封止体の組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、真空引きした後、リフロー炉のチャンバ内に封入ガスを導入し、所定圧力にする工程(S1 〜S4 )と、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止する工程(S5 )と、ヘリウム(He)を含む不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程(S6 〜S8 )と、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程(S9 &S10)とを有する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子の気密封止体の作製方法及びリフロー炉に関し、更に詳細には、リークテストを含めて少ない工程数で素子の気密封止体を作製する方法及びその方法の実施に最適なリフロー炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
微細技術の進展に伴い、いわゆるマイクロマシン(MEMS:Micro ElectricMechanical System、超小型電気的・機械的複合体)素子、及びMEMS素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。
MEMS素子は、シリコン基板、ガラス基板等の基板上に微細構造体として形成され、機械的駆動力を出力する駆動体と、駆動体を制御する半導体集積回路等とを電気的に、更には機械的に結合させた素子である。MEMS素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン引力などを応用して電気的に行われる。
【0003】
ここで、MEMS素子の一例として、図4を参照して、光変調器として機能する光学的微小素子の構成を説明する。図4は光学的微小素子の構成を示す斜視図である。
光学的微小素子10は、図4に示すように、複数個の光変調素子12を相互に並列で密に配置させたデバイスである。光学的微小素子10を構成する光変調素子12は、上面に光反射膜14を有する静電駆動型メンブレン16を備え、各光変調素子12のメンブレン16が、静電引力、或いは静電反発力によって機械的に動いて、光反射膜14の傾きを変化させ、光反射膜14で反射する反射光の光強度を変調させる機能を有する。
【0004】
次に、図5を参照して、光変調素子12の構成を説明する。図5は光変調素子の構成を示す斜視図である。
光変調素子12は、図5に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板18と、Cr薄膜等で絶縁性基板18上に形成されている基板側電極20と、基板側電極20に交差してブリッジ状に跨ぐ静電駆動型メンブレン16とを備えている。
メンブレン16と基板側電極20とは、その間の空隙部22によって電気的に絶縁されている。
【0005】
メンブレン16は、基板側電極20をブリッジ状に跨いで基板18上に立脚する電極支持部材として設けられたSiN膜からなるブリッジ部材24と、基板側電極20に対向して相互に平行にブリッジ部材24上に設けられた、膜厚100nm程度のAl膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極14とから構成されている。
ブリッジ部材24は、空隙部22を確保するように、基板側電極20に対向して所定間隔だけ離間し、かつ基板側電極20に対して相互に平行に光反射膜兼メンブレン側電極14を支持するために設けられている。
光学的微小素子10では、絶縁性基板18及びその上の基板側電極20は、図4に示すように、各光変調素子12の共通基板及び共通電極となっている。
【0006】
上述の光変調素子12は、メンブレン16の長さL及び幅Wともμmオーダで、空隙部22の間隙が1μmの極めて微小な素子である。従って、このままでは、光変調素子12は、外部からの機械的な力や、外部の化学的な雰囲気によって、容易に損傷する。
そこで、光学的微小素子10は、通常、図6に示すように、Si基板上に設けられた気密封止体30内に気密封止され、外部からの機械的な力や、外部の化学的な雰囲気を遮断するようになっている。
【0007】
ここで、図6を参照して、光学的微小素子の気密封止体の構成を説明する。図6(a)は気密封止体の側面断面図、及び図6(b)は図6(a)の矢視I−Iの断面配置図である。
光学的微小素子10の気密封止体30は、図6に示すように、Si基板32上に設置された光学的微小素子10と、光学的微小素子10を例えば方形に取り囲むように設けられた周囲壁34と、周囲壁34上に天井壁として設けられたガラス板36とから構成されている。
周囲壁34は、Si基板32上に設けられたの下部接着層38と、ガラス板36下に設けられた上部接着層40と、下部接着層38と上部接着層40とを接合する半田層42とで形成されている。
【0008】
Si基板及びガラス板は半田との接着性を有しないので、下部接着層38及び上部接着層40は、それぞれ、Si基板及びガラス板に半田との接着性を付与するために設けてあって、Cr/Ni/Auの多層金属膜で形成されている。
Si基板32、周囲壁34、及びガラス板36とにより、光学的微小素子10を収容した中空部44が形成される。
光学的微小素子10をSi基板上に気密封止した気密封止体30を作製する際には、リフロー炉で下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成する。
【0009】
中空部44内に水分、酸素ガス、或いは腐食性ガスが残留すると、それらは光学的微小素子10の構成要素を腐食し、素子特性及び素子寿命に影響を与えるので、極力それらを排除する必要がある。そのために、中空部44内は、水分、空気、その他のガスを排除した真空状態に維持されている。
また、中空部44内には、水分、空気、その他の腐食性ガスを排除した後、光学的微小素子10の動作を円滑にしたり、或いは放熱を容易にするために、封入ガス(複数種のガスからなる混合ガスのこともある)を封入することがある。封入ガスとして、例えばメンブレン16の運動を容易にする水素ガスを封入することが多い。
【0010】
次に、図7及び図8を参照して、中空部44に封入ガスを封入した、光学的微小素子10の気密封止体30を形成する方法を説明する。図7は中空部に封入ガスを封入する方式の従来の光学的微小素子の気密封止体の作製方法の手順を示すフローチャート、及び図8はリフロー炉の構成を示す模式図である。
先ず、前工程として、Si基板32上に下部接着層38のパターンを、及びガラス板36上に上部接着層40を、それぞれ、印刷法等によって形成する。
次いで、Si基板32上の下部接着層38内に光学的微小素子10を配置し、固定する。
次に、光学的微小素子10を配置したSi基板32の下部接着層38に半田を塗布し、半田パターンを形成する。半田パターンは、上部接着層40に設けても良く、下部接着層38及び上部接着層40の双方に設けても良い。
続いて、下部接着層38に上部接着層40を位置合わせするようにして、上部接着層40を半田パターンに載せ、Si基板32上にガラス板36を配置し、組み立て体を形成する。
【0011】
ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉50に送入する。
リフロー炉50は、図8に示すように、加熱ヒータ51を内蔵するステージ52を下部に収容したチャンバ54と、チャンバ54側に開閉弁55を有し、チャンバ54を減圧に吸引する真空ポンプ56と、チャンバ54にガスを送入する開閉弁57付きガス送入管58とを備えている。組み立て体Wは、ステージ52上に載置される。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、開閉弁55を開放し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
【0012】
ステップS4 で、ガス送入管58の開閉弁57を開放し、気密封止体30内に封入する封入ガス、例えば水素ガスを所定圧力になるまでチャンバ54内に導入する。チャンバ54内の圧力が所定圧力になった時点で、開閉弁57を閉止する。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、水素ガスを封入した気密封止体30を作製する。
ステップS6 で、リフロー炉50を自然放冷により冷却する。
【0013】
次いで気密封止体30を取出すが、その際、封入ガスが人体に有害であったり、水素ガスのように危険なガスであったりする場合は、予め、リフロー炉50から封入ガスを排除した後、気密封止体30を取出す必要がある。
そこで、ステップS7 では、開放弁55を開放し、真空ポンプ56を起動してチャンバ54内を減圧にした後、開閉弁57を開放し、チャンバ54内に窒素ガスを導入して、チャンバ54内を窒素ガスで置換した後、大気圧に戻す。
ステップS8 で、リフロー炉50から気密封止体30を取り出す。
【0014】
ステップS7 では、チャンバ54内の圧力が大気圧とほぼ同じ圧力になるようにすると、圧力的には、チャンバ54を開放することができるが、水素ガスが4%〜96%の割合でチャンバ54内にあるとき、そのままチャンバ54を開放すると、爆発の危険性がある。
そこで、封止終了後にチャンバ54を減圧し、大気圧に戻したときの水素の分圧が4%以下になるように、窒素ガスでチャンバ54を置換する。
【0015】
封入ガスを封入しないときには、ステップS2 の後、ステップS3 の組み立て体の予備加熱ステップ、及びステップS4 の封入ガスの導入ステップを省いて、ステップS5 の組み立て体を加熱し、封止するステップに移行する。
また、ステップS7 の窒素ガスによるガス置換ステップでは、窒素ガスに代えて空気を送入する。
【0016】
気密封止体30を作製した後、気密封止体30の気密封止状態の合否を検査するために、ヘリウムリークテストを気密封止体30に施す。
ヘリウムリークテストでは、図9に示すように、先ず、ステップS1 で、空気中のヘリウム濃度以上でヘリウムを含む加圧雰囲気に被検体の気密封止体30を曝す。例えば、ステップS1 では、テストチャンバ(図示せず)内に気密封止体30を入れて真空引きし、次いで空気中のヘリウム濃度以上のヘリウムを含む窒素ガスを導入し、テストチャンバを加圧する。これにより、気密封止が完全でない気密封止体30の中空部44にはヘリウムが侵入する。
次いで、テストチャンバを真空引きし、排気したガス中のヘリウムの有無をヘリウムリークディテクターによって検出する。ヘリウムが検出された気密封止体は、気密封止状態が不良であって、検出されない気密封止体を良品とする。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の気密封止体の作製方法では、上述のように、気密封止体を作製した後に、改めて気密封止体の気密封止検査を行っているので、作業能率が悪いという問題があった。
上述の説明では、光学的微小素子を例にして、素子の気密封止を説明したが、この問題は、光学的微小素子に限らず、素子一般、例えば固体撮像素子、半導体レーザ素子、半導体受光素子、マイクロマシン素子等の気密封止に該当する問題である。
【0018】
そこで、本発明の目的は、作業能率の高い素子の気密封止体の作製方法を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述の従来の気密封止体の作製工程で行うチャンバの真空破壊ステップS7 と、ヘリウムリークテスト工程で行うヘリウム送入ステップS1 とを同時に行うことにより、つまり真空破壊のために導入するガスをヘリウム含有ガスにすることにより、作業能率の高い気密封止体の作製方法が実現できることを着想し、実験により確認して、本発明を発明するに到った。
【0020】
上記目的を達成するために、本発明に係る素子の気密封止体の作製方法(以下、第1の発明方法と言う)は、底板、天井壁、及び、底板上に設けられ、天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定の封入ガスが所定圧力で封入された中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、真空引きした後、リフロー炉のチャンバ内に封入ガスを導入し、所定圧力にする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含む不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴としている。
【0021】
第1の発明方法で、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定の封入ガスが所定圧力で封入された中空部内に素子を気密封止状態で保持する限り、気密封止体の構成に、制約はない。例えば、底板及び天井壁の少なくともいずれかに凹部を設け、凹部内に素子を配置する構成の気密封止体でも良い。
更には、底板が下部壁を有し、天井壁が上部壁を有し、下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止するようにしても良い。
【0022】
第1の発明方法のリークテストの工程では、封入ガス雰囲気のチャンバをヘリウム(He)を含む不活性ガスで置換し、次いで真空引きを行っているので、チャンバ内には封入ガスは殆ど残留していない。よって、チャンバ内外の圧力を平衡するガスは、空気でも良い。
また、好適には、ヘリウム(He)を含む不活性ガスとして、ヘリウムを1容量%以上含む窒素(N2)ガスを使用する。
【0023】
本発明に係る素子の気密封止体の作製方法(以下、第2の発明方法と言う)は、底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲された、所定真空度の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、チャンバを所定真空度に真空引きする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含むガスをチャンバに導入し、次いで真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴としている。
【0024】
第2の発明方法で、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定真空度の中空部内に素子を気密封止状態で保持する限り、気密封止体の構成に、制約はない。例えば、底板及び天井壁の少なくともいずれかに凹部を設け、凹部内に素子を配置する構成の気密封止体でも良い。
更には、底板が下部壁を有し、天井壁が上部壁を有し、下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止するようにしてもよい。
【0025】
第2の発明方法では、好適には、ヘリウム(He)を含むガスとして、ヘリウムを1容量%以上含む空気を使用する。
【0026】
第1及び第2の発明方法では、気密封止体により気密封止される素子に制約は無く、例えば固体撮像素子、半導体レーザ素子、半導体受光素子、マイクロマシン素子の少なくともいずれかの気密封止体を好適に作製することができる。
種類の異なる素子、例えば半導体レーザ素子とマイクロマシン素子とを気密封止しても良い。
第1及び第2の発明方法では、気密封止体の作製に引き続いて、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体の作製作業を効率化することができる。
また、リフロー炉をヘリウムリークテストのテストチャンバとして使用することができる。
【0027】
第1及び第2の発明方法を好適に実施できる、本発明に係るリフロー炉は、底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、封入ガスが封入された、又は真空状態の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する際、ステージを有するチャンバを備え、気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をチャンバに載置して、半田接合することにより、素子の気密封止体を作製するリフロー炉であって、
組み立て体を加熱する加熱手段に加えて、作製した気密封止体を冷却する冷却手段を備えていることを特徴としている。
【0028】
本発明に係るリフロー炉では、作製した気密封止体を冷却する冷却手段を備えているので、作製した気密封止体を自然放冷により冷却していた従来のリフロー炉に比べて、気密封止体を作製した後、短時間でリークテストを行うことができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
リフロー炉の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るリフロー炉の実施形態の一例であって、図1は本実施形態例のリフロー炉の構成を示す模式図である。
本実施形態例のリフロー炉60は、気密封止体Wを冷却する冷却手段をリフロー炉に設けたことを除いて、従来のリフロー炉50と同じ構成を備えている。
リフロー炉60は、図1に示すように、加熱ヒータ51に加えて、冷却手段として、冷却水又は冷媒を流す冷却管62をステージ52に内蔵させている。
本実施形態例のリフロー炉60では、作製した気密封止体を冷却する冷却手段として、冷却管62をステージ52内に備えているので、作製した気密封止体を自然放冷により冷却していた従来のリフロー炉50に比べて、気密封止体を作製した後、短時間で冷却し、リークテストを行うことができる。
【0030】
冷却手段は、冷却管62に代えて、ペルチエ素子をステージ52に内蔵したり、又はチャンバ54の周りに設けたりしてもよく、また、冷却水を流す蛇管又はジャケットをチャンバ54の周りに設けてもよい。更には、それらを合わせ設けてもよい。
【0031】
素子の気密封止体の実施形態例1
本実施形態例は、上述のリフロー炉60を使い、第1の発明方法に係る素子の気密封止体の作製方法を前述の気密封止体30の形成に適用した実施形態の一例であって、図2は本実施形態例の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
本実施形態例では、従来の方法と同様にして、先ず、前工程として、Si基板32上に下部接着層38のパターンを、及びガラス板36上に上部接着層40を、それぞれ、印刷法等によって形成する。
次いで、Si基板32上の下部接着層38内に光学的微小素子10を配置し、固定する。
次に、光学的微小素子10を配置したSi基板32の下部接着層38に半田を塗布し、半田パターンを形成する。半田パターンは、上部接着層40に設けても良く、下部接着層38及び上部接着層40の双方に設けても良い。続いて、下部接着層38に上部接着層40を位置合わせするようにして、上部接着層40を半田パターンに載せ、Si基板32上にガラス板36を配置し、組み立て体を形成する。
【0032】
ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉60に送入する。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
ステップS4 で、ガス送入管58の開閉弁57を開放し、気密封止体内に封入する封入ガス、例えば水素ガスを所定圧力までチャンバ54内に導入する。チャンバ54内の圧力が所定圧力になった時点で開閉弁57を閉止する。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、水素ガスを封入した気密封止体30を作製する。
【0033】
次いで、本実施形態例では、ステップS6 で、冷却管62に冷却水を流して、気密封止体30及びリフロー炉60を冷却する。
続いて、ステップS7 で、ヘリウム(He)を1容量%以上含む窒素ガスを導入して、チャンバ54内の封入ガスを置換する。
次に、ステップS8 で、チャンバ54を真空引きして、ヘリウムリークテストを行って、作製した気密封止体30の気密封止性の合否を検査する。
次に、ステップS9 で空気を導入して、チャンバ54内外の圧力を平衡にし、次いで、ステップS10で、リフロー炉60から気密封止体30を取り出す。
【0034】
本実施形態例の方法では、ステップS1 からステップS5 までのステップで気密封止体30を作製した後、ステップS5 に引き続いて、ステップS6 からステップS8 のステップで、リフロー炉60から気密封止体30を取り出すことなく、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体30の作製作業を効率化することができる。
また、気密封止体30をヘリウムガス含有雰囲気に曝すヘリウムリークテストのテスト容器としてリフロー炉60を使うことができるので、気密封止体の作製設備を簡略化することができる。
【0035】
素子の気密封止体の作製方法の実施形態例2
本実施形態例は、上述のリフロー炉60を使い、第2の発明方法に係る素子の気密封止体の作製方法を前述の気密封止体30の形成に適用した実施形態の一例であって、図3は本実施形態例の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
実施形態例方法1と同様に、ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉60に送入する。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
ステップS4 で、所定真空度にチャンバ54を真空引きする。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、中空部44が所定の真空度に維持されている気密封止体30を作製する。
【0036】
次いで、本実施形態例では、ステップS6 で、冷却管62に冷却水を流して、気密封止体30及びリフロー炉60を冷却する。
続いて、ステップS7 で、ヘリウム(He)を1容量%以上含む空気を導入して、チャンバ54内で気密封止体30にヘリウムガス雰囲気に曝す。
次に、ステップS8 で、チャンバ54を真空引きして、ヘリウムリークテストを行って、作製した気密封止体30の気密封止性の合否を検査する。
次に、ステップS9 で空気を導入して、チャンバ54内外の圧力を平衡にし、次いで、ステップS10で、リフロー炉60から気密封止体30を取り出す。
【0037】
本実施形態例の方法では、ステップS1 からステップS5 までのステップで気密封止体30を作製した後、ステップS5 に引き続いて、ステップS6 からステップS8 のステップで、リフロー炉60から気密封止体30を取り出すことなく、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体30の作製作業を効率化することができる。
また、気密封止体30をヘリウムガス含有雰囲気に曝すヘリウムリークテストのテスト容器としてリフロー炉60を使うことができるので、気密封止体の作製設備を簡略化することができる。
【0038】
【発明の効果】
第1の発明方法によれば、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止し、ヘリウム(He)含有不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行い、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す。
これにより、素子を気密封止した後、リフロー炉から素子を取り出すことなく、連続してヘリウムリークテストを行うことができるので、素子の気密封止体の作製方法の所要工程数を減らし、プロセスを簡略化することができる。
【0039】
第2の発明方法によれば、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に真空状態の中空部内に素子を気密封止し、ヘリウム(He)含有空気をチャンバ内に導入し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行い、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す。
これにより、素子を気密封止した後、リフロー炉から素子を取り出すことなく、連続してヘリウムリークテストを行うことができるので、素子の気密封止体の作製方法の所要工程数を減らし、プロセスを簡略化することができる。
【0040】
また、第1及び第2の発明方法を適用することにより、リフロー炉をヘリウムリークテストのテストチャンバとして使用することができる。
本発明に係るリフロー炉は、気密封止体の冷却手段を備えているので、冷却ステップの所要時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例のリフロー炉の構成を示す模式図である。
【図2】実施形態例1の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
【図3】実施形態例2の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
【図4】光学的微小素子の構成を示す斜視図である。
【図5】光変調素子の構成を示す斜視図である。
【図6】図6(a)は気密封止体の側面断面図、及び図6(b)は図6(a)の矢視I−Iの断面配置図である。
【図7】中空部に封入ガスを封入する方式の従来の光学的微小素子の気密封止体の作製方法の手順を示すフローチャートである。
【図8】リフロー炉の構成を示す模式図である。
【図9】ヘリウムリークテストの手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10……光学的微小素子、12……光変調素子、14……光反射膜兼メンブレン側電極、16……静電駆動型メンブレン、18……絶縁性基板、20……基板側電極、22……空隙部、24……ブリッジ部材、30……気密封止体、32……Si基板、34……周囲壁、36……ガラス板、38……下部接着層、40……上部接着層、42……半田層、44……中空部、50……リフロー炉、51……加熱ヒータ、52……ステージ、54……チャンバ、55……開閉弁、56……真空ポンプ、57……開閉弁、58……ガス送入管、60……実施形態例のリフロー炉、62……冷却管。
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子の気密封止体の作製方法及びリフロー炉に関し、更に詳細には、リークテストを含めて少ない工程数で素子の気密封止体を作製する方法及びその方法の実施に最適なリフロー炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
微細技術の進展に伴い、いわゆるマイクロマシン(MEMS:Micro ElectricMechanical System、超小型電気的・機械的複合体)素子、及びMEMS素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。
MEMS素子は、シリコン基板、ガラス基板等の基板上に微細構造体として形成され、機械的駆動力を出力する駆動体と、駆動体を制御する半導体集積回路等とを電気的に、更には機械的に結合させた素子である。MEMS素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン引力などを応用して電気的に行われる。
【0003】
ここで、MEMS素子の一例として、図4を参照して、光変調器として機能する光学的微小素子の構成を説明する。図4は光学的微小素子の構成を示す斜視図である。
光学的微小素子10は、図4に示すように、複数個の光変調素子12を相互に並列で密に配置させたデバイスである。光学的微小素子10を構成する光変調素子12は、上面に光反射膜14を有する静電駆動型メンブレン16を備え、各光変調素子12のメンブレン16が、静電引力、或いは静電反発力によって機械的に動いて、光反射膜14の傾きを変化させ、光反射膜14で反射する反射光の光強度を変調させる機能を有する。
【0004】
次に、図5を参照して、光変調素子12の構成を説明する。図5は光変調素子の構成を示す斜視図である。
光変調素子12は、図5に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板18と、Cr薄膜等で絶縁性基板18上に形成されている基板側電極20と、基板側電極20に交差してブリッジ状に跨ぐ静電駆動型メンブレン16とを備えている。
メンブレン16と基板側電極20とは、その間の空隙部22によって電気的に絶縁されている。
【0005】
メンブレン16は、基板側電極20をブリッジ状に跨いで基板18上に立脚する電極支持部材として設けられたSiN膜からなるブリッジ部材24と、基板側電極20に対向して相互に平行にブリッジ部材24上に設けられた、膜厚100nm程度のAl膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極14とから構成されている。
ブリッジ部材24は、空隙部22を確保するように、基板側電極20に対向して所定間隔だけ離間し、かつ基板側電極20に対して相互に平行に光反射膜兼メンブレン側電極14を支持するために設けられている。
光学的微小素子10では、絶縁性基板18及びその上の基板側電極20は、図4に示すように、各光変調素子12の共通基板及び共通電極となっている。
【0006】
上述の光変調素子12は、メンブレン16の長さL及び幅Wともμmオーダで、空隙部22の間隙が1μmの極めて微小な素子である。従って、このままでは、光変調素子12は、外部からの機械的な力や、外部の化学的な雰囲気によって、容易に損傷する。
そこで、光学的微小素子10は、通常、図6に示すように、Si基板上に設けられた気密封止体30内に気密封止され、外部からの機械的な力や、外部の化学的な雰囲気を遮断するようになっている。
【0007】
ここで、図6を参照して、光学的微小素子の気密封止体の構成を説明する。図6(a)は気密封止体の側面断面図、及び図6(b)は図6(a)の矢視I−Iの断面配置図である。
光学的微小素子10の気密封止体30は、図6に示すように、Si基板32上に設置された光学的微小素子10と、光学的微小素子10を例えば方形に取り囲むように設けられた周囲壁34と、周囲壁34上に天井壁として設けられたガラス板36とから構成されている。
周囲壁34は、Si基板32上に設けられたの下部接着層38と、ガラス板36下に設けられた上部接着層40と、下部接着層38と上部接着層40とを接合する半田層42とで形成されている。
【0008】
Si基板及びガラス板は半田との接着性を有しないので、下部接着層38及び上部接着層40は、それぞれ、Si基板及びガラス板に半田との接着性を付与するために設けてあって、Cr/Ni/Auの多層金属膜で形成されている。
Si基板32、周囲壁34、及びガラス板36とにより、光学的微小素子10を収容した中空部44が形成される。
光学的微小素子10をSi基板上に気密封止した気密封止体30を作製する際には、リフロー炉で下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成する。
【0009】
中空部44内に水分、酸素ガス、或いは腐食性ガスが残留すると、それらは光学的微小素子10の構成要素を腐食し、素子特性及び素子寿命に影響を与えるので、極力それらを排除する必要がある。そのために、中空部44内は、水分、空気、その他のガスを排除した真空状態に維持されている。
また、中空部44内には、水分、空気、その他の腐食性ガスを排除した後、光学的微小素子10の動作を円滑にしたり、或いは放熱を容易にするために、封入ガス(複数種のガスからなる混合ガスのこともある)を封入することがある。封入ガスとして、例えばメンブレン16の運動を容易にする水素ガスを封入することが多い。
【0010】
次に、図7及び図8を参照して、中空部44に封入ガスを封入した、光学的微小素子10の気密封止体30を形成する方法を説明する。図7は中空部に封入ガスを封入する方式の従来の光学的微小素子の気密封止体の作製方法の手順を示すフローチャート、及び図8はリフロー炉の構成を示す模式図である。
先ず、前工程として、Si基板32上に下部接着層38のパターンを、及びガラス板36上に上部接着層40を、それぞれ、印刷法等によって形成する。
次いで、Si基板32上の下部接着層38内に光学的微小素子10を配置し、固定する。
次に、光学的微小素子10を配置したSi基板32の下部接着層38に半田を塗布し、半田パターンを形成する。半田パターンは、上部接着層40に設けても良く、下部接着層38及び上部接着層40の双方に設けても良い。
続いて、下部接着層38に上部接着層40を位置合わせするようにして、上部接着層40を半田パターンに載せ、Si基板32上にガラス板36を配置し、組み立て体を形成する。
【0011】
ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉50に送入する。
リフロー炉50は、図8に示すように、加熱ヒータ51を内蔵するステージ52を下部に収容したチャンバ54と、チャンバ54側に開閉弁55を有し、チャンバ54を減圧に吸引する真空ポンプ56と、チャンバ54にガスを送入する開閉弁57付きガス送入管58とを備えている。組み立て体Wは、ステージ52上に載置される。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、開閉弁55を開放し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
【0012】
ステップS4 で、ガス送入管58の開閉弁57を開放し、気密封止体30内に封入する封入ガス、例えば水素ガスを所定圧力になるまでチャンバ54内に導入する。チャンバ54内の圧力が所定圧力になった時点で、開閉弁57を閉止する。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、水素ガスを封入した気密封止体30を作製する。
ステップS6 で、リフロー炉50を自然放冷により冷却する。
【0013】
次いで気密封止体30を取出すが、その際、封入ガスが人体に有害であったり、水素ガスのように危険なガスであったりする場合は、予め、リフロー炉50から封入ガスを排除した後、気密封止体30を取出す必要がある。
そこで、ステップS7 では、開放弁55を開放し、真空ポンプ56を起動してチャンバ54内を減圧にした後、開閉弁57を開放し、チャンバ54内に窒素ガスを導入して、チャンバ54内を窒素ガスで置換した後、大気圧に戻す。
ステップS8 で、リフロー炉50から気密封止体30を取り出す。
【0014】
ステップS7 では、チャンバ54内の圧力が大気圧とほぼ同じ圧力になるようにすると、圧力的には、チャンバ54を開放することができるが、水素ガスが4%〜96%の割合でチャンバ54内にあるとき、そのままチャンバ54を開放すると、爆発の危険性がある。
そこで、封止終了後にチャンバ54を減圧し、大気圧に戻したときの水素の分圧が4%以下になるように、窒素ガスでチャンバ54を置換する。
【0015】
封入ガスを封入しないときには、ステップS2 の後、ステップS3 の組み立て体の予備加熱ステップ、及びステップS4 の封入ガスの導入ステップを省いて、ステップS5 の組み立て体を加熱し、封止するステップに移行する。
また、ステップS7 の窒素ガスによるガス置換ステップでは、窒素ガスに代えて空気を送入する。
【0016】
気密封止体30を作製した後、気密封止体30の気密封止状態の合否を検査するために、ヘリウムリークテストを気密封止体30に施す。
ヘリウムリークテストでは、図9に示すように、先ず、ステップS1 で、空気中のヘリウム濃度以上でヘリウムを含む加圧雰囲気に被検体の気密封止体30を曝す。例えば、ステップS1 では、テストチャンバ(図示せず)内に気密封止体30を入れて真空引きし、次いで空気中のヘリウム濃度以上のヘリウムを含む窒素ガスを導入し、テストチャンバを加圧する。これにより、気密封止が完全でない気密封止体30の中空部44にはヘリウムが侵入する。
次いで、テストチャンバを真空引きし、排気したガス中のヘリウムの有無をヘリウムリークディテクターによって検出する。ヘリウムが検出された気密封止体は、気密封止状態が不良であって、検出されない気密封止体を良品とする。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の気密封止体の作製方法では、上述のように、気密封止体を作製した後に、改めて気密封止体の気密封止検査を行っているので、作業能率が悪いという問題があった。
上述の説明では、光学的微小素子を例にして、素子の気密封止を説明したが、この問題は、光学的微小素子に限らず、素子一般、例えば固体撮像素子、半導体レーザ素子、半導体受光素子、マイクロマシン素子等の気密封止に該当する問題である。
【0018】
そこで、本発明の目的は、作業能率の高い素子の気密封止体の作製方法を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述の従来の気密封止体の作製工程で行うチャンバの真空破壊ステップS7 と、ヘリウムリークテスト工程で行うヘリウム送入ステップS1 とを同時に行うことにより、つまり真空破壊のために導入するガスをヘリウム含有ガスにすることにより、作業能率の高い気密封止体の作製方法が実現できることを着想し、実験により確認して、本発明を発明するに到った。
【0020】
上記目的を達成するために、本発明に係る素子の気密封止体の作製方法(以下、第1の発明方法と言う)は、底板、天井壁、及び、底板上に設けられ、天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定の封入ガスが所定圧力で封入された中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、真空引きした後、リフロー炉のチャンバ内に封入ガスを導入し、所定圧力にする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含む不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴としている。
【0021】
第1の発明方法で、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定の封入ガスが所定圧力で封入された中空部内に素子を気密封止状態で保持する限り、気密封止体の構成に、制約はない。例えば、底板及び天井壁の少なくともいずれかに凹部を設け、凹部内に素子を配置する構成の気密封止体でも良い。
更には、底板が下部壁を有し、天井壁が上部壁を有し、下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止するようにしても良い。
【0022】
第1の発明方法のリークテストの工程では、封入ガス雰囲気のチャンバをヘリウム(He)を含む不活性ガスで置換し、次いで真空引きを行っているので、チャンバ内には封入ガスは殆ど残留していない。よって、チャンバ内外の圧力を平衡するガスは、空気でも良い。
また、好適には、ヘリウム(He)を含む不活性ガスとして、ヘリウムを1容量%以上含む窒素(N2)ガスを使用する。
【0023】
本発明に係る素子の気密封止体の作製方法(以下、第2の発明方法と言う)は、底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲された、所定真空度の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、チャンバを所定真空度に真空引きする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含むガスをチャンバに導入し、次いで真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴としている。
【0024】
第2の発明方法で、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定真空度の中空部内に素子を気密封止状態で保持する限り、気密封止体の構成に、制約はない。例えば、底板及び天井壁の少なくともいずれかに凹部を設け、凹部内に素子を配置する構成の気密封止体でも良い。
更には、底板が下部壁を有し、天井壁が上部壁を有し、下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止するようにしてもよい。
【0025】
第2の発明方法では、好適には、ヘリウム(He)を含むガスとして、ヘリウムを1容量%以上含む空気を使用する。
【0026】
第1及び第2の発明方法では、気密封止体により気密封止される素子に制約は無く、例えば固体撮像素子、半導体レーザ素子、半導体受光素子、マイクロマシン素子の少なくともいずれかの気密封止体を好適に作製することができる。
種類の異なる素子、例えば半導体レーザ素子とマイクロマシン素子とを気密封止しても良い。
第1及び第2の発明方法では、気密封止体の作製に引き続いて、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体の作製作業を効率化することができる。
また、リフロー炉をヘリウムリークテストのテストチャンバとして使用することができる。
【0027】
第1及び第2の発明方法を好適に実施できる、本発明に係るリフロー炉は、底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、封入ガスが封入された、又は真空状態の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する際、ステージを有するチャンバを備え、気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をチャンバに載置して、半田接合することにより、素子の気密封止体を作製するリフロー炉であって、
組み立て体を加熱する加熱手段に加えて、作製した気密封止体を冷却する冷却手段を備えていることを特徴としている。
【0028】
本発明に係るリフロー炉では、作製した気密封止体を冷却する冷却手段を備えているので、作製した気密封止体を自然放冷により冷却していた従来のリフロー炉に比べて、気密封止体を作製した後、短時間でリークテストを行うことができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
リフロー炉の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るリフロー炉の実施形態の一例であって、図1は本実施形態例のリフロー炉の構成を示す模式図である。
本実施形態例のリフロー炉60は、気密封止体Wを冷却する冷却手段をリフロー炉に設けたことを除いて、従来のリフロー炉50と同じ構成を備えている。
リフロー炉60は、図1に示すように、加熱ヒータ51に加えて、冷却手段として、冷却水又は冷媒を流す冷却管62をステージ52に内蔵させている。
本実施形態例のリフロー炉60では、作製した気密封止体を冷却する冷却手段として、冷却管62をステージ52内に備えているので、作製した気密封止体を自然放冷により冷却していた従来のリフロー炉50に比べて、気密封止体を作製した後、短時間で冷却し、リークテストを行うことができる。
【0030】
冷却手段は、冷却管62に代えて、ペルチエ素子をステージ52に内蔵したり、又はチャンバ54の周りに設けたりしてもよく、また、冷却水を流す蛇管又はジャケットをチャンバ54の周りに設けてもよい。更には、それらを合わせ設けてもよい。
【0031】
素子の気密封止体の実施形態例1
本実施形態例は、上述のリフロー炉60を使い、第1の発明方法に係る素子の気密封止体の作製方法を前述の気密封止体30の形成に適用した実施形態の一例であって、図2は本実施形態例の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
本実施形態例では、従来の方法と同様にして、先ず、前工程として、Si基板32上に下部接着層38のパターンを、及びガラス板36上に上部接着層40を、それぞれ、印刷法等によって形成する。
次いで、Si基板32上の下部接着層38内に光学的微小素子10を配置し、固定する。
次に、光学的微小素子10を配置したSi基板32の下部接着層38に半田を塗布し、半田パターンを形成する。半田パターンは、上部接着層40に設けても良く、下部接着層38及び上部接着層40の双方に設けても良い。続いて、下部接着層38に上部接着層40を位置合わせするようにして、上部接着層40を半田パターンに載せ、Si基板32上にガラス板36を配置し、組み立て体を形成する。
【0032】
ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉60に送入する。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
ステップS4 で、ガス送入管58の開閉弁57を開放し、気密封止体内に封入する封入ガス、例えば水素ガスを所定圧力までチャンバ54内に導入する。チャンバ54内の圧力が所定圧力になった時点で開閉弁57を閉止する。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、水素ガスを封入した気密封止体30を作製する。
【0033】
次いで、本実施形態例では、ステップS6 で、冷却管62に冷却水を流して、気密封止体30及びリフロー炉60を冷却する。
続いて、ステップS7 で、ヘリウム(He)を1容量%以上含む窒素ガスを導入して、チャンバ54内の封入ガスを置換する。
次に、ステップS8 で、チャンバ54を真空引きして、ヘリウムリークテストを行って、作製した気密封止体30の気密封止性の合否を検査する。
次に、ステップS9 で空気を導入して、チャンバ54内外の圧力を平衡にし、次いで、ステップS10で、リフロー炉60から気密封止体30を取り出す。
【0034】
本実施形態例の方法では、ステップS1 からステップS5 までのステップで気密封止体30を作製した後、ステップS5 に引き続いて、ステップS6 からステップS8 のステップで、リフロー炉60から気密封止体30を取り出すことなく、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体30の作製作業を効率化することができる。
また、気密封止体30をヘリウムガス含有雰囲気に曝すヘリウムリークテストのテスト容器としてリフロー炉60を使うことができるので、気密封止体の作製設備を簡略化することができる。
【0035】
素子の気密封止体の作製方法の実施形態例2
本実施形態例は、上述のリフロー炉60を使い、第2の発明方法に係る素子の気密封止体の作製方法を前述の気密封止体30の形成に適用した実施形態の一例であって、図3は本実施形態例の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
実施形態例方法1と同様に、ステップS1 で、組み立て体をリフロー炉60に送入する。
ステップS2 で、ガス送入管58の開閉弁57を閉止し、真空ポンプ56を起動して、チャンバ54内の圧力を減圧する。
ステップS3 で、ステップ52の内蔵加熱ヒータ51で組み立て体Wを予備加熱して、半田の溶融温度以下の温度に昇温する。
ステップS4 で、所定真空度にチャンバ54を真空引きする。
ステップS5 で、半田の溶融温度以上の温度に組み立て体Wを昇温して、半田パターンをリフローさせ、下部接着層38と上部接着層40とを半田で接合して半田層42を形成し、中空部44が所定の真空度に維持されている気密封止体30を作製する。
【0036】
次いで、本実施形態例では、ステップS6 で、冷却管62に冷却水を流して、気密封止体30及びリフロー炉60を冷却する。
続いて、ステップS7 で、ヘリウム(He)を1容量%以上含む空気を導入して、チャンバ54内で気密封止体30にヘリウムガス雰囲気に曝す。
次に、ステップS8 で、チャンバ54を真空引きして、ヘリウムリークテストを行って、作製した気密封止体30の気密封止性の合否を検査する。
次に、ステップS9 で空気を導入して、チャンバ54内外の圧力を平衡にし、次いで、ステップS10で、リフロー炉60から気密封止体30を取り出す。
【0037】
本実施形態例の方法では、ステップS1 からステップS5 までのステップで気密封止体30を作製した後、ステップS5 に引き続いて、ステップS6 からステップS8 のステップで、リフロー炉60から気密封止体30を取り出すことなく、連続的にヘリウムリークテストを行うことにより、気密封止体30の作製作業を効率化することができる。
また、気密封止体30をヘリウムガス含有雰囲気に曝すヘリウムリークテストのテスト容器としてリフロー炉60を使うことができるので、気密封止体の作製設備を簡略化することができる。
【0038】
【発明の効果】
第1の発明方法によれば、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止し、ヘリウム(He)含有不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行い、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す。
これにより、素子を気密封止した後、リフロー炉から素子を取り出すことなく、連続してヘリウムリークテストを行うことができるので、素子の気密封止体の作製方法の所要工程数を減らし、プロセスを簡略化することができる。
【0039】
第2の発明方法によれば、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に真空状態の中空部内に素子を気密封止し、ヘリウム(He)含有空気をチャンバ内に導入し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行い、空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す。
これにより、素子を気密封止した後、リフロー炉から素子を取り出すことなく、連続してヘリウムリークテストを行うことができるので、素子の気密封止体の作製方法の所要工程数を減らし、プロセスを簡略化することができる。
【0040】
また、第1及び第2の発明方法を適用することにより、リフロー炉をヘリウムリークテストのテストチャンバとして使用することができる。
本発明に係るリフロー炉は、気密封止体の冷却手段を備えているので、冷却ステップの所要時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例のリフロー炉の構成を示す模式図である。
【図2】実施形態例1の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
【図3】実施形態例2の素子の気密封止体の作製方法を実施する手順を示すフローチャートである。
【図4】光学的微小素子の構成を示す斜視図である。
【図5】光変調素子の構成を示す斜視図である。
【図6】図6(a)は気密封止体の側面断面図、及び図6(b)は図6(a)の矢視I−Iの断面配置図である。
【図7】中空部に封入ガスを封入する方式の従来の光学的微小素子の気密封止体の作製方法の手順を示すフローチャートである。
【図8】リフロー炉の構成を示す模式図である。
【図9】ヘリウムリークテストの手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10……光学的微小素子、12……光変調素子、14……光反射膜兼メンブレン側電極、16……静電駆動型メンブレン、18……絶縁性基板、20……基板側電極、22……空隙部、24……ブリッジ部材、30……気密封止体、32……Si基板、34……周囲壁、36……ガラス板、38……下部接着層、40……上部接着層、42……半田層、44……中空部、50……リフロー炉、51……加熱ヒータ、52……ステージ、54……チャンバ、55……開閉弁、56……真空ポンプ、57……開閉弁、58……ガス送入管、60……実施形態例のリフロー炉、62……冷却管。
Claims (8)
- 底板、天井壁、及び、底板上に設けられ、天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、所定の封入ガスが所定圧力で封入された中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、真空引きした後、リフロー炉のチャンバ内に封入ガスを導入し、所定圧力にする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含む不活性ガスでチャンバ内の封入ガス雰囲気を置換し、続いてチャンバを真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴とする素子の気密封止体の作製方法。 - 下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、
中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に封入ガスを封じた中空部内に素子を気密封止することを特徴とする請求項1に記載の素子の気密封止体の作製方法。 - ヘリウムを含む不活性ガスとして、ヘリウムを1容量%以上含む窒素(N2)ガスを使用することを特徴とする請求項1又は2に記載の素子の気密封止体の作製方法。
- 底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲された、所定真空度の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する方法であって、
気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をリフロー炉のチャンバ内に載置し、チャンバを所定真空度に真空引きする工程と、
底板及び天井壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、底板と天井壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止する工程と、
ヘリウム(He)を含むガスをチャンバに導入し、次いで真空引きして、ヘリウムリークテストを行う工程と、
空気又は不活性ガスを導入して、チャンバ内外の圧力を平衡にした後、リフロー炉から気密封止体を取り出す工程と
を有することを特徴とする素子の気密封止体の作製方法。 - 下部壁を有する底板上に素子を配置し、天井壁下に設けられた上部壁が下部壁上に位置決めされた状態で天井壁を底板上に載せて、気密封止体の組み立て体を形成し、
中空部内に素子を気密封止する工程では、下部壁及び上部壁の少なくともいずれかに設けられた半田層をリフローし、下部壁と上部壁とを半田接合して周囲壁を形成すると共に所定真空度の中空部内に素子を気密封止することを特徴とする請求項4に記載の素子の気密封止体の作製方法。 - ヘリウムを含むガスとして、ヘリウムを1容量%以上含有させた空気を使用することを特徴とする請求項4又は5に記載の素子の気密封止体の作製方法。
- 素子として、固体撮像素子、半導体レーザ素子、半導体受光素子、マイクロマシン素子の少なくともいずれかを気密封止することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の素子の気密封止体の作製方法。
- 底板、天井壁、及び、底板上に天井壁を支持する周囲壁を有し、底板、天井壁、及び周囲壁により閉囲され、封入ガスが封入された、又は真空状態の中空部内に素子を気密封止状態で保持する素子の気密封止体を作製する際、ステージを有するチャンバを備え、気密封止体を構成する部材を組み立てた組み立て体をチャンバに載置して、半田接合することにより、素子の気密封止体を作製するリフロー炉であって、
組み立て体を加熱する加熱手段に加えて、作製した気密封止体を冷却する冷却手段を備えていることを特徴とするリフロー炉。
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