JP2003530771A - 銘入り素子 - Google Patents
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Abstract
Description
が表記されている。これはメーカ名、素子の型番または仕様、および場合により
製造シリアル番号または商標などを知らせるものである。充分に大きな面積をこ
の表記に使用できる比較的大きな素子であれば、これは簡単に例えばプレスなど
によって刻印できる。しかし1mmよりも小さい寸法の素子では、銘の作成に充
分な表記面積が得られない。代替手段としてこれらの素子には最小サイズでの表
記が可能となるレーザーを用いて銘を表記することができる。
表記すると、きわめて読み取りにくくなるかまたは全く刻印できなくなる。なぜ
ならその位置で材料を除去することによって充分なコントラストが得られないか
らである。
層を備えた素子を提供することである。
有利な実施形態は従属請求項から得られる。
の上方にレーザーによって除去可能なコントラスト層を設ける。このようにすれ
ば、コントラスト層をレーザーを用いて局所的に除去することにより良好に読み
取り可能な銘を簡単に作成することができ、光コントラストも高くなる。
良好な光コントラストを有する全ての層を考えることができる。簡単に製造でき
るのは、例えば素子の製造ステップと互換性のあるステップで製造可能なコント
ラスト層である。特に有利には、被覆層の製造をシームレスに素子の製造プロセ
ス中に導入でき、素子の製造方法の先行のステップに必要な装置と同じものを利
用できるとよい。
に形成され、有利にはコントラスト層は前述の場合と同様に金属の被覆層とは光
特性の異なる金属層である。2つの金属層の相違点は例えば金属層の反射特性と
して得られ、これは特に層のモディフィケーションまたは微細構造に依存してい
る。これに代えてまたはこれに加えて、金属層のコントラスト層の色を異ならせ
たり、層ごとに異なる色の金属を使用したりしてもよい。
層、特に黒色に色づけされたレジスト層を使用することができる。一般にコント
ラスト層は金属層とは異なる色であるかまたは黒色層であると有利である。
この層コンビネーションではレーザーでの表記により良好な光コントラストが形
成され、これは例えば連続的に同様の装置を用いて被着することができる。例え
ば a)銅/光沢ニッケル/黒ニッケル b)光沢銅(Glanzkupfer)/ニッケル/黒ニッケル c)銅/ニッケル(マット)/ニッケル(グレー) d)銅/アルミニウム/陽極処理アルミニウム が挙げられる。これらの層のコンビネーションは付加的に金属の被覆層の上方に
被着される。前述の積層体のうち1つまたは2つの金属層が被覆層を形成してい
るか、または被覆層の機能を担当している。
属を含む構成である。これらの層は例えば異なる製造条件により形成される。金
属層をスパッタリング、無電流析出または電気化学的析出により被着する際には
、プロセスパラメータまたは堆積条件が変化することにより、例えば相応の層の
光特性が調整される。
ラストを形成し、レーザーによりその一部が除去される。この積層体は異なる色
の複数の金属を含む次のような金属の組み合わせである。
たは金属の被覆層の一部であり、これらの堆積条件は有利には等しい。ここでの
コントラストはレーザー表記の後に残る金属層領域を形成する金属層の色が異な
ることによるのみで充分であるが、色のコントラストに加えてさらに反射のコン
トラストを形成することもできる。有利には上方の層(コントラスト層)の反射
の度合が低く、下方の層すなわちレーザー除去によって露出される層の反射の度
合がこれよりも高い特性を有するように構成する。
泳動法が適している。この手法には種々のレジストを適用することができ、その
際にもコントラストのほかは材料や組成に特別な要求は課されない。またレジス
トを含むコントラスト層を印刷法、滴加法または射出成形法により設けることも
できる。
子に適用される。この種の金属の被覆層は有利には金属のカバーキャップである
。金属のカバーキャップに代えて任意の素子が内部に配置された金属のケーシン
グまたはその一部であってもよい。金属の被覆層は例えば電磁ビームに対する遮
蔽層として使用される。この種の遮蔽は素子そのものから電磁ビームが放射され
るのを阻止するために必要である。また外部から作用する電磁ビームの遮蔽に用
いられる金属の被覆層を有する素子を構成することができる。これは例えば電磁
ビームに敏感な素子に適用される。したがって有利には本発明の素子の例として
高周波数で動作する素子、例えばHF領域の表面波素子が挙げられる。
概略図が示されている。図2には多層のメタライゼーション内に形成された銘の
断面概略図が示されている。
表面波素子は例えばフリップチップ技術で基板2上に被着された表面波フィルタ
である。この場合圧電基板1が活性の素子構造体6を支持しており、適切なはん
だ付け接続部5(バンプ)を介して下向きにパネル2に接合されている。これに
より基板2とパネルとの間の素子構造体がパネルに対する内径で保護されて配置
されている。有利には複数の素子がパネル上に被着されており、全ての被覆層が
設けられた後にダイシングされる。付加的に前述のように活性の素子構造体6を
カバーキャップ7によって被覆することもできる。このカバーキャップは本出願
人がPROTECの名称で提供している集積プロセスを用いて素子基板1(チッ
プ)の表面に直接に形成される。素子構造体6の上方には中空スペースが残され
、プロセス中も基板は機械的に保護される。
ベース基板2上のアンダーバンプメタライゼーションとを接続している。パネル
内のスルーコンタクト3を介してパネル2の下方側でのメタライゼーション端子
10への導電接続が形成され、これにより素子と例えばプリント配線板またはモ
ジュール上に形成されたSMD構造の回路とを接続することができる。パネルは
プラスティックまたはセラミックまたは有利にはこれら2つの層から形成される
。これらの層のあいだにメタライゼーション面が形成され、これにより導体路を
交差なしに接続することができる。さらにこれにより相互に側方へずらされたス
ルーコンタクト3を形成することができ、直線状にパネル2を貫通するスルーコ
ンタクトに比べて気密に製造することができる。
金属層が被着されており、パネル2が気密に閉鎖され、また素子全体が密封され
ている。このために前述のステップで封止剤としてアンダフィラ15が使用され
る。このアンダフィラは素子基板1をリング状に包囲し、少なくとも素子基板の
外側領域で素子基板1とパネル2とのあいだの露出領域を閉鎖する(図1を参照
)。アンダフィラ15は液状の封止材料、例えばレジストまたは樹脂を塗布およ
び硬化することにより形成される。また封止のために素子および基板にプラステ
ィックフィルム、金属フィルム、ラミネートフィルム(図示されていない)を密
に突き合わせてもよい。
用することができる。これは例えば金属フィルムのかたちで行われる。金属層は
また多層ラミネートフィルムの外側の層であってもよく、これを素子の封止に使
用する。また金属の被覆層をメタライゼーションおよび続く電気化学的強化によ
り形成することもできる。これは有利にはコントラスト層(第2の金属層)を形
成するのと同じプロセスで行われる。
面、および被着されたチップ1に隣接して露出されたパネル2の表面)が例えば
PdCl2溶液により僅かに高い温度で活性化される。活性化された表面には第
1の層として化学的なメタライゼーションが無電流で堆積される。例えば強アル
カリ性の化学銅槽において約2〜3μmの厚さの銅層11が堆積される。
2により強化される。パシベーション層としてさらに酸性のマットニッケル槽に
おいてニッケル層13が堆積され、この層が後の表記のコントラストに対する部
分層となる。これに対応するコントラスト層として、さらに、酸性の黒ニッケル
槽において約0.3μm厚さの薄い黒ニッケルめっきが行われる。
トラスト層14の一部を選択的に除去することが示されている。これは暗い黒ニ
ッケル層の高い吸収能により支援される。露出領域には金属光沢を有するニッケ
ル層13の表面が表れ、黒ニッケル層14の残っている層領域に対して良好に認
識可能なコントラストが形成される。
SAW Package)と称しているプロセスにしたがって被着される被覆部を備えた素
子に使用される。フリップチップ技術によりパネル2上に被着される素子基板1
は従来の技術とは異なってパネル2とほぼ同じ寸法を有しており、このため素子
のメタライゼーションおよび素子パッケージのさらなる微細化を達成できる。共
通にパネル2上に被着され、本発明により被覆された複数の素子は続いてダイシ
ングされる。これは例えばはんだ付けされた素子基板のあいだの切り離し位置1
6をソーダイシングすることにより行われる(図1を参照)。
、使用できる表面が小さすぎて従来の印刷表記が不可能であった素子や、金属の
被覆層に直接レーザー表記することのできなかった素子、またコントラストの低
かった素子など、種々の微細な素子に使用することができる。
Claims (12)
- 【請求項1】 金属の被覆層(11、12、13)の上方に少なくとも1つ
のコントラスト層(14)が配置されており、 該コントラスト層は金属の被覆層に対して光コントラストを形成しており、該
コントラスト層をレーザーを用いて除去することにより銘を表記する、 ことを特徴とする金属の被覆層を備えた素子。 - 【請求項2】 コントラスト層(14)は金属層である、請求項1記載の素
子。 - 【請求項3】 光コントラストは被覆層(13)が反射層でありかつコント
ラスト層(13)がマット層であるか、または被覆層がマット層でありかつコン
トラスト層が反射層であることにより達成される、請求項2記載の素子。 - 【請求項4】 光コントラストは被覆層(13)の色とコントラスト層(1
4)の色とが異なることにより得られる、請求項1から3までのいずれか1項記
載の素子。 - 【請求項5】 コントラスト層(14)は黒色層であり、被覆層(13)は
金属光沢を有する層である、請求項1から4までのいずれか1項記載の素子。 - 【請求項6】 コントラスト層(14)は黒ニッケル層である、請求項1か
ら5までのいずれか1項記載の素子。 - 【請求項7】 コントラスト層(14)は電気泳動法により塗布されたレジ
スト層、浸出されたグローブトップ物質、または印刷されたレジスト層である、
請求項1から5までのいずれか1項記載の素子。 - 【請求項8】 コントラスト層(14)は被覆層(13)とは異なる色の別
の金属層である、請求項1から6までのいずれか1項記載の素子。 - 【請求項9】 被覆層(13)およびコントラスト層(14)の組み合わせ
は、Ni/Au;Cu/Ni;Cu/Al;Cu/Sn;Cu/Auの材料コン
ビネーションのうちのいずれかである、請求項8記載の素子。 - 【請求項10】 少なくとも1つのコントラスト層(14)が金属の被覆層
(13)の上方に設けられ、コントラスト層の所定の領域(17)が除去され、
被覆層(13)が露出されてレーザーによる銘表記が作成される、請求項1から
9までのいずれか1項記載の素子。 - 【請求項11】 HF遮蔽被覆層(11、12、13)を有するOFW素子
として構成されている、請求項10記載の素子。 - 【請求項12】 フリップチップ技術でパネル(2)上に固定されており、
金属の被覆層(13)が素子の後面(1)に被着されており、当該の素子がパネ
ル(2)に対して密閉されている、請求項11記載の素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10016867.1 | 2000-04-05 | ||
DE10016867A DE10016867A1 (de) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | Bauelement mit Beschriftung |
PCT/DE2001/000833 WO2001078041A1 (de) | 2000-04-05 | 2001-03-05 | Bauelement mit beschriftung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003530771A true JP2003530771A (ja) | 2003-10-14 |
JP4709463B2 JP4709463B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=7637633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001575408A Expired - Lifetime JP4709463B2 (ja) | 2000-04-05 | 2001-03-05 | 銘入り素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6838739B2 (ja) |
EP (1) | EP1269450B1 (ja) |
JP (1) | JP4709463B2 (ja) |
CN (1) | CN1193325C (ja) |
DE (2) | DE10016867A1 (ja) |
WO (1) | WO2001078041A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10164494B9 (de) * | 2001-12-28 | 2014-08-21 | Epcos Ag | Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung |
DE10164502B4 (de) * | 2001-12-28 | 2013-07-04 | Epcos Ag | Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements |
DE10300958A1 (de) * | 2003-01-13 | 2004-07-22 | Epcos Ag | Modul mit Verkapselung |
FR2849949B1 (fr) * | 2003-01-13 | 2006-11-03 | Marc Degand | Plaque d'identification inalterable |
DE10329329B4 (de) * | 2003-06-30 | 2005-08-18 | Siemens Ag | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6992400B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-01-31 | Nokia Corporation | Encapsulated electronics device with improved heat dissipation |
US7608789B2 (en) | 2004-08-12 | 2009-10-27 | Epcos Ag | Component arrangement provided with a carrier substrate |
DE102005007608B4 (de) * | 2005-02-18 | 2017-09-21 | Epcos Ag | Anordnung aufweisend einen Kondensator und eine Schablone |
DE102005008514B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-05-16 | Tdk Corporation | Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran |
DE102005008511B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
US20060261607A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Kromkowski Joseph S | Security seal with peel off label |
DE102005053765B4 (de) * | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
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DE102006019118B4 (de) | 2006-04-25 | 2011-08-18 | Epcos Ag, 81669 | Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung |
US7615404B2 (en) * | 2006-10-31 | 2009-11-10 | Intel Corporation | High-contrast laser mark on substrate surfaces |
CA2789069A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Microbonds Inc. | Metal graphic and method to produce a metal graphic |
ITMI20101415A1 (it) | 2010-07-29 | 2012-01-30 | St Microelectronics Srl | Circuiti integrati tracciabili e relativo metodo di produzione |
CN105702664A (zh) * | 2012-11-16 | 2016-06-22 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装构造及其制造方法 |
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CN107535078B (zh) * | 2015-05-20 | 2020-03-31 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
DE102018116821A1 (de) | 2018-07-11 | 2020-01-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements |
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-
2000
- 2000-04-05 DE DE10016867A patent/DE10016867A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-03-05 US US10/240,872 patent/US6838739B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 WO PCT/DE2001/000833 patent/WO2001078041A1/de active Application Filing
- 2001-03-05 CN CNB018078079A patent/CN1193325C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 EP EP01916902A patent/EP1269450B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 DE DE50114686T patent/DE50114686D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 JP JP2001575408A patent/JP4709463B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6838739B2 (en) | 2005-01-04 |
US20030047806A1 (en) | 2003-03-13 |
EP1269450A1 (de) | 2003-01-02 |
JP4709463B2 (ja) | 2011-06-22 |
DE50114686D1 (de) | 2009-03-19 |
EP1269450B1 (de) | 2009-01-28 |
CN1422418A (zh) | 2003-06-04 |
WO2001078041A1 (de) | 2001-10-18 |
CN1193325C (zh) | 2005-03-16 |
DE10016867A1 (de) | 2001-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4709463 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |